JPH11347925A - 基板受渡し装置 - Google Patents
基板受渡し装置Info
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- JPH11347925A JPH11347925A JP17811998A JP17811998A JPH11347925A JP H11347925 A JPH11347925 A JP H11347925A JP 17811998 A JP17811998 A JP 17811998A JP 17811998 A JP17811998 A JP 17811998A JP H11347925 A JPH11347925 A JP H11347925A
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Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 トップリングの上面側に水が達することがな
く、かつ水が回転軸とトップリングを揺動自在に連結す
るカップリング内に侵入することがない基板受渡し装置
を提供する。 【解決手段】 ポリッシング対象物である基板Ｗを保持
するためのトップリング１２との間で基板Ｗの受渡しを
行う受渡し機構と、この受け渡し機構の上方に位置する
トップリング１２に向けて水を噴射する噴射ノズル４４
ａ，４４ｂとを備えた基板受渡し装置において、前記受
渡し機構上方位置に傘状の水滴拡散板５３を設け、トッ
プリング１２が受渡し機構上方に位置した際にトップリ
ング１２を覆うようにした。
く、かつ水が回転軸とトップリングを揺動自在に連結す
るカップリング内に侵入することがない基板受渡し装置
を提供する。 【解決手段】 ポリッシング対象物である基板Ｗを保持
するためのトップリング１２との間で基板Ｗの受渡しを
行う受渡し機構と、この受け渡し機構の上方に位置する
トップリング１２に向けて水を噴射する噴射ノズル４４
ａ，４４ｂとを備えた基板受渡し装置において、前記受
渡し機構上方位置に傘状の水滴拡散板５３を設け、トッ
プリング１２が受渡し機構上方に位置した際にトップリ
ング１２を覆うようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板にポリッシン
グ処理を施す際にポリッシング処理前後の基板の受渡し
を行う基板受渡し装置に関する。
グ処理を施す際にポリッシング処理前後の基板の受渡し
を行う基板受渡し装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハにあっては、この表面を平
坦且つ鏡面化するため、ポリッシング処理を施すことが
広く行われている。この種のポリッシング装置（研磨装
置）としては、各々独立した回転数で回転するターンテ
ーブルとトップリングとを有し、トップリングが保持し
た半導体ウエハの表面をターンテーブル上に設けた研磨
面に接触させ砥液を供給しながらこれを研磨するように
したものが一般に知られている。
坦且つ鏡面化するため、ポリッシング処理を施すことが
広く行われている。この種のポリッシング装置（研磨装
置）としては、各々独立した回転数で回転するターンテ
ーブルとトップリングとを有し、トップリングが保持し
た半導体ウエハの表面をターンテーブル上に設けた研磨
面に接触させ砥液を供給しながらこれを研磨するように
したものが一般に知られている。
【０００３】ここに、前記トップリングへの半導体ウエ
ハの受渡しを行うため、つまり研磨前の半導体ウエハを
トップリングに渡したり、研磨後の半導体ウエハをトッ
プリングから受け取るため、前記ターンテーブルに隣接
して、上下動自在なプッシャを有する基板受渡し装置が
備えられている。
ハの受渡しを行うため、つまり研磨前の半導体ウエハを
トップリングに渡したり、研磨後の半導体ウエハをトッ
プリングから受け取るため、前記ターンテーブルに隣接
して、上下動自在なプッシャを有する基板受渡し装置が
備えられている。
【０００４】ところで、研磨後の半導体ウエハには砥液
や研磨粉等が付着しており、また研磨後のトップリング
にも半導体ウエハを保持することによる汚れや砥液等が
付着する。しかも、トップリングの下面のバッキング材
に濡れ性を持たせて、半導体ウエハの保持性を良好にす
る必要がある。
や研磨粉等が付着しており、また研磨後のトップリング
にも半導体ウエハを保持することによる汚れや砥液等が
付着する。しかも、トップリングの下面のバッキング材
に濡れ性を持たせて、半導体ウエハの保持性を良好にす
