JPH11346138A - チップ型圧電共振子及び該チップ型圧電共振子の周波数調整方法 - Google Patents
チップ型圧電共振子及び該チップ型圧電共振子の周波数調整方法Info
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- JPH11346138A JPH11346138A JP10153240A JP15324098A JPH11346138A JP H11346138 A JPH11346138 A JP H11346138A JP 10153240 A JP10153240 A JP 10153240A JP 15324098 A JP15324098 A JP 15324098A JP H11346138 A JPH11346138 A JP H11346138A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 32
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 25
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 4
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
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- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 圧電素子に誘電体基板を積層し組み立てた後
に内蔵されている静電容量を、ひいては周波数を微妙に
かつ高精度に調整することを可能とするコンデンサ内蔵
型チップ型圧電共振子を得る。 【解決手段】 圧電板２の上下に第１，第２の誘電体基
板３，４を積層してなり、積層体５の外表面に外部電極
６〜８が形成されているコンデンサ内蔵型チップ型圧電
共振子において、外部電極６〜８が、積層体５の下面か
ら対向し合う両側面５ａ，５ｂを経て上面、すなわち誘
電体基板４の外側主面に至るように形成されており、該
外側主面４ａ上において第１，第２の電極部６ａ，６ｂ
〜８ａ，８ｂを有するように少なくとも１つの外部電極
が分割されているチップ型圧電共振子１。
に内蔵されている静電容量を、ひいては周波数を微妙に
かつ高精度に調整することを可能とするコンデンサ内蔵
型チップ型圧電共振子を得る。 【解決手段】 圧電板２の上下に第１，第２の誘電体基
板３，４を積層してなり、積層体５の外表面に外部電極
６〜８が形成されているコンデンサ内蔵型チップ型圧電
共振子において、外部電極６〜８が、積層体５の下面か
ら対向し合う両側面５ａ，５ｂを経て上面、すなわち誘
電体基板４の外側主面に至るように形成されており、該
外側主面４ａ上において第１，第２の電極部６ａ，６ｂ
〜８ａ，８ｂを有するように少なくとも１つの外部電極
が分割されているチップ型圧電共振子１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンデンサ内蔵型
のチップ型圧電共振子及び該チップ型圧電共振子の周波
数調整方法に関し、より詳細には、圧電素子の両面に誘
電体基板を積層してなるコンデンサ内蔵型のチップ型圧
電共振子及び該チップ型圧電共振子の周波数調整方法に
関する。
のチップ型圧電共振子及び該チップ型圧電共振子の周波
数調整方法に関し、より詳細には、圧電素子の両面に誘
電体基板を積層してなるコンデンサ内蔵型のチップ型圧
電共振子及び該チップ型圧電共振子の周波数調整方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図７（ａ）及び（ｂ）に、従来のコンデ
ンサ内蔵型のチップ型圧電共振子の一例を示す。
ンサ内蔵型のチップ型圧電共振子の一例を示す。
【０００３】チップ型圧電共振子５１では、板状の圧電
素子５２の下面に絶縁性セラミックスよりなる第１の封
止基板５３が積層されており、圧電素子５２の上面に
は、誘電体セラミックスよりなる第２の封止基板５４が
積層されている。
素子５２の下面に絶縁性セラミックスよりなる第１の封
止基板５３が積層されており、圧電素子５２の上面に
は、誘電体セラミックスよりなる第２の封止基板５４が
積層されている。
【０００４】圧電素子５２は、厚み方向に分極処理され
た板状の圧電基板５２ａを用いて構成されている。圧電
基板５２ａの上面には第１の励振電極５２ｂが、下面に
は第２の励振電極５２ｃが形成されている。第１，第２
の励振電極５２ｂ，５２ｃは、圧電基板５２ａを介して
表裏対向するように形成されている。
た板状の圧電基板５２ａを用いて構成されている。圧電
基板５２ａの上面には第１の励振電極５２ｂが、下面に
は第２の励振電極５２ｃが形成されている。第１，第２
の励振電極５２ｂ，５２ｃは、圧電基板５２ａを介して
表裏対向するように形成されている。
【０００５】また、励振電極５２ｂ，５２ｃは、それぞ
れ、引出し電極５２ｄ，５２ｅに接続されている。引出
し電極５２ｄは、圧電基板５２ａの上面において外縁に
至るように形成されている。同様に、引出し電極５２ｅ
は、圧電基板５２ａの下面において圧電基板５２ａの外
縁に引き出されている。
れ、引出し電極５２ｄ，５２ｅに接続されている。引出
し電極５２ｄは、圧電基板５２ａの上面において外縁に
至るように形成されている。同様に、引出し電極５２ｅ
は、圧電基板５２ａの下面において圧電基板５２ａの外
縁に引き出されている。
【０００６】封止基板５３，５４の内側主面には、それ
ぞれ、凹部５３ａ，５４ａが形成されている。圧電素子
５２は、接着剤層（図示せず）を介して封止基板５３，
５４と積層されて一体化されている。このようにして得
られた積層体の外表面に、外部電極５７〜５９が形成さ
れている。外部電極５７は、引出し電極５２ｄに接続さ
れており、従って励振電極５２ｂに接続されている。外
部電極５９は、引出し電極５２ｅに接続されており、従
って励振電極５２ｃに接続されている。
ぞれ、凹部５３ａ，５４ａが形成されている。圧電素子
５２は、接着剤層（図示せず）を介して封止基板５３，
５４と積層されて一体化されている。このようにして得
られた積層体の外表面に、外部電極５７〜５９が形成さ
れている。外部電極５７は、引出し電極５２ｄに接続さ
れており、従って励振電極５２ｂに接続されている。外
部電極５９は、引出し電極５２ｅに接続されており、従
って励振電極５２ｃに接続されている。
【０００７】外部電極５８は、アース電位に接続され
る。従って、外部電極５７，５９間に共振子が接続され
ると共に、外部電極５７，５９とアース電位との間にお
いて静電容量が取り出される。封止基板５４が誘電体セ
ラミックスより構成されているので、封止基板５４にお
いて、外部電極５７，５９と外部電極５８との間で上記
静電容量の大半が構成されている。
る。従って、外部電極５７，５９間に共振子が接続され
ると共に、外部電極５７，５９とアース電位との間にお
いて静電容量が取り出される。封止基板５４が誘電体セ
ラミックスより構成されているので、封止基板５４にお
いて、外部電極５７，５９と外部電極５８との間で上記
静電容量の大半が構成されている。
【０００８】図８（ａ）及び（ｂ）に、従来のコンデン
サ内蔵型のチップ型圧電共振部品の他の例を示す。この
チップ型圧電共振子６１では、誘電体基板６２と下方に
開いたキャップ６３とによりパッケージが構成されてい
る。
サ内蔵型のチップ型圧電共振部品の他の例を示す。この
チップ型圧電共振子６１では、誘電体基板６２と下方に
開いたキャップ６３とによりパッケージが構成されてい
る。
【０００９】誘電体基板６２には、上面から両側面を経
て下面に至るように外部電極６４〜６６が形成されてい
る。外部電極６４，６６には、導電性接着剤６７，６８
