JPH113548A

JPH113548A - 光磁気記録媒体ならびにその再生、記録および消去方法

Info

Publication number: JPH113548A
Application number: JP9154879A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Furuta; 正寛古田
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1997-06-12
Filing date: 1997-06-12
Publication date: 1999-01-06

Abstract

(57)【要約】【課題】青色発光レーザーなどの短波長のビームを用
いた場合に、良好な再生特性を得る。【解決手段】円形の基板上に、再生層３としてＰｔと
Ｃｏからなる積層膜またはＰｄとＣｏからなる積層膜を
形成し、その上に再生スイッチング層５として、常温で
は垂直磁化膜であるが、再生用ビームを照射した場合は
キュリー点に達する膜を形成し、その上にメモリ層７と
して垂直磁化膜を形成する。また、再生層３と再生スイ
ッチング層５との間に、接合層４として垂直磁化膜を形
成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録媒体な
らびにその再生、記録および消去方法に関し、特に青色
発光レーザーなどの短波長のビームにより記録再生され
る光磁気記録媒体ならびにその再生、記録および消去方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】通常、光磁気膜をメモリ層として用いた
光磁気ディスクでは、情報を記録する際、ビームを光磁
気ディスクに照射してスポット部分の光磁気層を加熱
し、外部磁化などの影響により光磁気層の磁化方向を変
化させることにより記録がなされる。最近では、画像情
報のような大きな情報量を記録あるいは再生する機会が
増加している。このような状況において、光記録媒体
に、より多くの情報を記録し、あるいは、その情報を正
確に再生したいという要求が高まっている。そして、そ
の要求を満たすための様々なアプローチがなされてい
る。

【０００３】まず、ディスクにおいては径方向の記録密
度を上げるにはトラックピッチを詰めるという方法があ
る。このためには、記録マーク幅を小さくする必要があ
る。これまでトラックピッチは１．６μｍが標準であっ
たが、最近ではトラックピッチを狭くする試みがなされ
ており、１．４μｍや１．２μｍ、更に１．０μｍが報
告されている。

【０００４】次に、周方向の記録密度を上げるには、記
録マーク長さを小さくする必要がある。記録マークの幅
や長さを小さくするには、記録ビームの中心付近のエネ
ルギーの高い領域のみを用いることにより、相当小さな
マークが形成できる。これを筆先記録と言っている。

【０００５】しかし、問題は再生にある。再生は、ビー
ムスポット内のマークを光学的に検出することにより行
われる。したがって、常にビームスポット内には基本的
に一個のマークしかないようにする必要がある。もし、
ビームスポット内に複数個のマークが存在すると、情報
が混ざり合ってしまって、必要な情報を正しく再生する
ことができないからである。このようにビームスポット
内の情報が混ざり合うことを符号間干渉という（図
５）。

【０００６】すなわち、符号間干渉を抑えないかぎり、
ビームスポットの一部分にあるマークが表わす情報のみ
を取り出して再生することはできないのである。ビーム
スポット径は、例えば現在広く用いられている波長６８
０ｍｍの赤色発光レーザの場合、理想的な光学系であっ
ても１．０μｍ程度に絞るのが限界である。このため、
径方向では、原理的にトラックピッチを約１．０μｍよ
り狭くすると、隣接するトラックに記録されているマー
クを同時に再生してしまう。

【０００７】また、マーク長さやマーク間隔が１．０μ
ｍに比べてかなり小さくなると、前後のマークを同時
に再生してしまう。しかし、相当な高密度に記録された
情報を正確に再生することが可能な記録再生方法および
媒体が発明された。これは磁気超解像と呼ばれる。この
方法の基本的な考え方は、およそ次の通りである。

【０００８】再生ビームの照射により記録媒体の温度は
上昇する。ビーム強度は中心ほど高いのでビームの中心
ほど熱せられる。しかし、媒体はビームに対して移動し
ているので、再生ビームスポット内の後ろ側が畜熱作用
により相対的に高温になる。この温度分布の特性を利用
してビームスポット内の一部をマスクし、マスクされな
い部分のみ再生すれば、スポット内の小さな部分の情報
のみ再生することができる。

【０００９】つまり、実質的に再生ビームスポットサイ
ズを小さくしたことと同等になる。すなわち、相当に高
密度記録された情報を正確に再生できるのである。マス
ク生成の原理は、磁気的結合力の変化による磁化方向変
化を利用した磁気超解像（ＭＳＲ：Magnetically induc
ed Super Resolution ）再生によるものが提案されてお
り、この他に、相変化による透過率の変化によるものに
ついても発表されている。

【００１０】磁気超解像には、ＦＡＤ、ＲＡＤ、ＣＡ
Ｄ、ダブルマスクなどの各方式がある。例えば、図１０
に示す従来のＣＡＤ方式では、再生時、再生層３の面内
磁化領域３Ｄによりメモリ層７がマスクされる。

【００１１】これにより、再生層３の垂直磁化領域３Ａ
にメモリ層７のマーク７Ａ，７Ｃが転写される。そし
て、ビームの照射されたスポット１０内の垂直磁化領域
３Ａに転写された磁化のみを、記録情報として再生する
ことにより、高密度な再生が行われる。

【００１２】また、図１１に示す従来のＦＡＤ方式で
は、再生時、再生スイッチング層５のキュリー点に達し
た磁化消失領域５Ｂによりメモリ層７がマスクされる。
これにより、再生スイッチング層５の垂直磁化領域５Ａ
を介して、メモリ層７のマーク７Ａが再生層３に転写さ
れる。そして、ビームの照射されたスポット１０内のア
パーチャ領域３Ａに転写された磁化のみを記録情報とし
て再生することにより、高密度な再生が行われる。

【００１３】さらに、従来のダブルマスク方式は、ビー
ムの照射された部分のうち、低温領域と、高温領域とは
マスクがされる。そして、その間に挟まれた部分の領域
のみを再生することにより、高密度な再生が行われる
（例えば、特開平４−２５５９４６号公報など）。

【００１４】しかし、さらに高密度に情報記録を行い、
その情報を確実に再生することが要求されて来ている。
そこで、ビームの波長を短くすることが考えられる。ビ
ームをどこまで小さく絞れるかは、ビームの波長に依存
することが知られており、波長が短いほどビームスポッ
ト径は小さくできる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来用
いてきた光磁気記録媒体に記録された情報を波長の短い
ビームで再生すると、再生信号のＣ／Ｎ値が充分なレベ
ルに達しないという問題がある。これは、従来の光磁気
記録媒体の再生層に用いる材料は、ＧｄＦｅＣｏなどの
重希土類金属−遷移金属合金を主体とした磁性体であっ
て、このような材料では波長の短いビームに対してはカ
ー回転角が小さいことによる。

【００１６】したがって、カー回転角が小さいというこ
とは、反射ビームの偏光角の変化が小さいことであり、
この結果、光磁気再生信号の信号成分は小さくなるとい
う問題点があった。本発明は、上記の課題を解決し、高
密度記録再生のために青色発光レーザーなどの短波長の
ビームを用いた場合に、良好な再生特性が得られる光磁
気記録媒体ならびにその再生、記録および消去方法を提
供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明による請求項１の光磁気記録媒体は、
基板上に、再生層、再生スイッチング層およびメモリ層
の少なくとも３層の磁性層を有する光磁気記録媒体であ
って、再生層は、照射されたビームを反射した反射ビー
ムのカー回転角を、その磁化の方向により異なる方向に
回転させるＰｔとＣｏとの積層膜またはＰｄとＣｏの積
層膜からなり、メモリ層は、垂直磁化の方向により情報
が記録される磁性膜からなり、再生スイッチング層は、
再生層とメモリ層の間に形成され、照射されたビームに
より加熱された領域内の一部の領域のメモリ層の磁化を
再生層に転写させる磁性膜からなるものである。したが
って、再生時に、青色発光レーザーなどの短波長のビー
ムを用いた場合でも、ＰｔとＣｏとの積層膜またはＰｄ
とＣｏとの積層膜からなる再生層により、十分なカー回
転角が得られる。

