JPH114016A - 光結合素子及びその製造方法 - Google Patents
光結合素子及びその製造方法Info
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- JPH114016A JPH114016A JP13590598A JP13590598A JPH114016A JP H114016 A JPH114016 A JP H114016A JP 13590598 A JP13590598 A JP 13590598A JP 13590598 A JP13590598 A JP 13590598A JP H114016 A JPH114016 A JP H114016A
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来、光透過性絶縁体を利用した透過形と反
射形光結合素子の絶縁特性の低下と半透過性エポキシ樹
脂を用いた二重構造の透過形光結合素子の製造の複雑化
及び小さいパッケージには適用することができないとい
う問題があった。 【解決手段】 伝導性が優れたリードフレームの同一平
面上に発光素子と受光素子を高伝導性接着剤で接着させ
る第1の工程と、第1の工程後、金属細金線で上記発光
素子および受光素子の電極と指定されたリードフレーム
部を熔融接着させる第2の工程と、上記発光素子及び受
光素子を含む周辺部の上面のみを光通過性シリコン樹脂
で塗布してボード(BOAT)型の光伝達通路を形成する第
3の工程と、上記光透過性シリコン樹脂の外壁の上、下
面を高接着反射性絶縁体で塗布した後、その上とリード
フレームの一部を黒色エポキシ樹脂でトランスファモー
ルディングする第4の工程からなることを特徴をする。
射形光結合素子の絶縁特性の低下と半透過性エポキシ樹
脂を用いた二重構造の透過形光結合素子の製造の複雑化
及び小さいパッケージには適用することができないとい
う問題があった。 【解決手段】 伝導性が優れたリードフレームの同一平
面上に発光素子と受光素子を高伝導性接着剤で接着させ
る第1の工程と、第1の工程後、金属細金線で上記発光
素子および受光素子の電極と指定されたリードフレーム
部を熔融接着させる第2の工程と、上記発光素子及び受
光素子を含む周辺部の上面のみを光通過性シリコン樹脂
で塗布してボード(BOAT)型の光伝達通路を形成する第
3の工程と、上記光透過性シリコン樹脂の外壁の上、下
面を高接着反射性絶縁体で塗布した後、その上とリード
フレームの一部を黒色エポキシ樹脂でトランスファモー
ルディングする第4の工程からなることを特徴をする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、従来、透過形光結
合素子の低い絶縁特性を改善し製造の複雑化を解決して
小さいパッケージ(PACKAGE:4PIN類、ARRAY包含)にも適
用ができるようにすると共に、製造が簡単で、かつ使用
が容易で、高信頼性を保障する光結合素子を提供しよう
とするものである。
合素子の低い絶縁特性を改善し製造の複雑化を解決して
小さいパッケージ(PACKAGE:4PIN類、ARRAY包含)にも適
用ができるようにすると共に、製造が簡単で、かつ使用
が容易で、高信頼性を保障する光結合素子を提供しよう
とするものである。
【0002】
【発明が解決しようとする課題】一般に、光結合素子は
入力電流により光を発散する発光素子とその発光素子か
ら発散される光を電流に変換する受光素子を一つのパッ
ケージ内に備えた装置であって、入出力間には電気的に
全く絶縁されており、出力信号が入力信号に影響を及ば
ない単方向性素子であり、発光素子として電流の変換効
率(光−電変換効率)が良い赤外発光ダイオードと可視
発光ダイオードが使用され、受光素子として出力特性が
良好なホトトランジスタ、ホトトライアック及びホトロ
ジック等が使用されている。その応用は、回路におい
て、電位差が違い両回路間の交互作用と高速広大域信号
伝達等に広く使用されている。添付の図面の図1は上記
のような機能を有する従来の光透過性絶縁体を用いた透
過形光結合素子の構造を示したものである。このような
構造の透過形光結合素子は伝導性が優れたリードフレー
ム(11)(12)に発光素子(13)と受光素子(1
4)を各々高伝導性接着剤で接着した後、金属細金線
(15)(16)でチップの電極と指定されたリードフ
レーム部に熔融接着させ、相互対向配置のために指定さ
れた機構により固定した後、リードフレームの指定され
た部位を溶接する。
