JPH1142854A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH1142854A JPH1142854A JP9201254A JP20125497A JPH1142854A JP H1142854 A JPH1142854 A JP H1142854A JP 9201254 A JP9201254 A JP 9201254A JP 20125497 A JP20125497 A JP 20125497A JP H1142854 A JPH1142854 A JP H1142854A
- Authority
- JP
- Japan
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- group
- optical recording
- substrate
- recording medium
- dye
- Prior art date
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- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録層形成時に基板を溶解せず、耐光性にも
優れ、記録パワーが低く高出力で記録感度良好な光記録
媒体を提供すること。 【解決手段】 記録層2の形成法として蒸着法を用いる
ことにより、無溶剤となり基板浸食のない記録層2が形
成できる。また、昇華性フタロシアニン系色素の分子末
端にトリフルオロメチル基を導入することにより、フタ
ロシアニン系色素本来の優れた耐光性を損なうことな
く、記録パワーが低く、高出力で記録感度が良好な安定
した特性が得られる。
優れ、記録パワーが低く高出力で記録感度良好な光記録
媒体を提供すること。 【解決手段】 記録層2の形成法として蒸着法を用いる
ことにより、無溶剤となり基板浸食のない記録層2が形
成できる。また、昇華性フタロシアニン系色素の分子末
端にトリフルオロメチル基を導入することにより、フタ
ロシアニン系色素本来の優れた耐光性を損なうことな
く、記録パワーが低く、高出力で記録感度が良好な安定
した特性が得られる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザー光によっ
て情報の記録・再生が可能な光記録媒体の中で、特に、
記録層に少なくとも有機色素を含有する光記録媒体に関
するものである。
て情報の記録・再生が可能な光記録媒体の中で、特に、
記録層に少なくとも有機色素を含有する光記録媒体に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、レーザー光を用いて情報を記録再
生する光記録媒体として、基板上に記録層を形成し、そ
の上に反射層さらには保護層を構成するものが種々ある
が、その一つに、有機色素を含有して記録層を形成する
ものがある。これは、レーザー光を基板側から記録層に
照射すると、レーザー光が記録層に一部透過吸収され、
照射部分が局部的に加熱され、溶融、蒸発、昇華または
分解等の物理的あるいは化学的変化が生じることによ
り、ピットを形成し、情報を記録するものである。
生する光記録媒体として、基板上に記録層を形成し、そ
の上に反射層さらには保護層を構成するものが種々ある
が、その一つに、有機色素を含有して記録層を形成する
ものがある。これは、レーザー光を基板側から記録層に
照射すると、レーザー光が記録層に一部透過吸収され、
照射部分が局部的に加熱され、溶融、蒸発、昇華または
分解等の物理的あるいは化学的変化が生じることによ
り、ピットを形成し、情報を記録するものである。
【0003】こうしてできあがったピット情報は、それ
以外の部分と光学特性が変化するので、記録時より弱い
パワーのレーザー光を照射することにより再生される。
以外の部分と光学特性が変化するので、記録時より弱い
パワーのレーザー光を照射することにより再生される。
【0004】記録層に用いられる材料は色素等の有機化
合物であり、これを溶剤に溶解させた後、スピンコート
法などのウエット工法により基板上に形成するのが一般
的である。このため、ここで用いられる色素等の有機化
合物には、その分子構造内に、溶剤への溶解性を向上さ
せる置換基が導入されている。
合物であり、これを溶剤に溶解させた後、スピンコート
法などのウエット工法により基板上に形成するのが一般
的である。このため、ここで用いられる色素等の有機化
合物には、その分子構造内に、溶剤への溶解性を向上さ
せる置換基が導入されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来のウエット工法用色素材料では、基板にポリカーボネ
ート樹脂などの耐溶剤性の低い材質を用いると、色素を
溶解する溶剤として、基板材質への溶解性の小さいアル
コール系やセロソルブ系などを用いたにもかかわらず、
記録層を形成する際に、基板の最表面をごく僅かに溶解
するため、塗工液の回収液に基板樹脂材料が微量に混入
し、色素材料の再利用に分離精製コストが発生する、あ
るいは、特性が劣化する等の問題点を有していた。
来のウエット工法用色素材料では、基板にポリカーボネ
ート樹脂などの耐溶剤性の低い材質を用いると、色素を
溶解する溶剤として、基板材質への溶解性の小さいアル
コール系やセロソルブ系などを用いたにもかかわらず、
記録層を形成する際に、基板の最表面をごく僅かに溶解
するため、塗工液の回収液に基板樹脂材料が微量に混入
し、色素材料の再利用に分離精製コストが発生する、あ
るいは、特性が劣化する等の問題点を有していた。
【0006】さらに色素材料としてフタロシアニン系色
素を用いた場合、溶剤への溶解性を向上させて可溶化す
ることにより、フタロシアニン系色素本来の優れた耐光
性が劣化するといった問題点も有していた。
素を用いた場合、溶剤への溶解性を向上させて可溶化す
ることにより、フタロシアニン系色素本来の優れた耐光
性が劣化するといった問題点も有していた。
【0007】一方、蒸着法などのドライ工法により記録
層を形成する場合も、色素材料の昇華性を利用するた
め、材料自身にある程度の耐熱性がなければ、プロセス
中に材料が分解し、成膜することができない。そのた
め、耐熱性の高い材料を選択しなければならないため、
得られた光記録媒体は、記録感度が低く特性が不十分で
あるといった問題点を有していた。
層を形成する場合も、色素材料の昇華性を利用するた
め、材料自身にある程度の耐熱性がなければ、プロセス
中に材料が分解し、成膜することができない。そのた
め、耐熱性の高い材料を選択しなければならないため、
得られた光記録媒体は、記録感度が低く特性が不十分で
あるといった問題点を有していた。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するもので、記録層を形成する色素材料として、フタロ
シアニン環または中心金属に導入する置換基の末端にト
リフルオロメチル基を少なくとも1個以上有し、且つ昇
華性を持つフタロシアニン系色素を用い、これを蒸着な
どのドライ工法により成膜することにより、ポリカーボ
ネート樹脂などの基板材質を溶解することなく記録層を
形成でき、レーザー光による記録パワーも低減でき、し
かも11Tなどの長ピットでも高出力が確保され、信号
波形に歪みがなく記録感度が良好であり、且つ耐光性に
優れた光記録媒体を提供することが出来る。
するもので、記録層を形成する色素材料として、フタロ
シアニン環または中心金属に導入する置換基の末端にト
リフルオロメチル基を少なくとも1個以上有し、且つ昇
華性を持つフタロシアニン系色素を用い、これを蒸着な
どのドライ工法により成膜することにより、ポリカーボ
ネート樹脂などの基板材質を溶解することなく記録層を
形成でき、レーザー光による記録パワーも低減でき、し
かも11Tなどの長ピットでも高出力が確保され、信号
波形に歪みがなく記録感度が良好であり、且つ耐光性に
優れた光記録媒体を提供することが出来る。
【0009】
【発明の実態の形態】本発明の請求項1記載の光記録媒
体は、基板上に、レーザー光を透過吸収する記録層と反
射層、保護層とを順次形成してなる光記録媒体であっ
て、記録層を蒸着法により形成し、その構成材料とし
て、(化1)に示す化合物であり、且つ昇華性を持つフ
タロシアニン系色素を少なくとも1種類以上用いた光記
録媒体である。
体は、基板上に、レーザー光を透過吸収する記録層と反
射層、保護層とを順次形成してなる光記録媒体であっ
て、記録層を蒸着法により形成し、その構成材料とし
て、(化1)に示す化合物であり、且つ昇華性を持つフ
タロシアニン系色素を少なくとも1種類以上用いた光記
録媒体である。
【0010】(化1)において、置換基X1〜X16は、
例えば、水素原子、ハロゲン原子、置換または未置換の
アルキル基、置換または未置換のアルコキシ基、置換ま
たは未置換のアルキルチオ基、置換または未置換のアリ
ール基、置換または未置換のアリールオキシ基、置換ま
たは未置換のアリールチオ基、ニトロ基、アミノ基など
それぞれ独立に有してもよいが、これに限るものではな
い。
例えば、水素原子、ハロゲン原子、置換または未置換の
アルキル基、置換または未置換のアルコキシ基、置換ま
たは未置換のアルキルチオ基、置換または未置換のアリ
ール基、置換または未置換のアリールオキシ基、置換ま
たは未置換のアリールチオ基、ニトロ基、アミノ基など
それぞれ独立に有してもよいが、これに限るものではな
い。
【0011】ただ、これらX1〜X16のうち少なくとも
1個以上において、その置換基の末端にトリフルオロメ