【００１８】また、請求項２の光磁気記録媒体は、請求
項１の光磁気記録媒体において、再生スイッチング層
を、室温では面内磁化しており、所定の温度で面内磁化
から垂直磁化に変化する膜から構成したものである。し
たがって、再生スイッチング層のキュリー点に達した磁
化消失領域によりメモリ層がマスクされて、再生スイッ
チング層の垂直磁化領域を介してメモリ層の磁化方向が
再生層に転写され、そのうちビームのスポット内にある
再生層に転写された磁化のみが記録情報として読み出さ
れる。

【００１９】また、請求項３の光磁気記録媒体は、請求
項２の光磁気記録媒体において、再生スイッチング層と
メモリ層との間に形成され、再生スイッチング層のキュ
リー温度より低いキュリー温度の垂直磁化膜である切断
層を備えるものである。また、請求項４の光磁気記録媒
体は、請求項３の光磁気記録媒体において、メモリ層の
上に希土類金属および遷移金属を主体とする中間層、記
録層、スイッチング層、および初期化層の少なくとも４
層の磁性層を備えるものである。したがって、切断層の
キュリー点に達した磁化消失領域によりメモリ層がマス
クされるとともに、再生スイッチング層の面内磁化領域
およびキュリー点に達した磁化消失領域により切断層が
マスクされて、切断層および再生スイッチング層の垂直
磁化領域を介してメモリ層の磁化方向が再生層に転写さ
れ、そのうちビームのスポット内にある再生層に転写さ
れた磁化のみが記録情報として読み出される。

【００２０】また、請求項５の光磁気記録媒体は、請求
項１〜４の光磁気記録媒体において、再生層と再生スイ
ッチング層との間に形成され、垂直磁化膜である接合層
を備えるものである。したがって、再生スイッチング層
の垂直磁化領域を介して転写されたメモリ層の磁化方向
が、接合層を介して再生層に転写される。また、請求項
６の光磁気記録媒体は、請求項５の光磁気記録媒体にお
いて、接合層を、そのキュリー温度が、垂直磁化膜であ
って、再生スイッチング層のキュリー温度より低い膜か
ら構成したものである。したがって、接合層のキュリー
点に達した磁化消失領域により再生スイッチング層がマ
スクされて、再生スイッチング層および接合層の垂直磁
化領域を介してメモリ層の磁化方向が再生層に転写さ
れ、そのうちビームのスポット内にある再生層に転写さ
れた磁化のみが記録情報として読み出される。

【００２１】また、請求項７の光磁気記録媒体は、請求
項１〜６の光磁気記録媒体において、再生層を、軽希土
類金属と遷移金属を主成分とする合金膜、または、軽希
土類金属および遷移金属のそれぞれを主成分とする層が
互いに積層された積層膜から構成したものである。ま
た、請求項８の光磁気記録媒体は、請求項１〜６の光磁
気記録媒体において、再生層は、軽希土類金属と重希土
類金属と遷移金属を主成分とする合金膜、または、軽希
土類金属、重希土類金属および遷移金属のそれぞれ、ま
たは、前記軽希土類金属、重希土類金属および遷移金属
のうちの２者からなる合金を主成分とする層が互いに積
層された積層膜から構成したものである。

【００２２】また、請求項９の光磁気記録媒体は、請求
項７または８の光磁気記録媒体において、軽希土類金属
としてＮｄまたはＳｍを用い、遷移金属としてＣｏを用
いたものである。したがって、再生時に、青色発光レー
ザーなどの短波長のビームを用いた場合でも、軽希土類
金属と遷移金属との合金磁性体膜または積層膜、あるい
は軽希土類金属と重希土類金属と遷移金属との合金磁性
体膜または積層膜からなる再生層により、十分なカー回
転角が得られる。また、請求項１０の光磁気記録媒体
は、請求項１〜７の光磁気記録媒体において、基板と再
生層との間に形成され、ＺｎＳまたはＺｎＳとＳｉＯ₂
の混合物からなる保護膜を備えるものである。Ｐｔ／Ｃ
ｏ，Ｐｂ／ＣｏはＺｎＳのＳと反応しないため、屈折率
の高いＺｎＳなどを用いることができる。

【００２３】また、請求項１１の光磁気記録媒体の再生
方法は、基板上に、再生層、再生スイッチング層および
メモリ層の少なくとも３層の磁性層を有し、再生層は照
射されたビームが反射されたビームの偏光角を、その磁
化の方向により異なる方向に回転させるＰｔとＣｏとの
積層膜またはＰｄとＣｏの積層膜からなり、メモリ層は
垂直磁化の方向により情報が記録される磁性膜からな
り、再生スイッチング層は再生層とメモリ層の間に形成
された磁性膜からなる光磁気記録媒体の再生方法であっ
て、ビームを照射することで再生スイッチング層の温度
上昇した部分のうち、相対的に温度上昇が小さい領域で
は面内磁化から垂直磁化状態に変化させ、相対的に温度
上昇が大きくキュリー温度を越える領域では磁化を消失
させることで、照射されたビームにより加熱された領域
内の一部の領域のメモリ層の磁化を再生層に転写させ
て、再生するようにしたものである。

【００２４】また、請求項１２の光磁気記録媒体の再生
方法は、ビームを照射することで再生スイッチング層の
温度上昇した部分を面内磁化から垂直磁化状態に変化さ
せ、それにより照射されたビームにより加熱された領域
内の一部の領域のメモリ層の磁化を再生層に転写させて
再生するようにしたものである。また、請求項１３の光
磁気記録媒体の再生方法は、ビームを照射することで再
生スイッチング層および切断層の温度上昇した部分のう
ち、相対的に温度上昇が小さい領域では、再生スイッチ
ング層を面内磁化から垂直磁化状態に変化させ、かつ、
切断層は垂直磁化状態を維持し、相対的に温度上昇が中
くらいの領域では、再生スイッチング層は垂直磁化状態
となり、かつ、切断層は垂直磁化状態が、相対的に温度
上昇が大きい領域では切断層が磁化を消失させること
で、照射されたビームにより加熱された領域内の一部の
領域のメモリ層の磁化を再生層に転写させて再生するよ
うにしたものである。

【００２５】また、請求項１４の光磁気記録媒体の再生
方法は、請求項１１〜１３の光磁気記録媒体の再生方法
において、再生される部分の線速度が媒体の全面または
複数の領域ごとに一定であるようにしたものである。ま
た、請求項１５の光磁気記録媒体の再生方法は、請求項
１１〜１４の光磁気記録媒体の再生方法において、波長
が５５０ｎｍ以下のビームを用いて再生するようにした
ものである。

【００２６】また、請求項１６の光磁気記録媒体の記録
方法は、基板上に、再生層、再生スイッチング層および
メモリ層の少なくとも３層の磁性層を有し、再生層は照
射されたビームが反射されたビームの偏光角を、その磁
化の方向により異なる方向に回転させるＰｔとＣｏとの
積層膜またはＰｄとＣｏの積層膜からなり、メモリ層は
垂直磁化の方向により情報が記録される磁性膜からな
り、再生スイッチング層は再生層とメモリ層の間に形成
された磁性膜からなる光磁気記録媒体の記録方法であっ
て、再生時に用いるビームの波長よりも長い波長のビー
ムを用いて記録するようにしたものである。