入力電流により光を発散する発光素子とその発光素子か
ら発散される光を電流に変換する受光素子を一つのパッ
ケージ内に備えた装置であって、入出力間には電気的に
全く絶縁されており、出力信号が入力信号に影響を及ば
ない単方向性素子であり、発光素子として電流の変換効
率(光−電変換効率)が良い赤外発光ダイオードと可視
発光ダイオードが使用され、受光素子として出力特性が
良好なホトトランジスタ、ホトトライアック及びホトロ
ジック等が使用されている。その応用は、回路におい
て、電位差が違い両回路間の交互作用と高速広大域信号
伝達等に広く使用されている。添付の図面の図1は上記
のような機能を有する従来の光透過性絶縁体を用いた透
過形光結合素子の構造を示したものである。このような
構造の透過形光結合素子は伝導性が優れたリードフレー
ム(11)(12)に発光素子(13)と受光素子(1
4)を各々高伝導性接着剤で接着した後、金属細金線
(15)(16)でチップの電極と指定されたリードフ
レーム部に熔融接着させ、相互対向配置のために指定さ
れた機構により固定した後、リードフレームの指定され
た部位を溶接する。
【0003】次に、光透過性絶縁体(17)により連結
して光通路を形成した後、黒色エポキシ樹脂(20)で
トランスファモールディングして光結合素子を製造する
ことになる。このように製造されるシリコンレンジを利
用した透過形光結合素子は入力部へ電流が入力されると
発光素子(13)が発光することになり、その発散され
る光は形成された光伝達経路を通して受光素子(14)
に伝達され、受光素子(14)はその伝達される光を電
流に変換するようになる。
して光通路を形成した後、黒色エポキシ樹脂(20)で
トランスファモールディングして光結合素子を製造する
ことになる。このように製造されるシリコンレンジを利
用した透過形光結合素子は入力部へ電流が入力されると
発光素子(13)が発光することになり、その発散され
る光は形成された光伝達経路を通して受光素子(14)
に伝達され、受光素子(14)はその伝達される光を電
流に変換するようになる。
【0004】しかし、このような従来のシリコンレンジ
を利用した透過形光結合素子は発光素子(13)と受光
素子(14)とが相互対向されるように配置されている
ので距離に制限される問題があった。即ち、相互距離を
近づけると光伝達効率は良くなるが、光透過性絶縁体
(17)とエポキシ樹脂(20)との接着力が欠けてい
るし、発光素子(13)と受光素子(14)との短い絶
縁距離によりその界面(17、20)に電気的漏洩が容
易に発生されて絶縁低下の問題点があり、これとは別に
その絶縁距離を確保するため距離を増加させると広い距
離により光伝達効率が低下され、界面(17)(20)
の接着力欠如により絶縁向上がないという問題点が生じ
る。従って、かかる構造の透過形光結合素子は大きい絶
縁耐圧用には適用することができなく、その絶縁体の内
部の金属細金線(15)(16)も、また、低くしなけ
ればならないという問題点がある。
を利用した透過形光結合素子は発光素子(13)と受光
素子(14)とが相互対向されるように配置されている
ので距離に制限される問題があった。即ち、相互距離を
近づけると光伝達効率は良くなるが、光透過性絶縁体
(17)とエポキシ樹脂(20)との接着力が欠けてい
るし、発光素子(13)と受光素子(14)との短い絶
縁距離によりその界面(17、20)に電気的漏洩が容
易に発生されて絶縁低下の問題点があり、これとは別に
その絶縁距離を確保するため距離を増加させると広い距
離により光伝達効率が低下され、界面(17)(20)
の接着力欠如により絶縁向上がないという問題点が生じ
る。従って、かかる構造の透過形光結合素子は大きい絶
縁耐圧用には適用することができなく、その絶縁体の内
部の金属細金線(15)(16)も、また、低くしなけ
ればならないという問題点がある。
【0005】そして、各々のリードフレーム(11)
(12)に対し、機械的に溶接しなければならないとい
う煩わしさがあり、リードフレーム(11)(12)の
自体の偏差により最適のチップマウントをしても対向配
置がずれることになって、光伝達効率を低下させる問題
があった。また、発光素子(13)が発光する場合(体
面発光)、光透過性絶縁体(17)の外部が黒色エポキ
シ樹脂(20)から成っているので、光の一部が受光素
子(14)に達する前に吸収され光出力効率を低下させ
る等の問題点もあった。
(12)に対し、機械的に溶接しなければならないとい
う煩わしさがあり、リードフレーム(11)(12)の
