JPH11349548A - ６−シアノナフタレン誘導体である新規液晶性化合物とそれを含有する液晶組成物及びこれを用いた液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 フッ素原子が極性基としてナフタレン環の４
位、５位、６位及び７位の一部又は全部に置換した６−
シアノナフタレン骨格構造を有する新規液晶性化合物、
またこれを含有する実用的な液晶組成物及びこれを用い
た液晶表示素子を提供する。 【解決手段】 一般式(I) 【化１】 （式中、Ｒ：Ｃ数１〜１２のアルキル、又はＣ数２〜１
２のアルコキシルアルキル、アルケニル等、環Ａ：トラ
ンス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレ
ン基等、環Ｂ：トランス−１，４−シクロへキシレン
基、１，４−フェニレン基、単結合等、Ｌ及びＭ：−Ｃ
Ｈ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、単結合等、環Ｂが単結合の
場合Ｍは単結合。Ｘ¹〜Ｘ³：Ｈ、Ｆ、少なくとも１個は
Ｆ）の化合物、それを含有する液晶組成物及びこれを用
いた液晶表示素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電気光学的液晶表示
材料として有用な、フッ素置換された６−シアノナフチ
ル基を有する新規液晶性化合物とそれを含む液晶組成物
及びそれを用いた液晶表示素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示素子は、時計、電卓をはじめと
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子
手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いら
れるようになっている。液晶表示方式としては、その代
表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩
れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲス
ト・ホスト）型あるいは高速応答が可能なＦＬＣ（強誘
電性液晶）等を挙げることができる。また駆動方式とし
ても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動
が一般的になり、さらに単純マトリックス方式、最近で
はアクティブマトリックス方式が実用化されている。こ
れらに用いられる液晶材料としては、これまでにも非常
に多種類の化合物が合成されてきており、その表示方式
や駆動方式あるいはその用途に応じて使用されている。

【０００３】液晶化合物は通常コアと呼ばれる中心骨格
部分と両側の側鎖部分から構成されている。通常、側鎖
部分の少なくとも一方は鎖状基であることが多いが、誘
電率異方性が正のいわゆるｐ型液晶の場合には、他方の
側鎖部分は極性基である。

【０００４】液晶化合物に用いられる極性基としては、
シアノ基が代表的である。このシアノ基を有する液晶化
合物は他の極性基を有する液晶化合物と比較して、やや
粘性が大きいけれども、極性が強く、液晶性にも優れる
という優れた特性を示す。

【０００５】ところで極性基として用いられるこれらの
シアノ基は、通常分子末端のフェニル基に直結して導入
されている。従って、化合物としては分子の片方の末端
に４−シアノフェニル基、３−フルオロ−４−シアノフ
ェニル基又は３，５−ジフルオロ−４−シアノフェニル
基を有する化合物にほぼ限定されている。しかしなが
ら、これらのシアノ系の液晶化合物のみでは年々高度化
する液晶組成物に対する要求特性には充分応えきれなく
なってきているのが実情である。

【０００６】シアノ基が極性基として他種の環構造に直
結した化学構造を有するような液晶化合物は他にも知ら
れている。例えば、６−シアノナフチル基を有する液晶
化合物は既に報告（D.Coates等, Mol. Cryst. Liq. Cry
st., 37 249(1976)）されており、６−シアノナフチル
基が４−シアノフェニル基と、４’−シアノビフェニル
−４−イル基との中間的な特性を有することが示されて
おり、本発明者らの検討によるとこの６−シアノナフチ
ル基を有する液晶化合物が優れた応答特性を有すること
がわかっている。

【０００７】しかしながら、６−シアノナフチル基では
その極性が充分大きいとは言えず、そのため６−シアノ
ナフチル基を有する液晶化合物では非常に大きい誘電率
異方性（Δε）を得ることはできなかった。

【０００８】誘電率異方性を大きくするためには、例え
ば前述の３−フルオロ−４−シアノフェニル基や３，５
−ジフルオロ−４−シアノフェニル基のように、シアノ
基の直結する芳香環にシアノ基と同方向にフッ素原子を
導入することが効果的である。従って、６−シアノナフ
チル基の場合にはその４位、５位、６位及び７位の位置
にフッ素原子を導入することが有効と考えられる。しか
しながら、このような位置にフッ素原子が置換した６−
シアノナフチル基を有するような液晶化合物はこれまで
全く知られていない。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、フッ素原子が極性基としてナフタレン環の
４位、５位、６位及び７位の一部又は全部に置換した６
−シアノナフタレン骨格構造を有する、新規液晶性化合
物を提供することにあり、またそれを用いて、実用的な
液晶組成物を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、 １．一般式（Ｉ）

【００１１】

【化２】

【００１２】（式中、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキ
ル基、アルコキシル基又は炭素原子数２〜１２のアルコ
キシルアルキル基、アルケニル基あるいはアルケニルオ
キシ基を表し、環Ａはトランス−１，４−シクロへキシ
レン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４
−フェニレン基又は２，６−ジフルオロ−１，４−フェ
ニレン基を表し、環Ｂはトランス−１，４−シクロへキ
シレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，
４−フェニレン基、２，６−ジフルオロ−１，４−フェ
ニレン基又は単結合を表し、Ｌ及びＭはそれぞれ独立的
に−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯ
Ｏ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ
₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は
単結合を表すが、環Ｂが単結合を表す場合にはＭは単結
合を表す。Ｘ¹〜Ｘ³はそれぞれ独立的に水素原子又はフ
ッ素原子を表すが、その少なくとも１個はフッ素原子を
表す。）で表されるフッ素置換された６−シアノナフタ
レン誘導体である新規液晶性化合物。 ２．一般式（Ｉ）において、Ｘ²がフッ素原子を表すと
ころの上記１記載の化合物。 ３．一般式（Ｉ）において、Ｌ及びＭが−ＣＨ₂ＣＨ
₂−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すところ
の上記１又は２記載の化合物。 ４．一般式（Ｉ）において、Ｌ及びＭの少なくとも一方
が単結合を表すところの上記１、２又は３記載の化合
物。 ５．一般式（Ｉ）において、Ｒが炭素原子数１〜７の直
鎖状アルキル基を表すところの上記１、２、３又は４記
載の化合物。 ６．上記１記載の一般式（Ｉ）で表される化合物を含有
する液晶組成物。 ７．ＳＴＮ表示に用いられる上記６記載の液晶組成物。 ８．上記６記載の液晶組成物を構成要素とする液晶素
子。 ９．上記７記載の液晶組成物を用いたＳＴＮ液晶表示素
子。 を前記課題の解決手段として見出した。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下に本発明の一例について説明
する。本発明は、上記課題を解決するために、一般式
（Ｉ）

【００１４】

【化３】

【００１５】で表される６−シアノナフタレン誘導体で
ある新規液晶性化合物を提供する。式中、Ｒは炭素原子
数１〜１２のアルキル基、アルコキシル基又は炭素原子
数２〜１２のアルコキシルアルキル基、アルケニル基あ
るいはアルケニルオキシ基を表すが、アルキル基又はア
ルケニル基が好ましく、炭素原子数１〜７の直鎖状アル
キル基が特に好ましい。環Ａはトランス−１，４−シク
ロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ
−１，４−フェニレン基又は２，６−ジフルオロ−１，
４−フェニレン基を表し、環Ｂはトランス−１，４−シ
クロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオ
ロ−１，４−フェニレン基、２，６−ジフルオロ−１，
４−フェニレン基又は単結合を表すが、低粘性が求めら
れる場合には環Ｂは単結合が好ましく、高い屈折率異方
性（Δｎ）が求められる場合には１，４−フェニレン基
が好ましく、大きい誘電率異方性（Δε）が求められる
場合には少なくとも一方が２−フルオロ−１，４−フェ
ニレン基又は２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン
基が好ましい。Ｌ及びＭはそれぞれ独立的に−ＣＨ₂Ｃ
Ｈ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、−Ｏ
ＣＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ
₂ＣＨ₂−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表
すが、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単
結合が好ましく、特に少なくとも一方は単結合であるこ
とが好ましく、環Ｂが単結合を表す場合にはＭは単結合
を表す。Ｘ¹〜Ｘ³はそれぞれ独立的に水素原子又はフッ
素原子を表すが、その少なくとも１個はフッ素原子を表
し、高い液晶性が求められる場合にはＸ¹及びＸ³は水素
原子であることが好ましく、特に大きいΔεが求められ
る場合にはＸ¹〜Ｘ³のうち、少なくとも２個以上、特に
Ｘ²を含む２個以上がフッ素原子であることが好まし
い。また、シクロヘキシレン基の１，４−位はトランス
配置である。

【００１６】上述のように一般式（Ｉ）の化合物はその
Ｒ、環Ａ、環Ｂ、Ｌ、Ｍ及びＸ¹〜Ｘ³の選択により非常
に多種の化合物を包含しうるわけであるが、これらの中
では以下の一般式（Ｉaa）〜（Ｉnf）で表される各化合
物が好ましい。

【００１７】

【化４】

【００１８】

【化５】

【００１９】

【化６】

【００２０】

【化７】

【００２１】

【化８】

【００２２】

【化９】

【００２３】

【化１０】

【００２４】

【化１１】

【００２５】

【化１２】

【００２６】

【化１３】

【００２７】

【化１４】

【００２８】

【化１５】

【００２９】

【化１６】

【００３０】

【化１７】

【００３１】以上の式中、Ｒ^aは炭素原子数１〜７の直
鎖状アルキル基を表し、Ｒ^bは炭素原子数２〜７の直鎖
状アルケニル基、特に好ましくはビニル基又は３−ブテ
ニル基を表す。また、Ｒ^Cは炭素原子数４〜７の直鎖状
アルケニル基、特に好ましくは３−ブテニル基を表す。

【００３２】さらに、上式中では（Ｉaa）、（Ｉab）、
（Ｉac）、（Ｉad）、（Ｉca）、（Ｉcb）、（Ｉcc）、
（Ｉcd）、（Ｉfa）、（Ｉfb）、（Ｉfc）、（Ｉfd）、
（Ｉfe）、（Ｉff）、（Ｉfg）、（Ｉfh）、（Ｉfk）、
（Ｉga）、（Ｉgb）、（Ｉgc）、（Ｉgf）、（Ｉia）、
（Ｉib）、（Ｉic）、（Ｉka）、（Ｉkb）、（Ｉkc）、
（Ｉkd）、（Ｉla）、（Ｉlb）、（Ｉlc）、（Ｉma）、
（Ｉmb）、（Ｉmc）、（Ｉmd）、（Ｉme）、（Ｉmf）の
各化合物が特に好ましい。

【００３３】本発明の一般式（Ｉ）の化合物はそのＲ、
環Ａ、環Ｂ、Ｌ及びＭに応じて以下のようにして製造す
ることができる。 （ｉ） 一般式（Ｉaa）〜（Ｉab）で表される化合物の
場合 一般式（ＩＩa）

【００３４】

【化１８】

【００３５】（式中、Ｘ¹〜Ｘ³は一般式（Ｉ）における
と同じ意味を表し、Ｗ^aは塩素、臭素又はヨウ素等のハ
ロゲン原子を表すが、好ましくは臭素原子を表す。Ｚ^a
はメトキシ基、水素原子あるいは4,4-ジメチル-1,3-オ
キサゾリン-2-エン-2-イル基の如きカルボキシル基の保
護基を表す。）で表されるフルオロナフタレン誘導体を
マグネシウムと反応させてグリニヤール反応剤とする
か、あるいはブチルリチウム等のアルキルリチウムによ
りリチオ化して有機金属反応剤とし、これを一般式（Ｉ
ＩＩa）

【００３６】

【化１９】

【００３７】（式中、Ｒ^aは炭素原子数１〜７の直鎖状
アルキル基を表す。）で表される４−アルキルシクロヘ
キサノンと反応させ、次いで得られたシクロヘキサノー
ル誘導体を酸触媒存在下に脱水させて、一般式（ＩＶ
a）

【００３８】

【化２０】

【００３９】（式中、Ｘ¹〜Ｘ³は一般式（Ｉ）、Ｚ^aは
一般式（ＩＩａ）におけると同じ意味を表し、Ｒ^aは炭
素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表す。）で表され
るシクロヘキセニルナフタレン誘導体を得る。これを接
触還元し、必要に応じてシクロヘキサン環を異性化する
ことにより一般式（Ｖa）

【００４０】

【化２１】

【００４１】（式中、Ｘ¹〜Ｘ³は一般式（Ｉ）、Ｚ^aは
一般式（ＩＩａ）におけると同じ意味を表し、Ｒ^aは炭
素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表す。）で表され
るシクロヘキシルナフタレン誘導体を得る。これをＺ^a
が水素原子の場合にはハロゲン化（臭素化又はヨウ素
化）した後にシアン化銅(I)でシアノ化するか、カルボ
キシル化（リチオ化した後に二酸化炭素を反応させる
か、アセチル化した後過酸で酸化させることによる）し
た後に酸クロリドとし次いでアンモニアを反応させてア
ミドを得てさらに脱水するか、あるいはシュウ酸クロリ
ドより直接酸クロリドを得て以下同様にして、またＺ^a
がメトキシ基の場合には脱メチル化して得られたナフト
ール誘導体をトリフルオロメタンスルホン酸の酸無水物
（あるいは酸クロリド）によりトリフラートとし、これ
に遷移金属触媒存在下にシアン化銅(I)を反応させる
か、あるいはＺ^aがメトキシ基の場合には脱保護基して
得られたカルボン酸を同様にシアノ基に変換するか、あ
るいはオキシ塩化リン等で直接シアノ基に変換すること
により前述の一般式（Ｉaa）〜（Ｉac）で表される化合
物を製造することができる。

【００４２】ここで（ＩＩＩa）のシクロヘキサノンに
換えて、一般式（ＩＩＩb）あるいは（ＩＩＩc）

【００４３】

【化２２】

【００４４】（式中、Ｒ^aは炭素原子数１〜７の直鎖状
アルキル基を表す。）で表される４−置換シクロヘキサ
ノン誘導体を用いることにより、一般式（Ｉca）〜（Ｉ
cc）及び一般式（Ｉda）〜（Ｉdc）の各化合物を同様に
して製造することができる。 （ｉｉ） 一般式（Ｉba）〜（Ｉbb）で表される化合物
の場合 （ｉ）において（ＩＩＩa）の４−アルキルシクロヘキ
サノンに換えて、一般式（ＶＩa）

【００４５】

【化２３】

【００４６】（式中、Ｒ^aは炭素原子数１〜７の直鎖状
アルキル基を表す。）で表されるシクロヘキサンエタナ
ール誘導体を用い、同様に反応させることにより、（Ｉ
ba）〜（Ｉbb）の各化合物を製造することができる。

【００４７】ここで（ＶＩa）のシクロヘキサンエタナ
ールに換えて、一般式（ＶＩb）、（ＶＩc）あるいは
（ＶＩd）

【００４８】

【化２４】

【００４９】（式中、Ｒ^aは炭素原子数１〜７の直鎖状
アルキル基を表す。）で表されるアルデヒドを用いるこ
とにより、一般式（Ｉea）〜（Ｉeb）及び一般式（Ｉj
a）〜（Ｉjd）の各化合物を同様にして製造することが
できる。 （iii） 一般式（Ｉac）〜（Ｉad）で表される化合物
の場合 （ＩＩa）から調製された有機金属反応剤を式（ＩＩＩ
d）

【００５０】

【化２５】

【００５１】のシクロヘキサン−１，４−ジオンモノエ
チレンアセタールと反応させ、酸触媒存在下に脱水さ
せ、必要に応じて再アセタール化し、接触還元した後、
脱アセタール化することにより一般式（ＶＩＩa）

【００５２】

【化２６】

【００５３】（式中、Ｘ¹〜Ｘ³は一般式（Ｉ）、Ｚ^aは
一般式（ＩＩａ）におけると同じ意味を表す。）で表さ
れるナフチルシクロヘキサノン誘導体を得る。これに式
（ＶＩＩＩa）

【００５４】

【化２７】

【００５５】で表されるウィッティヒ反応剤を反応させ
ることにより一般式（ＩＸa）

【００５６】

【化２８】

【００５７】（式中、Ｘ¹〜Ｘ³は一般式（Ｉ）、Ｚ^aは
一般式（ＩＩａ）におけると同じ意味を表す。）で表さ
れるシクロヘキサンカルバルデヒド誘導体を得る。これ
に式（ＶＩＩＩb）

【００５８】

【化２９】

【００５９】で表されるウィッティヒ反応剤を反応さ
せ、次いでＺ^aを同様にシアノ基に変換することにより
一般式（Ｉac）〜（Ｉad）においてＲ^bがビニル基であ
る化合物を製造することができる。また、（ＩＸa）に
（ＶＩＩＩa）のウィッティヒ反応剤をさらに２回反応
させ、次いで（ＶＩＩＩb）のウィッティヒ反応剤を反
応させることにより、一般式（Ｉac）〜（Ｉad）におい
てＲ^bが３−ブテニル基である化合物を製造することが
できる。ここでＺ^aからシアノ基への変換は（ＶＩＩa）
への脱アセタール化の前工程で行ってもよい。

【００６０】ここで（ＩＩＩd）のシクロヘキサン−
１，４−ジオンモノエチレンアセタールに換えて、式
（ＩＩＩe）

【００６１】

【化３０】

【００６２】のビシクロヘキサン−４，４‘−ジオンモ
ノエチレンアセタールを用いて同様に反応させることに
より一般式（Ｉce）〜（Ｉcf）の各化合物を製造するこ
とができる。 （iv） 一般式（Ｉfa）〜（Ｉfc）で表される化合物の
場合 （ＩＩa）から調製された有機金属反応剤（あるいはグ
リニヤール反応剤や有機リチウム反応剤をホウ酸のトリ
アルキルエステルと反応させついで酸で加水分解して得
られる有機ホウ酸等も使用できる）を一般式（Ｘa）

【００６３】

【化３１】

【００６４】（式中、Ｒ^aは炭素原子数１〜７の直鎖状
アルキル基を表し、Ｙは臭素又はヨウ素等のハロゲン原
子あるいはトリフルオロメタンスルホニルオキシ基等の
脱離基を表す。）で表されるベンゼン誘導体と遷移金属
触媒の存在下に反応させ、次いでＺ^aを同様にシアノ基
に変換することにより製造できる。あるいは一般式（Ｘ
b）

【００６５】

【化３２】

【００６６】（式中、Ｒ^aは炭素原子数１〜７の直鎖状
アルキル基を表し、Ｗ^aは一般式（ＩＩa）におけると同
じ意味を表す。）のベンゼン誘導体から同様にして調製
された有機金属反応剤を一般式（ＩＩb）

【００６７】

【化３３】

【００６８】（式中、Ｘ¹〜Ｘ³は一般式（Ｉ）、Ｚ^aは
一般式（ＩＩａ）、Ｙは一般式（Ｘa）におけると同じ
意味を表す。）で表されるフルオロナフタレン誘導体と
同様に反応させることにより製造することもできる。こ
こで遷移金属触媒としてはパラジウム(0)錯体、パラジ
ウム(II)錯体あるいはニッケル(II)錯体等が好ましい。