チル基を1個以上有するものである。また、Mは、2個
の水素原子、2価の金属原子、3価または4価の金属誘
導体である。ここで、トリフルオロメチル基は色素分子
の末端にあればよいので、例えば、Mに3価または4価
の金属誘導体を有する場合、金属に導入する置換基の末
端にトリフルオロメチル基を有してもよい。
1個以上において、その置換基の末端にトリフルオロメ
チル基を1個以上有するものである。また、Mは、2個
の水素原子、2価の金属原子、3価または4価の金属誘
導体である。ここで、トリフルオロメチル基は色素分子
の末端にあればよいので、例えば、Mに3価または4価
の金属誘導体を有する場合、金属に導入する置換基の末
端にトリフルオロメチル基を有してもよい。
【0012】ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭
素、沃素であり、置換または未置換のアルキル基は、直
鎖または分岐型でもよく、飽和または不飽和型でもよ
く、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、is
o−プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基な
どが挙げられる。置換または未置換のアルコキシ基につ
いても同様に、直鎖または分岐型でよく、飽和または不
飽和型でもよく、メトキシ基、エトキシ基、メトキシメ
チル基、プロポキシ基などが挙げられる。
素、沃素であり、置換または未置換のアルキル基は、直
鎖または分岐型でもよく、飽和または不飽和型でもよ
く、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、is
o−プロピル基、n−ブチル基、tert−ブチル基な
どが挙げられる。置換または未置換のアルコキシ基につ
いても同様に、直鎖または分岐型でよく、飽和または不
飽和型でもよく、メトキシ基、エトキシ基、メトキシメ
チル基、プロポキシ基などが挙げられる。
【0013】置換または未置換のアルキルチオ基につい
ても同様に、直鎖または分岐型、飽和または不飽和型で
もよく、メチルチオ基、エチルチオ基、tert−ブチ
ルチオ基などが挙げられる。置換または未置換のアリー
ル基としては、フェニル基、ナフチル基、ピロール基な
どが挙げられる。置換または未置換のアリールオキシ基
としては、フェノキシ基などが代表的である。
ても同様に、直鎖または分岐型、飽和または不飽和型で
もよく、メチルチオ基、エチルチオ基、tert−ブチ
ルチオ基などが挙げられる。置換または未置換のアリー
ル基としては、フェニル基、ナフチル基、ピロール基な
どが挙げられる。置換または未置換のアリールオキシ基
としては、フェノキシ基などが代表的である。
【0014】また、Mで示す金属において、2価金属と
しては、Cu,Co,Zn,Ni,Co,Fe,Pd,
Pt,Sn,Mgなどがある。3価金属としては、A
l,Ga,Inなどが挙げられ、4価金属としては、S
i,Ge,Sn,Ti,Vなどがあり、3価または4価
金属の場合は金属に置換基を有しており、例えば、ハロ
ゲン原子、酸素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシ
ル基、フェニル基、フェノキシ基など誘導体がよく知ら
れている。
しては、Cu,Co,Zn,Ni,Co,Fe,Pd,
Pt,Sn,Mgなどがある。3価金属としては、A
l,Ga,Inなどが挙げられ、4価金属としては、S
i,Ge,Sn,Ti,Vなどがあり、3価または4価
金属の場合は金属に置換基を有しており、例えば、ハロ
ゲン原子、酸素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシ
ル基、フェニル基、フェノキシ基など誘導体がよく知ら
れている。
【0015】上記のフタロシアニン系色素は、レーザー
光が記録層に一部透過吸収され、照射部分が局部的に加
熱される際、まず安定なフタロシアニン骨格を壊す前
に、分子末端に導入されたトリフルオロメチル基が、色
素の分子構造から脱離する。すなわち、トリフルオロメ
チル基は、電子吸引性が大きく、しかも立体的にかさ高
い置換基であることから、これが分子構造の末端に配す
ると、分子同志の会合性が小さくなり、記録時での光吸
収により分子内振動が増幅される。
光が記録層に一部透過吸収され、照射部分が局部的に加
熱される際、まず安定なフタロシアニン骨格を壊す前
に、分子末端に導入されたトリフルオロメチル基が、色
素の分子構造から脱離する。すなわち、トリフルオロメ
チル基は、電子吸引性が大きく、しかも立体的にかさ高
い置換基であることから、これが分子構造の末端に配す
ると、分子同志の会合性が小さくなり、記録時での光吸
収により分子内振動が増幅される。
【0016】その結果、トリフルオロメチル基が脱離し
やすくなるので、低パワーでの記録が可能となり、高出
力で高感度な記録再生特性が得られる。上記トリフルオ
ロメチル基は、いわゆるフッ素置換アルコキシ基の末端
部に限るものではなく、ベンゼン環などに直接結合して
もよい。
やすくなるので、低パワーでの記録が可能となり、高出
力で高感度な記録再生特性が得られる。上記トリフルオ
ロメチル基は、いわゆるフッ素置換アルコキシ基の末端
部に限るものではなく、ベンゼン環などに直接結合して
もよい。
【0017】また、トリフルオロメチル基のフッ素原子
のうち、一つのフッ素原子が水素原子に置き換わったも
のでは、低パワーでの記録が不十分であることが明らか
となった。
のうち、一つのフッ素原子が水素原子に置き換わったも
のでは、低パワーでの記録が不十分であることが明らか
となった。
【0018】また、分子間相互作用も小さくなるので、
昇華性も向上し、蒸着法に適する。さらに、このトリフ
ルオロメチル基の導入は、フタロシアニン系色素本来の
耐光性を損なうことがない。
昇華性も向上し、蒸着法に適する。さらに、このトリフ
ルオロメチル基の導入は、フタロシアニン系色素本来の
耐光性を損なうことがない。
【0019】したがって、フタロシアニン環または中心
金属に導入された置換基の末端にトリフルオロメチル基
を1個以上含有したフタロシアニン系色素を用いること
により、記録感度が良好で、耐光性に優れた光記録媒体
が得られる。
金属に導入された置換基の末端にトリフルオロメチル基
を1個以上含有したフタロシアニン系色素を用いること
により、記録感度が良好で、耐光性に優れた光記録媒体
が得られる。
【0020】本発明の請求項2記載の光記録媒体は、記
録層を構成するフタロシアニン系色素について、その蒸
発または昇華開始温度が、100〜350℃の範囲であ
り、且つ蒸発または昇華開始温度と分解温度との差が5
0〜400℃の範囲としたものである。
録層を構成するフタロシアニン系色素について、その蒸
発または昇華開始温度が、100〜350℃の範囲であ
り、且つ蒸発または昇華開始温度と分解温度との差が5
0〜400℃の範囲としたものである。
【0021】構成するフタロシアニン系色素の蒸発また
は昇華開始温度が100℃を下回るものは、光記録媒体
の輸送や保存時での環境変化による影響を受け、信頼性
の確保ができない。また、350℃を越えるものは、相
対的に分解温度が高くなるため、レーザー光による記録
パワーが高くなるなど、記録感度の低下が著しい。した
がって、光記録媒体の記録層に用いられるフタロシアニ
ン系色素の蒸発または昇華開始温度は100〜350℃
の範囲が適する。
は昇華開始温度が100℃を下回るものは、光記録媒体
の輸送や保存時での環境変化による影響を受け、信頼性
の確保ができない。また、350℃を越えるものは、相
対的に分解温度が高くなるため、レーザー光による記録
パワーが高くなるなど、記録感度の低下が著しい。した
がって、光記録媒体の記録層に用いられるフタロシアニ
ン系色素の蒸発または昇華開始温度は100〜350℃
の範囲が適する。
【0022】また、フタロシアニン系色素の蒸発または
昇華開始温度と分解温度との差が、50℃より小さくな
ると、蒸着法で記録層を形成する際、蒸発源の温度を上
記開始温度より20〜30℃程度高めに設定すること
や、蒸発源の温度バラツキ等により、蒸発源の中で色素
の分解が徐々に始まり、均質な記録層が形成できない。
昇華開始温度と分解温度との差が、50℃より小さくな
ると、蒸着法で記録層を形成する際、蒸発源の温度を上
記開始温度より20〜30℃程度高めに設定すること
や、蒸発源の温度バラツキ等により、蒸発源の中で色素
の分解が徐々に始まり、均質な記録層が形成できない。
【0023】また、400℃より高くなると、このこと
は色素の分解温度が相対的に高くなっていることを意味
しているので、記録パワーが高くなり、記録感度が著し
く低下する。したがって、光記録媒体の記録層に用いら
れるフタロシアニン系色素の蒸発または昇華開始温度と
分解温度との差は50〜400℃の範囲が適する。
は色素の分解温度が相対的に高くなっていることを意味
しているので、記録パワーが高くなり、記録感度が著し
く低下する。したがって、光記録媒体の記録層に用いら
れるフタロシアニン系色素の蒸発または昇華開始温度と
分解温度との差は50〜400℃の範囲が適する。
【0024】請求項3記載の光記録媒体は、記録層を構
成するフタロシアニン系色素の中心金属が2価金属であ
り、Co,Cu,Zn,Ni,Pdよりなるものであ
る。
成するフタロシアニン系色素の中心金属が2価金属であ
り、Co,Cu,Zn,Ni,Pdよりなるものであ
る。
【0025】フタロシアニン系色素の中心が無金属のも
のは、11Tなどの長ピットの波形歪みがややあり、信