自体の偏差により最適のチップマウントをしても対向配
置がずれることになって、光伝達効率を低下させる問題
があった。また、発光素子(13)が発光する場合(体
面発光)、光透過性絶縁体(17)の外部が黒色エポキ
シ樹脂(20)から成っているので、光の一部が受光素
子(14)に達する前に吸収され光出力効率を低下させ
る等の問題点もあった。
【0006】上記の如き低絶縁性の問題点を改善するた
めに従来には添付図面の図2のような半透過性エポキシ
樹脂を用いた二重構造の透過形光結合素子を開発した。
これは伝導性が優れたリードフレーム(21)(22)
に発光素子(23)と受光素子(24)を各々高伝導性
接着剤で接着した後、金属細金線(25)(26)でチ
ップの電極と指定されたリードフレーム部に熔融接着さ
せ、発光素子(23)の熱的老化を防止するために光透
過性のシリコン樹脂(27)で保護膜(27)を形成す
る。その次に相互対向配置のために指定された機構によ
り固定した後、リードフレーム(21)(22)の指定
された部位を溶接し、半透明性エポキシ樹脂(28)で
1次モールディングして光通路を形成した後、黒色エポ
キシ樹脂(30)で更にモールディングして光結合素子
を製造することになる。
めに従来には添付図面の図2のような半透過性エポキシ
樹脂を用いた二重構造の透過形光結合素子を開発した。
これは伝導性が優れたリードフレーム(21)(22)
に発光素子(23)と受光素子(24)を各々高伝導性
接着剤で接着した後、金属細金線(25)(26)でチ
ップの電極と指定されたリードフレーム部に熔融接着さ
せ、発光素子(23)の熱的老化を防止するために光透
過性のシリコン樹脂(27)で保護膜(27)を形成す
る。その次に相互対向配置のために指定された機構によ
り固定した後、リードフレーム(21)(22)の指定
された部位を溶接し、半透明性エポキシ樹脂(28)で
1次モールディングして光通路を形成した後、黒色エポ
キシ樹脂(30)で更にモールディングして光結合素子
を製造することになる。
【0007】このように製造される半透過性エポキシ樹
脂を用いた二重構造の透過形光結合素子は、図1の如き
光透過性シリコンレンジを用いた透過形光結合素子から
発生する低い絶縁問題は改善したが、反面、光の通路で
あるエポキシ樹脂の半透明性により光ー電流伝達比の低
下による距離を短縮しなければならないし、内部の絶縁
性の確保のために金属細金線(25)(26)の高さを
制限しなければならない特別な工程管理を加えなければ
ならないので製造工程が複雑であるという問題点を引き
起こした。また、半透明性エポキシ樹脂(28)の固状
により発光素子(23)の動作時、チップ(CHIP)の軸
膨張を円滑にするためシリコン透明樹脂(27;光透過
性絶縁体)を塗布するが、この時、光透過性絶縁体の投
入量が不安定であるとか、或は未投入の時にはチップの
老化が急速に進められて実装に莫大な支障をもたらす問
題点が生じた。
脂を用いた二重構造の透過形光結合素子は、図1の如き
光透過性シリコンレンジを用いた透過形光結合素子から
発生する低い絶縁問題は改善したが、反面、光の通路で
あるエポキシ樹脂の半透明性により光ー電流伝達比の低
下による距離を短縮しなければならないし、内部の絶縁
性の確保のために金属細金線(25)(26)の高さを
制限しなければならない特別な工程管理を加えなければ
ならないので製造工程が複雑であるという問題点を引き
起こした。また、半透明性エポキシ樹脂(28)の固状
により発光素子(23)の動作時、チップ(CHIP)の軸
膨張を円滑にするためシリコン透明樹脂(27;光透過
性絶縁体)を塗布するが、この時、光透過性絶縁体の投
入量が不安定であるとか、或は未投入の時にはチップの
老化が急速に進められて実装に莫大な支障をもたらす問
題点が生じた。
【0008】そして、シリコン透明樹脂(27)と半透
明エポキシ樹脂(28)との間の界面発生により光の屈
折現象が発生して電流伝達が低下される問題点も生じ
た。従来、光結合素子のまた別の構造において、添付図
面の図3は光透過性絶縁体を用いた反射形光結合素子の
構造を示したものである。上記の如き光透過性絶縁体を
用いた反射形光結合素子は、伝導性が優れたリードフレ
ーム(31)(32)の同一平面上に発光素子(33)
と受光素子(34)を各々高伝導性接着剤で接着した
後、金属細金線(35)(36)でチップの電極と指定
されたリードフレーム部に熔融接着させ、光透過性のシ
リコン樹脂(37)で光の伝達通路を形成し、外壁に反
射性絶縁体(38)(39)を塗布した後、黒色エポキ