る必要がある。
【０００５】このため、従来、前記プッシャの側方に噴
射ノズルを配置し、研磨後の半導体ウエハをプッシャに
渡した直後のトップリングの下面（半導体ウエハ保持
面）及び側面に向けて、前記噴射ノズルから水を噴射
し、これによって、トップリングの下面及び該下面の周
縁部に取付けられたガイドリングの洗浄及びトップリン
グ下面のバッキング材への水分付与を行うようにしてい
た。
射ノズルを配置し、研磨後の半導体ウエハをプッシャに
渡した直後のトップリングの下面（半導体ウエハ保持
面）及び側面に向けて、前記噴射ノズルから水を噴射
し、これによって、トップリングの下面及び該下面の周
縁部に取付けられたガイドリングの洗浄及びトップリン
グ下面のバッキング材への水分付与を行うようにしてい
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例にあっては、噴射ノズルの角度が急になるにつれ
て、この噴射ノズルから噴射された水がトップリングの
上面側に達し、このトップリングの上面側に達した水が
トップリング回転軸等を伝わって該回転軸とトップリン
グを揺動自在に連結するカップリング内に侵入してしま
う。そして、カップリング内に水分が混入すると、この
内部のグリース等が溶解・劣化して、カップリングのか
じりに繋がってしまうだけでなく、グリースが溶解した
水でトップリングに保持されているウエハを汚染すると
いう問題があった。
来例にあっては、噴射ノズルの角度が急になるにつれ
て、この噴射ノズルから噴射された水がトップリングの
上面側に達し、このトップリングの上面側に達した水が
トップリング回転軸等を伝わって該回転軸とトップリン
グを揺動自在に連結するカップリング内に侵入してしま
う。そして、カップリング内に水分が混入すると、この
内部のグリース等が溶解・劣化して、カップリングのか
じりに繋がってしまうだけでなく、グリースが溶解した
水でトップリングに保持されているウエハを汚染すると
いう問題があった。
【０００７】本発明は上述した事情に鑑み、トップリン
グの上面側に水が達することがなく、かつ水が回転軸と
トップリングを揺動自在に連結するカップリング内に侵
入することがなく、グリース等が溶解した水でウエハや
トップリング部品などの汚染を防止する基板受渡し装置
を提供することを目的とする。
グの上面側に水が達することがなく、かつ水が回転軸と
トップリングを揺動自在に連結するカップリング内に侵
入することがなく、グリース等が溶解した水でウエハや
トップリング部品などの汚染を防止する基板受渡し装置
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の基板受渡し装置の１態様は、ポリッシング
対象物である基板を保持するためのトップリングとの間
で基板の受渡しを行う受渡し機構と、この受渡し機構の
上方に位置するトップリングに向けて水を噴射する噴射
ノズルとを備えた基板受渡し装置において、前記受渡し
機構上方位置に傘状の水滴拡散板を設け、前記トップリ
ングが受渡し機構上方に位置した際に前記トップリング
を覆うようにしたことを特徴とする。
め、本発明の基板受渡し装置の１態様は、ポリッシング
対象物である基板を保持するためのトップリングとの間
で基板の受渡しを行う受渡し機構と、この受渡し機構の
上方に位置するトップリングに向けて水を噴射する噴射
ノズルとを備えた基板受渡し装置において、前記受渡し
機構上方位置に傘状の水滴拡散板を設け、前記トップリ
ングが受渡し機構上方に位置した際に前記トップリング
を覆うようにしたことを特徴とする。
【０００９】本発明の基板受渡し装置の他の態様は、ポ
リッシング対象物である基板を保持するためのトップリ
ングとの間で基板の受渡しを行う受渡し機構と、この受
渡し機構の上方に位置するトップリングに向けて水を噴
射する噴射ノズルとを備えた基板受渡し装置において、
前記トップリング上方に傘状の水滴拡散板を設け、トッ
プリングを覆うようにしたことを特徴とする。
リッシング対象物である基板を保持するためのトップリ
ングとの間で基板の受渡しを行う受渡し機構と、この受
渡し機構の上方に位置するトップリングに向けて水を噴
射する噴射ノズルとを備えた基板受渡し装置において、
前記トップリング上方に傘状の水滴拡散板を設け、トッ
プリングを覆うようにしたことを特徴とする。
【００１０】本発明によれば、噴射ノズルから噴射され
てトップリングの洗浄及びバッキング材の水分付与に使
用される水がトップリングの上方に達しても、この水
は、水滴拡散板に付着し徐々に水滴となって該水滴拡散
板に沿って流れ、水滴拡散板の周縁部から滴下する。こ
れによって、トップリングの上面に水が垂れるのを防止
することができる。
てトップリングの洗浄及びバッキング材の水分付与に使
用される水がトップリングの上方に達しても、この水
は、水滴拡散板に付着し徐々に水滴となって該水滴拡散
板に沿って流れ、水滴拡散板の周縁部から滴下する。こ
れによって、トップリングの上面に水が垂れるのを防止
することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。先ず、本発明に係る基板受渡し装
置を備えたポリッシング装置の全体の構成について、図
３を参照して説明する。同図は、ポリッシング装置及び
その横に設置される搬送・洗浄装置を示す概略平面図で
ある。
に基づいて説明する。先ず、本発明に係る基板受渡し装
置を備えたポリッシング装置の全体の構成について、図
３を参照して説明する。同図は、ポリッシング装置及び
その横に設置される搬送・洗浄装置を示す概略平面図で
ある。
【００１２】同図に示すように、ポリッシング装置１０
は、ターンテーブル１１の両側に、トップリング１２を
取付けたポリッシングユニット１３と、ドレッシングツ
ール１４を取付けたドレッシングユニット１５を配置
し、更にポリッシングユニット１３の横にプッシャ１６
を備えた基板受渡し装置１７を配置して構成されてい
る。プッシャ１６は受渡し機構を構成している。
は、ターンテーブル１１の両側に、トップリング１２を
取付けたポリッシングユニット１３と、ドレッシングツ
ール１４を取付けたドレッシングユニット１５を配置
し、更にポリッシングユニット１３の横にプッシャ１６
を備えた基板受渡し装置１７を配置して構成されてい
る。プッシャ１６は受渡し機構を構成している。
【００１３】一方、搬送・洗浄装置２０は、その内部
に、矢印Ｃ方向に移動可能な２台の基板搬送ロボット２
１ａ，２１ｂと、１次・２次洗浄機２２ａ，２２ｂと、
スピン乾燥機（または洗浄機能付きスピン乾燥機）２３
と、２つの基板反転機２４ａ，２４ｂを設置して構成さ
れている。
に、矢印Ｃ方向に移動可能な２台の基板搬送ロボット２
１ａ，２１ｂと、１次・２次洗浄機２２ａ，２２ｂと、
スピン乾燥機（または洗浄機能付きスピン乾燥機）２３
と、２つの基板反転機２４ａ，２４ｂを設置して構成さ
れている。
【００１４】次に、上記構成における動作について説明
する。研磨前の半導体ウエハ（基板）を収納したカセッ
ト２５が図３に示す位置にセットされると、１枚の半導
体ウエハが該カセット２５から基板搬送ロボット２１ａ
により取出され基板反転機２４ａに受渡されて反転され
た後、基板搬送ロボット２１ｂによりプッシャ１６上に
載置される。次に、ポリッシングユニット１３のトップ
リング１２が一点鎖線で示すように揺動し、プッシャ１
６上の真上に移動する。そして、プッシャ１６上の半導
体ウエハは、上方に押上げられてトップリング１２の下
面に接近し、真空吸着によって該トップリング１２に吸
着保持される。
する。研磨前の半導体ウエハ（基板）を収納したカセッ
ト２５が図３に示す位置にセットされると、１枚の半導
体ウエハが該カセット２５から基板搬送ロボット２１ａ
により取出され基板反転機２４ａに受渡されて反転され
た後、基板搬送ロボット２１ｂによりプッシャ１６上に
載置される。次に、ポリッシングユニット１３のトップ
リング１２が一点鎖線で示すように揺動し、プッシャ１
６上の真上に移動する。そして、プッシャ１６上の半導
体ウエハは、上方に押上げられてトップリング１２の下
面に接近し、真空吸着によって該トップリング１２に吸
着保持される。
【００１５】この状態で、半導体ウエハをターンテーブ
ル１１の表面の研磨面（研磨クロスからなる）に圧接さ
せつつ、同時にターンテーブル１１とトップリング１２
を各々独立に回転させることによって、半導体ウエハの
表面を研磨する。その後、トップリング１２をプッシャ
１６の真上に戻し、半導体ウエハの真空吸着を解除する
ことで、研磨後の半導体ウエハをプッシャ１６上に渡
す。
ル１１の表面の研磨面（研磨クロスからなる）に圧接さ
せつつ、同時にターンテーブル１１とトップリング１２
を各々独立に回転させることによって、半導体ウエハの
表面を研磨する。その後、トップリング１２をプッシャ
１６の真上に戻し、半導体ウエハの真空吸着を解除する
ことで、研磨後の半導体ウエハをプッシャ１６上に渡
す。
【００１６】そして、プッシャ１６上の研磨後の半導体
ウエハは、基板搬送ロボット２１ｂによって基板反転機
２４ｂに受渡されて反転された後に、１次・２次洗浄機
