JPH11345986A - マイクロマシンの構成要素の製造方法 - Google Patents
マイクロマシンの構成要素の製造方法Info
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- JPH11345986A JPH11345986A JP11120505A JP12050599A JPH11345986A JP H11345986 A JPH11345986 A JP H11345986A JP 11120505 A JP11120505 A JP 11120505A JP 12050599 A JP12050599 A JP 12050599A JP H11345986 A JPH11345986 A JP H11345986A
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- B81C1/00563—Avoid or control over-etching
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Micromachines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 分路を簡単に避けることができるように、マ
イクロマシンの構成要素の製造方法をさらに発展させ
る。 【解決手段】 第１の範囲（ＩＩＩ）における絶縁層
（１，２）を、第１の範囲（Ｉ）における可動の要素
（２５）の形成の際に、導体層（６）によって保護して
維持する。
イクロマシンの構成要素の製造方法をさらに発展させ
る。 【解決手段】 第１の範囲（ＩＩＩ）における絶縁層
（１，２）を、第１の範囲（Ｉ）における可動の要素
（２５）の形成の際に、導体層（６）によって保護して
維持する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板を準備し、構
造化された導体路層が埋め込まれている絶縁層を基板上
に設け、絶縁層上に導体層を設け、この導体層が、第１
の範囲と第２の範囲を有し、導体層の下の絶縁層の少な
くとも一部を除去するために、第１のトレンチの形成及
び第１のトレンチによるエッチング剤の案内によって、
第１の範囲に可動の要素を形成し、第２のトレンチの形
成によって第２の範囲に導体路層に電気的に接続する接
触要素を形成し、かつ第１の範囲において形成された可
動の要素をカプセル化するという工程を有する、マイク
ロマシンの構成要素の、とくに表面のマイクロマシンの
加速度センサの製造方法に関する。
造化された導体路層が埋め込まれている絶縁層を基板上
に設け、絶縁層上に導体層を設け、この導体層が、第１
の範囲と第２の範囲を有し、導体層の下の絶縁層の少な
くとも一部を除去するために、第１のトレンチの形成及
び第１のトレンチによるエッチング剤の案内によって、
第１の範囲に可動の要素を形成し、第２のトレンチの形
成によって第２の範囲に導体路層に電気的に接続する接
触要素を形成し、かつ第１の範囲において形成された可
動の要素をカプセル化するという工程を有する、マイク
ロマシンの構成要素の、とくに表面のマイクロマシンの
加速度センサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロマシンの加速度センサのこのよ
うな製造方法は、ドイツ連邦共和国特許出願公開第１９
５３７８１４号明細書によって公知である。
うな製造方法は、ドイツ連邦共和国特許出願公開第１９
５３７８１４号明細書によって公知である。
【０００３】基本的には任意のマイクロマシンの構成要
素に適用可能であるとはいえ、本発明及び本発明の基礎
とする問題は、この公知の表面のマイクロマシン加速度
センサに関して詳細に説明する。
素に適用可能であるとはいえ、本発明及び本発明の基礎
とする問題は、この公知の表面のマイクロマシン加速度
センサに関して詳細に説明する。
【０００４】本発明による問題を説明するために、図２
は、通常の方法にしたがって製造される公知のマイクロ
マシン加速度センサの概略的な横断面表示であり、図３
は、その概略的な平面図であり、かつ図４は、図２によ
る公知のマイクロマシンの加速度センサの接触範囲の拡
大した概略的な表示である。
は、通常の方法にしたがって製造される公知のマイクロ
マシン加速度センサの概略的な横断面表示であり、図３
は、その概略的な平面図であり、かつ図４は、図２によ
る公知のマイクロマシンの加速度センサの接触範囲の拡
大した概略的な表示である。
【０００５】図２ないし４において、参照符号１００
は、一般的にマイクロマシンの加速度センサを示し、１
０は基板、１は下側酸化物、２は上側酸化物、３は両方
の酸化物１、２の間に埋め込まれたＬＰＣＶＤポリシリ
コンからなる導体路、４は上側酸化物２における接触
穴、６はエピタキシーポリシリコン（すなわち高い堆積
速度を達成するためにエピタキシー反応器において堆積
されたポリシリコン）からなる層、７はアルミニウムか
らなるボンディングパッド、８はガラスはんだ層、９は
第１のトレンチ、９′は第２のトレンチ、２０はエピタ
キシーポリシリコンからなるボンディングパッド台、２
１はエピタキシーポリシリコンからなるフレーム、２５
は係止範囲２２及び露出した範囲２３を有する可動の要
素、６０はポリシリコンからなる層６の一部としてのポ
リシリコン接触プラグ、１３はＳｉ保護キャップ又はウ
エーハキャップ、Ｂ１〜Ｂ５は接触範囲、Ｌ１〜Ｌ５導
体路範囲、Ｉはセンサコア範囲、ＩＩは偽装縁範囲、Ｉ
ＩＩはボンディングパッド範囲、かつＳは汚れ粒子を示
している。
