JPH10197562A - コンタクトプローブおよびこれを備えたプローブ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コンタクトプローブにおいて、耐熱性に優れ
た高硬度な先端部を有することを課題とする。 【解決手段】 複数のパターン配線３がフィルム２上に
形成されこれらのパターン配線の各先端部が前記フィル
ムから突出状態に配されてコンタクトピン３ａとされる
コンタクトプローブ１であって、少なくとも前記先端部
は、ニッケル−コバルト合金で形成され、該ニッケル−
コバルト合金は、コバルトが５重量％から６０重量％の
範囲内で含まれている技術が採用される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プローブピンやソ
ケットピン等として用いられ、プローブカードやテスト
用ソケット等に組み込まれて半導体ＩＣチップや液晶デ
バイス等の各端子に接触して電気的なテストを行うコン
タクトプローブおよびこれを備えたプローブ装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ＩＣチップやＬＳＩチップ等の
半導体チップ又はＬＣＤ（液晶表示体）の各端子に接触
させて電気的なテストを行うために、コンタクトピンが
用いられている。近年、ＩＣチップ等の高集積化および
微細化に伴って電極であるコンタクトパッドが狭ピッチ
化されるとともに、コンタクトピンの多ピン狭ピッチ化
が要望されている。しかしながら、コンタクトピンとし
て用いられていたタングステン針のコンタクトプローブ
では、タングステン針の径の限界から多ピン狭ピッチへ
の対応が困難になっていた。

【０００３】これに対して、例えば、特公平７−８２０
２７号公報に、複数のパターン配線が樹脂フィルム上に
形成されこれらのパターン配線の各先端部が前記樹脂フ
ィルムから突出状態に配されてコンタクトピンとされる
コンタクトプローブの技術が提案されている。この技術
例では、複数のパターン配線の先端部をコンタクトピン
とすることによって、多ピン狭ピッチ化を図るととも
に、複雑な多数の部品を不要とするものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記のコンタクトプロ
ーブでは、テスト時において、所望の接触圧を得るため
にコンタクトピンの押し付け量を増減させているが、大
きな接触圧を得るためには大きな押し付け量が必要とな
る。しかしながら、上記のコンタクトプローブは、パタ
ーン配線の先端部、すなわちコンタクトピンがＮｉ（ニ
ッケル）で形成されているため、硬度がＨｖ３００程度
しか得られず、硬度が低いために過度の接触圧が加わる
ことによりコンタクトピンが湾曲・変形してしまうた
め、押し付け量に限界があり大きな接触圧が得られなか
った。この結果、電気的測定に十分な接触圧が得られ
ず、接触不良を起こす原因となっていた。この対策とし
て、Ｎｉをメッキ処理で形成する際に、サッカリン等の
添加剤を投入する手段があるが、この場合、常温でＨｖ
３５０以上の硬度を維持することが可能であるが、サッ
カリン等の添加剤にはＳ（硫黄）が含まれているために
高温加熱、例えば３００℃で加熱すると、硬度がＨｖ２
００以下にまで急激に低下してしまう不都合が生じる。
このため、上記のコンタクトプローブを、高温下に置く
ことがある場合、特に、バーンインテスト用チップキャ
リア等に用いることができなかった。

【０００５】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、高硬度が得られるとともに耐熱性に優れたコンタ
クトプローブおよびこれを備えたプローブ装置を提供す
ることを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
１記載のコンタクトプローブでは、複数のパターン配線
がフィルム上に形成されこれらのパターン配線の各先端
部が前記フィルムから突出状態に配されてコンタクトピ
ンとされるコンタクトプローブであって、少なくとも前
記先端部は、ニッケル−コバルト合金で形成され、該ニ
ッケル−コバルト合金は、コバルトが５重量％から６０
重量％の範囲内で含まれている技術が採用される。

【０００７】このコンタクトプローブでは、前記先端部
が、コバルトが５重量％から６０重量％の範囲内で含ま
れているニッケル−コバルト合金で形成されているの
で、前記先端部は、高温加熱後、例えば、３００℃で加
熱した後でもＨｖ３５０以上の硬度を有する。すなわ
ち、Ｎｉ−Ｃｏ（ニッケル−コバルト）合金は高温加熱
によっても硬度が極度に低下することがない。さらに、
Ｃｏ量が５重量％未満では、Ｈｖ３５０以上の硬度が得
られず、６０重量％を越えると、硬度の低下が著しくＨ
ｖ３５０以上の硬度を維持できないばかりか、先端部の
応力が増大してしまい湾曲するおそれがあるとともに非
常に脆く靱性が低下してしまうため、上記範囲内にＣｏ
含有量を設定することにより、コンタクトプローブとし
て必要な高硬度および靱性が得られる。

【０００８】請求項２記載のコンタクトプローブでは、
請求項１記載のコンタクトプローブにおいて、前記ニッ
ケル−コバルト合金は、マンガンが０．０５重量％から
１．５重量％の範囲内で含まれているニッケル−コバル
ト−マンガン合金とされている技術が採用される。

【０００９】このコンタクトプローブでは、前記先端部
を形成するニッケル−コバルト合金が、０．０５重量％
から１．５重量％の範囲内のマンガンを含むニッケル−
コバルト−マンガン合金とされているので、前記先端部
はより高温加熱、例えば５００℃で加熱した後でも、Ｈ
ｖ３５０以上の硬度を有する。すなわち、Ｎｉ−Ｃｏ−
Ｍｎ合金はより高温加熱によっても硬度が極端に低下す
ることがない。さらに、Ｍｎ濃度が０．０５重量％未満
では、Ｈｖ３５０以上の硬度が得られず、１．５重量％
を越えると先端部の応力が増大してしまい湾曲する恐れ
があるとともに非常に脆く靱性が低下してしまうため、
上記範囲内にＭｎ含有量を設定することにより、コンタ
クトプローブとしてより優れた耐熱性が得られる。

【００１０】請求項３記載のコンタクトプローブでは、
請求項１または２記載のコンタクトプローブにおいて、
前記フィルムには、金属フィルムが直接張り付けられて
設けられている技術が採用される。

