JPH1140100A - 高周波誘導結合プラズマ分析装置 - Google Patents
高周波誘導結合プラズマ分析装置Info
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- JPH1140100A JPH1140100A JP9212688A JP21268897A JPH1140100A JP H1140100 A JPH1140100 A JP H1140100A JP 9212688 A JP9212688 A JP 9212688A JP 21268897 A JP21268897 A JP 21268897A JP H1140100 A JPH1140100 A JP H1140100A
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- 230000006698 induction Effects 0.000 title claims description 11
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 22
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
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- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡便且つ精度良くプラズマトーチを所定位置
に取り付ける。また、常にプラズマの点火を可能とす
る。 【解決手段】 プラズマトーチ１に、該トーチ１が所定
位置に位置決めされた時に、トーチ押さえ部材２の端面
２ａに丁度当接されるような管状の位置決め凸部４を設
けた。また、プラズマトーチ２１とトーチ押さえ部材２
２との間に、高周波的に接地された補助電極２５を設
け、プラズマ点火のための電界が発生し易いようにし
た。
に取り付ける。また、常にプラズマの点火を可能とす
る。 【解決手段】 プラズマトーチ１に、該トーチ１が所定
位置に位置決めされた時に、トーチ押さえ部材２の端面
２ａに丁度当接されるような管状の位置決め凸部４を設
けた。また、プラズマトーチ２１とトーチ押さえ部材２
２との間に、高周波的に接地された補助電極２５を設
け、プラズマ点火のための電界が発生し易いようにし
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波誘導結合プ
ラズマ・質量分析装置（ＩＣＰ−ＭＳ）または高周波誘
導結合プラズマ・発光分光分析装置（ＩＣＰ−ＡＥＳ）
等の高周波誘導結合プラズマ分析装置（以下、ＩＣＰ装
置と称する）に関し、特にＩＣＰ装置のプラズマトーチ
に関する。
ラズマ・質量分析装置（ＩＣＰ−ＭＳ）または高周波誘
導結合プラズマ・発光分光分析装置（ＩＣＰ−ＡＥＳ）
等の高周波誘導結合プラズマ分析装置（以下、ＩＣＰ装
置と称する）に関し、特にＩＣＰ装置のプラズマトーチ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣＰ装置において、プラズマト
ーチを取り付ける際には、誘導コイル内に挿入されるプ
ラズマトーチの、誘導コイルに対する相対位置を目視で
確認しながら、トーチ押さえ部材にプラズマトーチを固
定するようにしている。
ーチを取り付ける際には、誘導コイル内に挿入されるプ
ラズマトーチの、誘導コイルに対する相対位置を目視で
確認しながら、トーチ押さえ部材にプラズマトーチを固
定するようにしている。
【０００３】また、一般にＩＣＰ装置では、プラズマと
誘導コイル間を静電気的にシールドするため、プラズマ
と誘導コイル間にアース接続されたシールド板を装着し
ている。従来は、このシールド板とトーチ押さえ部材等
の金属部材との間で電界が発生し、その電界によってプ
ラズマが点火していたと考えられる。
誘導コイル間を静電気的にシールドするため、プラズマ
と誘導コイル間にアース接続されたシールド板を装着し
ている。従来は、このシールド板とトーチ押さえ部材等
の金属部材との間で電界が発生し、その電界によってプ
ラズマが点火していたと考えられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のように、プラズマトーチの相対位置を目視で確認し
ながら、トーチ押さえ部材にプラズマトーチを固定する
方法では、見る角度によってプラズマトーチが最適位置
からずれてしまうという問題点があった。また、プラズ