号品質が若干低下する。一方、2価金属のものでは、1
1Tでの出力も高く、特にCo,Cu,Zn,Ni,P
dは記録パワーも低く良好である。したがって、中心金
属として2価金属で、望ましくはCo,Cu,Zn,N
i,Pdを配位させたフタロシアニン系色素を用いて記
録層を形成した光記録媒体は、記録パワーが低く、11
Tなどの長ピットで高出力が得られ、且つ波形歪みのほ
とんど無い良好な信号品質を得ることができる。
のは、11Tなどの長ピットの波形歪みがややあり、信
号品質が若干低下する。一方、2価金属のものでは、1
1Tでの出力も高く、特にCo,Cu,Zn,Ni,P
dは記録パワーも低く良好である。したがって、中心金
属として2価金属で、望ましくはCo,Cu,Zn,N
i,Pdを配位させたフタロシアニン系色素を用いて記
録層を形成した光記録媒体は、記録パワーが低く、11
Tなどの長ピットで高出力が得られ、且つ波形歪みのほ
とんど無い良好な信号品質を得ることができる。
【0026】請求項4記載の光記録媒体は、基板上に螺
旋状の溝が設けてあり、その溝形状について、溝幅とト
ラックピッチ(以下、TPと称す)との比、及びレーザ
ー波長λ,基板の屈折率nとしたときの溝深さが、それ
ぞれ次の範囲としたものである。
旋状の溝が設けてあり、その溝形状について、溝幅とト
ラックピッチ(以下、TPと称す)との比、及びレーザ
ー波長λ,基板の屈折率nとしたときの溝深さが、それ
ぞれ次の範囲としたものである。
【0027】溝幅/TP:0.25〜0.45 溝深さ :(λ/4n)の20〜80% 蒸着法により記録層を形成すると、蒸発源より蒸発また
は昇華した色素は、基板全面に対して基板の溝に沿って
均一に成膜される。そのため、基板の溝部と溝間での記
録層の段差は、溝深さで決まるので、トラッキングエラ
ー信号は、基板の溝深さで調整することが可能となる。
は昇華した色素は、基板全面に対して基板の溝に沿って
均一に成膜される。そのため、基板の溝部と溝間での記
録層の段差は、溝深さで決まるので、トラッキングエラ
ー信号は、基板の溝深さで調整することが可能となる。
【0028】ここで、基板の溝幅/TPが0.25より
小さくなると、レーザー光のスポット径に対する溝幅の
割合が小さくなり、溝間からの反射光量が支配的となっ
てトラッキングエラー信号が小さくなってしまう。ま
た、0.45より大きくなると溝部と溝間との反射光量
の差が小さくなり、ラジアルコントラストが小さくなる
など光記録媒体としての特性が低下する。したがって、
蒸着法により記録層を形成してなる光記録媒体に用いら
れる基板の溝幅/TPは、0.25〜0.45の範囲が
適する。
小さくなると、レーザー光のスポット径に対する溝幅の
割合が小さくなり、溝間からの反射光量が支配的となっ
てトラッキングエラー信号が小さくなってしまう。ま
た、0.45より大きくなると溝部と溝間との反射光量
の差が小さくなり、ラジアルコントラストが小さくなる
など光記録媒体としての特性が低下する。したがって、
蒸着法により記録層を形成してなる光記録媒体に用いら
れる基板の溝幅/TPは、0.25〜0.45の範囲が
適する。
【0029】また、溝深さが、(λ/4n)の20%よ
り小さくなるとトラッキングエラー信号が小さくなり、
また、80%より大きくなると反射率が低くなり光記録
媒体としての特性が低下する。したがって、溝深さは
(λ/4n)の20〜80%の範囲が適する。
り小さくなるとトラッキングエラー信号が小さくなり、
また、80%より大きくなると反射率が低くなり光記録
媒体としての特性が低下する。したがって、溝深さは
(λ/4n)の20〜80%の範囲が適する。
【0030】以下に、本発明の実施の形態における光記
録媒体を図を用いて説明する。 (実施の形態1)図1は、本発明の実施の形態における
光記録媒体の断面拡大図である。図1に示すように、基
板1、記録層2、反射層3、保護層4からなり、特性を
向上させる目的で、記録層2の前後に下地層や中間層、
記録補助層などを設けてもよい。
録媒体を図を用いて説明する。 (実施の形態1)図1は、本発明の実施の形態における
光記録媒体の断面拡大図である。図1に示すように、基
板1、記録層2、反射層3、保護層4からなり、特性を
向上させる目的で、記録層2の前後に下地層や中間層、
記録補助層などを設けてもよい。
【0031】まず、本発明に用いられる基板1は、記録
するレーザー光の透過率が85%以上あり、かつ光学異
方性の小さいものが望ましい。その材料は、例えば、ガ
ラスアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフ
ィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ
メタクリル酸メチル樹脂等の熱可塑性樹脂や、エポキシ
樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹脂、紫外線硬化樹脂等
が挙げられる。これらのうち熱可塑性樹脂は、射出(圧
縮)成形機により成形が可能なため量産性が高く特に耐
衝撃性の優れたポリカーボネート樹脂が最も一般的であ
る。
するレーザー光の透過率が85%以上あり、かつ光学異
方性の小さいものが望ましい。その材料は、例えば、ガ
ラスアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフ
ィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ
メタクリル酸メチル樹脂等の熱可塑性樹脂や、エポキシ
樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹脂、紫外線硬化樹脂等
が挙げられる。これらのうち熱可塑性樹脂は、射出(圧
縮)成形機により成形が可能なため量産性が高く特に耐
衝撃性の優れたポリカーボネート樹脂が最も一般的であ
る。
【0032】こうして形成する基板は、特に厚みの制限
はなく、板状でもフィルム状でも良い。その形状は、円
形やカード状でもよく、大きさにも特に制限はない。ま
た、基板上に他の層、例えばSiO2 等の耐溶剤層やエ
ンハンス層を設けてもよい。
はなく、板状でもフィルム状でも良い。その形状は、円
形やカード状でもよく、大きさにも特に制限はない。ま
た、基板上に他の層、例えばSiO2 等の耐溶剤層やエ
ンハンス層を設けてもよい。
【0033】さらに基板の記録層側の表面には、レーザ
ー光の進行路を導くための手段が設けてある。これは、
例えば所定間隔に形成されたピットからなるアドレスピ
ットでもよいがスパイラル状もしくは同心円状等の案内
溝が望ましい。その溝に沿ってレーザー光が進行して記
録再生することができる。
ー光の進行路を導くための手段が設けてある。これは、
例えば所定間隔に形成されたピットからなるアドレスピ
ットでもよいがスパイラル状もしくは同心円状等の案内
溝が望ましい。その溝に沿ってレーザー光が進行して記
録再生することができる。
【0034】次に、上記基板の案内溝側に形成する記録
層2は、その材料として、(化1)に示すように、フタ
ロシアニン環に導入される置換基分子構造の末端にトリ
フルオロメチル基を1個以上有し、昇華性を持つフタロ
シアニン系色素を少なくとも1種類以上用いるものであ
る。この色素は、使用するレーザー光の波長である程度
の光吸収があるものであればよいので、フタロシアニン
環に導入される置換基はトリフルオロメチル基以外には
特に限定はないが、使用するレーザー光の波長に合わせ
て透過吸収特性を微調整する必要がある。
層2は、その材料として、(化1)に示すように、フタ
ロシアニン環に導入される置換基分子構造の末端にトリ
フルオロメチル基を1個以上有し、昇華性を持つフタロ
シアニン系色素を少なくとも1種類以上用いるものであ
る。この色素は、使用するレーザー光の波長である程度
の光吸収があるものであればよいので、フタロシアニン
環に導入される置換基はトリフルオロメチル基以外には
特に限定はないが、使用するレーザー光の波長に合わせ
て透過吸収特性を微調整する必要がある。
【0035】このトリフルオロメチル基は、フタロシア
ニン環のベンゼン環に直接結合してもよいが間接的に結
合してもよく、例えば、アルキル基、アルケニル基、ア
リール基、酸素、イオウなどを介してもよい。
ニン環のベンゼン環に直接結合してもよいが間接的に結
合してもよく、例えば、アルキル基、アルケニル基、ア
リール基、酸素、イオウなどを介してもよい。
【0036】また、色素は単独に限らず複数の色素を混
合してもよく、記録特性などを改良するために、更に大
環状アザアヌレン系色素(フタロシアニン系色素、ナフ
タロシアニン系色素、ポルフィリン系色素等)、ポリメ
チン系色素(シアニン系色素、メロシアニン系色素、ス
チリル系色素、スクアリリウム系色素等)、アゾ系色
素、ジチオール金属錯体、アントラキノン系色素等の他
の有機色素や、ニトロセルロース、エチルセルロース、
アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタン樹脂等の樹
脂や、分散剤、レベリング剤、消泡剤等の添加剤を本発
明の効果を損なわない範囲で併用することもできる。
合してもよく、記録特性などを改良するために、更に大
環状アザアヌレン系色素(フタロシアニン系色素、ナフ
タロシアニン系色素、ポルフィリン系色素等)、ポリメ
チン系色素(シアニン系色素、メロシアニン系色素、ス
チリル系色素、スクアリリウム系色素等)、アゾ系色
素、ジチオール金属錯体、アントラキノン系色素等の他
の有機色素や、ニトロセルロース、エチルセルロース、
アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタン樹脂等の樹
脂や、分散剤、レベリング剤、消泡剤等の添加剤を本発
明の効果を損なわない範囲で併用することもできる。
【0037】その製造方法は、有機化合物により、適
宜、ドライ工法またはウエット工法を選択または併用す
ればよいが、分子末端にトリフルオロメチル基を有する
ような上記フタロシアニン系色素では、分子の特性を活
かして形成させるためには、ドライ工法が適している。
また、基板材料への影響を考慮すると、ドライ工法で作
成可能な化合物を選択することが望ましく、特に蒸着法
で作成すれば生産性に優れている。
宜、ドライ工法またはウエット工法を選択または併用す
ればよいが、分子末端にトリフルオロメチル基を有する
ような上記フタロシアニン系色素では、分子の特性を活
かして形成させるためには、ドライ工法が適している。
また、基板材料への影響を考慮すると、ドライ工法で作
成可能な化合物を選択することが望ましく、特に蒸着法
で作成すれば生産性に優れている。
【0038】反射層3は、材料としては、金、銀、銅、
白金、アルミニウム等の金属およびこれらを主成分とし
た合金、MgO、ZnO、SnO等の金属酸化物、Si
N4、AlN、TiO等の窒化物などが挙げられる。中
でも絶対反射率が高く、保存安定性に優れている金は最
適であるが、使用するレーザー光で記録再生するのに必
要な反射率が確保できれば何れでもよい。この反射層
は、真空蒸着法、スパッタ法などにより形成する。
白金、アルミニウム等の金属およびこれらを主成分とし
た合金、MgO、ZnO、SnO等の金属酸化物、Si
N4、AlN、TiO等の窒化物などが挙げられる。中
でも絶対反射率が高く、保存安定性に優れている金は最
適であるが、使用するレーザー光で記録再生するのに必
要な反射率が確保できれば何れでもよい。この反射層
は、真空蒸着法、スパッタ法などにより形成する。
【0039】保護層4は、上記基板と同様に耐衝撃性が
優れ、低硬化収縮性を兼ね備えた樹脂により形成する。
これは例えば、紫外線硬化樹脂をスピンコート法により
塗布したのち、これに紫外線を照射して硬化させること
により形成する。この他、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、シリコーン系ハードコート樹脂等を使用してもよ
い。
優れ、低硬化収縮性を兼ね備えた樹脂により形成する。
これは例えば、紫外線硬化樹脂をスピンコート法により
塗布したのち、これに紫外線を照射して硬化させること
により形成する。この他、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、シリコーン系ハードコート樹脂等を使用してもよ
い。
【0040】
【実施例】本発明の一実施例について説明する。ここ
で、記録層として用いた材料の一覧を、(化1)に基づ
いて
で、記録層として用いた材料の一覧を、(化1)に基づ
いて
【0041】
【表1】
【0042】に示す。 (実施例1)実施例1では、記録層として(表1)に示
すフタロシアニン系色素を用いた。尚、この化合物は、
α位置換の異性体を含むものであり、その合成法を以下
に示す。
すフタロシアニン系色素を用いた。尚、この化合物は、
α位置換の異性体を含むものであり、その合成法を以下
に示す。
【0043】まず、3−[2−(トリフルオロメチル)
フェノキシ]フタロニトリルを合成する。冷却管をつけ
た反応フラスコに、3−ニトロフタロニトリル8.7
g、2−(トリフルオロメチル)フェノール9.4g、
無水炭酸カリウム13.8g、ジメチルスルホキシド3
50mlを仕込み、窒素気流下、攪拌しながら50℃ま
で昇温した。50℃で3時間攪拌した後、加熱を止め反
応液を冷却後、水500mlに注加し、析出した結晶を
濾集、乾燥して13.5gの目的化合物を得た。
フェノキシ]フタロニトリルを合成する。冷却管をつけ
た反応フラスコに、3−ニトロフタロニトリル8.7
g、2−(トリフルオロメチル)フェノール9.4g、
無水炭酸カリウム13.8g、ジメチルスルホキシド3
50mlを仕込み、窒素気流下、攪拌しながら50℃ま
で昇温した。50℃で3時間攪拌した後、加熱を止め反
応液を冷却後、水500mlに注加し、析出した結晶を
濾集、乾燥して13.5gの目的化合物を得た。
【0044】次に、冷却管をつけた反応フラスコに、上
記フタロニトリル誘導体3.5g、1−ペンタノール1
8ml、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−
ウンデセン(以下DBUと略)2.7g、塩化第一銅
0.4gを仕込み窒素気流下110℃で5時間攪拌した
後、加熱を止め反応液をメタノール200mlに注加、
さらに水40mlを加え析出した結晶を濾集、乾燥して
1.8gの粗製品を得た。
記フタロニトリル誘導体3.5g、1−ペンタノール1
8ml、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−
ウンデセン(以下DBUと略)2.7g、塩化第一銅
0.4gを仕込み窒素気流下110℃で5時間攪拌した
後、加熱を止め反応液をメタノール200mlに注加、
さらに水40mlを加え析出した結晶を濾集、乾燥して
1.8gの粗製品を得た。
【0045】この粗製品をカラムクロマトグラフィ(シ
リカゲル/トルエン:酢酸エチル=40:1)により精
製して、目的化合物であるα,α,α,α−テトラキス
[2−(トリフルオロメチル)フェノキシ]銅フタロシ
アニンを1.6g得た。
リカゲル/トルエン:酢酸エチル=40:1)により精
製して、目的化合物であるα,α,α,α−テトラキス
[2−(トリフルオロメチル)フェノキシ]銅フタロシ
アニンを1.6g得た。
【0046】ポリカーボネート樹脂で射出成形した、外
径120mm、内径15mm、厚さ1.2mmの透明基
板の記録層側に、幅0.6μm、深さ70nm、TP
1.6μmのスパイラル状の案内溝が設けてある。この
基板上に、上記フタロシアニン系色素を蒸着して厚さ2
00nmの記録層を設けた。このときの蒸発開始温度は
190℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は22
0℃であった。
径120mm、内径15mm、厚さ1.2mmの透明基
板の記録層側に、幅0.6μm、深さ70nm、TP
1.6μmのスパイラル状の案内溝が設けてある。この
基板上に、上記フタロシアニン系色素を蒸着して厚さ2
00nmの記録層を設けた。このときの蒸発開始温度は
190℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は22
0℃であった。
【0047】その上に、金のスパッタ膜によりなる厚さ
100nmの反射膜および紫外線硬化樹脂(大日本イン
キ(株)製ダイキュアクリアSD−17)よりなる厚さ
7μmの保護層を設けて光記録媒体を作製した。溝幅/
TPは0.38であり、レーザー波長λを788nm、
基板の屈折率nを1.55とすると、溝深さは(λ/4
n)の55%である。
100nmの反射膜および紫外線硬化樹脂(大日本イン
キ(株)製ダイキュアクリアSD−17)よりなる厚さ
7μmの保護層を設けて光記録媒体を作製した。溝幅/
TPは0.38であり、レーザー波長λを788nm、
基板の屈折率nを1.55とすると、溝深さは(λ/4
n)の55%である。
【0048】(実施例2)実施例2では、記録層として
(表1)に示すフタロシアニン系色素を用いた。尚、こ
の化合物は、α位置換の異性体を含むものであり、その
合成法を以下に示す。
(表1)に示すフタロシアニン系色素を用いた。尚、こ
の化合物は、α位置換の異性体を含むものであり、その
合成法を以下に示す。
【0049】まず、3−(2,2,3,3,3−ペンタ
フルオロプロポキシ)フタロニトリルを合成する。反応
フラスコに、3−ニトロフタロニトリル8.7g、2,
2,3,3,3−ペンタフルオロプロパノール9.0
g、無水炭酸カリウム13.8g、ジメチルスルホキシ
ド350mlを仕込み、窒素気流下、攪拌しながら50
℃まで昇温した。50℃で4時間攪拌した後、加熱を止
め反応液を冷却後、水500mlに注加し、析出した結
晶を濾集、乾燥して13.2gの目的化合物を得た。
フルオロプロポキシ)フタロニトリルを合成する。反応
フラスコに、3−ニトロフタロニトリル8.7g、2,
2,3,3,3−ペンタフルオロプロパノール9.0
g、無水炭酸カリウム13.8g、ジメチルスルホキシ
ド350mlを仕込み、窒素気流下、攪拌しながら50
℃まで昇温した。50℃で4時間攪拌した後、加熱を止
め反応液を冷却後、水500mlに注加し、析出した結
晶を濾集、乾燥して13.2gの目的化合物を得た。
【0050】次に、反応フラスコに、上記フタロニトリ
ル誘導体13.1g、1−ペンタノール90ml、DB
U10.8g、塩化第一銅1.5gを仕込み窒素気流下
攪拌しながら110℃まで昇温した。同温度で5時間攪
拌した後、加熱を止め反応液をメタノール400mlに
注加し析出した結晶を濾集、乾燥して10.1gの粗製
品を得た。この粗製品をジオキサン800mlに溶解し
攪拌しながら60℃に昇温し活性白土1gを加え30分
攪拌、濾過して活性白土層を除いた後、濾液をエバポレ
ーターで濃縮、乾固した。固形分をメタノール400m
lに分散した後、濾過、結晶を乾燥して、目的化合物で
あるα,α,α,α−テトラキス(2,2,3,3,3
−ペンタフルオロプロポキシ)銅フタロシアニンを3.