シ樹脂(40)でトランスファモールデングして製造す
る。また別の製造方法では、シリコン樹脂(37)で光
の伝達通路を形成する工程までは同様であり、その後に
反射性絶縁体(38)(39)を使用しなく、白色フィ
ラー(FILLER)を含んだエポキシ樹脂(40)のみでモ
ールデングして製造することになる。
明エポキシ樹脂(28)との間の界面発生により光の屈
折現象が発生して電流伝達が低下される問題点も生じ
た。従来、光結合素子のまた別の構造において、添付図
面の図3は光透過性絶縁体を用いた反射形光結合素子の
構造を示したものである。上記の如き光透過性絶縁体を
用いた反射形光結合素子は、伝導性が優れたリードフレ
ーム(31)(32)の同一平面上に発光素子(33)
と受光素子(34)を各々高伝導性接着剤で接着した
後、金属細金線(35)(36)でチップの電極と指定
されたリードフレーム部に熔融接着させ、光透過性のシ
リコン樹脂(37)で光の伝達通路を形成し、外壁に反
射性絶縁体(38)(39)を塗布した後、黒色エポキ
シ樹脂(40)でトランスファモールデングして製造す
る。また別の製造方法では、シリコン樹脂(37)で光
の伝達通路を形成する工程までは同様であり、その後に
反射性絶縁体(38)(39)を使用しなく、白色フィ
ラー(FILLER)を含んだエポキシ樹脂(40)のみでモ
ールデングして製造することになる。
【0009】しかし、かかる工程により製造される光透
過性絶縁体を利用した反射形光結合素子も発光素子(3
3)と受光素子(34)との間隔の制限により透過性シ
リコン樹脂(37)の塗布に限界があって、絶縁耐圧を
増加させることができないという問題点が生じた。併せ
て、反射性絶縁体(38)(39)で反射膜を塗布した
後、硬化させると接着力が低くなってエポキシモールデ
ィング(40)後、界面が発生し、高絶縁耐圧を克服す
ることができないという問題点もあった。そして、光透
過性シリコン樹脂(37)で光通路を形成する際、その
形状が円形や楕円形であるが、その形状が下面まで成し
ており、発光素子(33)の発光後、下面に反射された
光は受光素子(34)側に達することができないので、
光出力特性が低下される問題点も生じた。
過性絶縁体を利用した反射形光結合素子も発光素子(3
3)と受光素子(34)との間隔の制限により透過性シ
リコン樹脂(37)の塗布に限界があって、絶縁耐圧を
増加させることができないという問題点が生じた。併せ
て、反射性絶縁体(38)(39)で反射膜を塗布した
後、硬化させると接着力が低くなってエポキシモールデ
ィング(40)後、界面が発生し、高絶縁耐圧を克服す
ることができないという問題点もあった。そして、光透
過性シリコン樹脂(37)で光通路を形成する際、その
形状が円形や楕円形であるが、その形状が下面まで成し
ており、発光素子(33)の発光後、下面に反射された
光は受光素子(34)側に達することができないので、
光出力特性が低下される問題点も生じた。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の如き従来
の光結合素子等の諸般問題点を解決するために提案され
たものであって、本発明の目的は、従来の透過形と反射
形光結合素子の低い絶縁特性と光電流伝達比を改善し製
造の複雑化を解決して小さいパッケージ(PACKAGE:4PIN
類、ARRAY包含)にも適用することができるようにすると
共に、製造が簡単で、かつ使用が容易で、高信頼性を保
障する光結合素子を提供することにある。
の光結合素子等の諸般問題点を解決するために提案され
たものであって、本発明の目的は、従来の透過形と反射
形光結合素子の低い絶縁特性と光電流伝達比を改善し製
造の複雑化を解決して小さいパッケージ(PACKAGE:4PIN
類、ARRAY包含)にも適用することができるようにすると
共に、製造が簡単で、かつ使用が容易で、高信頼性を保
障する光結合素子を提供することにある。
【0011】かかる発明の目的を達成するための方法
は、伝導性が優れたリードフレームの同一平面上に発光
素子と受光素子を各々高伝導性接着剤で接着させる第1
の工程と、上記第1の工程後、金属細金線で上記発光素
子及び受光素子の電極と指定されたリードフレーム部を
熔融接着させる第2の工程と、上記発光素子と受光素子
を含む周辺部の上面のみを光透過性シリコン樹脂で塗布
してボート(BOAT)型の光線伝達通路を形成する第3の
工程と、上記光透過性シリコン樹脂の外壁の上、下面を
高接着性絶縁体で塗布した後、その上と上記リードフレ
