JPH1144708A - コンタクトプローブおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高硬度が得られるとともに折曲および繰り返
しの使用に対応できる靱性を備え、屈曲部分の亀裂等を
抑制し、かつ導電性が良く高周波特性に優れたコンタク
トプローブを提供する。 【解決手段】 複数のパターン配線３がフィルム２上に
形成されこれらのパターン配線３の各先端が前記フィル
ム２から突出状態に配されてコンタクトピン３ａとされ
るコンタクトプローブ１であって、少なくとも前記コン
タクトピン３ａは、マンガンを０．０５重量％以上含有
するニッケル−マンガン合金からなる第１の金属層ＮＭ
と、該第１の金属層ＮＭより靱性および導電性の高い第
２の金属層ＡＵとを具備してなり、該コンタクトピン３
ａの途中位置Ｖにて前記第２の金属層ＡＵ側を外側にし
て折曲されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プローブピンやソ
ケットピン等として用いられ、プローブカードやテスト
用ソケット等に組み込まれて半導体ＩＣチップや液晶デ
バイス等の各端子に接触して電気的なテストを行うコン
タクトプローブおよびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ＩＣチップやＬＳＩチップ等の
半導体チップ又はＬＣＤ（液晶表示体）の各端子に接触
させて電気的なテストを行うために、コンタクトピンが
用いられている。近年、ＩＣチップ等の高集積化および
微細化に伴って電極であるコンタクトパッドが狭ピッチ
化されるとともに、コンタクトピンの多ピン狭ピッチ化
が要望されている。しかしながら、コンタクトピンとし
て用いられていたタングステン針のコンタクトプローブ
では、タングステン針の径の限界から多ピン狭ピッチへ
の対応が困難になっていた。

【０００３】これに対して、例えば、特公平７−８２０
２７号公報に、複数のパターン配線が樹脂フィルム上に
形成されこれらのパターン配線の各先端が前記樹脂フィ
ルムから突出状態に配されてコンタクトピンとされるコ
ンタクトプローブの技術が提案されている。この技術例
では、複数のパターン配線の先端部をコンタクトピンと
することによって、多ピン狭ピッチ化を図るとともに、
複雑な多数の部品を不要とするものである。

【０００４】上記のコンタクトプローブでは、テスト時
において、所望の接触圧を得るためにコンタクトピンの
押し付け量を増減させているが、大きな接触圧を得るた
めには大きな押し付け量が必要となる。しかしながら、
上記のコンタクトプローブは、パターン配線の先端部、
すなわちコンタクトピンがＮｉ（ニッケル）で形成され
ているため、硬度がＨｖ３００程度しか得られず、硬度
が低いために過度の接触圧が加わることによりコンタク
トピンが湾曲・変形してしまうため、押し付け量に限界
があり大きな接触圧が得られなかった。この結果、電気
的測定に十分な接触圧が得られず、接触不良を起こす原
因となっていた。

【０００５】この対策として、Ｎｉをメッキ処理で形成
する際に、サッカリン等の添加剤を投入する手段があ
り、この場合、常温でＨｖ３５０以上の硬度を維持する
ことが可能であるが、サッカリン等の添加剤にはＳ（硫
黄）が含まれているために高温加熱、例えば３００℃で
加熱すると、硬度がＨｖ２００以下にまで急激に低下し
てしまう不都合が生じる。このため、上記のコンタクト
プローブを、高温下に置くことがある場合、特に、バー
ンインテスト用チップキャリア等に用いることができな
かった。

【０００６】そこで、硬度を向上させしかも耐熱性も兼
ね備え、高温加熱後でも高硬度を安定して維持すること
ができるニッケル−マンガン（Ｎｉ−Ｍｎ）合金製のコ
ンタクトプローブが提案されている。

【０００７】ところで、Ａｌ（アルミニウム）合金等で
形成されるＩＣチップ等の各端子（パッド）は、その表
面が空気中で酸化して、薄いアルミニウムの表面酸化膜
で覆われた状態となっている。したがって、パッドの電
気的テストを行うには、アルミニウムの表面酸化膜を剥
離させ、内部のアルミニウムを露出させて、導電性を確
保する必要がある。

【０００８】そこで、上記コンタクトプローブにおいて
は、コンタクトピンをパッドの表面に接触させつつ、オ
ーバードライブをかける（コンタクトピンがパッドに接
触してからさらに下方に向けて引き下げる）ことによ
り、コンタクトピンの先端でパッド表面のアルミニウム
の表面酸化膜を擦り取り、内部のアルミニウムを露出さ
せるようにしている。上述した作業は、スクラブ(scru
b)と呼ばれ、電気的テストを確実に行う上で重要とされ
る。

【０００９】上記コンタクトピンにおいて、スクラブ時
にパッドの下地が傷つくのを防止するためには、コンタ
クトピンのパッドに対する接触角を十分な大きさまで確
保することが必要とされる。その理由は、接触角が小さ
いと、表面のアルミニウムの排斥量が著しく大きくな
り、パッド下地にまで影響を及ぼすからである。

【００１０】この対策として、図２７に示すように、コ
ンタクトピン６００の途中位置Ｖにて折曲させたコンタ
クトプローブ６０１が提案されている。このコンタクト
プローブ６０１では、コンタクトピン６００の先端部と
基端部とで測定対象物（パッド）に対する角度を変える
ことができ、コンタクトピン６００の基端部のパッドに
対する角度、すなわち、フィルム６０２のパッドに対す
る角度を大きくすることなく、コンタクトピン６００の
先端部とパッドの角度（接触角）を大きくすることが可
能となる。すなわち、このコンタクトプローブ６０１で
は、スクラブ距離が過度に大きくなることがなく、か
つ、プローブ装置の高さを大きくすることなく、スクラ
ブ時にパッドの下地が傷つくことを防止することができ
るという利点がある。

【００１１】上記折曲されたコンタクトピン６００を有
するコンタクトプローブ６０１は、上述したＮｉ−Ｍｎ
合金製のコンタクトピンを採用した場合に、図２７に示
すように、該コンタクトピン６００をその途中位置Ｖに
て折曲して作製すると、屈曲部分の外側に亀裂や破断等
が生じる場合があった。また、折曲時に亀裂等が生じて
いなくても、繰り返しの使用により屈曲部分の外側に亀
裂等が発生するおそれがあった。この理由は、上記Ｎｉ
−Ｍｎ合金製のコンタクトプローブにおいて、硬度を向
上させるためにＭｎを一定濃度以上含有させなければな
らないが、この場合にコンタクトピンにおける靱性が低
下してしまい、折曲時に屈曲部分の外側が最も伸ばされ
るために亀裂等が生じてしまうためである。

【００１２】そこで、屈曲部分の外側にＭｎ濃度の低い
Ｎｉ−Ｍｎ合金層を設けるとともに、屈曲部分の内側に
Ｍｎ濃度の高いＮｉ−Ｍｎ合金層を設けることで、屈曲
部分の外側の亀裂等を防ぐことが考えられる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように、屈曲部分の外側においてＭｎ濃度を０．０３重
量％程度まで下げても伸びが３〜５％程度しか得られ
ず、靱性が十分とはいえないため、屈曲部分の外側に生
じる亀裂等を防止することができなかった。

【００１４】また、狭ピッチ化が進むに連れてコンタク
トピンの線幅が小さくなると、直流抵抗が大きくなるた
め、コンタクトピンの材質としては導電性の高いものが
要求される。Ｎｉ−Ｍｎ合金では、抵抗が大きいため伝
送線路としては損失が大きく、信号が劣化するという問
題があった。

【００１５】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、高硬度が得られるとともに折曲および繰り返しの
使用に対応できる靱性を備え、屈曲部分の亀裂等を抑制
し、かつ導電性が良く高周波特性に優れたコンタクトプ
ローブおよびその製造方法を提供することを目的とす
る。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
１記載のコンタクトプローブでは、複数のパターン配線
がフィルム上に形成されこれらのパターン配線の各先端
が前記フィルムから突出状態に配されてコンタクトピン
とされるコンタクトプローブであって、少なくとも前記
コンタクトピンは、マンガンを０．０５重量％以上含有
するニッケル−マンガン合金からなる第１の金属層と、
該第１の金属層より靱性および導電性の高い第２の金属
層とを具備してなり、該コンタクトピンの途中位置にて
前記第２の金属層側を外側にして折曲されている技術が
採用される。

【００１７】このコンタクトプローブでは、測定対象物
に対して接触する第１の金属層がマンガン濃度０．０５
重量％以上のＮｉ−Ｍｎ合金であるので、常温および高
温加熱後、すなわち５００℃で加熱した後でもＨｖ３５
０以上の高硬度が得られる。さらに、第１の金属層より
靱性の高い第２の金属層を外側にして折曲されているの
で、第１の金属層単層で形成された場合に比べて屈曲部
分の外側の靱性が高くなり、折曲時および繰り返しの使
用においても屈曲部分の外側の亀裂等の発生が抑制され
る。また、コンタクトピンは、第１の金属層よりも導電
率の高い第２の金属層を備えているため、第１の金属層
単層で形成された場合に比べて損失の少ない伝送線路を
形成でき、信号劣化を抑えることができる。ここで、前
記マンガン濃度が０．０５重量％以上のＮｉ−Ｍｎ合金
より靱性および導電性の高い第２の金属層としては、例
えば、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）およびその
合金が考えられる。なお、上記第１、第２の金属層を、
例えば、メッキ技術により作製すれば、メッキ液を変更
するだけで容易に厚さ方向に複数層形成することがで
き、各金属層をそれぞれ別体に形成した後に両者を接合
（クラッド）するものよりも作製が容易である。

【００１８】請求項２記載のコンタクトプローブでは、
複数のパターン配線がフィルム上に形成されこれらのパ
ターン配線の各先端が前記フィルムから突出状態に配さ
れてコンタクトピンとされるコンタクトプローブであっ
て、少なくとも前記コンタクトピンは、マンガンを０．
０５重量％以上含有するニッケル−マンガン合金からな
る第１の金属層と、厚さ方向において前記第１の金属層
の上下にそれぞれ設けられる前記第１の金属層より靱性
および導電性の高い第２の金属層とを具備してなり、該
コンタクトピンの途中位置にて折曲されている技術が採
用される。

【００１９】このコンタクトプローブでは、第２の金属
層が厚さ方向において前記第１の金属層の上下にそれぞ
れ設けられて、該第１の金属層の上下両表層が第２の金
属層となるため、請求項１記載のコンタクトプローブに
比べて一層信号劣化を抑えることができる。すなわち、
一般に、高周波信号は、コンタクトピンにおいて表面近
傍を流れる（表皮効果）ため、前記第１の金属層の上下
両方の表層を導電性の高い第２の金属層で形成すれば、
高周波特性が向上する。なお、本コンタクトプローブに
おいて、前記第１の金属層の上下にそれぞれ設けられる
二つの第２の金属層は、共に前記第１の金属層よりも靱
性および導電性が高いものであれば、それぞれが異なる
材質であってもよい。

【００２０】請求項３記載のコンタクトプローブでは、
複数のパターン配線がフィルム上に形成されこれらのパ
ターン配線の各先端が前記フィルムから突出状態に配さ
れてコンタクトピンとされるコンタクトプローブであっ
て、少なくとも前記コンタクトピンは、マンガンを０．
０５重量％以上含有するニッケル−マンガン合金からな
る第１の金属層と、該第１の金属層の周囲を覆った状態
に設けられる該第１の金属層より靱性および導電性の高
い第２の金属層とを具備してなり、該コンタクトピンの
途中位置にて折曲されている技術が採用される。

【００２１】このコンタクトプローブでは、第２の金属
層が第１の金属層の周囲を覆った状態に設けられ、コン
タクトピンの表面全体が導電性の高い材質となるため、
請求項２記載のコンタクトプローブに比べて一層、高周
波特性に優れる。

【００２２】請求項４記載のコンタクトプローブでは、
複数のパターン配線がフィルム上に形成されこれらのパ
ターン配線の各先端が前記フィルムから突出状態に配さ
れてコンタクトピンとされるコンタクトプローブであっ
て、少なくとも前記コンタクトピンは、マンガンを０．
０５重量％以上含有するニッケル−マンガン合金からな
る第１の金属層と、厚さ方向において前記第１の金属層
の上下にそれぞれ設けられる前記第１の金属層より靱性
および導電性の高い第２の金属層とを具備して、該コン
タクトピンの途中位置にて前記厚さ方向の測定対象物側
に向けて折曲されてなり、前記第１の金属層の前記厚さ
方向において測定対象物側に設けられる前記第２の金属
層の先端部には、該第２の金属層の厚さの薄い薄肉層部
が設けられている技術が採用される。

【００２３】このコンタクトプローブでは、コンタクト
ピンは、該コンタクトピンの途中位置にて前記厚さ方向
の測定対象物側に向けて折曲され、前記第１の金属層の
前記厚さ方向において測定対象物側に設けられる前記第
２の金属層の先端部には、該第２の金属層の厚さの薄い
薄肉層部が設けられているため、該薄肉層部は、コンタ
クトピンにおける測定対象物に対する接触部に相当する
位置に配設される。そして、厚さが薄く形成されている
ことから、何回かの使用により、前記薄肉層部が削り取
られ、その内部の前記第１の金属層が露出する。これに
より、コンタクトピンは、測定対象物に対して、前記第
１の金属層で接触することとなり、高温加熱後でも高硬
度を安定して維持できることから、大きな接触圧に対応
することができる。また、本コンタクトプローブでは、
測定対象物側に向けて折曲されるコンタクトピンの先端
部測定対象物側に設けられる前記薄肉層部は、測定対象
物の接触面に対して斜めから接触するため、接触圧が高
く特に比較的少ない回数の使用により前記第１の金属層
が露出し易く、または、コンタクトピンの最先端部にお
いては当初から前記第１の金属層が若干露出した状態と
なっている。したがって、作製直後から大きな接触圧に
対応でき、安定したコンタクトを得ることができる。な
お、本コンタクトプローブのコンタクトピンは、三層か
らなり表面の導電性が高く、優れた高周波特性が得られ
ると同時に、測定対象物に対する接触部の硬度が高く、
高い接触圧に対応することができ、上記二つの要請を両
立できる。

【００２４】請求項５記載のコンタクトプローブでは、
請求項１から４のいずれかに記載のコンタクトプローブ
において、前記第１の金属層は、マンガン濃度が１．５
重量％以下に設定されている技術が採用される。

【００２５】このコンタクトプローブでは、Ｍｎ濃度が
１．５重量％を越えると、コンタクトピンの応力が増大
してしまい湾曲するおそれがあるとともに、非常に脆く
靱性が大幅に低下してしまう。したがって、上記範囲内
に第１の金属層のＭｎ濃度を設定することにより、屈曲
部分の内側に位置する第１の金属層自体にもコンタクト
プローブとして適度な靱性および硬度が与えられる。

【００２６】請求項６記載のコンタクトプローブでは、
請求項１から５のいずれかに記載のコンタクトプローブ
において、前記フィルムには、金属フィルムが直接張り
付けられて設けられている技術が採用される。

【００２７】このコンタクトプローブでは、前記フィル
ムが、例えば水分を吸収して伸張し易い樹脂フィルム等
であっても、該フィルムには、金属フィルムが直接張り
付けられて設けられているため、該金属フィルムによっ
て前記フィルムの伸びが抑制される。すなわち、各コン
タクトピンの間隔にずれが生じ難くなり、先端部が測定
対象物に正確かつ高精度に当接させられる。したがっ
て、測定対象物であるＩＣチップやＬＣＤ等の端子以外
の場所に、高硬度の第１の金属層で形成された先端部が
当接することによって生じる損傷等を防ぐことができ
る。

【００２８】さらに、該金属フィルムは、グラウンドと
して用いることができ、それにより、コンタクトプロー
ブの先端近くまでインピーダンスマッチングをとる設計
が可能となり、高周波域でのテストを行う場合にも反射
雑音による悪影響を防ぐことができる。すなわち、プロ
ーバーと呼ばれるテスターからの伝送線路の途中で基板
配線側とコンタクトピンとの間の特性インピーダンスが
合わないと反射雑音が生じ、その場合、特性インピーダ
ンスの異なる伝送線路が長ければ長いほど大きな反射雑
音が生じるという問題がある。反射雑音は信号歪とな
り、高周波になると誤動作の原因になり易い。本コンタ
クトプローブでは、前記金属フィルムをグラウンドとし
て用いることにより、コンタクトピン先の近くまで基板
配線側との特性インピーダンスのずれを最小限に抑える
ことができ、反射雑音による信号の劣化を抑えることが
できる。

【００２９】請求項７記載のコンタクトプローブの製造
方法では、フィルム上に複数のパターン配線を形成しこ
れらのパターン配線の各先端を前記フィルムから突出状
態に配してコンタクトピンとするコンタクトプローブの
製造方法であって、基板層の上に前記コンタクトピンの
材質に被着または結合する材質の第３の金属層を形成す
る第３の金属層形成工程と、前記第３の金属層の上にマ
スクを施してマスクされていない部分に、前記コンタク
トピンに供される第１の金属層および２の金属層をメッ
キ処理により厚さ方向複数層状に形成するメッキ処理工
程と、前記マスクを取り除いた第１の金属層および第２
の金属層の上に前記コンタクトピンに供される部分以外
をカバーする前記フィルムを被着するフィルム被着工程
と、前記フィルムと第１の金属層および第２の金属層と
からなる部分と、前記基板層と第３の金属層とからなる
部分とを分離する分離工程と、前記コンタクトピンを、
その途中位置で折曲させるコンタクトピン折曲工程とを
備えてなり、前記メッキ処理工程は、マンガン濃度が
０．０５重量％以上に設定されたニッケル−マンガン合
金からなる第１の金属層を形成する第１の金属層形成工
程と、前記第１の金属層より靱性および導電性の高い第
２の金属層を形成する第２の金属層形成工程とを備え、
前記コンタクトピン折曲工程は、前記第２の金属層側を
外側にして折曲する技術が採用される。

【００３０】このコンタクトプローブの製造方法では、
第１の金属層形成工程と第２の金属層形成工程によって
第１の金属層および第２の金属層の二層構造が形成さ
れ、コンタクトピン折曲工程で第１の金属層よりも靱性
が高い第２の金属層側を外側にして折曲させるので、折
曲時に最も伸ばされる屈曲部分の外側が高靱性層となる
ことから、折曲による応力が緩和されるとともに亀裂等
の発生が抑制される。さらに、上記第１、第２の金属層
は、メッキにより作製されるので、メッキ液を変更する
だけで容易に厚さ方向に二層構造を形成することがで
き、単体の金属層をそれぞれ別体に形成した後に両者を
接合（クラッド）したものよりも作製が容易である。

【００３１】請求項８記載のコンタクトプローブの製造
方法では、フィルム上に複数のパターン配線を形成しこ
れらのパターン配線の各先端を前記フィルムから突出状
態に配してコンタクトピンとするコンタクトプローブの
製造方法であって、基板層の上に前記コンタクトピンの
材質に被着または結合する材質の第３の金属層を形成す
る第３の金属層形成工程と、前記第３の金属層の上にマ
スクを施してマスクされていない部分に、前記コンタク
トピンに供される第１の金属層および２の金属層をメッ
キ処理により厚さ方向複数層状に形成するメッキ処理工
程と、前記マスクを取り除いた第１の金属層および第２
の金属層の上に前記コンタクトピンに供される部分以外
をカバーする前記フィルムを被着するフィルム被着工程
と、前記フィルムと第１の金属層および第２の金属層と
からなる部分と、前記基板層と第３の金属層とからなる
部分とを分離する分離工程と、前記コンタクトピンを、
その途中位置で折曲させるコンタクトピン折曲工程とを
備えてなり、前記メッキ処理工程は、マンガン濃度が
０．０５重量％以上に設定されたニッケル−マンガン合
金からなる第１の金属層を形成する第１の金属層形成工
程と、前記第１の金属層より靱性および導電性の高い第
２の金属層を形成する第２の金属層形成工程とを備えて
なり、前記第２の金属層形成工程は、前記第１の金属層
形成工程よりも先または後のいずれか一方に行われ前記
マスクされていない部分の先端部に相当する位置の前記
マスク上に遮蔽板を設置した状態で該第２の金属層を構
成するメッキ浴に浸して該先端部に薄肉層部を形成する
第２の金属層形成第１工程と、前記第１の金属層形成工
程の先または後のいずれか他方に行われる第２の金属層
形成第２工程とを備え、前記コンタクトピン折曲工程
は、前記第２の金属層形成第１工程にて形成した第２の
金属層側を内側にして折曲する技術が採用される。な
お、本発明において、前記遮蔽板は、マスク上に直接設
ける場合に限定されるものではない。すなわち、遮蔽板
の大きさや形状等によっては、マスク上に直接設ける
と、該マスクの陰になる部分に電流が流れず、メッキさ
れないことがあるが、その場合には、遮蔽板をマスクか
ら数ｍｍ程度空けて設置すればよい。

【００３２】このコンタクトプローブの製造方法では、
第２の金属層形成第１工程において、前記マスクされて
いない部分の先端部に相当する位置のマスク上に遮蔽板
を設置した状態でメッキすると、遮蔽板のすぐ背後は、
イオン流に対して陰になるため、この部分に達するイオ
ンが減り、メッキ付着量が抑制され、該遮蔽板の下方の
メッキ膜厚が局部的に薄くなる。特に、本コンタクトプ
ローブの製造方法では、遮蔽板を設置する場所が、前記
マスクされていない部分の先端部であることから、該遮
蔽板の下方は、一層、電流が流れ難くなり、メッキ膜厚
がさらに薄くなるか、若しくは殆どメッキされない状態
となる。この工程により、コンタクトピンの先端部測定
対象物側に、第２の金属層の厚さの薄い薄肉層部が形成
される。本工程では、遮蔽板を設置するだけであるの
で、容易に薄肉層部を形成することができる。前記第２
の金属層形成第１工程を第１の金属層形成工程よりも先
に行う場合、その後の第１の金属層形成工程では、前記
遮蔽板を除いた状態で通常通りのメッキ処理を行う。こ
こで、第１の金属層を形成するメッキ液は、前記第２の
金属層形成第１工程で形成された第２の金属層の上部に
流入するが、この場合、前記第１の金属層を形成するメ
ッキ液は、均一の高さとなることから、前記薄肉層部の
上部においては、その第２の金属層の厚さの薄い分だ
け、第１の金属層を形成するメッキ液の厚さは厚くな
る。そして、前記第１の金属層形成工程の次に、第２の
金属層形成第２工程を行う。すなわち、第１の金属層の
上部を、第２の金属層を形成するメッキ浴に浸し、通常
通りのメッキ処理を行う。一方、前記第２の金属層形成
第１工程を第１の金属層形成工程よりも後に行う場合に
は、前記第２の金属層形成第２工程、第１の金属層形成
工程の順に通常通りのメッキ処理を行ってそれぞれ均一
の膜厚を形成した後に、該第２の金属層第１工程にて前
記遮蔽板を用いることにより先端部に薄肉層部を形成す
る。なお、本コンタクトプローブの製造方法において
も、前記第２の金属層形成第１工程および第２の金属層
形成第２工程にてそれぞれ形成される二つの第２の金属
層は、共に前記第１の金属層よりも靱性および導電性が
高いものであれば、それぞれが異なる材質であってもよ
い。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るコンタクトプ
ローブの第１実施形態を図１から図６を参照しながら説
明する。これらの図にあって、符号１はコンタクトプロ
ーブ、２は樹脂フィルム、３はパターン配線を示してい
る。

【００３４】本実施形態のコンタクトプローブ１は、図
１および図２に示すように、ポリイミド樹脂フィルム２
の片面に金属で形成されるパターン配線３を有する構造
となっており、前記樹脂フィルム２の中央開口部Ｋに、
前記樹脂フィルム２の端部（すなわち、中央開口部Ｋの
各辺）から前記パターン配線３の先端部が突出してコン
タクトピン３ａとされている。また、パターン配線３の
後端部には、テスター側のコンタクトピンが接触される
接触端子３ｂが形成されている。

【００３５】前記パターン配線３は、その厚さ方向にお
いて、Ｎｉ−Ｍｎ合金からなる第１の金属層ＮＭと、Ａ
ｕ（金）からなる第２の金属層ＡＵの二層構造とされて
いる。前記第１の金属層ＮＭは、Ｍｎ濃度が０．０５重
量％から１．５重量％の範囲内に設定されている。

【００３６】前記コンタクトピン３ａは、図２に示すよ
うに、その先端から所定長さの途中位置Ｖにて樹脂フィ
ルム２側に向けて、第２の金属層ＡＵを外側に、第１の
金属層ＮＭを内側にして折曲されている。

【００３７】次に、図３を参照して、前記コンタクトプ
ローブ１の作製工程について工程順に説明する。

【００３８】〔ベースメタル層形成工程（第３の金属層
形成工程）〕まず、図３の（ａ）に示すように、ステン
レス製の支持金属板５の上に、Ｃｕ（銅）メッキにより
ベースメタル層（第３の金属層）６を形成する。

【００３９】〔パターン形成工程〕このベースメタル層
６の上にフォトレジスト層７を形成した後、図３の
（ｂ）に示すように、写真製版技術により、フォトレジ
スト層７に所定のパターンのフォトマスク８を施して露
光し、図３の（ｃ）に示すように、フォトレジスト層７
を現像して前記パターン配線３となる部分を除去して残
存するフォトレジスト層（マスク）７に開口部７ａを形
成する。

【００４０】なお、本実施形態においては、フォトレジ
スト層７をネガ型フォトレジストによって形成している
が、ポジ型フォトレジストを採用して所望の開口部７ａ
を形成しても構わない。また、本実施形態においては、
前記フォトレジスト層７が、本願請求項にいう「マス
ク」に相当する。但し、本願請求項の「マスク」とは、
本実施形態のフォトレジスト層７のように、フォトマス
ク８を用いた露光・現像工程を経て開口部７ａが形成さ
れるものに限定されるわけではない。例えば、メッキ処
理される箇所に予め孔が形成された（すなわち、予め、
図３の（ｃ）の符号７で示す状態に形成されている）フ
ィルム等でもよい。本願発明において、このようなフィ
ルム等を「マスク」として用いる場合には、本実施形態
におけるパターン形成工程は不要である。

【００４１】〔メッキ処理工程〕そして、図３の（ｄ）
に示すように、前記開口部７ａに、前記パターン配線３
となる第１の金属層ＮＭおよび第２の金属層ＡＵを、そ
れぞれ「第１の金属層形成工程」および「第２の金属層
形成工程」に分けて電解メッキ処理により形成する。

【００４２】＜第２の金属層形成工程＞まず、第１の金
属層ＮＭよりも高靱性かつ高導電層となるＡｕ（金）か
らなる第２の金属層ＡＵをベースメタル層６の上にメッ
キ形成する。

【００４３】＜第１の金属層形成工程＞さらに、前記第
２の金属層ＡＵ上に、Ｍｎ濃度が０．０５重量％から
１．５重量％の範囲内の高硬度層であるニッケル−マン
ガン合金層（第１の金属層）ＮＭをメッキ形成して積層
する。このとき、Ｍｎを含有させるためにメッキ液の組
成の例として、スルファミン酸Ｎｉ浴にスルファミン酸
Ｍｎを添加したものを用い、メッキ液中のＭｎ量および
メッキする際の電流密度を制御して、上記のＭｎ濃度に
設定する。なお、第２の金属層ＡＵおよび第１の金属層
ＮＭの厚さは、測定周波数の高さ、折曲させる位置およ
び角度等によって適宜設定されるが、例えば、厚さ数十
μｍの第１の金属層ＮＭに対して、第２の金属層ＡＵの
厚さは数μｍから十数μｍ程度の範囲内に設定される。

【００４４】上記メッキ処理の後、図３の（ｅ）に示す
ように、フォトレジスト層７を除去する。

【００４５】〔フィルム被着工程〕次に、図３の（ｆ）
に示すように、前記第１の金属層ＮＭの上であって、図
に示した前記パターン配線３の先端部、すなわちコンタ
クトピン３ａとなる部分以外に、前記樹脂フィルム２を
接着剤２ａにより接着する。この樹脂フィルム２は、ポ
リイミド樹脂ＰＩに金属フィルム（銅箔）５００が一体
に設けられた二層テープである。このフィルム被着工程
の前までに、二層テープのうちの金属フィルム５００
に、写真製版技術を用いた銅エッチングを施して、グラ
ウンド面を形成しておき、このフィルム被着工程では、
二層テープのうちのポリイミド樹脂ＰＩを接着剤２ａを
介して前記第１の金属層ＮＭに被着させる。なお、金属
フィルム５００は、銅箔に加えて、Ｎｉ、Ｎｉ合金等で
もよい。

【００４６】〔分離工程〕そして、図３の（ｇ）に示す
ように、樹脂フィルム２とパターン配線３とベースメタ
ル層６とからなる部分を、支持金属板５から分離させた
後、Ｃｕエッチングを経て、樹脂フィルム２にパターン
配線３のみを接着させた状態とする。

【００４７】〔金コーティング工程〕そして、露出状態
のパターン配線３に、図３の（ｈ）に示すように、Ａｕ
（金）メッキを施し、表面にＡｕ層Ｂを形成する。この
とき、樹脂フィルム２から突出状態とされた前記コンタ
クトピン３ａでは、全周に亙る表面全体にＡｕ層Ｂが形
成される。なお、このＡｕ層Ｂは、前記第２の金属層Ａ
Ｕと比べて厚みが薄く、本発明においては必ずしも必要
とされない。

【００４８】〔コンタクトピン折曲工程〕上記工程後、
精密金型を用いて前記第２の金属層ＡＵ側が外側になる
ように前記コンタクトピン３ａを一括して折り曲げ、図
２に示すように、所定の角度を有するコンタクトピン３
ａを形成する。

【００４９】〔コンタクトピン研磨工程〕コンタクトピ
ン３ａを折曲した結果、コンタクトピン３ａの長さ（高
さ）に不揃いが生じる場合には、研磨により均一化を図
る。研磨方法としては、コンタクトピン３ａを固定した
状態で、該コンタクトピン３ａの折曲された先端部にサ
ンドペーパーを当接させ、その状態でサンドペーパーを
回転させることにより行う。

【００５０】以上の工程により、図１および図２に示す
ような、樹脂フィルム２にパターン配線３を接着させた
コンタクトプローブ１が作製される。

【００５１】このコンタクトプローブ１の製造方法で
は、高硬度層形成工程（第１の金属層形成工程）および
高靱性かつ高導電層形成工程（第２の金属層形成工程）
によって第１の金属層ＮＭおよび第２の金属層ＡＵの二
層構造が形成され、コンタクトピン折曲工程で第１の金
属層ＮＭより靱性が高い第２の金属層ＡＵ側を外側にし
て折曲させるので、折曲時に最も伸ばされる屈曲部分の
外側が高靱性層となることから、折曲による応力が緩和
されるとともに亀裂等の発生が抑制される。

【００５２】また、コンタクトピン３ａは、Ｍｎ濃度が
１．５重量％を越えると、コンタクトピン３ａの応力が
増大してしまい湾曲するおそれがあるとともに、非常に
脆く靱性が低下してしまうため、上記範囲内に第１の金
属層ＮＭのＭｎ濃度を設定することにより、第２の金属
層ＡＵのみで靱性を維持するだけでなく、第１の金属層
ＮＭ自体にもコンタクトプローブとして適度な靱性およ
び硬度が与えられる。

【００５３】このコンタクトプローブ１では、コンタク
トピン３ａは、第１の金属層ＮＭよりも導電性の高い第
２の金属層ＡＵを備えているため、第１の金属層ＮＭ単
層で形成された場合に比べて伝送線路における損失を小
さくすることができ、高周波域でテストする場合に信号
の劣化を抑えることができる。

【００５４】また、上記第１、第２の金属層ＮＭ、ＡＵ
は、メッキ技術により作製しているため、メッキ液を変
更するだけで容易に厚さ方向に複数層形成することがで
き、各金属層をそれぞれ別体に形成した後に両者を接合
（クラッド）するものよりも作製が容易であるという利
点がある。

【００５５】次に、前記コンタクトプローブ１を、バー
ンインテスト等に用いるプローブ装置、いわゆるチップ
キャリアに適用した場合の一例を、図４から図６を参照
して説明する。これらの図において、符号１０はプロー
ブ装置、１１はフレーム本体、１２は位置決め板、１３
は上板、１４はクランパ、１５は下板を示している。な
お、本発明に係るコンタクトプローブは、全体が柔軟で
曲げやすいためプローブ装置に組み込む際にフレキシブ
ル基板として機能する。

【００５６】プローブ装置１０は、図４および図５に示
すように、フレーム本体１１と、フレーム本体の内側に
固定され中央に開口部が形成された位置決め板１２と、
コンタクトプローブ１と、該コンタクトプローブ１を上
から押さえて支持する上板１３と、該上板１３を上から
付勢してフレーム本体１１に固定するクランパ１４とを
備えている。また、フレーム本体１１の下部には、ＩＣ
チップＩを載置して保持する下板１５がボルト１５ａに
よって取り付けられている。

【００５７】コンタクトプローブ１の中央開口部Ｋおよ
びコンタクトピン３ａは、ＩＣチップＩの形状およびＩ
ＣチップＩ上のコンタクトパッドの配置に対応して形成
され、中央開口部Ｋからコンタクトピン３ａとＩＣチッ
プＩのコンタクトパッドとの接触状態を監視できるよう
になっている。なお、前記中央開口部Ｋの隅部に切込み
を形成して、組み込み時に容易にコンタクトプローブ１
が変形できるようにしても構わない。

【００５８】また、コンタクトプローブ１の接触端子３
ｂは、コンタクトピン３ａのピッチに比べて広く設定さ
れ、狭ピッチであるＩＣチップＩのコンタクトパッドと
該コンタクトパッドに比べて広いピッチのテスター側コ
ンタクトピンとの整合が容易に取れるようになってい
る。

【００５９】なお、ＩＣチップＩの４辺全てにはコンタ
クトパッドが形成されておらず、一部の辺に配されてい
る場合には、少なくとも前記一部の辺に対応する中央開
口部Ｋの辺にのみコンタクトピン３ａを設ければよい
が、ＩＣチップＩを安定して保持するためには、対向す
る２辺にコンタクトピン３ａを形成してＩＣチップＩの
対向する両辺を押さえることが好ましい。

【００６０】上記プローブ装置１０にＩＣチップＩを取
り付ける手順について説明する。 〔仮組立工程〕まず、位置決め板１２をフレーム本体１
１の取付部上に載置し、この上にコンタクトプローブ１
を中央開口部Ｋとフレーム本体１１の開口部とを合わせ
て配置する。そして、中央開口部Ｋ上に同様に開口部を
合わせて上板１３を載置し、その上からフレーム本体１
１にクランパ１４を係止させる。該クランパ１４は、中
央に屈曲部を有する一種の板バネであるため、上記係止
状態で上板１３を押さえて固定する機能を有する。

【００６１】上記組立状態では、中央に開口が設けら
れ、この部分にＩＣチップＩが取り付けられるので、取
り付けられたＩＣチップＩが開口上方から観察可能とさ
れている。また、上板１３とクランパ１４とは平面上略
長方形に形成され、コンタクトプローブ１の接触端子３
ｂが、それぞれの長辺側から外側に出るように組立され
る。

【００６２】上板１３の下面は、開口近傍が所定の傾斜
角で傾斜状態とされ、図６に示すように、コンタクトプ
ローブ１のコンタクトピン３ａを所定角度で下向きに傾
斜させる。ＩＣチップＩは、配線側を上向きにして下板
１５上に載置され、この状態で下板１５がフレーム本体
１１に下方から仮止め状態とされる。このとき、コンタ
クトプローブ１のコンタクトピン３ａ先端と下板１５上
面との距離がＩＣチップＩの厚さより所定量小さく設定
されているので、ＩＣチップＩはコンタクトピン３ａと
下板１５とによって挟持される。

【００６３】〔位置合わせ工程〕さらに、開口上方から
コンタクトピン３ａの先端に対するＩＣチップＩのコン
タクトパッドの位置を観察しながら、位置決め板１２を
動かしたりＩＣチップＩを針状治具等で動かすことによ
って調整し、対応するコンタクトピン３ａ先端とコンタ
クトパッドとが一致し接触するように微調整設定する。

【００６４】なお、ＩＣチップＩのダイシング精度が高
く、その外形とコンタクトパッドの位置が相対的に安定
しているときには、位置決め板１２とコンタクトプロー
ブ１との位置関係を予め調整しておいてから固定的に組
み立てておくことにより、上記微調整をせずにコンタク
トピン３ａとコンタクトパッドとを一致させることが可
能となる。これによって、ＩＣチップＩの位置合わせ工
程が不要となり、ＩＣチップＩの取り付け作業が効率的
にかつ容易に行うことができる。

【００６５】〔本固定工程〕前記位置合わせ工程後、フ
レーム本体１１に下板１５を本格的に固定する。このと
き、傾斜状態のコンタクトピン３ａに、いわゆるオーバ
ードライブがかかり、所定の押圧力でコンタクトピン３
ａ先端とコンタクトパッドとが接触して確実に電気的に
結合される。これにより、ほぼ実装状態とされたＩＣチ
ップＩの動作状態を高信頼性をもってテストすることが
できる。

【００６６】このプローブ装置１０は、約１インチ角
（約２．５ｃｍ角）の小さなチップキャリアであり、ダ
イナミックバーンインテスト等の高温加熱を伴う信頼性
試験に好適なものである。

【００６７】上記プローブ装置１０では、コンタクトプ
ローブ１のコンタクトピン３ａが、マンガン濃度０．０
５重量％以上のＮｉ−Ｍｎ合金である第１の金属層ＮＭ
を備えているので、常温および高温加熱後、すなわち５
００℃で加熱した後でもＨｖ３５０以上の高硬度が得ら
れる。また、コンタクトピン３ａが、第１の金属層ＮＭ
より靱性の高い第２の金属層ＡＵを備え、第２の金属層
ＡＵを外側にして折曲されているので、第１の金属層Ｎ
Ｍ単層で形成された場合に比べて屈曲部分外側の靱性が
高くなり、繰り返しの使用にも十分な耐久性を備えるこ
とができる。

【００６８】さらに、コンタクトピン３ａは、第１の金
属層ＮＭよりも導電率の高い第２の金属層ＡＵを備えて
いるため、第１の金属層ＮＭ単層で形成された場合に比
べて伝送線路における損失を小さくすることができ、高
周波域でテストする場合に信号の劣化を抑えることがで
きる。

【００６９】なお、上記第１実施形態では、第２の金属
層ＡＵの材料として、Ａｕ（金）を用いたが、本発明に
おいてはこれに限定されるものではない。すなわち、第
２の金属層ＡＵの材料としては、第１の金属層ＮＭ、す
なわち、マンガン濃度が０．０５重量％以上１．５重量
％以下に設定されたニッケル−マンガン合金、よりも靱
性および導電性が高いものであれば構わない。例えば、
Ａｕの他に、Ａｇ（銀）やＣｕ（銅）およびその合金等
が考えられる。

【００７０】但し、第２の金属層ＡＵとして、Ｃｕを選
択する場合には、上記分離工程におけるＣｕエッチング
の際に、ベースメタル層６と共にエッチングされてしま
うため、例えば、予め第２の金属層ＡＵにＮｉ（ニッケ
ル）等のメッキを施してＣｕエッチングされないよう保
護膜を形成したり、あるいは、予め第２の金属層ＡＵの
厚さを厚めに形成してＣｕエッチングされても支障がな
いように設計することが必要とされる。

【００７１】また、上記第１実施形態では、コンタクト
プローブ１をチップキャリアであるプローブ装置１０に
適用したが、他の測定用治具等に採用しても構わない。

【００７２】さらに、上記の第１実施形態においては、
コンタクトピン３ａの厚さ方向において、第２の金属層
ＡＵと第１の金属層ＮＭとを二層構造により構成した
が、この構成に代えて、図７に示すように、第１の金属
層ＮＭの全周に亙って第２の金属層ＡＵを覆った状態に
形成してもよい。この場合、第２の金属層ＡＵは、例え
ば厚さ約２０μｍの第１の金属層ＮＭを形成した後に、
該第１の金属層ＮＭの周囲に、例えば厚さ約１０μｍか
らなる金（Ａｕ）メッキを所定の厚さまで施すことによ
り形成し、その場合、前記Ａｕ層Ｂは、省略可能であ
る。

【００７３】上記変形例では、第１の金属層ＮＭの表層
全体が、一定の厚さを有した第２の金属層ＡＵとなるた
め、上記第１実施形態のコンタクトプローブ１に比べて
一層損失の少ない伝送線路を形成でき、信号劣化を抑え
ることができる。すなわち、一般に、高周波信号は、コ
ンタクトピン３ａにおいて表面近傍を流れるため、第１
の金属層ＮＭの周方向全体に亙る表層の一定の厚さ以上
を導電性の高い第２の金属層ＡＵで形成することによ
り、高周波特性を向上させることができる。

【００７４】また、この変形例では、上記第１、第２の
金属層ＮＭ、ＡＵを、メッキ技術により作製しているた
め、第１の金属層ＮＭの周囲全体を覆うように、異種材
料からなる第２の金属層ＡＵを形成することができる。
すなわち、各金属層をそれぞれ別体に形成した後に両者
を接合（クラッド）する方法では、本変形例のように、
異種材料で周囲を覆うという構造を作成することは困難
である。

【００７５】次に、第２の実施形態として、本発明に係
るコンタクトプローブ１６をＩＣ用プローブとして採用
し、メカニカルパーツ６０に組み込んでプローブ装置
（プローブカード）７０にする構成について、図８から
図１０を参照して説明する。なお、上記第１の実施形態
と構成が同じである場合には、同符号を付してその詳細
な説明は省略する。

【００７６】図８および図９は、コンタクトプローブ１
６をＩＣ用プローブとして所定形状に切り出したものを
示す図であり、図１０は、図９のＣ−Ｃ線断面図であ
る。

【００７７】上記第１の実施形態およびその変形例で
は、コンタクトピン３ａ（パターン配線３）を二層構造
としたが、本実施形態では、三層構造としている。すな
わち、図１０および図１１に示すように、パターン配線
３は、第１の金属層ＮＭと、Ａｕ（金）からなる二つの
第２の金属層ＡＵａ，ＡＵｂの三層から構成され、その
厚さ方向において前記樹脂フィルム２側から順に、第２
の金属層ＡＵａ、第１の金属層ＮＭ、第２の金属層ＡＵ
ｂがそれぞれ配設されている。

【００７８】前記第２の金属層ＡＵａ，ＡＵｂは、後述
する第２の金属層形成第１工程において第２の金属層Ａ
Ｕｂが作製され、第２の金属層形成第２工程において第
２の金属層ＡＵａが作製されるようになっている。

【００７９】前記第２の金属層ＡＵｂの先端部には、該
第２の金属層ＡＵｂの厚さが先端側に向かうに連れて漸
次薄くされた薄肉層部Ｆが形成されている。

【００８０】前記コンタクトピン３ａは、その先端から
所定長さの途中位置Ｖにて樹脂フィルム２と反対側に向
けて、第２の金属層ＡＵａを外側に、第２の金属層ＡＵ
ｂを内側にして折曲されている。

【００８１】次に、図１２を参照して、前記コンタクト
プローブ１６の作製方法について説明する。前記コンタ
クトプローブ１６の作製に際して、上記第１の実施形態
と異なる工程は、メッキ処理工程であるので、以下説明
する。

【００８２】〔メッキ処理工程〕前記図３（ｃ）に示し
た開口部７ａに、前記パターン配線３となる第２の金属
層ＡＵｂ、第１の金属層ＮＭおよび第２の金属層ＡＵａ
を、それぞれ「第２の金属層形成第１工程」、「第１の
金属層形成工程」および「第２の金属層形成第２工程」
に分けて電解メッキ処理により形成する。

【００８３】＜第２の金属層形成第１工程＞フォトレジ
スト層７に開口部７ａを形成した後、まず、第２の金属
層形成第１工程を行い、ベースメタル層６上に、前記第
２の金属層ＡＵｂを所定の厚さだけ形成する。すなわ
ち、図１２に示すように、開口部７ａの先端部に相当す
る位置のフォトレジスト層７上に、塩化ビニル板（遮蔽
板）Ｇを設置する。この場合、前記塩化ビニル板Ｇは、
複数の開口部７ａの先端部上方をそれぞれ覆うように、
各開口部７ａの延在方向と直交する方向に設置する。そ
して、その状態で、前記開口部７ａに前記第２の金属層
ＡＵｂを構成するメッキ液を流すと、塩化ビニル板Ｇの
下方は、イオンの流れが阻害され、この部分に達するイ
オンが減少する。これにより、メッキ付着量が抑制さ
れ、該塩化ビニル板Ｇの下方のメッキ膜厚が局部的に薄
くなる。特に、塩化ビニル板Ｇの設置場所が、前記開口
部７ａの先端部であることから、該塩化ビニル板Ｇの下
方は、一層、イオンが流れ難く、メッキ膜厚がさらに薄
くなるか、若しくは殆どメッキされない状態となる。す
なわち、前記開口部７ａの先端部に向かうに連れて、こ
の部分に達するイオンが減少するので、前記第２の金属
層ＡＵｂの厚さは、先端部に向かうに連れて漸次薄くな
る。これにより、図１１に示すように、第２の金属層Ａ
Ｕｂの先端部に、該第２の金属層ＡＵｂの厚さが漸次薄
い薄肉層部Ｆが形成される。本工程では、フォトレジス
ト層７上に塩化ビニル板Ｇを設置するだけであるので、
容易に薄肉層部Ｆを形成することができる。なお、遮蔽
板Ｇとしては、塩化ビニル板に限らず、非導電体であれ
ばよく、薄肉層部Ｆを形成する長さ等に応じてその大き
さは決定される。

【００８４】＜第１の金属層形成工程＞次に、前記第２
の金属層ＡＵｂの上に、第１の金属層ＮＭを所定の厚さ
だけ形成する。すなわち、この工程では、前記第２の金
属層形成第１工程で用いた塩化ビニル板Ｇを除いた後
に、通常通りのメッキ処理を行う。ここで、第１の金属
層ＮＭを形成するメッキ液は、前記第２の金属層ＡＵｂ
の上部に流入するが、この場合、前記第１の金属層ＮＭ
を形成するメッキ液は、前記開口部７ａ内において均一
の高さとなることから、前記薄肉層部Ｆの上部において
は、その第２の金属層ＡＵｂの厚さが薄い分だけ、第１
の金属層ＮＭを形成するメッキ液の厚さは厚く形成され
る（図１１参照）。

【００８５】＜第２の金属層形成第２工程＞そして、前
記第１の金属層形成工程の次に、第２の金属層形成第２
工程を行う。すなわち、第１の金属層ＮＭの上部に、第
２の金属層ＡＵａを形成するメッキ液を流し、通常通り
のメッキ処理を行う。

【００８６】なお、本実施形態においても、前記第２の
金属層形成第１工程および第２の金属層形成第２工程に
てそれぞれ形成される二つの第２の金属層ＡＵａ、ＡＵ
ｂは、共に前記第１の金属層ＮＭよりも靱性および導電
性が高いものであれば、それぞれが異なる材質であって
もよい。例えば、前記第２の金属層ＡＵａのみをＣｕと
すれば、前記分離工程におけるＣｕエッチングの問題
（ベースメタル層６と共にコンタクトピン３ａの一部ま
でエッチングされる）を回避しつつ、Ａｕとした場合に
比べて安価に作製できる。

【００８７】以上の工程により、三層からなるコンタク
トピン３ａ（パターン配線３）を備えたコンタクトプロ
ーブ１６を作製することができる。

【００８８】また、図９に示すように、コンタクトプロ
ーブ１６の樹脂フィルム２には、コンタクトプローブ１
６を位置合わせおよび固定するための位置合わせ孔２ｂ
および孔２ｃが設けられ、また、パターン配線３から得
られた信号を引き出し用配線である接触端子３ｂを介し
てプリント基板２０（図１３参照）に伝えるための窓２
ｄが設けられている。

【００８９】前記メカニカルパーツ６０は、図１３に示
すように、マウンティングベース３０と、トップクラン
プ４０と、ボトムクランプ５０とからなっている。ま
ず、プリント基板２０の上にトップクランプ４０を取付
け、次に、コンタクトプローブ１６を取り付けたマウン
ティングベース３０をトップクランプ４０にボルト穴４
１にボルト４２を螺合させて取り付ける（図１４参
照）。そして、ボトムクランプ５０でコンタクトプロー
ブ１６を押さえ込むことにより、パターン配線３を一定
の傾斜状態に保つとともに、下方に折曲されたコンタク
トピン３ａの先端部を所定角度に設定し、該コンタクト
ピン３ａをＩＣチップに押しつける。

【００９０】図１４は、組立終了後のプローブ装置７０
を示している。図１５は、図１４のＥ−Ｅ線断面図であ
る。図１５に示すように、パターン配線３の先端、すな
わちコンタクトピン３ａは、マウンティングベース３０
によりＩＣチップＩに接触している。

【００９１】前記マウンティングベース３０には、コン
タクトプローブ１６の位置を調整するための位置決めピ
ン３１が設けられており、この位置決めピン３１をコン
タクトプローブ１６の前記位置合わせ穴２ｂに挿入する
ことにより、パターン配線３とＩＣチップＩとを正確に
位置合わせすることができるようになっている。コンタ
クトプローブ１６に設けられた窓２ｄの部分のパターン
配線３に、ボトムクランプ５０の弾性体５１を押しつけ
て、前記接触端子３ｂをプリント基板２０の電極２１に
接触させ、パターン配線３から得られた信号を電極２１
を通して外部に伝えることができるようになっている。

【００９２】上記のように構成されたプローブ装置７０
を用いて、ＩＣチップＩのプローブテスト等を行う場合
は、プローブ装置７０をプローバに挿着するとともにテ
スターに電気的に接続し、所定の電気信号をパターン配
線３のコンタクトピン３ａからウェーハ上のＩＣチップ
Ｉに送ることによって、該ＩＣチップＩからの出力信号
がコンタクトピン３ａからテスターに伝送され、ＩＣチ
ップＩの電気的特性が測定される。

【００９３】このコンタクトプローブ１６およびこれを
組み込んだプローブ装置７０では、第１実施形態と同様
に、コンタクトピン３ａが、マンガン濃度が０．０５〜
１．５重量％の範囲内のＮｉ−Ｍｎ合金である第１の金
属層ＮＭと、第１の金属層ＮＭより靱性の高い第２の金
属層ＡＵａとを備え、第２の金属層ＡＵａ側を外側にし
て折曲されているので、屈曲部分の優れた靱性とコンタ
クトピン３ａ全体としての高い硬度（Ｈｖ３５０以上）
が得られる。

【００９４】また、第１の金属層ＮＭよりも導電性の高
い第２の金属層ＡＵａ、ＡＵｂが厚さ方向において前記
第１の金属層ＮＭの上下にそれぞれ設けられて、パター
ン配線３の上下両表層が高導電性を備えるため、第一実
施形態に比べて一層損失の少ない伝送線路を形成でき、
信号劣化を抑えることができる。

【００９５】さらに、コンタクトピン３ａは、その途中
位置Ｖにて前記厚さ方向の測定対象物Ｉ側に向けて折曲
され、該測定対象物Ｉ側の前記第２の金属層ＡＵｂの先
端部には、薄肉層部Ｆが設けられ、該薄肉層部Ｆが、測
定対象物Ｉに対して接触する。そして、厚さが薄く形成
されていることから、何回かの使用により、前記薄肉層
部Ｆが削り取られ、その内部の前記第１の金属層ＮＭが
露出する。これにより、コンタクトピン３ａは、測定対
象物Ｉに対して、前記第１の金属層ＮＭで接触すること
となり、高温加熱後でも高硬度を安定して維持できるこ
とから、大きな接触圧に対応することができる。

【００９６】また、測定対象物Ｉ側に向けて折曲される
コンタクトピン３ａの先端部に設けられる前記薄肉層部
Ｆは、測定対象物Ｉの接触面に対して斜めから接触する
ため、比較的少ない回数の使用により前記第１の金属層
ＮＭが露出し易く、または、コンタクトピン３ａの最先
端部においては当初から前記第１の金属層ＮＭが若干露
出した状態となっている。したがって、作製直後から大
きな接触圧に対応でき、安定したコンタクトを得ること
ができる。なお、この薄肉層部Ｆのように、金属層の厚
さを漸次薄く形成できるのは、メッキ技術の利点であ
り、クラッド法では極めて困難である。

【００９７】次に、図１６乃至図２１を参照して、第３
実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形
態においてＩＣプローブ用の所定形状に切り出したコン
タクトプローブ１６を、それに代えてＬＣＤ用プローブ
の所定形状に切り出して使用するものである。ＬＣＤ用
プローブに切り出されたコンタクトプローブは、図１６
乃至図１８に符号２００で示され、２０１は樹脂フィル
ムである。

【００９８】図１９に示すように、ＬＣＤ用プローブ装
置１００は、コンタクトプローブ挟持体１１０を額縁状
フレーム１２０に固定してなる構造を有しており、この
コンタクトプローブ挟持体１１０から突出したコンタク
トピン３ａの先端がＬＣＤ（液晶表示体）９０の端子
（図示せず）に接触するようになっている。

【００９９】図１８に示すように、コンタクトプローブ
挟持体１１０は、トップクランプ１１１とボトムクラン
プ１１５とを備えている。トップクランプ１１１は、コ
ンタクトピン３ａの先端を押さえる第一突起１１２、Ｔ
ＡＢＩＣ３００側の端子３０１を押さえる第二突起１１
３およびリードを押さえる第三突起１１４を有してい
る。ボトムクランプ１１５は、傾斜板１１６、取付板１
１７および底板１１８から構成されている。

【０１００】コンタクトプローブ２００を傾斜板１１６
の上に載置し、さらにＴＡＢＩＣ３００の端子３０１が
コンタクトプローブ２００の樹脂フィルム２０１，２０
１間に位置するように載置する。その後、トップクラン
プ１１１を第一突起１１２が樹脂フィルム２０１の上で
かつ第二突起１１３が端子３０１に接触するように乗せ
ボルトにより組み立てる。

【０１０１】図２０に示すように、コンタクトプローブ
２００を組み込み、ボルト１３０によりトップクランプ
１１１とボトムクランプ１１５を組み合わせることによ
り、コンタクトプローブ挟持体１１０が作製される。

【０１０２】上記コンタクトプローブ挟持体１１０は、
図２１に示すように、ボルト１３１により固定されてＬ
ＣＤ用プローブ装置１００に組み立てられる。ＬＣＤ用
プローブ装置１００を用いてＬＣＤ９０の電気的テスト
を行うには、ＬＣＤ用プローブ装置１００のコンタクト
ピン３ａの先端をＬＣＤ９０の端子（図示せず）に接触
させた状態で、コンタクトピン３ａから得られた信号を
ＴＡＢＩＣ３００を通して外部に取り出すことにより行
われる。

【０１０３】上記ＬＣＤ用プローブ装置１００では、Ｌ
ＣＤ９０の端子に当接させるコンタクトピン３ａが、第
１実施形態および第２実施形態と同様のマンガン濃度に
設定された第１の金属層ＮＭと、この第１の金属層ＮＭ
よりも靱性および導電性の高い第２の金属層ＡＵとを備
え、第２の金属層ＡＵ側を外側にして折曲されているの
で、屈曲部分の優れた靱性とコンタクトピン３ａ全体と
しての高い硬度（Ｈｖ３５０以上）が得られる。

【０１０４】次に、図２２および図２３を参照して、第
４実施形態について説明する。図２２に示すように、上
記第３実施形態において説明した、コンタクトプローブ
２００の樹脂フィルム２０１は、例えばポリイミド樹脂
からなっているため、水分を吸収して伸びが生じ、コン
タクトピン３ａ，３ａ間の間隔ｔが変化することがあっ
た。そのため、コンタクトピン３ａがＬＣＤ９０の端子
の所定位置に接触することが不可能となり、正確な電気
テストを行うことができないという問題があった。

【０１０５】そこで、第４実施形態では、図２３に示す
ように、前記樹脂フィルム２０１の上に金属フィルム５
００を張り付け、湿度が変化してもコンタクトピン３
ａ，３ａ間の間隔ｔの変化を少なくし、これにより、コ
ンタクトピン３ａをＬＣＤ９０の端子の所定位置に確実
に接触させることとした。

【０１０６】すなわち、各コンタクトピン３ａの位置ず
れが生じ難くなり、先端がＬＣＤ９０の端子に正確かつ
高精度に当接させられる。したがって、ＬＣＤ９０の端
子以外の場所に、高硬度の第１の金属層ＮＭで形成され
たコンタクトピン３ａが当接することによって生じる損
傷等を防ぐことができる。なお、金属フィルム５００
は、導電体であるＮｉ、Ｎｉ合金、ＣｕまたはＣｕ合金
のうちいずれかのものが好ましい。

【０１０７】次に、図２４および図２５を参照して、第
５実施形態について説明する。第５実施形態と第１実施
形態との異なる点は、第１実施形態におけるプローブ装
置１０ではＩＣチップＩがコンタクトプローブ１の下方
に位置されているのに対し、第５実施形態におけるプロ
ーブ装置７００では、ＩＣチップＩはコンタクトプロー
ブ７０１の上方に位置される点である。

【０１０８】すなわち、プローブ装置７００は、フレー
ム本体７１１と、フレーム本体７１１の内側に固定され
中央に矩形状の開口部と該開口部周囲に上方に傾斜する
傾斜面が形成された位置決め板７１２と、該位置決め板
７１２上に配されるコンタクトプローブ７０１と、該コ
ンタクトプローブ７０１を上から押さえて支持する上板
７１３と、該上板７１３を上から付勢してフレーム本体
７１１に固定するクランパ７１４とを備えている。上記
プローブ装置７００では、ＩＣチップＩはコンタクトプ
ローブ７０１の上方、すなわち上方に折曲されたコンタ
クトピン３ａの先端と上板７１３との間に挟持状態に配
されることとなる。

【０１０９】また、第１実施形態におけるコンタクトプ
ローブ１のパターン配線３およびコンタクトピン３ａ
は、樹脂フィルム２側に第１の金属層ＮＭが配されて構
成されているのに対し、第５実施形態におけるコンタク
トプローブ７０１のパターン配線３およびコンタクトピ
ン３ａは、樹脂フィルム２側に第２の金属層ＡＵが配さ
れて構成されている点が異なっている。

【０１１０】すなわち、コンタクトプローブ７０１の製
造工程におけるメッキ処理工程で、まず、高硬度層とな
る第１の金属層ＮＭをベースメタル層の上にメッキ形成
した後、続いて第１の金属層ＮＭより靱性および導電性
の高い第２の金属層ＡＵを形成している。

【０１１１】また、前記コンタクトピン３ａは、その先
端から所定長さの途中位置にて樹脂フィルム２側と反対
側（ＩＣチップＩ側）に向けて、すなわち第２の金属層
ＡＵ側を外側にして折曲されている。

【０１１２】

【実施例】上記各実施形態におけるコンタクトプローブ
のパターン配線およびコンタクトピンを形成する電解メ
ッキ工程において、上記第１の金属層のメッキ条件は、
以下の試験結果に基づいて求めた。

【０１１３】ＭｎをＮｉに含有させるためのメッキ液
は、スルファミン酸Ｎｉ浴にスルファミン酸Ｍｎを添加
したものであり、Ｎｉメッキ膜中に含有されるＭｎ量
は、メッキ液中のＭｎ量およびメッキする際の電流密度
に左右されるため、第１の金属層については以下の条件
でメッキ処理を施した。 Ｍｎ量：２０〜３５ｇ／ｌ 電流密度：１〜１０Ａ／ｄｍ²

【０１１４】第１の金属層のメッキ条件を、上記範囲内
に設定した理由は、Ｍｎ量が２０ｇ／ｌ未満および電流
密度１Ａ／ｄｍ²未満では、皮膜中のＭｎ濃度が少なく
所望の硬度を得ることができず、３５ｇ／ｌおよび１０
Ａ／ｄｍ²を越えるとＭｎ濃度が増大し、メッキ皮膜の
応力増大および皮膜自身が非常に脆くなるためである。

【０１１５】なお、スルファミン酸に限らず硫酸Ｎｉ浴
をベースにしたものでメッキ処理を施しても構わない
が、スルファミン酸Ｎｉ浴によるメッキ処理では、硫酸
Ｎｉ浴に比べて応力が低減されるという効果がある。以
下の表１に、Ｍｎ量を一定（３０ｇ／ｌ）とした場合に
おいて、電流密度を変えた際のＭｎ濃度および熱処理前
後の硬度の実験結果を示す。また、Ｍｎ濃度と硬度との
関係を図２６に示す。

【０１１６】

【表１】

【０１１７】コンタクトピンを第１の金属層のみ及び第
２の金属層のみの単一材料で構成した場合と、第１の金
属層（高硬度層）と第２の金属層（高靱性層）の二層構
造で構成した場合における靱性についての比較データを
表２に示す。ここでは、第１の金属層として、マンガン
濃度０．４重量％のＮｉ−Ｍｎ合金を例に採り、第２の
金属層として、Ｃｕを例に採った。表２は、試作された
コンタクトピンの９０度曲げ試験を行ったものであり、
コンタクトピンを９０度曲げた後、元に戻す作業を１サ
イクルとして、ピンが破断するのに要したサイクル数を
示したものである。表２からも分かるように、第２の金
属層は、第１の金属層に比べて優れた靱性を備え、二層
構造を採用したものは、第１の金属層単層のものに比べ
て優れた靱性を有している。

【０１１８】

【表２】

【０１１９】

【発明の効果】請求項１記載のコンタクトプローブによ
れば、測定対象物に対して接触する第１の金属層がマン
ガン濃度０．０５重量％以上のＮｉ−Ｍｎ合金であるの
で、常温および高温加熱後、すなわち５００℃で加熱し
た後でもＨｖ３５０以上の高硬度を得ることができる。
さらに、第１の金属層より靱性の高い第２の金属層を外
側にして折曲されているので、第１の金属層単層で形成
された場合に比べて屈曲部分の外側の靱性が高くなり、
折曲時および繰り返しの使用においても屈曲部分の外側
の亀裂等の発生を抑制することができる。また、コンタ
クトピンは、第１の金属層よりも導電率の高い第２の金
属層を備えているため、第１の金属層単層で形成された
場合に比べて伝送線路における損失を小さくすることが
でき、高周波域でテストする場合に信号の劣化を抑える
ことができる。

【０１２０】請求項２記載のコンタクトプローブによれ
ば、第２の金属層が厚さ方向において前記第１の金属層
の上下にそれぞれ設けられて、該第１の金属層の上下両
表層が第２の金属層となるため、請求項１記載のコンタ
クトプローブに比べて一層損失の少ない伝送線路を形成
でき、信号劣化を抑えることができる。

【０１２１】請求項３記載のコンタクトプローブによれ
ば、第２の金属層が第１の金属層の周囲を覆った状態に
設けられ、コンタクトピンの表面全体が導電性の高い材
質となるため、請求項２記載のコンタクトプローブに比
べて一層、優れた高周波特性を得ることができる。

【０１２２】請求項４記載のコンタクトプローブによれ
ば、コンタクトピンは、その途中位置にて前記厚さ方向
の測定対象物側に向けて折曲され、前記測定対象物側に
設けられる前記第２の金属層の先端部には、薄肉層部が
設けられているため、該薄肉層部は、測定対象物に対す
る接触部に相当する位置に配設され、厚さが薄く形成さ
れていることから、何回かの使用により、前記薄肉層部
が削り取られ、その内部の前記第１の金属層が露出す
る。これにより、コンタクトピンは、測定対象物に対し
て、前記第１の金属層で接触し、高温加熱後でも高硬度
を安定して維持でき、大きな接触圧に対応できる。ま
た、前記薄肉層部は、測定対象物の接触面に対して斜め
から接触することから、局部的接触圧が高く、より削ら
れ易いため、比較的少ない回数の使用により前記第１の
金属層が露出し易く、または、コンタクトピンの最先端
部においては当初から前記第１の金属層が若干露出した
状態となっており、作製直後から大きな接触圧に対応で
き、安定したコンタクトを得ることができる。

【０１２３】請求項５記載のコンタクトプローブによれ
ば、請求項１から４のいずれかに記載のコンタクトプロ
ーブにおいて、前記第１の金属層は、マンガン濃度が
１．５重量％以下に設定されているため、コンタクトピ
ンの応力が増大して湾曲するおそれがなく、屈曲部分の
内側に位置する第１の金属層自体にもコンタクトプロー
ブとして適度な靱性および硬度を与えることができる。

【０１２４】請求項６記載のコンタクトプローブによれ
ば、前記フィルムが、例えば水分を吸収して伸張し易い
樹脂フィルム等であっても、該フィルムには、金属フィ
ルムが直接張り付けられて設けられているため、該金属
フィルムによって前記フィルムの伸びが抑制される。す
なわち、各コンタクトピンの間隔にずれが生じ難くな
り、先端部が測定対象物に正確かつ高精度に当接させら
れる。したがって、測定対象物であるＩＣチップやＬＣ
Ｄ等の端子以外の場所に、高硬度の第１の金属層で形成
された先端部が当接することによって生じる損傷等を防
ぐことができる。さらに、該金属フィルムは、グラウン
ドとして用いることができ、それにより、コンタクトプ
ローブの先端近くまでインピーダンスマッチングをとる
設計が可能となり、高周波域でのテストを行う場合にも
反射雑音による悪影響を防ぐことができる。

【０１２５】請求項７記載のコンタクトプローブの製造
方法によれば、第１の金属層形成工程と第２の金属層形
成工程によって第１の金属層および第２の金属層の二層
構造が形成され、コンタクトピン折曲工程で第１の金属
層よりも靱性が高い第２の金属層側を外側にして折曲さ
せるので、折曲時に最も伸ばされる屈曲部分の外側が高
靱性層となることから、折曲による応力が緩和されると
ともに亀裂等の発生を抑制することができる。また、上
記第１、第２の金属層は、メッキにより作製するので、
メッキ液を変更するだけで容易に厚さ方向に二層構造を
形成することができ、単体の金属層をそれぞれ別体に形
成した後に両者を接合（クラッド）するものより作製が
容易という効果が得られる。

【０１２６】請求項８記載のコンタクトプローブの製造
方法によれば、第２の金属層形成第１工程において、前
記マスクされていない部分の先端部に相当するマスク上
に遮蔽板を設置して、電解メッキ時におけるイオンの流
れを阻害させ、メッキ膜厚を薄くするか、若しくは殆ど
メッキしない状態にして、コンタクトピンの先端部に薄
肉層部を形成する。本方法では、遮蔽板を設置するだけ
であるので、容易に薄肉層部を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係るコンタクトプローブの第１実施
形態を示す拡大模式図である。

【図２】 図１のＡ−Ａ線断面図である。

【図３】 本発明に係るコンタクトプローブの第１実施
形態における製造方法を工程順に示す要部断面図であ
る。

【図４】 本発明に係るコンタクトプローブの第１実施
形態におけるプローブ装置（チップキャリア）の分解斜
視図である。

【図５】 本発明に係るコンタクトプローブの第１実施
形態におけるプローブ装置（チップキャリア）の外観斜
視図である。

【図６】 図５の要部が拡大されたＢ−Ｂ線断面図であ
る。

【図７】 本発明に係るコンタクトプローブの第１実施
形態の変形例を拡大して示す正断面図である。

【図８】 本発明に係るコンタクトプローブの第２実施
形態を示す要部斜視図である。

【図９】 本発明に係るコンタクトプローブの第２実施
形態を示す平面図である。

【図１０】 図９のＣ−Ｃ線断面図である。

【図１１】 図１０の要部拡大図である。

【図１２】 本発明に係るコンタクトプローブの第２実
施形態におけるメッキ工程を示す平面図である。

【図１３】 本発明に係るコンタクトプローブの第２実
施形態を組み込んだプローブ装置の一例を示す分解斜視
図である。

【図１４】 本発明に係るコンタクトプローブの第２実
施形態を組み込んだプローブ装置の一例を示す要部斜視
図である。

【図１５】 図１４のＥ−Ｅ線断面図である。

【図１６】 本発明に係るプローブ装置の第３実施形態
におけるコンタクトプローブを示す斜視図である。

【図１７】 図１６のＪ−Ｊ線断面図である。

【図１８】 本発明に係るプローブ装置の第３実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体を示す分解斜視図で
ある。

【図１９】 本発明に係るプローブ装置の第３実施形態
を示す斜視図である。

【図２０】 本発明に係るプローブ装置の第３実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体を示す斜視図であ
る。

【図２１】 図１９のＸ−Ｘ線断面図である。

【図２２】 本発明に係るコンタクトプローブの第４実
施形態に関して図１６のＤ方向矢視図である。

【図２３】 本発明に係るコンタクトプローブの第４実
施形態を示す側面図である。

【図２４】 本発明に係るコンタクトプローブの第５実
施形態におけるプローブ装置（チップキャリア）を示
し、（ａ）はその外観斜視図、（ｂ）は（ａ）の要部が
拡大されたＬ−Ｌ線断面図である。

【図２５】 本発明に係るコンタクトプローブの第５実
施形態におけるプローブ装置（チップキャリア）の分解
斜視図である。

【図２６】 本発明に係るコンタクトプローブの先端部
におけるＭｎ濃度と硬度との関係を示すグラフである。

【図２７】 本発明に係るコンタクトプローブの従来例
を示す要部を拡大した断面図である。

【符号の説明】

１，１６，７０１ コンタクトプローブ ２ 樹脂フィルム ３ パターン配線 ３ａ コンタクトピン １０，７００ プローブ装置 ９０ ＬＣＤ（測定対象物） １００ プローブ装置 ２００ コンタクトプローブ ２０１ 樹脂フィルム ５００ 金属フィルム ＡＵ 第２の金属層 ＡＵａ 第２の金属層 ＡＵｂ 第２の金属層 Ｇ 塩化ビニル板（遮蔽板） Ｉ ＩＣチップ（測定対象物） ＮＭ 第１の金属層 ＰＩ ポリイミド樹脂 Ｖ 途中位置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 勇人 兵庫県三田市テクノパーク十二番の六 三 菱マテリアル株式会社三田工場内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数のパターン配線がフィルム上に形成
   されこれらのパターン配線の各先端が前記フィルムから
   突出状態に配されてコンタクトピンとされるコンタクト
   プローブであって、 少なくとも前記コンタクトピンは、マンガンを０．０５
   重量％以上含有するニッケル−マンガン合金からなる第
   １の金属層と、該第１の金属層より靱性および導電性の
   高い第２の金属層とを具備してなり、該コンタクトピン
   の途中位置にて前記第２の金属層側を外側にして折曲さ
   れていることを特徴とするコンタクトプローブ。
2. 【請求項２】 複数のパターン配線がフィルム上に形成
   されこれらのパターン配線の各先端が前記フィルムから
   突出状態に配されてコンタクトピンとされるコンタクト
   プローブであって、 少なくとも前記コンタクトピンは、マンガンを０．０５
   重量％以上含有するニッケル−マンガン合金からなる第
   １の金属層と、厚さ方向において前記第１の金属層の上
   下にそれぞれ設けられる前記第１の金属層より靱性およ
   び導電性の高い第２の金属層とを具備してなり、該コン
   タクトピンの途中位置にて折曲されていることを特徴と
   するコンタクトプローブ。
3. 【請求項３】 複数のパターン配線がフィルム上に形成
   されこれらのパターン配線の各先端が前記フィルムから
   突出状態に配されてコンタクトピンとされるコンタクト
   プローブであって、 少なくとも前記コンタクトピンは、マンガンを０．０５
   重量％以上含有するニッケル−マンガン合金からなる第
   １の金属層と、該第１の金属層の周囲を覆った状態に設
   けられる該第１の金属層より靱性および導電性の高い第
   ２の金属層とを具備してなり、該コンタクトピンの途中
   位置にて折曲されていることを特徴とするコンタクトプ
   ローブ。
4. 【請求項４】 複数のパターン配線がフィルム上に形成
   されこれらのパターン配線の各先端が前記フィルムから
   突出状態に配されてコンタクトピンとされるコンタクト
   プローブであって、 少なくとも前記コンタクトピンは、マンガンを０．０５
   重量％以上含有するニッケル−マンガン合金からなる第
   １の金属層と、厚さ方向において前記第１の金属層の上
   下にそれぞれ設けられる前記第１の金属層より靱性およ
   び導電性の高い第２の金属層とを具備して、該コンタク
   トピンの途中位置にて前記厚さ方向の測定対象物側に向
   けて折曲されてなり、 前記第１の金属層の前記厚さ方向において測定対象物側
   に設けられる前記第２の金属層の先端部には、該第２の
   金属層の厚さの薄い薄肉層部が設けられていることを特
   徴とするコンタクトプローブ。
5. 【請求項５】 請求項１から４のいずれかに記載のコン
   タクトプローブにおいて、 前記第１の金属層は、マンガン濃度が１．５重量％以下
   に設定されていることを特徴とするコンタクトプロー
   ブ。
6. 【請求項６】 請求項１から５のいずれかに記載のコン
   タクトプローブにおいて、 前記フィルムには、金属フィルムが直接張り付けられて
   設けられていることを特徴とするコンタクトプローブ。
7. 【請求項７】 フィルム上に複数のパターン配線を形成
   しこれらのパターン配線の各先端を前記フィルムから突
   出状態に配してコンタクトピンとするコンタクトプロー
   ブの製造方法であって、 基板層の上に前記コンタクトピンの材質に被着または結
   合する材質の第３の金属層を形成する第３の金属層形成
   工程と、 前記第３の金属層の上にマスクを施してマスクされてい
   ない部分に、前記コンタクトピンに供される第１の金属
   層および第２の金属層をメッキ処理により厚さ方向複数
   層状に形成するメッキ処理工程と、 前記マスクを取り除いた第１の金属層および第２の金属
   層の上に前記コンタクトピンに供される部分以外をカバ
   ーする前記フィルムを被着するフィルム被着工程と、 前記フィルムと第１の金属層および第２の金属層とから
   なる部分と、前記基板層と第３の金属層とからなる部分
   とを分離する分離工程と、 前記コンタクトピンを、その途中位置で折曲させるコン
   タクトピン折曲工程とを備えてなり、 前記メッキ処理工程は、マンガン濃度が０．０５重量％
   以上に設定されたニッケル−マンガン合金からなる第１
   の金属層を形成する第１の金属層形成工程と、前記第１
   の金属層より靱性および導電性の高い第２の金属層を形
   成する第２の金属層形成工程とを備え、 前記コンタクトピン折曲工程は、前記第２の金属層側を
   外側にして折曲することを特徴とするコンタクトプロー
   ブの製造方法。
8. 【請求項８】 フィルム上に複数のパターン配線を形成
   しこれらのパターン配線の各先端を前記フィルムから突
   出状態に配してコンタクトピンとするコンタクトプロー
   ブの製造方法であって、 基板層の上に前記コンタクトピンの材質に被着または結
   合する材質の第３の金属層を形成する第３の金属層形成
   工程と、 前記第３の金属層の上にマスクを施してマスクされてい
   ない部分に、前記コンタクトピンに供される第１の金属
   層および第２の金属層をメッキ処理により厚さ方向複数
   層状に形成するメッキ処理工程と、 前記マスクを取り除いた第１の金属層および第２の金属
   層の上に前記コンタクトピンに供される部分以外をカバ
   ーする前記フィルムを被着するフィルム被着工程と、 前記フィルムと第１の金属層および第２の金属層とから
   なる部分と、前記基板層と第３の金属層とからなる部分
   とを分離する分離工程と、 前記コンタクトピンを、その途中位置で折曲させるコン
   タクトピン折曲工程とを備えてなり、 前記メッキ処理工程は、マンガン濃度が０．０５重量％
   以上に設定されたニッケル−マンガン合金からなる第１
   の金属層を形成する第１の金属層形成工程と、前記第１
   の金属層より靱性および導電性の高い第２の金属層を形
   成する第２の金属層形成工程とを備えてなり、前記第２
   の金属層形成工程は、前記第１の金属層形成工程よりも
   先または後のいずれか一方に行われ前記マスクされてい
   ない部分の先端部に相当する位置の前記マスク上に遮蔽
   板を設置した状態で該第２の金属層を構成するメッキ浴
   に浸して該先端部に薄肉層部を形成する第２の金属層形
   成第１工程と、前記第１の金属層形成工程の先または後
   のいずれか他方に行われる第２の金属層形成第２工程と
   を備え、 前記コンタクトピン折曲工程は、前記第２の金属層形成
   第１工程にて形成した第２の金属層側を内側にして折曲
   することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。