JPH11345438A - 光記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 更なる繰り返し記録耐久性の向上が図られ
て、繰り返し記録を行っても常に安定且つ良好な記録再
生特性が得られる。 【解決手段】 結晶状態と非結晶状態との間の相変化が
生じる相変化材料からなる記録膜を備え、光線を照射し
て上記記録膜に相変化を生じさせることにより情報信号
が記録される光記録媒体であって、上記相変化材料は、
ＧｅＳｂＴｅ合金を含有し、上記記録膜は、Ｎ₂ガスと
Ｏ₂ガスの少なくとも一方を含有するＡｒガス雰囲気下
にてスパッタリングにより成膜されてなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、結晶状態と非結晶
状態との間の相変化が生じる相変化材料からなる記録膜
を備え、光線を照射して上記記録膜に相変化を生じさせ
ることにより情報信号が記録される光記録媒体及びその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザ光等の光線の照射により各種情報
信号の記録及び／又は再生を行う光記録媒体としては、
例えば、エンボスピットによって情報信号が予め書き込
まれる光ディスクや、記録層の結晶状態と非結晶状態と
の相互間の相変化を利用して情報信号が書き込まれる相
変化光ディスクや、記録層の磁気光学効果を利用して情
報信号が書き込まれる光磁気ディスク等が挙げられる。
これらの光ディスクは、いずれもポリカーボネート等の
プラスチックあるいはガラス製の透明基板上に、記録層
や光反射膜等の機能膜を備えた構成となっている。

【０００３】上述したような光記録媒体の中でも、書き
換え可能なものとしては、光磁気ディスクや相変化光デ
ィスクが挙げられる。特に、相変化光ディスクは、書き
換えが容易であり、しかも外部磁場を発生する手段を用
いなくても記録再生が可能なため記録再生装置を小型化
することが可能であるという点から注目を集めている。

【０００４】このような相変化光ディスクにおいて情報
信号を記録する際には、記録層に対して高いレベルのパ
ワー（以下、記録パワーと称する。）のレーザ光が照射
されて記録層が融点以上に昇温される。その後、急冷さ
れることにより、記録層のレーザ光が照射された部分が
非結晶状態であるアモルファス状態の記録マークとな
る。

【０００５】また、この相変化光ディスクにおいて記録
層に記録された情報信号を消去する際には、記録時に照
射したレーザ光よりも弱いパワーのレーザ光が少なくと
も記録マーク上に照射されてレーザ光の照射部分が結晶
化温度以上、融点温度以下に昇温される、その後、冷却
されることにより、既に記録されたアモルファス状態の
記録マーク部分が結晶状態となり消去される。

【０００６】さらに、この相変化光ディスクにおいて
は、照射された部分の記録層を構成する材料が結晶状態
か非結晶状態かによって反射率が異なることから、最も
弱いレーザ光を記録層に照射することによって、これら
各状態における反射率変化を検出することで情報信号の
再生が行われる。

【０００７】このような相変化光ディスクは、記録層の
構成材料として、例えば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系等のＧｅ
を含有するカルコゲン化合物（以下、Ｇｅ系カルコゲン
化合物と称する。）やＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系等のＡ
ｇを含有するカルコゲン化合物（以下、Ａｇ系カルコゲ
ン化合物と称する。）等の相変化材料が挙げられる。中
でも、記録層の構成材料としてＧｅ系カルコゲン化合物
を用いた相変化光ディスクは、記録層の構成材料として
Ａｇ系カルコゲン化合物を用いた相変化光ディスクより
も繰り返し記録耐久性に優れていることが知られてい
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、記録層
の構成材料としてＧｅ系カルコゲン化合物を用いた相変
化光ディスクは、記録層の構成材料としてＡｇ系カルコ
ゲン化合物を用いた相変化光ディスクよりも繰り返し記
録耐久性に優れているが、繰り返し記録を数回から数十
回行った際に再生信号の信号特性が局所的に悪化してし
まったり、繰り返し記録を数万回以上行うと再生信号の
信号特性が急激に悪化してしまうという問題がある。

【０００９】そのため、この相変化光ディスクでは、繰
り返し記録回数が数回から数十回のような少数回である
際に安定した再生信号を得ることができない。また、こ
の相変化光ディスクでは、繰り返し記録回数が数万回以
上の多数回である際に良好な再生信号を得ることができ
ず、結果的に信号特性に信頼性を欠いたものとなってし
まう。

【００１０】そこで、本発明は、上述したような従来の
実情に鑑みて提案されたものであり、更なる繰り返し記
録耐久性の向上が図られて、繰り返し記録を行っても常
に安定且つ良好な記録再生特性が得られる光記録媒体及
びその製造方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の光記録媒体は、
結晶状態と非結晶状態との間の相変化が生じる相変化材
料からなる記録膜を備え、光線を照射して上記記録膜に
相変化を生じさせることにより情報信号が記録される光
記録媒体であって、上記相変化材料は、ＧｅＳｂＴｅ合
金を含有し、上記記録膜は、Ｎ₂ガスとＯ₂ガスの少なく
とも一方を含有するＡｒガス雰囲気下にてスパッタリン
グにより成膜されてなることを特徴とする。

【００１２】上述したような本発明に係る光記録媒体で
は、記録膜の成膜条件が規定されるため、記録膜を構成
するＧｅＳｂＴｅ合金が好適に窒化及び酸化されて、記
録膜の物性が記録再生特性に関して最適化され、更なる
繰り返し記録耐久性の向上が図られる。これにより、本
発明に係る光記録媒体は、繰り返し記録を数回から数十
回行った後にみられる再生信号の局所的劣化現象が極力
抑えられ、且つ数万回以上繰り返し記録を行っても良好
な再生信号が得られて、結果的に、繰り返し記録後も常
に安定且つ良好な記録再生特性が得られる。

【００１３】具体的には、本発明の光記録媒体では、上
記記録膜が、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスを含有するＡｒガス雰
囲気下にて成膜されてなる場合、Ａｒガスに対するＮ₂
ガス及びＯ₂ガスの混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／ＡｒをＹ
［％］とし、上記Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスに占めるＯ₂ガス
の割合Ｏ₂／（Ｎ₂＋Ｏ₂）をＺ［％］とし、成膜速度を
Ｘ［ｎｍ／ｓ］としたとき、Ｘ，Ｙ及びＺは、下記式
（１５）、式（１６）及び式（１７）を満たすことが好
ましい。

【００１４】 Ｙ≧２．３Ｘ＋１．０ ・・・（１５） Ｙ≦１２．８Ｘ＋１６．７ ・・・（１６） １０≦Ｚ≦６０ ・・・（１７） また、本発明の光記録媒体では、上記記録膜が、Ｏ₂ガ
スを含有するＡｒガス雰囲気下にて成膜されてなる場
合、上記Ｏ₂ガスと上記Ａｒガスとの混合比Ｏ₂／Ａｒを
Ｙ［％］とし、成膜速度をＸ［ｎｍ／ｓ］としたとき、
Ｘ及びＹは、下記式（１８）及び式（１９）を満たすこ
とが好ましい。

【００１５】 Ｙ≧２．３Ｘ＋１．０ ・・・（１８） Ｙ≦５．５Ｘ＋２．７ ・・・（１９） また、本発明の光記録媒体では、上記記録膜が、Ｎ₂ガ
スを含有するＡｒガス雰囲気下にて成膜されてなる場
合、Ｎ₂ガスとＡｒガスとの混合比Ｎ₂／ＡｒをＹ［％］
とし、成膜速度をＸ［ｎｍ／ｓ］としたとき、Ｘ及びＹ
は、下記式（２０）及び式（２１）を満たすことが好ま
しい。

【００１６】 Ｙ≧１．８Ｘ＋５．０ ・・・（２０） Ｙ≦１２．８Ｘ＋１６．７ ・・・（２１） また、本発明の光記録媒体の製造方法は、結晶状態と非
結晶状態との間の相変化が生じる相変化材料からなる記
録膜を備え、光線を照射して上記記録膜に相変化を生じ
させることにより情報信号が記録される光記録媒体の製
造方法であって、上記相変化材料としてＧｅＳｂＴｅ合
金を用いて、上記記録膜を成膜する際に、Ｎ₂ガス又は
Ｏ₂ガスの少なくとも一方を含有するＡｒガス雰囲気下
にて、スパッタリングによって成膜することを特徴とす
る。

【００１７】上述したような本発明に係る光記録媒体の
製造方法では、記録膜の成膜条件が規定されるため、記
録膜を構成するＧｅＳｂＴｅ合金が好適に窒化及び酸化
されて、記録膜の物性が記録再生特性に関して最適化さ
れ、更なる繰り返し記録耐久性の向上が図られる。これ
により、本発明に係る光記録媒体の製造方法によれば、
繰り返し記録を数回から数十回行った後にみられる再生
信号の局所的劣化現象が極力抑えられ、且つ数万回以上
繰り返し記録を行っても良好な再生信号が得られて、結
果的に、繰り返し記録後も常に安定且つ良好な記録再生
特性を有する光記録媒体が得られる。

【００１８】具体的には、本発明の光記録媒体の製造方
法では、上記記録膜を成膜する際に、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガ
スを含有するＡｒガス雰囲気下にて、Ａｒガスに対する
Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスの混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／ＡｒをＹ
［％］とし、上記Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスに占めるＯ₂ガス
の割合Ｏ₂／（Ｎ₂＋Ｏ₂）をＺ［％］とし、成膜速度を
Ｘ［ｎｍ／ｓ］としたとき、下記式（２２）、式（２
３）及び式（２４）を満たす条件にて成膜することが好
ましい。

【００１９】 Ｙ≧２．３Ｘ＋１．０ ・・・（２２） Ｙ≦１２．８Ｘ＋１６．７ ・・・（２３） １０≦Ｚ≦６０ ・・・（２４） また、本発明の光記録媒体の製造方法では、上記記録膜
を成膜する際に、Ｏ₂ガスを含有するＡｒガス雰囲気下
にて、Ｏ₂ガスとＡｒガスとの混合比Ｏ₂／ＡｒをＹ
［％］とし、成膜速度をＸ［ｎｍ／ｓ］とするとき、下
記式（２５）及び式（２６）を満たす条件にて成膜する
ことが好ましい。

【００２０】 Ｙ≧２．３Ｘ＋１．０ ・・・（２５） Ｙ≦５．５Ｘ＋２．７ ・・・（２６） また、本発明の光記録媒体の製造方法では、上記記録膜
を成膜する際に、Ｎ₂ガスを含有するＡｒガス雰囲気下
にて、Ｎ₂ガスとＡｒガスとの混合比Ｎ₂／ＡｒをＹ
［％］とし、成膜速度をＸ［ｎｍ／ｓ］とするとき、下
記式（２７）及び式（２８）を満たす条件にて成膜する
ことが好ましい。

【００２１】 Ｙ≧１．８Ｘ＋５．０ ・・・（２７） Ｙ≦１２．８Ｘ＋１６．７ ・・・（２８）

【００２２】

【発明の実施の形態】〈第１の実施の形態〉以下、本発
明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説
明する。図１は、本発明を適用した相変化光ディスク１
の要部を拡大して示す断面図である。

【００２３】本発明を適用した相変化光ディスク１は、
図１に示すように、基板２上に、第１の誘電体膜３、記
録膜４、第２の誘電体膜５、光反射膜６、保護膜７がこ
の順に積層形成されてなる。

【００２４】基板２は、一主面２ａ上に記録トラックに
沿ったグルーブ２ｂが形成されている。この基板２の厚
みは、例えば、０．６ｍｍである。また、基板２として
は、例えば、ポリカーボネート（ＰＣ）やポリメチルメ
タクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル系樹脂よりなる
プラスチック基板や、ガラス基板等が挙げられる。この
基板２は、例えば、射出成形法やフォトポリマー法（２
Ｐ法）等によって成形される。なお、情報信号の記録再
生が行われる際には、この基板２側からレーザ光等の光
線が入射される。

【００２５】記録膜４は、第１の誘電体膜３上に形成さ
れる。この記録膜４は、レーザ光等の光線の照射によっ
て結晶状態と非結晶状態との間で可逆的に相変化する相
変化材料からなり、この相変化材料を光線照射によって
相変化させることにより情報信号の書き込みや消去や再
生が可能となる光記録層である。

【００２６】詳しくは、この記録膜４を構成する相変化
材料は、融点以上の温度に昇温された後に急冷されるこ
とによりアモルファス状態となる。これに対して、この
相変化材料は、融点以下且つ結晶化温度以上に昇温され
た後に冷却されることにより結晶状態となる。そのた
め、情報信号が記録される際には、記録膜４が相変化材
料の融点以上の温度に昇温された後に急冷されることに
より、アモルファス状態の記録マークが形成される。

【００２７】また、この記録膜４は、結晶状態かアモル
ファス状態かによって異なった反射率を示す。そのた
め、レーザ光を記録膜４に照射した後に、このレーザ光
の戻り光の反射率変化を検出することによって、情報信
号が再生される。

【００２８】特に、本発明における記録膜４の相変化材
料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金からなるカルコゲン化合物
である。そして、この記録膜４は、膜厚が１８ｎｍ〜３
０ｎｍとされていることが好ましい。

【００２９】ここで、この記録膜４は、Ｎ₂ガス及びＯ₂
ガスを含有するＡｒガス雰囲気下にて、Ａｒガスに対す
るＮ₂ガス及びＯ₂ガスの混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／ＡｒをＹ
［％］とし、このＮ₂ガス及びＯ₂ガスに占めるＯ₂ガス
の割合Ｏ₂／（Ｎ₂＋Ｏ₂）をＺ［％］とし、成膜速度を
Ｘ［ｎｍ／ｓ］としたとき、下記式（２９）、式（３
０）及び式（３１）を満たす条件にてスパッタリングに
よって成膜されてなることが好ましい。

【００３０】 Ｙ≧２．３Ｘ＋１．０ ・・・（２９） Ｙ≦１２．８Ｘ＋１６．７ ・・・（３０） １０≦Ｚ≦６０ ・・・（３１） なお、上記混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａｒは、（Ｎ₂＋Ｏ₂）
とＡｒの流量比、言い換えれば、雰囲気中における（Ｎ
₂＋Ｏ₂）とＡｒとの体積比を示している。また、上記割
合Ｏ₂／（Ｎ₂＋Ｏ₂）は、Ｏ₂と（Ｎ₂＋Ｏ₂）との流量
比、言い換えれば、雰囲気中に占めるＯ₂と（Ｎ₂＋
Ｏ₂）との体積比を示すものである。

【００３１】さらに、この成膜速度Ｘが０．１ｎｍ／ｓ
以上、５．０ｎｍ／ｓ以下であることが好ましい。つま
り、Ｘが下記式（３２）を満足することが好ましい。

【００３２】 ０．１≦Ｘ≦５ ・・・（３２）１．記録膜成膜時における雰囲気条件と成膜速度Ｘの検
討 以上述べたように、本発明を適用した光記録媒体及びそ
の製造方法において、記録膜４を成膜する際に、Ａｒガ
スに対するＮ₂ガス及びＯ₂ガスの混合比Ｙ［％］及び成
膜速度Ｘ［ｎｍ／ｓ］を、上記の式（２９）、（３０）
及び（３１）のように規定した理由は、次に示すような
実験結果に基づくものである。以下、この実験について
詳細を説明する。

【００３３】１−１ 記録膜成膜時における雰囲気条件
と再生信号の信号特性との関係 先ず、次のように相変化光ディスクを作製した。

【００３４】始めに、直径が１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍ
ｍの基板２を用意した。そして、この基板２上に膜厚１
２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる第１の誘電体膜３
をスパッタリングにより形成した。

【００３５】次に、この第１の誘電体膜３上に、Ｇｅ₂
Ｓｂ₂Ｔｅ₅からなるターゲットを用いて、成膜速度を
０．４２ｎｍ／ｓとし、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスを混合した
Ａｒガス雰囲気下でスパッタリングによって、膜厚２５
ｎｍのＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅからなる記録膜４をスパッタリ
ングにより形成した。

【００３６】このとき、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスを混合した
Ａｒガス雰囲気として、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスに占めるＯ
₂ガスの割合Ｏ₂／（Ｎ₂＋Ｏ₂）を２０％に固定するとと
もに、Ａｒガスに対するＮ₂ガス及びＯ₂ガスのの混合比
（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａｒを０％〜２０％の範囲で変化させ、
各条件下で記録膜を成膜したものを複数作製した。

【００３７】但し、上記混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａｒを０
％とする条件は、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスを含有しないＡｒ
ガス雰囲気を示すものであり、本発明を適用した製造方
法における記録膜成膜条件ではない。

【００３８】次に、各条件下で成膜された記録膜４上
に、膜厚１５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる第２の誘
電体膜５、膜厚１５０ｎｍのＡｌ合金からなる光反射膜
６を順次スパッタリングにより形成し、更に、この光反
射膜６上に紫外線硬化樹脂を塗布して保護膜７を形成す
ることによって、相変化光ディスク１を作製した。

【００３９】そして、このようにして作製した相変化光
ディスク１をそれぞれ２枚づつ作製し、光反射膜６が互
いに内側に向かい合うように、２枚の相変化光ディスク
を接着剤９によって接着し、最終的に、図２に示すよう
な両面から記録再生可能な直径１．２ｍｍ、厚さ１．２
ｍｍの両面型相変化光ディスク１０を作製した。なお、
この相変化光ディスク１０は、トラックピッチが約０．
８μｍであり、片面当たり約３．０ＧＢの記録容量を有
する。

【００４０】以上のように成膜条件を変化させて作製さ
れた複数の相変化光ディスクについて、それぞれ強力な
レーザ光を照射させて記録膜４を結晶化させる初期化処
理を施した。

【００４１】そして、初期化後のこれら相変化光ディス
クに対して、図３に示すような発光パターンを用いてラ
ンダムＥＦＭ信号をChannel Clockを２７．７ＭＨｚと
して記録した。ここで、図３では、記録パワーをＰｈと
示し、消去パワーをＰｌと示し、冷却パワーをＰｃと示
した。また、図３中の発光パターンは、１クロックを１
Ｔと示し、１発光パルスのパルス長を１３ｎｓとした。

【００４２】このとき、線速度は４．８ｍ／ｓであり、
記録パワーＰｈは１４．５ｍＷであり、消去パワーＰｌ
は５．８ｍＷであり、冷却パワーＰｃは１．５ｍＷであ
るような記録再生装置を用いた。なお、この記録再生装
置には、波長が６５０ｎｍのレーザ光を発生する光源が
搭載されている。

【００４３】このような条件で、各相変化光ディスクに
対して、記録を２回繰り返し行った。

【００４４】そして、記録膜成膜時におけるＮ₂ガス及
びＯ₂ガスの混合ガスの条件と、再生信号の信号特性と
の関係を評価すべく、これら２回繰り返し記録後の各相
変化光ディスクについて、繰り返し記録後の再生信号の
ジッター値を測定した。