ームの一部を黒色エポキシ樹脂でトランスファモールデ
ィングする第4の工程からなる。以下、本願発明の望ま
しい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明すると
次の通りである。
は、伝導性が優れたリードフレームの同一平面上に発光
素子と受光素子を各々高伝導性接着剤で接着させる第1
の工程と、上記第1の工程後、金属細金線で上記発光素
子及び受光素子の電極と指定されたリードフレーム部を
熔融接着させる第2の工程と、上記発光素子と受光素子
を含む周辺部の上面のみを光透過性シリコン樹脂で塗布
してボート(BOAT)型の光線伝達通路を形成する第3の
工程と、上記光透過性シリコン樹脂の外壁の上、下面を
高接着性絶縁体で塗布した後、その上と上記リードフレ
ームの一部を黒色エポキシ樹脂でトランスファモールデ
ィングする第4の工程からなる。以下、本願発明の望ま
しい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明すると
次の通りである。
【0012】
【発明の実施の形態】図4の(A)及び(B)は本願発
明の1実施形態に係るボート(BOAT)型と高接着反射性
絶縁体を用いた反射形光結合素子の構造図(DIP 型)で
あり、図5の(A)及び(B)は本発明によるボート
(BOAT)型と高接着反射性絶縁体を用いた反射形光結合
素子の他実施形態に係る構造図(MFP 型− GULL −WING
型)である。ここで、ディップ(DIP )型の反射形光結
合素子の製造工程と GULL −WING型のMFP 小型製造工程
は同一なので、重複記載を避けるために作用を共に説明
する。先ず、伝導性が優れ、“V溝”(61〜64)又
は“Λ”形状の突起(61′〜64′)が形成されたリ
ードフレーム(41)(42)(51)(52)の同一
平面上に発光素子(43)(53)と受光素子(44)
(54)を各々高伝導性接着剤で接着した後、金属細金
線(45)(46)(55)(56)でその発光素子
(43)(53)及び受光素子(44)(54)の電極
と指定されたリードフレーム部を熔融接着させることに
なる。
明の1実施形態に係るボート(BOAT)型と高接着反射性
絶縁体を用いた反射形光結合素子の構造図(DIP 型)で
あり、図5の(A)及び(B)は本発明によるボート
(BOAT)型と高接着反射性絶縁体を用いた反射形光結合
素子の他実施形態に係る構造図(MFP 型− GULL −WING
型)である。ここで、ディップ(DIP )型の反射形光結
合素子の製造工程と GULL −WING型のMFP 小型製造工程
は同一なので、重複記載を避けるために作用を共に説明
する。先ず、伝導性が優れ、“V溝”(61〜64)又
は“Λ”形状の突起(61′〜64′)が形成されたリ
ードフレーム(41)(42)(51)(52)の同一
平面上に発光素子(43)(53)と受光素子(44)
(54)を各々高伝導性接着剤で接着した後、金属細金
線(45)(46)(55)(56)でその発光素子
(43)(53)及び受光素子(44)(54)の電極
と指定されたリードフレーム部を熔融接着させることに
なる。
【0013】以後、光透過性が良い絶縁体樹脂である光
透過性シリコン樹脂(47)(57)を熱的に処理して
上記発光素子(43)(53)及び受光素子(44)
(54)を含む周辺部の上面のみをボート(BOAT)型の
光伝達通路に形成することになる。上記において、光透
過性のシリコン樹脂(47)(57)でボート(BOAT)
型の光伝達通路を作るためにリードフレーム固定部に温
度調節機能を有する装備を設けて最小安全距離(最短距
離)3mm以上の界面絶縁距離を確保し、かつ下面のド
ーム(DOME)形成を防止し、光伝達出力特性を改善する
ために熱的に光透過性樹脂の流れと形状を制御してボー
ト(BOAT)型の光伝達通路を形成することになる。
透過性シリコン樹脂(47)(57)を熱的に処理して
上記発光素子(43)(53)及び受光素子(44)
(54)を含む周辺部の上面のみをボート(BOAT)型の
光伝達通路に形成することになる。上記において、光透
過性のシリコン樹脂(47)(57)でボート(BOAT)
型の光伝達通路を作るためにリードフレーム固定部に温
度調節機能を有する装備を設けて最小安全距離(最短距
離)3mm以上の界面絶縁距離を確保し、かつ下面のド
ーム(DOME)形成を防止し、光伝達出力特性を改善する
ために熱的に光透過性樹脂の流れと形状を制御してボー
ト(BOAT)型の光伝達通路を形成することになる。