3g得た。
ル誘導体13.1g、1−ペンタノール90ml、DB
U10.8g、塩化第一銅1.5gを仕込み窒素気流下
攪拌しながら110℃まで昇温した。同温度で5時間攪
拌した後、加熱を止め反応液をメタノール400mlに
注加し析出した結晶を濾集、乾燥して10.1gの粗製
品を得た。この粗製品をジオキサン800mlに溶解し
攪拌しながら60℃に昇温し活性白土1gを加え30分
攪拌、濾過して活性白土層を除いた後、濾液をエバポレ
ーターで濃縮、乾固した。固形分をメタノール400m
lに分散した後、濾過、結晶を乾燥して、目的化合物で
あるα,α,α,α−テトラキス(2,2,3,3,3
−ペンタフルオロプロポキシ)銅フタロシアニンを3.
3g得た。
【0051】こうして得られた色素を用いて、実施例1
と同様にして、基板上に蒸着により厚さ180nmに形
成し、光記録媒体を作製した。この色素の蒸発開始温度
は、210℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は
220℃であった。
と同様にして、基板上に蒸着により厚さ180nmに形
成し、光記録媒体を作製した。この色素の蒸発開始温度
は、210℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は
220℃であった。
【0052】(実施例3)実施例3では、記録層として
(表1)に示すフタロシアニン系色素を用いた。尚、こ
の化合物は、α位置換の異性体を含むものであり、その
合成法を以下に示す。
(表1)に示すフタロシアニン系色素を用いた。尚、こ
の化合物は、α位置換の異性体を含むものであり、その
合成法を以下に示す。
【0053】反応フラスコに実施例2の色素合成操作と
同様にして得たフタロニトリル誘導体5.5g、1−ペ
ンタノール36ml、DBU3.6gを仕込み窒素気流
下攪拌しながら115℃まで昇温した。同温度で5時間
攪拌した後、加熱を止め反応液をメタノール300ml
に注加し析出した結晶を濾集、乾燥して2.7gの粗製
品を得た。この粗製品をテトラヒドロフラン140ml
に投入し攪拌しながら活性白土2.7gを加え15分攪
拌後、濾過して濾液をエバポレーターで濃縮、乾固し
た。固形分をメタノール260mlに分散した後、濾
過、結晶を乾燥して、目的化合物であるα,α,α,α
−テトラキス(2,2,3,3,3−ペンタフルオロプ
ロポキシ)フタロシアニンを2.0g得た。
同様にして得たフタロニトリル誘導体5.5g、1−ペ
ンタノール36ml、DBU3.6gを仕込み窒素気流
下攪拌しながら115℃まで昇温した。同温度で5時間
攪拌した後、加熱を止め反応液をメタノール300ml
に注加し析出した結晶を濾集、乾燥して2.7gの粗製
品を得た。この粗製品をテトラヒドロフラン140ml
に投入し攪拌しながら活性白土2.7gを加え15分攪
拌後、濾過して濾液をエバポレーターで濃縮、乾固し
た。固形分をメタノール260mlに分散した後、濾
過、結晶を乾燥して、目的化合物であるα,α,α,α
−テトラキス(2,2,3,3,3−ペンタフルオロプ
ロポキシ)フタロシアニンを2.0g得た。
【0054】こうして得られた色素を用いて、実施例1
と同様にして、基板上に蒸着により厚さ190nmに形
成し、光記録媒体を作製した。この色素の蒸発開始温度
は、240℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は
220℃であった。
と同様にして、基板上に蒸着により厚さ190nmに形
成し、光記録媒体を作製した。この色素の蒸発開始温度
は、240℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は
220℃であった。
【0055】(実施例4)実施例4では、記録層として
(表1)に示すフタロシアニン系色素を用いた。尚、こ
の化合物は、α位置換の異性体を含むものであり、その
合成法を以下に示す。
(表1)に示すフタロシアニン系色素を用いた。尚、こ
の化合物は、α位置換の異性体を含むものであり、その
合成法を以下に示す。
【0056】まず、3−(2,2,2−トリフルオロエ
トキシ)フタロニトリルを合成する。
トキシ)フタロニトリルを合成する。
【0057】反応フラスコに、3−ニトロフタロニトリ
ル8.7g、2,2,2−トリフルオロエタノール8.
2g、無水炭酸カリウム13.8g、ジメチルホルムア
ミド350mlを仕込み、窒素気流下、攪拌しながら5
0℃まで昇温した。50℃で5時間攪拌した後、加熱を
止め反応液を冷却後、水500mlに注加し、析出した
結晶を濾集、乾燥して12.9gの目的化合物を得た。
ル8.7g、2,2,2−トリフルオロエタノール8.
2g、無水炭酸カリウム13.8g、ジメチルホルムア
ミド350mlを仕込み、窒素気流下、攪拌しながら5
0℃まで昇温した。50℃で5時間攪拌した後、加熱を
止め反応液を冷却後、水500mlに注加し、析出した
結晶を濾集、乾燥して12.9gの目的化合物を得た。
【0058】次に、反応フラスコに、上記フタロニトリ
ル誘導体12.9g、1−ペンタノール90ml、DB
U10.8g、塩化ニッケル2.0gを仕込み窒素気流
下攪拌しながら110℃まで昇温した。同温度で5時間
攪拌した後、加熱を止め反応液をメタノール400ml
に注加し析出した結晶を濾集、乾燥して9.6gの粗製
品を得た。この粗製品をテトラヒドロフラン800ml
に溶解し攪拌しながら活性白土4gを加え5分攪拌後、
濾過して活性白土層を除いた後、濾液をエバポレーター
で濃縮、乾固した。固形分をメタノール400mlに分
散した後、濾過、結晶を乾燥して、目的化合物である
α,α,α,α−テトラキス(2,2,2−トリフルオ
ロエトキシ)ニッケルフタロシアニンを1.3g得た。
ル誘導体12.9g、1−ペンタノール90ml、DB
U10.8g、塩化ニッケル2.0gを仕込み窒素気流
下攪拌しながら110℃まで昇温した。同温度で5時間
攪拌した後、加熱を止め反応液をメタノール400ml
に注加し析出した結晶を濾集、乾燥して9.6gの粗製
品を得た。この粗製品をテトラヒドロフラン800ml
に溶解し攪拌しながら活性白土4gを加え5分攪拌後、
濾過して活性白土層を除いた後、濾液をエバポレーター
で濃縮、乾固した。固形分をメタノール400mlに分
散した後、濾過、結晶を乾燥して、目的化合物である
α,α,α,α−テトラキス(2,2,2−トリフルオ
ロエトキシ)ニッケルフタロシアニンを1.3g得た。
【0059】こうして得られた色素を用いて、実施例1
と同様にして、基板上に蒸着により厚さ200nmに形
成し、光記録媒体を作製した。この色素の蒸発開始温度
は、170℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は
260℃であった。
と同様にして、基板上に蒸着により厚さ200nmに形
成し、光記録媒体を作製した。この色素の蒸発開始温度
は、170℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は
260℃であった。
【0060】(実施例5)実施例5では、記録層として
(表1)に示すフタロシアニン系色素を用いた。尚、こ
の化合物は、α位置換の異性体を含むものであり、その
合成法を以下に示す。
(表1)に示すフタロシアニン系色素を用いた。尚、こ
の化合物は、α位置換の異性体を含むものであり、その
合成法を以下に示す。
【0061】まず、3−[2,2−ビス(トリフルオロ
メチル)プロポキシ]フタロニトリルを合成する。反応
フラスコに、3−ニトロフタロニトリル8.7g、2,
2−ビス(トリフルオロメチル)プロパノール11.8
g、無水炭酸カリウム13.8g、ジメチルスルホキシ
ド350mlを仕込み、窒素気流下、攪拌しながら60
℃まで昇温した。60℃で5時間攪拌した後、加熱を止
め反応液を冷却後、水500mlに注加し、析出した結
晶を濾集、乾燥して12.8gの目的化合物を得た。
メチル)プロポキシ]フタロニトリルを合成する。反応
フラスコに、3−ニトロフタロニトリル8.7g、2,
2−ビス(トリフルオロメチル)プロパノール11.8
g、無水炭酸カリウム13.8g、ジメチルスルホキシ
ド350mlを仕込み、窒素気流下、攪拌しながら60
℃まで昇温した。60℃で5時間攪拌した後、加熱を止
め反応液を冷却後、水500mlに注加し、析出した結
晶を濾集、乾燥して12.8gの目的化合物を得た。