は、一般的にマイクロマシンの加速度センサを示し、１
０は基板、１は下側酸化物、２は上側酸化物、３は両方
の酸化物１、２の間に埋め込まれたＬＰＣＶＤポリシリ
コンからなる導体路、４は上側酸化物２における接触
穴、６はエピタキシーポリシリコン（すなわち高い堆積
速度を達成するためにエピタキシー反応器において堆積
されたポリシリコン）からなる層、７はアルミニウムか
らなるボンディングパッド、８はガラスはんだ層、９は
第１のトレンチ、９′は第２のトレンチ、２０はエピタ
キシーポリシリコンからなるボンディングパッド台、２
１はエピタキシーポリシリコンからなるフレーム、２５
は係止範囲２２及び露出した範囲２３を有する可動の要
素、６０はポリシリコンからなる層６の一部としてのポ
リシリコン接触プラグ、１３はＳｉ保護キャップ又はウ
エーハキャップ、Ｂ１〜Ｂ５は接触範囲、Ｌ１〜Ｌ５導
体路範囲、Ｉはセンサコア範囲、ＩＩは偽装縁範囲、Ｉ
ＩＩはボンディングパッド範囲、かつＳは汚れ粒子を示
している。
【０００６】この加速度センサのための公知の製造技術
において、種々の層は、典型的に次の厚さを有する： アルミニウムボンディングパッド７： １．３５μｍ ポリシリコンからなる層６： １０．３０μｍ 第２の酸化物２： １．６０μｍ 埋め込まれた導体路層３ ０．４５μｍ 第１の酸化物１： ２．５０μｍ 通常の技術において、ポリシリコンからなる１０μｍの
厚さの層６からなる構造は、トレンチ（トレンチ形成）
及びその下にある犠牲層（酸化物１、２）の除去によっ
て露出する。
において、種々の層は、典型的に次の厚さを有する： アルミニウムボンディングパッド７： １．３５μｍ ポリシリコンからなる層６： １０．３０μｍ 第２の酸化物２： １．６０μｍ 埋め込まれた導体路層３ ０．４５μｍ 第１の酸化物１： ２．５０μｍ 通常の技術において、ポリシリコンからなる１０μｍの
厚さの層６からなる構造は、トレンチ（トレンチ形成）
及びその下にある犠牲層（酸化物１、２）の除去によっ
て露出する。
【０００７】範囲Ｉにおいてアンダエッチングは、自由
に可動のセンサ要素を得るために必要であり、かつ望ま
しい。それに反して範囲ＩＩＩにおいて、アンダエッチ
ングは、次に述べるように、きわめて不所望であり、か
つ不利である。範囲ＩＩは、完全にポリシリコンによっ
て覆われており、かつＳｉ保護キャップ１３によるセン
サのハーメチックなカプセル化のために使われる。
に可動のセンサ要素を得るために必要であり、かつ望ま
しい。それに反して範囲ＩＩＩにおいて、アンダエッチ
ングは、次に述べるように、きわめて不所望であり、か
つ不利である。範囲ＩＩは、完全にポリシリコンによっ
て覆われており、かつＳｉ保護キャップ１３によるセン
サのハーメチックなカプセル化のために使われる。
【０００８】図４による範囲ＩＩＩの拡大された表示か
ら明らかなように、センサコア範囲Ｉにおける可動の構
造と同じプロセス工程において切離されるポリシリコン
からなる１０μｍの厚さのボンディングパッド台２０
は、アルミニウムボンディングパッド７を有し、かつ接
触プラグ６０を介してその下にある薄いＬＰＣＶＤポリ
シリコン導体路３に接続されている。犠牲層エッチング
の前に、ＬＰＣＶＤポリシリコン導体路３は、酸化物層
１、２の間に埋め込まれている。
ら明らかなように、センサコア範囲Ｉにおける可動の構
造と同じプロセス工程において切離されるポリシリコン
からなる１０μｍの厚さのボンディングパッド台２０
は、アルミニウムボンディングパッド７を有し、かつ接
触プラグ６０を介してその下にある薄いＬＰＣＶＤポリ
シリコン導体路３に接続されている。犠牲層エッチング
の前に、ＬＰＣＶＤポリシリコン導体路３は、酸化物層
１、２の間に埋め込まれている。
【０００９】センサの可動の要素２５のための犠牲層と
して同時にエッチングされる範囲における第１及び第２
の酸化物層１、２のエッチングの際に、上側の酸化物２
は完全に、かつ下側の酸化物１は部分的に、除去され
る。その際、ボンディングパッド台２０及び導体路層３
の図示したアンダエッチングに至る。
して同時にエッチングされる範囲における第１及び第２
の酸化物層１、２のエッチングの際に、上側の酸化物２
は完全に、かつ下側の酸化物１は部分的に、除去され
る。その際、ボンディングパッド台２０及び導体路層３
の図示したアンダエッチングに至る。
【００１０】これらの位置において、とくにのこぎり切
断の際にのこぎり切断スラッジの形に形成されるような
導通可能な汚れ粒子Ｓが堆積し、かつボンディングパッ
ド台２０と基板１０の間又はボンディングパッド台２０
と導体路層３の間に電気分路を生じる。
断の際にのこぎり切断スラッジの形に形成されるような
導通可能な汚れ粒子Ｓが堆積し、かつボンディングパッ
ド台２０と基板１０の間又はボンディングパッド台２０
と導体路層３の間に電気分路を生じる。
【００１１】さらに埋め込まれた導体路層３又はボンデ
ィングパッド台２０のアンダエッチングされたエピタキ
シーポリシリコン縁の損傷が起こることがあり、しかも
とくにのこぎり切断の後に行なわれる高圧清掃の際に起
こることがある。その結果は、可能な分路、抵抗の上昇
及び汚れた割れ縁である。
ィングパッド台２０のアンダエッチングされたエピタキ
シーポリシリコン縁の損傷が起こることがあり、しかも
とくにのこぎり切断の後に行なわれる高圧清掃の際に起
こることがある。その結果は、可能な分路、抵抗の上昇
及び汚れた割れ縁である。
【００１２】犠牲層エッチングの後に、導体路層２が、
もはや誘電体によって覆われていないことは、一般に不
利であり、このことは、通常のＩＣ設計の安全規則に違
反する。