【００４５】その結果を図４に示す。図４は、横軸にＡ
ｒガスに対するＮ₂ガス及びＯ₂ガスの混合比（Ｎ₂＋
Ｏ₂）／Ａｒをとり、縦軸に同じトラックに２回繰り返
して記録したときの再生信号のジッター値をとった。

【００４６】ここで、２回のような少数回の繰り返し記
録後に良好な再生信号が得られるジッター値として、１
０％をメディア評価基準値とする。

【００４７】なお、上記実験では、２回繰り返し記録し
た後のジッター値を測定しているが、これは、次に示す
理由によるものである。つまり、通常、繰り返し記録後
のジッター値は、２回記録後が最も高く、１００００回
の繰り返し記録に至るまで次第に減少する傾向にある。
そのため、ここでは、２回繰り返し記録した後の再生信
号のジッター値を測定した。

【００４８】図４の結果から明らかなように、ジッター
値は、混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａｒが０％である場合、つ
まりＮ₂ガス及びＯ₂ガスがＡｒガス中に混入されていな
い場合に１２．７％と最も高く、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスの
割合が増えるにつれて減少しており、混合比（Ｎ₂＋
Ｏ₂）／Ａｒが６％〜１０％のときに最小となる。そし
て、更に混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａｒが増えると、ジッタ
ー値も徐々に増加する。

【００４９】したがって、図４に示すように、繰り返し
記録後の再生信号のジッター値を良好な再生信号が得ら
れるレベルである１０％以下とするには、混合比（Ｎ₂
＋Ｏ₂）／Ａｒが６％以上とされたＡｒガス雰囲気下で
記録膜を成膜することが望ましいと判明した。

【００５０】１−２ 記録膜成膜時の雰囲気条件と各デ
ィスクのグルーブ反射率との関係 つぎに、記録膜成膜時における雰囲気条件と、各ディス
クのグルーブにおける反射率との関係を評価すべく、上
述した図４の実験と同様に記録膜成膜時の雰囲気条件を
変えて作製し初期化を施した後の各相変化光ディスクに
ついて、グルーブにおける反射率を測定した。

【００５１】その結果を図５に示す。図５では、横軸に
Ａｒガスに対するＮ₂ガス及びＯ₂ガスの混合比（Ｎ₂＋
Ｏ₂）／Ａｒをとり、縦軸にグルーブにおける反射率を
とった。

【００５２】図５の結果から明らかなように、グルーブ
における反射率は、混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａｒが増える
につれて単調に減少する。そして、この混合比（Ｎ₂＋
Ｏ₂）／Ａｒが２１．０％以上になると、グルーブにお
ける反射率が１１％以下となってしまい、十分な変調度
が得られないという問題が生じる。

【００５３】したがって、十分な変調度を確保するため
には、記録膜成膜時の雰囲気における混合比（Ｎ₂＋
Ｏ₂）／Ａｒが２１．０％以下であることが必要と判明
した。

【００５４】１−３ 信号特性及びグルーブ反射率の両
方の条件を満足する雰囲気条件 以上述べたように、図４及び図５の結果から、本発明を
適用した光記録媒体及びその製造方法において、記録膜
の成膜速度を０．４２ｎｍ／ｓとし、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガ
スに占めるＯ₂ガスの割合Ｏ₂／（Ｎ₂＋Ｏ₂）を２０％と
した際に、再生信号のジッター値とグルーブでの反射率
の両条件を満足するには、混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａｒが
６％〜２１．０％とされたＡｒガス雰囲気下で記録膜を
成膜することが必要であると判明した。

【００５５】なお、以上の図４及び図５の結果は、成膜
速度を０．４２ｎｍ／ｓとして記録膜を成膜した光ディ
スクを対象としている。そのため、成膜速度を変化させ
た際に図４及び図５の光ディスクと同様な特性を得るに
は、Ａｒガスに対するＮ₂ガス及びＯ₂ガスの混合比（Ｎ
₂＋Ｏ₂）／Ａｒをも変化させる必要がある。

【００５６】１−４ 成膜速度を変えた場合における雰
囲気条件と、信号特性及びグルーブ反射率との関係 そこで、つぎに、記録膜の成膜速度を変化させた場合
に、再生信号のジッター値とグルーブ反射率の両条件を
満足させる混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａｒを検討した。

【００５７】先ず、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅からなるターゲッ
トの印加電圧を変化させ、記録膜の成膜速度を０．１ｎ
ｍ／ｓとし、記録膜成膜時の雰囲気として、このＡｒガ
スに対するＮ₂ガス及びＯ₂ガスの混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／
Ａｒを０％〜２０％まで変化させた条件下で記録膜を成
膜したこと以外は、上述した図４の実験と同様にして、
光ディスクを作製した。そして、この光ディスクに対し
て、図４の実験と同様に、２回繰り返し記録した後の再
生信号のジッター値を測定した。その結果を図６に示
す。なお、このとき、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスに占めるＯ₂
ガスの割合Ｏ₂／（Ｎ₂＋Ｏ₂）は、２０％に固定するも
のとする。

【００５８】また、記録膜の成膜速度を０．１ｎｍ／ｓ
として、記録膜成膜時の雰囲気条件を上述のように変え
て作製した光ディスクの初期化後におけるグルーブの反
射率を図５の実験と同様に測定した。その結果を図７に
示す。

【００５９】同様にして、記録膜の成膜速度を１．６ｎ
ｍ／ｓとし、記録膜成膜時の雰囲気として、Ａｒガスに
対するＮ₂ガス及びＯ₂ガスの混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａｒ
を０％〜４５％まで変化させた条件下で記録膜を成膜し
たこと以外は、上述したように光ディスクを作製して、
この光ディスクに対して、図４及び図５の実験と同様
に、２回繰り返し記録した後の再生信号のジッター値及
び初期化後のグルーブの反射率をそれぞれ測定した。そ
れらの結果をそれぞれ図８及び図９に示す。

【００６０】また、同様にして、記録膜の成膜速度を
５．０ｎｍ／ｓとし、記録膜成膜時の雰囲気として、Ａ
ｒガスに対するＮ₂ガス及びＯ₂ガスの混合比（Ｎ₂＋
Ｏ₂）／Ａｒを０％〜９０％まで変化させた条件下で記
録膜を成膜したこと以外は、上述したように光ディスク
を作製して、この光ディスクに対して、図４及び図５の
実験と同様に、２回繰り返して記録した後の再生信号の
ジッター値及び初期化後のグルーブの反射率をそれぞれ
測定した。それらの結果をそれぞれ図１０及び図１１に
示す。

【００６１】図６，図８及び図１０の結果から、成膜速
度をそれぞれ０．１ｎｍ／ｓ，１．６ｎｍ／ｓ，５．０
ｎｍ／ｓとして記録膜を成膜した光ディスクでは、再生
信号のジッター値が１０％以下となる混合比（Ｎ₂＋
Ｏ₂）／Ａｒが、それぞれ５％，８％，１４％以上であ
ることがわかった。

【００６２】図７，図９及び図１１の結果から、成膜速
度をそれぞれ０．１ｎｍ／ｓ，１．６ｎｍ／ｓ，５．０
ｎｍ／ｓとして記録膜を成膜した光ディスクでは、グル
ーブ反射率が１１％以上となる混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａ
ｒが、それぞれ１７％，４０％，８０％以下であること
がわかった。

【００６３】１−５ 信号特性及びグルーブ反射率の両
方の条件を満足する記録膜成膜条件 上述したように、図４，図６，図８及び図１０の結果か
ら、成膜速度を０．４２ｎｍ／ｓ，０．１ｎｍ／ｓ，
１．６ｎｍ／ｓ，５．０ｎｍ／ｓとして記録膜を成膜し
た光ディスクにおいては、再生信号のジッター値が１０
％以下となる混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａｒがそれぞれ６
％，５％，８％，１４％であった。そして、この結果
を、横軸に成膜速度をとり、縦軸に混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）
／Ａｒをとって図１２中に示したところ、直線αとなっ
た。

【００６４】図１２では、横軸の成膜速度をＸ［ｎｍ／
ｓ］とし、縦軸の混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／ＡｒをＹ［％］
とする。すると、直線αは、Ｙ＝２．３Ｘ＋１．０で表
される。ここで、この直線αよりも下側の領域は、再生
信号のジッター値が１０％以上となり、良好な再生信号
が得られない領域である。

【００６５】一方、上述したように、図５，図７，図９
及び図１１の結果から、成膜速度を０．４２ｎｍ／ｓ，
０．１ｎｍ／ｓ，１．６ｎｍ／ｓ，５．０ｎｍ／ｓとし
て記録膜を成膜した光ディスクにおいては、グルーブに
おける反射率が１１％以上となる混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／
Ａｒがそれぞれ２１％，１７％，４０％，８０％であっ
た。この結果を、横軸に成膜速度をとり、縦軸に混合比
（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａｒをとって図１２中に示したところ、
直線βとなった。

【００６６】すると、直線βは、Ｙ＝１２．８Ｘ＋１
６．７で表される。ここで、この直線βよりも上側の領
域は、グルーブ反射率が１１％以下となり、十分な信号
変調度が得られない領域である。

【００６７】また、成膜速度Ｘは、５．０ｎｍ／ｓより
大きいと、成膜速度が速すぎて成膜時間が短くなりすぎ
るため膜厚調整が困難であり、０．１ｎｍ／ｓより小さ
いと、成膜時間がかかり過ぎるため製造上不適当であ
る。よって、成膜速度Ｘは、０．１≦Ｘ≦５．０である
ことが好ましい。

【００６８】以上の結果からわかるように、本発明を適
用した相変化光ディスク１は、ＧｅＳｂＴｅ合金からな
る記録膜を成膜する際に、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスを含有す
るＡｒガス雰囲気下にて、Ａｒガスに対するＮ₂ガス及
びＯ₂ガスの混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／ＡｒをＹ［％］と
し、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスに占めるＯ₂ガスの割合Ｏ₂／
（Ｎ₂＋Ｏ₂）をＺ［％］とし、成膜速度をＸ［ｎｍ／
ｓ］としたとき、下記式（３３）及び式（３４）を満た
す条件にてスパッタリングによって成膜されてなること
が好ましい。

【００６９】 Ｙ≧２．３Ｘ＋１．０ ・・・（３３） Ｙ≦１２．８Ｘ＋１６．７ ・・・（３４） このとき、本発明を適用した相変化光ディスク１におい
ては、上述したように、記録膜４の成膜速度Ｘが０．１
≦Ｘ≦５．０であることが好ましい。

【００７０】２．記録膜成膜時におけるＯ₂／（Ｎ₂＋Ｏ
₂）の適正値 つぎに、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスに占めるＯ₂ガスの割合Ｏ₂
／（Ｎ₂＋Ｏ₂）について最適値を検討する。

【００７１】記録膜成膜時における雰囲気条件として、
Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスに占めるＯ₂ガスの割合Ｏ₂／（Ｎ₂
＋Ｏ₂）の適正値について、再生信号の信号特性及び記
録時に照射するレーザ光のパワー（以下、記録パワーと
称する。）のマージンの観点から次のように検討した。
すなわち、本発明において、Ｏ₂ガスの適正な割合が上
述の式（３１）となる理由は、以下に示す実験結果に基
づくものである。

【００７２】２−１ 再生信号の信号特性とＯ₂／（Ｎ₂
＋Ｏ₂）との関係 先ず、記録膜の成膜時に、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅からなる材
料を用いて、Ａｒガスに対するＮ₂ガス及びＯ₂ガスの混
合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａｒを１０％とし、成膜速度を０．
４２ｎｍ／ｓとし、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスに占めるＯ₂ガ
スの割合Ｏ₂／（Ｎ₂＋Ｏ₂）を０％〜１００％まで変化
させて、記録膜をスパッタリングにより成膜したこと以
外は、図４の実験と同様にして両面型の光ディスクを作
製した。

【００７３】そして、この光ディスクに対して、初期化
処理を施した後に、図３と同様な発光パルスを用いて、
２００００回の繰り返し記録を行い、再生信号のジッタ
ー値を測定した。その結果を図１３に示す。図１３で
は、横軸にＮ₂ガス及びＯ₂ガスからなる混合ガスに占め
るＯ₂ガスの割合Ｏ₂／（Ｎ₂＋Ｏ₂）をとり、縦軸に２０
０００回記録後の再生信号のジッター値をとった。な
お、図１３中の横軸の０％は、記録膜成膜時の雰囲気が
Ｏ₂ガスを含んでいない状態であることを示すものであ
る。

【００７４】ここで、２００００回のような多数回の繰
り返し記録後に良好な再生信号が得られるジッター値と
しては、１２．５％をメディア基準値とする。

【００７５】図１３の結果から明らかなように、Ｏ₂ガ
スの割合が増加するに伴って、再生信号のジッター値が
次第に減少する傾向にあり、Ｏ₂ガスの割合が１０％以
上であると、再生信号のジッター値が１２．５％以下と
なり、多数回の繰り返し記録後においても良好な再生信
号を十分得られることがわかった。

【００７６】２−２ 記録パワーマージンとＯ₂／（Ｎ₂
＋Ｏ₂）との関係 先ず、図１３の実験と同様にして光ディスクを作製した
後、この光ディスクを温度９０℃の恒温槽内に１００時
間放置して加速試験を行った。

【００７７】その後、この光ディスクの同じトラックに
２回繰り返し記録を行い、そのときの記録パワーマージ
ンを求めた。その結果を図１４に示す。なお、ここで
は、２回のような少数回の繰り返し記録後に良好な再生
信号が得られるジッター値として、１０％をメディア基
準値とする。

【００７８】また、上記記録パワーマージンＰｗは、再
生信号のジッター値１０％をスレッシュホールドレベル
とし、以下のように定義する。すなわち、記録パワーマ
ージンＰｗは、２回繰り返し記録した後の再生信号のジ
ッター値が１０％となるように記録することができる記
録パワーの最小値及び最大値をそれぞれＰ_min及びＰ_{m ax}
としたとき、記録パワーの最大値と最小値との差である
（Ｐ_max−Ｐ_min）を、記録パワーの最大値と最小値の平
均である（Ｐ_max＋Ｐ_min）／２で割った値、すなわち下
記式（３５）で示す値とする。

【００７９】 Ｐｗ＝（Ｐ_max−Ｐ_min）／｛（Ｐ_max＋Ｐ_min）／２｝ ・・・（３５） 図１４の結果から明らかなように、Ｏ₂ガスの割合が増
加するに伴って、記録パワーマージンが低減し、Ｎ₂ガ
ス及びＯ₂ガスに占めるＯ₂ガスの割合Ｏ₂／（Ｎ₂＋
Ｏ₂）が６０％より大きいと記録パワーマージンが１０
％以下となり、記録レーザのパワー変動や環境変化が生
じた場合等に十分な記録が行えない光ディスクとなって
しまうと考えられる。

【００８０】２−３ 再生信号の信号特性及び記録パワ
ーマージンの観点からみたＯ₂／（Ｎ₂＋Ｏ₂）の適正値 上述の図１３及び図１４の結果から、２００００回繰り
返し記録した後の再生信号のジッター値を良好な信号検
出レベルとし、且つ記録レーザのパワー変動等が生じた
場合にも十分な記録が行える必要最低限の記録パワーマ
ージンを確保するためには、記録膜成膜時において、Ｎ
₂ガス及びＯ₂ガスに占めるＯ₂ガスの割合Ｏ₂／（Ｎ₂＋
Ｏ₂）が、１０％以上、６０％以下であることが好まし
いと判明した。

【００８１】以上示したように、本発明を適用した光記
録媒体は、相変化材料がＧｅＳｂＴｅ合金を含有するも
のであり、この相変化材料からなる記録膜４がＮ₂ガス
及びＯ₂ガスを含有するＡｒガス雰囲気下にて、スパッ
タリングによって成膜されてなるものである。

【００８２】更に、上述の図４〜図１４に示した結果か
ら明らかなように、本発明を適用した光記録媒体では、
記録膜４が、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスを含有するＡｒガス雰
囲気下にて、Ａｒガスに対するＮ₂ガス及びＯ₂ガスの混
合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／ＡｒをＹ［％］とし、上記Ｎ₂ガス
及びＯ₂ガスに占めるＯ₂ガスの割合Ｏ₂／（Ｎ₂＋Ｏ₂）
をＺ［％］とし、成膜速度をＸ［ｎｍ／ｓ］としたと
き、下記式（３６）、式（３７）及び式（３８）を満た
す条件にてスパッタリングによって成膜されてなること
が好ましいと判明した。

【００８３】 Ｙ≧２．３Ｘ＋１．０ ・・・（３６） Ｙ≦１２．８Ｘ＋１６．７ ・・・（３７） １０≦Ｚ≦６０ ・・・（３８） このように、本発明を適用した光記録媒体は、記録膜４
の成膜条件が規定されるため、記録膜４を構成するＧｅ
ＳｂＴｅ合金が好適に窒化及び酸化されて、記録膜４の
物性が、記録再生特性に関して最適化されるとともに更
なる繰り返し記録耐久性の向上が図られる。これによ
り、本発明を適用した光記録媒体は、繰り返し記録を数
回から数十回行った後にみられる局所的な再生信号のジ
ッター値上昇といった再生信号の局所的劣化現象が極力
抑えられ、且つ数万回以上繰り返し記録を行っても良好
な再生信号が得られる。その結果、本発明を適用した光
記録媒体は、繰り返し記録後も常に安定且つ良好な記録
再生特性が得られる。

【００８４】３．記録膜を構成する相変化材料の組成 ところで、また、本発明に用いられる記録膜４は、この
記録膜４を構成するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅの組成率が、図１
５に示す（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）の三元状態図において、
点Ｊ（２６．０，１９．２，５４．８）、点Ｋ（２１．
０，２１．０，５８．０）、点Ｌ（１４．３，２８．
６，５７．１）、点Ｍ（２１．６，２４．４，５４．
０）で囲まれる領域内の値となされている。

【００８５】以上述べたように、記録膜４を構成するＧ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅの組成率を規定した理由は、次に示すよ
うな実験結果に基づくものである。以下、この実験につ
いて詳細を説明する。

【００８６】３−１ （Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）の三元状態
図においてＧｅ₅₀Ｔｅ₅₀とＳｂ₄₀Ｔｅ₆₀とを結ぶ直線上
の組成の検討 先ず、基板２上に膜厚１２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ₂か
らなる第１の誘電体膜３をスパッタリングにより成膜し
た。

【００８７】次に、この第１の誘電体膜３上に、Ａｒガ
スに対するＮ₂ガス及びＯ₂ガスの混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／
Ａｒを１０％とし、Ｏ₂ガスの占める割合Ｏ₂／（Ｎ₂＋
Ｏ₂）を２０％とした雰囲気下で、成膜速度を０．４２
ｎｍ／ｓとして、膜厚が２５ｎｍのＧｅＳｂＴｅからな
る記録膜４をスパッタリングにより成膜した。

【００８８】このとき、この記録膜４を成膜する際に、
Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅からなるターゲットと、Ｇｅからなる
ターゲットと、Ｓｂからなるターゲットと、Ｔｅからな
るターゲットとを用いてスパッタリングにより形成す
る。

【００８９】ここで、先ず、（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）の三
元状態図において、図１６に示すように、点Ｃ（２，
２，５）を中心として、Ｇｅ₅₀Ｔｅ₅₀とＳｂ₄₀Ｔｅ₆₀と
を結ぶ直線１１上の組成からなる記録膜を有する相変化
光ディスクを検討した。具体的には、Ｇｅターゲットと
Ｔｅターゲットの成膜速度比を１に保ちながらＧｅ₂Ｓ
ｂ₂Ｔｅ₅ターゲットをコスパッタリングすることによっ
て、図１６におけるＧｅ₅₀Ｔｅ₅₀とＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅と
の間の組成からなる記録膜４を形成した。

【００９０】そして、この記録膜４上に、膜厚１５ｎｍ
のＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる第２の誘電体膜５、膜厚１
５０ｎｍのＡｌ合金からなる光反射膜６を順次スパッタ
リングにより成膜し、その後、光反射膜６上に紫外線硬
化樹脂等を塗布して保護膜７を形成し、相変化光ディス
ク１を得た。

【００９１】最終的に、この相変化光ディスクを２枚作
製し、それぞれの光反射膜が内側に向かい合うように、
これら相変化光ディスクを接着剤を介して互いに接着さ
せ、直径１２０ｍｍ且つ厚さ１．２ｍｍの両面型の相変
化光ディスクを得た。

【００９２】同様にして、記録膜４の組成のみを変えた
相変化光ディスクを作製した。具体的には、Ｓｂターゲ
ットとＴｅターゲットの成膜速度比を０．６７に保ちな
がらＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅ターゲットをコスパッタリングす
ることによって、図１６におけるＳｂ₄₀Ｔｅ₆₀とＧｅ₂
Ｓｂ₂Ｔｅ₅との間の組成からなる記録膜４を形成した。

【００９３】このようにして作製した直線１１上の点で
表される組成の記録膜４を有する相変化光ディスクに関
して、図３に示す発光パターンを用いて、上述の図４と
同様な条件で１回記録を行い、再生信号のジッター値を
測定した。

【００９４】その結果を図１７に示す。図１７では、横
軸にＧｅ₅₀Ｔｅ₅₀とＳｂ₄₀Ｔｅ₆₀を結ぶ直線１１上の組
成におけるＧｅの割合をとり、縦軸に１回記録後の再生
信号のジッター値をとった。なお、図１７中の点Ｊ，点
Ｌ，点Ｃは、図１５中の点Ｊ（２６．０，１９．２，５
４．８），点Ｌ（１４．３，２８．６，５７．１），点
Ｃ（２，２，５）にそれぞれ対応するものである。

【００９５】図１７の結果から、（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）
の三元状態図における点Ｊ（２６．０，１９．２，５
４．８）よりもＧｅの含有量が多い組成では、ジッター
値が１０％以上となり、点Ｌ（１４．３，２８．６，５
７．１）よりもＧｅの含有量が少ない組成においても、
ジッター値が１０％以上となることがわかった。したが
って、Ｇｅ₅₀Ｔｅ₅₀とＳｂ₄₀Ｔｅ₆₀とを結ぶ直線１１上
の組成では、図１５に示すように、点Ｊと点Ｌとを結ぶ
範囲の組成が好ましいことが判明した。

【００９６】３−２ （Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）の三元状態
図において点Ｃ（２，２，５）よりもＴｅをより多く含
有する組成の検討 つぎに、点Ｃ（２，２，５）よりもＴｅをより多く含有
する組成とした記録膜を有する相変化光ディスクを検討
した。具体的には、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅ターゲットとＴｅ
ターゲットとをコスパッタンリングすることにより、点
Ｃから直線１２上の組成の記録膜４を有する相変化光デ
ィスクを作製した。

【００９７】このようにして作製した直線１２上の点で
表される組成の記録膜４を有する相変化光ディスクに関
して、上記の図１７と同様にして、１回記録後の再生信
号のジッター値を測定した。

【００９８】その結果を図１８に示す。図１８では、横
軸にＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅とＴｅを結ぶ直線１２上の組成に
おけるＴｅの割合をとり、縦軸に１回記録後の再生信号
のジッター値をとった。なお、図１８中の点Ｃ，点Ｋ
は、図１５中の点Ｃ（２，２，５），点Ｋ（２１．０，
２１．０，５８．０）にそれぞれ対応するものである。

【００９９】図１８の結果から、図１５に示すように、
ジッター値が１０％以下となるには、点Ｃ（２，２，
５）と点Ｋ（２１．０，２１．０，５８．０）とを結ぶ
範囲の組成が好ましいことが判明した。

【０１００】３−３ （Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）の三元状態
図において点Ｃ（２，２，５）よりもＳｂをより多く含
有する組成の検討 つぎに、点Ｃ（２，２，５）よりもＳｂをより多く含有
する組成とした記録膜を有する相変化光ディスクを検討
した。具体的には、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅ターゲットとＳｂ
ターゲットとをコスパッタリングすることにより、点Ｃ
から直線１３上の組成の記録膜４を有する相変化光ディ
スクを作製した。

【０１０１】このようにして作製した直線１３上の点で
表される組成の記録膜４を有する相変化光ディスクに関
して、上記の図１７と同様に、１回記録後の再生信号の
ジッター値を測定した。

【０１０２】その結果を図１９に示す。図１９では、横
軸にＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅とＳｂを結ぶ直線１３上の組成に
おけるＳｂの割合をとり、縦軸に１回記録後の再生信号
のジッター値をとった。なお、図１９中の点Ｍ，点Ｃ
は、図１５中の点Ｍ（２１．６，２４．４，５４．
０），点Ｃ（２，２，５）にそれぞれ対応するものであ
る。

【０１０３】図１９の結果から、図１５に示すように、
ジッター値が１０％以下となるには、点Ｍ（２１．６，
２４．４，５４．０）と点Ｃとを結ぶ範囲の組成が好ま
しいことが判明した。

【０１０４】３−４ 本発明における記録膜の好適な組
成の検討結果 以上の結果から、本発明を適用した相変化光ディスク１
においては、図１５に示すように、ＧｅＳｂＴｅからな
る記録膜のＧｅＳｂＴｅ組成率が、点Ｊ（２６．０，１
９．２，５４．８）、点Ｋ（２１．０，２４．４，５
８．０）、点Ｌ（１４．３，２８．６，５７．１）、点
Ｍ（２１．６，２１．６，５４．０）で囲まれる領域内
の組成であることが好ましいと判明した。

【０１０５】このように、本発明を適用した相変化光デ
ィスク１は、記録膜４を構成する相変化材料の組成が規
定されることによって、記録膜４の繰り返し記録耐久性
及び記録再生特性がより最適化されて、繰り返し記録後
もより安定且つ良好な再生信号が効果的に得られる。

【０１０６】４．記録膜の好適な膜厚検討 ところで、本発明における記録膜４の膜厚は、１８ｎｍ
〜３０ｎｍであることが好ましい。これは、以下に示す
実験結果に基づくものである。

【０１０７】４−１ 本発明における記録膜の好適な膜
厚検討結果 先ず、基板２上に膜厚１２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ₂か
らなる第１の誘電体膜３をスパッタリングにより形成し
た。

【０１０８】そして、この第１の誘電体膜３上に、Ｇｅ
₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅からなる記録膜４を、Ａｒガスに対するＮ₂
ガス及びＯ₂ガスの混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａｒを１０％
とし、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスに占めるＯ₂ガスの割合Ｏ₂／
（Ｎ₂＋Ｏ₂）を２０％とした雰囲気下で、成膜速度を
０．４２ｎｍ／ｓとして、スパッタリングにより形成し
た。このとき、記録膜４の膜厚を１５ｎｍ〜４０ｎｍに
変化させて形成し、記録膜４の膜厚が異なる複数の基板
２を得た。

【０１０９】次に、膜厚の異なる記録膜４上に、それぞ
れ膜厚が１５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる第２の誘
電体膜５、膜厚が１５０ｎｍのＡｌ合金からなる光反射
膜６を順次スパッタリングにより形成し、その後、この
光反射膜上に紫外線硬化樹脂を塗布形成して保護膜７を
形成し、相変化光ディスク１を得た。

【０１１０】このようにして得られた記録膜４の膜厚が
異なる複数の相変化光ディスクをそれぞれ初期化した後
に、図３に示すような発光パターンを用いて、ランダム
ＥＦＭ信号を繰り返し記録し、再生信号のジッター値を
測定した。このとき、線速度を４．８ｍ／ｓとし、記録
パワーＰｈ、消去パワーＰｌ及び冷却パワーＰｃを、１
回記録したときの再生信号のジッターが最小となるよう
なパワーに設定した。

【０１１１】このような実験を行ったところ、記録膜４
の膜厚が１８ｎｍより小さい相変化光ディスクでは、記
録膜４の膜質が弱くなってしまうため、記録パワーＰｈ
が１５ｍＷといった高パワーのレーザ光を用いた場合繰
り返し記録することができないといった欠点があった。
また、記録膜４の膜厚が３０ｎｍより大きい相変化光デ
ィスク１では、１００００回記録後の再生信号のジッタ
ー値が１２．５％以上となり、繰り返し記録耐久性が不
十分であった。したがって、記録膜４の膜厚は、１８ｎ
ｍ〜３０ｎｍであることが好ましいといえる。

【０１１２】本発明における第１の誘電体膜３は、基板
２上に形成される。この第１の誘電体膜３は、記録膜４
の酸化防止効果及びレーザ光の多重干渉による増幅効果
を発揮させるために形成されるものである。

【０１１３】この第１の誘電体膜３の材料としては、例
えば、ＺｎＳ，ＳｉＯ_X，Ａｌ₂Ｏ₃，ＺｒＯ₃，Ｔａ
₂Ｏ₅，Ｓｉ₃Ｎ₄，ＳｉＮ_X，ＡｌＮ_X，ＭｏＯ₃，ＷＯ₃，
ＺｒＯ₂，ＢＮ，ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＰｂＦ₂，ＭｇＦ₂等
が挙げられ、これらの材料を単独で用いても、或いは混
合物として用いても良い。中でも、好ましい材料は、少
なくともＺｎＳを含む材料であり、より好ましくは、Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ₂である。

【０１１４】また、第１の誘電体膜３の膜厚は、８０ｎ
ｍ〜１４０ｎｍであることが好ましい。これは、以下に
示す実験結果による。

【０１１５】先ず、基板２上にＺｎＳ−ＳｉＯ₂からな
る第１の誘電体膜３をスパッタリングにより形成した。
このとき、第１の誘電体膜３の膜厚を７０ｎｍ〜１５０
ｎｍに変化させて、膜厚の異なる第１の誘電体膜３が形
成された複数の基板２を得た。

【０１１６】次に、膜厚が異なって形成される各第１の
誘電体膜３上に、Ａｒガスに対するＮ₂ガス及びＯ₂ガス
の混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａｒを１０％とし、Ｎ₂ガス及
びＯ₂ガスに占めるＯ₂ガスの割合Ｏ₂／（Ｎ₂＋Ｏ₂）を
２０％とした雰囲気下で、成膜速度を０．４２ｎｍ／ｓ
として、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅からなる記録膜４を膜厚２５
ｎｍとなるようにスパッタリングにより形成した。

【０１１７】そして、これら各記録膜上に膜厚１５ｎｍ
のＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる第２の誘電体膜５、膜厚１
５０ｎｍのＡｌ合金からなる光反射膜６を順次スパッタ
リングにより形成し、その後、この光反射膜６上に紫外
線硬化樹脂を塗布形成して保護膜７を形成し、相変化光
ディスク１を得た。

【０１１８】このようにして得られた相変化光ディスク
に対して初期化を行った後に、グルーブ反射率を測定し
た。さらに、図３に示すような発光パターンを用いて、
ランダムＥＦＭ信号を繰り返し記録し、再生信号のジッ
ター値を測定した。このとき、線速度を４．８ｍ／ｓと
し、記録パワーＰｈ、消去パワーＰｌ及び冷却パワーＰ
ｃを、１回記録したときの再生信号のジッターが最小と
なるようなパワーに設定した。

【０１１９】このような実験を行ったところ、第１の誘
電体膜３の膜厚が８０ｎｍよりも小さい相変化光ディス
ク１では、グルーブ反射率が低くなり、十分な再生信号
が得られなかった。また、第１の誘電体膜３の膜厚が１
４０ｎｍよりも大きい相変化光ディスク１では、１００
００回繰り返し記録後の再生信号のジッター値が１２．
５％以上となり、繰り返し記録耐久性が不十分であっ
た。したがって、本発明を適用した相変化光ディスク１
では、第１の誘電体膜３の膜厚が８０ｎｍ〜１４０ｎｍ
であることが好ましいと判明した。

【０１２０】なお、この第１の誘電体膜３は、例えば、
蒸着法や、イオンビームスパッタ、ＤＣスパッタ、ＲＦ
スパッタ等のスパッタリング法といった従来公知の手法
を用いて形成することが可能である。

【０１２１】第２の誘電体膜５は、第１の誘電体膜３と
同様な材料を用いて、第１の誘電体膜３と同様な方法で
記録膜４上に形成される。第２の誘電体膜５は、第１の
誘電体膜３と同様に、記録膜４の酸化防止効果及びレー
ザ光の多重干渉による増幅効果のために形成されるもの
である。

【０１２２】この第２の誘電体膜５の膜厚としては、１
０ｎｍ〜３０ｎｍが好ましい。これは、第２の誘電体膜
の膜厚が１０ｎｍより小さいと、レーザ光による熱が光
反射膜６に伝導しやすくなるとともに、外部からの水の
侵入を防止するといった機能が低下することになるから
である。また、第２の誘電体膜５の膜厚が３０ｎｍより
大きいと、レーザ光により昇温された記録膜４の熱が光
反射膜６に伝導しにくくなってしまい、繰り返し記録再
生を行った際に記録膜４の劣化が著しく大きくなるから
である。

【０１２３】そして、この第２の誘電体膜５上に光反射
膜６が形成される。この光反射膜６は、基板２から入射
された光を反射する反射層として機能するとともに、記
録膜４に過度に熱が籠もるのを防止するヒートシンク層
としても作用する。

【０１２４】この光反射膜６の材料としては、金属元
素、半金属元素、半導体元素及びそれらの化合物を単独
あるいは複合させて用いるのが望ましく、例えば、Ａ
ｌ，Ａｕ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｒ等の金属元素、或いはこれ
らの合金が挙げられる。

【０１２５】光反射膜６の膜厚としては、５０ｎｍ〜３
００ｎｍであることが好ましい。光反射膜６の膜厚が５
０ｎｍより小さいと、光反射膜６が熱を逃しにくい構造
となり繰り返し記録再生を行った際に記録膜４の劣化が
早く進行してしまう。また、光反射膜６の膜厚が３００
ｎｍより大きいと、製造時間が長くなるため生産性が好
ましくないといった欠点がある。また、この光反射膜６
の形成方法としては、例えば、蒸着法や、イオンビーム
スパッタ、ＤＣスパッタ、ＲＦスパッタ等のスパッタリ
ング法といった従来公知の手法を用いることができる。

【０１２６】保護膜７は、この光反射膜６上に形成され
る。この保護膜７は、例えば、紫外線硬化樹脂等の樹脂
をスピンコート法により塗布形成したり、樹脂板やガラ
ス板や金属板等を接着剤を介して光反射膜６上に接着し
てなる。

【０１２７】なお、相変化光ディスクとしては、直径１
２０±０．３ｍｍ、厚さ０．６±０．０３ｍｍの基板を
２枚貼り合わせて、両面に記録膜等の機能膜が成膜さ
れ、トラックピッチが０．８±０．０１μｍとされた構
成であり、しかも開口数ＮＡと光源の波長λとの比λ／
ＮＡが（１．０８３−０．０８６）μｍ〜（１．０８３
＋０．１６７）μｍである光学系によりグルーブ記録さ
れて記録容量が３．０ＧＢ／ｓｉｄｅとなされた両面型
相変化光ディスクが提案されている。本発明は、このよ
うな相変化光ディスクに好適に適用することができる。

【０１２８】以上のように構成された相変化光ディスク
１は、例えば、次のようにして作製される。

【０１２９】先ず、射出成形により所定のグルーブが形
成されたポリカーボネートからなる基板２を作製する。
そして、この基板２上にＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる第１
の誘電体膜３をＲＦスパッタ法にて形成する。

【０１３０】次に、第１の誘電体膜３上にＧｅＳｂＴｅ
合金からなる記録膜４をＤＣスパッタ法にて形成する。
このとき、特に、本発明を適用した光記録媒体の製造方
法においては、記録膜４を成膜する際に、相変化材料と
してＧｅＳｂＴｅ合金を用いて、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスを
含有するＡｒガス雰囲気下にて、スパッタリングによっ
て成膜する。

【０１３１】ここで、記録膜４を成膜する際に、Ｎ₂ガ
ス及びＯ₂ガスを含有するＡｒガス雰囲気下にて、Ａｒ
ガスに対するＮ₂ガス及びＯ₂ガスの混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）
／ＡｒをＹ［％］とし、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスに占めるＯ
₂ガスの割合Ｏ₂／（Ｎ₂＋Ｏ₂）をＺ［％］とし、成膜速
度をＸ［ｎｍ／ｓ］としたとき、下記式（３９）、式
（４０）及び式（４１）を満たす条件にて、スパッタリ
ングにより成膜することが好ましい。

【０１３２】 Ｙ≧２．３Ｘ＋１．０ ・・・（３９） Ｙ≦１２．８Ｘ＋１６．７ ・・・（４０） １０≦Ｚ≦６０ ・・・（４１） このように、本発明を適用した光記録媒体の製造方法に
よれば、記録膜４の成膜条件が規定されるので、記録膜
４を構成するＧｅＳｂＴｅ合金が好適に窒化及び酸化さ
れる。これにより、記録膜４の物性が、記録再生特性に
関して最適化されるとともに更なる繰り返し記録耐久性
の向上が図られる。そのため、本発明を適用した光記録
媒体の製造方法によれば、繰り返し記録を数回から数十
回行った後にみられる局所的な再生信号の劣化現象が極
力抑えられるとともに、数万回以上繰り返し記録を行っ
ても良好な再生信号が得られて、結果的に、繰り返し記
録後も常に安定且つ良好な記録再生特性が得られた光記
録媒体を提供することができる。

【０１３３】なお、ここで、成膜速度Ｘは、０．１ｎｍ
／ｓ以上、５．０ｎｍ／ｓ以下であることが好ましい。
このように、本発明に係る光記録媒体の製造方法によれ
ば、成膜速度が上記の範囲となされることにより、記録
膜４の記録再生特性がより最適化されて、繰り返し記録
後も良質な記録再生特性が得られる光記録媒体をより効
果的に提供することができる。

【０１３４】また、このように成膜される記録膜４の組
成は、（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）の三元状態図において、点
Ｊ（２６．０，１９．２，５４．８）と、点Ｋ（２１．
０，２１．０，５８．０）と、点Ｌ（１４．３，２８．
６，５７．１）と、点Ｍ（２１．６，２４．４，５４．
０）とにより囲まれる領域内の組成からなるＧｅＳｂＴ
ｅ合金である。

【０１３５】このような組成からなる記録膜４が形成さ
れることによって、記録膜４の記録再生特性が最適化さ
れて繰り返し記録後も再生信号の劣化が極力抑えられた
光記録媒体となる。

【０１３６】次に、この記録膜４上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ
₂からなる第２の誘電体膜５をＲＦスパッタ法にて形成
する。そして、この第２の誘電体膜５上に、Ａｌターゲ
ットを用いて光反射膜６を形成する。

【０１３７】次に、この光反射膜６上にスピンコート法
により紫外線硬化樹脂を塗布形成して、最終的に、本発
明を適用した相変化光ディスク１を作製する。なお、図
２に示すような両面型の相変化光ディスク１０を作製す
るには、例えば、上記の相変化光ディスク１を２枚作製
し、これら２枚の相変化光ディスクをそれぞれの光反射
膜６が互いに内側に向かい合うように接着剤を介して貼
り合わせることにより作製することができる。

【０１３８】また、以上のように構成された相変化光デ
ィスク１は、以下に示すような初期化工程を経て、次に
示すように、情報信号の記録、消去及び再生が行われ
る。

【０１３９】先ず、相変化光ディスク１は、上述したよ
うに、基板２上に第１の誘電体膜３、記録膜４、第２の
誘電体膜５、光反射膜６、保護膜７が順次形成された後
に、この記録膜４を初期化するための初期化処理が施さ
れる。

【０１４０】この初期化処理は、記録膜４に情報信号が
記録される前の状態において、記録膜４を均一な結晶状
態とするものである。具体的には、相変化光ディスク１
の全体に対して、所定のレーザ光を均一に照射する。こ
のとき、記録膜４は、構成する相変化材料の融点以下且
つ結晶化温度以上に昇温される。そして、その後、この
相変化光ディスク１の記録膜４は、冷却されることによ
って、均一な結晶状態となされて、初期化される。

【０１４１】次に、このように初期化された相変化光デ
ィスク１は、記録再生装置に装着されて所定の線速度で
回転された状態で、記録、消去及び再生が行われる。

【０１４２】先ず、相変化光ディスク１に対して情報信
号を記録する際には、基板２側から記録膜４に対して強
いパワーを有するレーザ光が入射される。これによっ
て、このレーザ光が照射された記録膜４の部分は、融点
以上に急速に昇温され、その後、急冷されることによっ
て非結晶状態であるアモルファス状態となる。このよう
に、相変化光ディスク１では、結晶状態とされる記録膜
４上に、情報信号がアモルファス状態の相変化材料から
なる記録マークとして記録される。

【０１４３】また、相変化光ディスク１に記録された情
報信号を消去する際には、記録時に照射したレーザ光よ
りも弱いレーザ光が基板２側から少なくとも記録マーク
上に照射される。これによって、このレーザ光が照射さ
れた記録膜４の部分は、結晶化温度以上、融点以下に昇
温され、その後、徐冷されることによって前の状態にか
かわらず結晶状態となる。このように、この記録膜４で
は、情報信号としてのアモルファス状態の記録マークを
結晶状態に変換することによって、情報信号が消去され
る。

【０１４４】また、このように情報信号が記録及び／又
は消去された相変化光ディスク１から書き込まれた情報
信号を再生する際には、記録膜４に対して、この記録膜
４の相変化が起きない程度の小さいパワーの光ビームを
基板２側から入射させ、この光ビームの戻り光を受光す
る。

【０１４５】相変化光ディスク１では、記録膜４が結晶
状態のときの反射率の方が、相変化記録膜４がアモルフ
ァス状態のときの反射率よりも大きくなる。よって、記
録再生装置は、記録膜４からの戻り光を受光して、記録
膜４の結晶状態及びアモルファス状態の反射率の違いを
検出することにより、情報信号を再生する。

【０１４６】〈第２の実施の形態〉本実施の形態に係る
相変化光ディスクは、図１に示した相変化光ディスク１
と同様に、基板２上に、第１の誘電体膜３、記録膜４、
第２の誘電体膜５、光反射膜６、保護膜７がこの順で積
層形成されてなる。

【０１４７】ここで、本実施の形態に係る相変化光ディ
スクは、記録膜４の構成が異なるのみで、記録膜４以外
の各構成膜は、それぞれ上述した相変化光ディスク１の
基板２、第１の誘電体膜３、第２の誘電体膜５、光反射
膜６、保護膜７とほぼ同様の構成とされている。そのた
め、以下の説明では、上記の各構成膜についての説明は
省略し、記録膜４についてのみ説明する。

【０１４８】記録膜４は、レーザ光等の光線の照射によ
って結晶状態と非結晶状態との間で可逆的に相変化する
相変化材料からなり、この相変化材料を光線照射によっ
て相変化させることにより情報信号の書き込みや消去や
再生が可能となる光記録層である。

【０１４９】特に、本発明における記録膜４の相変化材
料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金からなるカルコゲン化合物
である。そして、この記録膜４は、膜厚が１８ｎｍ〜３
０ｎｍとされていることが好ましい。

【０１５０】また、本発明における記録膜４は、Ｏ₂ガ
スを含有するＡｒガス雰囲気下にて、Ｏ₂ガスとＡｒガ
スとの混合比Ｏ₂／ＡｒをＹ［％］とし、成膜速度をＸ
［ｎｍ／ｓ］とするとき、以下に示す式（４２）及び式
（４３）を満足する条件にて、スパッタリングにより成
膜されるものである。

【０１５１】 Ｙ≧２．３Ｘ＋１．０ ・・・（４２） Ｙ≦５．５Ｘ＋２．７ ・・・（４３） さらに、この成膜速度Ｘが０．１ｎｍ／ｓ以上、５．０
ｎｍ／ｓ以下であることが好ましい。つまり、Ｘが下記
式（４４）を満足することが好ましい。

【０１５２】 ０．１≦Ｘ≦５ ・・・（４４） なお、上記混合比Ｏ₂／Ａｒは、Ｏ₂とＡｒの流量比、言
い換えれば、雰囲気中におけるＯ₂とＡｒとの体積比を
示している。

【０１５３】１．記録膜成膜時における成膜速度Ｘと雰
囲気条件の検討 以上述べたように、本発明を適用した光記録媒体及びそ
の製造方法において、記録膜４を成膜する際に、Ｏ₂ガ
スとＡｒガスとの混合比Ｙ［％］及び成膜速度Ｘ［ｎｍ
／ｓ］を上記の式（４２）、（４３）及び（４４）のよ
うに規定した理由は、次に示すような実験結果に基づく
ものである。以下、この実験について詳細を説明する。

【０１５４】１−１ 記録膜成膜時における雰囲気条件
と再生信号の信号特性との関係 先ず、次のように相変化光ディスクを作製した。

【０１５５】始めに、直径が１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍ
ｍの基板２を用意した。そして、この基板２上に膜厚９
０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる第１の誘電体膜３を
スパッタリングにより形成した。

【０１５６】次に、この第１の誘電体膜３上に、Ｇｅ₂
Ｓｂ₂Ｔｅ₅からなるターゲットを用いて、成膜速度を
０．４２ｎｍ／ｓとし、Ｏ₂ガスを混合したＡｒガス雰
囲気下でスパッタリングによって、膜厚２５ｎｍのＧｅ
−Ｓｂ−Ｔｅからなる記録膜４をスパッタリングにより
形成した。

【０１５７】このとき、Ｏ₂ガスを混合したＡｒガス雰
囲気として、Ｏ₂ガスとＡｒガスの混合比Ｏ₂／Ａｒを０
％〜１０％の範囲で変化させ、各条件下で記録膜を成膜
したものを複数作製した。但し、上記混合比Ｏ₂／Ａｒ
を０％とする条件は、Ｏ₂ガスを含有しないＡｒガス雰
囲気を示すものであり、本発明を適用した製造方法にお
ける記録膜成膜条件ではない。

【０１５８】次に、各条件下で成膜された記録膜４上
に、膜厚１５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる第２の誘
電体膜５、膜厚１５０ｎｍのＡｌ合金からなる光反射膜
６を順次スパッタリングにより形成し、更に、この光反
射膜６上に紫外線硬化樹脂を塗布して保護膜７を形成す
ることによって、相変化光ディスク１を作製した。

【０１５９】そして、このようにして作製した相変化光
ディスク１をそれぞれ２枚づつ作製し、光反射膜６が互
いに内側に向かい合うように、２枚の相変化光ディスク
を接着剤９によって接着し、最終的に、図２に示したよ
うな両面から記録再生可能な直径１．２ｍｍ、厚さ１．
２ｍｍの両面型相変化光ディスク１０を作製した。な
お、この相変化光ディスク１，１０は、トラックピッチ
が約０．８μｍである。

【０１６０】以上のように成膜条件を変化させて作製さ
れた複数の相変化光ディスクについて、それぞれ強力な
レーザ光を照射させて記録膜４を結晶化させる初期化処
理を施した。

【０１６１】そして、初期化後のこれら相変化光ディス
クに対して、図３に示したような発光パターンを用いて
ランダムＥＦＭ信号をChannel Clockを２７．７Ｍｈｚ
として記録した。ここで、図３では、記録パワーをＰｈ
と示し、消去パワーをＰｌと示し、冷却パワーをＰｃと
示した。また、図３中の発光パターンは、１クロックを
１Ｔと示し、１発光パルスのパルス長を１３ｎｓとし
た。

【０１６２】また、このとき、線速度は４．８ｍ／ｓで
あり、記録パワーＰｈは１４０ｍＷであり、消去パワー
Ｐｌは５．６ｍＷであり、冷却パワーＰｃは１．５ｍＷ
であるような記録再生装置を用いた。なお、この記録再
生装置には、波長が６５０ｎｍのレーザ光を発生する光
源が搭載されている。

【０１６３】このような条件で、各相変化光ディスクに
対して、記録を２００００回繰り返し行った。

【０１６４】そこで、記録膜成膜時におけるＯ₂ガス及
びＡｒガスの混合ガスの条件と、再生信号の信号特性と
の関係を評価すべく、これら２００００回繰り返し記録
後の各相変化光ディスクについて、繰り返し記録後の再
生信号のジッター値を測定した。

【０１６５】その結果を図２０に示す。図２０は、横軸
にＯ₂ガスとＡｒガスの混合比Ｏ₂／Ａｒをとり、縦軸に
同じトラックに２００００回繰り返して記録したときの
再生信号のジッター値をとった。ここで、エラー訂正が
可能なジッター値として１２．５％をメディア評価基準
値とする。

【０１６６】図２０の結果から明らかなように、ジッタ
ー値は、混合比Ｏ₂／Ａｒが０％である場合、つまりＯ₂
ガスがＡｒガス中に混入されていない場合に１５．８％
と最も高く、Ｏ₂ガスの割合が増えるにつれて減少して
おり、混合比Ｏ₂／Ａｒが１．５％〜４％のときに最小
となる。そして、更に混合比Ｏ₂／Ａｒが増えると、ジ
ッター値も徐々に増加する。

【０１６７】したがって、図２０に示すように、繰り返
し記録後の再生信号のジッター値を、エラー訂正可能な
１２．５％以下とするには、混合比Ｏ₂／Ａｒが１．５
％以上とされたＡｒガス雰囲気下で記録膜を成膜するこ
とが望ましいと判明した。

【０１６８】１−２ 記録膜成膜時の雰囲気条件と各デ
ィスクのグルーブ反射率との関係 つぎに、記録膜成膜時におけるＯ₂ガス及びＡｒガスの
混合ガスの雰囲気条件と、各ディスクのグルーブにおけ
る反射率との関係を評価すべく、上述したように記録膜
成膜時の雰囲気条件を変えて作製し初期化を施した後の
各相変化光ディスクについて、グルーブでの反射率を測
定した。

【０１６９】その結果を図２１に示す。図２１では、横
軸にＯ₂ガス及びＡｒガスの混合比Ｏ₂／Ａｒをとり、縦
軸にグルーブにおける反射率をとった。

【０１７０】図２１の結果から明らかなように、グルー
ブにおける反射率は、混合比Ｏ₂／Ａｒが増えるにつれ
て単調に減少する。そして、この混合比Ｏ₂／Ａｒが
５．０％以上になると、グルーブにおける反射率が１１
％以下となってしまい、十分な再生出力、言い換えれば
十分な変調度が得られないという問題が生じる。

【０１７１】したがって、図２１に示すように、十分な
再生出力を確保するためには、記録膜成膜時の雰囲気に
おける混合比Ｏ₂／Ａｒが５．０％以下であることが必
要と判明した。

【０１７２】１−３ 信号特性及びグルーブ反射率の両
方の条件を満足する雰囲気条件 以上述べたように、図２０及び図２１の結果から、本発
明を適用した光記録媒体及びその製造方法において、記
録膜の成膜速度が０．４２ｎｍ／ｓの際に再生信号のジ
ッター値とグルーブでの反射率の両条件を満足するに
は、混合比Ｏ₂／Ａｒが１．５％〜５．０％とされたＡ
ｒガス雰囲気下で記録膜を成膜することが必要であると
判明した。

【０１７３】なお、以上の図２０及び図２１の結果は、
成膜速度を０．４２ｎｍ／ｓとして記録膜を成膜した光
ディスクを対象としている。そのため、成膜速度を変化
させた際に図２０及び図２１の光ディスクと同様な特性
を得るには、Ｏ₂ガスとＡｒガスとの混合比Ｏ₂／Ａｒを
も変化させる必要がある。

【０１７４】１−４ 成膜速度を変えた場合における雰
囲気条件と信号特性及びグルーブ反射率との関係 そこで、つぎに、記録膜の成膜速度を変化させた際にお
いて、再生信号のジッター値とグルーブでの反射率の両
条件を満足させる混合比Ｏ₂／Ａｒを検討した。

【０１７５】ここで、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅からなるターゲ
ットの印加電圧を変化させ、記録膜の成膜速度を０．１
ｎｍ／ｓとし、Ｏ₂ガスとＡｒガスの混合比Ｏ₂／Ａｒを
０％〜５％まで変化させた条件下で記録膜を成膜したこ
と以外は、上述したように、両面型の光ディスクを作製
して、図２０の実験と同様に、２００００回繰り返し記
録後のジッター値を測定した。その結果を図２２に示
す。また、記録膜の成膜速度を０．１ｎｍ／ｓとして、
記録膜成膜時の雰囲気条件を上述のように変えて作製し
た光ディスクの初期化後におけるグルーブの反射率を図
２１の実験と同様に測定した。その結果を図２３に示
す。

【０１７６】同様にして、記録膜の成膜速度を１．６ｎ
ｍ／ｓとし、記録膜成膜時の雰囲気としてＯ₂ガスとＡ
ｒガスの混合比Ｏ₂／Ａｒを０％〜２０％まで変化させ
た条件下で相変化光ディスクを作製し、２００００回繰
り返し記録後の再生信号のジッター値及び初期化後のグ
ルーブの反射率を測定した。それらの結果をそれぞれ図
２４及び図２５に示す。

【０１７７】また、同様にして、記録膜の成膜速度を
５．０ｎｍ／ｓとし、記録膜成膜時の雰囲気としてＯ₂
ガスとＡｒガスの混合比Ｏ₂／Ａｒを０％〜４０％まで
変化させた条件下で相変化光ディスクを作製し、２００
００回繰り返し記録後の再生信号のジッター値及び初期
化後のグルーブの反射率を測定した。それらの結果をそ
れぞれ図２６及び図２７に示す。

【０１７８】図２２，図２４及び図２６の結果から、成
膜速度をそれぞれ０．１ｎｍ／ｓ，１．６ｎｍ／ｓ，
５．０ｎｍ／ｓとして記録膜を成膜した光ディスクで
は、再生信号のジッター値が１２．５％以下となる混合
比Ｏ₂／Ａｒが、それぞれ１％，４％，１２％以上であ
ることがわかった。

【０１７９】図２３，図２５及び図２７の結果から、成
膜速度をそれぞれ０．１ｎｍ／ｓ，１．６ｎｍ／ｓ，
５．０ｎｍ／ｓとして記録膜を成膜した光ディスクで
は、グルーブ反射率が１１％以上となる混合比Ｏ₂／Ａ
ｒが、それぞれ３％，１２％，３０％以下であることが
わかった。

【０１８０】１−５ 信号特性及びグルーブ反射率の両
方の条件を満足する記録膜成膜条件 上述したように、図２０，図２２，図２４及び図２６の
結果から、成膜速度を０．４２ｎｍ／ｓ，０．１ｎｍ／
ｓ，１．６ｎｍ／ｓ，５．０ｎｍ／ｓとして記録膜を成
膜した光ディスクにおいては、再生信号のジッター値が
１０％以下となる混合比Ｏ₂／Ａｒがそれぞれ１．５
％，１％，４％，１２％であった。そして、この結果
を、横軸に成膜速度をとり、縦軸に混合比Ｏ₂／Ａｒを
とって図２８中に示した所、直線αとなった。

【０１８１】図２８では、横軸の成膜速度をＸ［ｎｍ／
ｓ］とし、縦軸の混合比Ｏ₂／ＡｒをＹ［％］とする。
すると、直線αは、Ｙ＝２．３Ｘ＋１．０で表される。
ここで、この直線αよりも下側の領域は、再生信号のジ
ッター値が１２．５％以上となり、良好な再生信号が得
られない領域である。

【０１８２】一方、上述したように、図２１，図２３，
図２５及び図２７の結果から、成膜速度を０．４２ｎｍ
／ｓ，０．１ｎｍ／ｓ，１．６ｎｍ／ｓ，５．０ｎｍ／
ｓとして記録膜を成膜した光ディスクにおいては、グル
ーブにおける反射率が１１％以上となる混合比Ｎ₂／Ａ
ｒがそれぞれ５％，３％，１２％，３０％であった。こ
の結果を、横軸に成膜速度をとり、縦軸に混合比Ｏ₂／
Ａｒをとって図２８中に示した所、直線βとなった。

【０１８３】すると、直線βは、Ｙ＝５．５Ｘ＋２．７
で表される。ここで、この直線βよりも上側の領域は、
グルーブ反射率が１１％以下となり、十分な信号変調度
が得られない領域である。

【０１８４】また、成膜速度Ｘは、５．０ｎｍ／ｓより
大きいと、成膜時間が時間が速すぎるため膜厚調整が困
難であり、０．１ｎｍ／ｓより小さいと、成膜時間がか
かり過ぎるため製造上不適当である。よって、成膜速度
Ｘは、０．１≦Ｘ≦５．０であることが好ましい。

【０１８５】以上の結果からわかるように、本発明を適
用した相変化光ディスク１は、ＧｅＳｂＴｅ合金からな
る記録膜を成膜する際に、Ｏ₂ガスを含有するＡｒガス
雰囲気下にて、Ｏ₂ガスとＡｒガスの混合比をＹ［％］
とし、記録膜の成膜速度をＸ［ｎｍ／ｓ］としたとき、
以下に示す式（４５）、（４６）を満足する条件にてス
パッタリングにより成膜することにより、記録膜４を構
成するＧｅＳｂＴｅ合金が好適に酸化されることにな
り、記録膜４の記録再生特性が最適化される。その結
果、本発明を適用した相変化光ディスク１は、再生信号
のジッター値及びグルーブ反射率の条件を満足すること
ができて、繰り返し記録後も再生信号の劣化が極力抑え
られて、繰り返し記録耐久性が向上されるとともに、繰
り返し記録後も良好な記録再生特性が得られることが判
明した。

【０１８６】 Ｙ≧２．３Ｘ＋１．０ ・・・（４５） Ｙ≦５．５Ｘ＋２．７ ・・・（４６） このとき、本発明を適用した相変化光ディスク１におい
ては、上述したように、記録膜４の成膜速度Ｘが０．１
≦Ｘ≦５．０であることが好ましい。

【０１８７】ところで、また、本発明に用いられる記録
膜４は、この記録膜４を構成するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅの組
成率が、図１５に示した（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）の三元状
態図において、点Ｊ（２６．０，１９．２，５４．
８）、点Ｋ（２１．０，２１．０，５８．０）、点Ｌ
（１４．３，２８．６，５７．１）、点Ｍ（２１．６，
２４．４，５４．０）で囲まれる領域内の値となされて
いる。

【０１８８】２．記録膜を構成する相変化材料の組成 以上述べたように、記録膜４を構成するＧｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅの組成率を規定した理由は、次に示すような実験結果
に基づくものである。以下、この実験について詳細を説
明する。

【０１８９】２−１ （Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）の三元状態
図においてＧｅ₅₀Ｔｅ₅₀とＳｂ₄₀Ｔｅ₆₀とを結ぶ直線上
の組成の検討 先ず、基板２上に膜厚９０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ₂から
なる第１の誘電体膜３をスパッタリングにより成膜し
た。

【０１９０】次に、この第１の誘電体膜３上に、Ｏ₂ガ
スとＡｒガスとの混合比Ｏ₂／Ａｒを２．５％とした雰
囲気下で、成膜速度を０．４２ｎｍ／ｓとして、膜厚が
２５ｎｍのＧｅＳｂＴｅからなる記録膜４をスパッタリ
ングにより成膜した。

【０１９１】このとき、この記録膜４を成膜する際に、
Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅からなるターゲットと、Ｇｅからなる
ターゲットと、Ｓｂからなるターゲットと、Ｔｅからな
るターゲットとを用いてスパッタリングにより形成す
る。

【０１９２】ここで、先ず、（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）の三
元状態図において、図１６に示したように、点Ｃ（２，
２，５）を中心として、Ｇｅ₅₀Ｔｅ₅₀とＳｂ₄₀Ｔｅ₆₀と
を結ぶ直線１１上の組成からなる記録膜を有する相変化
光ディスクを検討した。具体的には、Ｇｅターゲットと
Ｔｅターゲットの成膜速度比を１に保ちながらＧｅ₂Ｓ
ｂ₂Ｔｅ₅ターゲットをコスパッタリングすることによっ
て、図１６におけるＧｅ₅₀Ｔｅ₅₀とＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅と
の間の組成からなる記録膜４を形成した。

【０１９３】そして、この記録膜４上に、膜厚１５ｎｍ
のＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる第２の誘電体膜５、膜厚１
５０ｎｍのＡｌ合金からなる光反射膜６を順次スパッタ
リングにより成膜し、その後、光反射膜６上に紫外線硬
化樹脂等を塗布して保護膜７を形成し、相変化光ディス
ク１を得た。

【０１９４】最終的に、この相変化光ディスクを２枚作
製し、それぞれの光反射膜が内側に向かい合うように、
これら相変化光ディスクを接着剤を介して互いに接着さ
せ、直径１２０ｍｍ且つ厚さ１．２ｍｍの両面型の相変
化光ディスクを得た。

【０１９５】同様にして、記録膜４の組成のみを変えた
相変化光ディスクを作製した。具体的には、Ｇｅターゲ
ットとＴｅターゲットの成膜速度比を０．６７に保ちな
がらＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅ターゲットをコスパッタリングす
ることによって、図１６におけるＳｂ₄₀Ｔｅ₆₀とＧｅ₂
Ｓｂ₂Ｔｅ₅との間の組成からなる記録膜４を形成した。

【０１９６】このようにして作製した直線１１上の点で
表される組成の記録膜４を有する相変化光ディスクに関
して、２００００回繰り返し記録後の再生信号のジッタ
ー値を測定した。このときの記録条件は、上述の図２０
と同様な条件として、図３に示した発光パターンを用い
て、ランダムＥＦＭ信号をChannel Clockを２７．７Ｍ
ｈｚとして記録した。

【０１９７】その結果を図２９に示す。図２９では、横
軸にＧｅ₅₀Ｔｅ₅₀とＳｂ₄₀Ｔｅ₆₀を結ぶ直線１１上の組
成におけるＧｅの割合をとり、縦軸に再生信号のジッタ
ー値をとった。なお、図２９中の点Ｊ，点Ｌ，点Ｃは、
図１５中の点Ｊ（２６．０，１９．２，５４．８），点
Ｌ（１４．３，２８．６，５７．１），点Ｃ（２，２，
５）にそれぞれ対応するものである。

【０１９８】図２９の結果から、（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）
の三元状態図における点Ｊ（２６．０，１９．２，５
４．８）よりもＧｅの含有量が多い組成では、ジッター
値が１２．５％以上となり、点Ｌ（１４．３，２８．
６，５７．１）よりもＧｅの含有量が少ない組成におい
ても、ジッター値が１２．５％以上となることがわかっ
た。したがって、Ｇｅ₅₀Ｔｅ₅₀とＳｂ₄₀Ｔｅ₆₀とを結ぶ
直線１１上の組成では、図１５に示したように、点Ｊと
点Ｌとを結ぶ範囲の組成が好ましいことが判明した。

【０１９９】２−２ （Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）の三元状態
図において点Ｃ（２，２，５）よりもＴｅをより多く含
有する組成の検討 つぎに、点Ｃ（２，２，５）よりもＴｅをより多く含有
する組成とした記録膜を有する相変化光ディスクを検討
した。具体的には、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅ターゲットとＴｅ
ターゲットとをコスパッタンリングすることにより、点
Ｃから直線１２上の組成の記録膜４を有する相変化光デ
ィスクを作製した。

【０２００】このようにして作製した直線１２上の点で
表される組成の記録膜４を有する相変化光ディスクに関
して、上記の図２９と同様にして、２００００回記録後
の再生信号のジッター値を測定した。

【０２０１】その結果を図３０に示す。図３０では、横
軸にＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅とＴｅを結ぶ直線１２上の組成に
おけるＴｅの割合をとり、縦軸に２００００回記録後の
再生信号のジッター値をとった。なお、図３０中の点
Ｃ，点Ｋは、図１５中の点Ｃ（２，２，５），点Ｋ（２
１．０，２１．０，５８．０）にそれぞれ対応するもの
である。

【０２０２】図３０の結果から、図１５に示したよう
に、ジッター値が１２．５％以下となるには、点Ｃ
（２，２，５）と点Ｋ（２１．０，２１．０，５８．
０）とを結ぶ範囲の組成が好ましいことが判明した。

【０２０３】２−３ （Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）の三元状態
図において点Ｃ（２，２，５）よりもＳｂをより多く含
有する組成の検討 つぎに、点Ｃ（２，２，５）よりもＳｂをより多く含有
する組成とした記録膜を有する相変化光ディスクを検討
した。具体的には、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅ターゲットとＳｂ
ターゲットとをコスパッタリングすることにより、点Ｃ
から直線１３上の組成の記録膜４を有する相変化光ディ
スクを作製した。

【０２０４】このようにして作製した直線１３上の点で
表される組成の記録膜４を有する相変化光ディスクに関
して、上記の図２９と同様に、２００００回記録後の再
生信号のジッター値を測定した。

【０２０５】その結果を図３１に示す。図３１では、横
軸にＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅とＳｂを結ぶ直線１３上の組成に
おけるＳｂの割合をとり、縦軸に２００００回記録後の
再生信号のジッター値をとった。なお、図３１中の点
Ｍ，点Ｃは、図１５中の点Ｍ（２１．６，２４．４，５
４．０），点Ｃ（２，２，５）にそれぞれ対応するもの
である。

【０２０６】図３１の結果から、図１５に示したよう
に、ジッター値が１２．５％以下となるには、点Ｍ（２
１．６，２４．４，５４．０）と点Ｃとを結ぶ範囲の組
成が好ましいことが判明した。

【０２０７】２−４ 本発明における記録膜の好適な組
成の検討結果 以上の結果から、本発明を適用した相変化光ディスク１
においては、ＧｅＳｂＴｅからなる記録膜のＧｅＳｂＴ
ｅ組成率が、点Ｊ（２６．０，１９．２，５４．８）、
点Ｋ（２１．０，２４．４，５８．０）、点Ｌ（１４．
３，２８．６，５７．１）、点Ｍ（２１．６，２１．
６，５４．０）で囲まれる領域内の組成であることが好
ましいと判明した。

【０２０８】このように、本発明を適用した相変化光デ
ィスク１は、記録膜４を構成する相変化材料の組成が規
定されることによって、記録膜４の記録再生特性がより
最適化されて、繰り返し耐久性が向上するとともに、多
数回の繰り返し記録後も再生信号の劣化が極力抑えられ
て良好な記録再生特性が得られる。

【０２０９】ところで、本発明における記録膜４の膜厚
は、１８ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましい。これ
は、以下に示す実験結果に基づくものである。

【０２１０】先ず、基板２上に膜厚９０ｎｍのＺｎＳ−
ＳｉＯ₂からなる第１の誘電体膜３を形成した。

【０２１１】そして、この第１の誘電体膜３上に、Ｇｅ
₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅からなる記録膜を、Ｏ₂ガスとＡｒガスとの
混合比Ｏ₂／Ａｒを２．５％とした雰囲気下で成膜速度
を０．４２ｎｍ／ｓとして、スパッタリングにより形成
した。このとき、記録膜の膜厚を１５ｎｍ〜４０ｎｍに
変化させて形成し、記録膜の膜厚が異なる複数の基板２
を得た。

【０２１２】次に、膜厚の異なる記録膜４上に、それぞ
れ膜厚が１５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる第２の誘
電体膜、膜厚が１５０ｎｍのＡｌ合金からなる光反射膜
を順次スパッタリングにより形成して、相変化光ディス
クを得た。

【０２１３】このようにして得られた記録膜の膜厚が異
なる複数の相変化光ディスクをそれぞれ初期化した後
に、図３に示したような発光パターンを用いて、ランダ
ムＥＦＭ信号を繰り返し記録し、再生信号のジッター値
を測定した。このとき、線速度を４．８ｍ／ｓとし、記
録パワーＰｈ、消去パワーＰｌ及び冷却パワーＰｃを、
１回記録したときの再生信号のジッターが最小となるよ
うなパワーに設定した。

【０２１４】このような実験を行ったところ、記録膜の
膜厚が１８ｎｍより小さい相変化光ディスクでは、記録
膜の膜質が弱くなってしまうため、記録パワーＰｈが１
５ｍＷといった高パワーのレーザ光を用いた場合繰り返
し記録することができないといった欠点があった。ま
た、記録膜の膜厚が３０ｎｍより大きい相変化光ディス
クでは、２００００回記録後の再生信号のジッター値が
１２．５％以上となり、繰り返し耐久性に問題が生じ
た。したがって、記録膜４の膜厚は、１８ｎｍ〜３０ｎ
ｍであることが好ましいといえる。

【０２１５】以上のように構成された相変化光ディスク
１は、例えば、次のようにして作製される。

【０２１６】先ず、射出成形により所定のプリグルーブ
が形成された基板２を作製する。そして、この基板２上
に第１の誘電体膜３をＲＦスパッタ法にて形成する。

【０２１７】ここで、本実施の形態に係る相変化光ディ
スク１では、第１の誘電体膜３の膜厚が、７０ｎｍ〜１
３０ｎｍであることが好ましい。第１の誘電体膜の膜厚
が７０ｎｍよりも小さいと、グルーブ反射率が低くな
り、十分な再生信号が得られない。また、第１の誘電体
膜の膜厚が１３０ｎｍよりも大きい相変化光ディスクで
は、２００００回繰り返し記録後の再生信号のジッター
値が１２．５％以上となり、繰り返し耐久性が不十分で
ある。したがって、第１の誘電体膜３の膜厚を７０ｎｍ
〜１３０ｎｍとすることで、再生信号を十分に得ること
ができ、さらに、十分な繰り返し耐久性を付与すること
ができる。

【０２１８】次に、第１の誘電体膜３上に記録膜４をＤ
Ｃスパッタ法にて形成する。このとき、特に、本発明を
適用した光記録媒体の製造方法においては、相変化材料
としてＧｅＳｂＴｅ合金を用いて、Ｏ₂ガスを含有する
Ａｒガス雰囲気下で行うものとし、このＯ₂ガスとＡｒ
ガスとの混合比Ｏ₂／ＡｒをＹ［％］とし、成膜速度を
Ｘ［ｎｍ／ｓ］とすると、下記式（４７）及び式（４
８）を満たすようにする。

【０２１９】 Ｙ≧２．３Ｘ＋１．０ ・・・（４７） Ｙ≦５．５Ｘ＋２．７ ・・・（４８） このように、本発明を適用した光記録媒体の製造方法に
よれば、記録膜４の成膜条件が規定されることによっ
て、記録膜４を構成するＧｅＳｂＴｅ合金が好適に酸化
されて記録膜４の物性が繰り返し記録に対して最適化さ
れることになり、更なる繰り返し耐久性の向上が図られ
て、繰り返し記録を多数回行っても再生信号の劣化が極
力抑えられ良好な記録再生特性の得られる光記録媒体を
提供することができる。

【０２２０】なお、ここで、成膜速度Ｘは、０．１ｎｍ
／ｓ以上、５．０ｎｍ／ｓ以下であることが好ましい。
このように、本発明に係る光記録媒体の製造方法によれ
ば、成膜速度が上記の範囲となされることにより、記録
膜４の記録再生特性がより最適化されて、繰り返し記録
後も良質な記録再生特性が得られる光記録媒体をより効
果的に提供することができる。

【０２２１】また、このように成膜される記録膜４の組
成は、（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）の三元状態図において、点
Ｊ（２６．０，１９．２，５４．８）と、点Ｋ（２１．
０，２１．０，５８．０）と、点Ｌ（１４．３，２８．
６，５７．１）と、点Ｍ（２１．６，２４．４，５４．
０）とにより囲まれる領域内の組成からなるＧｅＳｂＴ
ｅ合金である。

【０２２２】このような組成からなる記録膜４が形成さ
れることによって、記録膜４の記録再生特性が最適化さ
れて繰り返し記録後も再生信号の劣化が極力抑えられた
光記録媒体となる。

【０２２３】次に、この記録膜４上に第２の誘電体膜５
をＲＦスパッタ法にて形成する。そして、この第２の誘
電体膜５上に、Ａｌターゲットを用いて光反射膜６を形
成する。

【０２２４】次に、この光反射膜６上にスピンコート法
により紫外線硬化樹脂を塗布形成して、最終的に、本発
明を適用した相変化光ディスク１を作製する。なお、図
２に示したような両面型の相変化光ディスク１０を作製
するには、例えば、上記の相変化光ディスク１を２枚作
製し、これら２枚の相変化光ディスクをそれぞれの光反
射膜６が互いに内側に向かい合うように接着剤を介して
貼り合わせることにより作製することができる。

【０２２５】〈第３の実施の形態〉本実施の形態に係る
相変化光ディスクは、図１に示した相変化光ディスク１
と同様に、基板２上に、第１の誘電体膜３、記録膜４、
第２の誘電体膜５、光反射膜６、保護膜７がこの順で積
層形成されてなる。

【０２２６】ここで、本実施の形態に係る相変化光ディ
スクは、記録膜４の構成が異なるのみで、記録膜４以外
の各構成膜は、それぞれ上述した相変化光ディスク１の
基板２、第１の誘電体膜３、第２の誘電体膜５、光反射
膜６、保護膜７とほぼ同様の構成とされている。そのた
め、以下の説明では、上記の各構成膜についての説明は
省略し、記録膜４についてのみ説明する。

【０２２７】記録膜４は、レーザ光等の光線の照射によ
って結晶状態と非結晶状態との間で可逆的に相変化する
相変化材料からなり、この相変化材料を光線照射によっ
て相変化させることにより情報信号の書き込みや消去や
再生が可能となる光記録層である。

【０２２８】特に、本発明における記録膜４の相変化材
料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金からなるカルコゲン化合物
である。そして、この記録膜４は、膜厚が１８ｎｍ〜３
０ｎｍとされていることが好ましい。

【０２２９】また、本発明における記録膜４は、Ｎ₂ガ
スを含有するＡｒガス雰囲気下にて、Ｎ₂ガスとＡｒガ
スとの混合比Ｎ₂／ＡｒをＹ［％］とし、成膜速度をＸ
［ｎｍ／ｓ］とするとき、以下に示す式（４９）及び式
（５０）を満足する条件にて、スパッタリングにより成
膜されるものである。

【０２３０】 Ｙ≧１．８Ｘ＋５．０ ・・・（４９） Ｙ≦１２．８Ｘ＋１６．７ ・・・（５０） さらに、この成膜速度Ｘが０．１ｎｍ／ｓ以上、５．０
ｎｍ／ｓ以下であることが好ましい。つまり、Ｘが下記
式（５１）を満足することが好ましい。

【０２３１】 ０．１≦Ｘ≦５ ・・・（５１） なお、上記混合比Ｎ₂／Ａｒは、Ｎ₂とＡｒの流量比、言
い換えれば、雰囲気中におけるＮ₂とＡｒとの体積比を
示している。

【０２３２】１．記録膜成膜時における成膜速度Ｘと雰
囲気条件の検討 以上述べたように、本発明を適用した光記録媒体及びそ
の製造方法において、記録膜４を成膜する際に、Ｎ₂ガ
スとＡｒガスとの混合比Ｙ［％］及び成膜速度Ｘ［ｎｍ
／ｓ］を上記の式（４９）、（５０）及び（５１）のよ
うに規定した理由は、次に示すような実験結果に基づく
ものである。以下、この実験について詳細を説明する。

【０２３３】１−１ 記録膜成膜時における雰囲気条件
と再生信号の信号特性との関係 先ず、次のように相変化光ディスクを作製した。

【０２３４】始めに、直径が１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍ
ｍの基板２を用意した。そして、この基板２上に膜厚１
２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる第１の誘電体膜３
をスパッタリングにより形成した。

【０２３５】次に、この第１の誘電体膜３上に、Ｇｅ₂
Ｓｂ₂Ｔｅ₅からなるターゲットを用いて、成膜速度を
０．４２ｎｍ／ｓとし、Ｎ₂ガスを混合したＡｒガス雰
囲気下でスパッタリングによって、膜厚２５ｎｍのＧｅ
−Ｓｂ−Ｔｅからなる記録膜４をスパッタリングにより
形成した。

【０２３６】このとき、Ｎ₂ガスを混合したＡｒガス雰
囲気として、Ｎ₂ガスとＡｒガスの混合比Ｎ₂／Ａｒを０
％〜２０％の範囲で変化させ、各条件下で記録膜を成膜
したものを複数作製した。但し、上記混合比Ｎ₂／Ａｒ
を０％とする条件は、Ｎ₂ガスを含有しないＡｒガス雰
囲気を示すものであり、本発明を適用した製造方法にお
ける記録膜成膜条件ではない。

【０２３７】次に、各条件下で成膜された記録膜４上
に、膜厚１５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる第２の誘
電体膜５、膜厚１５０ｎｍのＡｌ合金からなる光反射膜
６を順次スパッタリングにより形成し、更に、この光反
射膜６上に紫外線硬化樹脂を塗布して保護膜７を形成す
ることによって、相変化光ディスク１を作製した。

【０２３８】そして、このようにして作製した相変化光
ディスク１をそれぞれ２枚づつ作製し、光反射膜６が互
いに内側に向かい合うように、２枚の相変化光ディスク
を接着剤９によって接着し、最終的に、図２に示すよう
な両面から記録再生可能な両面型相変化光ディスク１０
を作製した。なお、この両面型相変化光ディスク１０
は、片面当たり３．０ＧＢの記録容量を有する。そし
て、この相変化光ディスク１，１０は、トラックピッチ
が約０．８μｍである。

【０２３９】以上のように成膜条件を変化させて作製さ
れた複数の相変化光ディスクについて、それぞれ強力な
レーザ光を照射させて記録膜４を結晶化させる初期化処
理を施した。

【０２４０】そして、初期化後のこれら相変化光ディス
クに対して、図３に示したような発光パターンを用いて
ランダムＥＦＭ信号をChannel Clockを２７．７ＭＨｚ
として記録した。ここで、図３では、記録パワーをＰｈ
と示し、消去パワーをＰｌと示し、冷却パワーをＰｃと
示した。また、図３中の発光パターンは、１クロックを
１Ｔと示し、１発光パルスのパルス長を１３ｎｓとし
た。

【０２４１】また、このとき、線速度は４．８ｍ／ｓで
あり、記録パワーＰｈは１４．５ｍＷであり、消去パワ
ーＰｌは５．８ｍＷであり、冷却パワーＰｃは１．５ｍ
Ｗであるような記録再生装置を用いた。なお、この記録
再生装置には、波長が６５０ｎｍのレーザ光を発生する
光源が搭載されている。

【０２４２】このような条件で、各相変化光ディスクに
対して、記録を２回繰り返した。

【０２４３】そこで、記録膜成膜時におけるＮ₂ガス及
びＡｒガスの混合ガスの条件と、再生信号の信号特性と
の関係を評価すべく、これら２回繰り返し記録後の各相
変化光ディスクについて、繰り返し記録後の再生信号の
ジッター値を測定した。

【０２４４】その結果を図３２に示す。図３２は、横軸
にＮ₂ガスとＡｒガスの混合比Ｎ₂／Ａｒをとり、縦軸に
同じトラックに２回繰り返して記録したときの再生信号
のジッター値をとった。ここで、良好な再生信号が得ら
れるジッター値として１０％をメディア評価基準値とす
る。

【０２４５】なお、上記実験では、２回繰り返し記録し
た後のジッター値を測定しているが、これは、次に示す
理由によるものである。つまり、通常、繰り返し記録後
のジッター値は、２回記録後が最も高く、１万回の繰り
返し記録に至るまで次第に減少する傾向にある。そのた
め、ここでは、２回繰り返し記録した後の再生信号のジ
ッター値を測定した。

【０２４６】図３２の結果から明らかなように、ジッタ
ー値は、混合比Ｎ₂／Ａｒが０％である場合、つまりＮ₂
ガスがＡｒガス中に混入されていない場合に１２．７％
と最も高く、Ｎ₂ガスの割合が増えるにつれて減少して
おり、混合比Ｎ₂／Ａｒが６％〜１０％のときに最小と
なる。そして、更に混合比Ｎ₂／Ａｒが増えると、ジッ
ター値も徐々に増加する。

【０２４７】したがって、図３２に示すように、繰り返
し記録後の再生信号のジッター値を、通常良好な再生信
号が得られる値である１０％以下とするには、混合比Ｎ
₂／Ａｒが６％以上とされたＡｒガス雰囲気下で記録膜
を成膜することが望ましいと判明した。

【０２４８】１−２ 記録膜成膜時の雰囲気条件と各デ
ィスクのグルーブ反射率との関係 つぎに、記録膜成膜時におけるＮ₂ガス及びＡｒガスの
混合ガス雰囲気の条件と、各ディスクのグルーブにおけ
る反射率との関係を評価すべく、上述したように記録膜
成膜時の雰囲気条件を変えて作製し初期化を施した後の
各相変化光ディスクについて、グルーブでの反射率を測
定した。

【０２４９】その結果を図３３に示す。図３３では、横
軸にＮ₂ガス及びＡｒガスの混合比Ｎ₂／Ａｒをとり、縦
軸にグルーブにおける反射率をとった。

【０２５０】図３３の結果から明らかなように、グルー
ブにおける反射率は、混合比Ｎ₂／Ａｒが増えるにつれ
て単調に減少する。そして、この混合比Ｎ₂／Ａｒが２
１％以上になると、グルーブにおける反射率が１１％以
下となってしまい、十分な変調度が得られないという問
題が生じる。

【０２５１】したがって、図３３に示すように、十分な
再生出力を確保するためには、記録膜成膜時の雰囲気に
おける混合比Ｎ₂／Ａｒが２１％以下であることが必要
と判明した。

【０２５２】１−３ 信号特性及びグルーブ反射率の両
方の条件を満足する雰囲気条件 以上述べたように、図３２及び図３３の結果から、本発
明を適用した光記録媒体及びその製造方法において、記
録膜の成膜速度が０．４２ｎｍ／ｓの際に再生信号のジ
ッター値とグルーブでの反射率の両条件を満足するに
は、混合比Ｎ₂／Ａｒが６％〜２１％とされたＡｒガス
雰囲気下で記録膜を成膜することが必要であると判明し
た。

【０２５３】なお、以上の図３２及び図３３の結果は、
成膜速度を０．４２ｎｍ／ｓとして記録膜を成膜した光
ディスクを対象としている。そのため、成膜速度を変化
させた際に図３２及び図３３の光ディスクと同様な特性
を得るには、Ｎ₂ガスとＡｒガスとの混合比Ｎ₂／Ａｒを
も変化させる必要がある。

【０２５４】１−４ 成膜速度を変えた場合における雰
囲気条件と信号特性及びグルーブ反射率との関係 そこで、つぎに、記録膜の成膜速度を変化させた際にお
いて、再生信号のジッター値とグルーブでの反射率の両
条件を満足させる混合比Ｎ₂／Ａｒを検討した。

【０２５５】ここで、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅からなるターゲ
ットの印加電圧を変化させ、記録膜の成膜速度を０．１
ｎｍ／ｓとし、Ｎ₂ガスとＡｒガスの混合比Ｎ₂／Ａｒを
０％〜２０％まで変化させた条件下で記録膜を成膜した
こと以外は、上述したように、両面型の光ディスクを作
製して、図３２の実験と同様に、２回繰り返して記録し
た後のジッター値を測定した。その結果を図３４に示
す。また、記録膜の成膜速度を０．１ｎｍ／ｓとして、
記録膜成膜時の雰囲気条件を上述のように変えて作製し
た光ディスクの初期化後におけるグルーブの反射率を図
３３の実験と同様に測定した。その結果を図３５に示
す。

【０２５６】同様にして、記録膜の成膜速度を１．６ｎ
ｍ／ｓとして、記録膜成膜時の雰囲気条件を上述したよ
うに変えて相変化光ディスクを作製し、２回繰り返して
記録した後の再生信号のジッター値及び初期化後のグル
ーブの反射率を測定した。それらの結果をそれぞれ図３
６及び図３７に示す。

【０２５７】また、同様にして、記録膜の成膜速度を
５．０ｎｍ／ｓとして相変化光ディスクを作製し、２回
繰り返して記録した後の再生信号のジッター値及び初期
化後のグルーブの反射率を測定した。それらの結果をそ
れぞれ図３８及び図３９に示す。

【０２５８】図３４，図３６及び図３８の結果から、成
膜速度をそれぞれ０．１ｎｍ／ｓ，１．６ｎｍ／ｓ，
５．０ｎｍ／ｓとして記録膜を成膜した光ディスクで
は、再生信号のジッター値が良好な再生信号が得られる
１０％以下となる混合比Ｎ₂／Ａｒが、それぞれ５％，
８％，１４％であることがわかった。

【０２５９】図３５，図３７及び図３９の結果から、成
膜速度をそれぞれ０．１ｎｍ／ｓ，１．６ｎｍ／ｓ，
５．０ｎｍ／ｓとして記録膜を成膜した光ディスクで
は、グルーブ反射率が１１％以上となる混合比Ｎ₂／Ａ
ｒが、それぞれ１７％，４０％，８０％であることがわ
かった。

【０２６０】１−５ 信号特性及びグルーブ反射率の両
方の条件を満足する記録膜成膜条件 上述したように、図３２，図３４，図３６及び図３８の
結果から、成膜速度を０．４２ｎｍ／ｓ，０．１ｎｍ／
ｓ，１．６ｎｍ／ｓ，５．０ｎｍ／ｓとして記録膜を成
膜した光ディスクにおいては、再生信号のジッター値が
１０％以下となる混合比Ｎ₂／Ａｒがそれぞれ６％，５
％，８％，１４％であった。そして、この結果を、横軸
に成膜速度をとり、縦軸に混合比Ｎ₂／Ａｒをとって図
４０中に示したところ、直線αとなった。

【０２６１】図４０では、横軸の成膜速度をＸ［ｎｍ／
ｓ］とし、縦軸の混合比Ｎ₂／ＡｒをＹ［％］とする。
すると、直線αは、Ｙ＝１．８Ｘ＋５．０で表される。
ここで、この直線αよりも下側の領域は、再生信号のジ
ッター値が１０％以上となり、良好な再生信号が得られ
ない領域である。

【０２６２】一方、上述したように、図３３，図３５，
図３７及び図３９の結果から、成膜速度を０．４２ｎｍ
／ｓ，０．１ｎｍ／ｓ，１．６ｎｍ／ｓ，５．０ｎｍ／
ｓとして記録膜を成膜した光ディスクにおいては、グル
ーブにおける反射率が１１％以上となる混合比Ｎ₂／Ａ
ｒがそれぞれ２１％，１７％，４０％，８０％であっ
た。この結果を、横軸に成膜速度をとり、縦軸に混合比
Ｎ₂／Ａｒをとって図４０中に示したところ、直線βと
なった。

【０２６３】すると、直線βは、Ｙ＝１２．８Ｘ＋１
６．７で表される。ここで、この直線βよりも上側の領
域は、グルーブ反射率が１１％以下となり、十分な信号
変調度が得られない領域である。

【０２６４】また、成膜速度Ｘは、５．０ｎｍ／ｓより
大きいと、成膜時間が時間が速すぎるため膜厚調整が困
難であり、０．１ｎｍ／ｓより小さいと、成膜時間がか
かり過ぎるため製造上不適当である。よって、成膜速度
Ｘは、０．１≦Ｘ≦５．０であることが好ましい。

【０２６５】以上の結果からわかるように、本発明を適
用した相変化光ディスク１は、ＧｅＳｂＴｅ合金からな
る記録膜を成膜する際に、Ｎ₂ガスを含有するＡｒガス
雰囲気下にて、Ｎ₂ガスとＡｒガスの混合比をＹ［％］
とし、記録膜の成膜速度をＸ［ｎｍ／ｓ］としたとき、
以下に示す式（５２）、（５３）を満足する条件にてス
パッタリングにより成膜することにより、記録膜４を構
成するＧｅＳｂＴｅ合金が好適に窒化されることにな
り、記録膜４の記録再生特性が最適化される。その結
果、本発明を適用した相変化光ディスク１は、再生信号
のジッター値及びグルーブ反射率の条件を満足すること
ができて、繰り返し記録後も再生信号の劣化が極力抑え
られて、常に安定した記録再生特性が得られることが判
明した。

【０２６６】 Ｙ≧１．８Ｘ＋５．０ ・・・（５２） Ｙ≦１２．８Ｘ＋１６．７ ・・・（５３） このとき、本発明を適用した相変化光ディスク１におい
ては、上述したように、記録膜４の成膜速度Ｘが０．１
≦Ｘ≦５．０であることが好ましい。

【０２６７】ところで、また、本発明に用いられる記録
膜４は、この記録膜４を構成するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅの組
成率が、図１５に示した（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）の三元状
態図において、点Ｊ（２６．０，１９．２，５４．
８）、点Ｋ（２１．０，２１．０，５８．０）、点Ｌ
（１４．３，２８．６，５７．１）、点Ｍ（２１．６，
２４．４，５４．０）で囲まれる領域内の値となされて
いる。

【０２６８】２．記録膜を構成する相変化材料の組成 以上述べたように、記録膜４を構成するＧｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅの組成率を規定した理由は、次に示すような実験結果
に基づくものである。以下、この実験について詳細を説
明する。

【０２６９】２−１ （Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）の三元状態
図においてＧｅ₅₀Ｔｅ₅₀とＳｂ₄₀Ｔｅ₆₀とを結ぶ直線上
の組成の検討 先ず、基板２上に膜厚１２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ₂か
らなる第１の誘電体膜３をスパッタリングにより成膜し
た。

【０２７０】次に、この第１の誘電体膜３上に、Ｎ₂ガ
スとＡｒガスとの混合比Ｎ₂／Ａｒを１０％とした雰囲
気下で、成膜速度を０．４２ｎｍ／ｓとして、膜厚が２
５ｎｍのＧｅＳｂＴｅからなる記録膜４をスパッタリン
グにより成膜した。

【０２７１】このとき、この記録膜４を成膜する際に、
Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅からなるターゲットと、Ｇｅからなる
ターゲットと、Ｓｂからなるターゲットと、Ｔｅからな
るターゲットとを用いてスパッタリングにより形成す
る。

【０２７２】ここで、先ず、（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）の三
元状態図において、図１６に示したように、点Ｃ（２，
２，５）を中心として、Ｇｅ₅₀Ｔｅ₅₀とＳｂ₄₀Ｔｅ₆₀と
を結ぶ直線１１上の組成からなる記録膜を有する相変化
光ディスクを検討した。具体的には、Ｇｅターゲットと
Ｔｅターゲットの成膜速度比を１に保ちながらＧｅ₂Ｓ
ｂ₂Ｔｅ₅ターゲットをコスパッタリングすることによっ
て、図１６におけるＧｅ₅₀Ｔｅ₅₀とＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅と
の間の組成からなる記録膜４を形成した。

【０２７３】そして、この記録膜４上に、膜厚１５ｎｍ
のＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる第２の誘電体膜５、膜厚１
５０ｎｍのＡｌ合金からなる光反射膜６を順次スパッタ
リングにより成膜し、その後、光反射膜６上に紫外線硬
化樹脂等を塗布して保護膜７を形成し、相変化光ディス
ク１を得た。

【０２７４】最終的に、この相変化光ディスクを２枚作
製し、それぞれの光反射膜が内側に向かい合うように、
これら相変化光ディスクを接着剤を介して互いに接着さ
せ、直径１２０ｍｍ且つ厚さ１．２ｍｍの両面型の相変
化光ディスクを得た。

【０２７５】同様にして、記録膜４の組成のみを変えた
相変化光ディスクを作製した。具体的には、Ｇｅターゲ
ットとＴｅターゲットの成膜速度比を０．６７に保ちな
がらＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅ターゲットをコスパッタリングす
ることによって、図１６におけるＳｂ₄₀Ｔｅ₆₀とＧｅ₂
Ｓｂ₂Ｔｅ₅との間の組成からなる記録膜４を形成した。

【０２７６】このようにして作製した直線１１上の点で
表される組成の記録膜４を有する相変化光ディスクに関
して、１回記録後の再生信号のジッター値を測定した。
このときの記録条件は、上述の図３２と同様な条件とし
て、図３に示した発光パターンを用いて、ランダムＥＦ
Ｍ信号を記録した。

【０２７７】その結果を図４１に示す。図４１では、横
軸にＧｅ₅₀Ｔｅ₅₀とＳｂ₄₀Ｔｅ₆₀を結ぶ直線１１上の組
成におけるＧｅの割合をとり、縦軸に再生信号のジッタ
ー値をとった。なお、図４１中の点Ｊ，点Ｌ，点Ｃは、
図１５中の点Ｊ（２６．０，１９．２，５４．８），点
Ｌ（１４．３，２８．６，５７．１），点Ｃ（２，２，
５）にそれぞれ対応するものである。

【０２７８】図４１の結果から、（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）
の三元状態図における点Ｊ（２６．０，１９．２，５
４．８）よりもＧｅの含有量が多い組成では、ジッター
値が１０％以上となり、点Ｌ（１４．３，２８．６，５
７．１）よりもＧｅの含有量が少ない組成においても、
ジッター値が１０％以上となることがわかった。したが
って、Ｇｅ₅₀Ｔｅ₅₀とＳｂ₄₀Ｔｅ₆₀とを結ぶ直線１１上
の組成では、図１５に示したように、点Ｊと点Ｌとを結
ぶ範囲の組成が好ましいことが判明した。

【０２７９】２−２ （Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）の三元状態
図において点Ｃ（２，２，５）よりもＴｅをより多く含
有する組成の検討 つぎに、点Ｃ（２，２，５）よりもＴｅをより多く含有
する組成とした記録膜を有する相変化光ディスクを検討
した。具体的には、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅ターゲットとＴｅ
ターゲットとをコスパッタンリングすることにより、点
Ｃから直線１２上の組成の記録膜４を有する相変化光デ
ィスクを作製した。

【０２８０】このようにして作製した直線１２上の点で
表される組成の記録膜４を有する相変化光ディスクに関
して、上記の図４１と同様にして、１回記録後の再生信
号のジッター値を測定した。

【０２８１】その結果を図４２に示す。図４２では、横
軸にＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅とＴｅを結ぶ直線１２上の組成に
おけるＴｅの割合をとり、縦軸に再生信号のジッター値
をとった。なお、図４２中の点Ｃ，点Ｋは、図１５中の
点Ｃ（２，２，５），点Ｋ（２１．０，２１．０，５
８．０）にそれぞれ対応するものである。

【０２８２】図４２の結果から、図１５に示したよう
に、点Ｃ（２，２，５）と点Ｋ（２１．０，２１．０，
５８．０）とを結ぶ範囲の組成が好ましいことが判明し
た。

【０２８３】２−３ （Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）の三元状態
図において点Ｃ（２，２，５）よりもＳｂをより多く含
有する組成の検討 つぎに、点Ｃ（２，２，５）よりもＳｂをより多く含有
する組成とした記録膜を有する相変化光ディスクを検討
した。具体的には、Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅ターゲットとＳｂ
ターゲットとをコスパッタリングすることにより、点Ｃ
から直線１３上の組成の記録膜４を有する相変化光ディ
スクを作製した。

【０２８４】このようにして作製した直線１３上の点で
表される組成の記録膜４を有する相変化光ディスクに関
して、上記の図４１と同様に、１回記録後の再生信号の
ジッター値を測定した。その結果を図４３に示す。図４
３では、横軸にＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅とＳｂを結ぶ直線１３
上の組成におけるＳｂの割合をとり、縦軸に再生信号の
ジッター値をとった。なお、図４３中の点Ｍ，点Ｃは、
図１５中の点Ｍ（２１．６，２４．４，５４．０），点
Ｃ（２，２，５）にそれぞれ対応するものである。

【０２８５】図４３の結果から、図１５に示したよう
に、点Ｍ（２１．６，２４．４，５４．０）と点Ｃ
（２，２，５）とを結ぶ範囲の組成が好ましいことが判
明した。

【０２８６】２−４ 本発明における記録膜の好適な組
成の検討結果 以上の結果から、本発明を適用した相変化光ディスク１
においては、図１５に示したように、ＧｅＳｂＴｅから
なる記録膜のＧｅＳｂＴｅ組成率が、点Ｊ（２６．０，
１９．２，５４．８）、点Ｋ（２１．０，２１．０，５
８．０）、点Ｌ（１４．３，２８．６，５７．１）、点
Ｍ（２１．６，２４．４，５４．０）で囲まれる領域内
の組成であることが好ましいと判明した。

【０２８７】このように、本発明を適用した相変化光デ
ィスク１では、記録膜４の組成が上記のように規定され
ていることにより、記録膜４の記録再生特性が最適化さ
れて繰り返し記録後においても再生信号のジッター値が
極力抑えられて、再生信号の劣化が抑えれられる。その
結果、本発明を適用した相変化光ディスク１は、繰り返
し記録後も常に安定した記録再生特性を得ることができ
る。

【０２８８】ところで、本発明における記録膜４の膜厚
は、１８ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましい。これ
は、以下に示す実験結果に基づくものである。

【０２８９】先ず、基板２上に膜厚１２０ｎｍのＺｎＳ
−ＳｉＯ₂からなる第１の誘電体膜３を形成した。

【０２９０】そして、この第１の誘電体膜３上に、Ｇｅ
₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅からなる記録膜を、Ｎ₂ガスとＡｒガスとの
混合比Ｎ₂／Ａｒを１０％とした雰囲気下で成膜速度を
０．４２ｎｍ／ｓとして、スパッタリングにより形成し
た。このとき、記録膜の膜厚を１５ｎｍ〜４０ｎｍに変
化させて形成し、記録膜の膜厚が異なる複数の基板２を
得た。

【０２９１】次に、膜厚の異なる記録膜４上に、それぞ
れ膜厚が１５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる第２の誘
電体膜、膜厚が１５０ｎｍのＡｌ合金からなる光反射膜
を順次スパッタリングにより形成し、その後、この光反
射膜上に紫外線硬化樹脂からなる保護膜を形成して、相
変化光ディスクを得た。

【０２９２】このようにして得られた記録膜の膜厚が異
なる複数の相変化光ディスクをそれぞれ初期化した後
に、図３に示したような発光パターンを用いて、ランダ
ムＥＦＭ信号を記録し、再生信号のジッター値を測定し
た。このとき、線速度を４．８ｍ／ｓとし、記録パワー
Ｐｈ、消去パワーＰｌ及び冷却パワーＰｃを、１回記録
したときの再生信号のジッターが最小となるようなパワ
ーに設定した。

【０２９３】この結果から、記録膜の膜厚が１８ｎｍよ
り小さい相変化光ディスクでは、膜質が弱くなってしま
うため、記録パワーＰｈが１５ｍＷといった高パワーの
レーザ光を用いた場合繰り返し記録することができない
ということがわかった。また、記録膜の膜厚が３０ｎｍ
より大きい相変化光ディスクでは、１００００回記録後
の再生信号のジッター値が１２．５％以上となり、繰り
返し耐久性に問題が生じた。したがって、記録膜４の膜
厚は、１８ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましいといえ
る。

【０２９４】以上のように構成された相変化光ディスク
１は、例えば、次のようにして作製される。

【０２９５】先ず、射出成形により所定のプリグルーブ
が形成されたポリカーボネートからなる基板２を作製す
る。そして、この基板２上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂からな
る第１の誘電体膜３をＲＦスパッタ法にて形成する。

【０２９６】次に、第１の誘電体膜３上に、記録膜４を
ＤＣスパッタ法にて形成する。このとき、特に、本発明
を適用した光記録媒体の製造方法においては、相変化材
料としてＧｅＳｂＴｅ合金を用いて、Ｎ₂ガスを含有す
るＡｒガス雰囲気下で行うものとし、このＮ₂ガスとＡ
ｒガスとの混合比Ｎ₂／ＡｒをＹ［％］とし、成膜速度
をＸ［ｎｍ／ｓ］とすると、下記式（５４）及び式（５
５）を満たすようにする。

【０２９７】 Ｙ≧１．８Ｘ＋５．０ ・・・（５４） Ｙ≦１２．８Ｘ＋１６．７ ・・・（５５） このように、本発明を適用した光記録媒体の製造方法に
よれば、記録膜４の成膜条件が制御されることによっ
て、記録膜４を構成するＧｅＳｂＴｅ合金が好適に窒化
されることになり、記録膜４の記録再生特性が最適化さ
れる。その結果、本発明を適用した光記録媒体の製造方
法によれば、繰り返し記録後も再生信号の劣化が極力抑
えられて、常に安定した記録再生特性が得られ高信頼性
が得られた光記録媒体を提供することができる。

【０２９８】なお、ここで、成膜速度Ｘは、０．１ｎｍ
／ｓ以上、５．０ｎｍ／ｓ以下であることが好ましい。
このように、本発明に係る光記録媒体の製造方法によれ
ば、成膜速度が上記の範囲となされることにより、記録
膜４の記録再生特性がより最適化されて、繰り返し記録
後も常に安定した記録再生特性が得られる光記録媒体を
提供することができる。

【０２９９】また、このように成膜される記録膜４の組
成は、（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）の三元状態図において、点
Ｊ（２６．０，１９．２，５４．８）と、点Ｋ（２１．
０，２１．０，５８．０）と、点Ｌ（１４．３，２８．
６，５７．１）と、点Ｍ（２１．６，２４．４，５４．
０）とにより囲まれる領域内の組成からなるＧｅＳｂＴ
ｅ合金である。

【０３００】このような組成からなる記録膜４が形成さ
れることによって、記録膜４の記録再生特性が最適化さ
れて繰り返し記録後も常に再生信号の劣化が極力抑えら
れた光記録媒体となる。

【０３０１】次に、この記録膜４上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ
₂からなる第２の誘電体膜５をＲＦスパッタ法にて形成
する。そして、この第２の誘電体膜５上に、Ａｌターゲ
ットを用いて光反射膜６を形成する。

【０３０２】次に、この光反射膜６上に、スピンコート
法により紫外線硬化樹脂を塗布形成して、最終的に、本
発明を適用した相変化光ディスク１を作製する。なお、
図２に示したような両面型の相変化光ディスク１０を作
製するには、例えば、上記の相変化光ディスク１を２枚
作製し、これら２枚の相変化光ディスクをそれぞれの光
反射膜６が互いに内側に向かい合うように接着剤を介し
て貼り合わせることにより作製する。

【０３０３】

【実施例】つぎに、本発明を適用した光記録媒体の製造
方法による効果を評価するために、以下に示す実験を行
った。

【０３０４】第１の実験例 本実験例では、記録膜を成膜する際に、Ｎ₂ガス及びＯ₂
ガスを含有するＡｒガスをスパッタガスとして用いた場
合の効果について調べた。

【０３０５】〈実施例〉先ず、記録トラックに沿ったグ
ルーブが形成されたポリカーボネート製の基板を用意
し、この基板上に膜厚１２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ₂か
らなる第１の誘電体膜を成膜した。

【０３０６】次に、この第１の誘電体膜上に、Ａｒガス
に対するＮ₂ガス及びＯ₂ガスの混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａ
ｒを１０％とし、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスに占めるＯ₂ガス
の割合Ｏ₂／（Ｎ₂＋Ｏ₂）を２０％とした雰囲気下で、
成膜速度を０．４２ｎｍ／ｓとして、膜厚２５ｎｍのＧ
ｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅からなる記録膜を成膜した。

【０３０７】その後、この記録膜上に膜厚１５ｎｍのＺ
ｎＳ−ＳｉＯ₂からなる第２の誘電体膜、膜厚１５０ｎ
ｍのＡｌ合金からなる光反射膜を順次スパッタリングに
より形成した。そして、この光反射膜上に紫外線硬化樹
脂をスピンコート法により塗布形成して膜厚１０μｍの
保護膜を形成し、相変化光ディスクを得た。

【０３０８】〈比較例〉一方、記録膜を成膜する際にＮ
₂ガス及びＯ₂ガスを導入せずＡｒガスのみからなるＡｒ
雰囲気下にて記録膜を成膜したこと以外は、上記の実施
例と同様にして相変化光ディスクを得た。

【０３０９】以上の実施例及び比較例にて得られた相変
化光ディスクをそれぞれ初期化し、その後、これらの相
変化光ディスクに図３の発光パターンを用いてランダム
ＥＦＭ信号を繰り返し記録し、再生信号のジッター値を
測定した。

【０３１０】実施例の結果を図４４に示し、比較例の結
果を図４５に示す。

【０３１１】図４４の結果から明らかなように、Ｎ₂ガ
ス及びＯ₂ガスを所定の割合含有させたＡｒ雰囲気下に
て記録膜を成膜した本発明を適用した実施例は、２回目
の記録以降のジッター値の増加が見られず、しかも、１
０万回までジッター値が１２．５％以下で安定してい
る。

【０３１２】一方、図４５の結果から明らかなように、
Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスを含有しないＡｒ雰囲気下にて記録
膜を成膜した比較例は、２回目〜１０回目の記録後にお
いて局所的にジッター値が増加しているとともに、繰り
返し記録回数が１万回以上となるとジッター値が急激に
増加してしまう。

【０３１３】以上の結果から、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスを所
定量含有させたＡｒ雰囲気下にて所定の成膜速度にて記
録膜を成膜することにより、数回のような少数回の繰り
返し記録後にみられた局所的な再生信号のジッター増加
が極力抑えられるとともに、数万回等の多数回の繰り返
し記録後にみられた急激な再生信号のジッター増加が極
力抑えられると判明した。

【０３１４】第２の実験例 本実験例では、記録膜を成膜する際に、Ｏ₂ガスを含有
するＡｒガスをスパッタガスとして用いた場合の効果に
ついて調べた。

【０３１５】〈実施例〉基板上に膜厚９０ｎｍのＺｎＳ
−ＳｉＯ₂からなる第１の誘電体膜を成膜した後、この
第１の誘電体膜上に、混合比Ｏ₂／Ａｒを１０％として
雰囲気下で成膜速度を０．４２ｎｍ／ｓとして膜圧２５
ｎｍのＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅からなる記録膜を成膜した。そ
しえ、この記録膜上に膜厚１５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ₂
からなる第２の誘電体膜、膜厚１５０ｎｍのＡｌ合金か
らなる光反射膜を順次スパッタリングにより形成した。
その後、この光反射膜上に紫外線硬化樹脂を塗布して膜
厚１０ｎｍの保護膜を形成し、相変化光ディスクを得
た。

【０３１６】〈比較例〉一方、記録膜を成膜する際にＯ
₂を導入せずＡｒガスのみからなるＡｒ雰囲気下にて記
録膜を成膜したこと以外は、上記の実施例と同様にして
相変化光ディスクを得た。

【０３１７】以上の実施例及び比較例にて得られた相変
化光ディスクをそれぞれ初期化し、その後、これらの相
変化光ディスクに図３の発光パターンを用いてランダム
ＥＦＭ信号を繰り返し記録し、適宜再生してその再生信
号のジッター値を測定した。この結果を図４６及び図４
７にそれぞれ示す。

【０３１８】図４６の結果から明らかなように、Ｏ₂ガ
スを所定の割合含有させたＡｒ雰囲気下にて記録膜を成
膜した本発明を適用した実施例は、繰り返し記録を行っ
た際の再生信号のジッター値の増加が小さく、繰り返し
記録回数が１０万回まで再生信号のジッター値が１０％
以下であり安定した記録再生特性が得られている。

【０３１９】一方、図４７の結果から明らかなように、
Ｏ₂ガスを含有しないＡｒ雰囲気下にて記録膜を成膜し
た比較例は、繰り返し記録回数が２万回でのジッター値
が急激に増加してしまう。

【０３２０】以上の結果から、Ｏ₂ガスを所定範囲量含
有させたＡｒ雰囲気下にて所定の成膜速度にて記録膜を
成膜することにより、多数回繰り返し記録しても良好な
再生信号が得られる光記録媒体を提供することができる
と判明した。

【０３２１】第３の実験例 本実験例では、記録膜を成膜する際に、Ｎ₂ガスを含有
するＡｒガスをスパッタガスとして用いた場合の効果に
ついて調べた。

【０３２２】〈実施例〉基板上に膜厚１２０ｎｍのＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ₂からなる第１の誘電体膜を成膜した後、こ
の第１の誘電体膜上に、混合比Ｎ₂／Ａｒを１０％とし
て雰囲気下で成膜速度を０．４２ｎｍ／ｓとして膜厚２
５ｎｍのＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅からなる記録膜を成膜した。
そして、この記録膜上に膜厚１５ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ
₂からなる第２の誘電体膜、膜厚１５０ｎｍのＡｌ合金
からなる光反射膜を順次スパッタリングにより形成し
た。その後、この光反射膜上に紫外線硬化樹脂を塗布し
て膜厚１０ｎｍの保護膜を形成し、相変化光ディスクを
得た。

【０３２３】〈比較例〉一方、比較例として、記録膜を
成膜する際にＮ₂を導入せずＡｒガスのみからなるＡｒ
雰囲気下にて記録膜を成膜したこと以外は、上記の実施
例と同様にして相変化光ディスクを得た。

【０３２４】以上の実施例及び比較例にて得られた相変
化光ディスクをそれぞれ初期化し、その後、これらの相
変化光ディスクに図３の発光パターンを用いてランダム
ＥＦＭ信号を繰り返し記録再生し、再生信号のジッター
値を測定した。この結果を図４８及び図４９にそれぞれ
示す。

【０３２５】図４８の結果から明らかなように、Ｎ₂ガ
スを所定の割合含有させたＡｒ雰囲気下にて記録膜を成
膜した本発明を適用した相変化光ディスクは、繰り返し
記録回数が２回目以降においてジッター値の増加が見ら
れず、繰り返し記録回数が１００００回まで再生信号の
ジッター値が８％以下で安定している。

【０３２６】一方、図４９の結果から明らかなように、
Ｎ₂ガスを含有しないＡｒ雰囲気下にて記録膜を成膜し
た比較例の相変化光ディスクは、繰り返し記録回数が２
回目以降のジッター値が急激に増加しており、再生信号
のジッター値が１０％以下に安定するまで１００回程度
繰り返し記録を行わなければならない。

【０３２７】以上の結果から、Ｎ₂ガスを所定範囲量含
有させたＡｒ雰囲気下にて記録膜を成膜することによ
り、多数回繰り返し記録しても良好な再生信号が得られ
る光記録媒体を提供することができると判明した。

【０３２８】

【発明の効果】以上述べたように、本発明に係る光記録
媒体は、記録膜の成膜条件が規定されるため、記録膜を
構成するＧｅＳｂＴｅ合金が好適に窒化及び酸化され
て、記録膜の物性が記録再生特性に関して最適化され
て、更なる繰り返し記録耐久性の向上が図られる。その
ため、本発明に係る光記録媒体は、繰り返し記録を数回
から数十回行った後にみられる再生信号の局所的な劣化
現象が極力抑えられ、しかも数万回以上繰り返し記録を
行っても良好な再生信号が得られて、結果的に、繰り返
し記録後も常に安定且つ良好な記録再生特性を得ること
ができ高信頼性を得ることができる。

【０３２９】また、本発明に係る光記録媒体の製造方法
は、記録膜の成膜条件が規定されるので、記録膜を構成
するＧｅＳｂＴｅ合金が好適に窒化及び酸化されて、記
録膜の物性が記録再生特性に関して最適化されて、更な
る繰り返し記録耐久性の向上が図られる。これにより、
本発明に係る光記録媒体の製造方法によれば、繰り返し
記録を数回から数十回行った後にみられる再生信号の局
所的な劣化現象が極力抑えられ、且つ数万回以上繰り返
し記録を行っても良好な再生信号が得られて、結果的
に、繰り返し記録後も常に安定且つ良好な記録再生特性
を有する高信頼性の得られた光記録媒体を提供すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した相変化光ディスクの一例の要
部を拡大して示す断面図である。

【図２】本発明を適用した相変化光ディスクの他の例の
要部を拡大して示す断面図である。

【図３】実験にて情報信号を記録する際に用いた発光パ
ターンを示す図である。

【図４】記録膜の成膜速度を０．４２ｎｍ／ｓとした場
合において、成膜雰囲気における混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／
Ａｒと再生信号のジッター値との関係を示す図である。

【図５】記録膜の成膜速度を０．４２ｎｍ／ｓとした場
合において、成膜雰囲気における混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／
Ａｒとグルーブにおける反射率との関係を示す図であ
る。

【図６】記録膜の成膜速度を０．１ｎｍ／ｓとした場合
において、成膜雰囲気における混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａ
ｒと再生信号のジッター値との関係を示す図である。

【図７】記録膜の成膜速度を０．１ｎｍ／ｓとした場合
において、成膜雰囲気における混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａ
ｒとグルーブにおける反射率との関係を示す図である。

