JPH113677A - 電子増倍管 - Google Patents
電子増倍管Info
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- JPH113677A JPH113677A JP15395297A JP15395297A JPH113677A JP H113677 A JPH113677 A JP H113677A JP 15395297 A JP15395297 A JP 15395297A JP 15395297 A JP15395297 A JP 15395297A JP H113677 A JPH113677 A JP H113677A
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 14
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 210000005069 ears Anatomy 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/18—Electrode arrangements using essentially more than one dynode
- H01J43/22—Dynodes consisting of electron-permeable material, e.g. foil, grid, tube, venetian blind
Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、ノイズ発生の抑制を効果的に阻止
するようにした電子増倍管を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 本発明の電子増倍管１は、ダイノード１
１の縁部１２，１３の全周において、隣接するエッジ部
１２ｂ，１３ｂを、縁部１２，１３の延在方向で相互に
位置ずれさせ、隣接するエッジ部１２ｂ，１３ｂ間の距
離を大きくして、電界放電の抑制を達成した。このよう
に構成することで、ダイノード１１同士の間隔を維持し
たまま、電界放電の更なる抑制を可能にする。
するようにした電子増倍管を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 本発明の電子増倍管１は、ダイノード１
１の縁部１２，１３の全周において、隣接するエッジ部
１２ｂ，１３ｂを、縁部１２，１３の延在方向で相互に
位置ずれさせ、隣接するエッジ部１２ｂ，１３ｂ間の距
離を大きくして、電界放電の抑制を達成した。このよう
に構成することで、ダイノード１１同士の間隔を維持し
たまま、電界放電の更なる抑制を可能にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空容器内に導入
させた電子を、多段に積層させたダイノードによって増
倍させる電子増倍管に関するものである。
させた電子を、多段に積層させたダイノードによって増
倍させる電子増倍管に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術として、特
開平６−３１４５５１号公報がある。この公報に記載さ
れた電子増倍管は、真空容器内に配設された電子増倍部
を有し、この電子増倍部は、マトリックス状に配列した
電子増倍孔をもつ板状のダイノードを、多段に積層させ
た構成になっている。更に、各ダイノードは、２枚のダ
イノード薄板を張り合わせて、ダイノード薄板の隅部
（コーナ部）を溶接することで一体化が図られている。
そして、各ダイノードには、隣接するダイノードの溶接
跡を避けるようにして、その隅部に切欠きが設けられ、
溶接部位で引き起こされる電界放電を抑制している。
開平６−３１４５５１号公報がある。この公報に記載さ
れた電子増倍管は、真空容器内に配設された電子増倍部
を有し、この電子増倍部は、マトリックス状に配列した
電子増倍孔をもつ板状のダイノードを、多段に積層させ
た構成になっている。更に、各ダイノードは、２枚のダ
イノード薄板を張り合わせて、ダイノード薄板の隅部
（コーナ部）を溶接することで一体化が図られている。
そして、各ダイノードには、隣接するダイノードの溶接
跡を避けるようにして、その隅部に切欠きが設けられ、
溶接部位で引き起こされる電界放電を抑制している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電子増倍管は、上述したように構成されているため、次
のような課題が存在していた。すなわち、ダイノードの
隅部に切欠きを設けることで、溶接部位での電界放電は
抑制されるものの、ダイノードの間隔が０．１６〜０．
１７ｍｍと非常に狭く形成されているので、隣接するダ
イノードの縁部に設けられたエッジ部間で電界放電が発
生し易く、ノイズ発生の更なる抑制を阻害していた。
電子増倍管は、上述したように構成されているため、次
のような課題が存在していた。すなわち、ダイノードの
隅部に切欠きを設けることで、溶接部位での電界放電は
抑制されるものの、ダイノードの間隔が０．１６〜０．
１７ｍｍと非常に狭く形成されているので、隣接するダ
イノードの縁部に設けられたエッジ部間で電界放電が発