もはや誘電体によって覆われていないことは、一般に不
利であり、このことは、通常のＩＣ設計の安全規則に違
反する。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】したがって一般に本発
明の基礎とする問題は、このような分路を簡単に避ける
ことができるように、初めに述べた方法をさらに発展さ
せることにある。
明の基礎とする問題は、このような分路を簡単に避ける
ことができるように、初めに述べた方法をさらに発展さ
せることにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】ボンディングパッドのア
ンダエッチングを避けるための通常の発端は、ネガ型レ
ジストによってボンディングパッドの回りの第２のトレ
ンチ９′を覆うことを考慮している。
ンダエッチングを避けるための通常の発端は、ネガ型レ
ジストによってボンディングパッドの回りの第２のトレ
ンチ９′を覆うことを考慮している。
【００１５】これがほぼ１０μｍより大きな段高さの際
にプロセス技術において困難であり、かつすべてのセン
サ構造においてかつて可能であったことがないことは、
この発端において不利とわかった。ネガティブラッカ
も、ＨＦによっていっぱいに吸い込まれかつそれからア
ンダエッチングをもはや防ぐことができないので、犠牲
層のＨＦガス層エッチングの後に、即座に取り除かなけ
ればならない。その際、トレンチにおけるラッカの完全
な除去は、複雑なものとなり、かつすでにわずかな残留
物が、くし形構造の粘着を引起こすことがある。
にプロセス技術において困難であり、かつすべてのセン
サ構造においてかつて可能であったことがないことは、
この発端において不利とわかった。ネガティブラッカ
も、ＨＦによっていっぱいに吸い込まれかつそれからア
ンダエッチングをもはや防ぐことができないので、犠牲
層のＨＦガス層エッチングの後に、即座に取り除かなけ
ればならない。その際、トレンチにおけるラッカの完全
な除去は、複雑なものとなり、かつすでにわずかな残留
物が、くし形構造の粘着を引起こすことがある。
【００１６】第２の発端は、ボンディングパッド台の下
及びボンディングパッド台の回りの所定の範囲において
犠牲層上に、ボンディングパッド台の下の犠牲層の完全
なアンダエッチングを避けるために追加的な保護層が、
少なくとも暫定的に設けられていることを考慮してい
る。このことは、製造プロセスを高価にする。
及びボンディングパッド台の回りの所定の範囲において
犠牲層上に、ボンディングパッド台の下の犠牲層の完全
なアンダエッチングを避けるために追加的な保護層が、
少なくとも暫定的に設けられていることを考慮してい
る。このことは、製造プロセスを高価にする。
【００１７】特許請求の範囲第１項の特徴を有する本発
明による方法は、公知の解決策の発端に対して次のよう
な利点を有する。すなわち公知の方法の簡単な変形によ
り、すなわち１つのエッチングプロセスを付け加えるだ
けで、犠牲層のアンダエッチングは、もはやボンディン
グパッド台の下において生じず、かつ接触範囲の回りに
おいて露出した導体路との分路又はその他の分路、例え
ば基板との分路の危険は、もはや存在しない。高圧清掃
の際の損傷も、もはや生じない。それによりマイクロマ
シンの構成要素の信頼性及び動作能力を、著しく高める
ことができる。
明による方法は、公知の解決策の発端に対して次のよう
な利点を有する。すなわち公知の方法の簡単な変形によ
り、すなわち１つのエッチングプロセスを付け加えるだ
けで、犠牲層のアンダエッチングは、もはやボンディン
グパッド台の下において生じず、かつ接触範囲の回りに
おいて露出した導体路との分路又はその他の分路、例え
ば基板との分路の危険は、もはや存在しない。高圧清掃
の際の損傷も、もはや生じない。それによりマイクロマ
シンの構成要素の信頼性及び動作能力を、著しく高める
ことができる。
【００１８】本発明の基礎となる思想は、第２の範囲に
おける絶縁層が、第１の範囲に可動の要素を形成する際
に、導体層によって保護されたままであるという点にあ
る。
おける絶縁層が、第１の範囲に可動の要素を形成する際
に、導体層によって保護されたままであるという点にあ
る。
【００１９】換言すれば、導体層は、これが犠牲層エッ
チングの際に範囲Ｉだけにおいてトレンチ形成されるが
範囲ＩＩＩにおいてトレンチ形成されていないことによ
って、保護層として使われる。したがって犠牲層エッチ
ングの際に、可動の要素の製造のためにセンサコア範囲
における犠牲層だけが除去される。有利には偽装の後
に、導体層は、２度トレンチ形成され、しかも範囲ＩＩ
Ｉだけにおいてトレンチ形成されるが、範囲Ｉにおいて
はトレンチ形成されない。なぜならここでは厚い保護キ
ャップが、ちょうどマスクとして動作するからである。
チングの際に範囲Ｉだけにおいてトレンチ形成されるが
範囲ＩＩＩにおいてトレンチ形成されていないことによ
って、保護層として使われる。したがって犠牲層エッチ
ングの際に、可動の要素の製造のためにセンサコア範囲
における犠牲層だけが除去される。有利には偽装の後
に、導体層は、２度トレンチ形成され、しかも範囲ＩＩ
Ｉだけにおいてトレンチ形成されるが、範囲Ｉにおいて
はトレンチ形成されない。なぜならここでは厚い保護キ
ャップが、ちょうどマスクとして動作するからである。
【００２０】特許請求の範囲の従属請求項に、特許請求
の範囲第１項に記載された方法の有利な変形及び改善が
存在する。
の範囲第１項に記載された方法の有利な変形及び改善が
存在する。
【００２１】有利な変形によれば、第２のトレンチを、
第１の範囲における可動の要素の形成の後に、有利には
そのカプセル化の後に初めて形成する。それによりエッ
チング剤は、可動の要素の形成の際に接触範囲の下の絶
縁層及び第２の範囲における導体路には到達しない。
第１の範囲における可動の要素の形成の後に、有利には
そのカプセル化の後に初めて形成する。それによりエッ
チング剤は、可動の要素の形成の際に接触範囲の下の絶
縁層及び第２の範囲における導体路には到達しない。
【００２２】別の有利な変形によれば、接触要素上に金
属化パッドを形成し、かつ第２の範囲における接触要素
を形成するために、金属化パッドをマスクとして利用し
て、第２のトレンチをエッチングし、その際、カプセル
化により第１の範囲をマスクする。このことは、実現困
難な追加的なマスク平面を節約する。
属化パッドを形成し、かつ第２の範囲における接触要素
を形成するために、金属化パッドをマスクとして利用し
て、第２のトレンチをエッチングし、その際、カプセル
化により第１の範囲をマスクする。このことは、実現困
難な追加的なマスク平面を節約する。
【００２３】別の有利な変形によれば、第１のトレンチ
を形成する際に、範囲において絶縁層上に導体層の窓範
囲を露出エッチングし、この窓範囲を、第１の範囲にお
けるエッチングの最終点認識のために基準として利用す
る。
を形成する際に、範囲において絶縁層上に導体層の窓範
囲を露出エッチングし、この窓範囲を、第１の範囲にお
けるエッチングの最終点認識のために基準として利用す
る。
【００２４】別の有利な変形によれば、窓範囲の下にお
いて絶縁層内に、垂直エッチングストッパとして導体路
層範囲が埋め込まれている。このことは、犠牲層エッチ
ングの際の基板の露出を阻止する。
いて絶縁層内に、垂直エッチングストッパとして導体路
層範囲が埋め込まれている。このことは、犠牲層エッチ
ングの際の基板の露出を阻止する。
【００２５】別の有利な変形によれば、導体層が接触要
素の方向への横向きエッチングストッパとして作用する
ように、導体路層範囲の縁を導体層に結合する。このこ
とは、接触要素又は導体路のアンダエッチングを阻止す
る。
素の方向への横向きエッチングストッパとして作用する
ように、導体路層範囲の縁を導体層に結合する。このこ
とは、接触要素又は導体路のアンダエッチングを阻止す
る。
【００２６】別の有利な変形によれば、基板と導体層
は、シリコンからなる。ここに埋め込まれた構造化され
た導体路層を含む絶縁層を設ける工程は、この時、有利
には次の工程を有する：第１の酸化物層を形成するため
に基板を酸化し、第１の酸化物層上に導体路層を堆積し
かつ構造化し、かつ構造化された導体路層及び回りを囲
む第１の酸化物層上に第２の酸化物層を形成する。
は、シリコンからなる。ここに埋め込まれた構造化され
た導体路層を含む絶縁層を設ける工程は、この時、有利
には次の工程を有する：第１の酸化物層を形成するため
に基板を酸化し、第１の酸化物層上に導体路層を堆積し
かつ構造化し、かつ構造化された導体路層及び回りを囲
む第１の酸化物層上に第２の酸化物層を形成する。
【００２７】
【実施例】本発明の実施例を図面に示しかつ次の説明に
おいて詳細に説明する。
おいて詳細に説明する。
【００２８】図において同じ参照符号は、同じ又は機能
的に同じ構成部分を示している。
的に同じ構成部分を示している。
【００２９】図１ａ〜ｄは、それ自体周知のマイクロマ
シンの加速度センサに適用した本発明による構成の概略
的な横断面表示を示している。
シンの加速度センサに適用した本発明による構成の概略
的な横断面表示を示している。
【００３０】その際、わかりやすくする理由により、図
２から範囲ＩＩＩだけが図示されている。範囲Ｉ及びＩ
Ｉに関するそれ以上の詳細については、とくに初めに挙
げたドイツ連邦共和国特許出願公開第１９５３７８１４
号明細書を参照されたい。
２から範囲ＩＩＩだけが図示されている。範囲Ｉ及びＩ
Ｉに関するそれ以上の詳細については、とくに初めに挙
げたドイツ連邦共和国特許出願公開第１９５３７８１４
号明細書を参照されたい。
【００３１】図１ａ〜ｄにおいて、すでに導入された参
照符号に加えて、３０はフォトレジスト層、３′は垂直
エッチングストッパとして使われる導体路層範囲、６５
は横向きエッチングストッパとして使われる導体路層範
囲３′を含む導体層６の結合範囲、かつＦＥは窓範囲を
示している。
照符号に加えて、３０はフォトレジスト層、３′は垂直
エッチングストッパとして使われる導体路層範囲、６５
は横向きエッチングストッパとして使われる導体路層範
囲３′を含む導体層６の結合範囲、かつＦＥは窓範囲を
示している。
【００３２】シリコン基板１０上に第１の絶縁層１が、
かつその上に導体路層３が取付けられる。第１の絶縁層
１において、ほぼ２．５μｍの厚さの酸化物層が、かつ
導体路層３において、ほぼ０．４５μｍの厚さのドーピ
ングされたＬＰＣＶＤポリシリコン層が問題になる。こ
れに導体路層３の構造化が続き、かつ構造化された導体
路層３及び回りを囲む第１の酸化物層１の上におけるほ
ぼ１．６μｍの厚さの第２の酸化物層の形の第２の絶縁
層２の形成が続く。
かつその上に導体路層３が取付けられる。第１の絶縁層
１において、ほぼ２．５μｍの厚さの酸化物層が、かつ
導体路層３において、ほぼ０．４５μｍの厚さのドーピ
ングされたＬＰＣＶＤポリシリコン層が問題になる。こ
れに導体路層３の構造化が続き、かつ構造化された導体
路層３及び回りを囲む第１の酸化物層１の上におけるほ
ぼ１．６μｍの厚さの第２の酸化物層の形の第２の絶縁
層２の形成が続く。
【００３３】公知のプロセスと相違して、窓範囲ＦＥの
下において絶縁層１、２内に、後の垂直エッチングスト
ッパとして導体路層範囲３′が埋め込まれる。
下において絶縁層１、２内に、後の垂直エッチングスト
ッパとして導体路層範囲３′が埋め込まれる。
【００３４】第２の酸化物層２における接触穴４の形
成、及びＬＰＣＶＤポリシリコンからなる薄い層による
表面の被覆の後に、ほぼ１０μｍの厚さを有するポリシ
リコン層の形の導体層６のエピタキシーが行なわれる。
成、及びＬＰＣＶＤポリシリコンからなる薄い層による
表面の被覆の後に、ほぼ１０μｍの厚さを有するポリシ
リコン層の形の導体層６のエピタキシーが行なわれる。
【００３５】公知のプロセスと相違して、その際、導体
路層範囲３′は、その縁において、接触穴４を通って延
びた区間６５を介して導体層６に接続され、その際、導
体層６のこの区間６５は、後に接触要素２０の方向への
横向きのエッチングストッパとして作用する。
路層範囲３′は、その縁において、接触穴４を通って延
びた区間６５を介して導体層６に接続され、その際、導
体層６のこの区間６５は、後に接触要素２０の方向への
横向きのエッチングストッパとして作用する。
【００３６】厚い導体層６の上側に、その後になお、ボ
ンディングパッドのための構造化されたアルミニウム金
属層７が取付けられ、このアルミニウム金属層は、ほぼ
１．３μｍの厚さを有する。
ンディングパッドのための構造化されたアルミニウム金
属層７が取付けられ、このアルミニウム金属層は、ほぼ
１．３μｍの厚さを有する。
【００３７】別のフォトリソグラフ工程において、次の
トレンチエッチングプロセスのために、フォトレジスト
３０による厚い導体層６の構造化されたマスキングが行
なわれる。
トレンチエッチングプロセスのために、フォトレジスト
３０による厚い導体層６の構造化されたマスキングが行
なわれる。
【００３８】公知のプロセスと相違して、その際、範囲
ＩＩＩは、窓範囲ＦＥを除いてフォトラッカによって覆
われる。それから周知のように、第１の範囲Ｉにおける
可動の要素２５の形成が行なわれ、すなわち厚い導体層
６を通した第１のトレンチ９の異方性プラズマエッチン
グにより、かつ可動の要素２５の下における第２の酸化
物層２及び第１の酸化物層１を除去するために酸化物エ
ッチング剤（ガス状のＨＦ）のそれに続く利用によって
行なわれる。
ＩＩＩは、窓範囲ＦＥを除いてフォトラッカによって覆
われる。それから周知のように、第１の範囲Ｉにおける
可動の要素２５の形成が行なわれ、すなわち厚い導体層
６を通した第１のトレンチ９の異方性プラズマエッチン
グにより、かつ可動の要素２５の下における第２の酸化
物層２及び第１の酸化物層１を除去するために酸化物エ
ッチング剤（ガス状のＨＦ）のそれに続く利用によって
行なわれる。
【００３９】範囲ＩＩＩにおいて、プラズマエッチング
の際に、最終点検出のための窓ＦＥの範囲におけるシリ
コンだけがエッチングされる。すなわちセンサコア範囲
における導体層のエッチングは、センサ特性に決定的な
影響を及ぼすきわめて重要なプロセスである。精密なプ
ロセス管理のために、プロセス最終点を検出するため、
いわゆる光学放射スペクトロスコープが使用される。こ
の方法は、例えば十分に大きなシリコン面がエッチング
されるときにだけ、満足に機能する。第１のエッチング
の際に、第１の範囲における、すなわちセンサコア範囲
におけるトレンチのエッチングだけに限定すれば、この
方法により確実な最終点認識が保証されていない。
の際に、最終点検出のための窓ＦＥの範囲におけるシリ
コンだけがエッチングされる。すなわちセンサコア範囲
における導体層のエッチングは、センサ特性に決定的な
影響を及ぼすきわめて重要なプロセスである。精密なプ
ロセス管理のために、プロセス最終点を検出するため、
いわゆる光学放射スペクトロスコープが使用される。こ
の方法は、例えば十分に大きなシリコン面がエッチング
されるときにだけ、満足に機能する。第１のエッチング
の際に、第１の範囲における、すなわちセンサコア範囲
におけるトレンチのエッチングだけに限定すれば、この
方法により確実な最終点認識が保証されていない。
【００４０】それ故に第２の範囲ＩＩＩにおいて前記の
窓面ＦＥが利用され、この窓面は、最終点認識に貢献す
るが、それに続く犠牲層エッチングの際に接触要素又は
導体路に対する欠点を引起こさないよう配置されてい
る。すなわち次の酸化物エッチングの際、なんらかの妨
害となるアンダエッチングに至ることなく、導体路層範
囲３′の上及び図１ｃにおいて区間６５の右横にある酸
化物層２の範囲だけがエッチングされる。
窓面ＦＥが利用され、この窓面は、最終点認識に貢献す
るが、それに続く犠牲層エッチングの際に接触要素又は
導体路に対する欠点を引起こさないよう配置されてい
る。すなわち次の酸化物エッチングの際、なんらかの妨
害となるアンダエッチングに至ることなく、導体路層範
囲３′の上及び図１ｃにおいて区間６５の右横にある酸
化物層２の範囲だけがエッチングされる。
【００４１】別のプロセス経過において、ガラスはんだ
８によりフレーム２１上におけるＳｉ保護キャップ１３
の閉じた取付けにより、センサコア範囲Ｉの仕上げが行
なわれる。
８によりフレーム２１上におけるＳｉ保護キャップ１３
の閉じた取付けにより、センサコア範囲Ｉの仕上げが行
なわれる。
【００４２】その後初めて、第２の範囲ＩＩＩにおい
て、接触プラグ６０を介して導体路層３に電気的に接続
される接触要素２０の本発明により分離された形成が行
なわれる。その際、接触要素２０における金属化パッド
７は、第２のトレンチ９′のプラズマエッチングの際に
マスクとして使われ、これらのトレンチは、第２の範囲
ＩＩＩにおいて接触要素又はボンディングパッド２０を
囲んでいる。この時点において、フォトプロセスは、高
い微細構造（キャップにおける３８０μｍの深さの穴）
に基づいて、もはやほとんど不可能なので、このことは
目的に合っている。それ故にフォトマスクを用いずにエ
ッチングプロセスが行なわれ、かつその際、厚いキャッ
プ又はカプセル化は、センサコア範囲Ｉをエッチング剤
から保護する。
て、接触プラグ６０を介して導体路層３に電気的に接続
される接触要素２０の本発明により分離された形成が行
なわれる。その際、接触要素２０における金属化パッド
７は、第２のトレンチ９′のプラズマエッチングの際に
マスクとして使われ、これらのトレンチは、第２の範囲
ＩＩＩにおいて接触要素又はボンディングパッド２０を
囲んでいる。この時点において、フォトプロセスは、高
い微細構造（キャップにおける３８０μｍの深さの穴）
に基づいて、もはやほとんど不可能なので、このことは
目的に合っている。それ故にフォトマスクを用いずにエ
ッチングプロセスが行なわれ、かつその際、厚いキャッ
プ又はカプセル化は、センサコア範囲Ｉをエッチング剤
から保護する。
【００４３】金属化パッドがエッチングマスクとして使
われる接触要素の範囲において、アルミニウムに対する
シリコンのエッチングの際に十分に存在するようなエッ
チングプロセスの相応する選択度に注意するだけでよ
い。
われる接触要素の範囲において、アルミニウムに対する
シリコンのエッチングの際に十分に存在するようなエッ
チングプロセスの相応する選択度に注意するだけでよ
い。
【００４４】プロセスの最後に、のこぎり切断及び高圧
清掃による構成要素の個別化が行なわれる。
清掃による構成要素の個別化が行なわれる。
【００４５】図１ｄは、完成した加速度センサのボンデ
ィングパッド２０の横断面を示している。絶縁層１、２
は、まだ完全にその下及びその側方に維持されている。
導体路も、通常の方法とは相違して、その上側において
第２の酸化物層２によって絶縁されている。それにより
アンダエッチング及び損傷は避けられ、導体路は絶縁さ
れており、したがって導通粒子による分路は排除されて
いる。
ィングパッド２０の横断面を示している。絶縁層１、２
は、まだ完全にその下及びその側方に維持されている。
導体路も、通常の方法とは相違して、その上側において
第２の酸化物層２によって絶縁されている。それにより
アンダエッチング及び損傷は避けられ、導体路は絶縁さ
れており、したがって導通粒子による分路は排除されて
いる。
【００４６】前記のように本発明を有利な実施例によっ
て説明したが、本発明は、これに限定されているわけで
はなく、種々に変形することができる。
て説明したが、本発明は、これに限定されているわけで
はなく、種々に変形することができる。
【００４７】とくに本発明によるボンディングパッド構
造は、マイクロマシンの加速度センサに適用できるだけ
ではなく、任意のマイクロマシンの構成要素に適用する
ことができる。個々の層のための材料の選択は、記載さ
れた材料に限定されいない。とくに本発明は、シリコン
構成要素のためだけでなく、その他のマイクロマシンの
材料からなる構成要素のためにも利用することができ
る。
造は、マイクロマシンの加速度センサに適用できるだけ
ではなく、任意のマイクロマシンの構成要素に適用する
ことができる。個々の層のための材料の選択は、記載さ
れた材料に限定されいない。とくに本発明は、シリコン
構成要素のためだけでなく、その他のマイクロマシンの
材料からなる構成要素のためにも利用することができ
る。
【図１】マイクロマシンの加速度センサに適用した本発
明による方法の構成を示す概略的な横断面図である。
明による方法の構成を示す概略的な横断面図である。
【図２】通常の方法によって製造される周知のマイクロ
マシンの加速度センサを示す概略的な横断面図である。
マシンの加速度センサを示す概略的な横断面図である。
【図３】図２による周知のマイクロマシンの加速度セン
サを示す概略的な平面図である。
サを示す概略的な平面図である。
【図４】本発明による問題を説明するために図２による
周知のマイクロマシンの加速度センサの接触範囲を示す
拡大した略図である。
周知のマイクロマシンの加速度センサの接触範囲を示す
拡大した略図である。
１ 絶縁層、 ２ 絶縁層、 ３ 導体路層、 ３′
導体路層範囲、 ４接触穴、 ６ 導体層、 ７ 金属
化パッド、 ８ ガラスはんだ層、 ９ 第１のトレン
チ、 ９′ 第２のトレンチ、 １０ 基板、 １３
保護キャップ、 ２０ ボンディングパッド台、 ２２
係止範囲、 ２３ 孤立範囲、 ２５ 可動の要素、
３０ フォトレジスト層、 ６０ 接触プラグ、 ６
５ 結合範囲、 １００ マイクロマシン加速度セン
サ、 Ｂ１〜Ｂ５ 接触範囲、Ｌ１〜Ｌ５ 導体路範
囲、 ＦＥ 窓範囲、 Ｉ センサコア範囲、 ＩＩ
偽装縁範囲、 ＩＩＩ ボンディングパッド範囲、 Ｓ
汚れ粒子
導体路層範囲、 ４接触穴、 ６ 導体層、 ７ 金属
化パッド、 ８ ガラスはんだ層、 ９ 第１のトレン
チ、 ９′ 第２のトレンチ、 １０ 基板、 １３
保護キャップ、 ２０ ボンディングパッド台、 ２２
係止範囲、 ２３ 孤立範囲、 ２５ 可動の要素、
３０ フォトレジスト層、 ６０ 接触プラグ、 ６
５ 結合範囲、 １００ マイクロマシン加速度セン
サ、 Ｂ１〜Ｂ５ 接触範囲、Ｌ１〜Ｌ５ 導体路範
囲、 ＦＥ 窓範囲、 Ｉ センサコア範囲、 ＩＩ
偽装縁範囲、 ＩＩＩ ボンディングパッド範囲、 Ｓ