【００２７】また、請求項１７の光磁気記録媒体の消去
方法は、基板上に、再生層、再生スイッチング層および
メモリ層の少なくとも３層の磁性層を有し、再生層は照
射されたビームが反射されたビームの偏光角を、その磁
化の方向により異なる方向に回転させるＰｔとＣｏとの
積層膜またはＰｄとＣｏの積層膜からなり、メモリ層は
垂直磁化の方向により情報が記録される磁性膜からな
り、再生スイッチング層は再生層とメモリ層の間に形成
された磁性膜からなる光磁気記録媒体の消去方法であっ
て、再生時に用いるビームの波長よりも長い波長のビー
ムを用いて消去するようにしたものである。

【００２８】

【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。図１は本発明の第１の実施の形態である
光磁気ディスクを示す説明図であり、（ａ）は再生中の
記録トラックに沿った切断面、（ｂ）は再生中の記録ト
ラックを上方から見た場合の透視図である。

【００２９】ここでは、再生スイッチング層として、常
温で面内磁化状態であり、再生ビームの照射により高温
となって垂直磁化状態となり、さらに高温部分では磁化
が消失する面内磁化膜を用いた再生方式を例に説明す
る。図１（ａ）において、基板１はトラッキング用の凹
凸がスパイラル状に形成された透明材からなる円形の基
板である。

【００３０】この基板１上に下部保護層２として窒化シ
リコン膜などが厚さ約７０ｎｍで形成されている。ま
た、この下部保護層２の上に、再生層３としてＰｔおよ
びＣｏからなる積層膜（マルチレイヤー）、あるいはＰ
ｄとＣｏからなる積層膜が厚さ約１５ｎｍで形成されて
いる。この場合、再生層３として、例えば、膜厚０．５
ｎｍのＰｔ（またはＰｄ）のレイヤーと、膜厚１ｎｍの
Ｃｏのレイヤーとが、交互に１０周期繰り返して積層さ
れているものを用いられるが、この構造に限定されるも
のではない。

【００３１】この上に、再生スイッチング層５として、
常温で面内磁化され再生ビームの照射により高温となっ
て垂直磁化し、さらに高温部分では磁化が消失するＧｄ
Ｆｅなどの面内磁化膜が厚さ約５０ｎｍで形成されてい
る。さらにその上には、メモリ層７としてＴｂＦｅＣｏ
などの垂直磁化膜が厚さ約５０ｎｍで形成され、最後に
上部保護膜８としてＳｉＮ膜などが厚さ約７０ｎｍで形
成されている。

【００３２】次に、図１を参照して、本発明の第１の実
施の形態による動作として、再生動作にいて説明する。
再生ビームの照射により各層が加熱されるが、ディスク
が移動していることから、ビームが照射されるスポット
１０より後方、すなわちディスク移動方向にずれた位置
に高温領域が存在する。

【００３３】再生スイッチング層５において、垂直磁化
領域５Ａ，５Ｃは加熱により磁化が面内方向から垂直方
向に変化した領域であり、磁化消失領域５Ｂはさらに高
温となり磁化が消失した領域である。また、加熱されて
いない他の領域５Ｄは面内磁化状態のままとなってい
る。

【００３４】ここで、ＰｔとＣｏ（またはＰｄとＣｏ）
の積層膜からなる再生層３は、保持力が小さく、単体で
は比較的弱い磁界の印加で、その磁界方向に磁化方向が
変化する。したがって、メモリ層７に記録された磁化、
ここではマーク７Ａが、再生スイッチング層５の垂直磁
化領域５Ａを介して再生層３のアパーチャー領域３Ａに
転写される。

【００３５】また、スポット１０内にあるメモリ層７に
記録されているマーク７Ｄについては、再生スイッチン
グ層５の面内磁化領域５Ｄにより、再生層３への転写が
阻止される。さらに、再生スイッチング層５の磁化消失
領域５Ｂでは、磁化が消失していることから、メモリ層
７に記録されている磁化、ここではマーク７Ｂが再生層
３まで転写されない。

【００３６】したがって、再生スイッチング層５の面内
磁化領域５Ｄおよび磁化消失領域５Ｂによりマスクされ
る再生層３の領域３Ｄおよび３Ｂは、再生磁界と同じ方
向、すなわち記録磁界とは反対方向に磁化される。一
方、再生スイッチング層５の垂直磁化領域５Ｃでは、垂
直磁化領域５Ａと同様にして、メモリ層７に記録されて
いる磁化、ここではマーク７Ｃが再生層３まで転写され
る。

【００３７】しかし、転写される領域３Ｃがすでにスポ
ット１０の外側であることから再生ビームが照射され
ず、読み出し対象外となる。これにより、ＰｔとＣｏ
（またはＰｄとＣｏ）の積層膜からなる再生層３のアパ
ーチャー領域３Ａにのみマーク７Ａが転写されて再生ビ
ームにより読み出される。

【００３８】したがって、再生ビームとして、青色発光
レーザーなどの短波長のビームで再生した場合において
も大きいカー回転角を得ることができる。また、従来の
ように、再生層としてＧｄＦｅＣｏなどの材料を用いた
場合と比較して、単マークを再生する場合でも、Ｃ／Ｎ
比などの特性が劣化することなく、実用上十分に良好な
再生特性が得られる。

【００３９】次に、図２を参照して、本発明の第２の実
施の形態について説明する。図２は本発明の第２の実施
の形態である光磁気ディスクを示す説明図であり、
（ａ）は再生中の記録トラックに沿った切断面、（ｂ）
は再生中の記録トラックを上方から見た場合の透視図で
ある。なお、同図において、前述の説明（図１参照）と
同じまたは同等部分には、同一符号を付してある。

【００４０】ここでは、再生スイッチング層として、常
温で面内磁化状態であり、再生ビームの照射により高温
となって垂直磁化状態となり、さらに高温部分では磁化
が消失する面内磁化膜を用いた再生方式を例に説明す
る。磁気超解像を利用して光磁気ディスクを再生する場
合、交換結合力により再生層３と再生スイッチング層５
とを確実に磁気的接合させる必要がある。

【００４１】一般に、再生層３に用いたＰｔとＣｏ（ま
たはＰｄとＣｏ）の積層膜は、再生スイッチング層５と
の交換結合力が弱く、再生スイッチング層５の各領域の
境界における磁化方向の変化を明確に転写できない傾向
がある。ここでは、前述の第１の実施の形態と比較し
て、再生スイッチング層５と交換結合力のある接合層４
を、再生層３と再生スイッチング層５との間に形成する
ようにしたものである。

【００４２】接合層４としては、厚さ約１５ｎｍのＧｄ
ＦｅＣｏなどの垂直磁化膜が用いられる。したがって、
再生層３に対して、再生スイッチング層５の面内磁化領
域５Ｄや磁化消失領域５Ｂと垂直磁化領域５Ａとの境界
を明確に転写できる。よって、再生ビームとして、青色
発光レーザーなどの短波長のビームで再生するために、
再生層３としてＰｔとＣｏ（またはＰｄとＣｏ）の積層
膜を用いた場合でも、再生時のノイズを低減して良好な
再生特性が得られる。

