JPH1143773A - 薄膜気相成長装置 - Google Patents
薄膜気相成長装置Info
- Publication number
- JPH1143773A JPH1143773A JP21133997A JP21133997A JPH1143773A JP H1143773 A JPH1143773 A JP H1143773A JP 21133997 A JP21133997 A JP 21133997A JP 21133997 A JP21133997 A JP 21133997A JP H1143773 A JPH1143773 A JP H1143773A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- film forming
- substrate
- forming chamber
- holding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title abstract 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 18
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 13
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 15
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003670 easy-to-clean Effects 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 成膜室内の壁面において成膜原料の高温での
分解を避け、基板上に均一で品質の高い成膜処理を安定
に行うことができるような薄膜気相成長装置を提供す
る。 【解決手段】 全体がほぼ筒状の気密な成膜室１０に、
基板を保持し加熱する保持加熱手段１２と、保持加熱手
段１２を少なくとも成膜位置と搬送位置の間で昇降させ
る昇降機構１４と、成膜室１０の頂部より基板に向けて
成膜原料ガスを噴射するガス噴射ヘッド１６と、成膜室
１０の側壁１８の搬送位置に対応する高さに開口する基
板搬送口２０と、成膜室１０の側壁１８の成膜位置と搬
送位置の間の高さに開口する排気口２２とが設けられた
薄膜気相成長装置において、成膜位置にある基板保持加
熱手段１２の周囲を取り囲む略円筒状の断熱部材４４を
有する。
分解を避け、基板上に均一で品質の高い成膜処理を安定
に行うことができるような薄膜気相成長装置を提供す
る。 【解決手段】 全体がほぼ筒状の気密な成膜室１０に、
基板を保持し加熱する保持加熱手段１２と、保持加熱手
段１２を少なくとも成膜位置と搬送位置の間で昇降させ
る昇降機構１４と、成膜室１０の頂部より基板に向けて
成膜原料ガスを噴射するガス噴射ヘッド１６と、成膜室
１０の側壁１８の搬送位置に対応する高さに開口する基
板搬送口２０と、成膜室１０の側壁１８の成膜位置と搬
送位置の間の高さに開口する排気口２２とが設けられた
薄膜気相成長装置において、成膜位置にある基板保持加
熱手段１２の周囲を取り囲む略円筒状の断熱部材４４を
有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に、チタン酸バ
リウム／ストロンチウム等の高誘電体又は強誘電体薄膜
を基板上に気相成長させる薄膜気相成長装置に関する。
リウム／ストロンチウム等の高誘電体又は強誘電体薄膜
を基板上に気相成長させる薄膜気相成長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体産業における集積回路の集
積度の向上はめざましく、現状のメガビットオーダか
ら、将来のギガビットオーダを睨んだＤＲＡＭの研究開
発が行われている。かかるＤＲＡＭの製造のためには、
小さな面積で大容量が得られるキャパシタ素子が必要で
ある。このような大容量素子の製造に用いる誘電体薄膜
として、誘電率が１０以下であるシリコン酸化膜やシリ
コン窒化膜に替えて、誘電率が２０程度である五酸化タ
ンタル(Ｔa2Ｏ5)薄膜、あるいは誘電率が３００程度で
あるチタン酸バリウム(ＢaＴiＯ3)、チタン酸ストロン
チウム(ＳrＴiＯ3)又はこれらの混合物であるチタン酸
バリウムストロンチウム等の金属酸化物薄膜材料が有望
視されている。
積度の向上はめざましく、現状のメガビットオーダか
ら、将来のギガビットオーダを睨んだＤＲＡＭの研究開
発が行われている。かかるＤＲＡＭの製造のためには、
小さな面積で大容量が得られるキャパシタ素子が必要で
ある。このような大容量素子の製造に用いる誘電体薄膜
として、誘電率が１０以下であるシリコン酸化膜やシリ
コン窒化膜に替えて、誘電率が２０程度である五酸化タ
ンタル(Ｔa2Ｏ5)薄膜、あるいは誘電率が３００程度で
あるチタン酸バリウム(ＢaＴiＯ3)、チタン酸ストロン
チウム(ＳrＴiＯ3)又はこれらの混合物であるチタン酸