【００６９】ここで（Ｘa）のベンゼン誘導体に換え
て、一般式（Ｘc）、一般式（Ｘd）、一般式（Ｘe）あ
るいは一般式（Ｘf）のベンゼン誘導体

【００７０】

【化３４】

【００７１】（式中、Ｒ^aは炭素原子数１〜７の直鎖状
アルキル基を表し、Ｒ^cは炭素原子数４〜７の直鎖状ア
ルケニル基を表し、Ｙは一般式（Ｘa）におけると同じ
意味を表す。）を用いて同様に反応させることにより一
般式（Ｉfd）〜（Ｉfl）の各化合物を得ることができ
る。

【００７２】また、（Ｘa）のベンゼン誘導体に換え
て、一般式（Ｘg）、一般式（Ｘh）あるいは一般式（Ｘ
i）のフェニルシクロヘキサン誘導体

【００７３】

【化３５】

【００７４】（式中、Ｒ^aは炭素原子数１〜７の直鎖状
アルキル基を表し、Ｙは一般式（Ｘa）におけると同じ
意味を表す。）で表されるフェニルシクロヘキサン誘導
体を用いることにより、一般式（Ｉga）〜（Ｉgg）の各
化合物を製造することができる。

【００７５】また、（Ｘa）のベンゼン誘導体に換え
て、一般式（Ｘj）あるいは一般式（Ｘk）のフェネチル
シクロヘキサン誘導体

【００７６】

【化３６】

【００７７】（式中、Ｒ^aは炭素原子数１〜７の直鎖状
アルキル基を表し、Ｙは一般式（Ｘa）におけると同じ
意味を表す。）で表されるフェニルシクロヘキサン誘導
体を用いることにより、一般式（Ｉha）〜（Ｉhd）の各
化合物を製造することができる。

【００７８】また、（Ｘa）のベンゼン誘導体に換え
て、一般式（Ｘl）、一般式（Ｘm）、一般式（Ｘn）あ
るいは一般式（Ｘo）のビフェニル誘導体

【００７９】

【化３７】

【００８０】（式中、Ｒ^aは炭素原子数１〜７の直鎖状
アルキル基を表し、Ｒ^cは炭素原子数４〜７の直鎖状ア
ルケニル基を表し、Ｙは一般式（Ｘa）におけると同じ
意味を表す。）を用いることにより、一般式（Ｉia）〜
（Ｉih）の各化合物を製造することができる。 （ｖ） 一般式（Ｉka）〜（Ｉkb）で表される化合物の
場合 一般式（ＩＩc）

【００８１】

【化３８】

【００８２】（式中、Ｘ¹〜Ｘ³は一般式（Ｉ）、Ｙは一
般式（Ｘa）におけると同じ意味を表し、Ｚ^bはシアノ
基、メトキシ基、ヒドロキシル基あるいはアルコキシカ
ルボニル基、4,4-ジメチル-1,3-オキサゾリン-2-エン-2
-イル基の如きカルボキシル基の保護基を表す。）で表
されるナフタレン誘導体と一般式（ＸＩa）

【００８３】

【化３９】

【００８４】（式中、Ｒ^aは炭素原子数１〜７の直鎖状
アルキル基を表す。）で表されるフェニルアセチレン誘
導体とを遷移金属触媒及び銅(I)塩存在下に反応させ、
次いでＺ^bがシアノ基以外の場合にはそれらをシアノ基
に変換することにより一般式（Ｉka）〜（Ｉkb）で表さ
れる化合物を得ることができる。

【００８５】ここで（ＸＩa）のフェニルアセチレン誘
導体に換えて、一般式（ＸＩb）、一般式（ＸＩc）、一
般式（ＸＩd）あるいは一般式（ＸＩe）のフェニルアセ
チレン誘導体

【００８６】

【化４０】

【００８７】（式中、Ｒ^aは炭素原子数１〜７の直鎖状
アルキル基を表し、Ｒ^cは炭素原子数４〜７の直鎖状ア
ルケニル基を表す。）を用いることにより同様にして一
般式（Ｉkc）〜（Ｉkh）で表される各化合物を得ること
ができる。

【００８８】また、（ＸＩa）のフェニルアセチレン誘
導体に換えて、一般式（ＸＩf）あるいは一般式（ＸＩ
g）のシクロヘキシルフェニルアセチレン誘導体

【００８９】

【化４１】

【００９０】（式中、Ｒ^aは炭素原子数１〜７の直鎖状
アルキル基を表す。）を用いることにより同様にして一
般式（Ｉla）〜（Ｉlb）で表される各化合物を得ること
ができる。 （vi） 一般式（Ｉma）〜（Ｉmb）で表される化合物の
場合 一般式（ＩＩd）

【００９１】

【化４２】

【００９２】（式中、Ｘ¹〜Ｘ³は一般式（Ｉ）における
と同じ意味を表す。）で表されるナフトール誘導体を縮
合剤存在下に一般式（ＸＩＩa）

【００９３】

【化４３】

【００９４】（式中、Ｒ^aは一般式（Ｉ）におけると同
じ意味を表す。）で表される安息香酸誘導体と反応させ
ることにより一般式（Ｉma）〜（Ｉmb）で表される各化
合物を得ることができる。あるいは（ＸＩＩa）に換え
て、その酸クロリド誘導体を反応させてもよい。

【００９５】ここで（ＸＩＩa）の安息香酸誘導体に換
えて、一般式（ＸＩＩb）、一般式（ＸＩＩc）、一般式
（ＸＩＩd）あるいは一般式（ＸＩＩe）の安息香酸誘導
体

【００９６】

【化４４】

【００９７】（式中、Ｒ^aは炭素原子数１〜７の直鎖状
アルキル基を表し、Ｒ^cは炭素原子数４〜７の直鎖状ア
ルケニル基を表す。）あるいはその酸クロリドを用いる
ことにより同様にして一般式（Ｉmc）〜（Ｉmj）で表さ
れる各化合物を得ることができる。

【００９８】また、（ＸＩＩa）の安息香酸誘導体に換
えて、一般式（ＸＩＩf）、一般式（ＸＩＩg）あるいは
一般式（ＸＩＩh）のシクロヘキシル安息香酸誘導体

【００９９】

【化４５】

【０１００】（式中、Ｒ^aは炭素原子数１〜７の直鎖状
アルキル基を表す。）あるいはその酸クロリドを用いる
ことにより同様にして一般式（Ｉna）〜（Ｉnf）で表さ
れる各化合物を得ることができる。

【０１０１】一般式（Ｉ）で表される化合物で以上に示
した以外の化合物も同様あるいはその応用により製造す
ることができる。斯くして製造された一般式（Ｉ）で表
される化合物の代表例を第１表に掲げる。

【０１０２】

【表１】

【０１０３】（表中、Ｃｒは結晶相を、Ｎはネマチック
相を、Ｓはスメクチック相を、Ｉは等方性液体相をそれ
ぞれ表す。また、１，４−シクロへキシレン基はトラン
ス配置である。相転移温度は「℃」を表す。） 第１表からわかるように一般式（Ｉ）で表される化合物
の多くは比較的優れた液晶性を示す。また、ナフタレン
環にシアノ基と同方向にフッ素原子が導入されているた
め、極性が大きく、強いｐ型液晶としての特性を示す。
さらに、汎用液晶をはじめとする他の液晶化合物あるい
は液晶組成物との相溶性においても優れているので、こ
れらとの混合物の状態で液晶表示セル用材料として、好
適に用いることができる。（Ｉ）の化合物は前述の各種
表示方式のいずれにおいても使用可能であるが、ＴＮ型
表示素子、及びＳＴＮ表示素子に用いることが適してお
り、特にＳＴＮ表示用液晶材料の極性成分として用いる
ことが好ましい。

【０１０４】このように、一般式（Ｉ）で表される化合
物と混合して使用することのできるネマチック液晶化合
物の好ましい代表例としては、例えば、安息香酸フェニ
ル誘導体、シクロヘキサンカルボン酸フェニル誘導体、
シクロヘキサンカルボン酸ビフェニル−４−イル誘導
体、シクロヘキサンカルボニルオキシ安息香酸フェニル
誘導体、シクロヘキシル安息香酸フェニル誘導体、シク
ロヘキシル安息香酸シクロヘキシル誘導体、ビフェニル
誘導体、シクロヘキシルベンゼン誘導体、テルフェニル
誘導体、ビシクロヘキサン誘導体、４−シクロヘキシル
ビフェニル誘導体、４−フェニルビシクロヘキサン誘導
体、テルシクロヘキサン誘導体、１，２−ジシクロヘキ
シルエタン誘導体、１，２−ジフェニルエタン誘導体、
１，２−ジフェニルエチン誘導体、（２−シクロヘキシ
ルエチル）ベンゼン誘導体、４−フェネチルビシクロヘ
キサン誘導体、４−（２−シクロヘキシルエチル）ビフ
ェニル誘導体、１−（４−フェニル）シクロヘキシル−
２−シクロヘキシルエタン誘導体、１−（４−シクロヘ
キシルフェニル）−２−フェニルエチン誘導体、フェニ
ルピリミジン誘導体、（４−ビフェニル−４−イル）ピ
リミジン誘導体、フェニルピリジン誘導体、（４−ビフ
ェニル−４−イル）ピリジン誘導体、などを挙げること
ができる。