【００１１】このコンタクトプローブでは、前記フィル
ムが、例えば水分を吸収して伸張し易い樹脂フィルム等
であっても、該フィルムには、金属フィルムが直接張り
付けられて設けられているため、該金属フィルムによっ
て前記フィルムの伸びが抑制される。すなわち、各コン
タクトピンの間隔にずれが生じ難くなり、先端部が測定
対象物に正確かつ高精度に当接させられる。したがっ
て、測定対象物であるＩＣチップやＬＣＤ等の端子以外
の場所に、高硬度のＮｉ−Ｃｏ合金で形成された先端部
が当接することによって生じる損傷等を防ぐことができ
る。さらに、該金属フィルムは、グラウンドとして用い
ることができ、それにより、コンタクトプローブの先端
近くまでインピーダンスマッチングをとる設計が可能と
なり、高周波域でのテストを行う場合にも反射雑音によ
る悪影響を防ぐことができる。すなわち、プローバーと
呼ばれるテスターからの伝送線路の途中で基板配線側と
コンタクトピンとの間の特性インピーダンスが合わない
と反射雑音が生じ、その場合、特性インピーダンスの異
なる伝送線路が長ければ長いほど大きな反射雑音が生じ
るという問題がある。反射雑音は信号歪となり、高周波
になると誤動作の原因になり易い。本コンタクトプロー
ブでは、前記金属フィルムをグラウンドとして用いるこ
とにより、コンタクトピン先の近くまで基板配線側との
特性インピーダンスのずれを最小限に抑えることがで
き、反射雑音による誤動作を抑えることができる。

【００１２】請求項４記載のコンタクトプローブでは、
請求項３記載のコンタクトプローブにおいて、前記金属
フィルムには、第二のフィルムが直接張り付けられて設
けられている技術が採用される。

【００１３】このコンタクトプローブでは、前記金属フ
ィルムに第二のフィルムが直接張り付けられて設けられ
ているため、配線用基板が金属フィルムの上方に配され
る場合には、配線用基板の基板側パターン配線や他の配
線が金属フィルムと直接接触しないのでショートを防ぐ
ことができる。また、樹脂フィルムの上に金属フィルム
が張り付けられて設けられているだけでは、金属フィル
ムが露出しているため、大気中で酸化が進行してしまう
が、本発明では、第二のフィルムが金属フィルムを被覆
してその酸化を防止する。

【００１４】請求項５記載のプローブ装置では、請求項
１から４のいずれかに記載のコンタクトプローブと、前
記フィルム上に配されて該フィルムから前記コンタクト
ピンよりも短く突出する強弾性フィルムと、該強弾性フ
ィルムと前記コンタクトプローブとを支持する支持部材
とを備えている技術が採用される。

【００１５】このプローブ装置では、前記強弾性フィル
ムが設けられ、該強弾性フィルムがコンタクトピンの先
端側を上方から押さえるため、ピン先端が上方に湾曲し
たものが存在しても、Ｎｉ−Ｃｏ合金で形成された各ピ
ンに均一な接触圧が得られる。すなわち、測定対象物に
先端部を確実に当接させることができるところから、接
触不良による測定ミスをさらに低減することができる。

【００１６】請求項６記載のプローブ装置では、請求項
５記載のプローブ装置において、前記フィルムは、前記
強弾性フィルムが前記コンタクトピンを押圧するときに
緩衝材となるように前記強弾性フィルムよりも先端側に
長く形成されている技術が採用される。

【００１７】このプローブ装置では、前記フィルムが前
記強弾性フィルムよりも先端側に長く形成されて該強弾
性フィルムがコンタクトピンを押圧するときに緩衝材と
なるため、繰り返し使用しても、強弾性フィルムとの摩
擦によりコンタクトピンが歪んで湾曲すること等がな
く、測定対象物に対して安定した接触を保つことができ
る。したがって、高硬度のＮｉ−Ｃｏ合金で形成された
先端部の接触圧が、長期に亙って均一に得られる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るコンタクトプ
ローブの第１実施形態を図１から図６を参照しながら説
明する。これらの図にあって、符号１はコンタクトプロ
ーブ、２は樹脂フィルム、３はパターン配線を示してい
る。

【００１９】本実施形態のコンタクトプローブ１は、図
１および図２に示すように、ポリイミド樹脂フィルム２
の片面に金属で形成されるパターン配線３を張り付けた
構造となっており、前記樹脂フィルム２の中央開口部Ｋ
に、前記樹脂フィルム２の端部（すなわち、中央開口部
Ｋの各辺）から前記パターン配線３の先端部が突出して
コンタクトピン３ａとされている。また、パターン配線
３の後端部には、テスター側のコンタクトピンが接触さ
れる接触端子３ｂが形成されている。

【００２０】前記パターン配線３は、Ｃｏ含有量を５重
量％から６０重量％の範囲内に設定したＮｉ−Ｃｏ合
金、またはＣｏ含有量を５重量％から６０重量％の範囲
内に設定し、かつＭｎ含有量を０．０５重量％から１．
５重量％の範囲内に設定したＮｉ−Ｃｏ−Ｍｎ合金で形
成され、また前記コンタクトピン３ａには、表面にＡｕ
が皮膜されて構成されている。なお、符号４は、後述す
る位置合わせ穴である。

【００２１】次に、図３を参照して、前記コンタクトプ
ローブ１の作製工程について工程順に説明する。

【００２２】〔ベースメタル層形成工程〕まず、図３の
（ａ）に示すように、ステンレス製の支持金属板５の上
に、Ｃｕ（銅）メッキによりベースメタル層６を形成す
る。

【００２３】〔パターン形成工程〕このベースメタル層
６の上にフォトレジスト層７を形成した後、図３の
（ｂ）に示すように、写真製版技術により、フォトレジ
スト層７に所定のパターンのフォトマスク８を施して露
光し、図３の（ｃ）に示すように、フォトレジスト層７
を現像して前記パターン配線３となる部分を除去して残
存するフォトレジスト層７に開口部７ａを形成する。

【００２４】なお、本実施形態においては、フォトレジ
スト層７をネガ型フォトレジストによって形成している
が、ポジ型フォトレジストを採用して所望の開口部７ａ
を形成しても構わない。また、本実施形態においては、
前記フォトレジスト層７が、本願請求項にいう「マス
ク」に相当する。但し、本願請求項の「マスク」とは、
本実施形態のフォトレジスト層７のように、フォトマス
ク８を用いた露光・現像工程を経て開口部７ａが形成さ
れるものに限定されるわけではない。例えば、メッキ処
理される箇所に予め孔が形成された（すなわち、予め、
図３の（ｃ）の符号７で示す状態に形成されている）フ
ィルム等でもよい。本願発明において、このようなフィ
ルム等を「マスク」として用いる場合には、本実施形態
におけるパターン形成工程は不要である。