【0014】次に、次期の工程により形成される反射膜
とエポキシ樹脂との界面密着力の向上と光反射力を増加
させるために反射性絶縁体が全く硬化した後にもねっと
りした高接着力と光反射力を有する反射性フィラーを含
んだ硬化性樹脂である高接着反射性絶縁体(48)(4
9)(58)(59)を上記光透過性シリコン樹脂(4
7)(57)の外壁の上、下面に所定の厚さで塗布して
反射膜を形成させることになる。そして、その反射膜上
とリードフレーム(41)(42)(51)(52)の
一部を黒色エポキシ樹脂(40)(60)でトランスフ
ァモールディングして光結合素子を製造することにな
る。このような方法で光結合素子を製造するとP-DIP 型
と MFP,即ち、 MINI- FLAT 型パッケージの高耐圧用の
全ての製品(4/8/16PIN ARRAY 等)に適用が可能であ
り、併せて電流入力部に直流型(DC)と交流型(AC)の
装置を全て使用することができるようになる。
とエポキシ樹脂との界面密着力の向上と光反射力を増加
させるために反射性絶縁体が全く硬化した後にもねっと
りした高接着力と光反射力を有する反射性フィラーを含
んだ硬化性樹脂である高接着反射性絶縁体(48)(4
9)(58)(59)を上記光透過性シリコン樹脂(4
7)(57)の外壁の上、下面に所定の厚さで塗布して
反射膜を形成させることになる。そして、その反射膜上
とリードフレーム(41)(42)(51)(52)の
一部を黒色エポキシ樹脂(40)(60)でトランスフ
ァモールディングして光結合素子を製造することにな
る。このような方法で光結合素子を製造するとP-DIP 型
と MFP,即ち、 MINI- FLAT 型パッケージの高耐圧用の
全ての製品(4/8/16PIN ARRAY 等)に適用が可能であ
り、併せて電流入力部に直流型(DC)と交流型(AC)の
装置を全て使用することができるようになる。
【0015】
【発明の効果】前記したように、本発明は、リードフレ
ームの固定部に温度調節機能を有する装備を設置するこ
とにより、一様な距離以上のボート形態を具現させるこ
とができる効果があり、短い時間内に(1分以内)1次
シリコン樹脂(47)(57)の硬化が成されるので製
造の自動化が可能であり、1次硬化された光透過性シリ
コン樹脂(47)(57)に反射性樹脂(48)(4
9)(58)(59)を注入する際、樹脂の流動性が良
いので上面尖頭部のみに注入すると1分後には全体的に
上面部に塗布され、リードフレーム(41)(42)
(51)(52)の“V溝”(61〜64)又は“Λ”
形状の突起(61′〜64′)前まで抑えられて製造力
と信頼度向上を図ることができる。また、本発明による
ボート型の反射膜がリードフレーム(41)(42)
(51)(52)を充分に覆い被せているので内外部絶
縁性を向上させることもできる。
ームの固定部に温度調節機能を有する装備を設置するこ
とにより、一様な距離以上のボート形態を具現させるこ
とができる効果があり、短い時間内に(1分以内)1次
シリコン樹脂(47)(57)の硬化が成されるので製
造の自動化が可能であり、1次硬化された光透過性シリ
コン樹脂(47)(57)に反射性樹脂(48)(4
9)(58)(59)を注入する際、樹脂の流動性が良
いので上面尖頭部のみに注入すると1分後には全体的に
上面部に塗布され、リードフレーム(41)(42)
(51)(52)の“V溝”(61〜64)又は“Λ”
形状の突起(61′〜64′)前まで抑えられて製造力
と信頼度向上を図ることができる。また、本発明による
ボート型の反射膜がリードフレーム(41)(42)
(51)(52)を充分に覆い被せているので内外部絶
縁性を向上させることもできる。
【図1】従来、光透過姓絶縁体を用いた透過形光結合素
子の構造図である。
子の構造図である。
【図2】従来、反射透過エポキシ樹脂を用いた二重構造
の透過形結合素子の構造図である。
の透過形結合素子の構造図である。
【図3】従来、光透過性絶縁体と用いた反射形光結合素
子の構造図である。
子の構造図である。
【図4】(A)及び(B)は、本発明によるボート型と
高接着反射性絶縁体と用いた反射形光結合素子の第1の
構造図(DIP 型)である。
高接着反射性絶縁体と用いた反射形光結合素子の第1の
構造図(DIP 型)である。
【図5】(A)及び(B)は、本発明によるボート型と
高接着反射性絶縁体を用いた反射形光結合素子の第2の
構造図(MFP 型− GULL −WING型)である。
高接着反射性絶縁体を用いた反射形光結合素子の第2の