マトーチの位置決めが済んだ後、トーチ押さえ部材で固
定するまでの間にプラズマトーチの位置がずれることが
あるという問題点もあった。
来のように、プラズマトーチの相対位置を目視で確認し
ながら、トーチ押さえ部材にプラズマトーチを固定する
方法では、見る角度によってプラズマトーチが最適位置
からずれてしまうという問題点があった。また、プラズ
マトーチの位置決めが済んだ後、トーチ押さえ部材で固
定するまでの間にプラズマトーチの位置がずれることが
あるという問題点もあった。
【０００５】また、従来のＩＣＰ装置では、シールド板
の長さを変更する、特にシールド板の長さを長くする
と、プラズマ点火のための電界が弱くなるかまたはまっ
たく発生せず、プラズマが点火し難いかまたは点火しな
いという問題点があった。
の長さを変更する、特にシールド板の長さを長くする
と、プラズマ点火のための電界が弱くなるかまたはまっ
たく発生せず、プラズマが点火し難いかまたは点火しな
いという問題点があった。
【０００６】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたもので、簡便にプラズマトーチを所定位置に取り
付けることができるようにされたＩＣＰ装置を提供する
ことを目的とする。また、本発明は、シールド板の長さ
によらず、常にプラズマの点火が可能なＩＣＰ装置を提
供することをも目的とする。
されたもので、簡便にプラズマトーチを所定位置に取り
付けることができるようにされたＩＣＰ装置を提供する
ことを目的とする。また、本発明は、シールド板の長さ
によらず、常にプラズマの点火が可能なＩＣＰ装置を提
供することをも目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載したＩＣ
Ｐ装置は、プラズマトーチを固定するトーチ押さえ部材
に対する相対的な位置を決定する位置決め手段を、前記
プラズマトーチに設けたことを特徴とするものである。
それによって、トーチ押さえ部材に対するプラズマトー
チの相対位置を容易に位置決めすることができる。
Ｐ装置は、プラズマトーチを固定するトーチ押さえ部材
に対する相対的な位置を決定する位置決め手段を、前記
プラズマトーチに設けたことを特徴とするものである。
それによって、トーチ押さえ部材に対するプラズマトー
チの相対位置を容易に位置決めすることができる。
【０００８】請求項２に記載したＩＣＰ装置は、請求項
１記載の発明において、前記位置決め手段が、前記トー
チ押さえ部材の一端面に当接するように設けられた位置
決め凸部であることを特徴とするものである。それによ
って、プラズマトーチの位置決め凸部をトーチ押さえ部
材の一端面に当接させるだけで、トーチ押さえ部材に対
するプラズマトーチの相対位置を容易に位置決めするこ
とができる。
１記載の発明において、前記位置決め手段が、前記トー
チ押さえ部材の一端面に当接するように設けられた位置
決め凸部であることを特徴とするものである。それによ
って、プラズマトーチの位置決め凸部をトーチ押さえ部
材の一端面に当接させるだけで、トーチ押さえ部材に対
するプラズマトーチの相対位置を容易に位置決めするこ
とができる。
【０００９】請求項３に記載したＩＣＰ装置は、プラズ
マトーチの近くで、シールド板から所定距離だけ離れた
位置に、高周波的に接地された補助電極を設けたことを
特徴とするものである。それによって、プラズマの点火
時に、補助電極とシールド板との間でプラズマ点火のた
めの電界が発生する。
マトーチの近くで、シールド板から所定距離だけ離れた
位置に、高周波的に接地された補助電極を設けたことを
特徴とするものである。それによって、プラズマの点火
時に、補助電極とシールド板との間でプラズマ点火のた
めの電界が発生する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て図１〜図４を参照しつつ詳細に説明する。
て図１〜図４を参照しつつ詳細に説明する。
【００１１】（第１実施形態）図１には、本発明に係る
ＩＣＰ装置のプラズマトーチ周辺部分の一例が示されて
いる。同図において、１は高周波誘導結合プラズマを生
じさせるプラズマトーチ、２はプラズマトーチ１を着脱
自在に取り付けるトーチ押さえ部材、３は高周波誘導コ
イル、４はプラズマトーチ１の取付位置を位置決めする
ための位置決め凸部、６はサンプリングコーンと呼ばれ
るノズル、７はスキマコーン、８は真空ポンプ、９は真
空ポンプにより真空吸引されるフォアチャンバー、１０
は図示しないイオンレンズを収納するセンターチャンバ
ー、１１はセンターチャンバー１０内を仕切るバルブ、