を介して圧電素子６９が接合されている。圧電素子６９
は、板状の圧電基板６９ａを用いて構成されている。圧
電基板６９ａの上面に第１の励振電極６９ｂが、下面に
第２の励振電極６９ｃが形成されている。
て下面に至るように外部電極６４〜６６が形成されてい
る。外部電極６４，６６には、導電性接着剤６７，６８
を介して圧電素子６９が接合されている。圧電素子６９
は、板状の圧電基板６９ａを用いて構成されている。圧
電基板６９ａの上面に第１の励振電極６９ｂが、下面に
第２の励振電極６９ｃが形成されている。
【００１０】また、励振電極６９ｂは、引出し電極６９
ｄに接続されている。引出し電極６９ｄは、圧電基板６
９ａの外周縁に至るように延ばされており、さらに圧電
基板６９ａの側面を経て下面に至るように形成されてい
る。この引出し電極６９ｄの圧電基板６９ａの下面に至
る部分において引出し電極６９ｄが導電性接着剤６８に
接合されている。また、励振電極６９ｃは、引出し電極
６９ｅに接続されている。この引出し電極６９ｅが、導
電性接着剤６７に接合されている。
ｄに接続されている。引出し電極６９ｄは、圧電基板６
９ａの外周縁に至るように延ばされており、さらに圧電
基板６９ａの側面を経て下面に至るように形成されてい
る。この引出し電極６９ｄの圧電基板６９ａの下面に至
る部分において引出し電極６９ｄが導電性接着剤６８に
接合されている。また、励振電極６９ｃは、引出し電極
６９ｅに接続されている。この引出し電極６９ｅが、導
電性接着剤６７に接合されている。
【００１１】他方、キャップ６３は、上記圧電素子６９
を覆うような開口６３ａを有する。キャップ６３は、図
示しない絶縁性接着剤を介して誘電体基板６２の上面に
接合されている。
を覆うような開口６３ａを有する。キャップ６３は、図
示しない絶縁性接着剤を介して誘電体基板６２の上面に
接合されている。
【００１２】チップ型圧電共振子６１では、外部電極６
４，６６間に第１，第２の励振電極６９ｂ，６９ｃを有
する共振部が接続されている。外部電極６５は、アース
電位に接続される。従って、外部電極６４，６６と、外
部電極６５との間で、誘電体基板６２に基づく静電容量
が取り出される。
４，６６間に第１，第２の励振電極６９ｂ，６９ｃを有
する共振部が接続されている。外部電極６５は、アース
電位に接続される。従って、外部電極６４，６６と、外
部電極６５との間で、誘電体基板６２に基づく静電容量
が取り出される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】図７に示したチップ型
圧電共振子５１では、封止基板５３，５４を圧電素子５
２に接合した後には、圧電素子５２の両側面及び端面以
外の面、すなわち上面及び下面が隠蔽されることにな
る。従って、発振周波数を調整するには、圧電素子５２
を封止基板５３，５４と接合する前に行わねばならなか
った。
圧電共振子５１では、封止基板５３，５４を圧電素子５
２に接合した後には、圧電素子５２の両側面及び端面以
外の面、すなわち上面及び下面が隠蔽されることにな
る。従って、発振周波数を調整するには、圧電素子５２
を封止基板５３，５４と接合する前に行わねばならなか
った。
【００１４】しかしながら、圧電素子５２に封止基板５
３，５４を接合する工程以降においても、工程上の理由
等により周波数のばらつきが生じがちであった。従っ
て、圧電素子５２を得る段階で共振周波数を高精度に管
理したとしても、最終的に周波数精度が高いチップ型圧
電共振子５１を得ることは非常に困難であった。そのた
め、チップ型圧電共振子５１の良品率が低いという問題
があった。
３，５４を接合する工程以降においても、工程上の理由
等により周波数のばらつきが生じがちであった。従っ
て、圧電素子５２を得る段階で共振周波数を高精度に管
理したとしても、最終的に周波数精度が高いチップ型圧
電共振子５１を得ることは非常に困難であった。そのた
め、チップ型圧電共振子５１の良品率が低いという問題
があった。
【００１５】また、チップ型圧電共振子５１を得た後
に、誘電体セラミックスよりなる封止基板５４上の外部
電極部分を部分的に削除した場合には、静電容量の変化
が非常に大きくなり、周波数の微調整は非常に困難であ
った。加えて、表裏面の外部電極形状が同一であるた
め、表裏判別の自動化を行うことも困難であった。
に、誘電体セラミックスよりなる封止基板５４上の外部
電極部分を部分的に削除した場合には、静電容量の変化
が非常に大きくなり、周波数の微調整は非常に困難であ
った。加えて、表裏面の外部電極形状が同一であるた
め、表裏判別の自動化を行うことも困難であった。
【００１６】他方、図８に示したチップ型圧電共振子６
１では、キャップ６３を誘電体基板６２に接合する前
に、圧電素子６９を誘電体基板６２上に接合した状態で
周波数調整を行うことが可能である。しかしながら、圧
電素子６９の片面側においてのみ加工を施した場合に
は、励振電極６９ｂ，６９ｃの対称性が損なわれる。従
って、励振電極６９ｂ，６９ｃの非対称性に起因するス
プリアスが増大し、特性が劣化するという問題があっ
た。
１では、キャップ６３を誘電体基板６２に接合する前
に、圧電素子６９を誘電体基板６２上に接合した状態で
周波数調整を行うことが可能である。しかしながら、圧
電素子６９の片面側においてのみ加工を施した場合に
は、励振電極６９ｂ，６９ｃの対称性が損なわれる。従
って、励振電極６９ｂ，６９ｃの非対称性に起因するス
プリアスが増大し、特性が劣化するという問題があっ
た。
【００１７】また、誘電体基板６２の下面において外部
電極６４〜６６の形状を変化させるようにして発振周波
数を調整することも可能である。しかしながら、誘電体
基板６２の下面は実装面であるため、個々のチップ型圧
電共振子６１において外部電極６４〜６６の形状を変更
した場合には、実装条件が個々のチップ型圧電共振子６
１においてばらつくことになる。
電極６４〜６６の形状を変化させるようにして発振周波
数を調整することも可能である。しかしながら、誘電体
基板６２の下面は実装面であるため、個々のチップ型圧
電共振子６１において外部電極６４〜６６の形状を変更
した場合には、実装条件が個々のチップ型圧電共振子６
１においてばらつくことになる。
【００１８】本発明の目的は、圧電素子をケース材と組
み立てた後の状態で、励振電極間の非対称性に起因する
不要スプリアスの増大を招くことなく、周波数調整を容
易にかつ高精度に行うことを可能とするコンデンサ内蔵
型のチップ型圧電共振子及び該チップ型圧電共振子の周
波数調整方法を提供することにある。
み立てた後の状態で、励振電極間の非対称性に起因する
不要スプリアスの増大を招くことなく、周波数調整を容
易にかつ高精度に行うことを可能とするコンデンサ内蔵
型のチップ型圧電共振子及び該チップ型圧電共振子の周
波数調整方法を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
係るコンデンサ内蔵型のチップ型圧電共振子は、圧電板
と、圧電板を介して表裏対向するように形成された第
１，第２の励振電極と、第１，第２の励振電極にそれぞ
れ接続されており、かつ圧電板の外縁まで延ばされた第
１，第２の引出し電極とを有する圧電素子と、前記圧電
素子を挟持するように圧電素子に積層されて積層体を構
成している第１，第２の誘電体基板と、第１の誘電体基
板の外側主面から積層体の対向し合っている第１，第２
の側面を経て第２の誘電体基板の外側主面に至るように
形成された複数の外部電極とを備え、前記圧電素子の第
１，第２の引出し電極がいずれかの外部電極に接続され
ており、かつ複数の外部電極のうち、少なくとも１つの
外部電極が第２の誘電体基板の外側主面上において第１
の側面に形成された外部電極部分に接続された第１の電
極部と、第２の側面に形成されている外部電極部分に接
続された第２の電極部とに分割されていることを特徴と
する。