汚れ粒子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ホルスト ミュンツェル ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン グル オバッハシュトラーセ 60 (72)発明者 フランツ レルマー ドイツ連邦共和国 シユツツトガルト ヴ ィティコヴェーク ９ (72)発明者 ミヒャエル オッフェンベルク ドイツ連邦共和国 キルヒェンテリンスフ ルト ブライケシュトラーセ 13 (72)発明者 ハインツ−ゲオルク フォッセンベルク ドイツ連邦共和国 プフリンゲン クロス ターシュトラーセ ３
Claims (7)
- 【請求項１】 基板（１０）を準備し、基板（１０）上
に絶縁層（１，２）を設け、この絶縁層には構造化され
た導体路層（３）が埋設されており、絶縁層（１，２）
上に導体層（６）を設け、この導体層が、第１の範囲
（Ｉ）と第２の範囲（ＩＩＩ）を有し、導体層（６）の
下の絶縁層（１，２）の少なくとも一部を除去するため
に、第１のトレンチ（９）の形成及び第１のトレンチ
（９）によるエッチング剤の案内によって、第１の範囲
（Ｉ）に可動の要素（２５）を形成し、第２のトレンチ
（９′）の形成によって第２の範囲（ＩＩＩ）に導体路
層（３）に電気的に接続する接触要素（２０）を形成
し、かつ第１の範囲（Ｉ）において形成された可動の要
素（２５）をカプセル化する工程を有する、マイクロマ
シンの構成要素の製造方法において、第２の範囲（ＩＩ
Ｉ）における絶縁層（１，２）を、第１の範囲（Ｉ）に
おける可動の要素（２５）の形成の際に、導体層（６）
によって保護されたままに維持することを特徴とする、
マイクロマシンの構成要素の製造方法。 - 【請求項２】 第２のトレンチ（９′）を、第１の範囲
（Ｉ）における可動の要素（２５）の形成の後に、有利
にはそのカプセル化の後に、初めて形成する、請求項１
に記載の方法。 - 【請求項３】 接触要素（２０）上に金属化パッド
（７）を形成し、かつ第２の範囲（ＩＩＩ）における接
触要素（２０）を形成するために、金属化パッド（７）
をマスクとして利用して、第２のトレンチ（９′）をエ
ッチングし、その際、カプセル化により第１の範囲
（Ｉ）をマスクする、請求項２に記載の方法。 - 【請求項４】 第１のトレンチ（９）を形成する際に、
範囲（ＩＩＩ）において絶縁層（１，２）上に導体層
（６）の窓範囲（ＦＥ）を露出エッチングし、この窓範
囲を、第１の範囲（Ｉ）におけるエッチングの最終点認
識のための基準として利用する、請求項２又は３に記載
の方法。 - 【請求項５】 窓範囲（ＦＥ）の下において絶縁層内
に、導体層（６）のエッチングのための垂直エッチング
ストッパとして導体路層範囲（３′）を利用し、その
際、導体層（６）と導体路層が、酸化物エッチングのた
めのエッチングストッパを形成する、請求項４に記載の
方法。 - 【請求項６】 導体層（６）が接触要素（２０）の方向
における横向きエッチングストッパとして作用するよう
に、導体路層範囲（３′）の縁を導体層（６）に結合す
る、請求項５に記載の方法。 - 【請求項７】 基板（１０）と導体層（６）が、シリコ
ンからなり、かつここに埋め込まれた構造化された導体
路層（３）を含む絶縁層（１，２）を設ける工程が、第
１の酸化物層（１）を形成するために基板（１０）を酸
化し、第１の酸化物層（１）上に導体路層（３）を堆積
させ、かつ構造化し、かつ構造化された導体路層（３）
及び回りを囲む第１の酸化物層（１）上に第２の酸化物
層（２）を形成する工程を有する、請求項１〜６までの
いずれか１項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19819456A DE19819456B4 (de) | 1998-04-30 | 1998-04-30 | Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements |
| DE19819456.0 | 1998-04-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11345986A true JPH11345986A (ja) | 1999-12-14 |
| JP4603641B2 JP4603641B2 (ja) | 2010-12-22 |
Family
ID=7866364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12050599A Expired - Lifetime JP4603641B2 (ja) | 1998-04-30 | 1999-04-27 | マイクロマシンの構成要素の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6268232B1 (ja) |
| JP (1) | JP4603641B2 (ja) |
| DE (1) | DE19819456B4 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000003931A (ja) * | 1998-05-09 | 2000-01-07 | Robert Bosch Gmbh | ボンディングパッド構造及びその製造方法 |
| JPWO2003012859A1 (ja) * | 2001-07-30 | 2004-11-25 | 三菱電機株式会社 | 電極構造、薄膜構造体の製造方法 |
| JP2013228357A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-11-07 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10004964B4 (de) * | 2000-02-04 | 2010-07-29 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Kappenstruktur |
| DE10051315A1 (de) * | 2000-10-17 | 2002-04-18 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Hersellungsverfahren |
| US6964894B2 (en) * | 2003-06-23 | 2005-11-15 | Analog Devices, Inc. | Apparatus and method of forming a device layer |
| DE102005002304B4 (de) * | 2005-01-17 | 2011-08-18 | Austriamicrosystems Ag | Mikroelektromechanischer Sensor und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US7338614B2 (en) * | 2005-04-05 | 2008-03-04 | Analog Devices, Inc. | Vapor HF etch process mask and method |
| JP2007109718A (ja) * | 2005-10-11 | 2007-04-26 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US8598109B2 (en) * | 2009-09-11 | 2013-12-03 | Method Products, Inc. | Fabric softener |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09129896A (ja) * | 1995-09-05 | 1997-05-16 | Motorola Inc | 表面微細加工構造を集積化したモノリシック半導体素子の製造方法 |
| JPH09129898A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-05-16 | Robert Bosch Gmbh | センサおよびセンサの製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5616514A (en) * | 1993-06-03 | 1997-04-01 | Robert Bosch Gmbh | Method of fabricating a micromechanical sensor |
| FR2732467B1 (fr) * | 1995-02-10 | 1999-09-17 | Bosch Gmbh Robert | Capteur d'acceleration et procede de fabrication d'un tel capteur |
-
1998
- 1998-04-30 DE DE19819456A patent/DE19819456B4/de not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-04-27 JP JP12050599A patent/JP4603641B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-04-29 US US09/302,224 patent/US6268232B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09129896A (ja) * | 1995-09-05 | 1997-05-16 | Motorola Inc | 表面微細加工構造を集積化したモノリシック半導体素子の製造方法 |
| JPH09129898A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-05-16 | Robert Bosch Gmbh | センサおよびセンサの製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000003931A (ja) * | 1998-05-09 | 2000-01-07 | Robert Bosch Gmbh | ボンディングパッド構造及びその製造方法 |
| JPWO2003012859A1 (ja) * | 2001-07-30 | 2004-11-25 | 三菱電機株式会社 | 電極構造、薄膜構造体の製造方法 |
| JP4540983B2 (ja) * | 2001-07-30 | 2010-09-08 | 三菱電機株式会社 | 電極構造、薄膜構造体の製造方法 |
| JP2013228357A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-11-07 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19819456A1 (de) | 1999-11-04 |
| DE19819456B4 (de) | 2011-06-09 |
| US6268232B1 (en) | 2001-07-31 |
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