生し易く、ノイズ発生の更なる抑制を阻害していた。
【０００４】本発明は、上述の課題を解決するためにな
されたもので、ノイズ発生の抑制を効果的に阻止するよ
うにした電子増倍管を提供することを目的とする。
されたもので、ノイズ発生の抑制を効果的に阻止するよ
うにした電子増倍管を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る本発明の
電子増倍管は、ダイノードを複数段に積層してなる電子
増倍部を真空容器内に配設させて構成した電子増倍管に
おいて、複数のダイノードのうちで隣接するダイノード
の縁部の略全周において、対向するダイノードのエッジ
部を、縁部の延在方向で相互に位置ずれさせたことを特
徴とする。
電子増倍管は、ダイノードを複数段に積層してなる電子
増倍部を真空容器内に配設させて構成した電子増倍管に
おいて、複数のダイノードのうちで隣接するダイノード
の縁部の略全周において、対向するダイノードのエッジ
部を、縁部の延在方向で相互に位置ずれさせたことを特
徴とする。
【０００６】発明者らは、隣接するダイノード間におい
て、ダイノードの縁部に形成されたエッジ部間で電界放
電が発生し、これがノイズの発生に大きく拘わっている
ことを見出した。そこで、本発明の電子増倍管は、ダイ
ノードの縁部に着目し、隣接するエッジ部を、縁部の延
在方向で相互に位置ずれさせ、隣接するエッジ部間の距
離を大きくして、電界放電の抑制を達成した。このよう
に構成することで、ダイノード同士の間隔を広げること
なく、電界放電の更なる抑制を可能にする。
て、ダイノードの縁部に形成されたエッジ部間で電界放
電が発生し、これがノイズの発生に大きく拘わっている
ことを見出した。そこで、本発明の電子増倍管は、ダイ
ノードの縁部に着目し、隣接するエッジ部を、縁部の延
在方向で相互に位置ずれさせ、隣接するエッジ部間の距
離を大きくして、電界放電の抑制を達成した。このよう
に構成することで、ダイノード同士の間隔を広げること
なく、電界放電の更なる抑制を可能にする。
【０００７】この場合、隣接するダイノードの側面を、
縁部の延在方向で相互に位置ずれさせると好ましい。こ
のような構成を採用した場合、電子増倍部は、隣接する
ダイノードの側面を互い違いに配列させるだけの簡単な
構成となる。
縁部の延在方向で相互に位置ずれさせると好ましい。こ
のような構成を採用した場合、電子増倍部は、隣接する
ダイノードの側面を互い違いに配列させるだけの簡単な
構成となる。
【０００８】また、各ダイノードの側面を同一方向のテ
ーパ面として形成し、各ダイノードの最外周ラインを真
空容器の軸線方向に一列に整列させると好ましい。この
ような構成を採用した場合、電子増倍部は、各ダイノー
ドの側面を一直線状に整列させても、隣接するエッジ部
の間隔を大きくとることができる。しかも、真空容器内
で各ダイノードの側面の位置を略全周で揃えることがで
きる。
ーパ面として形成し、各ダイノードの最外周ラインを真
空容器の軸線方向に一列に整列させると好ましい。この
ような構成を採用した場合、電子増倍部は、各ダイノー
ドの側面を一直線状に整列させても、隣接するエッジ部
の間隔を大きくとることができる。しかも、真空容器内
で各ダイノードの側面の位置を略全周で揃えることがで
きる。
【０００９】更に、各ダイノードを２枚のダイノード薄
板で形成し、ダイノードのうちの第１のダイノード薄板
の側面と、ダイノードのうちの第２のダイノード薄板の
側面とを、縁部の延在方向で相互に位置ずれさせると好
ましい。このような構成を採用した場合、電子増倍部
は、各ダイノードの縁部に段差をもたせ、縁部を同一の
形状に揃えることができる。
板で形成し、ダイノードのうちの第１のダイノード薄板
の側面と、ダイノードのうちの第２のダイノード薄板の
側面とを、縁部の延在方向で相互に位置ずれさせると好
ましい。このような構成を採用した場合、電子増倍部
は、各ダイノードの縁部に段差をもたせ、縁部を同一の
形状に揃えることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面と共に本発明による電
子増倍管の好適な実施形態について詳細に説明する。
子増倍管の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１１】図１は、本発明に係る電子増倍管の全体を
示す断面図である。同図に示す電子増倍管は、微弱光を
電子に変換して、その電子を増倍させる光電子増倍管で
ある。この光電子増倍管１は、両端が開放された円筒状
の金属製側管２を有し、この側管２の一方の開口端に
は、入射光を受け入れるガラス製の受光面板３が固定さ
れ、他方の開口端には、複数のステムピン４を配列させ
た円板状のステム５が固定されている。そして、側管２
と受光面板３とステム５とで真空容器６を構成し、真空
容器６の内部に電子増倍部７を配置させている。
示す断面図である。同図に示す電子増倍管は、微弱光を
電子に変換して、その電子を増倍させる光電子増倍管で
ある。この光電子増倍管１は、両端が開放された円筒状
の金属製側管２を有し、この側管２の一方の開口端に
は、入射光を受け入れるガラス製の受光面板３が固定さ
れ、他方の開口端には、複数のステムピン４を配列させ
た円板状のステム５が固定されている。そして、側管２
と受光面板３とステム５とで真空容器６を構成し、真空
容器６の内部に電子増倍部７を配置させている。
【００１２】真空容器６の内方側において、受光面板３
の裏面には、ＧａＡｓ半導体結晶からなる光電変換面
（光電陰極）８が設けられ、この光電変換面８と電子増
倍部７との間には、収束電極９が配置されている。従っ
て、光電変換面８から放出された電子は、収束電極９の
影響によりその軌道が収束され、電子増倍部７の所定の
領域に入射する。
の裏面には、ＧａＡｓ半導体結晶からなる光電変換面
（光電陰極）８が設けられ、この光電変換面８と電子増
倍部７との間には、収束電極９が配置されている。従っ
て、光電変換面８から放出された電子は、収束電極９の
影響によりその軌道が収束され、電子増倍部７の所定の
領域に入射する。
【００１３】電子増倍部７は、リニアに配列した電子増
倍孔１０をもつ板状のダイノード１１を、多段に積層さ
せた構成になっている。積層したダイノード１１の下方
には、増倍させた電子を反射させる最終段ダイノード１
２が配置され、最終段ダイノード１２とダイノード１１
との間には、電子を受けるアノード１３が配置されてい
る。なお、ダイノード１１、最終段ダイノード１２及び
アノード１３は、各ステムピン４にそれぞれ接続固定さ
れている。
倍孔１０をもつ板状のダイノード１１を、多段に積層さ
せた構成になっている。積層したダイノード１１の下方
には、増倍させた電子を反射させる最終段ダイノード１
２が配置され、最終段ダイノード１２とダイノード１１
との間には、電子を受けるアノード１３が配置されてい
る。なお、ダイノード１１、最終段ダイノード１２及び
アノード１３は、各ステムピン４にそれぞれ接続固定さ
れている。
【００１４】図２〜図４に示すように、正方形状のダイ
ノード１１には、２種類のダイノード１１Ａと１１Ｂと
があり、ダイノード１１Ａをｎ段側のダイノードとした
場合、ダイノード１１Ｂはｎ＋１段側のダイノードとな
る。ｎ段側ダイノード１１Ａは、リニアに配列した複数
本の電子増倍孔１０Ａを有し、全ての電子増倍孔１０Ａ
を包囲するように、ｎ段側ダイノード１１Ａは、その全
周に亙って幅広の縁部１２を有している。これに対し
て、ｎ＋１段側ダイノード１１Ｂは、リニアに配列した
複数本の電子増倍孔１０Ｂを有し、全ての電子増倍孔１
０Ｂを包囲するように、ｎ＋１段側ダイノード１１Ｂ
は、その全周に亙って幅狭の縁部１３を有している。ま
た、ダイノード１１Ａ，１１Ｂにおいて、縁部１２の側
面１２ａ及び縁部１３の側面１３ａは、縁部１２の表面
１２ｃ及び縁部１３の表面１３ｃに対して、その全周に
亙り直角に形成されている。
ノード１１には、２種類のダイノード１１Ａと１１Ｂと
があり、ダイノード１１Ａをｎ段側のダイノードとした
場合、ダイノード１１Ｂはｎ＋１段側のダイノードとな
る。ｎ段側ダイノード１１Ａは、リニアに配列した複数
本の電子増倍孔１０Ａを有し、全ての電子増倍孔１０Ａ
を包囲するように、ｎ段側ダイノード１１Ａは、その全
周に亙って幅広の縁部１２を有している。これに対し
て、ｎ＋１段側ダイノード１１Ｂは、リニアに配列した
複数本の電子増倍孔１０Ｂを有し、全ての電子増倍孔１
０Ｂを包囲するように、ｎ＋１段側ダイノード１１Ｂ
は、その全周に亙って幅狭の縁部１３を有している。ま
た、ダイノード１１Ａ，１１Ｂにおいて、縁部１２の側
面１２ａ及び縁部１３の側面１３ａは、縁部１２の表面
１２ｃ及び縁部１３の表面１３ｃに対して、その全周に
亙り直角に形成されている。
【００１５】そこで、ｎ段側ダイノード１１Ａの電子増
倍孔１０Ａとｎ＋１段側ダイノード１１Ｂの電子増倍孔
１０Ｂとを対向させるように、電子増倍部７を組み立て
ると、ｎ段側ダイノード１１Ａの縁部１２の側面１２ａ
が外側に向けて迫り出し、ｎ＋１段側ダイノード１１Ｂ
の縁部１３の側面１３ａが内側に引き込むことになる。
その結果、ｎ段側ダイノード１１Ａの縁部１２とｎ＋１
段側ダイノード１１Ｂの縁部１３とを比較した場合、縁
部１２のエッジ部１２ｂと縁部１３のエッジ部１３ｂと
が斜め方向で対向し、対向するエッジ部１２ｂと１３ｂ
とを、縁部１２，１３の延在方向で相互に位置ずれさせ
ることができる。
倍孔１０Ａとｎ＋１段側ダイノード１１Ｂの電子増倍孔
１０Ｂとを対向させるように、電子増倍部７を組み立て
ると、ｎ段側ダイノード１１Ａの縁部１２の側面１２ａ
が外側に向けて迫り出し、ｎ＋１段側ダイノード１１Ｂ
の縁部１３の側面１３ａが内側に引き込むことになる。
その結果、ｎ段側ダイノード１１Ａの縁部１２とｎ＋１
段側ダイノード１１Ｂの縁部１３とを比較した場合、縁
部１２のエッジ部１２ｂと縁部１３のエッジ部１３ｂと
が斜め方向で対向し、対向するエッジ部１２ｂと１３ｂ
とを、縁部１２，１３の延在方向で相互に位置ずれさせ
ることができる。
【００１６】このように、同種のｎ段側ダイノード１１
Ａと同種のｎ＋１段側ダイノード１１Ｂとを交互に積層
させるだけで、隣接するエッジ部１２ｂ，１３ｂ間の距
離を大きくすることができ、この間で起こる電界放電を
抑制することができる。また、ダイノード１１の間隔
を、従来の電子増倍部と同様に０．１６〜０．１７ｍｍ
程度の微小な空間として維持したまま、電界放電の更な
る抑制を可能にする。
Ａと同種のｎ＋１段側ダイノード１１Ｂとを交互に積層
させるだけで、隣接するエッジ部１２ｂ，１３ｂ間の距