【0062】次に、反応フラスコに上記フタロニトリル
誘導体4.8g、1−ペンタノール27ml、DBU
4.6g、塩化コバルト0.65gを仕込み窒素気流下
110℃で5時間攪拌した後、加熱を止め反応液をメタ
ノール150mlに注加、さらに水30mlを加え析出
した結晶を濾集、乾燥して2.5gの粗製品を得た。こ
の粗製品をカラムクロマトグラフィ(シリカゲル/トル
エン:テトラヒドロフラン=80:1)により精製し
て、目的化合物であるα,α,α,α−テトラキス
[2,2−ビス(トリフルオロメチル)プロポキシ]コ
バルトフタロシアニンを0.34g得た。
誘導体4.8g、1−ペンタノール27ml、DBU
4.6g、塩化コバルト0.65gを仕込み窒素気流下
110℃で5時間攪拌した後、加熱を止め反応液をメタ
ノール150mlに注加、さらに水30mlを加え析出
した結晶を濾集、乾燥して2.5gの粗製品を得た。こ
の粗製品をカラムクロマトグラフィ(シリカゲル/トル
エン:テトラヒドロフラン=80:1)により精製し
て、目的化合物であるα,α,α,α−テトラキス
[2,2−ビス(トリフルオロメチル)プロポキシ]コ
バルトフタロシアニンを0.34g得た。
【0063】こうして得られた色素を用いて、実施例1
と同様にして、基板上に蒸着により厚さ280nmに形
成し、光記録媒体を作製した。この色素の蒸発開始温度
は、250℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は
170℃であった。
と同様にして、基板上に蒸着により厚さ280nmに形
成し、光記録媒体を作製した。この色素の蒸発開始温度
は、250℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は
170℃であった。
【0064】(実施例6)実施例6では、記録層として
(表1)に示すフタロシアニン系色素を用いた。尚、こ
の化合物は、α位置換の異性体を含むものであり、その
合成法を以下に示す。
(表1)に示すフタロシアニン系色素を用いた。尚、こ
の化合物は、α位置換の異性体を含むものであり、その
合成法を以下に示す。
【0065】反応フラスコに、実施例5で用いた合成操
作と同様にして得られたフタロニトリル誘導体6.4
g、1−ペンタノール46ml、DBU6.1g、塩化
亜鉛0.91gを仕込み窒素気流下110℃で6時間攪
拌した後、加熱を止め反応液をメタノール160mlに
注加、水40mlを加え析出した結晶を濾集、乾燥して
5gの粗製品を得た。この粗製品3.1gをカラムクロ
マトグラフィ(シリカゲル/トルエン:酢酸エチル=3
0:1)により精製して、目的化合物であるα,α,
α,α−テトラキス[2,2−ビス(トリフルオロメチ
ル)プロポキシ]亜鉛フタロシアニンを1.8g得た。
作と同様にして得られたフタロニトリル誘導体6.4
g、1−ペンタノール46ml、DBU6.1g、塩化
亜鉛0.91gを仕込み窒素気流下110℃で6時間攪
拌した後、加熱を止め反応液をメタノール160mlに
注加、水40mlを加え析出した結晶を濾集、乾燥して
5gの粗製品を得た。この粗製品3.1gをカラムクロ
マトグラフィ(シリカゲル/トルエン:酢酸エチル=3
0:1)により精製して、目的化合物であるα,α,
α,α−テトラキス[2,2−ビス(トリフルオロメチ
ル)プロポキシ]亜鉛フタロシアニンを1.8g得た。
【0066】こうして得られた色素を用いて、実施例1
と同様にして、基板上に蒸着により厚さ190nmに形
成し、光記録媒体を作製した。この色素の蒸発開始温度
は、220℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は
250℃であった。
と同様にして、基板上に蒸着により厚さ190nmに形
成し、光記録媒体を作製した。この色素の蒸発開始温度
は、220℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は
250℃であった。
【0067】(実施例7)実施例7では、記録層として
(表1)に示すフタロシアニン系色素を用いた。その合
成法を以下に示す。
(表1)に示すフタロシアニン系色素を用いた。その合
成法を以下に示す。
【0068】まず、3,4,5,6−テトラキス(2,
2,2−トリフルオロエトキシ)フタロニトリルを合成
する。反応フラスコにテトラフルオロフタロニトリル1
0g、2,2,2−トリフルオロエタノール50g、無
水炭酸カリウム55g、ジメチルホルムアミド30ml
を仕込み、50℃で3時間攪拌した後、加熱を止め反応
液を冷却後、水500mlに注加し、析出した結晶を濾
集、乾燥して25.2gの目的化合物を得た。
2,2−トリフルオロエトキシ)フタロニトリルを合成
する。反応フラスコにテトラフルオロフタロニトリル1
0g、2,2,2−トリフルオロエタノール50g、無
水炭酸カリウム55g、ジメチルホルムアミド30ml
を仕込み、50℃で3時間攪拌した後、加熱を止め反応
液を冷却後、水500mlに注加し、析出した結晶を濾
集、乾燥して25.2gの目的化合物を得た。
【0069】次に、反応フラスコに上記フタロニトリル
誘導体25g、2,2,2−トリフルオロエタノール1
00ml、DBU20.4gを仕込み窒素気流下攪拌し
ながら55℃まで温度を上げ塩化第一銅1.6gを仕込
みさらに温度を上げ80℃で6時間攪拌した。その後、
加熱を止め冷却、水50mlを滴下して析出した結晶を
濾集、乾燥して16.3gの粗製品を得た。この粗製品
のうち12.5gをカラムクロマトグラフィ(シリカゲ
ル/トルエン:酢酸エチル=2:1)で精製、乾燥し
て、目的化合物であるヘキサデカ(2,2,2−トリフ
ルオロエトキシ)銅フタロシアニンを11.6g得た。
誘導体25g、2,2,2−トリフルオロエタノール1
00ml、DBU20.4gを仕込み窒素気流下攪拌し
ながら55℃まで温度を上げ塩化第一銅1.6gを仕込
みさらに温度を上げ80℃で6時間攪拌した。その後、
加熱を止め冷却、水50mlを滴下して析出した結晶を
濾集、乾燥して16.3gの粗製品を得た。この粗製品
のうち12.5gをカラムクロマトグラフィ(シリカゲ
ル/トルエン:酢酸エチル=2:1)で精製、乾燥し
て、目的化合物であるヘキサデカ(2,2,2−トリフ
ルオロエトキシ)銅フタロシアニンを11.6g得た。
【0070】こうして得られた色素を用いて、実施例1
と同様にして、基板上に蒸着により厚さ180nmに形
成し、光記録媒体を作製した。この色素の蒸発開始温度
は、170℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は
220℃であった。
と同様にして、基板上に蒸着により厚さ180nmに形
成し、光記録媒体を作製した。この色素の蒸発開始温度
は、170℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は
220℃であった。
【0071】(実施例8)実施例8では、記録層として
(表1)に示すフタロシアニン系色素を用いた。その合
成法を以下に示す。
(表1)に示すフタロシアニン系色素を用いた。その合
成法を以下に示す。
【0072】反応フラスコに実施例7の合成操作と同様
にして得たフタロニトリル誘導体2.5g、2,2,2
−トリフルオロエタノール10ml、DBU2gを仕込
み窒素気流下攪拌しながら55℃まで温度を上げ塩化パ
ラジウム0.29gを仕込みさらに温度を上げ80℃で
9時間攪拌した。その後、加熱を止め冷却、水10ml
を滴下して析出した結晶を濾集、乾燥して1.4gの粗
製品を得た。この粗製品をカラムクロマトグラフィ(シ
リカゲル/トルエン:酢酸エチル=2:1)で精製、乾
燥して、目的化合物であるヘキサデカ(2,2,2−ト
リフルオロエトキシ)パラジウムフタロシアニンを0.
41g得た。
にして得たフタロニトリル誘導体2.5g、2,2,2
−トリフルオロエタノール10ml、DBU2gを仕込
み窒素気流下攪拌しながら55℃まで温度を上げ塩化パ
ラジウム0.29gを仕込みさらに温度を上げ80℃で
9時間攪拌した。その後、加熱を止め冷却、水10ml
を滴下して析出した結晶を濾集、乾燥して1.4gの粗
製品を得た。この粗製品をカラムクロマトグラフィ(シ
リカゲル/トルエン:酢酸エチル=2:1)で精製、乾
燥して、目的化合物であるヘキサデカ(2,2,2−ト
リフルオロエトキシ)パラジウムフタロシアニンを0.