構造図(MFP 型− GULL −WING型)である。
41、42、51、52 リードフレーム 43、53 発光素子 44、54 受光素子 45、46、55、56 金属細金線 47、57 シリコン樹脂 48、49、58、59 高接着反射性絶縁体 50、60 黒色エポキシ樹脂 61〜64、61′〜64′“V溝”又は“Λ”型突起
Claims (8)
- 【請求項1】 伝導性が優れたリードフレーム(41)
(42)の同一平面上に発光素子(43)と受光素子
(44)を各々高伝導性接着剤で接着させる第1の工程
と、 上記第1の工程後、金属細金線(45)(46)で上記
発光素子(43)及び受光素子(44)の電極と指定さ
れたリードフレーム部を熔融接着させる第2工程と、 上記発光素子(43)及び受光素子(44)を含む周辺
部の上面のみを光透過性シリコン樹脂(47)で塗布し
てボート(BOAT)型の光伝達通路を形成する第3の工程
と、 上記光透過性シリコン樹脂(47)の外壁の上、下面を
高接着反射性絶縁体(48)(49)で塗布した後、そ
の上とリードフレーム(41)(42)の一部を黒色エ
ポキシ樹脂(50)でトランスファモールディングする
第4の工程からなることを特徴とする光結合素子の製造
方法。 - 【請求項2】 上記第3の工程中、光透過性シリコン樹
脂(47)でボート(BOAT)型の光伝達通路を作るため
にリードフレームの固定部に温度調節機能を有する装備
を設けて最小安全側面距離(最短距離)3mm以上の界
面絶縁距離を確保し、下面のドーム(DOME)形成を防止
することを特徴とする請求項1に記載の光結合素子の製
造方法。 - 【請求項3】 上記光伝達通路形成の際、光伝達出力特
性を改善するために熱的に光透過性樹脂の流れと形状を
制御してボート(BOAT)型の光伝達通路を形成すること
を特徴とする請求項1に記載の光結合素子の製造方法。 - 【請求項4】 上記第4の工程の高接着反射性絶縁体
(48)(49)は反射膜とエポキシ樹脂との界面密着
力の向上と光反射力を増加させるために反射性絶縁体が
全く硬化した後にもねっとりした高接着力と光反射力と
有する反射性フィラーを含んだ硬化性樹脂であることを
特徴とする請求項1に記載の光結合素子の製造方法。 - 【請求項5】 上記リードフレーム(41)(42)の
一部には透過性及び半透過性樹脂の流れを抑え、パッケ
ージとリードフレームの間の気密性強化のために“V
溝”(61)(62)を形成することを特徴とする請求
項1に記載の光結合素子の製造方法。 - 【請求項6】 上記リードフレーム(41)(42)の
一部には透過性及び反射性樹脂の流れを抑え、パッケー
ジとリードフレームとの間の気密性の強化のために形成
された“V溝”を突起に切り替えることを特徴とする請
求項1に記載の光結合素子の製造方法。 - 【請求項7】 伝導性が優れ、透過性及び反射性樹脂の
流れを抑えるための手段を有するリードフレーム(4
1)(42)の同一平面上に各々蒸着されて光を発散
し、その発散された光を電気的な信号に変換する発光素
子(43)及び受光素子(44)と、 上記発光素子(43)及び受光素子(44)を含む周辺
部の上面のみに形成されて上記発光素子(43)から発
散された光を上記受光素子(44)に伝達するためのボ
ート(BOAT)型の光伝達通路(47)と、 上記光伝達通路(47)の外壁の上、下面に形成された
絶縁のための絶縁膜(48)(49)を包含してなるこ
とを特徴とする光結合素子。 - 【請求項8】 上記透過性及び反射性樹脂の流れの抑え
手段としてリードフレーム(41)(42)(51)
(52)上に“V溝”(61〜64)または、“Λ”形
状の突起(61′〜64′)を形成してなることを特徴
とする請求項7に記載の光結合素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR97-16922 | 1997-05-01 | ||
| KR1019970016922A KR100298880B1 (ko) | 1997-05-01 | 1997-05-01 | 광결합소자및그제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH114016A true JPH114016A (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=19504736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13590598A Withdrawn JPH114016A (ja) | 1997-05-01 | 1998-05-01 | 光結合素子及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH114016A (ja) |