離を大きくすることができ、この間で起こる電界放電を
抑制することができる。また、ダイノード１１の間隔
を、従来の電子増倍部と同様に０．１６〜０．１７ｍｍ
程度の微小な空間として維持したまま、電界放電の更な
る抑制を可能にする。
【００１７】なお、各ダイノード１１Ａ，１１Ｂと各ス
テムピン４との電気的接続を考慮して、ダイノード１１
Ａ，１１Ｂにおける縁部１２，１３の側面１２ａ，１３
ａに、その側方に向けて突出する耳部（図示せず）が設
けられている場合、すなわち、ダイノード１１Ａ，１１
Ｂの外周において、側面１２ａ，１３ａの一部が耳部に
よって途切れている場合、耳部のエッジ部と、この耳部
に隣接する縁部のエッジ部との電界放電は無視すること
ができる程度に小さい。なぜなら、縁部のエッジ部の長
さは、耳部のエッジ部の長さに対して非常に長く形成さ
れるからである。
テムピン４との電気的接続を考慮して、ダイノード１１
Ａ，１１Ｂにおける縁部１２，１３の側面１２ａ，１３
ａに、その側方に向けて突出する耳部（図示せず）が設
けられている場合、すなわち、ダイノード１１Ａ，１１
Ｂの外周において、側面１２ａ，１３ａの一部が耳部に
よって途切れている場合、耳部のエッジ部と、この耳部
に隣接する縁部のエッジ部との電界放電は無視すること
ができる程度に小さい。なぜなら、縁部のエッジ部の長
さは、耳部のエッジ部の長さに対して非常に長く形成さ
れるからである。
【００１８】前述した実施形態において、ｎ段側ダイノ
ード１１Ａは、２枚のダイノード薄板ＡとＢを張り合わ
せて、ダイノード薄板ＡとＢとを溶接することで一体化
が図られている。同様に、ｎ＋１段側ダイノード１１Ｂ
もダイノード薄板ＣとＤで一体化が図られている。
ード１１Ａは、２枚のダイノード薄板ＡとＢを張り合わ
せて、ダイノード薄板ＡとＢとを溶接することで一体化
が図られている。同様に、ｎ＋１段側ダイノード１１Ｂ
もダイノード薄板ＣとＤで一体化が図られている。
【００１９】本発明に係る電子増倍管の他の実施形態に
ついて説明する。なお、後述するダイノード２１以外の
構成は、前述した光電子増倍管１と同様であり、その説
明は省略する。
ついて説明する。なお、後述するダイノード２１以外の
構成は、前述した光電子増倍管１と同様であり、その説
明は省略する。
【００２０】図５〜図８に示すように、正方形状のダイ
ノード２１には、２種類のダイノード２１Ａと２１Ｂと
があり、ダイノード２１Ａをｎ段側のダイノードとした
場合、ダイノード２１Ｂはｎ＋１段側のダイノードとな
る。ｎ段側ダイノード２１Ａは、リニアに配列した複数
本の電子増倍孔２０Ａを有し、全ての電子増倍孔２０Ａ
を包囲するように、ｎ段側ダイノード２１Ａは、その全
周に亙って縁部２２を有している。これに対して、ｎ＋
１段側ダイノード２１Ｂは、リニアに配列した複数本の
電子増倍孔２０Ｂを有し、全ての電子増倍孔２０Ｂを包
囲するように、ｎ＋１段側ダイノード２１Ｂは、その全
周に亙って縁部２３を有している。
ノード２１には、２種類のダイノード２１Ａと２１Ｂと
があり、ダイノード２１Ａをｎ段側のダイノードとした
場合、ダイノード２１Ｂはｎ＋１段側のダイノードとな
る。ｎ段側ダイノード２１Ａは、リニアに配列した複数
本の電子増倍孔２０Ａを有し、全ての電子増倍孔２０Ａ
を包囲するように、ｎ段側ダイノード２１Ａは、その全
周に亙って縁部２２を有している。これに対して、ｎ＋
１段側ダイノード２１Ｂは、リニアに配列した複数本の
電子増倍孔２０Ｂを有し、全ての電子増倍孔２０Ｂを包
囲するように、ｎ＋１段側ダイノード２１Ｂは、その全
周に亙って縁部２３を有している。
【００２１】また、縁部２２の側面２２ａ及び縁部２３
の側面２３ａは、縁部２２の表面２２ｃ及び縁部２３の
表面２３ｃに対して所定の角度をもつテーパ面として形
成されている。この場合、側面２２ａ及び２３ａは、縁
部２２の表面２２ｃ及び縁部２３の表面２３ｃに対して
鋭角のテーパ面として形成されている。
の側面２３ａは、縁部２２の表面２２ｃ及び縁部２３の
表面２３ｃに対して所定の角度をもつテーパ面として形
成されている。この場合、側面２２ａ及び２３ａは、縁
部２２の表面２２ｃ及び縁部２３の表面２３ｃに対して
鋭角のテーパ面として形成されている。
【００２２】そこで、ｎ段側ダイノード２１Ａの電子増
倍孔２０Ａとｎ＋１段側ダイノード２１Ｂの電子増倍孔
２０Ｂとを対向させるように、電子増倍部７Ａを組み立
てると、ｎ段側ダイノード２１Ａにおける側面２２ａの
最外周ライン２２ｄと、ｎ＋１段側ダイノード２１Ｂに
おける側面２３ａの最外周ライン２３ｄとは、側管２の
管軸線Ｌ（図１参照）の方向に沿って一列に整列する。
その結果、ｎ段側ダイノード２１Ａの縁部２２とｎ＋１
段側ダイノード２１Ｂの縁部２３とを比較した場合、縁
部２２のエッジ部２２ｂと縁部２３のエッジ部２３ｂと
が斜め方向で対向し、対向するエッジ部２２ｂと２３ｂ
とを、縁部２２，２３の延在方向で相互に位置ずれさせ
ることができる。また、エッジ部２２ｂが鈍角の面で形
成されていることに起因して、この部位での電子の放出
が起こり難く、隣接するエッジ部２２ｂ，２３ｂ間での
電界放電を効率よく抑制することができる。
倍孔２０Ａとｎ＋１段側ダイノード２１Ｂの電子増倍孔
２０Ｂとを対向させるように、電子増倍部７Ａを組み立
てると、ｎ段側ダイノード２１Ａにおける側面２２ａの
最外周ライン２２ｄと、ｎ＋１段側ダイノード２１Ｂに
おける側面２３ａの最外周ライン２３ｄとは、側管２の
管軸線Ｌ（図１参照）の方向に沿って一列に整列する。
その結果、ｎ段側ダイノード２１Ａの縁部２２とｎ＋１
段側ダイノード２１Ｂの縁部２３とを比較した場合、縁
部２２のエッジ部２２ｂと縁部２３のエッジ部２３ｂと
が斜め方向で対向し、対向するエッジ部２２ｂと２３ｂ
とを、縁部２２，２３の延在方向で相互に位置ずれさせ
ることができる。また、エッジ部２２ｂが鈍角の面で形
成されていることに起因して、この部位での電子の放出
が起こり難く、隣接するエッジ部２２ｂ，２３ｂ間での
電界放電を効率よく抑制することができる。
【００２３】このように、ダイノード２１Ａの側面２２
ａ及びダイノード２１Ｂの側面２３ａを平行にし且つ管
軸線Ｌ方向に沿って整列させても、隣接するエッジ部２
２ｂ，２３ｂの間隔を大きくとることができる。しか
も、真空容器６内でダイノード２１Ａの側面２２ａ及び
ダイノード２１Ｂの側面２３ａの位置を略全周で揃える
ことができる。なお、ｎ段側ダイノード２１Ａは、２枚
のダイノード薄板Ａ１とＢ１を張り合わせて、ダイノー
ド薄板Ａ１とＢ１とを溶接することで一体化が図られて
いる。同様に、ｎ＋１段側ダイノード２１Ｂもダイノー
ド薄板Ｃ１とＤ１で一体化が図られている。
ａ及びダイノード２１Ｂの側面２３ａを平行にし且つ管
軸線Ｌ方向に沿って整列させても、隣接するエッジ部２
２ｂ，２３ｂの間隔を大きくとることができる。しか
も、真空容器６内でダイノード２１Ａの側面２２ａ及び
ダイノード２１Ｂの側面２３ａの位置を略全周で揃える
ことができる。なお、ｎ段側ダイノード２１Ａは、２枚
のダイノード薄板Ａ１とＢ１を張り合わせて、ダイノー
ド薄板Ａ１とＢ１とを溶接することで一体化が図られて
いる。同様に、ｎ＋１段側ダイノード２１Ｂもダイノー
ド薄板Ｃ１とＤ１で一体化が図られている。
【００２４】本発明に係る電子増倍管の更に他の実施形
態について説明する。なお、後述するダイノード３１以
外の構成は、前述した光電子増倍管１と同様であり、そ
の説明は省略する。
態について説明する。なお、後述するダイノード３１以
外の構成は、前述した光電子増倍管１と同様であり、そ
の説明は省略する。
【００２５】図９〜図１２に示すように、正方形状のダ
イノード３１には、２種類のダイノード３１Ａと３１Ｂ
とがあり、ダイノード３１Ａをｎ段側のダイノードとし
た場合、ダイノード３１Ｂはｎ＋１段側のダイノードと
なる。ｎ段側ダイノード３１Ａは、リニアに配列した複
数本の電子増倍孔３０Ａを有し、全ての電子増倍孔３０
Ａを包囲するように、ｎ段側ダイノード３１Ａは、その
全周に亙って縁部３２を有している。同様に、ｎ＋１段
側ダイノード３１Ｂは、リニアに配列した複数本の電子
増倍孔３０Ｂを有し、全ての電子増倍孔３０Ｂを包囲す
るように、ｎ＋１段側ダイノード３１Ｂは、その全周に
亙って縁部３３を有している。
イノード３１には、２種類のダイノード３１Ａと３１Ｂ
とがあり、ダイノード３１Ａをｎ段側のダイノードとし
た場合、ダイノード３１Ｂはｎ＋１段側のダイノードと
なる。ｎ段側ダイノード３１Ａは、リニアに配列した複
数本の電子増倍孔３０Ａを有し、全ての電子増倍孔３０
Ａを包囲するように、ｎ段側ダイノード３１Ａは、その
全周に亙って縁部３２を有している。同様に、ｎ＋１段
側ダイノード３１Ｂは、リニアに配列した複数本の電子
増倍孔３０Ｂを有し、全ての電子増倍孔３０Ｂを包囲す
るように、ｎ＋１段側ダイノード３１Ｂは、その全周に
亙って縁部３３を有している。
【００２６】また、ｎ段側ダイノード３１Ａは、第１の
ダイノード薄板Ａ２と第２のダイノード薄板Ｂ２を張り
合わせて、ダイノード薄板Ａ２とＢ２とを溶接すること
で一体化が図られている。この場合、第１のダイノード
薄板Ａ２の側面３２ａＡと第２のダイノード薄板Ｂ２の
側面３２ａＢとを、同一面上に配置させることなく、具
体的には、第１のダイノード薄板Ａ２の側面３２ａＡと
第２のダイノード薄板Ｂ２の側面３２ａＢとを互いにず
らしている。そして、第１のダイノード薄板Ａ２の側面
３２ａＡは外側に向けて迫り出し、第２のダイノード薄
板Ｂ２の側面３２ａＢは内側に引込む。同様に、ｎ＋１
段側ダイノード３１Ｂもダイノード薄板Ｃ２とＤ２で一
体化が図られ、第１のダイノード薄板Ｃ２の側面３３ａ
Ｃは外側に向けて迫り出し、第２のダイノード薄板Ｄ２
の側面３３ａＤは内側に引込む。
ダイノード薄板Ａ２と第２のダイノード薄板Ｂ２を張り
合わせて、ダイノード薄板Ａ２とＢ２とを溶接すること
で一体化が図られている。この場合、第１のダイノード
薄板Ａ２の側面３２ａＡと第２のダイノード薄板Ｂ２の
側面３２ａＢとを、同一面上に配置させることなく、具
体的には、第１のダイノード薄板Ａ２の側面３２ａＡと
第２のダイノード薄板Ｂ２の側面３２ａＢとを互いにず
らしている。そして、第１のダイノード薄板Ａ２の側面
３２ａＡは外側に向けて迫り出し、第２のダイノード薄
板Ｂ２の側面３２ａＢは内側に引込む。同様に、ｎ＋１
段側ダイノード３１Ｂもダイノード薄板Ｃ２とＤ２で一
体化が図られ、第１のダイノード薄板Ｃ２の側面３３ａ
Ｃは外側に向けて迫り出し、第２のダイノード薄板Ｄ２
の側面３３ａＤは内側に引込む。