41g得た。
【0073】こうして得られた色素を用いて、実施例1
と同様にして、基板上に蒸着により厚さ330nmに形
成し、光記録媒体を作製した。この色素の蒸発開始温度
は、140℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は
290℃であった。
と同様にして、基板上に蒸着により厚さ330nmに形
成し、光記録媒体を作製した。この色素の蒸発開始温度
は、140℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は
290℃であった。
【0074】(実施例9)実施例9では、溝形状とし
て、幅0.4μm、深さ50nm、TP1.6μmの基
板上に、実施例2で用いた色素を同様にして形成して、
光記録媒体を作製した。溝幅/TPは0.25であり、
レーザー波長λを788nm、基板の屈折率nを1.5
5とすると、溝深さは(λ/4n)の39%である。
て、幅0.4μm、深さ50nm、TP1.6μmの基
板上に、実施例2で用いた色素を同様にして形成して、
光記録媒体を作製した。溝幅/TPは0.25であり、
レーザー波長λを788nm、基板の屈折率nを1.5
5とすると、溝深さは(λ/4n)の39%である。
【0075】また、上記実施例1〜9と比較するため
に、比較例1〜4の光記録媒体を作製した。
に、比較例1〜4の光記録媒体を作製した。
【0076】(比較例1)比較例1では、記録層として
(表1)に示す分岐アルコキシ基を導入した(トリフル
オロメチル基を含まない)フタロシアニン系色素を用い
た。尚、この化合物は、α位置換の異性体を含むもので
あり、その合成法を以下に示す。
(表1)に示す分岐アルコキシ基を導入した(トリフル
オロメチル基を含まない)フタロシアニン系色素を用い
た。尚、この化合物は、α位置換の異性体を含むもので
あり、その合成法を以下に示す。
【0077】まず、3−(2−ペンチルオキシ)フタロ
ニトリルを合成する。反応フラスコに3−ニトロフタロ
ニトリル8.7g、2−ペンタノール12g、無水炭酸
カリウム26g、ジメチルスルホキシド100mlを仕
込み、窒素気流下、攪拌しながら70℃まで昇温した。
70℃で16時間攪拌した後、加熱を止め反応液を冷却
後、水500mlに注加し、析出した結晶を濾集、乾燥
して4.4gの目的化合物を得た。
ニトリルを合成する。反応フラスコに3−ニトロフタロ
ニトリル8.7g、2−ペンタノール12g、無水炭酸
カリウム26g、ジメチルスルホキシド100mlを仕
込み、窒素気流下、攪拌しながら70℃まで昇温した。
70℃で16時間攪拌した後、加熱を止め反応液を冷却
後、水500mlに注加し、析出した結晶を濾集、乾燥
して4.4gの目的化合物を得た。
【0078】次に、反応フラスコに上記フタロニトリル
誘導体4.3g、1−ペンタノール30ml、DBU
4.6gを仕込み窒素気流下攪拌しながら85℃にして
塩化第一銅0.57gを仕込みその後95℃で9時間攪
拌した後、加熱を止め反応液をメタノール200mlに
注加、さらに水20mlを加え析出した結晶を濾集、乾
燥して1.5gの粗製品を得た。この粗製品をカラムク
ロマトグラフィ(シリカゲル/トルエン:酢酸エチル=
30:1)により精製して、目的化合物であるα,α,
α,α−テトラキス(2−ペンチルオキシ)銅フタロシ
アニンを0.84g得た。
誘導体4.3g、1−ペンタノール30ml、DBU
4.6gを仕込み窒素気流下攪拌しながら85℃にして
塩化第一銅0.57gを仕込みその後95℃で9時間攪
拌した後、加熱を止め反応液をメタノール200mlに
注加、さらに水20mlを加え析出した結晶を濾集、乾
燥して1.5gの粗製品を得た。この粗製品をカラムク
ロマトグラフィ(シリカゲル/トルエン:酢酸エチル=
30:1)により精製して、目的化合物であるα,α,
α,α−テトラキス(2−ペンチルオキシ)銅フタロシ
アニンを0.84g得た。
【0079】こうして得られた色素を用いて、実施例1
の基板上に、同様にして蒸着により厚さ150nmに形
成し、光記録媒体を作製した。この色素の蒸発開始温度
は、180℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は
210℃であった。
の基板上に、同様にして蒸着により厚さ150nmに形
成し、光記録媒体を作製した。この色素の蒸発開始温度
は、180℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は
210℃であった。
【0080】(比較例2)比較例2では、記録層とし
て、トリフルオロメチル基のうちフッ素が1個水素に置
換された(表1)に示すフタロシアニン系色素を用い
た。尚、この化合物は、α位置換の異性体を含むもので
あり、その合成法を以下に示す。
て、トリフルオロメチル基のうちフッ素が1個水素に置
換された(表1)に示すフタロシアニン系色素を用い
た。尚、この化合物は、α位置換の異性体を含むもので
あり、その合成法を以下に示す。
【0081】まず、3−(2,2,3,3,4,4,
5,5−オクタフルオロペンチルオキシ)フタロニトリ
ルを合成する。反応フラスコに3−ニトロフタロニトリ
ル5.2g、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタ
フルオロペンタノール8.4g、無水炭酸カリウム8.
3g、ジメチルスルホキシド21mlを仕込み、窒素気
流下、50℃で5時間攪拌した後、加熱を止め反応液を
冷却後、水300mlに注加し、析出した結晶を濾集、
乾燥して8.2gの目的化合物を得た。
5,5−オクタフルオロペンチルオキシ)フタロニトリ
ルを合成する。反応フラスコに3−ニトロフタロニトリ
ル5.2g、2,2,3,3,4,4,5,5−オクタ
フルオロペンタノール8.4g、無水炭酸カリウム8.
3g、ジメチルスルホキシド21mlを仕込み、窒素気
流下、50℃で5時間攪拌した後、加熱を止め反応液を
冷却後、水300mlに注加し、析出した結晶を濾集、
乾燥して8.2gの目的化合物を得た。
【0082】次に、反応フラスコに上記フタロニトリル
誘導体3.6g、1−ペンタノール20ml、DBU
2.3g、塩化第一銅0.28gを仕込み窒素気流下攪
拌しながら100℃で5時間攪拌した後、加熱を止め反
応液をメタノール100mlに注加し水30mlを滴下
して析出した結晶を濾集、乾燥して2.8gの粗製品を
得た。この粗製品をカラムクロマトグラフィ(シリカゲ
ル/トルエン:酢酸エチル=40:1)により精製して
目的化合物であるα,α,α,α−テトラキス(2,
2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロペンチル
オキシ)銅フタロシアニンを1.4g得た。
誘導体3.6g、1−ペンタノール20ml、DBU
2.3g、塩化第一銅0.28gを仕込み窒素気流下攪
拌しながら100℃で5時間攪拌した後、加熱を止め反
応液をメタノール100mlに注加し水30mlを滴下
して析出した結晶を濾集、乾燥して2.8gの粗製品を
得た。この粗製品をカラムクロマトグラフィ(シリカゲ
ル/トルエン:酢酸エチル=40:1)により精製して
目的化合物であるα,α,α,α−テトラキス(2,
2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロペンチル
オキシ)銅フタロシアニンを1.4g得た。
【0083】こうして得られた色素を用いて、実施例1
の基板上に、同様にして蒸着により厚さ160nmに形
成し、光記録媒体を作製した。この色素の蒸発開始温度
は、200℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は
270℃であった。
の基板上に、同様にして蒸着により厚さ160nmに形
成し、光記録媒体を作製した。この色素の蒸発開始温度
は、200℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は
270℃であった。
【0084】(比較例3)比較例3では、記録層とし
て、フェノキシ基のベンゼン環がフッ素置換された(表
1)に示すフタロシアニン系色素を用いた。尚、この化
合物は、α位置換の異性体を含むものであり、その合成
法を以下に示す。
て、フェノキシ基のベンゼン環がフッ素置換された(表
1)に示すフタロシアニン系色素を用いた。尚、この化
合物は、α位置換の異性体を含むものであり、その合成
法を以下に示す。
【0085】まず、3−(ペンタフルオロフェノキシ)
フタロニトリルを合成する。反応フラスコに、3−ニト
ロフタロニトリル3.4g、ペンタフルオロフェノール
4.4g、無水炭酸カリウム2.8g、ジメチルスルホ
キシド10mlを仕込み、窒素気流下、50℃で5時間
攪拌した後、加熱を止め反応液を冷却後、水200ml
に注加し、析出した結晶を濾集、乾燥して5.8gの目
的化合物を得た。
フタロニトリルを合成する。反応フラスコに、3−ニト
ロフタロニトリル3.4g、ペンタフルオロフェノール
4.4g、無水炭酸カリウム2.8g、ジメチルスルホ
キシド10mlを仕込み、窒素気流下、50℃で5時間
攪拌した後、加熱を止め反応液を冷却後、水200ml
に注加し、析出した結晶を濾集、乾燥して5.8gの目
的化合物を得た。
【0086】次に、反応フラスコに上記フタロニトリル
誘導体5g、1−ペンタノール30ml、DBU3.4
g、塩化第一銅0.5gを仕込み窒素気流下攪拌しなが
ら100℃で8時間攪拌した後、加熱を止め反応液をメ
タノール300mlに注加し析出した結晶を濾集、乾燥
して4.2gの粗製品を得た。この粗製品をカラムクロ
マトグラフィ(シリカゲル/テトラヒドロフラン)によ
り精製して、目的化合物であるα,α,α,α−テトラ
キス(ペンタフルオロフェノキシ)銅フタロシアニンを
1.7g得た。
誘導体5g、1−ペンタノール30ml、DBU3.4
g、塩化第一銅0.5gを仕込み窒素気流下攪拌しなが
ら100℃で8時間攪拌した後、加熱を止め反応液をメ
タノール300mlに注加し析出した結晶を濾集、乾燥
して4.2gの粗製品を得た。この粗製品をカラムクロ
マトグラフィ(シリカゲル/テトラヒドロフラン)によ
り精製して、目的化合物であるα,α,α,α−テトラ
キス(ペンタフルオロフェノキシ)銅フタロシアニンを
1.7g得た。
【0087】こうして得られた色素を用いて、実施例1
の基板上に、同様にして蒸着により厚さ190nmに形
成し、光記録媒体を作製した。この色素の蒸発開始温度
は、170℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は
280℃であった。
の基板上に、同様にして蒸着により厚さ190nmに形
成し、光記録媒体を作製した。この色素の蒸発開始温度