【０１０５】本発明の一般式（Ｉ）の化合物を液晶組成
物の成分として用いることによる効果を以下に示す。第
１表に示された式（Ｉ−１）

【０１０６】

【化４６】

【０１０７】の化合物２０重量％及び汎用のｎ型ホスト
液晶（Ｈ）

【０１０８】

【化４７】

【０１０９】８０重量％からなるネマチック液晶組成物
（Ｍ−１）を調製したところ、液晶相上限温度
（Ｔ_N-I）は７８．９℃であった。この（Ｍ−１）を１
５０℃で２０時間放置した後にそのＴ_N-Iを測定した
が、７８．５℃で加熱前とほとんど変化がみられなかっ
た。また、紫外線を２０時間照射したが、やはりＴ_N-I
に変化はみられなかった。一方、この（Ｍ−１）を−２
０℃で２週間放置したが結晶の析出や相分離観察されな
かった。また、−６０℃に冷却して結晶化させ、その融
点（Ｔ_C-N）を測定したところ−２℃であった。

【０１１０】次に、（Ｍ−１）をセル厚８．０μｍのＴ
Ｎセルに充填して液晶素子を作成し、その電気光学特性
を測定したところ、以下の通りであった。 ネマチック相上限温度（Ｔ_N-I） ７８．９℃ 誘電率異方性（Δε） ３．２ 閾値電圧（Ｖｔｈ） ２．１４Ｖ 応答時間（τ） ４０．０ｍ秒 屈折率異方性（Δｎ） ０．１０６ 一方、ホスト液晶（Ｈ）単独での物性値並びに電気光学
特性は以下の通りである。

【０１１１】 ネマチック相上限温度（Ｔ_N-I） ７２．５℃ 誘電率異方性（Δε） −１．３ 屈折率異方性（Δｎ） ０．０８５ ここで、応答時間は立ち上がり時間（τｒ）と立ち下が
り時間（τｄ）が等しくなる電圧印加時の応答時間であ
る。ホスト液晶（Ｈ）はｎ型であるため応答しないが、
（Ｍ−１）では（Ｉ−１）を２０％添加することにより
誘電率異方性（Δε）が３．２と大きくなり、４０ｍ秒
という高速応答が可能となった。しかもネマチック相上
限温度（Ｔ_N-I）は７８．９℃と６°以上も上昇してい
る。また、屈折率異方性（Δｎ）も増大していることが
わかる。

【０１１２】これに対して、フッ素置換されていない６
−シアノナフタレン誘導体である（Ａ）

【０１１３】

【化４８】

【０１１４】２０重量％及びホスト液晶（Ｈ）８０重量
％からなるネマチック液晶組成物（Ｍ−Ａ）を調製し
た。同様にして液晶素子を作成し、その電気光学特性を
測定したところ、以下の通りであった。

【０１１５】 ネマチック相上限温度（Ｔ_N-I） ８１．２℃ 誘電率異方性（Δε） ２．２ 閾値電圧（Ｖｔｈ） ２．６８Ｖ 応答時間（τ） ３７．５ｍ秒 屈折率異方性（Δｎ） ０．１０８ （Ｍ−Ａ）はＴ_N-Iが（Ｍ−１）よりやや高く、応答時
間もやや低減されているが、Δεがかなり減少し、その
ために閾値電圧（Ｖｔｈ）が大幅に上昇していることが
わかる。また、（Ｍ−Ａ）を同様に−２０℃で放置した
ところ、１週間以内に結晶が析出した。

【０１１６】次に、３−フルオロ−４−シアノベンゼン
誘導体である（Ｂ）

【０１１７】

【化４９】

【０１１８】２０重量％及びホスト液晶（Ｈ）８０重量
％からなるネマチック液晶組成物（Ｍ−Ｂ）を調製し
た。同様にして液晶素子を作成し、その電気光学特性を
測定したところ、以下の通りであった。

【０１１９】 ネマチック相上限温度（Ｔ_N-I） ５８．５℃ 誘電率異方性（Δε） ３．６ 閾値電圧（Ｖｔｈ） ２．２Ｖ 応答時間（τ） ３６．０ｍ秒 屈折率異方性（Δｎ） ０．０８４ （Ｍ−Ｂ）のΔεは（Ｍ−１）より増大し、Ｖｔｈはよ
り効果的に低減されていることがわかる。しかしなが
ら、そのＴ_N-Iは（Ｍ−１）と比較して極端に低下して
しまった。

【０１２０】以上のように、式（Ｉ−１）の化合物は、
他の液晶化合物との相溶性に優れ、ネマチック相上限温
度が高く、その添加により誘電率異方性を大きく増大さ
せてその閾値電圧を低減することが可能であり、かつ高
速応答と、屈折率異方性の増大が可能であるといった特
長を併せ有する点で、従来知られている構造の比較的類
似した（Ａ）や（Ｂ）の化合物と比較してもより優れて
いることがわかる。

【０１２１】従って、一般式（Ｉ）の化合物は、イ）ネ
マチック相温度範囲が広く、かつ、ロ）閾値電圧が低く
低電圧駆動が可能であり、ハ）高速応答が可能な液晶組
成物の調製するうえにおいて非常に有用である。

【０１２２】

【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に
説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定され
るものではない。

【０１２３】なお、相転移温度の測定は温度調節ステー
ジを備えた偏光顕微鏡および示差走査熱量計（ＤＳＣ）
を併用して行った。また、化合物の構造は核磁気共鳴ス
ペクトル、赤外共鳴スペクトル（ＩＲ）、質量スペクト
ル（ＭＳ）等により確認した。 （実施例１） ５−フルオロ−６−シアノ−２−（トラ
ンス−４−プロピル）シクロヘキシルナフタレン（第１
表中の式（Ｉ−１）の化合物）の合成 １−フルオロ−６−（トランス−４−プロピル）シクロ
ヘキシルナフタレン−２−オール１３．４ｇ（この化合
物は６−ブロモ−２−メトキシナフタレンとマグネシウ
ムから調製したグリニヤール反応剤を４−プロピルシク
ロヘキサノンと反応させ、酸存在下に脱水して得られる
ナフチルシクロヘキセン誘導体を接触還元した後、ＤＭ
Ｆ中強塩基（ｔ−ブトキシカリウム）でシクロヘキサン
環をトランスに異性化し、次いで臭化水素酸により脱メ
チル化し、さらにＮ−フルオロ−５−トリフルオロメト
キシピリジニウム−２−スルホナートでフッ素化するこ
とにより得られた。）をジクロロメタン５５ｍｌに溶解
し次いで氷冷下にトリフルオロメタンスルホン酸無水物
８．６ｍｌを滴下した。これにピリジン４．６ｍｌを液
温が５℃を越えないように注意して滴下し、滴下終了後
も同温度で１時間撹拌させた。水２０ｍｌを加え反応を
停止し、有機層をさらに水２０ｍｌで２回洗滌後、無水
硫酸ナトリウムで脱水乾燥させ、次いで溶媒を減圧下に
溜去してトリフラート（トリフルオロメタンスルホン酸
１−フルオロ−６−（トランス−４−プロピル）シクロ
ヘキシルナフタレン−２−イル）１５．１ｇを得た。

【０１２４】このトリフラート８．１ｇをアセトニトリ
ル４０ｍｌに溶解し、ジブロモビス（トリフェニルホス
フィン）ニッケル（ＩＩ）０．５ｇ、トリフェニルホス
フィン０．４ｇ、亜鉛粉０．１ｇ、シアン化カリウム
２．５ｇを加え、８０℃で１６時間加熱撹拌させた。水
２０ｍｌを加え反応を停止し、有機層をさらに水２０ｍ
ｌで２回洗滌後、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥させ
た。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン/
酢酸エチル＝９／１）を用いて精製し、さらにエタノー
ルから再結晶させて５−フルオロ−６−シアノ−２−
（トランス−４−プロピル）シクロヘキシルナフタレン
３．３ｇを得た。

【０１２５】この相転移温度は第１表に示したとおりで
ある。 （実施例２） ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−
（トランス−４−プロピル）シクロヘキシルナフタレン
（第１表中の式（Ｉ−２）の化合物）の合成 実施例１において、１−フルオロ−６−（トランス−４
−プロピル）シクロヘキシルナフタレン−２−オールに
換えて、１，３−ジフルオロ−６−（トランス−４−プ
ロピル）シクロヘキシルナフタレン−２−オール（この
化合物は１，３−ジフルオロ−６−ブロモ−２−メトキ
シナフタレンから調製したグリニヤール反応剤を４−プ
ロピルシクロヘキサノンと反応させ、酸存在下に脱水し
て得られるナフチルシクロヘキセン誘導体を接触還元し
た後、ＤＭＦ中強塩基（ｔ−ブトキシカリウム）でシク
ロヘキサン環をトランスに異性化し、次いで臭化水素酸
により脱メチル化して得られる。）を用い、同様にトリ
フルオロメタンスルホン酸エステルとした後、同様にシ
アノ化することにより５，７−ジフルオロ−６−シアノ
−２−（トランス−４−プロピル）シクロヘキシルナフ
タレンを得た。

【０１２６】以下、実施例１あるいは２と同様にして以
下の化合物を得た。 ５−フルオロ−６−シアノ−２−（トランス−４−ブチ
ル）シクロヘキシルナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−（トランス−４−ペン
チル）シクロヘキシルナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（トランス−４
−ブチル）シクロヘキシルナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（トランス−４
−ペンチル）シクロヘキシルナフタレン トランス−４’−エチル−トランス−４−（５−フルオ
ロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビシクロヘキサ
ン トランス−４’−プロピル−トランス−４−（５−フル
オロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビシクロヘキ
サン（第１表中の式（Ｉ−６）の化合物） トランス−４’−ペンチル−トランス−４−（５−フル
オロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビシクロヘキ
サン トランス−４’−エチル−トランス−４−（５，７−ジ
フルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビシクロ
ヘキサン トランス−４’−プロピル−トランス−４−（５，７−
ジフルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビシク
ロヘキサン トランス−４’−ペンチル−トランス−４−（５，７−
ジフルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビシク
ロヘキサン トランス−４’−エチル−トランス−４−（４，５，７
−トリフルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビ
シクロヘキサン トランス−４’−プロピル−トランス−４−（４，５，
７−トリフルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル）
ビシクロヘキサン トランス−４’−ペンチル−トランス−４−（４，５，
７−トリフルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル）
ビシクロヘキサン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［４−［２−（トラン
ス−４−プロピル）シクロヘキシル］エチル］シクロヘ
キシルナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［４−［２−（トラン
ス−４−ペンチル）シクロヘキシル］エチル］シクロヘ
キシルナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［４−［２−
（トランス−４−プロピル）シクロヘキシル］エチル］
シクロヘキシルナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［４−［２−
（トランス−４−ペンチル）シクロヘキシル］エチル］
シクロヘキシルナフタレン （実施例３） ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）エチル］ナ
フタレンの合成 実施例２において、１，３−ジフルオロ−６−ブロモ−
２−メトキシナフタレンに換えて、１−フルオロ−６−
ブロモ−２−メトキシナフタレンを用い、４−プロピル
シクロヘキサノンに換えて、４−プロピルシクロヘキサ
ンエタナールを用い、t-ブトキシカリウムによる 異性
化を行わない他は同様にして、５−フルオロ−６−シア
ノ−２−［２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）エチル］ナフタレンを得た。

【０１２７】同様にして以下の化合物を得た。 ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２−（トランス−４
−ペンチルシクロヘキシル）エチル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［２−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）エチル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［２−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）エチル］ナフタレン トランス−４’−プロピル−トランス−４−［２−（５
−フルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル）エチ
ル］ビシクロヘキサン トランス−４’−ペンチル−トランス−４−［２−（５
−フルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル）エチ
ル］ビシクロヘキサン トランス−４’−プロピル−トランス−４−［２−
（５，７−ジフルオロ−６−シアノナフタレン−２−イ
ル）エチル］ビシクロヘキサン トランス−４’−ペンチル−トランス−４−［２−
（５，７−ジフルオロ−６−シアノナフタレン−２−イ
ル）エチル］ビシクロヘキサン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２−［４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル］エチル］
ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２−［４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］エチル］
ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２−［３，５−ジフ
ルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）フェニル］エチル］ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２−［３，５−ジフ
ルオロ−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）フェニル］エチル］ナフタレン （実施例４） ５−フルオロ−６−シアノ−２−（トラ
ンス−４’−ビニルビシクロヘキサン−４−イル）ナフ
タレンの合成 氷冷下ＴＨＦ中で塩化メトキシメチルトリフェニルホス
ホニウム及びt-ブトキシカリウムからウィッティヒ反応
剤を調製した。これにトランス−４’−（５−フルオロ
−６−メトキシナフタレン−２−イル）ビシクロヘキサ
ン−４−オン（この化合物は１−フルオロ−６−ブロモ
−２−メトキシナフタレンから調製したグリニヤール反
応剤をビシクロヘキサン−４，４’−ジオンモノエチレ
ンアセタールと反応させ、同様に脱水、接触還元後、ぎ
酸で脱アセタール化して得られる）のＴＨＦ溶液を０℃
で滴下した。１時間反応させた後、室温に戻し、水を加
え、有機層を濃縮した。ヘキサンを加えて溶解し、不溶
のトリフェニルホスフィンオキシドを濾別後、メタノー
ル／水＝１／１の混合溶媒で洗滌した。ヘキサン層を濃
縮して得られた粗生成物をエタノールに溶解し、水酸化
カリウムのエタノール溶液を加え、室温で１時間攪拌し
た。水を加え、稀塩酸で中和した後、トルエンで抽出し
た。有機層は水で洗滌後、無水硫酸ナトリウムで脱水乾
燥し、溶媒を溜去してトランス−４’−（５−フルオロ
−６−メトキシナフタレン−２−イル）ビシクロヘキサ
ン−トランス−４−カルバルデヒドの結晶を得た。これ
にヨウ化メトキシメチルトリフェニルホスホニウム及び
t-ブトキシカリウムから調製したウィッティヒ反応剤を
同様に反応させることにより５−フルオロ−６−メトキ
シ−２−（トランス−４’−ビニルビシクロヘキサン−
４−イル）ナフタレンを得た。これを実施例１と同様に
脱メチル化し、トリフルオロメタンスルホン酸エステル
とした後、シアノ化することにより表記の５−フルオロ
−６−シアノ−２−（トランス−４’−ビニルビシクロ
ヘキサン−４−イル）ナフタレンを得た。

【０１２８】同様にして以下の化合物を得た。 ５−フルオロ−６−シアノ−２−［トランス−４’−
（３−ブテン−１−イル）ビシクロヘキサン−４−イ
ル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（トランス−
４’−ビニルビシクロヘキサン−４−イル）ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［トランス−
４’−（３−ブテン−１−イル）ビシクロヘキサン−４
−イル］ナフタレン ４，５，７−トリフルオロ−６−シアノ−２−（トラン
ス−４’−ビニルビシクロヘキサン−４−イル）ナフタ
レン ４，５，７−トリフルオロ−６−シアノ−２−［トラン
ス−４’−（３−ブテン−１−イル）ビシクロヘキサン
−４−イル］ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−（トランス−４−ビニ
ルシクロヘキシル）ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［トランス−４−（３
−ブテン−１−イル）シクロヘキシル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（トランス−４
−ビニルシクロヘキシル）ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［トランス−４
−（３−ブテン−１−イル）シクロヘキシル］ナフタレ
ン （実施例５） ５−フルオロ−６−シアノ−２−（４−
プロピルフェニル）ナフタレン（第１表中の式（Ｉ−
３）の化合物）の合成 ４−プロピルフェニルホウ酸３４ｇ（この化合物は１−
ブロモ−４−プロピルベンゼンから調製したグリニヤー
ル反応剤をホウ酸トリメチルと反応させ、次いで塩酸で
加水分解することにより得た）及び６−ブロモ−２−ナ
フトール２５．５ｇを９２ｍｌのトルエン、４６ｍｌの
エタノールおよび９２ｍｌ水に溶解し、炭酸カリウム２
５．５ｇ及びテトラキストリフェニルホスフィンパラジ
ウム(0)１．３ｍｇを加え、７５℃で７時間撹拌させ
た。水及びトルエンを加え、さらに稀塩酸を水層が弱酸
性となるまで加えた。トルエンで抽出し、有機層を併
せ、水、次いで飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。溶媒を減圧下に溜去して６−（４−プロ
ピルフェニル）ナフタレン−２−オール４１．４ｇ得
た。この６−（４−プロピルフェニル）ナフタレン−２
−オール１２．７ｇをジクロロメタン５０ｍｌに溶解
し、Ｎ−フルオロ−５−トリフルオロメトキシピリジニ
ウム−２−スルホナート１３．１ｇを加え、室温で１８
時間撹拌させた。上記と同様に後処理することにより得
られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
（ヘキサン/酢酸エチル＝９／１）で精製して１−フル
オロ−６−（４−プロピルフェニル）ナフタレン−２−
オール１０ｇを得た。以下、実施例１と同様にトリフル
オロメタンスルホン酸エステルとし、シアノ化すること
により表記の５−フルオロ−６−シアノ−２−（４−プ
ロピルフェニル）ナフタレン１．３ｇを得た。相転移温
度は第１表に示した。 （実施例６） ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−
（４−プロピルフェニル）ナフタレンの合成 ４−プロピルフェニルホウ酸７．３ｇ及びトリフルオロ
メタンスルホン酸５，７−ジフルオロ−６−シアノナフ
タレン−２−イル１０ｇ（この化合物は５，７−ジフル
オロ−６−シアノナフタレン−２−オールを無水トリフ
ルオロメタンスルホン酸でトリフラート化することによ
り得た）をＤＭＦ５０ｍｌに溶解し、テトラキストリフ
ェニルホスフィンパラジウム(0)０．４ｇを加え、８５
℃で８時間撹拌させた。水及びトルエンを加え、水層は
トルエンで抽出し、有機層を併せ、水、次いで飽和食塩
水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を減
圧下に溜去して得られた油状物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（ヘキサン/酢酸エチル＝９／１）で精
製し、さらにエタノールから再結晶させて、５，７−ジ
フルオロ−６−シアノ−２−（４−プロピルフェニル）
ナフタレンの結晶５．８ｇを得た。 （実施例７） ５−フルオロ−６−シアノ−２−（２−
フルオロ−４−プロピルフェニル）ナフタレン（第１表
中の式（Ｉ−４）の化合物）の合成 ６−ブロモ−１−フルオロ−２−（４，４，−ジメチル
−１，３−オキサゾリン−２−エン−１−イル）ナフタ
レン１４．７ｇ（この化合物は６−ブロモ−１−フルオ
ロナフタレン−２−カルボン酸クロリドと２−アミノ−
２−メチルプロパノールから得られるアミドを塩化チオ
ニルで脱水することにより得られた）から調製したグリ
ニヤール反応剤を２−フルオロ−４−プロピル−１−ヨ
ードベンゼン１０ｇ及びテトラキストリフェニルホスフ
ィンパラジウム(0)０．１ｇのＴＨＦ５０ｍｌ溶液中に
５０℃で滴下した。さらに３時間撹拌した後、水及びト
ルエンを加え、水層はトルエンで抽出し、有機層を併
せ、水、次いで飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。溶媒を減圧下に溜去して得られた粗生成
物をピリジン５０ｍｌに溶解し、１０℃でオキシ塩化リ
ン６．７ｇを滴下した。さらに５℃で３時間撹拌した
後、過剰のオキシ塩化リン及びピリジンの大部分を減圧
下に溜去し、トルエンを加え、稀塩酸、水次いで飽和食
塩水で順次洗滌した。溶媒を減圧下に溜去して得られた
油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサ
ン/酢酸エチル＝９／１）を用いて精製し、さらにエタ
ノールから再結晶させて５−フルオロ−６−シアノ−２
−（２−フルオロ−４−プロピルフェニル）ナフタレン
５．９ｇを得た。

【０１２９】実施例５、６あるいは７と同様にして以下
の化合物を得た。 ５−フルオロ−６−シアノ−２−（４−ペンチルフェニ
ル）ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−（４−ヘプチルフェニ
ル）ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［４−（３−ブテン−
１−イル）フェニル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（４−ペンチル
フェニル）ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（４−ヘプチル
フェニル）ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［４−（３−ブ
テン−１−イル）フェニル］ナフタレン ４，５，７−トリフルオロ−６−シアノ−２−（４−ペ
ンチルフェニル）ナフタレン ４，５，７−トリフルオロ−６−シアノ−２−（４−ヘ
プチルフェニル）ナフタレン ４，５，７−トリフルオロ−６−シアノ−２−［４−
（３−ブテン−１−イル）フェニル］ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−（２−フルオロ−４−
ペンチルフェニル）ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−（２−フルオロ−４−
ヘプチルフェニル）ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２−フルオロ−４−
（３−ブテン−１−イル）フェニル］ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−（２，６−ジフルオロ
−４−プロピルフェニル）ナフタレン（第１表中の式
（Ｉ−５）の化合物） ５−フルオロ−６−シアノ−２−（２，６−ジフルオロ
−４−ペンチルフェニル）ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−（２，６−ジフルオロ
−４−ヘプチルフェニル）ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフルオロ
−４−（３−ブテン−１−イル）フェニル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（２−フルオロ
−４−プロピルフェニル）ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（２−フルオロ
−４−ペンチルフェニル）ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（２−フルオロ
−４−ヘプチルフェニル）ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［２−フルオロ
−４−（３−ブテン−１−イル）フェニル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（２，６−ジフ
ルオロ−４−プロピルフェニル）ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（２，６−ジフ
ルオロ−４−ペンチルフェニル）ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（２，６−ジフ
ルオロ−４−ヘプチルフェニル）ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフ
ルオロ−４−（３−ブテン−１−イル）フェニル］ナフ
タレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［４−（トランス−４
−エチルシクロヘキシル）フェニル］ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［４−（トランス−４
−プロピルシクロヘキシル）フェニル］ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［４−（トランス−４
−ブチルシクロヘキシル）フェニル］ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［４−（トランス−４
−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［４−（トラン
ス−４−エチルシクロヘキシル）フェニル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル］ナフタレ
ン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［４−（トラン
ス−４−ブチルシクロヘキシル）フェニル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］ナフタレ
ン ４，５，７−トリフルオロ−６−シアノ−２−［４−
（トランス−４−エチルシクロヘキシル）フェニル］ナ
フタレン ４，５，７−トリフルオロ−６−シアノ−２−［４−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル］
ナフタレン ４，５，７−トリフルオロ−６−シアノ−２−［４−
（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）フェニル］ナ
フタレン ４，５，７−トリフルオロ−６−シアノ−２−［４−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニルナ
フタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２−フルオロ−４−
（トランス−４−エチルシクロヘキシル）フェニル］ナ
フタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２−フルオロ−４−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル］
ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２−フルオロ−４−
（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）フェニル］ナ
フタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２−フルオロ−４−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］
ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［２−フルオロ
−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）フェニ
ル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［２−フルオロ
−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェ
ニル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［２−フルオロ
−４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）フェニ
ル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［２−フルオロ
−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェ
ニル］ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフルオロ
−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）フェニ
ル］ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフルオロ
−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェ
ニル］ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフルオロ
−４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）フェニ
ル］ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフルオロ
−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェ
ニル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフ
ルオロ−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）
フェニル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフ
ルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）フェニル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフ
ルオロ−４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）
フェニル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフ
ルオロ−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）フェニル］ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［４−［２−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）エチル］フェニル］
ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［４−［２−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）エチル］フェニル］
ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［４−［２−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）エチル］フ
ェニル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［４−［２−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）エチル］フ
ェニル］ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２−フルオロ−４−
［２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）エチ
ル］フェニル］ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２−フルオロ−４−
［２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）エチ
ル］フェニル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［２−フルオロ
−４−［２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）エチル］フェニル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［２−フルオロ
−４−［２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）エチル］フェニル］ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフルオロ
−４−［２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）エチル］フェニル］ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフルオロ
−４−［２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）エチル］フェニル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフ
ルオロ−４−［２−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）エチル］フェニル］ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフ
ルオロ−４−［２−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）エチル］フェニル］ナフタレン ４’−エチル−４−（５−フルオロ−６−シアノナフタ
レン−２−イル）ビフェニル ４’−プロピル−４−（５−フルオロ−６−シアノナフ
タレン−２−イル）ビフェニル ４’−ブチル−４−（５−フルオロ−６−シアノナフタ
レン−２−イル）ビフェニル ４’−ペンチル−４−（５−フルオロ−６−シアノナフ
タレン−２−イル）ビフェニル ４’−（３−ブテン−１−イル）−４−（５−フルオロ
−６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニル ４’−エチル−４−（５，７−ジフルオロ−６−シアノ
ナフタレン−２−イル）ビフェニル ４’−プロピル−４−（５，７−ジフルオロ−６−シア
ノナフタレン−２−イル）ビフェニル ４’−ブチル−４−（５，７−ジフルオロ−６−シアノ
ナフタレン−２−イル）ビフェニル ４’−ペンチル−４−（５，７−ジフルオロ−６−シア
ノナフタレン−２−イル）ビフェニル ４’− （３−ブテン−１−イル）−４−（５，７−ジ
フルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニ
ル ２’−フルオロ−４’−エチル−４−（５−フルオロ−
６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニル ２’−フルオロ−４’−プロピル−４−（５−フルオロ
−６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニル ２’−フルオロ−４’−ブチル−４−（５−フルオロ−
６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニル ２’−フルオロ−４’−ペンチル−４−（５−フルオロ
−６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニル ２’−フルオロ−４’−（３−ブテン−１−イル）−４
−（５−フルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル）
ビフェニル ２’−フルオロ−４’−エチル−４−（５，７−ジフル
オロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニル ２’−フルオロ−４’−プロピル−４−（５，７−ジフ
ルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニル ２’−フルオロ−４’−ブチル−４−（５，７−ジフル
オロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニル ２’−フルオロ−４’−ペンチル−４−（５，７−ジフ
ルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニル ２’−フルオロ−４’− （３−ブテン−１−イル）−
４−（５，７−ジフルオロ−６−シアノナフタレン−２
−イル）ビフェニル ３，５−ジフルオロ−４’−エチル−４−（５−フルオ
ロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニル ３，５−ジフルオロ−４’−プロピル−４−（５−フル
オロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニル ３，５−ジフルオロ−４’−ブチル−４−（５−フルオ
ロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニル ３，５−ジフルオロ−４’−ペンチル−４−（５−フル
オロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニル ３，５−ジフルオロ−４’−（３−ブテン−１−イル）
−４−（５−フルオロ−６−シアノナフタレン−２−イ
ル）ビフェニル ３，５−ジフルオロ−４’−エチル−４−（５，７−ジ
フルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニ
ル ３，５−ジフルオロ−４’−プロピル−４−（５，７−
ジフルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェ
ニル ３，５−ジフルオロ−４’−ブチル−４−（５，７−ジ
フルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニ
ル ３，５−ジフルオロ−４’−ペンチル−４−（５，７−
ジフルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェ
ニル ３，５−ジフルオロ−４’− （３−ブテン−１−イ
ル）−４−（５，７−ジフルオロ−６−シアノナフタレ
ン−２−イル）ビフェニル ３−フルオロ−４’−エチル−４−（５−フルオロ−６
−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニル ３−フルオロ−４’−プロピル−４−（５−フルオロ−
６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニル ３−フルオロ−４’−ブチル−４−（５−フルオロ−６
−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニル ３−ジルオロ−４’−ペンチル−４−（５−フルオロ−
６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニル ３−フルオロ−４’−（３−ブテン−１−イル）−４−
（５−フルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビ
フェニル ３−フルオロ−４’−エチル−４−（５，７−ジフルオ
ロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニル ３−フルオロ−４’−プロピル−４−（５，７−ジフル
オロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニル ３−フルオロ−４’−ブチル−４−（５，７−ジフルオ
ロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニル ３−フルオロ−４’−ペンチル−４−（５，７−ジフル
オロ−６−シアノナフタレン−２−イル）ビフェニル ３−フルオロ−４’− （３−ブテン−１−イル）−４
−（５，７−ジフルオロ−６−シアノナフタレン−２−
イル）ビフェニル （実施例８） ５−フルオロ−６−シアノ−２−（４−
プロピルフェニル）エチニルナフタレンの合成 ４−プロピル−１−エチニルベンゼン１０ｇ及びトリフ
ルオロメタンスルホン酸５−フルオロ−６−シアノナフ
タレン−２−イル１３．４ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド（ＤＭＦ）５０ｍｌに溶解し、ヨウ化銅(I)５０
ｍｇ及びテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム
(0)１００ｍｇを加え、室温で 時間撹拌させた。トル
エンを加え、不溶物を濾別した後、水及び飽和食塩水で
洗滌した。溶媒を溜去後、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝９／１）を用いて精
製し、さらにエタノールから再結晶させて５−フルオロ
−６−シアノ−２−（４−プロピルフェニル）エチニル
ナフタレンの結晶７．３ｇを得た。

【０１３０】同様にして以下の化合物を得た。 ５−フルオロ−６−シアノ−２−（４−エチルフェニ
ル）エチニルナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−（４−ブチルフェニ
ル）エチニルナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−（４−ペンチルフェニ
ル）エチニルナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［４−（３−ブテン−
１−イル）フェニル］エチニルナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（４−エチルフ
ェニル）エチニルナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（４−プロピル
フェニル）エチニルナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（４−ブチルフ
ェニル）エチニルナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（４−ペンチル
フェニル）エチニルナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［４−（３−ブ
テン−１−イル）フェニル］エチニルナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−（２−フルオロ−４−
エチルフェニル）エチニルナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−（２−フルオロ−４−
プロピルフェニル）エチニルナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−（２−フルオロ−４−
ブチルフェニル）エチニルナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−（２−フルオロ−４−
ペンチルフェニル）エチニルナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２−フルオロ−４−
（３−ブテン−１−イル）フェニル］エチニルナフタレ
ン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（２−フルオロ
−４−エチルフェニル）エチニルナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（２−フルオロ
−４−プロピルフェニル）エチニルナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（２−フルオロ
−４−ブチルフェニル）エチニルナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（２−フルオロ
−４−ペンチルフェニル）エチニルナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［２−フルオロ
−４−（３−ブテン−１−イル）フェニル］エチニルナ
フタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−（２，６−ジフルオロ
−４−エチルフェニル）エチニルナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−（２，６−ジフルオロ
−４−プロピルフェニル）エチニルナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−（２，６−ジフルオロ
−４−ブチルフェニル）エチニルナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−（２，６−ジフルオロ
−４−ペンチルフェニル）エチニルナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフルオロ
−４−（３−ブテン−１−イル）フェニル］エチニルナ
フタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（２，６−ジフ
ルオロ−４−エチルフェニル）エチニルナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（２，６−ジフ
ルオロ−４−プロピルフェニル）エチニルナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（２，６−ジフ
ルオロ−４−ブチルフェニル）エチニルナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−（２，６−ジフ
ルオロ−４−ペンチルフェニル）エチニルナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフ
ルオロ−４−（３−ブテン−１−イル）フェニル］エチ
ニルナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［４−（トランス−４
−プロピルシクロヘキシル）フェニル］エチニルナフタ
レン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［４−（トランス−４
−ブチルシクロヘキシル）フェニル］エチニルナフタレ
ン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［４−（トランス−４
−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］エチニルナフタ
レン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル］エチニル
ナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［４−（トラン
ス−４−ブチルシクロヘキシル）フェニル］エチニルナ
フタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］エチニル
ナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフルオロ
−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェ
ニル］エチニルナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフルオロ
−４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）フェニ
ル］エチニルナフタレン ５−フルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフルオロ
−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェ
ニル］エチニルナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフ
ルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）フェニル］エチニルナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフ
ルオロ−４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）
フェニル］エチニルナフタレン ５，７−ジフルオロ−６−シアノ−２−［２，６−ジフ
ルオロ−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）フェニル］エチニルナフタレン （実施例９） ４−ペンチル安息香酸５−フルオロ−６
−シアノナフタレン−２−イル（第１表中の式（Ｉ−
７）の化合物）の合成 ４−ペンチル安息香酸クロリド１３．６ｇ及び５−フル
オロ−６−シアノナフタレン−２−オール１０ｇをジク
ロロメタン５０ｍｌに溶解しピリジン２９ｍｌを加え、
室温で１時間撹拌させた。水及びトルエンを加え、トル
エン層を稀塩酸、水、飽和食塩水で順次洗滌した。溶媒
を溜去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキ
サン／酢酸エチル＝９／１）で精製し、さらにエタノー
ルから再結晶させて４−ペンチル安息香酸５−フルオロ
−６−シアノナフタレン−２−イルの結晶１５．４ｇを
得た。

【０１３１】同様にして以下の化合物を得た。 ４−プロピル安息香酸５−フルオロ−６−シアノナフタ
レン−２−イル ４−ブチル安息香酸５−フルオロ−６−シアノナフタレ
ン−２−イル ４−ヘプチル安息香酸５−フルオロ−６−シアノナフタ
レン−２−イル ４−（３−ブテン−１−イル）安息香酸５−フルオロ−
６−シアノナフタレン−２−イル ４−ビニルシクロヘキサンカルボン酸５−フルオロ−６
−シアノナフタレン−２−イル ４−プロピルシクロヘキサンカルボン酸５−フルオロ−
６−シアノナフタレン−２−イル ４−ブチルシクロヘキサンカルボン酸５−フルオロ−６
−シアノナフタレン−２−イル ４−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸５−フルオロ−
６−シアノナフタレン−２−イル（第１表中の式（Ｉ−
７）の化合物） ４−ヘプチルシクロヘキサンカルボン酸５−フルオロ−
６−シアノナフタレン−２−イル ４−（３−ブテン−１−イル）シクロヘキサンカルボン
酸５−フルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル ４−プロピル安息香酸５，７−ジフルオロ−６−シアノ
ナフタレン−２−イル ４−ブチル安息香酸５，７−ジフルオロ−６−シアノナ
フタレン−２−イル ４−ペンチル安息香酸５，７−ジフルオロ−６−シアノ
ナフタレン−２−イル ４−ヘプチル安息香酸５，７−ジフルオロ−６−シアノ
ナフタレン−２−イル ４−（３−ブテン−１−イル）安息香酸５，７−ジフル
オロ−６−シアノナフタレン−２−イル ２−フルオロ−４−プロピル安息香酸５−フルオロ−６
−シアノナフタレン−２−イル ２−フルオロ−４−ブチル安息香酸５−フルオロ−６−
シアノナフタレン−２−イル ２−フルオロ−４−ペンチル安息香酸５−フルオロ−６
−シアノナフタレン−２−イル ２−フルオロ−４−ヘプチル安息香酸５−フルオロ−６
−シアノナフタレン−２−イル ２−フルオロ−４−（３−ブテン−１−イル）安息香酸
５−フルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル ２−フルオロ−４−プロピル安息香酸５，７−ジフルオ
ロ−６−シアノナフタレン−２−イル ２−フルオロ−４−ブチル安息香酸５，７−ジフルオロ
−６−シアノナフタレン−２−イル ２−フルオロ−４−ペンチル安息香酸５，７−ジフルオ
ロ−６−シアノナフタレン−２−イル ２−フルオロ−４−ヘプチル安息香酸５，７−ジフルオ
ロ−６−シアノナフタレン−２−イル ２−フルオロ−４−（３−ブテン−１−イル）安息香酸
５，７−ジフルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル ２，６−ジフルオロ−４−プロピル安息香酸５−フルオ
ロ−６−シアノナフタレン−２−イル ２，６−ジフルオロ−４−ブチル安息香酸５−フルオロ
−６−シアノナフタレン−２−イル ２，６−ジフルオロ−４−ペンチル安息香酸５−フルオ
ロ−６−シアノナフタレン−２−イル ２，６−ジフルオロ−４−ヘプチル安息香酸５−フルオ
ロ−６−シアノナフタレン−２−イル ２，６−ジフルオロ−４−（３−ブテン−１−イル）安
息香酸５−フルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル ２，６−ジフルオロ−４−プロピル安息香酸５，７−ジ
フルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル ２，６−ジフルオロ−４−ブチル安息香酸５，７−ジフ
ルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル ２，６−ジフルオロ−４−ペンチル安息香酸５，７−ジ
フルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル ２，６−ジフルオロ−４−ヘプチル安息香酸５，７−ジ
フルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル ２，６−ジフルオロ−４−（３−ブテン−１−イル）安
息香酸５，７−ジフルオロ−６−シアノナフタレン−２
−イル ４−（トランス−４−エチル）シクロヘキシル安息香酸
５−フルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル ４−（トランス−４−プロピル）シクロヘキシル安息香
酸５−フルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル ４−（トランス−４−ブチル）シクロヘキシル安息香酸
５−フルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル ４−（トランス−４−ペンチル）シクロヘキシル安息香
酸５−フルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル ４−（トランス−４−エチル）シクロヘキシル安息香酸
５，７−ジフルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル ４−（トランス−４−プロピル）シクロヘキシル安息香
酸５，７−ジフルオロ−６−シアノナフタレン−２−イ
ル ４−（トランス−４−ブチル）シクロヘキシル安息香酸
５，７−ジフルオロ−６−シアノナフタレン−２−イル ４−（トランス−４−ペンチル）シクロヘキシル安息香
酸５，７−ジフルオロ−６−シアノナフタレン−２−イ
ル ２−フルオロ−４−（トランス−４−エチル）シクロヘ
キシル安息香酸５−フルオロ−６−シアノナフタレン−
２−イル ２−フルオロ−４−（トランス−４−プロピル）シクロ
ヘキシル安息香酸５−フルオロ−６−シアノナフタレン
−２−イル ２−フルオロ−４−（トランス−４−ブチル）シクロヘ
キシル安息香酸５−フルオロ−６−シアノナフタレン−
２−イル ２−フルオロ−４−（トランス−４−ペンチル）シクロ
ヘキシル安息香酸５−フルオロ−６−シアノナフタレン
−２−イル ２−フルオロ−４−（トランス−４−エチル）シクロヘ
キシル安息香酸５，７−ジフルオロ−６−シアノナフタ
レン−２−イル ２−フルオロ−４−（トランス−４−プロピル）シクロ
ヘキシル安息香酸５，７−ジフルオロ−６−シアノナフ
タレン−２−イル ２−フルオロ−４−（トランス−４−ブチル）シクロヘ
キシル安息香酸５，７−ジフルオロ−６−シアノナフタ
レン−２−イル ２−フルオロ−４−（トランス−４−ペンチル）シクロ
ヘキシル安息香酸５，７−ジフルオロ−６−シアノナフ
タレン−２−イル ２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−エチル）シ
クロヘキシル安息香酸５−フルオロ−６−シアノナフタ
レン−２−イル ２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピル）
シクロヘキシル安息香酸５−フルオロ−６−シアノナフ
タレン−２−イル ２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−ブチル）シ
クロヘキシル安息香酸５−フルオロ−６−シアノナフタ
レン−２−イル ２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−ペンチル）
シクロヘキシル安息香酸５−フルオロ−６−シアノナフ
タレン−２−イル ２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−エチル）シ
クロヘキシル安息香酸５，７−ジフルオロ−６−シアノ
ナフタレン−２−イル ２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−プロピル）
シクロヘキシル安息香酸５，７−ジフルオロ−６−シア
ノナフタレン−２−イル ２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−ブチル）シ
クロヘキシル安息香酸５，７−ジフルオロ−６−シアノ
ナフタレン−２−イル ２，６−ジフルオロ−４−（トランス−４−ペンチル）
シクロヘキシル安息香酸５，７−ジフルオロ−６−シア
ノナフタレン−２−イル （実施例１０） 液晶組成物の調製 汎用のｎ型ホスト液晶（Ｈ）