【００２５】〔電解メッキ工程〕そして、図３の（ｄ）
に示すように、前記開口部７ａに前記パターン配線３と
なるＮｉ−Ｃｏ合金またはＮｉ−Ｃｏ−Ｍｎ合金である
Ｎｉ合金層Ｎをメッキ処理により形成する。このとき、
Ｃｏを含有させるためにメッキ液の組成の例として、ス
ルファミン酸Ｎｉ浴にスルファミン酸Ｃｏを添加したも
のを用い、メッキ液中のＣｏ量を制御して、Ｃｏ含有量
を５重量％から６０重量％の範囲内になるように設定す
る。さらに、Ｍｎを含有させる場合には、上記メッキ液
にスルファミン酸Ｍｎを添加したものを用い、メッキ液
中のＭｎ量およびメッキする際の電流密度を制御して、
Ｍｎ含有量を０．０５重量％から１．５重量％の範囲内
になるように設定する。上記メッキ処理の後、図３の
（ｅ）に示すように、フォトレジスト層７を除去する。

【００２６】〔フィルム被着工程〕次に、図３の（ｆ）
に示すように、前記Ｎｉ合金層Ｎの上であって、図に示
した前記パターン配線３の先端部、すなわちコンタクト
ピン３ａとなる部分以外に、前記樹脂フィルム２を接着
剤２ａにより接着する。この樹脂フィルム２は、ポリイ
ミド樹脂ＰＩに金属フィルム（銅箔）５００が一体に設
けられた二層テープである。このフィルム被着工程の前
までに、二層テープのうちの金属フィルム５００に、写
真製版技術を用いた銅エッチングを施して、グラウンド
面を形成しておき、このフィルム被着工程では、二層テ
ープのうちのポリイミド樹脂ＰＩを接着剤２ａを介して
前記Ｎｉ合金層Ｎに被着させる。なお、金属フィルム５
００は、銅箔に加えて、Ｎｉ、Ｎｉ合金等でもよい。

【００２７】〔分離工程〕そして、図３の（ｇ）に示す
ように、樹脂フィルム２とパターン配線３とベースメタ
ル層６とからなる部分を、支持金属板５から分離させた
後、Ｃｕエッチを経て、樹脂フィルム２にパターン配線
３のみを接着させた状態とする。

【００２８】〔金コーティング工程〕そして、露出状態
のパターン配線３に、図３の（ｈ）に示すように、Ａｕ
メッキを施し、表面にＡｕ層ＡＵを形成する。このと
き、樹脂フィルム２から突出状態とされた前記コンタク
トピン３ａでは、全周に亙る表面全体にＡｕ層ＡＵが形
成される。

【００２９】以上の工程により、図１および図２に示す
ような、樹脂フィルム２にパターン配線３を接着させた
コンタクトプローブ１が作製される。

【００３０】次に、前記コンタクトプローブ１を、バー
ンインテスト等に用いるプローブ装置、いわゆるチップ
キャリアに適用した場合の一例を、図４から図６を参照
して説明する。これらの図において、符号１０はプロー
ブ装置、１１はフレーム本体、１２は位置決め板、１３
は上板、１４はクランパ、１５は下板を示している。な
お、本発明に係るコンタクトプローブは、全体が柔軟で
曲げやすいためプローブ装置に組み込む際にフレキシブ
ル基板として機能する。

【００３１】プローブ装置１０は、図４および図５に示
すように、フレーム本体１１と、フレーム本体の内側に
固定され中央に開口部が形成された位置決め板１２と、
コンタクトプローブ１と、該コンタクトプローブ１を上
から押さえて支持する上板（支持部材）１３と、該上板
１３を上から付勢してフレーム本体１１に固定するクラ
ンパ１４とを備えている。また、フレーム本体１１の下
部には、ＩＣチップＩを載置して保持する下板１５がボ
ルト１５ａによって取り付けられている。

【００３２】コンタクトプローブ１の中央開口部Ｋおよ
びコンタクトピン３ａは、ＩＣチップＩの形状およびＩ
ＣチップＩ上のコンタクトパッドの配置に対応して形成
され、中央開口部Ｋからコンタクトピン３ａとＩＣチッ
プＩのコンタクトパッドとの接触状態を監視できるよう
になっている。なお、前記中央開口部Ｋの隅部に切込み
を形成して、組み込み時に容易にコンタクトプローブ１
が変形できるようにしても構わない。

【００３３】また、コンタクトプローブ１の接触端子３
ｂは、コンタクトピン３ａのピッチに比べて広く設定さ
れ、狭ピッチであるＩＣチップＩのコンタクトパッドと
該コンタクトパッドに比べて広いピッチのテスター側コ
ンタクトピンとの整合が容易に取れるようになってい
る。

【００３４】なお、ＩＣチップＩの４辺全てにはコンタ
クトパッドが形成されておらず、一部の辺に配されてい
る場合には、少なくとも前記一部の辺に対応する中央開
口部Ｋの辺にのみコンタクトピン３ａを設ければよい
が、ＩＣチップＩを安定して保持するためには、対向す
る２辺にコンタクトピン３ａを形成してＩＣチップＩの
対向する両辺を押さえることが好ましい。

【００３５】上記プローブ装置１０にＩＣチップＩを取
り付ける手順について説明する。 〔仮組立工程〕まず、位置決め板１２をフレーム本体１
１の取付部上に載置し、この上にコンタクトプローブ１
を中央開口部Ｋとフレーム本体１１の開口部とを合わせ
て配置する。そして、中央開口部Ｋ上に同様に開口部を
合わせて上板１３を載置し、その上からフレーム本体１
１にクランパ１４を係止させる。該クランパ１４は、中
央に屈曲部を有する一種の板バネであるため、上記係止
状態で上板１３を押さえて固定する機能を有する。

【００３６】上記組立状態では、中央に開口が設けら
れ、この部分にＩＣチップＩが取り付けられるので、取
り付けられたＩＣチップＩが開口上方から観察可能とさ
れている。また、上板１３とクランパ１４とは平面上略
長方形に形成され、図５に示すように、コンタクトプロ
ーブ１の接触端子３ｂが、それぞれの長辺側から外側に
出るように組立される。

【００３７】上板１３の下面は、開口近傍が所定の傾斜
角で傾斜状態とされ、図６に示すように、コンタクトプ
ローブ１のコンタクトピン３ａを所定角度で下向きに傾
斜させる。ＩＣチップＩは、配線側を上向きにして下板
１５上に載置され、この状態で下板１５がフレーム本体
１１に下方から仮止め状態とされる。このとき、コンタ
クトプローブ１のコンタクトピン３ａ先端と下板１５上
面との距離がＩＣチップＩの厚さより所定量小さく設定
されているので、ＩＣチップＩはコンタクトピン３ａと
下板１５とによって挟持される。

【００３８】〔位置合わせ工程〕さらに、開口上方から
コンタクトピン３ａの先端に対するＩＣチップＩのコン
タクトパッドの位置を観察しながら、位置決め板１２を
動かしたりＩＣチップＩを針状治具等で動かすことによ
って調整し、対応するコンタクトピン３ａ先端とコンタ
クトパッドとが一致し接触するように微調整設定する。
なお、ＩＣチップＩのダイシング精度が高く、その外形
とコンタクトパッドの位置が相対的に安定しているとき
には、位置決め板１２とコンタクトプローブ１との位置
関係を予め調整しておいてから固定的に組み立てておく
ことにより、上記微調整をせずにコンタクトピン３ａと
コンタクトパッドとを一致させることが可能となる。こ
れによって、ＩＣチップＩの位置合わせ工程が不要とな
り、ＩＣチップＩの取り付け作業が効率的にかつ容易に
行うことができる。

【００３９】〔本固定工程〕前記位置合わせ工程後、フ
レーム本体１１に下板１５を本格的に固定する。このと
き、傾斜状態のコンタクトピン３ａに、いわゆるオーバ
ードライブがかかり、所定の押圧力でコンタクトピン３
ａ先端とコンタクトパッドとが接触して確実に電気的に
結合される。この状態は、ＩＣチップＩが、いわゆるマ
ルチチップモジュール等に実装された状態に酷似してお
り、ほぼ実装状態とされたＩＣチップＩの動作状態を高
信頼性をもってテストすることができる。

【００４０】なお、ＩＣチップＩのコンタクトパッドま
たはコンタクトプローブ１のコンタクトピン３ａ先端に
バンプが設けられている場合には、バンプの高さ範囲で
オーバードライブをかけることができるので、コンタク
トピン３ａを予め傾斜させて設置しなくても構わない。
このプローブ装置１０は、約１インチ角（約２．５ｃｍ
角）の小さなチップキャリアであり、ダイナミックバー
ンインテスト等に好適なものである。

【００４１】上記プローブ装置１０では、コンタクトプ
ローブ１のコンタクトピン３ａが、コバルトが５重量％
から６０重量％の範囲内で含まれているニッケル−コバ
ルト合金で形成されているので、コンタクトピン３ａ
は、高温加熱後、例えば、３００℃で加熱した後でもＨ
ｖ３５０以上の硬度を有する。すなわち、Ｎｉ−Ｃｏ合
金は高温加熱によっても硬度が極度に低下することがな
い。

【００４２】さらに、Ｃｏ量が５重量％未満では、Ｈｖ
３５０以上の硬度が得られず、６０重量％を越えると、
硬度の低下が著しくＨｖ３５０以上の硬度を維持できな
いばかりか、先端部の応力が増大してしまい湾曲するお
それがあるとともに非常に脆く靱性が低下してしまうた
め、上記範囲内にＣｏ含有量を設定することにより、コ
ンタクトプローブ１として必要な高硬度および靱性が得
られる。また、コンタクトピン３ａを形成するニッケル
−コバルト合金を、０．０５重量％から１．５重量％の
範囲内のマンガンを含むニッケル−コバルト−マンガン
合金とすることにより、コンタクトピン３ａはより高温
加熱、例えば５００℃で加熱した後でも、Ｈｖ３５０以
上の硬度を有する。すなわち、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｍｎ合金は
より高温加熱によっても硬度が極端に低下することがな
い。

【００４３】さらに、Ｍｎ濃度が０．０５重量％未満で
は、Ｈｖ３５０以上の硬度が得られず、１．５重量％を
越えるとコンタクトピン３ａの応力が増大してしまい湾
曲する恐れがあるとともに非常に脆く靱性が低下してし
まうため、上記範囲内にＭｎ含有量を設定することによ
り、コンタクトプローブ１としてより優れた耐熱性が得
られる。

【００４４】上記コンタクトプローブ１を組み込んだプ
ローブ装置１０は、特に、バーンインテスト等の高温加
熱を伴う信頼性試験に用いるチップキャリアとして好適
である。なお、上記の第１実施形態においては、コンタ
クトプローブ１をチップキャリアであるプローブ装置１
０に適用したが、他の測定用治具等に採用しても構わな
い。

【００４５】次に、第２実施形態として、本発明に係る
コンタクトプローブ１６をＩＣ用プローブとして採用
し、メカニカルパーツ６０に組み込んでプローブ装置
（プローブカード）７０にする構成について、図７から
図９を参照して説明する。

【００４６】図７および図８は、コンタクトプローブ１
６をＩＣ用プローブとして所定形状に切り出したものを
示す図であり、図９は、図８のＣ−Ｃ線断面図である。
図８に示すように、コンタクトプローブ１６の樹脂フィ
ルム２には、コンタクトプローブ１６を位置合わせおよ
び固定するための位置合わせ孔２ｂおよび孔２ｃが設け
られ、また、パターン配線３から得られた信号を引き出
し用配線である接触端子３ｂを介してプリント基板２０
（図１０参照）に伝えるための窓２ｄが設けられてい
る。

【００４７】前記メカニカルパーツ６０は、図１０に示
すように、マウンティングベース３０と、トップクラン
プ４０と、ボトムクランプ５０とからなっている。ま
ず、プリント基板２０の上にトップクランプ４０を取付
け、次に、コンタクトプローブ１６を取り付けたマウン
ティングベース３０をトップクランプ４０にボルト穴４
１にボルト４２を螺合させて取り付ける（図１１参
照）。そして、ボトムクランプ５０でコンタクトプロー
ブ１６を押さえ込むことにより、パターン配線３を一定
の傾斜状態に保ち、該パターン配線３のコンタクトピン
３ａをＩＣチップに押しつける。

【００４８】図１１は、組立終了後のプローブ装置７０
を示している。図１２は、図１１のＥ−Ｅ線断面図であ
る。図１２に示すように、パターン配線３の先端、すな
わちコンタクトピン３ａは、マウンティングベース３０
によりＩＣチップＩに接触している。前記マウンティン
グベース３０には、コンタクトプローブ１６の位置を調
整するための位置決めピン３１が設けられており、この
位置決めピン３１をコンタクトプローブ１６の前記位置
合わせ穴２ｂに挿入することにより、パターン配線３と
ＩＣチップＩとを正確に位置合わせすることができるよ
うになっている。コンタクトプローブ１６に設けられた
窓２ｄの部分のパターン配線３に、ボトムクランプ５０
の弾性体５１を押しつけて、前記接触端子３ｂをプリン
ト基板２０の電極２１に接触させ、パターン配線３から
得られた信号を電極２１を通して外部に伝えることがで
きるようになっている。

【００４９】上記のように構成されたプローブ装置７０
を用いて、ＩＣチップＩのプローブテスト等を行う場合
は、プローブ装置７０をプローバに挿着するとともにテ
スターに電気的に接続し、所定の電気信号をパターン配
線３のコンタクトピン３ａからウェーハ上のＩＣチップ
Ｉに送ることによって、該ＩＣチップＩからの出力信号
がコンタクトピン３ａからテスターに伝送され、ＩＣチ
ップＩの電気的特性が測定される。

【００５０】このコンタクトプローブ１６およびこれを
組み込んだプローブ装置７０では、第１実施形態と同様
に、コンタクトピン３ａが、コバルトが５重量％から６
０重量％の範囲内で含まれているニッケル−コバルト合
金で形成されているので、コンタクトピン３ａは、高温
加熱後でもＨｖ３５０以上の硬度を有する。さらに、Ｃ
ｏ量が５重量％未満および６０重量％以下であるので、
コンタクトプローブとして必要な高硬度および靱性が得
られる。

【００５１】次に、図１３乃至図１８を参照して、第３
実施形態について説明する。本実施形態は、第２実施形
態においてＩＣプローブ用の所定形状に切り出したコン
タクトプローブ１６を、それに代えてＬＣＤ用プローブ
用の所定形状に切り出して使用するものである。ＬＣＤ
用プローブ用に切り出されたコンタクトプローブは、図
１３乃至図１５に符号２００で示され、２０１は樹脂フ
ィルムである。

【００５２】図１６に示すように、ＬＣＤ用プローブ装
置（プローブ装置）１００は、コンタクトプローブ挟持
体（支持部材）１１０を額縁状フレーム１２０に固定し
てなる構造を有しており、このコンタクトプローブ挟持
体１１０から突出したコンタクトピン３ａの先端がＬＣ
Ｄ（液晶表示体）９０の端子（図示せず）に接触するよ
うになっている。

【００５３】図１５に示すように、コンタクトプローブ
挟持体１１０は、トップクランプ１１１とボトムクラン
プ１１５とを備えている。トップクランプ１１１は、コ
ンタクトピン３ａの先端を押さえる第一突起１１２、Ｔ
ＡＢＩＣ（基板側パターン配線を有する配線用基板）３
００側の端子３０１を押さえる第二突起１１３およびリ
ードを押さえる第三突起１１４を有している。ボトムク
ランプ１１５は、傾斜板１１６、取付板１１７および底
板１１８から構成されている。

【００５４】コンタクトプローブ２００を傾斜板１１６
の上に載置し、さらにＴＡＢＩＣ３００の端子３０１が
コンタクトプローブ２００の樹脂フィルム２０１，２０
１間に位置するように載置する。その後、トップクラン
プ１１１を第一突起１１２が樹脂フィルム２０１の上で
かつ第二突起１１３が端子３０１に接触するように乗せ
ボルトにより組み立てる。

【００５５】図１７に示すように、コンタクトプローブ
２００を組み込み、ボルト１３０によりトップクランプ
１１１とボトムクランプ１１５を組み合わせることによ
り、コンタクトプローブ挟持体１１０が作製される。

【００５６】上記コンタクトプローブ挟持体１１０は、
図１８に示すように、ボルト１３１により固定されてＬ
ＣＤ用プローブ装置１００に組み立てられる。ＬＣＤ用
プローブ装置１００を用いてＬＣＤ９０の電気的テスト
を行うには、ＬＣＤ用プローブ装置１００のコンタクト
ピン３ａの先端をＬＣＤ９０の端子（図示せず）に接触
させた状態で、コンタクトピン３ａから得られた信号を
ＴＡＢＩＣ３００を通して外部に取り出すことにより行
われる。

【００５７】上記ＬＣＤ用プローブ装置１００では、Ｌ
ＣＤ９０の端子に当接させるコンタクトピン３ａがコバ
ルト含有量が５〜６０重量％のＮｉ−Ｃｏ合金で形成さ
れているので、第１実施形態および第２実施形態と同様
に、コンタクトピン３ａは、高温加熱後でもＨｖ３５０
以上の硬度を有するとともに、コンタクトプローブとし
て必要な高硬度および靱性が得られる。

【００５８】次に、図１９乃至図２１を参照して、第４
実施形態について説明する。図１９に示すように、上記
第３実施形態において説明したコンタクトプローブ２０
０におけるコンタクトピン３ａは、その先端が正常な先
端Ｓの他に、上方に湾曲した先端Ｓ１や下方に湾曲した
先端Ｓ２が生じることがあった。この場合、図２０に示
すように、上記樹脂フィルム２０１を第一突起１１２お
よび傾斜板１１６で挟持してコンタクトピン３ａをＬＣ
Ｄ９０の端子に押しつけても、正常な先端Ｓおよび下方
に湾曲した先端Ｓ２は、ＬＣＤ９０の端子に接触する
が、上方に湾曲した先端Ｓ１は、仮に接触したとしても
十分な接触圧が得られないことがあった。このことか
ら、コンタクトピン３ａのＬＣＤ９０に対する接触不良
が発生し、正確な電気テストが行えないという問題があ
った。

【００５９】そこで、第４実施形態では、図２１に示す
ように、コンタクトピン３ａの上方に湾曲した先端Ｓ１
と下方に湾曲した先端Ｓ２とを正常な先端Ｓと整列させ
るため、樹脂フィルム２０１の上部に有機または無機材
料からなる強弾性フィルム４００を、コンタクトピン３
ａの先端部が樹脂フィルム２０１から突出する側に、コ
ンタクトピン３ａよりも短く突出するように重ね合わ
せ、その状態でコンタクトプローブ２００および強弾性
フィルム４００を、トップクランプ１１１の第一突起１
１２とボトムクランプ１１５の傾斜板１１６とで挟持し
てなるコンタクトプローブ挟持体（支持部材）１１０を
採用した。強弾性フィルム４００は、有機材料であれ
ば、セラミックスまたはポリエチレンテレフタレートか
らなり、無機材料であれば、セラミックス、特にアルミ
ナ製フィルムからなることが好ましい。

【００６０】そして、このコンタクトプローブ挟持体１
１０を額縁フレーム１２０に固定し、コンタクトピン３
ａをＬＣＤ９０の端子に押し当てると、強弾性フィルム
４００がコンタクトピン３ａを上方から押さえ、前記上
方に湾曲した先端Ｓ１であってもＬＣＤ９０の端子に確
実に接触する。これにより、各コンタクトピン３ａの先
端に均一な接触圧が得られる。

【００６１】すなわち、ＬＣＤ９０の端子にコンタクト
ピン３ａ先端を確実に当接させることができるところか
ら、接触不良による測定ミスをなくすことができる。さ
らに、強弾性フィルム４００からのコンタクトピン３ａ
の突出量を変化させることにより、コンタクトピン３ａ
を押しつけたときにコンタクトピン３ａを上から押さえ
るタイミングを変えることが可能となり、所望の押し付
け量で所望の接触圧を得ることができる。

【００６２】次に、図２２および図２３を参照して、第
５実施形態について説明する。図２２に示すように、上
記第３実施形態において説明した、コンタクトプローブ
２００の樹脂フィルム２０１は、例えばポリイミド樹脂
からなっているため、水分を吸収して伸びが生じ、コン
タクトピン３ａ，３ａ間の間隔ｔが変化することがあっ
た。そのため、コンタクトピン３ａがＬＣＤ９０の端子
の所定位置に接触することが不可能となり、正確な電気
テストを行うことができないという問題があった。

【００６３】そこで、第５実施形態では、図２３に示す
ように、前記樹脂フィルム２０１の上に金属フィルム５
００を張り付け、湿度が変化してもコンタクトピン３
ａ，３ａ間の間隔ｔの変化を少なくし、これにより、コ
ンタクトピン３ａをＬＣＤ９０の端子の所定位置に確実
に接触させることとした。

【００６４】すなわち、各コンタクトピン３ａの位置ず
れが生じ難くなり、先端がＬＣＤ９０の端子に正確かつ
高精度に当接させられる。したがって、ＬＣＤ９０の端
子以外の場所に、高硬度のＮｉ−Ｃｏ合金で形成された
コンタクトピン３ａが当接することによって生じる損傷
等を防ぐことができる。なお、金属フィルム５００は、
Ｎｉ、Ｎｉ合金、ＣｕまたはＣｕ合金のうちいずれかの
ものが好ましい。

【００６５】次に、図２４を参照して、第６実施形態に
ついて説明する。すなわち、上記第５実施形態のよう
に、樹脂フィルム２０１の上に金属フィルム５００を張
り付けると共に、上記第３実施形態のように強弾性フィ
ルム４００を使用したものであり、これにより、コンタ
クトピン３ａ先端の湾曲によらず均一な接触圧が得られ
ると共に、コンタクトピン３ａ，３ａ間の間隔ｔの変化
を最小限に抑えて電気テストを正確に行えるものであ
る。

【００６６】次に、図２５および図２６を参照して、第
７実施形態について説明する。図２５に示すように、樹
脂フィルム２０１の上に張り付けられた金属フィルム５
００の上にさらに第二の樹脂フィルム２０２を張り付け
る構成を採用し、図２６に示すように、この第二の樹脂
フィルム２０２の上に強弾性フィルム４００を設けたも
のである。

【００６７】ここで、上記第６実施形態と異なり、第二
の樹脂フィルム２０２を設けたのは、後端部の金属フィ
ルム５００の上方に配されたＴＡＢＩＣ３００の端子が
金属フィルム５００と直接接触することで生じるショー
トを防ぐという理由によるものである。また、樹脂フィ
ルム２０１の上に金属フィルム５００が張り付けられて
設けられているだけでは、大気中で露出状態の金属フィ
ルム５００の酸化が進行してしまうため、第二の樹脂フ
ィルム２０２で金属フィルム５００を被覆することによ
ってその酸化を防止するためでもある。

【００６８】次に、図２７および図２８を参照して、第
８実施形態について説明する。上記第４、第６および第
７実施形態では、使用中は、強弾性フィルム４００がコ
ンタクトピン３ａに押圧接触しており、繰り返しの使用
により強弾性フィルム４００とコンタクトピン３ａの摩
擦が繰り返され、これによる歪みが蓄積されると、コン
タクトピン３ａが左右に曲がり、接触点がずれることが
あった。

【００６９】そこで、第８実施形態では、図２７に示す
ように、前記樹脂フィルム２０１を従来よりも幅広なフ
ィルム２０１ａとするとともに、コンタクトピン３ａの
金属フィルム５００からの突出長さをＸ１、幅広樹脂フ
ィルム２０１ａの金属フィルム５００からの突出長さを
Ｘ２とすると、Ｘ１＞Ｘ２とする構成を採用した。そし
て、図２８に示すように、前記強弾性フィルム４００を
幅広樹脂フィルム２０１ａよりも短く突出するように重
ねて使用すると、強弾性フィルム４００は、柔らかい幅
広樹脂フィルム２０１ａに接触し、コンタクトピン３ａ
とは直接接触しないため、コンタクトピン３ａが左右に
曲がることが防止できる。

【００７０】さらに、上記第８実施形態におけるＬＣＤ
用プローブ装置１００では、幅広樹脂フィルム２０１ａ
が強弾性フィルム４００よりも先端側に長く形成されて
強弾性フィルム４００がコンタクトピン３ａを押圧する
ときに緩衝材となるため、繰り返し使用しても、強弾性
フィルム４００との摩擦によりコンタクトピン３ａが歪
んで湾曲すること等がなく、ＬＣＤ９０の端子に対して
安定した接触を保つことができる。

【００７１】次に、図２９および図３０を参照して、第
９実施形態について説明する。金属フィルム５００の上
に第二の樹脂フィルム２０２を張り付け、コンタクトピ
ン３ａの金属フィルム５００からの突出長さをＸ１、幅
広樹脂フィルム２０１ａの金属フィルム５００からの突
出長さをＸ２とすると、Ｘ１＞Ｘ２の関係になるように
構成する。そして、図３０に示すように、第二の樹脂フ
ィルム２０２の上に設ける強弾性フィルム４００は、幅
広樹脂フィルム２０１ａよりも短く突出するように重ね
て配されている。

【００７２】上記第９実施形態におけるＬＣＤ用プロー
ブ装置１００では、第３〜８実施形態におけるそれぞれ
の作用効果、すなわちコンタクトピン３ａの高硬度化、
接触圧の均一化、位置ずれの抑制、接触圧の安定化およ
び金属フィルムによるショート防止等の作用効果が得ら
れる。

【００７３】なお、第３〜第９実施形態におけるコンタ
クトプローブを、チップキャリアやＩＣプローブ用のプ
ローブ装置に採用しても構わない。この場合、組み込ま
れる各プローブ装置に対応して、コンタクトプローブの
形状、配線、コンタクトピンのピッチや配置等が設定さ
れる。

【００７４】

【実施例】上記各実施形態におけるコンタクトプローブ
のパターン配線およびコンタクトピンを形成する電解メ
ッキ工程において、そのメッキ条件は、以下の試験結果
に基づいて求めた。

【００７５】ＣｏをＮｉに含有させるためのメッキ液
は、スルファミン酸Ｎｉ浴にスルファミン酸Ｃｏを添加
したものであり、Ｎｉメッキ膜中に含有されるＣｏ量
は、メッキ液中のＣｏ量に左右されるため、以下の条件
でメッキ処理を施した。 Ｃｏ量：１．５〜１５ｇ／ｌ

【００７６】メッキ条件を上記範囲内に設定した理由
は、Ｃｏ量が１．５ｇ／ｌ未満では、皮膜中のＣｏ含有
量が少なく所望の硬度を得ることができず、１５ｇ／ｌ
を越えるとＣｏ含有量が増大し、メッキ皮膜の応力増大
および皮膜自身が非常に脆くなるためである。

【００７７】さらに、ＭｎをＮｉ−Ｃｏ合金に含有させ
るためのメッキ液は、上記メッキ液にスルファミン酸Ｍ
ｎを添加したものであり、メッキ膜中に含有されるＭｎ
量は、メッキ液中のＭｎ量およびメッキをする際の電流
密度に左右されるため、以下の条件でメッキ処理を施し
た。 Ｍｎ量：２０〜３５ｇ／ｌ 電流密度：１〜１０Ａ／ｄｍ²

【００７８】メッキ条件を上記範囲内に設定した理由
は、Ｍｎ量が２０ｇ／ｌ未満および電流密度１Ａ／ｄｍ
²未満では、皮膜中のＭｎ含有量が少なく所望の硬度を
得ることができず、３５ｇ／ｌおよび１０Ａ／ｄｍ²を
越えるとＭｎ含有量が増大し、メッキ皮膜の応力が増大
するとともに皮膜自身が非常に脆くなるためである。

【００７９】なお、スルファミン酸に限らず硫酸Ｎｉ浴
をベースにしたものでメッキ処理を施しても構わない
が、スルファミン酸Ｎｉ浴によるメッキ処理では、硫酸
Ｎｉ浴に比べて応力が低減されるという効果がある。以
下の表１に、Ｃｏ濃度を変えた場合の熱処理前後の硬度
を測定した実験結果を示す。また、表２に、Ｍｎ量を一
定（３０ｇ／ｌ）とした場合において、電流密度を変え
た際のＭｎ濃度および熱処理前後の硬度の実験結果を示
す。

【００８０】

【表１】

【００８１】

【表２】

【００８２】

【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。 （１）請求項１記載のコンタクトプローブによれば、先
端部が、コバルトが５重量％から６０重量％の範囲内で
含まれているニッケル−コバルト合金で形成されている
ので、先端部は、高温加熱（例えば、３００℃）後でも
Ｈｖ３５０以上の硬度を有する優れた耐熱性を備えてい
るとともに、コンタクトプローブとして必要な高硬度お
よび靱性を得ることができる。したがって、高温加熱後
においても高信頼性を有するテストが可能となる。

【００８３】（２）請求項２記載のコンタクトプローブ
によれば、先端部を形成するニッケル−コバルト合金
が、０．０５重量％から１．５重量％の範囲内のマンガ
ンを含むニッケル−コバルト−マンガン合金とされてい
るので、先端部はより高温（例えば、５００℃）で加熱
した後でも、Ｈｖ３５０以上の硬度を有するというさら
に優れた耐熱性を備えることができる。

【００８４】（３）請求項３記載のコンタクトプローブ
によれば、前記フィルムが、例えば水分を吸収して伸張
し易い樹脂フィルム等であっても、該フィルムには、金
属フィルムが直接張り付けられて設けられているため、
該金属フィルムによって前記フィルムの伸びが抑制さ
れ、各コンタクトピンの間隔にずれが生じ難くなり、コ
ンタクトピンを測定対象物に正確かつ高精度に当接させ
ることができる。したがって、測定対象物であるＩＣチ
ップやＬＣＤ等の端子以外の場所に、高硬度のＮｉ−Ｃ
ｏ合金で形成されたコンタクトピンが当接することによ
って生じる損傷等を防ぐことができる。さらに、本コン
タクトプローブでは、前記金属フィルムをグラウンドと
して用いることによりコンタクトピン先の近くまで基板
配線側との特性インピーダンスのずれを最小限に抑える
ことができ、反射雑音による誤動作を抑えることができ
る。

【００８５】（４）請求項４記載のコンタクトプローブ
によれば、前記金属フィルムに第二のフィルムが直接張
り付けられて設けられているため、金属フィルムの上方
に配された前記配線用基板の基板側パターン配線や他の
配線が金属フィルムと直接接触しないのでショートを防
ぐことができる。また、第二のフィルムが金属フィルム
を被覆してその酸化を防止することができる。

【００８６】（５）請求項５記載のプローブ装置によれ
ば、強弾性フィルムがコンタクトピンの先端側を上方か
ら押さえるため、ピン先端が上方に湾曲したものが存在
しても、高硬度のＮｉ−Ｃｏ合金で形成された各ピンに
均一な接触圧が得られる。すなわち、測定対象物にコン
タクトピンを確実に当接させることができるところか
ら、接触不良による測定ミスをなくすことができる。

【００８７】（６）請求項６記載のプローブ装置によれ
ば、前記フィルムが前記強弾性フィルムよりも先端側に
長く形成されて該強弾性フィルムがコンタクトピンを押
圧するときに緩衝材となるため、強弾性フィルムとの摩
擦によりコンタクトピンが歪んで湾曲すること等がな
く、測定対象物に対して安定した接触を保つことができ
る。したがって、高硬度のＮｉ−Ｃｏ合金で形成された
先端部の接触圧が、長期に亙って均一に得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係るコンタクトプローブの第１実施
形態を示す拡大模式図である。

【図２】 図１のＡ−Ａ線断面図である。

【図３】 本発明に係るコンタクトプローブの第１実施
形態における製造方法を工程順に示す要部断面図であ
る。

【図４】 本発明に係るコンタクトプローブの第１実施
形態におけるプローブ装置（チップキャリア）の分解斜
視図である。

【図５】 本発明に係るコンタクトプローブの第１実施
形態におけるプローブ装置（チップキャリア）の外観斜
視図である。

【図６】 図５の要部が拡大されたＢ−Ｂ線断面図であ
る。

【図７】 本発明に係るコンタクトプローブの第２実施
形態を示す要部斜視図である。

【図８】 本発明に係るコンタクトプローブの第２実施
形態を示す平面図である。

【図９】 図８のＣ−Ｃ線断面図である。

【図１０】 本発明に係るコンタクトプローブの第２実
施形態を組み込んだプローブ装置の一例を示す分解斜視
図である。

【図１１】 本発明に係るコンタクトプローブの第２実
施形態を組み込んだプローブ装置の一例を示す要部斜視
図である。

【図１２】 図１１のＥ−Ｅ線断面図である。

【図１３】 本発明に係るプローブ装置の第３実施形態
におけるコンタクトプローブを示す斜視図である。

【図１４】 図１３のＦ−Ｆ線断面図である。

【図１５】 本発明に係るプローブ装置の第３実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体を示す分解斜視図で
ある。

【図１６】 本発明に係るプローブ装置の第３実施形態
を示す斜視図である。

【図１７】 本発明に係るプローブ装置の第３実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体を示す斜視図であ
る。

【図１８】 図１６のＸ−Ｘ線断面図である。

【図１９】 本発明に係るプローブ装置の第４実施形態
に関してコンタクトプローブの従来の欠点を示す側面図
である。

【図２０】 本発明に係るプローブ装置の第４実施形態
に関してプローブ装置の従来の欠点を示す側面図であ
る。

【図２１】 本発明に係るプローブ装置の第５実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体に組み込まれたコン
タクトプローブを示す側面図である。

【図２２】 本発明に係るコンタクトプローブの第５実
施形態に関して図１３のＤ方向矢視図である。

【図２３】 本発明に係るコンタクトプローブの第５実
施形態を示す側面図である。

【図２４】 本発明に係るプローブ装置の第６実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体に組み込まれたコン
タクトプローブを示す側面図である。

【図２５】 本発明に係るプローブ装置の第７実施形態
におけるコンタクトプローブを示す側面図である。

【図２６】 本発明に係るプローブ装置の第７実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体に組み込まれたコン
タクトプローブを示す側面図である。

【図２７】 本発明に係るプローブ装置の第８実施形態
におけるコンタクトプローブを示す側面図である。

【図２８】 本発明に係るプローブ装置の第８実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体に組み込まれたコン
タクトプローブを示す側面図である。

【図２９】 本発明に係るプローブ装置の第９実施形態
におけるコンタクトプローブを示す側面図である。

【図３０】 本発明に係るプローブ装置の第９実施形態
におけるコンタクトプローブ挟持体に組み込まれたコン
タクトプローブを示す側面図である。

【符号の説明】

１，１６ コンタクトプローブ ２ 樹脂フィルム ３ パターン配線 ３ａ コンタクトピン（先端部） １３ 上板（支持部材） ９０ ＬＣＤ（測定対象物） １００ プローブ装置 １１０ コンタクトプローブ挟持体（支持部材） ２００ コンタクトプローブ ２０１ 樹脂フィルム ２０１ａ 樹脂フィルム（幅広樹脂フィルム） ２０２ 第二の樹脂フィルム ３００ ＴＡＢＩＣ（配線用基板） ３０１ 端子 ４００ 強弾性フィルム ５００ 金属フィルム ＡＵ Ａｕ層 Ｉ ＩＣチップ（測定対象物） Ｎ Ｎｉ合金層（Ｎｉ−Ｃｏ合金層またはＮｉ−Ｃｏ−
Ｍｎ合金層） ＰＩ ポリイミド樹脂

フロントページの続き (72)発明者 吉田 秀昭 兵庫県三田市テクノパーク十二番の六 三 菱マテリアル株式会社三田工場内 (72)発明者 石井 利昇 兵庫県三田市テクノパーク十二番の六 三 菱マテリアル株式会社三田工場内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数のパターン配線がフィルム上に形成
   されこれらのパターン配線の各先端部が前記フィルムか
   ら突出状態に配されてコンタクトピンとされるコンタク
   トプローブであって、 少なくとも前記先端部は、ニッケル−コバルト合金で形
   成され、 該ニッケル−コバルト合金は、コバルトが５重量％から
   ６０重量％の範囲内で含まれていることを特徴とするコ
   ンタクトプローブ。
2. 【請求項２】 請求項１記載のコンタクトプローブにお
   いて、 前記ニッケル−コバルト合金は、マンガンが０．０５重
   量％から１．５重量％の範囲内で含まれているニッケル
   −コバルト−マンガン合金とされていることを特徴とす
   るコンタクトプローブ。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載のコンタクトプロ
   ーブにおいて、 前記フィルムには、金属フィルムが直接張り付けられて
   設けられていることを特徴とするコンタクトプローブ。
4. 【請求項４】 請求項３記載のコンタクトプローブにお
   いて、 前記金属フィルムには、第二のフィルムが直接張り付け
   られて設けられていることを特徴とするコンタクトプロ
   ーブ。
5. 【請求項５】 請求項１から４のいずれかに記載のコン
   タクトプローブと、 前記フィルム上に配されて該フィルムから前記コンタク
   トピンよりも短く突出する強弾性フィルムと、 該強弾性フィルムと前記コンタクトプローブとを支持す
   る支持部材とを備えていることを特徴とするプローブ装
   置。
6. 【請求項６】 請求項５記載のプローブ装置において、 前記フィルムは、前記強弾性フィルムが前記コンタクト
   ピンを押圧するときに緩衝材となるように前記強弾性フ
   ィルムよりも先端側に長く形成されていることを特徴と
   するプローブ装置。