１２はセンターチャンバー内を真空吸引する油拡散ポン
プである。センターチャンバー１０の後方には、特に図
示しないが、リアチャンバー及びそのリアチャンバー内
を真空吸引する油拡散ポンプ等が設けられている。
ＩＣＰ装置のプラズマトーチ周辺部分の一例が示されて
いる。同図において、１は高周波誘導結合プラズマを生
じさせるプラズマトーチ、２はプラズマトーチ１を着脱
自在に取り付けるトーチ押さえ部材、３は高周波誘導コ
イル、４はプラズマトーチ１の取付位置を位置決めする
ための位置決め凸部、６はサンプリングコーンと呼ばれ
るノズル、７はスキマコーン、８は真空ポンプ、９は真
空ポンプにより真空吸引されるフォアチャンバー、１０
は図示しないイオンレンズを収納するセンターチャンバ
ー、１１はセンターチャンバー１０内を仕切るバルブ、
１２はセンターチャンバー内を真空吸引する油拡散ポン
プである。センターチャンバー１０の後方には、特に図
示しないが、リアチャンバー及びそのリアチャンバー内
を真空吸引する油拡散ポンプ等が設けられている。
【００１２】位置決め凸部４は、例えば図２に示すよう
に管状部材でできており、例えば３重管構造のプラズマ
トーチ１の所定位置に外嵌されてそのトーチ１と一体化
されている。そして、プラズマトーチ１が所定位置に位
置決めされた時には、位置決め凸部４は、その、プラズ
マトーチ１の先端側（図２において右側）に臨む端面４
ａが、トーチ押さえ部材２のプラズマトーチ１の後端側
（図２において左側）に臨む端面２ａに丁度当接される
ようになっている。
に管状部材でできており、例えば３重管構造のプラズマ
トーチ１の所定位置に外嵌されてそのトーチ１と一体化
されている。そして、プラズマトーチ１が所定位置に位
置決めされた時には、位置決め凸部４は、その、プラズ
マトーチ１の先端側（図２において右側）に臨む端面４
ａが、トーチ押さえ部材２のプラズマトーチ１の後端側
（図２において左側）に臨む端面２ａに丁度当接される
ようになっている。
【００１３】従って、プラズマトーチ１を取り付ける際
には、位置決め凸部４の先端側の端面４ａをトーチ押さ
え部材２の後端側の端面２ａに当接させ、その状態でト
ーチ押さえ部材２によりプラズマトーチ１を固定する。
には、位置決め凸部４の先端側の端面４ａをトーチ押さ
え部材２の後端側の端面２ａに当接させ、その状態でト
ーチ押さえ部材２によりプラズマトーチ１を固定する。
【００１４】この第１実施形態によれば、位置決め凸部
４の端面４ａをトーチ押さえ部材２の端面２ａに当接さ
せた状態で、トーチ押さえ部材２によりプラズマトーチ
１を固定するだけで、トーチ押さえ部材２に対するプラ
ズマトーチ１の相対位置を容易に位置決めすることがで
きるので、簡便且つ精度良くプラズマトーチ１を所定位
置に取り付けることができる。
４の端面４ａをトーチ押さえ部材２の端面２ａに当接さ
せた状態で、トーチ押さえ部材２によりプラズマトーチ
１を固定するだけで、トーチ押さえ部材２に対するプラ
ズマトーチ１の相対位置を容易に位置決めすることがで
きるので、簡便且つ精度良くプラズマトーチ１を所定位
置に取り付けることができる。
【００１５】なお、位置決め手段は、上述した位置決め
凸部４に限らず、例えば図３に示すように、プラズマト
ーチ１の外周面の所定位置に位置決めマーク５を記して
おくようにしてもよい。図３の例では、位置決めマーク
５は、プラズマトーチ１が所定位置に位置決めされた時
に、トーチ押さえ部材２の後端側の端面２ａの位置に丁
度一致するような線状のマークで構成されている。
凸部４に限らず、例えば図３に示すように、プラズマト
ーチ１の外周面の所定位置に位置決めマーク５を記して
おくようにしてもよい。図３の例では、位置決めマーク
５は、プラズマトーチ１が所定位置に位置決めされた時
に、トーチ押さえ部材２の後端側の端面２ａの位置に丁
度一致するような線状のマークで構成されている。
【００１６】また、本発明は、上記第１実施形態に限定
されず、種々変更可能であるのはいうまでもない。例え
ば、位置決め凸部４は管状に限らず、プラズマトーチ１
の外周面から突出してトーチ押さえ部材２の端面２ａに
当接し得るようになっていれば、如何なる形状の凸部で
もよい。
されず、種々変更可能であるのはいうまでもない。例え
ば、位置決め凸部４は管状に限らず、プラズマトーチ１
の外周面から突出してトーチ押さえ部材２の端面２ａに
当接し得るようになっていれば、如何なる形状の凸部で
もよい。
【００１７】（第２実施形態）図４には、本発明に係る
ＩＣＰ装置のプラズマトーチ周辺部分の他の例が示され
ている。同図において、２１はプラズマトーチ、２２は
トーチ押さえ部材、２３は高周波誘導コイル、２４はシ
ールド板、２５は補助電極である。この例では例えばシ
ールド板２４の後側（図４において左側）の端部は、ト
ーチ押さえ部材２２内に挿入されている。
ＩＣＰ装置のプラズマトーチ周辺部分の他の例が示され
ている。同図において、２１はプラズマトーチ、２２は
トーチ押さえ部材、２３は高周波誘導コイル、２４はシ
ールド板、２５は補助電極である。この例では例えばシ
ールド板２４の後側（図４において左側）の端部は、ト
ーチ押さえ部材２２内に挿入されている。
【００１８】補助電極２５は、環状の金属等の導電体で
できており、プラズマトーチ２１及びトーチ押さえ部材
２２とは電気的に絶縁されているとともに、高周波的に
接地されている。そして、補助電極２５は、プラズマト
ーチ２１とトーチ押さえ部材２２との間で、かつトーチ
押さえ部材２２の、シールド板２４が挿入されていない
側（図４において左側）の端部寄りに介設されている。
できており、プラズマトーチ２１及びトーチ押さえ部材
２２とは電気的に絶縁されているとともに、高周波的に
接地されている。そして、補助電極２５は、プラズマト
ーチ２１とトーチ押さえ部材２２との間で、かつトーチ
押さえ部材２２の、シールド板２４が挿入されていない
側（図４において左側）の端部寄りに介設されている。
【００１９】具体的には、補助電極２５とシールド板２
４との間の距離ｄは１０〜２５mmであるのが適当であ
る。その理由は、補助電極２５とシールド板２４との距
離が１０mmに満たない場合には、電界で加速されたイオ
ンが周りの気体分子にぶつかる確率が小さくなるためで
あり、２５mmを超える場合には発生する電界が弱くなり
点火に必要な大きさの電界を確保できないためである。
４との間の距離ｄは１０〜２５mmであるのが適当であ
る。その理由は、補助電極２５とシールド板２４との距
離が１０mmに満たない場合には、電界で加速されたイオ
ンが周りの気体分子にぶつかる確率が小さくなるためで
あり、２５mmを超える場合には発生する電界が弱くなり
点火に必要な大きさの電界を確保できないためである。
【００２０】この第２実施形態によれば、補助電極２５
が設けられていることにより、プラズマの点火時に、補
助電極２５とシールド板２４との間でプラズマ点火のた
めの電界が発生するため、シールド板２４の長さによら
ず、常にプラズマの点火が可能となる。
が設けられていることにより、プラズマの点火時に、補
助電極２５とシールド板２４との間でプラズマ点火のた
めの電界が発生するため、シールド板２４の長さによら
ず、常にプラズマの点火が可能となる。
【００２１】なお、本発明は、上記第２実施形態に限定
されず、種々変更可能であるのはいうまでもない。即
ち、補助電極２５は環状に限らず、プラズマトーチ２１
及びトーチ押さえ部材２２に対して電気的に絶縁されて
いるとともに、高周波的に接地されており、プラズマ点
火のための電界が発生するようになっていれば、その形
状は問わない。例えば、プラズマトーチ２１の外周に対
して、半周程度の円弧状のものでもよい。
されず、種々変更可能であるのはいうまでもない。即
ち、補助電極２５は環状に限らず、プラズマトーチ２１
及びトーチ押さえ部材２２に対して電気的に絶縁されて
いるとともに、高周波的に接地されており、プラズマ点
火のための電界が発生するようになっていれば、その形
状は問わない。例えば、プラズマトーチ２１の外周に対
して、半周程度の円弧状のものでもよい。
【００２２】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、プラズマ
トーチを固定するトーチ押さえ部材に対する相対的な位
置を決定する位置決め手段を、前記プラズマトーチに設
けたため、トーチ押さえ部材に対するプラズマトーチの
相対位置を容易に位置決めすることができるので簡便に
プラズマトーチを所定位置に取り付けることができる。
トーチを固定するトーチ押さえ部材に対する相対的な位
置を決定する位置決め手段を、前記プラズマトーチに設
けたため、トーチ押さえ部材に対するプラズマトーチの
相対位置を容易に位置決めすることができるので簡便に
プラズマトーチを所定位置に取り付けることができる。
【００２３】請求項２記載の発明によれば、位置決め手
段が、前記トーチ押さえ部材の一端面に当接するように
設けられた位置決め凸部で構成されているため、プラズ
マトーチの位置決め凸部をトーチ押さえ部材の一端面に
当接させるだけで、トーチ押さえ部材に対するプラズマ
トーチの相対位置を容易に位置決めすることができるの
で、簡便にプラズマトーチを所定位置に取り付けること
ができる。
段が、前記トーチ押さえ部材の一端面に当接するように
設けられた位置決め凸部で構成されているため、プラズ
マトーチの位置決め凸部をトーチ押さえ部材の一端面に
当接させるだけで、トーチ押さえ部材に対するプラズマ
トーチの相対位置を容易に位置決めすることができるの
で、簡便にプラズマトーチを所定位置に取り付けること
ができる。
【００２４】請求項３記載の発明によれば、プラズマト
ーチの近くで、シールド板から所定距離だけ離れた位置
に、高周波的に接地された補助電極が設けられているた
め、プラズマの点火時に、補助電極とシールド板との間
でプラズマ点火のための電界が発生するので、シールド
板の長さによらず常にプラズマの点火が可能となる。
ーチの近くで、シールド板から所定距離だけ離れた位置
に、高周波的に接地された補助電極が設けられているた
め、プラズマの点火時に、補助電極とシールド板との間
でプラズマ点火のための電界が発生するので、シールド
板の長さによらず常にプラズマの点火が可能となる。
【図１】本発明に係るＩＣＰ装置の第１実施形態の要部
を示す部分断面図である。
を示す部分断面図である。
【図２】そのＩＣＰ装置のプラズマトーチの一例を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明に係るＩＣＰ装置のプラズマトーチの他
の例を示す断面図である。
の例を示す断面図である。
【図４】本発明に係るＩＣＰ装置の第２実施形態の要部
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
１，２１ プラズマトーチ ２，２２ トーチ押さえ部材 ２ａ トーチ押さえ部材の端面 ３，２３ 高周波誘導コイル ４ 位置決め凸部（位置決め手段） ４ａ 位置決め凸部の端面 ５ 位置決めマーク（位置決め手段） ６ サンプリングコーン ７ スキマコーン ８ 真空ポンプ ９ フォアチャンバー １０ センターチャンバー １１ バルブ １２ 油拡散ポンプ ２４ シールド板 ２５ 補助電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松崎 寿文 東京都武蔵野市中町一丁目15番５号三鷹高 木ビル横河アナリティカルシステムズ株式 会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 プラズマトーチの周りに配設された誘導
コイルに高周波電力を供給してプラズマを発生させ、該
プラズマを用いて試料の分析を行う高周波誘導結合プラ
ズマ分析装置において、前記プラズマトーチを固定する
トーチ押さえ部材に対する相対的な位置を決定する位置
決め手段を、前記プラズマトーチに設けたことを特徴と
する高周波誘導結合プラズマ分析装置。 - 【請求項２】 前記位置決め手段は、前記トーチ押さえ
部材の一端面に当接するように設けられた位置決め凸部
であることを特徴とする請求項１記載の高周波誘導結合
プラズマ分析装置。 - 【請求項３】 プラズマトーチの周りにシールド板を介
して配設された誘導コイルに高周波電力を供給してプラ
ズマを発生させ、該プラズマを用いて試料の分析を行う
高周波誘導結合プラズマ分析装置において、前記プラズ
マトーチの近くで、前記シールド板から所定距離だけ離
れた位置に、高周波的に接地された補助電極を設けたこ
とを特徴とする高周波誘導結合プラズマ分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21268897A JP3765446B2 (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | 高周波誘導結合プラズマ分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21268897A JP3765446B2 (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | 高周波誘導結合プラズマ分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140100A true JPH1140100A (ja) | 1999-02-12 |
| JP3765446B2 JP3765446B2 (ja) | 2006-04-12 |
Family