【００４３】なお、再生動作時には、メモリ層７のマー
ク７Ａのみが、再生スイッチング層５の垂直磁化領域５
Ａ、接合層４の領域４Ａを介して再生層３のアパーチャ
ー領域３Ａに転写される。また、他の領域については、
前述の第１の実施の形態（図１参照）と同様に再生スイ
ッチング層５の面内磁化領域５Ｄおよび磁化消失領域５
Ｂによりマスクされ、メモリ層７の磁化の転写が阻止さ
れる。

【００４４】次に、図３を参照して、本発明の第３の実
施の形態について説明する。図３は本発明の第３の実施
の形態である光磁気ディスクを示す説明図であり、
（ａ）は再生中の記録トラックに沿った切断面、（ｂ）
は再生中の記録トラックを上方から見た場合の透視図で
ある。なお、同図において、前述の説明（図２参照）と
同じまたは同等部分には、同一符号を付してある。

【００４５】ここでは、前述の第２の実施の形態と比較
して、再生スイッチング層５として、常温で面内磁化状
態であり、再生ビームの照射により高温となって垂直磁
化状態となるが、磁化消失しない面内磁化膜を用いた再
生方式を例に説明する。この場合、再生スイッチング層
５として、常温で面内磁化状態であって再生ビームの照
射により高温となって垂直磁化されるＧｄＦｅなどの面
内磁化膜が厚さ約５０ｎｍで形成されている。

【００４６】ただし、再生スイッチング層５として、再
生スイッチング層５が面内磁化状態から垂直磁化状態と
なる温度よりも高い温度にそのキュリー点があるものを
用いる。また、再生層３およびメモリ層７として、再生
スイッチング層５のキュリー点よりも高い温度のキュリ
ー点をがあるものを用いる。再生ビームが照射された場
合、再生スイッチング層５において、垂直磁化領域５Ａ
では加熱により磁化方向が面内方向から垂直方向に変化
し、他の領域５Ｄは垂直磁化状態のままとなっている。

【００４７】したがって、メモリ層７に記録された磁
化、ここではマーク７Ａが、再生スイッチング層５の垂
直磁化領域５Ａ、接合層４の領域４Ａを介して再生層３
のアパーチャー領域３Ａに転写される。一方、スポット
１０内にあるメモリ層７に記録されているマーク７Ｄに
ついては、再生スイッチング層５の面内磁化領域５Ｄに
より、再生層３への転写が阻止される。

【００４８】したがって、再生スイッチング層５の面内
磁化領域５Ｄによりマスクされる再生層３の領域３Ｄ
は、再生磁界と同じ方向、すなわち記録磁界とは反対方
向に磁化される。また、メモリ層７に記録されているマ
ーク７Ｂも同様にして再生層３まで転写されるが、転写
される領域３Ｂがすでにスポット１０の外側であること
から再生ビームが照射されず、読み出し対象外となる。

【００４９】これにより、ＰｔとＣｏ（またはＰｄとＣ
ｏ）の積層膜からなる再生層３のアパーチャー領域３Ａ
にのみマーク７Ａが転写されて再生ビームにより読み出
される。したがって、再生スイッチング層５として、常
温で面内磁化状態であり、再生ビームの照射により高温
となって垂直磁化状態となるが、磁化消失しない面内磁
化膜を用いた場合でも、再生ビームとして、青色発光レ
ーザーなどの短波長のビームで再生した場合においても
大きいカー回転角を得ることができる。

【００５０】また、従来のように、再生層としてＧｄＦ
ｅＣｏなどの材料を用いた場合と比較して、単マークを
再生する場合でも、Ｃ／Ｎ比などの特性が劣化すること
なく、実用上十分に良好な再生特性が得られる。また、
接合層４を再生層３と再生スイッチング層５との間に形
成することにより、再生層３として再生スイッチング層
５との交換結合力が弱いＰｔとＣｏ（またはＰｄとＣ
ｏ）の積層膜を用いた場合でも、再生層３において、再
生スイッチング層５の面内磁化領域５Ｄや磁化消失領域
５Ｂと垂直磁化領域５Ａとの境界を明確にでき、再生時
のノイズを低減して良好な再生特性が得られる。

【００５１】次に、図４を参照して、本発明の第４の実
施の形態について説明する。図４は本発明の第４の実施
の形態である光磁気ディスクを示す説明図であり、
（ａ）は再生中の記録トラックに沿った切断面、（ｂ）
は再生中の記録トラックを上方から見た場合の透視図で
ある。なお、同図において、前述の説明（図２参照）と
同じまたは同等部分には、同一符号を付してある。

【００５２】ここでは、前述の第２の実施の形態と比較
して、再生スイッチング層５とメモリ層７との間に、通
常は垂直磁化状態であり、再生ビームの照射により高温
加熱された場合に磁化消失状態となる切断層６を設けた
再生方式を例に説明する。この場合、再生スイッチング
層５とメモリ層７との間に、切断層６として、再生スイ
ッチング層５のキュリー点より低い温度のキュリー点を
有するＴｂＦｅなどの垂直磁化膜（厚さ約３０ｎｍ）が
形成されている。

【００５３】再生ビームが照射された場合、再生スイッ
チング層５において、垂直磁化領域５Ａ，５Ｃでは加熱
により磁化方向が面内方向から垂直方向に変化する。ま
た、切断層６では、キュリー温度が再生スイッチング層
５のキュリー温度より低いため、比較的大きな磁化消失
領域６Ｂが生じる。

【００５４】したがって、切断層６の磁化消失領域６Ｂ
により、メモリ層７に記録されている磁化、ここではマ
ーク７Ｂが再生層３まで転写されない。また、メモリ層
７に記録された磁化、ここではマーク７Ａのみが、再生
スイッチング層５の垂直磁化領域５Ａ、接合層４の領域
４Ａを介して再生層３のアパーチャー領域３Ａに転写さ
れる。

【００５５】一方、スポット１０内にあるメモリ層７に
記録されているマーク７Ｄについては、再生スイッチン
グ層５の面内磁化領域５Ｄにより、再生層３への転写が
阻止される。また、メモリ層７に記録されているマーク
７Ｂも同様にして再生層３まで転写される。

【００５６】しかし、転写される領域３Ｂがすでにスポ
ット１０の外側であることから再生ビームが照射され
ず、読み出し対象外となる。これにより、ＰｔとＣｏ
（またはＰｄとＣｏ）の積層膜からなる再生層３のアパ
ーチャー領域３Ａにのみマーク７Ａが転写されて再生ビ
ームにより読み出されるものとなる。

【００５７】したがって、再生スイッチング層５とメモ
リ層７との間に、通常は垂直磁化状態であり、再生ビー
ムの照射により高温加熱された場合に磁化消失状態とな
る切断層６を設けた場合でも、再生ビームとして、青色
発光レーザーなどの短波長のビームで再生した場合にお
いても大きいカー回転角を得ることができる。また、従
来のように、再生層としてＧｄＦｅＣｏなどの材料を用
いた場合と比較して、単マークを再生する場合でも、Ｃ
／Ｎ比などの特性が劣化することなく、実用上十分に良
好な再生特性が得られる。

【００５８】また、接合層４を再生層３と再生スイッチ
ング層５との間に形成することにより、再生層３として
再生スイッチング層５との交換結合力が弱いＰｔとＣｏ
（またはＰｄとＣｏ）の積層膜を用いた場合でも、再生
層３において、再生スイッチング層５の面内磁化領域５
Ｄや磁化消失領域５Ｂと垂直磁化領域５Ａとの境界を明
確にでき、再生時のノイズを低減して良好な再生特性が
得られる。

【００５９】次に、図５を参照して、本発明の第５の実
施の形態について説明する。図５は本発明の第５の実施
の形態である光磁気ディスクを示す説明図であり、
（ａ）は再生中の記録トラックに沿った切断面、（ｂ）
は再生中の記録トラックを上方から見た場合の透視図で
ある。なお、同図において、前述の説明（図４参照）と
同じまたは同等部分には、同一符号を付してある。

【００６０】ここでは、前述の第４の実施の形態と比較
して、光変調ダイレクトオーバーライト方式を可能とす
るための一般的な構成が追加されている。すなわち、メ
モリ層７まで形成したものの上に、希土類金属および遷
移金属を主体とする磁性膜からなる中間層１１、記録層
１２、スイッチング層１３および初期化層１４をそれぞ
れ順に形成し、さらに上位保護層８を形成したものであ
る。

【００６１】これにより、光変調ダイレクトオーバーラ
イト光ディスクであっても、再生ビームとして、青色発
光レーザーなどの短波長のビームで再生した場合におい
ても大きいカー回転角を得ることができる。また、従来
のように、再生層としてＧｄＦｅＣｏなどの材料を用い
た場合と比較して、単マークを再生する場合でも、Ｃ／
Ｎ比などの特性が劣化することなく、実用上十分に良好
な再生特性が得られる。

【００６２】また、接合層４を再生層３と再生スイッチ
ング層５との間に形成することにより、再生層３として
再生スイッチング層５との交換結合力が弱いＰｔとＣｏ
（またはＰｄとＣｏ）の積層膜を用いた場合でも、再生
層３において、再生スイッチング層５の面内磁化領域５
Ｄや磁化消失領域５Ｂと垂直磁化領域５Ａとの境界を明
確にでき、再生時のノイズを低減して良好な再生特性が
得られる。

【００６３】次に、図６を参照して、本発明の第６の実
施の形態について説明する。図６は本発明の第６の実施
の形態である光磁気ディスクを示す説明図であり、
（ａ）は再生中の記録トラックに沿った切断面、（ｂ）
は再生中の記録トラックを上方から見た場合の透視図で
ある。なお、同図において、前述の説明（図２参照）と
同じまたは同等部分には、同一符号を付してある。

【００６４】ここでは、前述の第２の実施の形態と比較
して、磁化を切断するための層として接合層４を用いた
ものである。すなわち、接合層４として、再生スイッチ
ング層５のキュリー点より低いキュリー点の垂直磁化膜
を用いることにより、前述した第４の実施の形態（図
４）における切断層６と同様の作用を接合層４により得
ることができる。

【００６５】この場合、切断層６のように再生スイッチ
ング層５よりメモリ層７側ではなく、再生スイッチング
層５より再生層３側に設けられることになる。この場合
にも、比較的大きな磁化消失領域４Ｂが得られるとい
う、切断層６の当初の作用と同一の作用が得られる。こ
れにより、切断層６を別途形成する必要がなくなり、光
磁気ディスクの形成工程を簡略化できる。

【００６６】なお、以上で説明した第１〜第７の実施の
形態において、再生層３として、ＰｔとＣｏの積層膜、
またはＰｄとＣｏの積層膜を用いた場合を例に説明し
た。しかし、これに限定されるものではなく、再生層３
として、軽希土類金属と遷移金属との合金からなる磁性
体膜を用いてもよい。

【００６７】この場合、再生層３として、具体的には、
ＮｄＦｅＣｏ，ＳｍＦｅＣｏや、ＮｄＣｏ，ＳｍＣｏな
どの合金などの磁性体膜があげられる。再生ビームとし
て、青色発光レーザーなどの短波長のビームで再生した
場合においても大きいカー回転角を得ることができる。

【００６８】また、軽希土類金属と遷移金属との合金か
らなる磁性体膜は、そのままでは垂直磁化が不安定な傾
向があり、形成方法によって垂直磁化しない場合も考え
られる。これについては、再生層３として、前述のＰｔ
とＣｏ（またはＰｄとＣｏ）の積層膜と同様に、軽希土
類金属と遷移金属との積層膜を用いてもよい。

【００６９】例えば、膜厚０．５ｎｍのＮｄのレイヤー
と、膜厚１ｎｍのＣｏのレイヤーとを、交互に１０周期
繰り返して積層させることにより、安定した垂直磁化状
態が得られる。さらに、再生層３として、軽希土類金属
と遷移金属の中に重希土類金属を含む合金、あるいはこ
れらの積層膜を用いることにより、安定した垂直磁化状
態が得られる。

【００７０】また、以上で説明した第１〜第７の実施の
形態において、基板１と再生層３との間に設けられてい
下部保護層２を、窒化シリコン膜から形成した場合につ
いて説明したが、この下部保護層２として、ＺｎＳ膜ま
たはＺｎＳとＳｉＯ₂の混合物からなる膜により形成し
てもよい。一般に、再生層３として、ＰｔとＣｏ（また
はＰｄとＣｏ）の積層膜を用いた場合、従来のＧｄＦｅ
Ｃｏなどの希土類金属とＦｅとの合金からなる光磁気膜
を用いた場合と比較して、ＳやＯとの反応性が低いこと
から磁性体が酸化されにくい。

【００７１】したがって、基板１と再生層３との間に設
けられる下部保護層２として、屈折率の高いＺｎＳある
いはＺｎＳとＳｉＯ₂の混合物からなる膜で形成するこ
とにより、再生層３として、ＰｔとＣｏ（またはＰｄと
Ｃｏ）の積層膜を用いた場合でも、大きな反射光量を得
ることができ、良好な再生特性が得られる。

【００７２】

【実施例】次に、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。まず、前述した第１〜第７の実施の形態
による光ディスクの形成方法について説明する。第１の
実施の形態（図１参照）による光磁気ディスクを形成す
る場合、２Ｐ法などにより形成された円形基板１上に、
ＲＦマグネトロンスパッタによりＳｉＮからなる下部保
護膜２を約７０ｎｍ形成する。ここでは、Ｓｉターゲッ
トを用い、ＡｒとＮ₂の混合ガスを導入して、チャンバ
ー内のガス圧を５×１０ー３Torrとしてスパッタを行
う。

【００７３】この上に、再生層３として、ＰｔとＣｏか
らなる積層膜を約１５ｎｍ形成する。ここでは、Ｐｔ、
Ｃｏのそれぞれのターゲットを用い、Ａｒガスを導入し
てチャンバー内のガス圧を５×１０−３Torrとして、回
転数を制御して積層周期を調整したコスパッタを行うこ
とにより形成する。この際に形成されるＰｔとＣｏのレ
イヤーは、Ｐｔが０．５ｎｍで、Ｃｏが１ｎｍからなる
約１０周期の積層周期をもった構成であるが、この構成
に限られない。

【００７４】この上に、再生スイッチング層５として、
ＧｄＦｅからなる常温で面内磁化を示す光磁気膜を約５
０ｎｍ形成する。ここでは、Ｇｄ、Ｆｅのそれぞれのタ
ーゲットを用い、Ａｒガスを導入してチャンバー内のガ
ス圧を５×１０−３Torrとしてコスパッタを行うことに
より形成する。この際に形成されるＧｄＦｅの組成は、
（Ｇｄ：２９atm%、Ｆｅ：７１atm%）であり、約１１０
゜Cで垂直磁化するものであり、約２２０゜Cでキュリー点
に達するものであるが、この組成に限られない。

【００７５】なお、当該発明の特性上、再生スイッチン
グ層５のキュリー点は、再生スイッチング層５が面内磁
化の状態から垂直磁化の状態に変化する温度よりも、あ
る一定温度以上高い必要がある。この上に、メモリ層７
としてＴｂＦｅＣｏなどからなる垂直磁化する光磁気膜
を約５０ｎｍ形成する。ここでは、Ｔｂ、Ｆｅ、Ｃｏの
それぞれのターゲットを用い、Ａｒガスを導入してチャ
ンバー内のガス圧を５×１０ー３Torrとしてコスパッタ
を行う。

【００７６】この際に形成されるＴｂＦｅＣｏの組成
は、（Ｔｂ：２１atm%、Ｆｅ：６３．２atm%、Ｃｏ：１
５．８atm%）である。さらに、この上に、ＲＦマグネト
ロンスパッタにより、ＳｉＮからなる上部保護膜８を約
７０ｎｍ形成する。形成条件は、下部保護膜２の場合と
同様である。

【００７７】次に、第２の実施の形態（図２参照）によ
る光磁気ディスクを形成する場合について説明する。第
２の実施の形態は、第１の実施の形態（図１参照）に係
る光磁気ディスクの再生層３と再生スイッチング層５と
の間に、接合層４としてＧｄＦｅＣｏからなる垂直磁化
を示す光磁気膜を約１５ｎｍ形成したものである。

【００７８】ここでは、Ｇｄ、Ｆｅ、Ｃｏのそれぞれの
ターゲットを用い、Ａｒガスを導入してチャンバー内の
ガス圧を５×１０−３Torrとしてコスパッタを行うこと
により形成する。この際に形成されるＧｄＦｅＣｏの組
成は、（Ｇｄ：２５atm%、Ｆｅ：６０atm%、Ｃｏ：１５
atm%）であるが、この組成に限られない。

【００７９】なお、第３の実施の形態（図３参照）によ
る光磁気ディスクの形成方法についても、この第２の実
施の形態と同様である。この場合、第３の実施の形態で
は、再生スイッチング層５が垂直磁化状態となる温度よ
り高温でキュリー点に達する垂直磁化膜が用いられる。

【００８０】また、第６の実施の形態（図６参照）によ
る光磁気ディスクの形成方法についても、この第２の実
施の形態と同様である。この場合、第６の実施の形態で
は、接合層４として、再生スイッチング層５のキュリー
点より低い温度でキュリー点に達する垂直磁化膜が用い
られる。

【００８１】次に、第４の実施の形態（図４参照）によ
る光磁気ディスクを形成する場合について説明する。こ
こでは、Ｔｂ、Ｆｅのそれぞれのターゲットを用い、Ａ
ｒガスを導入してチャンバー内のガス圧を５×１０−３
Torrとしてコスパッタを行うことにより形成する。この
際に形成されるＴｂＦｅの組成は、（Ｔｂ：２１atm%、
Ｆｅ：７９atm%）であるが、この組成に限られない。

【００８２】なお、この場合、再生スイッチング層５と
して、ＧｄＦｅからなる常温で面内磁化を示す光磁気膜
を約３０ｎｍ形成する。ここでは、Ｇｄ、Ｆｅのそれぞ
れのターゲットを用い、Ａｒガスを導入してチャンバー
内のガス圧を５×１０−３Torrとしてコスパッタを行う
ことにより形成する。

【００８３】この際に形成されるＧｄＦｅの組成は、
（Ｇｄ：２９atm%、Ｆｅ：７１atm%）であり、約７０゜C
で垂直磁化するものである。なお、この場合、切断層６
のキュリー温度は例えば約１４０゜Ｃに設定されてお
り、再生スイッチング層５のキュリー温度、例えば約２
３０゜Ｃより低い温度に設定されている。

【００８４】次に、第５の実施の形態（図５参照）によ
る光磁気ディスクを形成する場合にいて説明する。第５
の実施の形態は、第４の実施の形態（図４参照）に係る
光磁気ディスクのメモリ層７と上部保護層８との間に、
ダイレクトオーバーライト方式を可能とするための一般
的な構成が追加されたものである。なお、各層の組成と
膜厚については図７の通りであり、その形成方法につい
ては前述とほぼ同様である。

【００８５】なお、以上で説明した第１〜第６の実施の
形態において、再生層３として、ＰｔとＣｏの積層膜、
またはＰｄとＣｏの積層膜を用いた場合を例に説明し
た。しかし、この代わりに再生層３として、軽希土類金
属と遷移金属との合金からなる磁性体膜を用いてもよ
い。以下、再生層３として、ＮｄＧｄＦｅの合金からな
る磁性体膜を用いる場合の形成方法について、を用いた
場合を例に説明する。

【００８６】この場合、再生層３として、ＮｄＧｄＣｏ
からなる垂直磁化を示す光磁気膜を約１５ｎｍ形成す
る。ここでは、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｃｏのそれぞれのターゲッ
トを用い、Ａｒガスを導入してチャンバー内のガス圧を
５×１０−３Torrとしてコスパッタを行うことにより形
成する。この際に形成されるＮｄＧｄＣｏの組成は、
（Ｎｄ：５atm%、Ｇｄ：２５atm%、Ｃｏ：５５atm%）で
あるが、この組成に限られない。

【００８７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
の光磁気記録媒体は、基板上に、再生層、再生スイッチ
ング層およびメモリ層の少なくとも３層の磁性層を有す
る光磁気記録媒体であって、再生層は、照射されたビー
ムを反射した反射ビームの偏光角を、その磁化の方向に
より異なる方向に回転させるＰｔとＣｏとの積層膜また
はＰｄとＣｏの積層膜を用い、メモリ層は、垂直磁化の
方向により情報が記録される磁性膜を用い、再生スイッ
チング層は、再生層とメモリ層の間に形成され、照射さ
れたビームにより加熱された領域内の一部の領域のメモ
リ層の磁化を再生層に転写させる磁性膜を用いたもので
ある。したがって、従来のように、再生層としてＧｄＦ
ｅＣｏなどの重希土類金属と遷移金属との合金からなる
光磁気膜を用いた場合と比較して、再生時に、青色発光
レーザーなどの短波長のビームを用いた場合でも、Ｐｔ
とＣｏとの積層膜またはＰｄとＣｏとの積層膜からなる
再生層により、十分なカー回転角が得られ、比較的Ｃ／
Ｎ比などの特性の低い短マークの場合でも、良好な再生
特性が得られる。

【００８８】また、請求項２の光磁気記録媒体は、請求
項１の光磁気記録媒体において、再生スイッチング層
を、室温では面内磁化しており、所定の温度で面内磁化
から垂直磁化に変化する膜から構成したものである。ま
た、請求項３の光磁気記録媒体は、請求項２の光磁気記
録媒体において、再生スイッチング層とメモリ層との間
に形成され、再生スイッチング層のキュリー温度より低
いキュリー温度の垂直磁化膜である切断層を備えるもの
である。

【００８９】また、請求項４の光磁気記録媒体は、請求
項３の光磁気記録媒体において、メモリ層の上に希土類
金属および遷移金属を主体とする中間層、記録層、スイ
ッチング層、および初期化層の少なくとも４層の磁性層
を備えるものである。したがって、磁気超解像を用いた
各種再生方式の光磁気記録媒体において、再生時に、青
色発光レーザーなどの短波長のビームを用いた場合で
も、ＰｔとＣｏとの積層膜またはＰｄとＣｏとの積層膜
からなる再生層により、十分なカー回転角が得られ、比
較的Ｃ／Ｎ比などの特性の低い短マークの場合でも、良
好な再生特性が得られる。

【００９０】また、請求項５の光磁気記録媒体は、請求
項１〜４の光磁気記録媒体において、再生層と再生スイ
ッチング層との間に形成され、垂直磁化膜である接合層
を備えるものである。したがって、再生スイッチング層
の垂直磁化領域を介して転写されたメモリ層の磁化方向
が、接合層を介して再生層に転写されるものとなり、再
生スイッチング層との交換結合力が比較的弱い再生層で
あっても、再生層に対して、再生スイッチング層の面内
磁化領域や磁化消失領域と、垂直磁化領域との境界を明
確に転写でき、再生層としてＰｔとＣｏ、またはＰｄと
Ｃｏの積層膜を用いた場合でも、再生時のノイズを低減
して良好な再生特性が得られる。

【００９１】また、請求項６の光磁気記録媒体は、請求
項５の光磁気記録媒体において、接合層を、そのキュリ
ー温度が、垂直磁化膜であって、再生スイッチング層の
キュリー温度より低い膜から構成したものである。した
がって、切断層を別途形成することなく、再生スイッチ
ング層よりメモリ層側に切断層を設けた場合と同様に比
較的低温にて磁気超解像による再生が可能となり、光磁
気記録媒体の形成工程を簡略化できる。

【００９２】また、請求項７の光磁気記録媒体は、請求
項１〜６の光磁気記録媒体において、再生層を、軽希土
類金属と遷移金属を主成分とする合金膜、または、軽希
土類金属および遷移金属のそれぞれを主成分とする層が
互いに積層された積層膜から構成したものである。ま
た、請求項８の光磁気記録媒体は、請求項１〜６の光磁
気記録媒体において、再生層は、軽希土類金属と重希土
類金属と遷移金属を主成分とする合金膜、または、軽希
土類金属、重希土類金属および遷移金属のそれぞれ、ま
たは、前記軽希土類金属、重希土類金属および遷移金属
のうちの２者からなる合金を主成分とする層が互いに積
層された積層膜から構成したものである。

【００９３】また、請求項９の光磁気記録媒体は、請求
項７または８の光磁気記録媒体において、軽希土類金属
としてＮｄまたはＳｍを用い、遷移金属としてＣｏを用
いたものである。したがって、再生時に、青色発光レー
ザーなどの短波長のビームを用いた場合でも、これら金
属の合金磁性体膜または積層膜からなる再生層により、
十分なカー回転角が得られ、比較的Ｃ／Ｎ比などの特性
の低い短マークの場合でも、良好な再生特性が得られ
る。

【００９４】また、請求項１０の光磁気記録媒体は、請
求項１〜６の光磁気記録媒体において、基板と再生層と
の間に形成され、ＺｎＳまたはＺｎＳとＳｉＯ₂の混合
物からなる保護膜を備えるものである。したがって、エ
ンハンス効果により、さらに大きな反射光量が得られ
る。

【００９５】また、請求項１１の光磁気記録媒体の再生
方法は、ビームを照射することで再生スイッチング層の
温度上昇した部分のうち、相対的に温度上昇が小さい領
域では面内磁化から垂直磁化状態に変化させ、相対的に
温度上昇が大きくキュリー温度を越える領域では磁化を
消失させることで、照射されたビームにより加熱された
領域内の一部の領域のメモリ層の磁化を再生層に転写さ
せて、再生するようにしたものである。また、請求項１
２の光磁気記録媒体の再生方法は、ビームを照射するこ
とで再生スイッチング層の温度上昇した部分を面内磁化
から垂直磁化状態に変化させ、それにより照射されたビ
ームにより加熱された領域内の一部の領域のメモリ層の
磁化を再生層に転写させて再生するようにしたものであ
る。

【００９６】また、請求項１３の光磁気記録媒体の再生
方法は、ビームを照射することで再生スイッチング層お
よび切断層の温度上昇した部分のうち、相対的に温度上
昇が小さい領域では、再生スイッチング層を面内磁化か
ら垂直磁化状態に変化させ、かつ、切断層は垂直磁化状
態を維持し、相対的に温度上昇が中くらいの領域では、
再生スイッチング層は垂直磁化状態を維持し、かつ、切
断層は磁化が消失し、相対的に温度上昇が大きい領域で
は切断層の磁化は消失することで、照射されたビームに
より加熱された領域内の一部の領域のメモリ層の磁化を
再生層に転写させて再生するようにしたものである。

【００９７】また、請求項１４の光磁気記録媒体の再生
方法は、請求項１１〜１３の光磁気記録媒体の再生方法
において、再生される部分の線速度が媒体の全面または
複数の領域ごとに一定であるようにしたものである。ま
た、請求項１５の光磁気記録媒体の再生方法は、請求項
１１〜１４の光磁気記録媒体の再生方法において、波長
が５５０ｎｍ以下のビームを用いて再生するようにした
ものである。したがって、青色発光レーザーなどの短波
長レーザーを用いた場合でも、高密度再生を実現でき
る。

【００９８】また、請求項１６の光磁気記録媒体の記録
方法は、基板上に、再生層、再生スイッチング層および
メモリ層の少なくとも３層の磁性層を有し、再生層は照
射されたビームが反射されたビームの偏光面を、その磁
化の方向により異なる方向に回転させるＰｔとＣｏとの
積層膜またはＰｄとＣｏの積層膜からなり、メモリ層は
垂直磁化の方向により情報が記録される磁性膜からな
り、再生スイッチング層は再生層とメモリ層の間に形成
された磁性膜からなる光磁気記録媒体の記録方法であっ
て、再生時に用いるビームの波長よりも長い波長のビー
ムを用いて記録するようにしたものである。

【００９９】また、請求項１７の光磁気記録媒体の記録
方法は、基板上に、再生層、再生スイッチング層および
メモリ層の少なくとも３層の磁性層を有し、再生層は照
射されたビームが反射されたビームの偏光面を、その磁
化の方向により異なる方向に回転させるＰｔとＣｏとの
積層膜またはＰｄとＣｏの積層膜からなり、メモリ層は
垂直磁化の方向により情報が記録される磁性膜からな
り、再生スイッチング層は再生層とメモリ層の間に形成
された磁性膜からなる光磁気記録媒体の消去方法であっ
て、再生時に用いるビームの波長よりも長い波長のビー
ムを用いて消去するようにしたものである。したがっ
て、記録消去には安価で高パワーが得られる赤色発光レ
ーザーを用いることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態による光磁気ディ
スクを示す説明図である。

【図２】本発明の第２の実施の形態による光磁気ディ
スクを示す説明図である。

【図３】本発明の第３の実施の形態による光磁気ディ
スクを示す説明図である。

【図４】本発明の第４の実施の形態による光磁気ディ
スクを示す説明図である。

【図５】本発明の第５の実施の形態による光磁気ディ
スクを示す説明図である。

【図６】本発明の第６の実施の形態による光磁気ディ
スクを示す説明図である。

【図７】本発明の第５の実施の形態による光磁気ディ
スクの組成例を示す説明図である。

【図８】従来の光磁気ディスクを示す説明図である。

【図９】従来の他の光磁気ディスクを示す説明図であ
る。

【符号の説明】

１…基板、２…下部保護膜、３…再生層、４…接合層、
５…再生スイッチング層、６…切断層、７…メモリ層、
８…上部保護層。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、再生層、再生スイッチング層
およびメモリ層の少なくとも３層の磁性層を有する光磁
気記録媒体であって、再生層は、照射されたビームを反射した反射ビームのカ
ー回転角を、その磁化の方向により異なる方向に回転さ
せるＰｔとＣｏとの積層膜またはＰｄとＣｏの積層膜か
らなり、メモリ層は、垂直磁化の方向により情報が記録される磁
性膜からなり、再生スイッチング層は、再生層とメモリ層の間に形成さ
れ、照射されたビームにより加熱された領域内の一部の
領域のメモリ層の磁化を再生層に転写させる磁性膜から
なることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】請求項１記載の光磁気記録媒体におい
て、再生スイッチング層は、室温では面内磁化しており、所
定の温度で面内磁化から垂直磁化に変化することを特徴
とする光磁気記録媒体。
【請求項３】請求項２記載の光磁気記録媒体におい
て、再生スイッチング層とメモリ層の間に形成され、再生ス
イッチング層のキュリー温度より低いキュリー温度の垂
直磁化膜である切断層を備えることを特徴とする光磁気
記録媒体。
【請求項４】請求項３記載の光磁気記録媒体におい
て、メモリ層の上に希土類金属および遷移金属を主体とする
中間層、記録層、スイッチング層、および初期化層の少
なくとも４層の磁性層を備えることを特徴とする光磁気
記録媒体。
【請求項５】請求項１〜４記載の光磁気記録媒体にお
いて、再生層と再生スイッチング層の間に形成され、垂直磁化
膜である接合層を備えることを特徴とする光磁気記録媒
体。
【請求項６】請求項５記載の光磁気記録媒体におい
て、接合層のキュリー温度は、垂直磁化膜であって、再生ス
イッチング層のキュリー温度より低いことを特徴とする
光磁気記録媒体。
【請求項７】請求項１〜６記載の光磁気記録媒体にお
いて、再生層は、軽希土類金属と遷移金属を主成分とする合金
膜、または、軽希土類金属および遷移金属のそれぞれを
主成分とする層が互いに積層された積層膜からなること
を特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項８】請求項１〜６記載の光磁気記録媒体にお
いて、再生層は、軽希土類金属と重希土類金属と遷移金属を主
成分とする合金膜、または、軽希土類金属、重希土類金
属および遷移金属のそれぞれ、または、前記軽希土類金
属、重希土類金属および遷移金属のうちの２者からなる
合金を主成分とする層が互いに積層された積層膜からな
ることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項９】請求項７または８記載の光磁気記録媒体
において、軽希土類金属はＮｄまたはＳｍであり、遷移金属はＣｏ
であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項１０】請求項１〜６記載の光磁気記録媒体に
おいて、基板と再生層の間に形成され、ＺｎＳまたはＺｎＳおよ
びＳｉＯ₂の混合物からなる保護層を備えることを特徴
とする光磁気記録媒体。
【請求項１１】基板上に、再生層、再生スイッチング
層およびメモリ層の少なくとも３層の磁性層を有し、再
生層は照射されたビームが反射されたビームのカー回転
角を、その磁化の方向により異なる方向に回転させるＰ
ｔとＣｏとの積層膜またはＰｄとＣｏの積層膜からな
り、メモリ層は垂直磁化の方向により情報が記録される
磁性膜からなり、再生スイッチング層は再生層とメモリ
層の間に形成された磁性膜からなる光磁気記録媒体の再
生方法であって、ビームを照射することで再生スイッチング層の温度上昇
した部分のうち、相対的に温度上昇が小さい領域では面
内磁化から垂直磁化状態に変化させ、相対的に温度上昇
が大きくキュリー温度を越える領域では磁化を消失させ
ることで、照射されたビームにより加熱された領域内の
一部の領域のメモリ層の磁化を再生層に転写させて再生
することを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。
【請求項１２】基板上に、再生層、再生スイッチング
層およびメモリ層の少なくとも３層の磁性層を有し、再
生層は照射されたビームが反射されたビームのカー回転
角を、その磁化の方向により異なる方向に回転させるＰ
ｔとＣｏとの積層膜またはＰｄとＣｏの積層膜からな
り、メモリ層は垂直磁化の方向により情報が記録される
磁性膜からなり、再生スイッチング層は再生層とメモリ
層の間に形成された磁性膜からなる光磁気記録媒体の再
生方法であって、ビームを照射することで再生スイッチング層の温度上昇
した部分を面内磁化から垂直磁化状態に変化させ、それ
により照射されたビームにより加熱された領域内の一部
の領域のメモリ層の磁化を再生層に転写させて再生する
ことを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。
【請求項１３】基板上に、再生層、切断層、再生スイ
ッチング層およびメモリ層の少なくとも４層の磁性層を
有し、再生層は照射されたビームが反射されたビームの
カー回転角を、その磁化の方向により異なる方向に回転
させるＰｔとＣｏとの積層膜またはＰｄとＣｏの積層膜
からなり、メモリ層は垂直磁化の方向により情報が記録
される磁性膜からなり、再生スイッチング層は再生層と
メモリ層の間に形成された磁性膜からなり、切断層は再
生スイッチング層とメモリ層の間または再生層と再生ス
イッチング層との間に形成され、再生スイッチング層の
キュリー温度より低いキュリー温度の垂直磁化膜からな
る光磁気記録媒体の再生方法であって、ビームを照射することで再生スイッチング層および切断
層の温度上昇した部分のうち、相対的に温度上昇が小さ
い領域では、再生スイッチング層を面内磁化から垂直磁
化状態に変化させ、かつ、切断層は垂直磁化状態を維持
し、相対的に温度上昇が中くらいの領域では、再生スイ
ッチング層は垂直磁化状態を維持し、かつ、切断層は磁
化を消失させることで、照射されたビームにより加熱さ
れた領域内の一部の領域のメモリ層の磁化を再生層に転
写させて再生することを特徴とする光磁気記録媒体の再
生方法。
【請求項１４】請求項１１〜１３記載の光磁気記録媒
体の再生方法において、再生される部分の線速度が前記媒体の全面または複数の
領域ごとに一定であることを特徴とする光磁気記録媒体
の再生方法。
【請求項１５】請求項１１〜１４記載の光磁気記録媒
体の再生方法において、波長が５５０ｎｍ以下のビームを用いて再生することを
特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。
【請求項１６】基板上に、再生層、再生スイッチング
層およびメモリ層の少なくとも３層の磁性層を有し、再
生層は照射されたビームが反射されたビームのカー回転
角を、その磁化の方向により異なる方向に回転させるＰ
ｔとＣｏとの積層膜またはＰｄとＣｏの積層膜からな
り、メモリ層は垂直磁化の方向により情報が記録される
磁性膜からなり、再生スイッチング層は再生層とメモリ
層の間に形成された磁性膜からなる光磁気記録媒体の記
録方法であって、再生時に用いるビームの波長よりも長い波長のビームを
用いて記録することを特徴とする光磁気記録媒体の記録
方法。
【請求項１７】基板上に、再生層、再生スイッチング
層およびメモリ層の少なくとも３層の磁性層を有し、再
生層は照射されたビームが反射されたビームのカー回転
角を、その磁化の方向により異なる方向に回転させるＰ
ｔとＣｏとの積層膜またはＰｄとＣｏの積層膜からな
り、メモリ層は垂直磁化の方向により情報が記録される
磁性膜からなり、再生スイッチング層は再生層とメモリ
層の間に形成された磁性膜からなる光磁気記録媒体の消
去方法であって、再生時に用いるビームの波長よりも長い波長のビームを
用いて消去することを特徴とする光磁気記録媒体の記録
方法。