| KR (1) | KR100298880B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4833701A (en) * | 1988-01-27 | 1989-05-23 | Motorola, Inc. | Trunked communication system with nationwide roaming capability |
| US4901340A (en) * | 1988-09-19 | 1990-02-13 | Gte Mobilnet Incorporated | System for the extended provision of cellular mobile radiotelephone service |
| US10483424B2 (en) | 2015-03-02 | 2019-11-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Signal coupling device |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4101468B2 (ja) * | 2001-04-09 | 2008-06-18 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP2002314143A (ja) * | 2001-04-09 | 2002-10-25 | Toshiba Corp | 発光装置 |
| CN114551392A (zh) * | 2022-02-17 | 2022-05-27 | 西安微电子技术研究所 | 一种适用于共面型塑封光耦封装的引线框架 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3296650B2 (ja) * | 1994-01-25 | 2002-07-02 | 三洋電機株式会社 | 受光モジュール |
| JPH08316370A (ja) * | 1995-05-22 | 1996-11-29 | Yazaki Corp | 半導体装置 |
-
1997
- 1997-05-01 KR KR1019970016922A patent/KR100298880B1/ko not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-05-01 JP JP13590598A patent/JPH114016A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4833701A (en) * | 1988-01-27 | 1989-05-23 | Motorola, Inc. | Trunked communication system with nationwide roaming capability |
| US4901340A (en) * | 1988-09-19 | 1990-02-13 | Gte Mobilnet Incorporated | System for the extended provision of cellular mobile radiotelephone service |
| US10483424B2 (en) | 2015-03-02 | 2019-11-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Signal coupling device |
| US11430926B2 (en) | 2015-03-02 | 2022-08-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Signal coupling device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980082184A (ko) | 1998-12-05 |
| KR100298880B1 (ko) | 2001-10-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050705 |