バリウムストロンチウム等の金属酸化物薄膜材料が有望
視されている。
【０００３】このような金属酸化物薄膜を基板上に気相
成長させる際には、気密な成膜室の内部に配置したサセ
プタ（加熱保持部）上に基板を載置し、このサセプタの
内部に内蔵されたヒータ等の加熱手段によって基板を所
定温度に加熱しつつ、成膜室の内部に設置したシャワヘ
ッドから原料ガスと反応ガス（酸素含有ガス）との混合
ガスを基板Ｗに向けて噴射する薄膜気相成長装置が用い
られる。
成長させる際には、気密な成膜室の内部に配置したサセ
プタ（加熱保持部）上に基板を載置し、このサセプタの
内部に内蔵されたヒータ等の加熱手段によって基板を所
定温度に加熱しつつ、成膜室の内部に設置したシャワヘ
ッドから原料ガスと反応ガス（酸素含有ガス）との混合
ガスを基板Ｗに向けて噴射する薄膜気相成長装置が用い
られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な成膜原料の特徴として、気化後の気相維持温度範囲が
狭く、気化温度より下がると凝結し、上がると分解して
しまうことが挙げられる。これに対して、発明者らは反
応室の内壁面を所定の温度（略気化温度）に維持制御し
つつ成膜を行なう方法を提案し（特開平９−２８９６号
公報）、その結果反応生成物の発生は効果的に抑制でき
るが、全くゼロにできる訳でなく、微細な生成物が少な
からず発生付着してしまうことが判明した。
な成膜原料の特徴として、気化後の気相維持温度範囲が
狭く、気化温度より下がると凝結し、上がると分解して
しまうことが挙げられる。これに対して、発明者らは反
応室の内壁面を所定の温度（略気化温度）に維持制御し
つつ成膜を行なう方法を提案し（特開平９−２８９６号
公報）、その結果反応生成物の発生は効果的に抑制でき
るが、全くゼロにできる訳でなく、微細な生成物が少な
からず発生付着してしまうことが判明した。
【０００５】そこで、上記原料に対して熱分析を行った
結果、例えばＢＳＴ・ＳＢＴ等の液体原料では、３種が
同時に気相状態を維持できる明確で完全な温度範囲は存
在せず、一部は凝結または分解してしまうことが分かっ
た。そして、分解した原料は洗浄が困難である一方、凝
結した原料は洗浄が比較的容易であることも分かった。
そこで一部凝結を許容しながらも、高温での分解は避け
る方法を採用することにより、上記問題の現実的な解決
を図った。
結果、例えばＢＳＴ・ＳＢＴ等の液体原料では、３種が
同時に気相状態を維持できる明確で完全な温度範囲は存
在せず、一部は凝結または分解してしまうことが分かっ
た。そして、分解した原料は洗浄が困難である一方、凝
結した原料は洗浄が比較的容易であることも分かった。
そこで一部凝結を許容しながらも、高温での分解は避け
る方法を採用することにより、上記問題の現実的な解決
を図った。
【０００６】この発明は上記に鑑み、成膜室内の壁面に
おいて成膜原料の高温での分解を避け、基板上に均一で
品質の高い成膜処理を安定に行うことができるような薄
膜気相成長装置を提供することを目的とする。
おいて成膜原料の高温での分解を避け、基板上に均一で
品質の高い成膜処理を安定に行うことができるような薄
膜気相成長装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、全体がほぼ筒状の気密な成膜室に、基板を保持し加
熱する保持加熱手段と、該保持加熱手段を少なくとも成
膜位置と搬送位置の間で昇降させる昇降機構と、成膜室
の頂部より基板に向けて成膜原料ガスを噴射するガス噴
射ヘッドと、成膜室の側壁の前記搬送位置に対応する高
さに開口する基板搬送口と、成膜室の側壁の前記成膜位
置と搬送位置の間の高さに開口する排気口とが設けられ
た薄膜気相成長装置において、成膜位置にある基板保持
加熱手段の周囲を取り囲む略円筒状の断熱部材を有する
ことを特徴とする薄膜気相成長装置である。
は、全体がほぼ筒状の気密な成膜室に、基板を保持し加
熱する保持加熱手段と、該保持加熱手段を少なくとも成
膜位置と搬送位置の間で昇降させる昇降機構と、成膜室
の頂部より基板に向けて成膜原料ガスを噴射するガス噴
射ヘッドと、成膜室の側壁の前記搬送位置に対応する高
さに開口する基板搬送口と、成膜室の側壁の前記成膜位
置と搬送位置の間の高さに開口する排気口とが設けられ
た薄膜気相成長装置において、成膜位置にある基板保持
加熱手段の周囲を取り囲む略円筒状の断熱部材を有する
ことを特徴とする薄膜気相成長装置である。
【０００８】これにより、断熱部材が保持加熱手段から
の熱の輻射を抑制し、成膜室の内壁等が原料の分解温度
以上に加熱されるのを防止する。従って、原料がこれら
の箇所で分解して付着することが防止される。これらの
箇所に原料が凝結した場合には、所定の方法で洗浄して
これを除去し、装置の稼動を継続する。前記断熱部材
は、石英、ステンレス、セラミックス等の断熱材により
形成するのが好ましい。
の熱の輻射を抑制し、成膜室の内壁等が原料の分解温度
以上に加熱されるのを防止する。従って、原料がこれら
の箇所で分解して付着することが防止される。これらの