ID=16626786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21268897A Expired - Fee Related JP3765446B2 (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | 高周波誘導結合プラズマ分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3765446B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017130255A (ja) * | 2016-01-18 | 2017-07-27 | 株式会社島津製作所 | 誘導結合プラズマ発生装置 |
| JP2018521323A (ja) * | 2015-07-06 | 2018-08-02 | エレメンタル・サイエンティフィック・インコーポレイテッドＥｌｅｍｅｎｔａｌ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ， Ｉｎｃ． | 誘導結合プラズマシステム用の交換可能な視覚的マークされた試料導入システムの取り付け構造及び構成要素 |
| US10147585B2 (en) | 2011-10-27 | 2018-12-04 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
-
1997
- 1997-07-24 JP JP21268897A patent/JP3765446B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10147585B2 (en) | 2011-10-27 | 2018-12-04 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| US10229814B2 (en) | 2011-10-27 | 2019-03-12 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JP2018521323A (ja) * | 2015-07-06 | 2018-08-02 | エレメンタル・サイエンティフィック・インコーポレイテッドＥｌｅｍｅｎｔａｌ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ， Ｉｎｃ． | 誘導結合プラズマシステム用の交換可能な視覚的マークされた試料導入システムの取り付け構造及び構成要素 |
| US10837911B2 (en) | 2015-07-06 | 2020-11-17 | Elemental Scientific, Inc. | Interchangeable, visually marked sample introduction system mounting structure and components for inductively coupled plasma systems |
| JP2017130255A (ja) * | 2016-01-18 | 2017-07-27 | 株式会社島津製作所 | 誘導結合プラズマ発生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3765446B2 (ja) | 2006-04-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040601 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041224 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050111 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050225 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050802 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050916 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060117 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060119 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |