JPH1134552A

JPH1134552A - ハイブリッドカード及びそれに使用するｉｃモジュール

Info

Publication number: JPH1134552A
Application number: JP19345497A
Authority: JP
Inventors: Hachiro Saito; 八郎斉藤
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1997-07-18
Filing date: 1997-07-18
Publication date: 1999-02-09

Abstract

(57)【要約】【課題】ＩＣモジュールの厚さを薄くしてもＩＣチッ
プが誤動作を起こさず、光カードの大容量化を効果的に
行えるようにする。【解決手段】カード基板に光記録部とＩＣモジュール
とを有するハイブリッドカードにおいて、ＩＣモジュー
ル１０のＩＣチップ１２を覆う封止樹脂層１５に遮光性
部材を付加し、そのＩＣモジュール１０を光記録部と重
複した位置に配置する。遮光性部材を封止樹脂層１５の
表面を覆う遮光層２２とし、これを金属薄膜で形成する
のが好ましい。封止樹脂層１５を薄くしても優れた遮光
性を有するので、光カードに使用するレーザ光がＩＣチ
ップ１２に影響せず誤動作を起こさない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光メモリによる記
録部（以下、光記録部）とＩＣモジュールとを有するハ
イブリッドカードに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、カード時代を反映し、磁気カー
ド、ＩＣカードに次ぐ情報記録カードとして、大容量の
情報記録機能を有する光カードの開発が盛んになってい
る。この光カードの光記録材料としては、記録層にレー
ザ光などのエネルギービームをスポット的に照射して記
録層の一部を状態変化させて記録する、いわゆるヒート
モード記録材料が提案されている。このヒートモード記
録材料としては、テルル、ビスマスなどの金属薄膜、ポ
リスチレン、ニトロセルロースなどの有機薄膜、或いは
相転移を利用したテルル低酸化物膜などが用いられてい
る。これらの光記録材料は、情報の書込みの後、現像処
理などの必要がなく、書いた後で査読することができ
る。このような光記録材料を有する光カードは、ＤＲＡ
Ｗ（ direct read after write）媒体となり、高密度記
録が可能のため大容量が達成でき、追加書込みも可能で
あるという利点を有している。

【０００３】ところが、上記のような光記録材料からな
る光記録部を有する光カードにおいては、一旦情報を光
記録部に書き込んだ後には、書き込んだ情報の変更がで
きない。そのため、例えば光記録部に記録内容のディレ
クトリ（検索情報）やＦＡＴ（file allocation table)
などの逐次変更される性格のデータを書き込もうとする
と、その度に新たな記録エリアを消費してしまうため、
本来のデータ領域を狭めてしまうという問題点がある。
そこでこのような光カードにＩＣチップを有するＩＣモ
ジュールを搭載し、そのＩＣモジュールにディレクトリ
やＦＡＴなどの書き換えを必要とするデータを書き込む
方式のＩＣモジュール付き光カード（ハイブリッドカー
ドと言う）が提案されている。

【０００４】このハイブリッドカードの場合、カードか
らデータを読み取る際には、ホストコンピュータからフ
ァイル名だけを指定すれば、カードドライブがカード内
のＩＣチップを電気的に高速でアクセスし、ディレクト
リを検索して目的のデータファイルの書かれているトラ
ック番号を記録する。次に光ピックアップによって光記
録部のトラックをアクセスし、目的のデータファイルを
読み取ることができる。そしてフォーマットを統一すれ
ば、いずれのネットワークシステムにおいても自由にこ
のカードを使用できる。また、光記録部はデータの書換
えができないが、ＩＣチップは比較的データの書換えが
簡単に行えることから、書換えが必要なデータやセキュ
リティを要するデータはＩＣチップに記録される。

【０００５】一般には、ＣＰＵをＩＣメモリとともに内
蔵したＩＣチップがハイブリッドカードに使用されてい
る。このＩＣモジュールは、基材と基材に設けられたＩ
Ｃチップと端子部とを有し、ＩＣチップが封止樹脂で封
止された形状になっている。そして、ＩＣモジュールの
端子部とリーダライタ（Ｒ／Ｗ）のコンタクト部とを接
触させ、電気的に接続することによってＩ／Ｏラインを
形成し、そのＩ／Ｏラインを通じて情報の読出し及び書
込みが行われる。そして、ＩＣチップ内のＣＰＵによ
り、情報のセキュリティを保つための高度な判断、演算
が行われる。

【０００６】ここで、一般的なＩＣモジュールについて
図１により説明しておく。ＩＣモジュール１０は基材１
１を有している。そして、基材１１の一方の面にはＣＰ
Ｕとメモリとを内蔵したＩＣチップ１２が搭載されてお
り、ＩＣチップ１２の電極パッド１２ａと、基材１１の
一方の面に設けられたパターン層１３とがワイヤ１４に
よって接続されている。またＩＣチップ１２が封止樹脂
層１５で覆われた状態になっている。また基材１１の他
方の面には、銅箔層１６と、下地めっきとしてのＮｉめ
っき層１７と、金めっき層１８とからなる端子部１９が
設けられている。この端子部１９は絶縁溝２０により区
画され、区画された部分はＣＬＫ（クロック）ライン、
Ｉ／Ｏライン、Ｖ_CC（電源）ライン、ＲＳＴ（リセッ
ト）ライン及びＧＮＤ（グランド）ラインとなってい
る。なお、基材１１にはその一方の面に設けられたパタ
ーン層１３と、基材１１の他方の面に設けられた端子部
１９とを導通するスルーホール２１が形成されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】前記のような光記録部
とＩＣモジュールとを有するハイブリッドカードは、カ
ード自体が薄く規格化（ＩＳＯ規格で０．７６±０．０
８ｍｍ）されており、光記録部の厚さ方向の位置もカー
ド表面から０．４±０．０５ｍｍと規格化されている。
そして、光記録部への読み書きを行うリーダライタ部も
これに対応して作製されている。また、光記録部の水平
方向の位置に関しては、ＩＳＯ規格（ＩＳＯ１１６９４
−２）により光カードの左辺、右辺、下辺からの位置が
決められている。即ち、光カードの左辺および右辺の光
カード端縁からＭａｘ３ｍｍ以内に光記録部の領域の端
部があること、光カードの下辺端縁からＭａｘ４．５ｍ
ｍ以内に光記録領域の端部があることが決められている
ため、光記録部の容量を増やすには、カード上辺へ向け
光記録部の占有面積を広げることが必要になる。

【０００８】したがって、ハイブリッドカードにおいて
光記録部を大容量化するには、ＩＣモジュールのＩＳＯ
規格（ＩＳＯ７８１６−２）により決められたＩＣモジ
ュールの端子部位置まで光記録部の領域を広げる必要が
ある。この場合、光記録部とＩＣモジュールとがオーバ
ーラップすることとなるが、光記録部とＩＣモジュール
とをオーバーラップさせると、ＩＣモジュールの厚みは
現在０．４５〜０．６０ｍｍ程度であるため、オーバー
ラップ領域ではカードの厚みがＩＳＯ規格（０．７６±
０．０８ｍｍ）を超えることとなる。

【０００９】また、光記録部とオーバーラップしてＩＣ
モジュールを配置するためには、ＩＣモジュールの厚さ
は光記録面と反対側にある基板の厚さの範囲に入らなけ
ればならない。したがって、ＩＳＯ規格内に収めるため
には、ＩＣモジュールの厚さは実用的には０．３０ｍｍ
以下が望ましい。そして、ＩＣモジュールをこのように
薄くするには、端子基材の厚さだけでなく、封止樹脂層
の厚さやＩＣチップの厚さも薄くする必要がある。しか
しながら、光記録部の裏側にＩＣモジュールを配置し
て、レーザ光で光記録部を読み書きする時、レーザ光が
光記録部を通過してＩＣモジュールまで到達するので、
封止樹脂層の厚さを薄くすると、レーザ光を十分遮光で
きず、ＩＣチップにレーザ光が照射され、ＩＣモジュー
ルが誤動作を起こすという問題が生じる。

【００１０】従来の通常のＩＣモジュールは特に強力な
光が照射される条件下で使用することはなかったので、
封止樹脂層の遮光性を特に問題にしていない。遮光性の
あるカーボンブラック等の顔料を混入した黒色の封止樹
脂で封止されたＩＣモジュールは既に存在するが、これ
はＩＣチップが静電気に弱いことから、ＩＣモジュール
の導電性を上げるため及び封止樹脂層の収縮防止のため
に、カーボンブラック等を含有させたものであり、光の
遮光性を考慮しているわけではない。したがって、従来
のＩＣモジュールを光記録部に重複させて実装すると、
前述の如く強力なレーザ光がＩＣモジュールに照射され
るため、顔料混入の通常の封止樹脂層だけでは充分に遮
光できない。特にＩＣモジュールを光記録部と重複させ
て、光記録部の反対側に配置するためには前述の如く封
止樹脂層を薄くしなければならないので、さらに遮光性
が悪くなる。

【００１１】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたものであり、ＩＣモジュールの厚さを薄くしてもＩ
Ｃチップが誤動作を起こさず、光カードの大容量化を効
果的に行うことができるハイブリッドカードとそれに使
用するＩＣモジュールを提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、カード基板に光記録部とＩＣモジュール
とを重複した位置に配置したハイブリッドカードであっ
て、ＩＣモジュールのＩＣチップを覆う封止樹脂層に遮
光性部材を付加することにより、光カードを読み書きす
るときのレーザ光がＩＣモジュールに照射されても、Ｉ
Ｃチップが誤動作を起こさないように封止部で遮光する
ようにしたものである。これは、封止樹脂層に黒色顔料
等の遮光性部材を多く混入すること、或いは、封止樹脂
層の表面を遮光性の良い遮光性部材（例えば、アルミニ
ウム等の金属薄膜、黒色顔料を大量に混入したシルクス
クリーンインキ等）で覆って遮光層を形成することによ
り達成できる。そして、この遮光層の上に文字等を含む
任意のパターンを有する着色層を設けてもよいし、また
この遮光層の上にベタの着色層を設け該着色層の上に更
に任意のパターンの着色層を設けてもよい。特に、遮光
層としてアルミニウムや錫等の金属薄膜、リーフ状の金
属粉末を混入したインキ、等を使用する場合は、これら
の遮光層でレーザー光が強力に反射し、読み取り書き込
みに支障が出る場合もあるので、該遮光層の上に反射防
止用としてベタの着色層を設けると更によい。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施形態について説明する。

【００１４】図１は従来のＩＣモジュールの一例を示す
図であるが、すでに述べたように従来のＩＣモジュール
１０の封止樹脂層１５は遮光性を考慮しているわけでは
ない。したがって本発明ではこの封止樹脂層１５に遮光
性部材としてカーボンブラックを使用し、その量を変え
て混入し、１５０μｍの厚さでＩＣチップ１２を封止
し、全体で４００μｍの厚さのＩＣモジュール１０を作
製した。そしてこのＩＣモジュール１０を光記録部と重
複した位置に配置して、全体の厚さが８２０μｍのハイ
ブリッドカードを作製した。そしてＩＣチップ１２を作
動させながら光記録部の読み書きを行った結果、封止樹
脂層１５の光透過率が１×１０^-2以下のＩＣモジュール
１０が誤動作しないことが判明した。本実施例では遮光
性部材としてカーボンブラックを使用したが、カーボン
ブラックに限らず他の任意の顔料を使用することができ
る。特にリーフ状の顔料が遮光性に適している。

【００１５】図２は本発明に係るハイブリッドカードの
一例を示すもので、（ａ）は表側から見た平面図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。同図に示すハイ
ブリッドカードＣにおいて、１０はＩＣモジュール、１
１はプリント基板、１２はＩＣチップ、１５はＩＣチッ
プを覆う封止樹脂層、１９は端子部、２２は遮光層、３
０は光記録部、３１と３２はカード基板におけるそれぞ
れ第１基板と第２基板、３３はハードコート層を示す。
また、図３は図２のハイブリッドカードに使用したＩＣ
モジュールを示す構成図であり、同図において図１と共
通する部分には同じ符号を付してある。

【００１６】本発明によるハイブリッドカードを問題な
く量産するためには、ＩＣモジュールの厚さを更に薄く
する必要がある。それに伴って、封止樹脂層の厚さも更
に薄くしなければならない。このように封止樹脂層の厚
さを更に薄くすると、それに伴って遮光性部材のカーボ
ンブラック等の顔料を大量に混入する必要がある。しか
し大量の顔料を混入すると、封止特性が悪化し、ＩＣモ
ジュールの特性に悪影響を及ぼす場合がある。特にＩＣ
チップへの密着性や高温高湿保存特性等の諸特性が悪化
する懸念がある。そこで本実施例では、図３に拡大して
示すように、ＩＣモジュール１０の封止樹脂層１５を覆
うようにして、封止樹脂層１５の上にアルミニウム蒸着
により０．１〜０．３μｍの厚さの金属薄膜からなる遮
光層２２を形成し、更にその上に白色インキで全面ベタ
印刷を行った。そして、全体の厚さが２５０μｍ厚さの
ＩＣモジュール１０を作製した。そしてこのＩＣモジュ
ール１０を使用して、図２に示すごとくハイブリッドカ
ードを作製した。このハイブリッドカードは第１基板３
１に光記録部３０を有し、第２基板３２にはＩＣメモリ
を有するＣＰＵ内蔵のＩＣモジュール１０を光記録部３
０と重複した位置に配置してある。そしてＩＣモジュー
ル１０と電気的に接続し、外部回路（リーダライタ）と
接続するためのプリント基板１１上に形成された端子部
１９をカードの表面側の所定の位置に設けている。そし
てこのハイブリッドカードのＩＣチップ１２を動作させ
ながら、光記録部３０を読み書きしたが、ＩＣチップ１
２は誤動作せず、なんら問題なく作動した。

【００１７】このアルミニウム蒸着による遮光層２２を
設けた封止部５０の光透過率を測定したところ１×１０
^-3〜１×１０^-5であった。また、アルミニウム蒸着膜は
水蒸気等のガス遮蔽性もよく、封止樹脂層の厚さが薄く
なってもＩＣモジュール１０の高温高湿保存性等に関す
る特性は特に問題がなかった。なお、この例ではアルミ
ニウム蒸着膜を使用した場合を挙げたが、これに限るも
のではなく、錫、銅、鉄、銀、金等の金属を使用するこ
ともできる。このような金属薄膜は１μｍ以下の厚さで
も十分な遮光性が得られるため本発明の目的に最適であ
る。また、これらの金属薄膜の製造方法も蒸着法に限ら
ず、スパッタリング法、気相還元法等種々の方法での形
成が可能である。また、これらの金属薄膜を使用する場
合は、該金属薄膜でレーザー光が反射し、光記録部の読
み書きに支障がないように該金属薄膜上に反射防止層と
してベタの着色層を設けることが望ましい。

【００１８】なお、遮光性部材としては金属薄膜からな
る遮光層が適しているが、遮光層はこれに限定されるも
のではない。例えば、ベヒクル用樹脂とカーボンブラッ
クを重量比で１対１の割合で混合してスクリーン印刷用
インキを作製し、このインキを５μｍの厚さに塗布した
結果、十分な遮光性が得られ、ＩＣモジュールが動作中
に光カードの読み書きを行っても誤動作を起こさなかっ
た。なお、このような印刷インキに使用するのはカーボ
ンブラックに限らず、アルミニウム、銅、真鍮等の金属
製リーフ状粉末やその他の光吸収性顔料であれば何でも
よい。

【００１９】また、遮光層が１０μｍ以下の厚さであれ
ば、ＩＣモジュール全体の厚さに対する影響はそれほど
大きくないので、１０μｍ以下の厚さで遮光層が形成で
きれば材料は特に金属薄膜に限定されない。また、遮光
層はＩＣチップの特性に影響を与えるものではないの
で、透過率が１×１０^-2以下の遮光性さえ得られれば特
に材料が限定されるものではない。

【００２０】図４にＩＣモジュールの他の例を示す。こ
のＩＣモジュール１０は、カーボンブラックを大量に含
有した遮光層２２の上にスクリーン印刷法により白色イ
ンキで１〜５μｍの任意のパターンの着色層２３を形成
したものである。パターンとしては品名、製造年月日、
ロット番号、メーカ名、ロゴ等が挙げられる。また、着
色層２３の形成方法としては、スクリーン印刷法に限ら
ず、インクジェット法、タコ印刷法（フレキシブルなパ
ッドによる凹版オフセット法）、静電スクリーン印刷
法、スプレー法等、任意の方法が利用できる。また、着
色層２３は通常の印刷インキやそれぞれの方法に適した
着色材料により形成する。また色も任意に選択すること
ができる。また、本実施例では必要な部分に着色層２３
を設けることによりパターニングしたが、予め全面にわ
たって着色層を付着させた後に、ＹＡＧレーザ等により
エングレイブして着色層を除去してパターニングするこ
ともできる。

【００２１】図５にＩＣモジュールのさらに他の例を示
す。このＩＣモジュールは、金属薄膜からなる遮光層２
２の上に白色の着色層２４をパターニングせずに全面ベ
タに付着させた後、さらにその上にパターニングした着
色層２５を設けたものである。ベタの着色層２４を白色
にすると、パターニングのための着色層２５は任意の色
を用いて非常にきれいな印刷を行うことができる。本実
施例ではベタの着色層２４を白色としたが、白色以外の
任意の色も使用できる。

【００２２】次に、上記の構成からなるハイブリッドカ
ードの製造方法を図６を参照して簡単に説明する。ま
ず、一般に既知の２Ｐ法、或いはキャスティング法やイ
ンジェクション法などの成形法によって、図６（ａ）に
示す如き予め決められた凹凸パターン４０を光メモリ領
域４１に設けてなる第１基板３１を作製する。次に、図
６（ｂ）に示すように、第１基板３１の凹凸パターン４
０とは反対側の面全体にハードコート層３３をコーティ
ングした後、凹凸パターン４０上に光記録層４２を設け
て光記録部３０を形成する。次いで、図６（ｃ）に示す
ように、第１基板３１に第２基板３２を接着剤４３を介
して貼り付ける。続いて、図６（ｄ）に示すように、Ｉ
Ｃモジュール搭載のための凹部４４を切削加工等により
第２基板３２側から形成する。この後、図６（ｅ）に示
すように、凹部４４内にＩＣモジュール１０を埋め込
み、ハイブリッドカードの作製を完了する。

【００２３】カード基板の材料について説明すると、第
１基板３１はポリカーボネート樹脂からなるとともに、
第２基板３２は塩化ビニル樹脂からなっている。また第
１基板３１に形成する光メモリ領域４１はその厚みが
０．４ｍｍ±０．０５ｍｍとなっている。また第１基板
３１は光学的に歪みがなく、光透過率（波長７５０〜８
５０ｎｍで）が９５％以上となっている。なお、第１基
板３１の材料としては、ポリカーボネート樹脂の他、ポ
リスチレン、アモロフォスポリオレフィン、ポリエステ
ル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリ塩化ビニル、エポキシ
系樹脂が使用できる。また、第２基板１４０としては、
ポリ塩化ビニルの他に、ＡＢＳ樹脂、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリカーボネート樹脂等が使用できる。

【００２４】カード基板に設けられた光記録部３０は、
第１基板３１に形成された所定形状の凹凸パターン４０
に光記録層４２を覆って構成され、この場合、光記録層
４２として金属系光記録材料のテルル系が用いられてい
る。なお、光記録層４２の材料としては、その他に、記
録及び再生が半導体レーザのような光ビームで行われる
ものであって記録メカニズムが光化学反応によるもの、
或いは光を吸収しその熱によって記録メカニズムを達成
する、いわゆるヒートモード記録材料を用いてもよい。
さらに、記録された場合、再生光の反射や透過を変化さ
せて読み出すことが可能なものであれば、他の材料を用
いてもよい。

【００２５】第１基板３１に設けられたハードコート層
３３は光記録部３０が傷によって損なわれるのを防ぐた
めであり、上記の例ではアクリル系のＵＶ硬化型樹脂か
ら形成されているが、この材料に限定されるものではな
い。

【００２６】なお、本発明の実施形態はすべて端子付き
ＩＣモジュールで説明したが、本発明はこれに限定され
るものではなく、端子なしの非接触ＩＣモジュールも含
まれることは自明である。非接触ＩＣモジュールの場合
は、電力と信号の授受に、端子の代わりにアンテナコイ
ルを使用するものであり、非接触ＩＣモジュールの場合
もＩＣチップに強力なレーザ光が照射されると、端子付
きの場合と同様にＩＣチップが誤動作を起こす。

【００２７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のＩＣモジ
ュールは、樹脂封止部を薄くしても優れた遮光性を有し
ているので、レーザ光によって誤動作せず、しかも全体
の厚みを薄くすることが可能である。