は、170℃であり、蒸発開始温度と分解温度との差は
280℃であった。
【0088】(比較例4)比較例4では、溝形状とし
て、幅0.4μm、深さ110nm、TP1.6μmの
基板上に、実施例1で用いた色素を同様にして形成し
て、光記録媒体を作製した。溝幅/TPは0.25であ
り、レーザー波長λを788nm、基板の屈折率nを
1.55とすると、溝深さは(λ/4n)の86%であ
る。
て、幅0.4μm、深さ110nm、TP1.6μmの
基板上に、実施例1で用いた色素を同様にして形成し
て、光記録媒体を作製した。溝幅/TPは0.25であ
り、レーザー波長λを788nm、基板の屈折率nを
1.55とすると、溝深さは(λ/4n)の86%であ
る。
【0089】(比較例5)比較例5では、比較例4の基
板上に、日本触媒(株)製の可溶化フタロシアニン色素
(TX−104A)をエチルセロソルブに3wt%で溶
解した塗工液を作り、これを比較例4の基板上に、スピ
ンコート法により厚さ150nmに形成し、同様にして
光記録媒体を作製した。
板上に、日本触媒(株)製の可溶化フタロシアニン色素
(TX−104A)をエチルセロソルブに3wt%で溶
解した塗工液を作り、これを比較例4の基板上に、スピ
ンコート法により厚さ150nmに形成し、同様にして
光記録媒体を作製した。
【0090】尚、蒸発開始温度は、1×10-5torr
以下の真空度で色素を加熱して水晶発振式膜厚計の値が
0.1nm/秒となった時の蒸発源の温度とした。ま
た、分解温度は、窒素ガス雰囲気中での示差走査熱量分
析の発熱温度とした。
以下の真空度で色素を加熱して水晶発振式膜厚計の値が
0.1nm/秒となった時の蒸発源の温度とした。ま
た、分解温度は、窒素ガス雰囲気中での示差走査熱量分
析の発熱温度とした。
【0091】上記のように作製した光記録媒体は、パル
ステック製CD−Rテスターを用いて、波長788n
m、線速1.4m/秒で記録再生して、記録パワー、1
1T出力を測定した。また11Tでの信号波形歪みを観
察し、波形歪みの大きいものを(×)、歪みの小さいも
のを(△)、歪みのほとんど無いものを(○)として評
価した。さらに、耐光性試験としてスガ試験機(株)製
キセノンロングライフフェードメーターにおいて、15
0時間照射後の特性劣化がほとんどないものを(○)、
劣化が大きいものを(×)として評価した。結果を
ステック製CD−Rテスターを用いて、波長788n
m、線速1.4m/秒で記録再生して、記録パワー、1
1T出力を測定した。また11Tでの信号波形歪みを観
察し、波形歪みの大きいものを(×)、歪みの小さいも
のを(△)、歪みのほとんど無いものを(○)として評
価した。さらに、耐光性試験としてスガ試験機(株)製
キセノンロングライフフェードメーターにおいて、15
0時間照射後の特性劣化がほとんどないものを(○)、
劣化が大きいものを(×)として評価した。結果を
【0092】
【表2】
【0093】に示す。(表2)から、トリフルオロメチ
ル基を持たない比較例1〜3,5と実施例1〜9との比
較でも明らかなように、トリフルオロメチル基を有する
ことにより、記録パワーが低減され、11Tの出力が高
く、波形歪みが改善され、安定した特性を得ることがで
きる。また、本実施例の中でも、フタロシアニン系色素
の中心が、無金属のもの(実施例3)より、2価金属の
ものの方が、高出力で、波形歪みへの改善効果が大き
く、特に、Co,Cu,Zn,Niは特性のバランスが
良好である。また、トリフルオロメチル基の数が多くな
るほど(実施例1〜8)、記録パワーが低減される傾向
にあり、出力は徐々に高くなっていることから、末端の
トリフルオロメチル基が、記録感度の向上に有効である
ことが明らかとなった。
ル基を持たない比較例1〜3,5と実施例1〜9との比
較でも明らかなように、トリフルオロメチル基を有する
ことにより、記録パワーが低減され、11Tの出力が高
く、波形歪みが改善され、安定した特性を得ることがで
きる。また、本実施例の中でも、フタロシアニン系色素
の中心が、無金属のもの(実施例3)より、2価金属の
ものの方が、高出力で、波形歪みへの改善効果が大き
く、特に、Co,Cu,Zn,Niは特性のバランスが
良好である。また、トリフルオロメチル基の数が多くな
るほど(実施例1〜8)、記録パワーが低減される傾向
にあり、出力は徐々に高くなっていることから、末端の
トリフルオロメチル基が、記録感度の向上に有効である
ことが明らかとなった。
【0094】また、基板の溝形状として、溝深さが(λ
/4n)の80%を越えると(比較例4)反射率が低下
し、トラッキングがとれず、記録できなかった。
/4n)の80%を越えると(比較例4)反射率が低下
し、トラッキングがとれず、記録できなかった。
【0095】さらに、耐光性では、実施例は何れも、可
溶化フタロシアニンを用いたもの(比較例5)より耐光
性に優れており、高い信頼性が得られた。
溶化フタロシアニンを用いたもの(比較例5)より耐光
性に優れており、高い信頼性が得られた。
【0096】
【発明の効果】以上のように本発明の光記録媒体は、基
板上にレーザー光を透過吸収する記録層と、反射層、保
護層を順次形成してなる光記録媒体にあって、記録層を
蒸着法により形成し、その構成材料として、分子構造の
末端にトリフルオロメチル基を1個以上有し、且つ昇華
性を持つフタロシアニン系色素を用いることにより、記
録パワーが低く、11Tなどの長ピットでも高出力で波
形歪みが小さく記録感度が良好で、且つ耐光性に優れた
光記録媒体が得られる。
板上にレーザー光を透過吸収する記録層と、反射層、保
護層を順次形成してなる光記録媒体にあって、記録層を
蒸着法により形成し、その構成材料として、分子構造の
末端にトリフルオロメチル基を1個以上有し、且つ昇華
性を持つフタロシアニン系色素を用いることにより、記
録パワーが低く、11Tなどの長ピットでも高出力で波
形歪みが小さく記録感度が良好で、且つ耐光性に優れた
光記録媒体が得られる。
【図1】本発明の実施の形態による光記録媒体の構成断
面図
面図
【符号の説明】 1 基板 2 記録層 3 反射層 4 保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 保阪 富治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 国枝 敏明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 高橋 克幸 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 谷口 正俊 京都府京都市南区上鳥羽上調子町1番地1 山田化学工業株式会社内 (72)発明者 成塚 俊郎 京都府京都市南区上鳥羽上調子町1番地1 山田化学工業株式会社内 (72)発明者 濱中 幸造 京都府京都市南区上鳥羽上調子町1番地1 山田化学工業株式会社内 (72)発明者 富田 浩盟 京都府京都市南区上鳥羽上調子町1番地1 山田化学工業株式会社内 (72)発明者 飯沼 芳春 京都府京都市南区上鳥羽上調子町1番地1 山田化学工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】基板上に、少なくとも、レーザー光を透過
吸収する記録層と、反射層、保護層とを順次形成してな
る光記録媒体において、記録層が蒸着法により形成さ
れ、上記記録層を構成する材料として、 【化1】 に示す化合物から選ばれ且つ昇華性を有するフタロシア
ニン系色素を少なくとも1種類以上用いてなる光記録媒
体。[化1において、置換基X1〜X16は、例えば、水
素原子、ハロゲン原子、置換または未置換のアルキル
基、置換または未置換のアルコキシ基、置換または未置
換のアルキルチオ基、置換または未置換のアリール基、
置換または未置換のアリールオキシ基、置換または未置
換のアリールチオ基、ニトロ基、アミノ基などそれぞれ
独立に有してもよいが、これらX1〜X16のうち少なく
とも1個以上において、その置換基の末端にトリフルオ
ロメチル基を1個以上有する。また、Mは、2個の水素
原子、2価の金属原子、3価または4価の金属誘導体で
あり、3価または4価の金属に導入する置換基の末端に
トリフルオロメチル基を有してもよい。] - 【請求項2】フタロシアニン系色素は、その蒸発または
昇華開始温度が100〜350℃であり、且つ蒸発また
は昇華開始温度と分解温度との差が50〜400℃であ
る請求項1記載の光記録媒体。 - 【請求項3】フタロシアニン系色素に含有する中心金属
が2価金属で、Co,Cu,Zn,Ni,Pdである請
求項1または2記載の光記録媒体。 - 【請求項4】基板上に螺旋状の溝が設けてあり、その溝
形状について、溝幅とトラックピッチ(以下、TPと称
す)との比、及びレーザー波長λ,基板の屈折率nとし
たときの溝深さがそれぞれ次の範囲である請求項1、2
または3記載の光記録媒体。 溝幅/TP:0.25〜0.45 溝深さ :(λ/4n)の20〜80%
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9201254A JPH1142854A (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9201254A JPH1142854A (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1142854A true JPH1142854A (ja) | 1999-02-16 |
Family
ID=16437903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9201254A Pending JPH1142854A (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1142854A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017066099A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社日本触媒 | フタロシアニン化合物および該フタロシアニン化合物を含む組成物 |
-
1997
- 1997-07-28 JP JP9201254A patent/JPH1142854A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017066099A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社日本触媒 | フタロシアニン化合物および該フタロシアニン化合物を含む組成物 |
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