【００２７】そこで、ｎ段側ダイノード３１Ａの電子増
倍孔３０Ａとｎ＋１段側ダイノード３１Ｂの電子増倍孔
３０Ｂとを対向させるように、電子増倍部７Ｂを組み立
てると、ｎ段側ダイノード３１Ａの側面３２ａと、ｎ＋
１段側ダイノード３１Ｂの側面３３ａとは、側管２の管
軸線Ｌ（図１参照）の方向に沿って一列に整列する。そ
の結果、ｎ段側ダイノード３１Ａの縁部３２とｎ＋１段
側ダイノード３１Ｂの縁部３３とを比較した場合、縁部
３２のエッジ部３２ｂと縁部３３のエッジ部３３ｂとが
斜め方向で対向し、対向するエッジ部３２ｂと３３ｂと
を、縁部３２，３３の延在方向で相互に位置ずれさせる
ことができる。
倍孔３０Ａとｎ＋１段側ダイノード３１Ｂの電子増倍孔
３０Ｂとを対向させるように、電子増倍部７Ｂを組み立
てると、ｎ段側ダイノード３１Ａの側面３２ａと、ｎ＋
１段側ダイノード３１Ｂの側面３３ａとは、側管２の管
軸線Ｌ（図１参照）の方向に沿って一列に整列する。そ
の結果、ｎ段側ダイノード３１Ａの縁部３２とｎ＋１段
側ダイノード３１Ｂの縁部３３とを比較した場合、縁部
３２のエッジ部３２ｂと縁部３３のエッジ部３３ｂとが
斜め方向で対向し、対向するエッジ部３２ｂと３３ｂと
を、縁部３２，３３の延在方向で相互に位置ずれさせる
ことができる。
【００２８】このように、ダイノード３１Ａの側面３２
ａ及びダイノード３１Ｂの側面３３ａを互いに管軸線Ｌ
方向に沿って整列させても、隣接するエッジ部３２ｂ，
３３ｂの間隔を大きくとることができ、隣接するエッジ
部３２ｂ，３３ｂ間での電界放電を抑制することができ
る。しかも、真空容器６内でダイノード３１Ａの側面３
２ａ及びダイノード３１Ｂの側面３３ａの位置を略全周
で揃えることができる。
ａ及びダイノード３１Ｂの側面３３ａを互いに管軸線Ｌ
方向に沿って整列させても、隣接するエッジ部３２ｂ，
３３ｂの間隔を大きくとることができ、隣接するエッジ
部３２ｂ，３３ｂ間での電界放電を抑制することができ
る。しかも、真空容器６内でダイノード３１Ａの側面３
２ａ及びダイノード３１Ｂの側面３３ａの位置を略全周
で揃えることができる。
【００２９】本発明は、前述した種々の実施形態に限定
されるものではなく、例えば、前述したダイノードは、
メッシュ型のダイノードであってもよい。また、光電変
換面（光電陰極）８はＧａＡｓ半導体結晶である必要は
ないが、このＧａＡｓタイプの光電変換面８は、有効面
積が小さく、ダイノードの縁部を幅広く形成することが
でき、縁部の側面に工夫を施し易い。なお、前述の実施
形態では、光電変換面をもった光電子増倍管として説明
したが、光電変換面をもたない電子増倍管であってもよ
い。
されるものではなく、例えば、前述したダイノードは、
メッシュ型のダイノードであってもよい。また、光電変
換面（光電陰極）８はＧａＡｓ半導体結晶である必要は
ないが、このＧａＡｓタイプの光電変換面８は、有効面
積が小さく、ダイノードの縁部を幅広く形成することが
でき、縁部の側面に工夫を施し易い。なお、前述の実施
形態では、光電変換面をもった光電子増倍管として説明
したが、光電変換面をもたない電子増倍管であってもよ
い。
【００３０】
【発明の効果】本発明による電子増倍管は、以上のよう
に構成されているため、次のような効果を得る。すなわ
ち、複数のダイノードのうちで隣接するダイノードの縁
部の略全周において、対向するダイノードのエッジ部
を、縁部の延在方向で相互に位置ずれさせたことによ
り、隣接するダイノードの縁部間で発生する電界放電を
効果的に抑制し、ノイズ発生の抑制を効果的に阻止する
ことができる。
に構成されているため、次のような効果を得る。すなわ
ち、複数のダイノードのうちで隣接するダイノードの縁
部の略全周において、対向するダイノードのエッジ部
を、縁部の延在方向で相互に位置ずれさせたことによ
り、隣接するダイノードの縁部間で発生する電界放電を
効果的に抑制し、ノイズ発生の抑制を効果的に阻止する
ことができる。
【図１】本発明に係る電子増倍管の一実施形態を示す断
面図である。
面図である。
【図２】図１の電子増倍管に適用する電子増倍部の要部
拡大斜視図である。
拡大斜視図である。
【図３】図２のIII-III線に沿う断面図である。
【図４】図２の電子増倍部に適用するダイノードの平面
図である。
図である。
【図５】電子増倍部の変形例を示す要部拡大斜視図であ
る。
る。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。
【図７】図５の電子増倍部に適用するダイノードの平面
図である。
図である。
【図８】図７に示したダイノードの底面図である。
【図９】電子増倍部の他の変形例を示す要部拡大斜視図
である。
である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図１１】図９の電子増倍部に適用するダイノードの平
面図である。
面図である。
【図１２】図１１に示したダイノードの底面図である。
１…電子増倍管（光電子増倍管）、６…真空容器、７，
７Ａ，７Ｂ…電子増倍部、１１，２１，３１…ダイノー
ド、１１Ａ，２１Ａ，３１Ａ…ｎ段側ダイノード、１１
Ｂ，２１Ｂ，３１Ｂ…ｎ＋１段側ダイノード、１２，１
３，２２，２３，３２，３３…縁部、１２ａ，１３ａ，
２２ａ，２３ａ…ダイノードの側面、１２ｂ，１３ｂ，
２２ｂ，２３ｂ…エッジ部、２３ｄ…最外周ライン、３
２ａＡ，３３ａＣ…第１のダイノード薄板の側面、３２
ａＢ，３３ａＤ…第２のダイノード薄板の側面、Ａ２，
Ｃ２…第１のダイノード薄板、Ｂ２，Ｄ２…第２のダイ
ノード薄板。
７Ａ，７Ｂ…電子増倍部、１１，２１，３１…ダイノー
ド、１１Ａ，２１Ａ，３１Ａ…ｎ段側ダイノード、１１
Ｂ，２１Ｂ，３１Ｂ…ｎ＋１段側ダイノード、１２，１
３，２２，２３，３２，３３…縁部、１２ａ，１３ａ，
２２ａ，２３ａ…ダイノードの側面、１２ｂ，１３ｂ，
２２ｂ，２３ｂ…エッジ部、２３ｄ…最外周ライン、３
２ａＡ，３３ａＣ…第１のダイノード薄板の側面、３２
ａＢ，３３ａＤ…第２のダイノード薄板の側面、Ａ２，
Ｃ２…第１のダイノード薄板、Ｂ２，Ｄ２…第２のダイ
ノード薄板。
Claims (4)
- 【請求項１】 ダイノードを複数段に積層してなる電子
増倍部を真空容器内に配設させて構成した電子増倍管に
おいて、 前記複数のダイノードのうちで隣接する前記ダイノード
の縁部の略全周において、対向する前記ダイノードのエ
ッジ部を、前記縁部の延在方向で相互に位置ずれさせた
ことを特徴とする電子増倍管。 - 【請求項２】 隣接する前記ダイノードの側面を、前記
縁部の延在方向で相互に位置ずれさせたことを特徴とす
る請求項１記載の電子増倍管。 - 【請求項３】 前記各ダイノードの側面を同一方向のテ
ーパ面として形成し、前記各ダイノードの最外周ライン
を前記真空容器の軸線方向に一列に整列させたことを特
徴とする請求項１記載の電子増倍管。 - 【請求項４】 前記各ダイノードを２枚のダイノード薄
板で形成し、前記ダイノードのうちの第１の前記ダイノ
ード薄板の側面と、前記ダイノードのうちの第２の前記
ダイノード薄板の側面とを、前記縁部の延在方向で相互
に位置ずれさせたことを特徴とする請求項１記載の電子
増倍管。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15395297A JP4146529B2 (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 電子増倍管 |
| PCT/JP1998/002568 WO1998057353A1 (fr) | 1997-06-11 | 1998-06-11 | Multiplicateur d'electrons et photomultiplicateur |
| AU76736/98A AU7673698A (en) | 1997-06-11 | 1998-06-11 | Electron multiplier and photomultiplier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15395297A JP4146529B2 (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 電子増倍管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH113677A true JPH113677A (ja) | 1999-01-06 |
| JP4146529B2 JP4146529B2 (ja) | 2008-09-10 |
Family
ID=15573667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15395297A Expired - Fee Related JP4146529B2 (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 電子増倍管 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4146529B2 (ja) |
| AU (1) | AU7673698A (ja) |
| WO (1) | WO1998057353A1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6650050B1 (en) | 1999-04-23 | 2003-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube |
| JP2007258035A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電子増倍管およびこれを用いた放射線検出装置 |
| JP2010267414A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電子増倍管 |
| JP2012094252A (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-17 | Hitachi Ltd | 質量分析装置 |
| WO2012165380A1 (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍部及びそれを含む光電子増倍管 |
| US8587196B2 (en) | 2010-10-14 | 2013-11-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114093742B (zh) * | 2021-11-25 | 2024-02-09 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 光敏传感器及其制备工艺 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3312770B2 (ja) * | 1993-04-30 | 2002-08-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍管 |
| JP3445663B2 (ja) * | 1994-08-24 | 2003-09-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管 |
| JPH10116582A (ja) * | 1996-10-09 | 1998-05-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マイクロ光電子増倍管アレイおよびマイクロ光電子増倍管アレイ用金属プレート |
-
1997
- 1997-06-11 JP JP15395297A patent/JP4146529B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-06-11 AU AU76736/98A patent/AU7673698A/en not_active Abandoned
- 1998-06-11 WO PCT/JP1998/002568 patent/WO1998057353A1/ja not_active Ceased
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6650050B1 (en) | 1999-04-23 | 2003-11-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube |
| JP2007258035A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電子増倍管およびこれを用いた放射線検出装置 |
| US7906754B2 (en) | 2006-03-24 | 2011-03-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube and radiation detecting device |
| JP2010267414A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電子増倍管 |
| US8587196B2 (en) | 2010-10-14 | 2013-11-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube |
| JP2012094252A (ja) * | 2010-10-25 | 2012-05-17 | Hitachi Ltd | 質量分析装置 |
| WO2012165380A1 (ja) * | 2011-06-03 | 2012-12-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍部及びそれを含む光電子増倍管 |
| CN102918624A (zh) * | 2011-06-03 | 2013-02-06 | 浜松光子学株式会社 | 电子倍增部以及包含其的光电倍增管 |
| JP5154717B2 (ja) * | 2011-06-03 | 2013-02-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子増倍部及びそれを含む光電子増倍管 |
| EP2557589A4 (en) * | 2011-06-03 | 2013-08-21 | Hamamatsu Photonics Kk | ELECTRON RECYCLING AND SECONDARY ELECTRON RECYCLING |
| US9293309B2 (en) | 2011-06-03 | 2016-03-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron multiplier and photomultiplier including the same |
| US9589774B2 (en) | 2011-06-03 | 2017-03-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron multiplier and photomultiplier including the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4146529B2 (ja) | 2008-09-10 |
| AU7673698A (en) | 1998-12-30 |
| WO1998057353A1 (fr) | 1998-12-17 |
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