係るコンデンサ内蔵型のチップ型圧電共振子は、圧電板
と、圧電板を介して表裏対向するように形成された第
１，第２の励振電極と、第１，第２の励振電極にそれぞ
れ接続されており、かつ圧電板の外縁まで延ばされた第
１，第２の引出し電極とを有する圧電素子と、前記圧電
素子を挟持するように圧電素子に積層されて積層体を構
成している第１，第２の誘電体基板と、第１の誘電体基
板の外側主面から積層体の対向し合っている第１，第２
の側面を経て第２の誘電体基板の外側主面に至るように
形成された複数の外部電極とを備え、前記圧電素子の第
１，第２の引出し電極がいずれかの外部電極に接続され
ており、かつ複数の外部電極のうち、少なくとも１つの
外部電極が第２の誘電体基板の外側主面上において第１
の側面に形成された外部電極部分に接続された第１の電
極部と、第２の側面に形成されている外部電極部分に接
続された第２の電極部とに分割されていることを特徴と
する。
【００２０】請求項２に記載の発明では、第１の誘電体
基板を構成している誘電体材料の比誘電率が、第２の誘
電体基板を構成している誘電体材料の比誘電率よりも高
くされている。
基板を構成している誘電体材料の比誘電率が、第２の誘
電体基板を構成している誘電体材料の比誘電率よりも高
くされている。
【００２１】請求項３に記載の発明では、第１，第２の
電極部が、残りの部分よりも幅の狭い細幅部を有する。
請求項４に記載の発明では、複数の外部電極が、第１，
第２の引出し電極にそれぞれ接続された第１，第２の外
部電極と、接地電位に接続される第３の外部電極とを備
える。
電極部が、残りの部分よりも幅の狭い細幅部を有する。
請求項４に記載の発明では、複数の外部電極が、第１，
第２の引出し電極にそれぞれ接続された第１，第２の外
部電極と、接地電位に接続される第３の外部電極とを備
える。
【００２２】請求項５に記載の発明では、前記第１，第
２の外部電極が、第１，第２の電極部を有するように構
成されている。請求項６に記載の発明では、前記第３の
外部電極が、第１，第２の電極部を有するように構成さ
れており、第１，第２の外部電極は、第１，第２の電極
部を有するように分割されておらず、第２の誘電体基板
の外側主面において前記第１の側面から第２の側面に連
なるように形成されている。
２の外部電極が、第１，第２の電極部を有するように構
成されている。請求項６に記載の発明では、前記第３の
外部電極が、第１，第２の電極部を有するように構成さ
れており、第１，第２の外部電極は、第１，第２の電極
部を有するように分割されておらず、第２の誘電体基板
の外側主面において前記第１の側面から第２の側面に連
なるように形成されている。
【００２３】請求項７に記載の発明は、請求項１〜６の
いずれかに記載のチップ型圧電共振子の周波数調整方法
であって、第２の誘電体基板の外側主面上において分割
されて構成された前記第１，第２の電極部の少なくとも
一方を部分的に削除することにより共振周波数を調整す
ることを特徴とする。
いずれかに記載のチップ型圧電共振子の周波数調整方法
であって、第２の誘電体基板の外側主面上において分割
されて構成された前記第１，第２の電極部の少なくとも
一方を部分的に削除することにより共振周波数を調整す
ることを特徴とする。
【００２４】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例に係るコ
ンデンサ内蔵型のチップ型圧電共振子の外観を示す斜視
図であり、図２はその分解斜視図である。
ンデンサ内蔵型のチップ型圧電共振子の外観を示す斜視
図であり、図２はその分解斜視図である。
【００２５】チップ型圧電共振子１では、板状の圧電素
子２の下面に第１の誘電体基板３が積層されている。ま
た、圧電素子２の上面には第２の誘電体基板４が積層さ
れている。この圧電素子２、誘電体基板３及び誘電体基
板４により積層体５が構成されている。
子２の下面に第１の誘電体基板３が積層されている。ま
た、圧電素子２の上面には第２の誘電体基板４が積層さ
れている。この圧電素子２、誘電体基板３及び誘電体基
板４により積層体５が構成されている。
【００２６】圧電素子２は、矩形板状の圧電板２ａを用
いて構成されている。圧電板２ａは、チタン酸ジルコン
酸鉛系セラミックスのような圧電セラミックスにより構
成されており、かつ厚み方向に分極処理されている。圧
電板２ａの上面中央には、円形の第１の励振電極２ｂが
形成されている。圧電板２ａの下面には、第１の励振電
極２ｂと表裏対向するように第２の励振電極２ｃが形成
されている。
いて構成されている。圧電板２ａは、チタン酸ジルコン
酸鉛系セラミックスのような圧電セラミックスにより構
成されており、かつ厚み方向に分極処理されている。圧
電板２ａの上面中央には、円形の第１の励振電極２ｂが
形成されている。圧電板２ａの下面には、第１の励振電
極２ｂと表裏対向するように第２の励振電極２ｃが形成
されている。
【００２７】第１の励振電極２ｂは、圧電板２ａの上面
に形成された第１の引出し電極２ｄに接続されている。
第１の引出し電極２ｄは、圧電板２ａの外縁に至るよう
に形成されている。他方、第２の励振電極２ｃは、圧電
板２ａの下面に形成された第２の引出し電極２ｅに接続
されている。引出し電極２ｅは、圧電板２ａの下面にお
いて外縁に至るように形成されている。なお、励振電極
２ｂ，２ｃは、円形に限らず、矩形などの他の形状であ
ってもよい。
に形成された第１の引出し電極２ｄに接続されている。
第１の引出し電極２ｄは、圧電板２ａの外縁に至るよう
に形成されている。他方、第２の励振電極２ｃは、圧電
板２ａの下面に形成された第２の引出し電極２ｅに接続
されている。引出し電極２ｅは、圧電板２ａの下面にお
いて外縁に至るように形成されている。なお、励振電極
２ｂ，２ｃは、円形に限らず、矩形などの他の形状であ
ってもよい。
【００２８】第１の誘電体基板３は、第２の誘電体基板
４を構成している誘電体セラミックスよりも比誘電率が
大きい誘電体セラミックスよりなり、矩形板状の形状を
有する。第１の誘電体基板３の上面には、凹部３ａが形
成されている。凹部３ａは、第１，第２の励振電極２
ｂ，２ｃからなる共振部の振動を妨げないための空間を
形成するために設けられている。
４を構成している誘電体セラミックスよりも比誘電率が
大きい誘電体セラミックスよりなり、矩形板状の形状を
有する。第１の誘電体基板３の上面には、凹部３ａが形
成されている。凹部３ａは、第１，第２の励振電極２
ｂ，２ｃからなる共振部の振動を妨げないための空間を
形成するために設けられている。
【００２９】第２の誘電体基板４は、比誘電率が２０以
上の誘電体セラミックスよりなり、矩形板状の形状を有
する。第２の誘電体基板４の下面には、凹部４ａが形成
されている。凹部４ａは、第１，第２の励振電極２ｂ，
２ｃで構成される共振部の振動を妨げないために設けら
れている。第１，第２の誘電体基板３，４は、図示しな
い絶縁性接着剤を介して貼り合わされている。この貼り
合わせにより、上記積層体５が得られている。
上の誘電体セラミックスよりなり、矩形板状の形状を有
する。第２の誘電体基板４の下面には、凹部４ａが形成
されている。凹部４ａは、第１，第２の励振電極２ｂ，
２ｃで構成される共振部の振動を妨げないために設けら
れている。第１，第２の誘電体基板３，４は、図示しな
い絶縁性接着剤を介して貼り合わされている。この貼り
合わせにより、上記積層体５が得られている。
【００３０】また、積層体５の外表面には、第１〜第３
の外部電極６〜８が形成されている。図１及び図２から
明らかなように、第１〜第３の外部電極６〜８は、積層
体５の下面から積層体５の対向し合っている第１，第２
の側面５ａ，５ｂを経て積層体５の上面、すなわち第２
の誘電体基板４の外側主面４ｂに至るように形成されて
いる。
の外部電極６〜８が形成されている。図１及び図２から
明らかなように、第１〜第３の外部電極６〜８は、積層
体５の下面から積層体５の対向し合っている第１，第２
の側面５ａ，５ｂを経て積層体５の上面、すなわち第２
の誘電体基板４の外側主面４ｂに至るように形成されて
いる。
【００３１】他方、第２の誘電体基板４の外側主面４ｂ
上においては、第１〜第３の外部電極６〜８は、それぞ
れ、分割されて第１，第２の電極部６ａ，６ｂ，７ａ，
７ｂ，８ａ，８ｂを有するように構成されている。例え
ば、第１の外部電極６を例にとり説明すると、第１の外
部電極６は、誘電体基板４の外側主面４ｂ上において、
第１の側面５ａに形成されている外部電極部分に連ねら
れるように設けられている第１の電極部６ａと、第２の
側面５ｂ上に形成されている外部電極部分に連ねられる
ように第１の電極部６ａとは所定の距離を隔てて形成さ
れた第２の電極部６ｂとを有する。
上においては、第１〜第３の外部電極６〜８は、それぞ
れ、分割されて第１，第２の電極部６ａ，６ｂ，７ａ，
７ｂ，８ａ，８ｂを有するように構成されている。例え
ば、第１の外部電極６を例にとり説明すると、第１の外
部電極６は、誘電体基板４の外側主面４ｂ上において、
第１の側面５ａに形成されている外部電極部分に連ねら
れるように設けられている第１の電極部６ａと、第２の
側面５ｂ上に形成されている外部電極部分に連ねられる
ように第１の電極部６ａとは所定の距離を隔てて形成さ
れた第２の電極部６ｂとを有する。
【００３２】第２，第３の外部電極７，８も同様にして
形成された第１，第２の電極部７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂ
を有する。なお、第１の外部電極６は、引出し電極２ｄ
に接続されており、第２の外部電極７は、引出し電極２
ｅに接続されている。従って、外部電極６，７間に励振
電極２ｂ，２ｃを有する共振子が接続されている。外部
電極８は、アース電位に接続される。
形成された第１，第２の電極部７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂ
を有する。なお、第１の外部電極６は、引出し電極２ｄ
に接続されており、第２の外部電極７は、引出し電極２
ｅに接続されている。従って、外部電極６，７間に励振
電極２ｂ，２ｃを有する共振子が接続されている。外部
電極８は、アース電位に接続される。
【００３３】よって、外部電極６〜８を外部と接続する
端子とする３端子型のコンデンサ内蔵型のチップ型圧電
共振子が構成されている。この場合、静電容量は、外部
電極６，７と外部電極８との間で取り出される。
端子とする３端子型のコンデンサ内蔵型のチップ型圧電
共振子が構成されている。この場合、静電容量は、外部
電極６，７と外部電極８との間で取り出される。
【００３４】より詳細には、外部電極６と外部電極８と
の間の誘電体基板３，４による静電容量と、外部電極
７，８間における誘電体基板３，４による静電容量とが
取り出されることになる。
の間の誘電体基板３，４による静電容量と、外部電極
７，８間における誘電体基板３，４による静電容量とが
取り出されることになる。
【００３５】本実施例のチップ型圧電共振子１では、積
層体５の上面すなわち第２の誘電体基板４の外側主面４
ｂにおいて、上記第１，第２の電極部６ａ，６ｂ〜８
ａ，８ｂが形成されているので、電極部６ａ〜８ｂの形
状を変更することにより、上記静電容量を調整すること
ができる。すなわち、チップ型圧電共振子１の発振周波
数を調整するに際しては、図１に示すチップ型圧電共振
子１を得た後に、上記分割電極６ａ〜８ｂの一部を、例
えばレーザを用いてトリミングすることにより削除する
ことにより、容易に調整することができる。従って、圧
電素子２を誘電体基板３，４と積層し、外部電極６〜８
を形成した後に、周波数を調整し得るため、所望とする
周波数範囲のチップ型圧電共振子１を容易にかつ高精度
に得ることができる。
層体５の上面すなわち第２の誘電体基板４の外側主面４
ｂにおいて、上記第１，第２の電極部６ａ，６ｂ〜８
ａ，８ｂが形成されているので、電極部６ａ〜８ｂの形
状を変更することにより、上記静電容量を調整すること
ができる。すなわち、チップ型圧電共振子１の発振周波
数を調整するに際しては、図１に示すチップ型圧電共振
子１を得た後に、上記分割電極６ａ〜８ｂの一部を、例
えばレーザを用いてトリミングすることにより削除する
ことにより、容易に調整することができる。従って、圧
電素子２を誘電体基板３，４と積層し、外部電極６〜８
を形成した後に、周波数を調整し得るため、所望とする
周波数範囲のチップ型圧電共振子１を容易にかつ高精度
に得ることができる。
【００３６】加えて、本実施例では、誘電体基板３を構
成している誘電体セラミックスの比誘電率が誘電体基板
４を構成している誘電体セラミックスの比誘電率に比べ
て大きく、かつ誘電体基板３においては、外部電極６，
７と外部電極８との対向距離が、誘電体基板４側におけ
る相当の対向距離よりも長くされている。従って、取り
出される静電容量は、誘電体基板３側における外部電極
６，７と外部電極８との間で取り出される静電容量に大
きく依存する。
成している誘電体セラミックスの比誘電率が誘電体基板
４を構成している誘電体セラミックスの比誘電率に比べ
て大きく、かつ誘電体基板３においては、外部電極６，
７と外部電極８との対向距離が、誘電体基板４側におけ
る相当の対向距離よりも長くされている。従って、取り
出される静電容量は、誘電体基板３側における外部電極
６，７と外部電極８との間で取り出される静電容量に大
きく依存する。
【００３７】言い換えれば、誘電体基板４側における外
部電極６，７と外部電極８との間で取り出される静電容
量は、誘電体基板３側で取り出される静電容量よりも小
さい。従って、上述した第１，第２の電極部６ａ，６ｂ
〜８ａ，８ｂの少なくとも１つにおいて、その一部を除
去することによって周波数を微妙に調整することができ
る。従って、本実施例のチップ型圧電共振子１では、組
み立て後に周波数を容易に調整し得るだけでなく、内蔵
される静電容量の大きさを微妙に調整することができる
ため、周波数を高精度に調整することが可能となる。
部電極６，７と外部電極８との間で取り出される静電容
量は、誘電体基板３側で取り出される静電容量よりも小
さい。従って、上述した第１，第２の電極部６ａ，６ｂ
〜８ａ，８ｂの少なくとも１つにおいて、その一部を除
去することによって周波数を微妙に調整することができ
る。従って、本実施例のチップ型圧電共振子１では、組
み立て後に周波数を容易に調整し得るだけでなく、内蔵
される静電容量の大きさを微妙に調整することができる
ため、周波数を高精度に調整することが可能となる。
【００３８】なお、誘電体基板４において、比誘電率が
少なくとも２０の誘電体セラミックスを用いるのは、比
誘電率が２０未満の誘電体セラミックスを用いた場合に
は、形成される容量が小さすぎるために周波数調整用と
して実用的でないからである。
少なくとも２０の誘電体セラミックスを用いるのは、比
誘電率が２０未満の誘電体セラミックスを用いた場合に
は、形成される容量が小さすぎるために周波数調整用と
して実用的でないからである。
【００３９】本実施例では、第１，第２の誘電体基板
３，４を構成している誘電体セラミックスの比誘電率を
上記のように異ならせていたが、本発明においては、第
１，第２の誘電体基板３，４の比誘電率は同一であって
もよい。もっとも、第１，第２の電極部６ａ〜８ｂのい
ずれかを加工することにより微妙に周波数調整を行う上
では、上記実施例のように構成することが望ましい。
３，４を構成している誘電体セラミックスの比誘電率を
上記のように異ならせていたが、本発明においては、第
１，第２の誘電体基板３，４の比誘電率は同一であって
もよい。もっとも、第１，第２の電極部６ａ〜８ｂのい
ずれかを加工することにより微妙に周波数調整を行う上
では、上記実施例のように構成することが望ましい。
【００４０】また、上記周波数調整にあたっては、全て
の第１，第２の電極部６ａ，６ｂ〜８ａ，８ｂを加工す
る必要は必ずしもなく、少なくとも１つの電極部のみを
加工することにより周波数調整を行い得る。好ましく
は、外部電極８の両側に構成される静電容量を等しくす
ることが望ましい。従って、第１，第２の電極部８ａ，
８ｂの少なくとも一方を調整する方法、あるいは第１，
第２の電極部６ａ，６ｂの少なくとも一方を加工した場
合には、第１，第２の電極部７ａ，７ｂの対応部分を同
様に加工する方法が望ましい。
の第１，第２の電極部６ａ，６ｂ〜８ａ，８ｂを加工す
る必要は必ずしもなく、少なくとも１つの電極部のみを
加工することにより周波数調整を行い得る。好ましく
は、外部電極８の両側に構成される静電容量を等しくす
ることが望ましい。従って、第１，第２の電極部８ａ，
８ｂの少なくとも一方を調整する方法、あるいは第１，
第２の電極部６ａ，６ｂの少なくとも一方を加工した場
合には、第１，第２の電極部７ａ，７ｂの対応部分を同
様に加工する方法が望ましい。
【００４１】また、上記実施例では、第１，第２の電極
部６ａ〜８ｂは、全て矩形形状を有し、かつ同一形状と
されていたが、第１，第２の電極部の形状については、
適宜変形することができる。このような第１，第２の電
極部の形状の変形例を図３〜図５に示す。
部６ａ〜８ｂは、全て矩形形状を有し、かつ同一形状と
されていたが、第１，第２の電極部の形状については、
適宜変形することができる。このような第１，第２の電
極部の形状の変形例を図３〜図５に示す。
【００４２】図３に示すチップ型圧電共振子１１では、
第１，第２の外部電極１６，１７の第１，第２の電極部
１６ａ，１６ｂ及び１７ａ，１７ｂが、それぞれ、第
１，第２の電極部１８ａ，１８ｂ側に向かう端縁に形成
された凹部１２を有する。このような凹部１２を設ける
ことにより、凹部の周囲に、相対的に残りの部分よりも
幅の狭い細幅部が形成されている。例えば、外部電極１
６の第１の電極部１６ａを例にとると、凹部１２の形成
により、凹部１２の両側に細幅部１６ａ1 ，１６ａ2 が
形成されている。よって、この細幅部１６ａ1 ，１６ａ
2 のいずれか一方を削除するように加工することによ
り、あるいは双方を削除するように加工することによ
り、静電容量をより一層微妙にかつ容易に調整すること
ができる。
第１，第２の外部電極１６，１７の第１，第２の電極部
１６ａ，１６ｂ及び１７ａ，１７ｂが、それぞれ、第
１，第２の電極部１８ａ，１８ｂ側に向かう端縁に形成
された凹部１２を有する。このような凹部１２を設ける
ことにより、凹部の周囲に、相対的に残りの部分よりも
幅の狭い細幅部が形成されている。例えば、外部電極１
６の第１の電極部１６ａを例にとると、凹部１２の形成
により、凹部１２の両側に細幅部１６ａ1 ，１６ａ2 が
形成されている。よって、この細幅部１６ａ1 ，１６ａ
2 のいずれか一方を削除するように加工することによ
り、あるいは双方を削除するように加工することによ
り、静電容量をより一層微妙にかつ容易に調整すること
ができる。
【００４３】また、図４に示すチップ型圧電共振子２１
では、第１，第２の電極部２６ａ，２６ｂ，２７ａ，２
７ｂが略Ｌ字状とされている。従って、略Ｌ字状とされ
ている第１，第２の電極部２６ａ〜２７ｂにおいて、部
分的な電極削除を容易に行うことができるので、同様に
静電容量を容易にかつ微妙に調整することができる。
では、第１，第２の電極部２６ａ，２６ｂ，２７ａ，２
７ｂが略Ｌ字状とされている。従って、略Ｌ字状とされ
ている第１，第２の電極部２６ａ〜２７ｂにおいて、部
分的な電極削除を容易に行うことができるので、同様に
静電容量を容易にかつ微妙に調整することができる。
【００４４】図５に示すチップ型圧電共振子３１では、
第３の外部電極３８に設けられている第１，第２の電極
部３８ａ，３８ｂが略Ｔ字状とされているため、同様に
第１，第２の電極部３８ａ，３８ｂの一部を容易に削除
することができ、かつ微妙に静電容量を調整することが
できる。
第３の外部電極３８に設けられている第１，第２の電極
部３８ａ，３８ｂが略Ｔ字状とされているため、同様に
第１，第２の電極部３８ａ，３８ｂの一部を容易に削除
することができ、かつ微妙に静電容量を調整することが
できる。
【００４５】なお、上記静電容量の調整に際しての第
１，第２の電極部の削除は、目的とする周波数に応じて
行われるが、極端な場合、図６に示すように、第１，第
２の電極部の全てを削除するようにして周波数調整を行
ってもよい。
１，第２の電極部の削除は、目的とする周波数に応じて
行われるが、極端な場合、図６に示すように、第１，第
２の電極部の全てを削除するようにして周波数調整を行
ってもよい。
【００４６】なお、上記チップ型圧電共振子１，１１，
２１，３１では、第１〜第３の外部電極の全てにおい
て、第１，第２の電極部を形成したが、本発明において
は、複数の外部電極のうち、少なくとも１つの外部電極
において、上記のような第１，第２の電極部を有するよ
うに誘電体基板４の外側主面において外部電極を分割し
てさえおれば、該第１，第２の電極部の少なくとも一方
を部分的に削除することにより、周波数を微妙に調整す
ることができる。
２１，３１では、第１〜第３の外部電極の全てにおい
て、第１，第２の電極部を形成したが、本発明において
は、複数の外部電極のうち、少なくとも１つの外部電極
において、上記のような第１，第２の電極部を有するよ
うに誘電体基板４の外側主面において外部電極を分割し
てさえおれば、該第１，第２の電極部の少なくとも一方
を部分的に削除することにより、周波数を微妙に調整す
ることができる。
【００４７】もっとも、好ましくは、第１〜第３の外部
電極６〜８を有するチップ型圧電共振子１においては、
第３の外部電極８の両側に構成される静電容量を等しく
するためには、図１に想像線Ａ，Ｂで示すように、第３
の外部電極８が第１，第２の電極部８ａ，８ｂを有する
ように分割されており、第１，第２の外部電極６，７
は、分割電極６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂを有しないように
誘電体基板４の外側主面４ａ上において連ねられていて
もよい。この場合には、第３の外部電極８の第１，第２
の電極部８ａ，８ｂの少なくとも一方を部分的に削除し
て周波数調整を行った場合、外部電極８の両側に構成さ
れる静電容量が確実に等しくされる。
電極６〜８を有するチップ型圧電共振子１においては、
第３の外部電極８の両側に構成される静電容量を等しく
するためには、図１に想像線Ａ，Ｂで示すように、第３
の外部電極８が第１，第２の電極部８ａ，８ｂを有する
ように分割されており、第１，第２の外部電極６，７
は、分割電極６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂを有しないように
誘電体基板４の外側主面４ａ上において連ねられていて
もよい。この場合には、第３の外部電極８の第１，第２
の電極部８ａ，８ｂの少なくとも一方を部分的に削除し
て周波数調整を行った場合、外部電極８の両側に構成さ
れる静電容量が確実に等しくされる。
【００４８】あるいは、第３の外部電極８を第１，第２
の電極部８ａ，８ｂを有しないように外側主面４ｂ上に
おいて連ねておき、第１，第２の外部電極６，７を図１
に示したように構成してもよい。この場合には、第１，
第２の外部電極６，７の第１，第２の電極部６ａ〜７ｂ
のいずれかを部分的に削除する場合、第１の外部電極６
側における削除と同様に第２の外部電極７側における削
除を行うことが好ましい。
の電極部８ａ，８ｂを有しないように外側主面４ｂ上に
おいて連ねておき、第１，第２の外部電極６，７を図１
に示したように構成してもよい。この場合には、第１，
第２の外部電極６，７の第１，第２の電極部６ａ〜７ｂ
のいずれかを部分的に削除する場合、第１の外部電極６
側における削除と同様に第２の外部電極７側における削
除を行うことが好ましい。
【００４９】
【発明の効果】請求項１に記載の発明に係るチップ型圧
電共振子では、圧電素子に第１，第２の誘電体基板が積
層されて積層体が構成されており、該積層体に形成され
た複数の外部電極が、第１の誘電体基板の外側主面から
積層体の対向し合っている第１，第２の側面を経て第２
の誘電体基板の外側主面に至るように形成されており、
さらに少なくとも１つの外部電極が第２の誘電体基板の
外側主面上において第１の側面に形成された外部電極部
分と接続された第１の電極部と、第２の側面に形成され
ている外部電極部分と接続された第２の電極部とに分割
されているので、該第１，第２の電極部の少なくとも一
方を部分的に削除することにより、静電容量を調整する
ことができる。
電共振子では、圧電素子に第１，第２の誘電体基板が積
層されて積層体が構成されており、該積層体に形成され
た複数の外部電極が、第１の誘電体基板の外側主面から
積層体の対向し合っている第１，第２の側面を経て第２
の誘電体基板の外側主面に至るように形成されており、
さらに少なくとも１つの外部電極が第２の誘電体基板の
外側主面上において第１の側面に形成された外部電極部
分と接続された第１の電極部と、第２の側面に形成され
ている外部電極部分と接続された第２の電極部とに分割
されているので、該第１，第２の電極部の少なくとも一
方を部分的に削除することにより、静電容量を調整する
ことができる。
【００５０】この場合、第１，第２の電極部は、第２の
誘電体基板の外側主面に形成されているので、静電容量
の調整に際しての電極の部分的な削除を伴う加工は、チ
ップ型圧電共振子を組み立てた後に行うことが可能であ
る。しかも、第１の誘電体基板の外側主面では、周波数
調整に際して外部電極を加工する必要はない。従って、
第１の誘電体基板の外側主面を実装面とした場合、実装
面上の外部電極構造を変化させることなく、上記第１，
第２の電極部の少なくとも一方を部分的に削除すること
により容量調整、ひいては周波数調整を行うことができ
る。
誘電体基板の外側主面に形成されているので、静電容量
の調整に際しての電極の部分的な削除を伴う加工は、チ
ップ型圧電共振子を組み立てた後に行うことが可能であ
る。しかも、第１の誘電体基板の外側主面では、周波数
調整に際して外部電極を加工する必要はない。従って、
第１の誘電体基板の外側主面を実装面とした場合、実装
面上の外部電極構造を変化させることなく、上記第１，
第２の電極部の少なくとも一方を部分的に削除すること
により容量調整、ひいては周波数調整を行うことができ
る。
【００５１】しかも、第１，第２の電極部は、上記のよ
うに第２の誘電体基板の外側主面に部分的に形成されて
いるものであるため、第１，第２の電極部を部分的に削
除することにより静電容量、ひいては周波数を微妙に調
整することができる。
うに第２の誘電体基板の外側主面に部分的に形成されて
いるものであるため、第１，第２の電極部を部分的に削
除することにより静電容量、ひいては周波数を微妙に調
整することができる。
【００５２】よって、請求項１に記載の発明によれば、
コンデンサ内蔵型のチップ型圧電共振子において、圧電
素子の励振電極の対称性に影響を与えることなく、すな
わち該励振電極の非対称性に起因するスプリアスを増大
させることなく、圧電素子と誘電体基板とを積層した後
に、周波数を微妙にかつ容易に調整することが可能とな
る。よって、コンデンサ内蔵型のチップ型圧電共振子の
良品率を高めることができ、チップ型圧電共振子のコス
トの低減にも寄与する。
コンデンサ内蔵型のチップ型圧電共振子において、圧電
素子の励振電極の対称性に影響を与えることなく、すな
わち該励振電極の非対称性に起因するスプリアスを増大
させることなく、圧電素子と誘電体基板とを積層した後
に、周波数を微妙にかつ容易に調整することが可能とな
る。よって、コンデンサ内蔵型のチップ型圧電共振子の
良品率を高めることができ、チップ型圧電共振子のコス
トの低減にも寄与する。
【００５３】請求項２に記載の発明では、第１の誘電体
基板が、第２の誘電体基板に比べて比誘電率が大きい材
料により構成されているので、第１，第２の電極部が構
成されている第２の誘電体基板による静電容量が相対的
に小さいため、第１，第２の電極部の少なくとも一方を
部分的に削除することにより、静電容量をより一層微妙
に調整することができる。従って、より高精度に周波数
を調整することが可能となる。
基板が、第２の誘電体基板に比べて比誘電率が大きい材
料により構成されているので、第１，第２の電極部が構
成されている第２の誘電体基板による静電容量が相対的
に小さいため、第１，第２の電極部の少なくとも一方を
部分的に削除することにより、静電容量をより一層微妙
に調整することができる。従って、より高精度に周波数
を調整することが可能となる。
【００５４】請求項３に記載の発明では、第２の誘電体
基板の外側主面で分割されて形成された第１，第２の電
極部が、残りの部分よりも幅の細い細幅部を有するた
め、該細幅部を加工することにより、より一層微妙に静
電容量、ひいては周波数を調整することが可能となる。
基板の外側主面で分割されて形成された第１，第２の電
極部が、残りの部分よりも幅の細い細幅部を有するた
め、該細幅部を加工することにより、より一層微妙に静
電容量、ひいては周波数を調整することが可能となる。
【００５５】請求項４に記載の発明では、複数の外部電
極が、第１，第２の引出し電極にそれぞれ接続された第
１，第２の外部電極と、接地電位に接続される第３の外
部電極とを備えるので、３端子型のコンデンサ内蔵型圧
電発振子を提供することができ、しかも本発明に従っ
て、発振周波数を微妙にかつ高精度に調整することが可
能となる。
極が、第１，第２の引出し電極にそれぞれ接続された第
１，第２の外部電極と、接地電位に接続される第３の外
部電極とを備えるので、３端子型のコンデンサ内蔵型圧
電発振子を提供することができ、しかも本発明に従っ
て、発振周波数を微妙にかつ高精度に調整することが可
能となる。
【００５６】請求項５に記載の発明では、３端子型のコ
ンデンサ内蔵型圧電発振子において、第１，第２の外部
電極が、第２の誘電体基板の外側主面で分割されて構成
された第１の電極部を有するように構成されているの
で、第１，第２の外部電極における第１，第２の電極部
の少なくとも一方を部分的に削除することにより、周波
数調整を容易にかつ高精度に行い得る。
ンデンサ内蔵型圧電発振子において、第１，第２の外部
電極が、第２の誘電体基板の外側主面で分割されて構成
された第１の電極部を有するように構成されているの
で、第１，第２の外部電極における第１，第２の電極部
の少なくとも一方を部分的に削除することにより、周波
数調整を容易にかつ高精度に行い得る。
【００５７】請求項６に記載の発明では、３端子型のコ
ンデンサ内蔵型圧電発振子を構成した場合に、第３の外
部電極が第２の誘電体基板の外側主面において分割され
た第１，第２の電極部を有し、他方、第１，第２の外部
電極については第１，第２の電極部を有するように分割
されていないので、第３の外部電極における第１，第２
の電極部の少なくとも一方を部分的に削除することによ
り、微妙にかつ高精度に静電容量、ひいては周波数を調
整することができるだけでなく、第３の外部電極の両側
で取得される静電容量を等しくすることができる。
ンデンサ内蔵型圧電発振子を構成した場合に、第３の外
部電極が第２の誘電体基板の外側主面において分割され
た第１，第２の電極部を有し、他方、第１，第２の外部
電極については第１，第２の電極部を有するように分割
されていないので、第３の外部電極における第１，第２
の電極部の少なくとも一方を部分的に削除することによ
り、微妙にかつ高精度に静電容量、ひいては周波数を調
整することができるだけでなく、第３の外部電極の両側
で取得される静電容量を等しくすることができる。
【００５８】請求項７に記載の発明に係るチップ型圧電
共振子の周波数調整方法では、本発明に係るチップ型圧
電共振子を用い、第１，第２の電極部の少なくとも一方
を部分的に削除することにより、内蔵される静電容量を
微妙にかつ容易に調整することができるので、共振周波
数を微妙にかつ高精度に調整することができる。しか
も、チップ型圧電共振子の組み立て後に周波数を調整し
得るので、チップ型圧電共振子の歩留りを改善すること
ができ、チップ型圧電共振子のコストを低減することが
可能となる。
共振子の周波数調整方法では、本発明に係るチップ型圧
電共振子を用い、第１，第２の電極部の少なくとも一方
を部分的に削除することにより、内蔵される静電容量を
微妙にかつ容易に調整することができるので、共振周波
数を微妙にかつ高精度に調整することができる。しか
も、チップ型圧電共振子の組み立て後に周波数を調整し
得るので、チップ型圧電共振子の歩留りを改善すること
ができ、チップ型圧電共振子のコストを低減することが
可能となる。
【図１】本発明の一実施例に係るチップ型圧電共振子を
示す斜視図。
示す斜視図。
【図２】図１に示した実施例のチップ型圧電共振子の分
解斜視図。
解斜視図。
【図３】図１に示した実施例のチップ型圧電共振子の第
１の変形例を示す斜視図。
１の変形例を示す斜視図。
【図４】図１に示した実施例のチップ型圧電共振子の第
２の変形例を示す斜視図。
２の変形例を示す斜視図。
【図５】図１に示した実施例のチップ型圧電共振子の第
３の変形例を示す斜視図。
３の変形例を示す斜視図。
【図６】図１に示したチップ型圧電共振子において、第
１，第２の電極部を全て削除して周波数を調整した場合
のチップ型圧電共振子の外観形状を説明するための斜視
図。
１，第２の電極部を全て削除して周波数を調整した場合
のチップ型圧電共振子の外観形状を説明するための斜視
図。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は、従来のチップ型圧電共振
子の一例を示す斜視図及び縦断面図。
子の一例を示す斜視図及び縦断面図。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ、従来のチップ
型圧電共振子の他の例を示す斜視図及び分解斜視図。
型圧電共振子の他の例を示す斜視図及び分解斜視図。
１…チップ型圧電共振子 ２…圧電素子 ２ａ…圧電板 ２ｂ，２ｃ…第１，第２の励振電極 ２ｄ，２ｅ…第１，第２の引出し電極 ３…第１の誘電体基板 ４…第２の誘電体基板 ４ｂ…第２の誘電体基板の外側主面 ５…積層体 ６…第１の外部電極 ７…第２の外部電極 ８…第３の外部電極 ６ａ，６ｂ〜８ａ，８ｂ…第１，第２の電極部 １１…チップ型圧電共振子 １２…凹部 １６…第１の外部電極 １６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂ…第１，第２の電極部 １６ａ1 ，１６ａ2 …細幅部 ２１…チップ型圧電共振子 ２６，２７…第１，第２の外部電極 ２６ａ，２６ｂ，２７ａ，２７ｂ…第１，第２の電極部 ３１…チップ型圧電共振子 ３８…第３の外部電極 ３８ａ，３８ｂ…第１，第２の電極部
Claims (7)
- 【請求項１】 圧電板と、圧電板を介して表裏対向する
ように形成された第１，第２の励振電極と、第１，第２
の励振電極にそれぞれ接続されており、かつ圧電板の外
縁まで延ばされた第１，第２の引出し電極とを有する圧
電素子と、 前記圧電素子を挟持するように圧電素子に積層されて積
層体を構成している第１，第２の誘電体基板と、 第１の誘電体基板の外側主面から積層体の対向し合って
いる第１，第２の側面を経て第２の誘電体基板の外側主
面に至るように形成された複数の外部電極とを備え、 前記圧電素子の第１，第２の引出し電極がいずれかの外
部電極に接続されており、かつ複数の外部電極のうち、
少なくとも１つの外部電極が第２の誘電体基板の外側主
面上において第１の側面に形成された外部電極部分に接
続された第１の電極部と、第２の側面に形成されている
外部電極部分に接続された第２の電極部とに分割されて
いることを特徴とする、コンデンサ内蔵型のチップ型圧
電共振子。 - 【請求項２】 第１の誘電体基板を構成している誘電体
材料の比誘電率が、第２の誘電体基板を構成している誘
電体材料の比誘電率よりも高くされている、請求項１に
記載のチップ型圧電共振子。 - 【請求項３】 前記第１，第２の電極部が、残りの部分
よりも幅の狭い細幅部を有する、請求項１または２に記
載のチップ型圧電共振子。 - 【請求項４】 複数の外部電極が、第１，第２の引出し
電極にそれぞれ接続された第１，第２の外部電極と、接
地電位に接続される第３の外部電極とを備える、請求項
１〜３のいずれかに記載のチップ型圧電共振子。 - 【請求項５】 前記第１，第２の外部電極が、第１，第
２の電極部を有するように構成されている、請求項４に
記載のチップ型圧電共振子。 - 【請求項６】 前記第３の外部電極が、第１，第２の電
極部を有するように構成されており、第１，第２の外部
電極は、第１，第２の電極部を有するように分割されて
おらず、第２の誘電体基板の外側主面において前記第１
の側面側から第２の側面側に向かって連なるように形成
されている、請求項４に記載のチップ型圧電共振子。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載のチップ
型圧電共振子の周波数調整方法であって、第２の誘電体
基板の外側主面上において分割されて構成された前記第
１，第２の電極部の少なくとも一方を部分的に削除する
ことにより共振周波数を調整することを特徴とする、チ
ップ型圧電共振子の周波数調整方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10153240A JPH11346138A (ja) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | チップ型圧電共振子及び該チップ型圧電共振子の周波数調整方法 |
| TW088107138A TW466827B (en) | 1998-06-02 | 1999-05-03 | Chip-type piezoelectric resonator and method for adjusting resonance frequency thereof |
| US09/310,237 US6215229B1 (en) | 1998-06-02 | 1999-05-12 | Chip-type piezoelectric resonator and method for adjusting resonance frequency thereof |
| DE19923476A DE19923476C2 (de) | 1998-06-02 | 1999-05-21 | Chipförmiger piezoelektrischer Resonator und Verfahren zum Einstellen seiner Resonanzfrequenz |
| CN99107106A CN1132308C (zh) | 1998-06-02 | 1999-05-27 | 片型压电谐振器和调节其谐振频率的方法 |