【図８】記録膜の成膜速度を１．６ｎｍ／ｓとした場合
において、成膜雰囲気における混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａ
ｒと再生信号のジッター値との関係を示す図である。

【図９】記録膜の成膜速度を１．６ｎｍ／ｓとした場合
において、成膜雰囲気における混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａ
ｒとグルーブにおける反射率との関係を示す図である。

【図１０】記録膜の成膜速度を５．０ｎｍ／ｓとした場
合において、成膜雰囲気における混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／
Ａｒと再生信号のジッター値との関係を示す図である。

【図１１】記録膜の成膜速度を５．０ｎｍ／ｓとした場
合において、成膜雰囲気における混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／
Ａｒとグルーブにおける反射率との関係を示す図であ
る。

【図１２】記録膜の成膜速度と成膜雰囲気における混合
比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａｒとの関係を示す図である。

【図１３】成膜雰囲気における混合比Ｏ₂／（Ｎ₂＋
Ｏ₂）と再生信号のジッター値との関係を示す図であ
る。

【図１４】成膜雰囲気における混合比Ｏ₂／（Ｎ₂＋
Ｏ₂）と記録パワーマージンとの関係を示す図である。

【図１５】本発明における記録膜の構成材料の組成を示
す図である。

【図１６】本発明における記録膜の構成材料であるＧｅ
ＳｂＴｅの三元状態図である。

【図１７】記録膜の構成材料ＧｅＳｂＴｅ中におけるＧ
ｅ含有率と再生信号のジッター値との関係を示す図であ
る。

【図１８】記録膜の構成材料ＧｅＳｂＴｅ中におけるＴ
ｅ含有率と再生信号のジッター値との関係を示す図であ
る。

【図１９】記録膜の構成材料ＧｅＳｂＴｅ中におけるＳ
ｂ含有率と再生信号のジッター値との関係を示す図であ
る。

【図２０】記録膜の成膜速度を０．４２ｎｍ／ｓとした
場合において、成膜雰囲気における混合比Ｏ₂／Ａｒと
ジッター値との関係を示す図である。

【図２１】記録膜の成膜速度を０．４２ｎｍ／ｓとした
場合において、成膜雰囲気における混合比Ｏ₂／Ａｒと
グルーブにおける反射率との関係を示す図である。

【図２２】記録膜の成膜速度を０．１ｎｍ／ｓとした場
合において、成膜雰囲気における混合比Ｏ₂／Ａｒとジ
ッター値との関係を示す図である。

【図２３】記録膜の成膜速度を０．１ｎｍ／ｓとした場
合において、成膜雰囲気における混合比Ｏ₂／Ａｒとグ
ルーブにおける反射率との関係を示す図である。

【図２４】記録膜の成膜速度を１．６ｎｍ／ｓとした場
合において、成膜雰囲気における混合比Ｏ₂／Ａｒとジ
ッター値との関係を示す図である。

【図２５】記録膜の成膜速度を１．６ｎｍ／ｓとした場
合において、成膜雰囲気における混合比Ｏ₂／Ａｒとグ
ルーブにおける反射率との関係を示す図である。

【図２６】記録膜の成膜速度を５．０ｎｍ／ｓとした場
合において、成膜雰囲気における混合比Ｏ₂／Ａｒとジ
ッター値との関係を示す図である。

【図２７】記録膜の成膜速度を５．０ｎｍ／ｓとした場
合において、成膜雰囲気における混合比Ｏ₂／Ａｒとグ
ルーブにおける反射率との関係を示す図である。

【図２８】記録膜の成膜速度と成膜雰囲気における混合
比Ｏ₂／Ａｒとの関係を示す図である。

【図２９】記録膜の構成材料ＧｅＳｂＴｅ中におけるＧ
ｅ含有率と再生信号のジッター値との関係を示す図であ
る。

【図３０】記録膜の構成材料ＧｅＳｂＴｅ中におけるＴ
ｅ含有率と再生信号のジッター値との関係を示す図であ
る。

【図３１】記録膜の構成材料ＧｅＳｂＴｅ中におけるＳ
ｂ含有率と再生信号のジッター値との関係を示す図であ
る。

【図３２】記録膜の成膜速度を０．４２ｎｍ／ｓとした
場合において、成膜雰囲気における混合比Ｎ₂／Ａｒと
ジッター値との関係を示す図である。

【図３３】記録膜の成膜速度を０．４２ｎｍ／ｓとした
場合において、成膜雰囲気における混合比Ｎ₂／Ａｒと
グルーブにおける反射率との関係を示す図である。

【図３４】記録膜の成膜速度を０．１ｎｍ／ｓとした場
合において、成膜雰囲気における混合比Ｎ₂／Ａｒとジ
ッター値との関係を示す図である。

【図３５】記録膜の成膜速度を０．１ｎｍ／ｓとした場
合において、成膜雰囲気における混合比Ｎ₂／Ａｒとグ
ルーブにおける反射率との関係を示す図である。

【図３６】記録膜の成膜速度を１．６ｎｍ／ｓとした場
合において、成膜雰囲気における混合比Ｎ₂／Ａｒとジ
ッター値との関係を示す図である。

【図３７】記録膜の成膜速度を１．６ｎｍ／ｓとした場
合において、成膜雰囲気における混合比Ｎ₂／Ａｒとグ
ルーブにおける反射率との関係を示す図である。

【図３８】記録膜の成膜速度を５．０ｎｍ／ｓとした場
合において、成膜雰囲気における混合比Ｎ₂／Ａｒとジ
ッター値との関係を示す図である。

【図３９】記録膜の成膜速度を５．０ｎｍ／ｓとした場
合において、成膜雰囲気における混合比Ｎ₂／Ａｒとグ
ルーブにおける反射率との関係を示す図である。

【図４０】記録膜の成膜速度と成膜雰囲気における混合
比Ｎ２／Ａｒとの関係を示す図である。

【図４１】記録膜の構成材料ＧｅＳｂＴｅ中におけるＧ
ｅ含有率と再生信号のジッター値との関係を示す図であ
る。

【図４２】記録膜の構成材料ＧｅＳｂＴｅ中におけるＴ
ｅ含有率と再生信号のジッター値との関係を示す図であ
る。

【図４３】記録膜の構成材料ＧｅＳｂＴｅ中におけるＳ
ｂ含有率と再生信号のジッター値との関係を示す図であ
る。

【図４４】第１の実験例において、実施例の相変化光デ
ィスクにおける繰り返し記録回数と再生信号のジッター
値との関係を示す図である。

【図４５】第１の実験例において、比較例の相変化光デ
ィスクにおける繰り返し記録回数と再生信号のジッター
値との関係を示す図である。

【図４６】第２の実験例において、 実施例の相変化光
ディスクにおける繰り返し記録回数と再生信号のジッタ
ー値との関係を示す図である。

【図４７】第２の実験例において、 比較例の相変化光
ディスクにおける繰り返し記録回数と再生信号のジッタ
ー値との関係を示す図である。

【図４８】第３の実験例において、 実施例の相変化光
ディスクにおける繰り返し記録回数と再生信号のジッタ
ー値との関係を示す図である。

【図４９】第３の実験例において、 比較例の相変化光
ディスクにおける繰り返し記録回数と再生信号のジッタ
ー値との関係を示す図である。

【符号の説明】

１ 相変化光ディスク、 ２ 基板、 ３ 第１の誘電
体膜、 ４ 記録膜、５ 第２の誘電体膜、 ６ 光反
射膜、 ７ 保護膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斎藤 善浩 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 菊地 紀子 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内

Claims (29)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 結晶状態と非結晶状態との間の相変化が
   生じる相変化材料からなる記録膜を備え、光線を照射し
   て上記記録膜に相変化を生じさせることにより情報信号
   が記録される光記録媒体において、 上記相変化材料は、ＧｅＳｂＴｅ合金を含有し、 上記記録膜は、Ｎ₂ガスとＯ₂ガスの少なくとも一方を含
   有するＡｒガス雰囲気下にてスパッタリングにより成膜
   されてなることを特徴とする光記録媒体。
2. 【請求項２】 上記記録膜は、Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスを含
   有するＡｒガス雰囲気下にて成膜されてなり、Ａｒガス
   に対するＮ₂ガス及びＯ₂ガスの混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／Ａ
   ｒをＹ［％］とし、上記Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスに占めるＯ
   ₂ガスの割合Ｏ₂／（Ｎ₂＋Ｏ₂）をＺ［％］とし、成膜速
   度をＸ［ｎｍ／ｓ］とするとき、Ｘ，Ｙ及びＺは、下記
   式（１）、式（２）及び式（３）を満たすことを特徴と
   する請求項１記載の光記録媒体。 Ｙ≧２．３Ｘ＋１．０ ・・・（１） Ｙ≦１２．８Ｘ＋１６．７ ・・・（２） １０≦Ｚ≦６０ ・・・（３）
3. 【請求項３】 上記成膜速度Ｘは、０．１［ｎｍ／ｓ］
   以上、５．０［ｎｍ／ｓ］以下であることを特徴とする
   請求項２記載の光記録媒体。
4. 【請求項４】 上記相変化材料に含有されるＧｅＳｂＴ
   ｅ合金は、（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）の三元状態図におい
   て、点（２６．０，１９．２，５４．８）と、点（２
   １．０，２１．０，５８．０）と、点（１４．３，２
   ８．６，５７．１）と、点（２１．６，２４．４，５
   ４．０）とにより囲まれる領域内の組成であることを特
   徴とする請求項２記載の光記録媒体。
5. 【請求項５】 上記記録膜の膜厚が１８ｎｍ〜３０ｎｍ
   であることを特徴とする請求項２記載の光記録媒体。
6. 【請求項６】 上記記録膜は、基板上に形成されてお
   り、 上記基板は、直径が１２０±０．３ｍｍであり、厚みが
   ０．６０±０．０３ｍｍであり、 トラックピッチが０．８±０．０１μｍであることを特
   徴とする請求項２記載の光記録媒体。
7. 【請求項７】 上記記録膜は、Ｏ₂ガスを含有するＡｒ
   ガス雰囲気下にて成膜されてなり、上記Ｏ₂ガスと上記
   Ａｒガスとの混合比Ｏ₂／ＡｒをＹ［％］とし、成膜速
   度をＸ［ｎｍ／ｓ］とするとき、Ｘ及びＹは、下記式
   （４）及び式（５）を満たすことを特徴とする請求項１
   記載の光記録媒体。 Ｙ≧２．３Ｘ＋１．０ ・・・（４） Ｙ≦５．５Ｘ＋２．７ ・・・（５）
8. 【請求項８】 上記成膜速度Ｘは、０．１［ｎｍ／ｓ］
   以上、５．０［ｎｍ／ｓ］以下であることを特徴とする
   請求項７記載の光記録媒体。
9. 【請求項９】 上記ＧｅＳｂＴｅ合金からなる相変化材
   料は、（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）の三元状態図において、点
   （２６．０，１９．２，５４．８）と、点（２１．０，
   ２１．０，５８．０）と、点（１４．３，２８．６，５
   ７．１）と、点（２１．６，２４．４，５４．０）とに
   より囲まれる領域内の組成であることを特徴とする請求
   項７記載の光記録媒体。
10. 【請求項１０】 上記記録膜の膜厚が１８ｎｍ〜３０ｎ
    ｍであることを特徴とする請求項７記載の光記録媒体。
11. 【請求項１１】 上記記録膜は、基板上に形成されてお
    り、 上記基板は、直径が１２０±０．３ｍｍであり、厚みが
    ０．６０±０．０３ｍｍであり、 トラックピッチが０．８±０．０１μｍであることを特
    徴とする請求項７記載の光記録媒体。
12. 【請求項１２】 上記記録膜は、Ｎ₂ガスを含有するＡ
    ｒガス雰囲気下にて成膜されてなり、Ｎ₂ガスとＡｒガ
    スとの混合比Ｎ₂／ＡｒをＹ［％］とし、成膜速度をＸ
    ［ｎｍ／ｓ］とするとき、Ｘ及びＹは、下記式（６）及
    び式（７）を満たすことを特徴とする請求項１記載の光
    記録媒体。 Ｙ≧１．８Ｘ＋５．０ ・・・（６） Ｙ≦１２．８Ｘ＋１６．７ ・・・（７）
13. 【請求項１３】 上記成膜速度Ｘは、０．１［ｎｍ／
    ｓ］以上、５．０［ｎｍ／ｓ］以下であることを特徴と
    する請求項１２記載の光記録媒体。
14. 【請求項１４】 上記ＧｅＳｂＴｅ合金からなる相変化
    材料は、（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅ）の三元状態図において、
    点（２６．０，１９．２，５４．８）と、点（２１．
    ０，２１．０，５８．０）と、点（１４．３，２８．
    ６，５７．１）と、点（２１．６，２４．４，５４．
    ０）とにより囲まれる領域内の組成であることを特徴と
    する請求項１２記載の光記録媒体。
15. 【請求項１５】 上記記録膜の膜厚が１８ｎｍ〜３０ｎ
    ｍであることを特徴とする請求項１２記載の光記録媒
    体。
16. 【請求項１６】 上記記録膜は、基板上に形成されてお
    り、 上記基板は、直径が１２０±０．３ｍｍであり、厚みが
    ０．６０±０．０３ｍｍであり、 トラックピッチが０．８±０．０１μｍであることを特
    徴とする請求項１２記載の光記録媒体。
17. 【請求項１７】 結晶状態と非結晶状態との間の相変化
    が生じる相変化材料からなる記録膜を備え、光線を照射
    して上記記録膜に相変化を生じさせることにより情報信
    号が記録される光記録媒体の製造方法において、 上記相変化材料としてＧｅＳｂＴｅ合金を用いて、 上記記録膜を成膜する際に、Ｎ₂ガスとＯ₂ガスの少なく
    とも一方を含有するＡｒガス雰囲気下にて、スパッタリ
    ングによって成膜することを特徴とする光記録媒体の製
    造方法。
18. 【請求項１８】 上記記録膜を成膜する際に、Ｎ₂ガス
    及びＯ₂ガスを含有するＡｒガス雰囲気下にて、Ａｒガ
    スに対するＮ₂ガス及びＯ₂ガスの混合比（Ｎ₂＋Ｏ₂）／
    ＡｒをＹ［％］とし、上記Ｎ₂ガス及びＯ₂ガスに占める
    Ｏ₂ガスの割合Ｏ₂／（Ｎ₂＋Ｏ₂）をＺ［％］とし、成膜
    速度をＸ［ｎｍ／ｓ］とするとき、Ｘ，Ｙ及びＺが、下
    記式（８）、式（９）及び式（１０）を満たす条件にて
    成膜することを特徴とする請求項１７記載の光記録媒体
    の製造方法。 Ｙ≧２．３Ｘ＋１．０ ・・・（８） Ｙ≦１２．８Ｘ＋１６．７ ・・・（９） １０≦Ｚ≦６０ ・・・（１０）
19. 【請求項１９】上記成膜速度Ｘを０．１［ｎｍ／ｓ］以
    上、５．０［ｎｍ／ｓ］以下とすることを特徴とする請
    求項１８記載の光記録媒体の製造方法。
20. 【請求項２０】 上記相変化材料として、（Ｇｅ，Ｓ
    ｂ，Ｔｅ）の三元状態図において、点（２６．０，１
    ９．２，５４．８）と、点（２１．０，２１．０，５
    ８．０）と、点（１４．３，２８．６，５７．１）と、
    点（２１．６，２４．４，５４．０）とにより囲まれる
    領域内の組成のＧｅＳｂＴｅ合金を用いることを特徴と
    する請求項１８記載の光記録媒体の製造方法。
21. 【請求項２１】 上記記録膜の膜厚を１８ｎｍ〜３０ｎ
    ｍとすることを特徴とする請求項１８記載の光記録媒体
    の製造方法。
22. 【請求項２２】 上記記録膜を成膜する際に、Ｏ₂ガス
    を含有するＡｒガス雰囲気下にて、Ｏ₂ガスとＡｒガス
    との混合比Ｏ₂／ＡｒをＹ［％］とし、成膜速度をＸ
    ［ｎｍ／ｓ］とするとき、Ｘ及びＹが下記式（１１）及
    び式（１２）を満たす条件にて成膜することを特徴とす
    る請求項１７記載の光記録媒体の製造方法。 Ｙ≧２．３Ｘ＋１．０ ・・・（１１） Ｙ≦５．５Ｘ＋２．７ ・・・（１２）
23. 【請求項２３】上記成膜速度Ｘを０．１［ｎｍ／ｓ］以
    上、５．０［ｎｍ／ｓ］以下とすることを特徴とする請
    求項２２記載の光記録媒体の製造方法。
24. 【請求項２４】 上記相変化材料として、（Ｇｅ，Ｓ
    ｂ，Ｔｅ）の三元状態図において、点（２６．０，１
    ９．２，５４．８）と、点（２１．０，２１．０，５
    ８．０）と、点（１４．３，２８．６，５７．１）と、
    点（２１．６，２４．４，５４．０）とにより囲まれる
    領域内の組成のＧｅＳｂＴｅ合金を用いることを特徴と
    する請求項２２記載の光記録媒体の製造方法。
25. 【請求項２５】 上記記録膜の膜厚を１８ｎｍ〜３０ｎ
    ｍとすることを特徴とする請求項２２記載の光記録媒体
    の製造方法。
26. 【請求項２６】 上記記録膜を成膜する際に、Ｎ₂ガス
    を含有するＡｒガス雰囲気下にて、Ｎ₂ガスとＡｒガス
    との混合比Ｎ₂／ＡｒをＹ［％］とし、成膜速度をＸ
    ［ｎｍ／ｓ］とするとき、Ｘ及びＹが下記式（１３）及
    び式（１４）を満たす条件にて成膜することを特徴とす
    る請求項１７記載の光記録媒体の製造方法。 Ｙ≧１．８Ｘ＋５．０ ・・・（１３） Ｙ≦１２．８Ｘ＋１６．７ ・・・（１４）
27. 【請求項２７】上記成膜速度Ｘを０．１［ｎｍ／ｓ］以
    上、５．０［ｎｍ／ｓ］以下とすることを特徴とする請
    求項２６記載の光記録媒体の製造方法。
28. 【請求項２８】 上記相変化材料として、（Ｇｅ，Ｓ
    ｂ，Ｔｅ）の三元状態図において、点（２６．０，１
    ９．２，５４．８）と、点（２１．０，２１．０，５
    ８．０）と、点（１４．３，２８．６，５７．１）と、
    点（２１．６，２４．４，５４．０）とにより囲まれる
    領域内の組成のＧｅＳｂＴｅ合金を用いることを特徴と
    する請求項２６記載の光記録媒体の製造方法。
29. 【請求項２９】 上記記録膜の膜厚を１８ｎｍ〜３０ｎ
    ｍとすることを特徴とする請求項２６記載の光記録媒体
    の製造方法。