【００２８】現状のＩＳＯ規格に準拠して、光／ＩＣハ
イブリッドカードの光記録容量を大きくするためには、
光記録部とＩＣモジュールをオーバーラップさせて配置
し、光記録部の面積を大きくする必要がある。本発明の
ハイブリッドカードでは、光記録部を読み書きする時に
レーザ光によって誤動作しないＩＣモジュールを使用す
ることにより、光記録部とＩＣモジュールとをオーバー
ラップさせて実装することが可能となり、大容量化を図
ることができる。

【００２９】健康診断や医療等の記録に用いるカード
は、画像情報を取り込むことが望ましく、そのためには
大容量のメモリを必要とし、しかも個人のプライバシー
の問題があるので、ＩＣのセキュリティ機能を利用する
のが理想である。したがって光／ＩＣハイブリッドカー
ドを使用するのが望ましい。このようなハイブリッドカ
ードの記録容量を大きくするためには、光とＩＣをオー
バーラップさせて実装することが不可欠であるが、従来
のモジュールは誤動作をするため、これが不可能であっ
た。本発明に係るハイブリッドカードはこれを解決し、
医療用等のカードにも対応できるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】一般的なＩＣモジュールを示す概略図である。

【図２】本発明に係るハイブリッドカードの一例を示す
もので、（ａ）は表側から見た平面図、（ｂ）は（ａ）
のＡ−Ａ断面図である。

【図３】図２に示すハイブリッドカードに使用したＩＣ
モジュールの概略図である。

【図４】ＩＣモジュールの他の例を示す概略図である。

【図５】ＩＣモジュールのさらに他の例を示す概略図で
ある。

【図６】ハイブリッドカードの製造手順を示した工程図
である。

【符号の説明】

１０ＩＣモジュール１１基材１２ＩＣチップ１２ａ電極パッド１３パターン層１４ワイヤ１５封止樹脂層１６銅箔層１７Ｎｉメッキ層１８金めっき層１９端子部２０絶縁溝２１スルーホール２２遮光層２３，２４，２５着色層３０光記録部３１第１基板３２第２基板３３ハードコート層４０凹凸パターン４１光メモリ領域４２光記録層４３接着剤４４凹部５０封止部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＧ１１Ｂ 7/24 ５７２Ｇ０６Ｋ 19/00 Ｃ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】カード基板に光記録部とＩＣモジュール
とを有するハイブリッドカードであって、ＩＣモジュー
ルのＩＣチップを覆う封止樹脂層に遮光性部材が付加さ
れており、そのＩＣモジュールが光記録部と重複した位
置に配置されていることを特徴とするハイブリッドカー
ド。
【請求項２】遮光性部材が付加された封止部の光透過
率が１×１０^-2以下である請求項１に記載のハイブリッ
ドカード。
【請求項３】遮光性部材が封止樹脂層の表面を覆う遮
光層である請求項１に記載のハイブリッドカード。
【請求項４】遮光層が金属薄膜からなる請求項３に記
載のハイブリッドカード。
【請求項５】遮光層の上にベタを含む任意パターンの
着色層を設けた請求項３又は４に記載のハイブリッドカ
ード。
【請求項６】遮光層の上にベタの着色層を設け、該着
色層の上に任意パターンの着色層を設けた請求項３又は
４に記載のハイブリッドカード。
【請求項７】カード基板に光記録部とＩＣモジュール
とを有するハイブリッドカードに使用されるＩＣモジュ
ールであって、ＩＣチップを覆う封止樹脂層に遮光性部
材が付加されていることを特徴とするＩＣモジュール。
【請求項８】遮光性部材が付加された封止部の光透過
率が１×１０^-2以下である請求項７に記載のＩＣモジュ
ール。
【請求項９】遮光性部材が封止樹脂層の表面を覆う遮
光層である請求項７に記載のＩＣモジュール。
【請求項１０】遮光層が金属薄膜からなる請求項９に
記載のＩＣモジュール。
【請求項１１】遮光層の上にベタを含む任意パターン
の着色層を設けた請求項９又は１０に記載のＩＣモジュ
ール。
【請求項１２】遮光層の上にベタの着色層を設け、該
着色層の上に任意パターンの着色層を設けた請求項９又
は１０に記載のＩＣモジュール。