| KR1019990020208A KR100303434B1 (ko) | 1998-06-02 | 1999-06-02 | 칩형 압전 공진자 및 그의 공진 주파수 조정 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10153240A JPH11346138A (ja) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | チップ型圧電共振子及び該チップ型圧電共振子の周波数調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11346138A true JPH11346138A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=15558130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10153240A Pending JPH11346138A (ja) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | チップ型圧電共振子及び該チップ型圧電共振子の周波数調整方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6215229B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11346138A (ja) |
| KR (1) | KR100303434B1 (ja) |
| CN (1) | CN1132308C (ja) |
| DE (1) | DE19923476C2 (ja) |
| TW (1) | TW466827B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR20020075814A (ko) * | 2001-03-24 | 2002-10-07 | 주식회사 코아텍 | 콘덴서 내장 표면실장형 압전 부품 |
| JP2006074289A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電振動子の周波数調整方法 |
| JP4993204B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2012-08-08 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動子及びその製造方法 |
| US8471439B2 (en) | 2009-12-14 | 2013-06-25 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Active piezoelectric energy harvester with embedded variable capacitance layer and method of manufacturing the same |
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| JP2001102893A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-13 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型電子部品及びチップ型電子部品の実装構造 |
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| JP3438689B2 (ja) * | 1999-12-20 | 2003-08-18 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子及び圧電発振子 |
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| US6842148B2 (en) | 2001-04-16 | 2005-01-11 | Skycross, Inc. | Fabrication method and apparatus for antenna structures in wireless communications devices |
| KR20030005743A (ko) * | 2001-07-10 | 2003-01-23 | 삼성전기주식회사 | 어레이형 칩부품의 제조방법 |
| US6741212B2 (en) | 2001-09-14 | 2004-05-25 | Skycross, Inc. | Low profile dielectrically loaded meanderline antenna |
| US6597321B2 (en) | 2001-11-08 | 2003-07-22 | Skycross, Inc. | Adaptive variable impedance transmission line loaded antenna |
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| TWI281782B (en) | 2002-12-25 | 2007-05-21 | Quanta Comp Inc | Portable wireless device |
| JP3783235B2 (ja) | 2003-06-16 | 2006-06-07 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電発振器とその製造方法ならびに圧電発振器を利用した携帯電話装置および圧電発振器を利用した電子機器 |
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| CN101160719B (zh) * | 2005-04-27 | 2010-12-08 | 京瓷株式会社 | 压电部件及其制造方法 |
| KR20130058956A (ko) * | 2011-11-28 | 2013-06-05 | 삼성전기주식회사 | 초음파 센서 및 이의 제조방법 |
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| CN115632628B (zh) * | 2022-09-30 | 2024-05-24 | 锐石创芯(重庆)科技有限公司 | 滤波器结构及其制作方法、滤波器芯片及电子设备 |
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- 1999-05-21 DE DE19923476A patent/DE19923476C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-05-27 CN CN99107106A patent/CN1132308C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-06-02 KR KR1019990020208A patent/KR100303434B1/ko not_active Expired - Fee Related
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| US6215229B1 (en) | 2001-04-10 |
| DE19923476A1 (de) | 1999-12-16 |
| TW466827B (en) | 2001-12-01 |
| KR100303434B1 (ko) | 2001-10-29 |
| CN1132308C (zh) | 2003-12-24 |
| KR20000005837A (ko) | 2000-01-25 |
| CN1237829A (zh) | 1999-12-08 |
| DE19923476C2 (de) | 2001-09-20 |
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