【０１３２】

【化５０】

【０１３３】（シクロヘキサン環はトランス配置であ
る。）は７２．５℃以下でネマチック相を示す。このホ
スト液晶（Ｈ）をセル厚８．０μｍのＴＮセルに充填し
て液晶素子を作成した。

【０１３４】その電気光学特性を測定したところ以下の
通りであった。 誘電率異方性（Δε） −１．３ 屈折率異方性（Δｎ） ０．０８５ ここで、応答時間は立ち上がり時間（τｒ）と立ち下が
り時間（τｄ）が等しくなる電圧印加時の応答時間であ
る。

【０１３５】次に、このホスト液晶（Ｈ）８０重量％及
び実施例１で得た式（Ｉ−１）

【０１３６】

【化５１】

【０１３７】の化合物２０重量％からなるネマチック液
晶組成物（Ｍ−１）を調製したところ、液晶相上限温度
（Ｔ_N-I）は７８．９℃と６℃以上も上昇した。この
（Ｍ−１）を１５０℃で２０時間放置した後にそのＴ
_N-Iを測定したが、７８．５℃で加熱前とほとんど変化
がみられなかった。また、紫外線を２０時間照射した
が、やはりＴ_N-Iに変化はみられなかった。また、この
（Ｍ−１）を−２０℃で２週間放置したが結晶の析出や
相分離観察されなかった。次に、−６０℃に冷却して結
晶化させ、その融点（Ｔ_C-N）を測定したところ−２℃
であった。

【０１３８】次に、（Ｍ−１）を同様にしてセルに充填
し液晶素子を作成して、その電気光学特性を測定したと
ころ、以下の通りであった。 ネマチック相上限温度（Ｔ_N-I） ７８．９℃ 誘電率異方性（Δε） ３．２ 閾値電圧（Ｖｔｈ） ２．１４Ｖ 応答時間（τ） ４０．０ｍ秒 屈折率異方性（Δｎ） ０．１０６ ホスト液晶（Ｈ）はｎ型であるため応答しないが、（Ｍ
−１）では式（Ｉ−１）の化合物を２０重量％含有する
ことにより誘電率異方性（Δε）が３．２と大きくな
り、４０ｍ秒という高速応答が可能となった。また、屈
折率異方性（Δｎ）も増大していることがわかる。 （比較例１）ホスト液晶（Ｈ）８０重量％及び式（Ｉ−
１）の化合物と比較的類似の構造を有するが、フッ素原
子を含まない６−シアノナフタレン誘導体である式
（Ａ）

【０１３９】

【化５２】

【０１４０】の化合物２０重量％からなるネマチック液
晶組成物（Ｍ−Ａ）を調製した。同様にして液晶素子を
作成し、その電気光学特性を測定したところ以下の通り
であった。

【０１４１】 ネマチック相上限温度（Ｔ_N-I） ８１．２℃ 誘電率異方性（Δε） ２．２ 閾値電圧（Ｖｔｈ） ２．６８Ｖ 応答時間（τ） ３７．５ｍ秒 屈折率異方性（Δｎ） ０．１０８ （Ｍ−Ａ）はＴ_N-Iが（Ｍ−１）と比較して約２℃上昇
し、応答もやや高速化されている。しかしながら、Δε
がかなり減少し、そのために閾値電圧（Ｖｔｈ）が大幅
に上昇していることがわかる。また、（Ｍ−Ａ）を同様
に−２０℃で放置したところ、１週間以内に結晶が析出
した。従って、式（Ａ）の化合物は駆動電圧の低電圧化
及び汎用液晶に対する相溶性の点で本発明に関わる式
（Ｉ−１）の化合物に及ばないことがわかる。 （比較例２）ホスト液晶（Ｈ）８０重量％及び式（Ｉ−
１）の化合物と比較的類似の構造を有するが、ナフタレ
ン骨格を含まない３−フルオロ−４−シアノベンゼン誘
導体である式（Ｂ）

【０１４２】

【化５３】

【０１４３】の化合物２０重量％からなるネマチック液
晶組成物（Ｍ−Ｂ）を調製した。同様にして液晶素子を
作成し、その電気光学特性を測定したところ、以下の通
りであった。

【０１４４】 ネマチック相上限温度（Ｔ_N-I） ５８．５℃ 誘電率異方性（Δε） ３．６ 閾値電圧（Ｖｔｈ） ２．２Ｖ 応答時間（τ） ３６．０ｍ秒 屈折率異方性（Δｎ） ０．０８４ （Ｍ−Ｂ）のΔεは（Ｍ−１）より増大し、Ｖｔｈはそ
のためにより効果的に低減されていることがわかる。し
かしながら、そのＴ_N-Iは（Ｍ−１）と比較して約２０
℃も低下してしまった。従って、式（Ｂ）の化合物は液
晶性が低く広い温度範囲を確保する上において本発明に
関わる式（Ｉ−１）の化合物に及ばないことがわかる。

【０１４５】以上のように式（Ｉ−１）の化合物は、他
の液晶化合物との相溶性に優れ、ネマチック相上限温度
が高く、その添加により誘電率異方性を大きく増大させ
てその閾値電圧を低減することが可能であり、かつ高速
応答と、屈折率異方性の増大が可能であるといった特長
を併せ有する点で、従来知られている構造の比較的類似
した式（Ａ）や式（Ｂ）の化合物と比較してもより優れ
ていることが明らかである。

【０１４６】

【発明の効果】本発明に係わる一般式（Ｉ）で表される
化合物は、実施例に示したように工業的にも容易に製造
でき、熱、光、水等に対し、化学的に安定である。ま
た、液晶性に優れ、現在汎用されている液晶化合物ある
いは組成物との相溶性にも優れている。さらにその添加
により誘電率異方性を大きく増大させてその閾値電圧を
低減することが可能であり、かつ高速応答と、屈折率異
方性の増大が可能であるといった特長を併せ有する。従
って、イ）ネマチック相温度範囲が広く、かつ、ロ）閾
値電圧が低く低電圧駆動が可能であり、ハ）高速応答が
可能な液晶組成物の調製するうえにおいて非常に有用か
つ実用的である。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキル基、アルコ
   キシル基又は炭素原子数２〜１２のアルコキシルアルキ
   ル基、アルケニル基あるいはアルケニルオキシ基を表
   し、環Ａはトランス−１，４−シクロへキシレン基、
   １，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニ
   レン基又は２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン基
   を表し、環Ｂはトランス−１，４−シクロへキシレン
   基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フ
   ェニレン基、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン
   基又は単結合を表し、Ｌ及びＭはそれぞれ独立的に−Ｃ
   Ｈ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、
   −ＯＣＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ₂ＣＨ₂
   ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合
   を表すが、環Ｂが単結合を表す場合にはＭは単結合を表
   す。Ｘ¹〜Ｘ³はそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原
   子を表すが、その少なくとも１個はフッ素原子を表
   す。）で表されるフッ素置換された６−シアノナフタレ
   ン誘導体である新規液晶性化合物。
2. 【請求項２】 一般式（Ｉ）において、Ｘ²がフッ素原
   子を表すところの請求項１記載の化合物。
3. 【請求項３】 一般式（Ｉ）において、Ｌ及びＭが−Ｃ
   Ｈ₂ＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表す
   ところの請求項１又は２記載の化合物。
4. 【請求項４】 一般式（Ｉ）において、Ｌ及びＭの少な
   くとも一方が単結合を表すところの請求項１、２又は３
   記載の化合物。
5. 【請求項５】 一般式（Ｉ）において、Ｒが炭素原子数
   １〜７の直鎖状アルキル基を表すところの請求項１、
   ２、３又は４記載の化合物。
6. 【請求項６】 請求項１記載の一般式（Ｉ）で表される
   化合物を含有する液晶組成物。
7. 【請求項７】 ＳＴＮ表示に用いられる請求項６記載の
   液晶組成物。
8. 【請求項８】 請求項６記載の液晶組成物を構成要素と
   する液晶素子。
9. 【請求項９】 請求項７記載の液晶組成物を用いたＳＴ
   Ｎ液晶表示素子。