箇所に原料が凝結した場合には、所定の方法で洗浄して
これを除去し、装置の稼動を継続する。前記断熱部材
は、石英、ステンレス、セラミックス等の断熱材により
形成するのが好ましい。
【０００９】請求項２に記載の発明は、前記断熱部材に
は、それ自体を所定の温度に制御する温度制御手段が設
けられていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜気
相成長装置である。前記温度制御手段は、例えば、前記
断熱部材に形成された媒体流路と、外部にて所定の温度
に制御された媒体を供給する熱媒体供給手段とを有する
ように構成する。
は、それ自体を所定の温度に制御する温度制御手段が設
けられていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜気
相成長装置である。前記温度制御手段は、例えば、前記
断熱部材に形成された媒体流路と、外部にて所定の温度
に制御された媒体を供給する熱媒体供給手段とを有する
ように構成する。
【００１０】請求項３に記載の発明は、前記断熱部材
は、前記成膜室に脱着可能に設けられていることを特徴
とする請求項１に記載の薄膜気相成長装置である。請求
項４に記載の発明は、前記成膜室の外壁を所定の温度以
下に冷却する冷却手段を有することを特徴とすることを
特徴とする請求項１に記載の薄膜気相成長装置である。
前記成膜室には、排気口より下部で且つ搬送口より上部
に前記断熱部材を支持するための支持部材を設けるとよ
い。
は、前記成膜室に脱着可能に設けられていることを特徴
とする請求項１に記載の薄膜気相成長装置である。請求
項４に記載の発明は、前記成膜室の外壁を所定の温度以
下に冷却する冷却手段を有することを特徴とすることを
特徴とする請求項１に記載の薄膜気相成長装置である。
前記成膜室には、排気口より下部で且つ搬送口より上部
に前記断熱部材を支持するための支持部材を設けるとよ
い。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施の形
態を示すもので、この薄膜気相成長装置は、全体がほぼ
筒状の気密な成膜室１０に、基板Ｗを保持し加熱する基
板保持加熱手段１２と、該基板保持加熱手段１２を少な
くとも成膜位置（上限）と搬送位置（下限）の間で昇降
させる昇降機構１４と、成膜室１０の頂部より基板Ｗに
向けて成膜原料ガスを噴射するガス噴射ヘッド１６と、
成膜室１０の側壁１８の搬送位置に対応する高さに開口
する基板搬送口２０と、成膜室１０の側壁１８の成膜位
置と搬送位置の間の高さに開口する排気口２２とが設け
られて構成されている。排気口２２と基板搬送口２０は
それぞれ周方向所定の位置に１つづつが設けられてい
る。
態を示すもので、この薄膜気相成長装置は、全体がほぼ
筒状の気密な成膜室１０に、基板Ｗを保持し加熱する基
板保持加熱手段１２と、該基板保持加熱手段１２を少な
くとも成膜位置（上限）と搬送位置（下限）の間で昇降
させる昇降機構１４と、成膜室１０の頂部より基板Ｗに
向けて成膜原料ガスを噴射するガス噴射ヘッド１６と、
成膜室１０の側壁１８の搬送位置に対応する高さに開口
する基板搬送口２０と、成膜室１０の側壁１８の成膜位
置と搬送位置の間の高さに開口する排気口２２とが設け
られて構成されている。排気口２２と基板搬送口２０は
それぞれ周方向所定の位置に１つづつが設けられてい
る。
【００１２】基板保持加熱手段１２は、内部にヒータ
（加熱手段、図示略）を有する円板状のサセプタ２４
と、これを昇降機構１４に連結する支柱２６を有してい
る。サセプタ２４の基板外側の縁部にはここでの反応に
よる付着を防止する環状の防着板２８が取り付けられて
いる。ガス噴射ヘッド１６は、基板Ｗよりやや大きい円
板状で複数のノズル孔３０が均等に分散配置されたノズ
ル盤３２を有し、また、この例では内部に原料ガスと反
応ガス（例えば酸化ガス）の混合空間を有しているとと
もに、ノズル孔３０や混合空間を熱媒体により所定温度
に維持するためのジャケット（温度制御手段）３４が設
けられている。
（加熱手段、図示略）を有する円板状のサセプタ２４
と、これを昇降機構１４に連結する支柱２６を有してい
る。サセプタ２４の基板外側の縁部にはここでの反応に
よる付着を防止する環状の防着板２８が取り付けられて
いる。ガス噴射ヘッド１６は、基板Ｗよりやや大きい円
板状で複数のノズル孔３０が均等に分散配置されたノズ
ル盤３２を有し、また、この例では内部に原料ガスと反
応ガス（例えば酸化ガス）の混合空間を有しているとと
もに、ノズル孔３０や混合空間を熱媒体により所定温度
に維持するためのジャケット（温度制御手段）３４が設
けられている。
【００１３】成膜室１０は、円筒状の側壁１８と、中央
に基板昇降機構１４を取り付ける開口部が形成された底
板３６と、天板を兼ねるガス噴射ヘッド１６及び、側壁
１８とヘッドの間のテーパ部を形成するテーパブロック
３８から気密に構成され、必要箇所にはシール部材であ
るＯリング４０やベローズ４２が配され、搬送口２０に
は図示しないゲートが設けられている。この例では、側
壁１８や底板３６には温度制御手段である熱媒体流路は
形成されていない。
に基板昇降機構１４を取り付ける開口部が形成された底
板３６と、天板を兼ねるガス噴射ヘッド１６及び、側壁
１８とヘッドの間のテーパ部を形成するテーパブロック
３８から気密に構成され、必要箇所にはシール部材であ
るＯリング４０やベローズ４２が配され、搬送口２０に
は図示しないゲートが設けられている。この例では、側
壁１８や底板３６には温度制御手段である熱媒体流路は
形成されていない。
【００１４】成膜室１０には、基板保持加熱手段１２の
昇降経路を取り囲むように筒状の断熱部材４４が設けら
れている。この断熱部材は、石英、ステンレス、セラミ
ックス等の断熱材により、その下部に張り出して取り付
けられた環状板４６と一体に構成されている。そして、
成膜室１０の側壁１８内面の、排気口より下部で且つ搬
送口より上部の位置に形成された環状突起４８に載せら
れて取り付けられている。従って、頂部のシャワヘッド
１６とテーパブロック３８を取り外すことにより、これ
を持ち上げて簡単に成膜室１０からの除去や交換等が行
える。
昇降経路を取り囲むように筒状の断熱部材４４が設けら
れている。この断熱部材は、石英、ステンレス、セラミ
ックス等の断熱材により、その下部に張り出して取り付
けられた環状板４６と一体に構成されている。そして、
成膜室１０の側壁１８内面の、排気口より下部で且つ搬
送口より上部の位置に形成された環状突起４８に載せら
れて取り付けられている。従って、頂部のシャワヘッド
１６とテーパブロック３８を取り外すことにより、これ
を持ち上げて簡単に成膜室１０からの除去や交換等が行
える。
【００１５】以上のように構成した薄膜気相成長装置の
作用を説明する。サセプタ２４を、図１において２点鎖
線で示す搬送位置に置いて、これに基板搬送口２０より
基板Ｗを置き、昇降機構１４によりこれを図１を示す成
膜位置まで上昇させる。サセプタ２４により基板Ｗを成
膜温度まで昇温し、熱媒体により所定温度に維持された
シャワヘッド１６より原料ガスと反応ガスの混合ガスを
噴射する。
作用を説明する。サセプタ２４を、図１において２点鎖
線で示す搬送位置に置いて、これに基板搬送口２０より
基板Ｗを置き、昇降機構１４によりこれを図１を示す成
膜位置まで上昇させる。サセプタ２４により基板Ｗを成
膜温度まで昇温し、熱媒体により所定温度に維持された
シャワヘッド１６より原料ガスと反応ガスの混合ガスを
噴射する。
【００１６】噴射された原料ガスと反応ガスは基板Ｗ上
で反応して成膜し、反応済みガスは基板Ｗ上を放射状に
流れて成膜室１０の側壁１８と断熱部材４４により形成
された排気流路Ｐに流れ、排気口２２より排気される。
ここで、断熱部材４４及び環状板４６により反応ガスの
流路が限定され、サセプタ２４の裏側や成膜室１０下部
の昇降機構１４等には流れにくくなっているので、これ
らの箇所での付着やそれに起因する汚染等が防止され
る。
で反応して成膜し、反応済みガスは基板Ｗ上を放射状に
流れて成膜室１０の側壁１８と断熱部材４４により形成
された排気流路Ｐに流れ、排気口２２より排気される。
ここで、断熱部材４４及び環状板４６により反応ガスの
流路が限定され、サセプタ２４の裏側や成膜室１０下部
の昇降機構１４等には流れにくくなっているので、これ
らの箇所での付着やそれに起因する汚染等が防止され
る。
【００１７】成膜反応の間、断熱部材４４が保持加熱手
段１２からの熱の輻射を抑制し、成膜室１０の側壁１８
等が原料の分解温度以上に加熱されるのを防止する。従
って、原料がこれらの箇所で分解して付着することが防
止される。これらの箇所に原料が凝結した場合には、成
膜室１０の頂部のシャワヘッド１６やテーパブロック３
８を外して、所定の方法で洗浄してこれらの箇所を除去
し、装置の稼動を継続する。
段１２からの熱の輻射を抑制し、成膜室１０の側壁１８
等が原料の分解温度以上に加熱されるのを防止する。従
って、原料がこれらの箇所で分解して付着することが防
止される。これらの箇所に原料が凝結した場合には、成
膜室１０の頂部のシャワヘッド１６やテーパブロック３
８を外して、所定の方法で洗浄してこれらの箇所を除去
し、装置の稼動を継続する。
【００１８】図２に示すのは、この発明の第２の実施の
形態の薄膜気相成長装置である。この実施の形態では、
断熱部材４４を単純な筒状とし、成膜室１０の側壁１８
内面に設けた支持板５０の環状溝５２に着脱自在に取り
付けている。この実施の形態では、形状が単純・コンパ
クトになるため、断熱部材４４の製作が容易になるばか
りでなく、除去や交換も一層容易となる。特に、成膜条
件に応じて断熱部材４４の材質を変更する場合に便利で
ある。
形態の薄膜気相成長装置である。この実施の形態では、
断熱部材４４を単純な筒状とし、成膜室１０の側壁１８
内面に設けた支持板５０の環状溝５２に着脱自在に取り
付けている。この実施の形態では、形状が単純・コンパ
クトになるため、断熱部材４４の製作が容易になるばか
りでなく、除去や交換も一層容易となる。特に、成膜条
件に応じて断熱部材４４の材質を変更する場合に便利で