２２ａ，２２ｂで洗浄され、スピン乾燥機２３でスピン
乾燥されて、カセット２５に戻される。
ウエハは、基板搬送ロボット２１ｂによって基板反転機
２４ｂに受渡されて反転された後に、１次・２次洗浄機
２２ａ，２２ｂで洗浄され、スピン乾燥機２３でスピン
乾燥されて、カセット２５に戻される。
【００１７】次に、前記基板受渡し装置１７を図１及び
図２を参照して説明する。ここに、図１に示すように、
基板受渡し装置１７の側方に位置して、鉛直方向に延び
る旋回軸３０が備えられ、この旋回軸３０の上端に連結
された水平方向に延びる旋回アーム３１の自由端に回転
軸３２が回転自在に配置されて、この回転軸３２の下端
に前記トップリング１２がカップリング３３を介して揺
動自在に連結されている。このカップリング３３には、
例えばセラミックス製の球体３４が備えられている。更
に、前記トップリング１２の下面周縁部には、ガイドリ
ング３５が固着されて、このガイドリング３５で囲まれ
た基板保持部３６が形成されている。図示しないが、基
板保持部３６の下面には弾性を有する合成樹脂シート、
バッキング材が貼り付けられている。
図２を参照して説明する。ここに、図１に示すように、
基板受渡し装置１７の側方に位置して、鉛直方向に延び
る旋回軸３０が備えられ、この旋回軸３０の上端に連結
された水平方向に延びる旋回アーム３１の自由端に回転
軸３２が回転自在に配置されて、この回転軸３２の下端
に前記トップリング１２がカップリング３３を介して揺
動自在に連結されている。このカップリング３３には、
例えばセラミックス製の球体３４が備えられている。更
に、前記トップリング１２の下面周縁部には、ガイドリ
ング３５が固着されて、このガイドリング３５で囲まれ
た基板保持部３６が形成されている。図示しないが、基
板保持部３６の下面には弾性を有する合成樹脂シート、
バッキング材が貼り付けられている。
【００１８】基板受渡し装置１７には、前述のように、
プッシャ１６が備えられているのであるが、このプッシ
ャ１６は、半導体ウエハ（基板）Ｗの周縁部を着脱自在
に保持する複数のチャック４０を周囲に固着した上下動
部４１と、駆動部４２とを有している。
プッシャ１６が備えられているのであるが、このプッシ
ャ１６は、半導体ウエハ（基板）Ｗの周縁部を着脱自在
に保持する複数のチャック４０を周囲に固着した上下動
部４１と、駆動部４２とを有している。
【００１９】前記プッシャ１６の側方に位置して支柱４
３が立設され、この支柱４３の上部に該支柱４３の内部
を通して供給された水を噴射する噴射ノズル４４ａ，４
４ｂが噴射角度を変えられるように取付けられている。
ここに、一方の噴射ノズル４４ａは、トップリング１２
がプッシャ１６の直上方に位置する時、主にトップリン
グ１２の下面に向けて水を噴射し、他方の噴射ノズル４
４ｂは、主にトップリング１２の側面に向けて水を噴射
するように、その角度が調節されている。
３が立設され、この支柱４３の上部に該支柱４３の内部
を通して供給された水を噴射する噴射ノズル４４ａ，４
４ｂが噴射角度を変えられるように取付けられている。
ここに、一方の噴射ノズル４４ａは、トップリング１２
がプッシャ１６の直上方に位置する時、主にトップリン
グ１２の下面に向けて水を噴射し、他方の噴射ノズル４
４ｂは、主にトップリング１２の側面に向けて水を噴射
するように、その角度が調節されている。
【００２０】なお、この実施の形態にあっては、トップ
リング１２の下面及び側面用に各１個の噴射ノズルを備
えた例を示しているが、複数個設けても良いことは勿論
である。また、図示しないが、プッシャ１６に保持され
た研磨終了後の半導体ウエハＷの表面側及び裏面側に洗
浄液を噴射して洗浄する噴射ノズルが備えられている。
リング１２の下面及び側面用に各１個の噴射ノズルを備
えた例を示しているが、複数個設けても良いことは勿論
である。また、図示しないが、プッシャ１６に保持され
た研磨終了後の半導体ウエハＷの表面側及び裏面側に洗
浄液を噴射して洗浄する噴射ノズルが備えられている。
【００２１】前記プッシャ１６及び噴射ノズル４４ａ，
４４ｂは、基板受渡し室５０内に収容されて、噴射ノズ
ル４４ａ，４４ｂから噴射された水が外部に飛散しない
ようになっている。そして、この基板受渡し室５０の側
壁５１には、前記トップリング１２及び回転軸３２を通
過させる開口５１ａが、天井５２には、前記回転軸３２
の旋回方向に沿って延びる切欠き５２ａがそれぞれ設け
られている。これにより、トップリング１２の基板受渡
し室５０内外の移動が阻害されないようになっている。
４４ｂは、基板受渡し室５０内に収容されて、噴射ノズ
ル４４ａ，４４ｂから噴射された水が外部に飛散しない
ようになっている。そして、この基板受渡し室５０の側
壁５１には、前記トップリング１２及び回転軸３２を通
過させる開口５１ａが、天井５２には、前記回転軸３２
の旋回方向に沿って延びる切欠き５２ａがそれぞれ設け
られている。これにより、トップリング１２の基板受渡
し室５０内外の移動が阻害されないようになっている。
【００２２】前記天井５２には、前記プッシャ１６の直
上方に位置して、周縁部にいくに従って徐々に下方に傾
斜する傘状に拡がる水滴拡散板５３が複数の保持片５４
を介して取付けられている。この水滴拡散板５３の直径
ｄ1は、トップリング１２の直径ｄ2より大きく（ｄ1＞
ｄ2）設定され、これによって、トップリング１２がプ
ッシャ１６の直上方にある時、このトップリング１２の
全面が水滴拡散板５３で上方から覆われるようになって
いる。ここに、前記水滴拡散板５３は、例えばポリ塩化
ビニル（ＰＶＣ）製で、この内部には、前記回転軸３２
の移動を阻害しないように該回転軸３２の旋回方向に沿
って延びる切欠き５３ａが設けられている。
上方に位置して、周縁部にいくに従って徐々に下方に傾
斜する傘状に拡がる水滴拡散板５３が複数の保持片５４
を介して取付けられている。この水滴拡散板５３の直径
ｄ1は、トップリング１２の直径ｄ2より大きく（ｄ1＞
ｄ2）設定され、これによって、トップリング１２がプ
ッシャ１６の直上方にある時、このトップリング１２の
全面が水滴拡散板５３で上方から覆われるようになって
いる。ここに、前記水滴拡散板５３は、例えばポリ塩化
ビニル（ＰＶＣ）製で、この内部には、前記回転軸３２
の移動を阻害しないように該回転軸３２の旋回方向に沿
って延びる切欠き５３ａが設けられている。
【００２３】これにより、噴射ノズル４４ａ，４４ｂか
ら噴射されてトップリング１２の下面及びガイドリング
３５の洗浄及びバッキング材の水分付与に使用される水
がトップリング１２の上方に達しても、この水は、水滴
拡散板５３に付着し徐々に水滴となって該水滴拡散板５
３に沿って流れ、水滴拡散板の周縁部から滴下する。つ
まり、水はトップリング１２の外方を通過して下方に滴
下し、これによって、トップリング１２の上面に水が垂
れてカップリング３３内に侵入するのを防止することが
できる。また図示しないが水滴拡散板５３を回転軸３２
の非回転部材もしくは回転部材に取り付けること、ある
いは旋回アーム３１の回転軸３２の接続部周辺に水滴拡
散板５３を取り付けることで、水滴拡散板５３がトップ
リング部と一体化して移動可能となる構造としても前記
課題を解決できることは言うまでもない。
ら噴射されてトップリング１２の下面及びガイドリング
３５の洗浄及びバッキング材の水分付与に使用される水
がトップリング１２の上方に達しても、この水は、水滴
拡散板５３に付着し徐々に水滴となって該水滴拡散板５
３に沿って流れ、水滴拡散板の周縁部から滴下する。つ
まり、水はトップリング１２の外方を通過して下方に滴
下し、これによって、トップリング１２の上面に水が垂
れてカップリング３３内に侵入するのを防止することが
できる。また図示しないが水滴拡散板５３を回転軸３２
の非回転部材もしくは回転部材に取り付けること、ある
いは旋回アーム３１の回転軸３２の接続部周辺に水滴拡
散板５３を取り付けることで、水滴拡散板５３がトップ
リング部と一体化して移動可能となる構造としても前記
課題を解決できることは言うまでもない。
【００２４】次に、この基板受渡し装置１７の動作を説
明する。前述のように、カセット２５から取出した半導
体ウエハをプッシャ１６上に載置し、トップリング１２
に吸着保持してその表面を研磨した後、トップリング１
２をプッシャ１６の真上に戻す。そして、プッシャ１６
を上昇させた後、この半導体ウエハの真空吸着を解除す
ることで、研磨後の半導体ウエハをプッシャ１６上に渡
して、プッシャ１６を下降させる。
明する。前述のように、カセット２５から取出した半導
体ウエハをプッシャ１６上に載置し、トップリング１２
に吸着保持してその表面を研磨した後、トップリング１
２をプッシャ１６の真上に戻す。そして、プッシャ１６
を上昇させた後、この半導体ウエハの真空吸着を解除す
ることで、研磨後の半導体ウエハをプッシャ１６上に渡
して、プッシャ１６を下降させる。
【００２５】この状態で、トップリング１２を回転させ
ながら、噴射ノズル４４ａ，４４ｂから水を噴射して、
トップリング１２の下面及び側面全体を洗浄するととも
にトップリング下面のバッキング材への水分付与を行
う。この時、水がトップリング１２の上方に達しても、
この水は、水滴拡散板５３に付着し徐々に水滴となって
該水滴拡散板５３に沿って流れ、水滴拡散板の周縁部か
ら滴下する。つまり、水はトップリング１２の外方を通
過して下方に滴下し、これによって、トップリング１２
の上面に水が垂れて、この水がカップリング３３の内部
に侵入することが防止される。
ながら、噴射ノズル４４ａ，４４ｂから水を噴射して、
トップリング１２の下面及び側面全体を洗浄するととも
にトップリング下面のバッキング材への水分付与を行
う。この時、水がトップリング１２の上方に達しても、
この水は、水滴拡散板５３に付着し徐々に水滴となって
該水滴拡散板５３に沿って流れ、水滴拡散板の周縁部か
ら滴下する。つまり、水はトップリング１２の外方を通
過して下方に滴下し、これによって、トップリング１２
の上面に水が垂れて、この水がカップリング３３の内部
に侵入することが防止される。
【００２６】この時のトップリング１２の回転数は、例
えば１０〜１２０ｒｐｍであり、噴射ノズル４４ａ，４
４ｂから噴射する水は、例えば１個あたり０．５〜１リ
ットル／ｍｉｎ程度で、水圧は約１ｋｇｆ／ｃｍ2程度
である。なお、図示しないが、トップリングの洗浄と同
時に、プッシャ１６で保持された研磨後の半導体ウエハ
Ｗの上面及び下面に向けて洗浄ノズルから洗浄液が噴射
され、半導体ウエハの両面が洗浄される。
えば１０〜１２０ｒｐｍであり、噴射ノズル４４ａ，４
４ｂから噴射する水は、例えば１個あたり０．５〜１リ
ットル／ｍｉｎ程度で、水圧は約１ｋｇｆ／ｃｍ2程度
である。なお、図示しないが、トップリングの洗浄と同
時に、プッシャ１６で保持された研磨後の半導体ウエハ
Ｗの上面及び下面に向けて洗浄ノズルから洗浄液が噴射
され、半導体ウエハの両面が洗浄される。
【００２７】そして、プッシャ１６上の洗浄された後の
半導体ウエハは、前述のように、１次・２次洗浄機２２
ａ，２２ｂで洗浄され、スピン乾燥機２３でスピン乾燥
されて、カセット２５に戻される。
半導体ウエハは、前述のように、１次・２次洗浄機２２
ａ，２２ｂで洗浄され、スピン乾燥機２３でスピン乾燥
されて、カセット２５に戻される。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
トップリングの洗浄及びトップリングのバッキング材へ
の水分付与に使用される水がトップリングの上方に達し
ても、この水がトップリングの上面に垂れて、回転軸と
トップリングを揺動自在に連結するカップリング内に侵
入することを阻止することができる。これによって、カ
ップリングにかじりが生じてしまうことを防止すること
ができる。
トップリングの洗浄及びトップリングのバッキング材へ
の水分付与に使用される水がトップリングの上方に達し
ても、この水がトップリングの上面に垂れて、回転軸と
トップリングを揺動自在に連結するカップリング内に侵
入することを阻止することができる。これによって、カ
ップリングにかじりが生じてしまうことを防止すること
ができる。
【図１】本発明の実施の形態を示す縦断正面図（図２の
Ｘ−Ｘ線断面図）である。
Ｘ−Ｘ線断面図）である。
【図２】図１のＹ−Ｙ線矢視図である。
【図３】ポリッシング装置と搬送・洗浄装置を示し概略
平面図である。
平面図である。
１０ ポリッシング装置 １１ ターンテーブル １２ トップリング １６ プッシャ １７ 基板受渡し装置 ３３ カップリング ３４ 球体 ４４ａ，４４ｂ 噴射ノズル ５０ 基板受渡し室 ５２ 天井 ５３ 水滴拡散板
Claims (3)
- 【請求項１】 ポリッシング対象物である基板を保持す
るためのトップリングとの間で基板の受渡しを行う受渡
し機構と、この受渡し機構の上方に位置するトップリン
グに向けて水を噴射する噴射ノズルとを備えた基板受渡
し装置において、 前記受渡し機構上方位置に傘状の水滴拡散板を設け、前
記トップリングが受渡し機構上方に位置した際に前記ト
ップリングを覆うようにしたことを特徴とする基板受渡
し装置。 - 【請求項２】 ポリッシング対象物である基板を保持す
るためのトップリングとの間で基板の受渡しを行う受渡
し機構と、この受渡し機構の上方に位置するトップリン
グに向けて水を噴射する噴射ノズルとを備えた基板受渡
し装置において、 前記トップリング上方に傘状の水滴拡散板を設け、トッ
プリングを覆うようにしたことを特徴とする基板受渡し
装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の基板受渡し装置を備え
たことを特徴とする研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17811998A JPH11347925A (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 基板受渡し装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17811998A JPH11347925A (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 基板受渡し装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11347925A true JPH11347925A (ja) | 1999-12-21 |
Family
ID=16042997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17811998A Pending JPH11347925A (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 基板受渡し装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11347925A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7396199B2 (en) | 2001-12-28 | 2008-07-08 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2008272902A (ja) * | 2007-05-01 | 2008-11-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Ｃｍｐ装置における研磨ヘッド洗浄装置及び研磨ヘッド洗浄方法 |
| US20140080385A1 (en) * | 2012-09-19 | 2014-03-20 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| WO2014141810A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | 合資会社亀井鉄工所 | 砥粒噴射研磨装置 |
| CN112192348A (zh) * | 2020-09-19 | 2021-01-08 | 金华中烨超硬材料有限公司 | 金刚石复合片精抛机及精抛工艺 |
-
1998
- 1998-06-10 JP JP17811998A patent/JPH11347925A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7396199B2 (en) | 2001-12-28 | 2008-07-08 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
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| US20140080385A1 (en) * | 2012-09-19 | 2014-03-20 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| WO2014141810A1 (ja) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | 合資会社亀井鉄工所 | 砥粒噴射研磨装置 |
| TWI602657B (zh) * | 2013-03-15 | 2017-10-21 | Kamei Tekkousho Ltd | Jet abrasive grinding device |
| CN112192348A (zh) * | 2020-09-19 | 2021-01-08 | 金华中烨超硬材料有限公司 | 金刚石复合片精抛机及精抛工艺 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050603 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070621 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070626 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071023 |