ある。
【００１９】図３に示すのは、この発明の他の実施の形
態であり、ここでは、断熱部材４４の内部にオイル等の
熱媒体を流通させる流路５４が形成されている。これに
は、成膜室１０の側壁１８を挿通して、外部の供給手段
より所定温度の熱媒体を供給する熱媒体供給配管５６及
び戻り配管が連通して設けられている。この実施の形態
においては、加熱保持部材から受ける輻射熱を熱媒体で
吸収するので、成膜室１０の側壁１８の温度上昇抑制機
能がより高い。
態であり、ここでは、断熱部材４４の内部にオイル等の
熱媒体を流通させる流路５４が形成されている。これに
は、成膜室１０の側壁１８を挿通して、外部の供給手段
より所定温度の熱媒体を供給する熱媒体供給配管５６及
び戻り配管が連通して設けられている。この実施の形態
においては、加熱保持部材から受ける輻射熱を熱媒体で
吸収するので、成膜室１０の側壁１８の温度上昇抑制機
能がより高い。
【００２０】図４に示すのは、この発明のさらに他の実
施の形態であり、ここでは、側壁１８や昇降フランジ６
０が保持加熱手段１２によって加熱されるのを極力防止
するために、冷却手段を構成する側壁１８のジャケット
５８及び底板３６に固定される昇降フランジ６０にもジ
ャケット５９が形成されているものである。これによ
り、断熱部材４４の遮熱機能に加え、より確実に成膜室
１０の内壁の温度を成膜反応以下に保つ機能が確保され
ている。更には、シール部品の耐久性や作業者の安全性
等の向上にも寄与している。
施の形態であり、ここでは、側壁１８や昇降フランジ６
０が保持加熱手段１２によって加熱されるのを極力防止
するために、冷却手段を構成する側壁１８のジャケット
５８及び底板３６に固定される昇降フランジ６０にもジ
ャケット５９が形成されているものである。これによ
り、断熱部材４４の遮熱機能に加え、より確実に成膜室
１０の内壁の温度を成膜反応以下に保つ機能が確保され
ている。更には、シール部品の耐久性や作業者の安全性
等の向上にも寄与している。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、断熱部材が保持加熱手段からの熱の輻射を抑制し、
成膜室の内壁等が原料の分解温度以上に加熱されるのを
防止する。従って、原料がこれらの箇所で分解して付着
することが防止され、基板上に均一で品質の高い成膜処
理を安定に行うことができる。
ば、断熱部材が保持加熱手段からの熱の輻射を抑制し、
成膜室の内壁等が原料の分解温度以上に加熱されるのを
防止する。従って、原料がこれらの箇所で分解して付着
することが防止され、基板上に均一で品質の高い成膜処
理を安定に行うことができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態の薄膜気相成長装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態の薄膜気相成長装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態の薄膜気相成長装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】本発明の第４の実施の形態の薄膜気相成長装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１０ 成膜室 １２ サセプタ（基板保持加熱手段） １４ 昇降機構 １６ ガス噴射ヘッド １８ 側壁 ２０ 基板搬送口 ２２ 排気口 ３０ 噴射ノズル ３２ ノズル盤 ４４ 断熱部材 ５９ ジャケット ６０ 昇降フランジ Ｐ 流路 Ｍ 混合空間 Ｗ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塚本 究 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 柴崎 光直 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 上山 浩幸 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 村上 武司 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内
Claims (4)
- 【請求項１】 全体がほぼ筒状の気密な成膜室に、基板
を保持し加熱する保持加熱手段と、該保持加熱手段を少
なくとも成膜位置と搬送位置の間で昇降させる昇降機構
と、成膜室の頂部より基板に向けて成膜原料ガスを噴射
するガス噴射ヘッドと、成膜室の側壁の前記搬送位置に
対応する高さに開口する基板搬送口と、成膜室の側壁の
前記成膜位置と搬送位置の間の高さに開口する排気口と
が設けられた薄膜気相成長装置において、 成膜位置にある基板保持加熱手段の周囲を取り囲む略円
筒状の断熱部材を有することを特徴とする薄膜気相成長
装置。 - 【請求項２】 前記断熱部材には、それ自体を所定の温
度に制御する温度制御手段が設けられていることを特徴
とする請求項１に記載の薄膜気相成長装置。 - 【請求項３】 前記断熱部材は、前記成膜室に脱着可能
に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の薄
膜気相成長装置。 - 【請求項４】 前記成膜室の外壁を所定の温度以下に冷
却する冷却手段を有することを特徴とすることを特徴と
する請求項１に記載の薄膜気相成長装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21133997A JP3649265B2 (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 薄膜気相成長装置 |
| US09/118,177 US6176929B1 (en) | 1997-07-22 | 1998-07-17 | Thin-film deposition apparatus |
| TW087111763A TW565627B (en) | 1997-07-22 | 1998-07-20 | Thin-film deposition apparatus |
| EP98113599A EP0909836A3 (en) | 1997-07-22 | 1998-07-21 | Thin-film deposition apparatus |
| KR1019980029197A KR100573666B1 (ko) | 1997-07-22 | 1998-07-21 | 박막증착장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21133997A JP3649265B2 (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 薄膜気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1143773A true JPH1143773A (ja) | 1999-02-16 |
| JP3649265B2 JP3649265B2 (ja) | 2005-05-18 |
Family
ID=16604332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21133997A Expired - Fee Related JP3649265B2 (ja) | 1997-07-22 | 1997-07-22 | 薄膜気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3649265B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002008995A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
| KR100425789B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2004-04-06 | 주성엔지니어링(주) | 인젝터 및 인젝터 히팅장치 |
| KR100858934B1 (ko) * | 2007-05-04 | 2008-09-17 | 주식회사 에스에프에이 | 화학 기상 증착장치 |
| JP2009074180A (ja) * | 2008-11-17 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | Ｃｖｄ処理装置及びｃｖｄ処理方法 |
| JP2016178284A (ja) * | 2015-02-09 | 2016-10-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | プラズマ処理用のデュアルゾーンヒータ |
| CN116811088A (zh) * | 2023-08-31 | 2023-09-29 | 成都永益泵业股份有限公司 | 一种碳纤维复合材料、成型工艺及泵过流部件 |
-
1997
- 1997-07-22 JP JP21133997A patent/JP3649265B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002008995A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
| KR100425789B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2004-04-06 | 주성엔지니어링(주) | 인젝터 및 인젝터 히팅장치 |
| KR100858934B1 (ko) * | 2007-05-04 | 2008-09-17 | 주식회사 에스에프에이 | 화학 기상 증착장치 |
| JP2009074180A (ja) * | 2008-11-17 | 2009-04-09 | Tokyo Electron Ltd | Ｃｖｄ処理装置及びｃｖｄ処理方法 |
| JP2016178284A (ja) * | 2015-02-09 | 2016-10-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | プラズマ処理用のデュアルゾーンヒータ |
| US10811301B2 (en) | 2015-02-09 | 2020-10-20 | Applied Materials, Inc. | Dual-zone heater for plasma processing |
| CN116811088A (zh) * | 2023-08-31 | 2023-09-29 | 成都永益泵业股份有限公司 | 一种碳纤维复合材料、成型工艺及泵过流部件 |
| CN116811088B (zh) * | 2023-08-31 | 2023-11-17 | 成都永益泵业股份有限公司 | 一种碳纤维复合材料、成型工艺及泵过流部件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3649265B2 (ja) | 2005-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100573666B1 (ko) | 박막증착장치 | |
| KR100749377B1 (ko) | 성막 장치 | |
| US12060635B2 (en) | Hard mask, substrate processing method, and substrate processing apparatus | |
| US20070095285A1 (en) | Apparatus for cyclical depositing of thin films | |
| US20090250008A1 (en) | Gas treatment apparatus | |
| JP3534940B2 (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
| WO2001099171A1 (en) | Gas supply device and treating device | |
| JP2002327274A (ja) | 成膜装置 | |
| KR20000035303A (ko) | 표면 처리 방법 및 장치 | |
| EP1156135B1 (en) | Vacuum processing apparatus | |
| KR100636036B1 (ko) | 티타늄 질화막 형성 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 | |
| JPH1143773A (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
| JPH11158632A (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
| JP2000252270A (ja) | ガス噴射ヘッド | |
| JPH08325736A (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
| US12431384B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| JP4782761B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JP7592571B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理システム | |
| JP4777173B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH1187326A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH1136077A (ja) | 基板保持部材及びそれを用いた薄膜気相成長装置 | |
| JPH10125670A (ja) | 薄膜気相成長装置 | |
| JP2001262354A (ja) | 成膜装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041102 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041116 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050112 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050208 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20050208 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |