JPH1145429A - ハードディスク及びハードディスクの製造方法 - Google Patents
ハードディスク及びハードディスクの製造方法Info
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- JPH1145429A JPH1145429A JP9198042A JP19804297A JPH1145429A JP H1145429 A JPH1145429 A JP H1145429A JP 9198042 A JP9198042 A JP 9198042A JP 19804297 A JP19804297 A JP 19804297A JP H1145429 A JPH1145429 A JP H1145429A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ハードディスクの保護膜に対するマイクロプ
ラズマ粒子の影響を低減して、該保護膜表面の劣化を防
止し、摺動特性を高めたハードディスク及び該ハードデ
ィスクの製造方法を得ることを目的とする。 【解決手段】 ハードディスク表面に半導体化した水素
化アモルファスカーボンから成る保護膜を形成すること
を基本手段とする。保護膜は、室温における電気伝導度
が５×１０-9／Ωｃｍ以上で且つ室温において光伝導性
を有する水素化アモルファスカーボンであり、好ましく
は電気伝導度を５×１０-9／Ωｃｍ〜５×１０-6／Ωｃ
ｍの範囲とする。保護膜の製法として、平行平板型ｒｆ
プラズマＣＶＤ法でカソード電極１２とアノード電極１
３の間の第３電極２２にアース電位に対して負の直流バ
イアスを印加するトライオードプラズマＣＶＤ法によ
り、カソード電極１２上でアモルファスカーボン膜を成
膜する。
ラズマ粒子の影響を低減して、該保護膜表面の劣化を防
止し、摺動特性を高めたハードディスク及び該ハードデ
ィスクの製造方法を得ることを目的とする。 【解決手段】 ハードディスク表面に半導体化した水素
化アモルファスカーボンから成る保護膜を形成すること
を基本手段とする。保護膜は、室温における電気伝導度
が５×１０-9／Ωｃｍ以上で且つ室温において光伝導性
を有する水素化アモルファスカーボンであり、好ましく
は電気伝導度を５×１０-9／Ωｃｍ〜５×１０-6／Ωｃ
ｍの範囲とする。保護膜の製法として、平行平板型ｒｆ
プラズマＣＶＤ法でカソード電極１２とアノード電極１
３の間の第３電極２２にアース電位に対して負の直流バ
イアスを印加するトライオードプラズマＣＶＤ法によ
り、カソード電極１２上でアモルファスカーボン膜を成
膜する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表面に保護膜が形成
されたハードディスク及び該ハードディスクの製造方法
に関するものである。
されたハードディスク及び該ハードディスクの製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年コンピュータが種々の分野で使用さ
れており、扱われる情報量も飛躍的に増大している。こ
のコンピュータの記憶装置として、小さなスペースに大
容量の記憶が可能な磁気ディスクが一般に採用されてい
る。
れており、扱われる情報量も飛躍的に増大している。こ
のコンピュータの記憶装置として、小さなスペースに大
容量の記憶が可能な磁気ディスクが一般に採用されてい
る。
【０００３】高密度記録のためには、情報を誘電電流で
読み出す従来の磁気ヘッドから磁気抵抗効果を利用した
ヘッドに変え、記録媒体としてコンピュータデータを磁
気的に記録できる物質を塗布した円盤状の薄膜磁気ハー
ドディスクが多用されており、通常は複数の硬質円盤を
重ね合わせて１台のハードでアクセスできるようにして
ある。
読み出す従来の磁気ヘッドから磁気抵抗効果を利用した
ヘッドに変え、記録媒体としてコンピュータデータを磁
気的に記録できる物質を塗布した円盤状の薄膜磁気ハー
ドディスクが多用されており、通常は複数の硬質円盤を
重ね合わせて１台のハードでアクセスできるようにして
ある。
【０００４】図３に従来から知られている一般的な薄膜
磁気ハードディスク１０の断面構造を示す。図中の１は
基板、２はＣｒ（クロム）を用いた下地膜、３はＣｏ−
Ｃｒ−Ｔａ（コバルト−クロム−タンタル）で構成され
た磁性層、４はカーボン保護膜であり、このカーボン保
護膜４上で磁気ヘッド５が所定のギャップＬを保持して
配置されている。
磁気ハードディスク１０の断面構造を示す。図中の１は
基板、２はＣｒ（クロム）を用いた下地膜、３はＣｏ−
Ｃｒ−Ｔａ（コバルト−クロム−タンタル）で構成され
た磁性層、４はカーボン保護膜であり、このカーボン保
護膜４上で磁気ヘッド５が所定のギャップＬを保持して
配置されている。
【０００５】上記カーボン保護膜４としては、主に水素
化アモルファスカーボン膜が用いられている。記録媒体
である薄膜磁気ハードディスク１０は、高密度化のため
磁気ヘッド５とのギャップＬが５０（ｎｍ）前後まで下
がってきた一方で、表面のカーボン保護膜４の厚みを薄
くする技術手段が求められている。
化アモルファスカーボン膜が用いられている。記録媒体
である薄膜磁気ハードディスク１０は、高密度化のため
磁気ヘッド５とのギャップＬが５０（ｎｍ）前後まで下
がってきた一方で、表面のカーボン保護膜４の厚みを薄
くする技術手段が求められている。
【０００６】磁気ヘッド５の低浮上性を実現するために
は、薄膜磁気ハードディスク１０表面の形状が平滑であ
ること、カーボン保護膜４の耐摩耗性が良好であること
が必須要件である。通常カーボン保護膜４の表面には２
〜３（ｎｍ）程度のフッ素系化合物でなる潤滑剤が塗布
されており、この潤滑剤によって磁気ヘッド５の接触時
の衝撃を小さくし、カーボン保護膜４の寿命を延ばす機
能を持たせている。
は、薄膜磁気ハードディスク１０表面の形状が平滑であ
ること、カーボン保護膜４の耐摩耗性が良好であること
が必須要件である。通常カーボン保護膜４の表面には２
〜３（ｎｍ）程度のフッ素系化合物でなる潤滑剤が塗布
されており、この潤滑剤によって磁気ヘッド５の接触時
の衝撃を小さくし、カーボン保護膜４の寿命を延ばす機
能を持たせている。
【０００７】薄膜磁気ハードディスク１０の静止時に
は、磁気ヘッド５は該薄膜磁気ハードディスク１０に接
触しているが、使用時には薄膜磁気ディスク１０の高速
回転に伴い、ディスク表面の粘性流により磁気ヘッド５
が僅かに浮上し、媒体に対する情報の記録、又は記録さ
れた情報の読み出しを行う。使用停止時には磁気ヘッド
５が再びディスク表面に接触して停止する。
は、磁気ヘッド５は該薄膜磁気ハードディスク１０に接
触しているが、使用時には薄膜磁気ディスク１０の高速
回転に伴い、ディスク表面の粘性流により磁気ヘッド５
が僅かに浮上し、媒体に対する情報の記録、又は記録さ
れた情報の読み出しを行う。使用停止時には磁気ヘッド
５が再びディスク表面に接触して停止する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】薄膜磁気ハードディス
クにおいては、図４に示すように始動及び停止時に薄膜
磁気ハードディスク１０と磁気ヘッド５の接触によって
薄膜磁気ハードディスク１０の表面に塗布された潤滑剤
の分解劣化が発生するという問題がある。
クにおいては、図４に示すように始動及び停止時に薄膜
磁気ハードディスク１０と磁気ヘッド５の接触によって
薄膜磁気ハードディスク１０の表面に塗布された潤滑剤
の分解劣化が発生するという問題がある。
【０００９】この薄膜磁気ハードディスク表面の潤滑剤
劣化のメカニズムには、固体と固体の摩擦に伴って起こ
る摩擦電磁気現象が密接に関わっており、固体と固体が
摩擦することによって電子やイオン、フォトンが放出さ
れる現象をトライボエミッションと呼んでいる。
劣化のメカニズムには、固体と固体の摩擦に伴って起こ
る摩擦電磁気現象が密接に関わっており、固体と固体が
摩擦することによって電子やイオン、フォトンが放出さ
れる現象をトライボエミッションと呼んでいる。
【００１０】劣化のメカニズムとしては、摩擦に伴って
保護膜５の表面やミクロなクラック内部に電荷分離によ
る高電界が発生し、それにより放出電子の加速化と周囲
分子のイオン化によるマイクロプラズマが発生し、マイ
クロプラズマ粒子である電子、イオン、フォトンがトラ
イボエミッション粒子として作用して分解劣化が起こる
ことが考えられ、このメカニズムによれば、マイクロプ
ラズマ内部においては安定な物質も化学反応を生じて分
解することが予想される。
保護膜５の表面やミクロなクラック内部に電荷分離によ
る高電界が発生し、それにより放出電子の加速化と周囲
分子のイオン化によるマイクロプラズマが発生し、マイ
クロプラズマ粒子である電子、イオン、フォトンがトラ
イボエミッション粒子として作用して分解劣化が起こる
ことが考えられ、このメカニズムによれば、マイクロプ
ラズマ内部においては安定な物質も化学反応を生じて分
解することが予想される。
【００１１】更に、ミクロな帯電や電荷分離による超高
電界の発生や、マイクロプラズマによる超高温の発生
は、コンピュータなどのエレクトロニクス機器はもとよ
り、各種の精密機械にも大きな問題となる。
電界の発生や、マイクロプラズマによる超高温の発生
は、コンピュータなどのエレクトロニクス機器はもとよ
り、各種の精密機械にも大きな問題となる。
【００１２】そこで本発明は、ミクロな帯電や電荷分離
の影響を受けることがなく、保護膜表面の劣化を防止す
ることができるハードディスク及びハードディスクの製
造方法を得ることを目的とするものである。
の影響を受けることがなく、保護膜表面の劣化を防止す
ることができるハードディスク及びハードディスクの製
造方法を得ることを目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、ハードディスク表面に半導体化した水素
化アモルファスカーボンから成る保護膜を形成したハー
ドディスクを基本構成とする。前記保護膜は、室温にお
ける電気伝導度が５×１０-9／Ωｃｍ以上で且つ室温に
おいて光伝導性を有する水素化アモルファスカーボンで
あり、好ましくは電気伝導度が５×１０-9／Ωｃｍ〜５
×１０-6／Ωｃｍとなるように設定する。
成するために、ハードディスク表面に半導体化した水素
化アモルファスカーボンから成る保護膜を形成したハー
ドディスクを基本構成とする。前記保護膜は、室温にお
ける電気伝導度が５×１０-9／Ωｃｍ以上で且つ室温に
おいて光伝導性を有する水素化アモルファスカーボンで
あり、好ましくは電気伝導度が５×１０-9／Ωｃｍ〜５
×１０-6／Ωｃｍとなるように設定する。
【００１４】更に上記ハードディスクの保護膜の製造方
法として、平行平板型ｒｆプラズマＣＶＤ法でカソード
電極とアノード電極の間にアース電位に対して負の直流
バイアスを印加するトライオードプラズマＣＶＤ法によ
り、カソード電極上でアモルファスカーボン膜を成膜す
ることにより形成する。
法として、平行平板型ｒｆプラズマＣＶＤ法でカソード
電極とアノード電極の間にアース電位に対して負の直流
バイアスを印加するトライオードプラズマＣＶＤ法によ
り、カソード電極上でアモルファスカーボン膜を成膜す
ることにより形成する。
【００１５】かかる保護膜をハードディスク上に成膜し
た後、減圧下でヘッドの浮上を抑えながらディスクを高
速回転させて保護膜が破断するまでの摺動パス回数を測
定したところ、従来の絶縁性の高い水素化アモルファス
カーボンを素材として成膜した保護膜に較べて摺動パス
回数が多くなっており、本発明の保護膜の摺動特性が従
来例の保護膜の摺動特性よりも優れているという結果が
得られた。
た後、減圧下でヘッドの浮上を抑えながらディスクを高
速回転させて保護膜が破断するまでの摺動パス回数を測
定したところ、従来の絶縁性の高い水素化アモルファス
カーボンを素材として成膜した保護膜に較べて摺動パス
回数が多くなっており、本発明の保護膜の摺動特性が従
来例の保護膜の摺動特性よりも優れているという結果が
得られた。
【００１６】
【発明の実施の形態】摩擦電磁気現象は固体の電気抵抗
率に大きく依存し、固体が伝導体、半導体、絶縁体と変
化するにつれてトライボエミッションの機構が異なり、
電子やイオン、フォトンの放出強度は急速に増大するこ
とが確認されている。
率に大きく依存し、固体が伝導体、半導体、絶縁体と変
化するにつれてトライボエミッションの機構が異なり、
電子やイオン、フォトンの放出強度は急速に増大するこ
とが確認されている。
【００１７】また、一般に水素化カーボン膜では水素含
有率の増大に伴って電気抵抗率が急速に増大する。即
ち、絶縁性が高まり、摩擦帯電やマイクロプラズマの発
生が増大するものと説明できる。
有率の増大に伴って電気抵抗率が急速に増大する。即
ち、絶縁性が高まり、摩擦帯電やマイクロプラズマの発
生が増大するものと説明できる。
【００１８】これらのことから、水素化アモルファスカ
ーボンが絶縁体から半導体に変化するにつれてトライボ
エミッション量が減少すると考えることができ、本発明
はこの点に着目して薄膜磁気ハードディスクの保護膜に
電気抵抗の小さい水素化アモルファスカーボン膜を用い
ることを試みたものである。
ーボンが絶縁体から半導体に変化するにつれてトライボ
エミッション量が減少すると考えることができ、本発明
はこの点に着目して薄膜磁気ハードディスクの保護膜に
電気抵抗の小さい水素化アモルファスカーボン膜を用い
ることを試みたものである。
【００１９】以下本発明の実施の形態にかかる水素化ア
モルファスカーボンを保護膜に用いたハードディスク及
び該ハードディスクの製造方法について説明する。
モルファスカーボンを保護膜に用いたハードディスク及
び該ハードディスクの製造方法について説明する。
【００２０】水素化アモルファスカーボン保護膜は、平
行平板型ｒｆ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅａｑｕｅｎｃｙ）プ
ラズマＣＶＤ法により成膜した。図１は本発明で採用し
た成膜装置の概要図であり、先ず装置の構成を説明する
と、１１は真空チャンバ，１２はカソード電極，１３は
アノード電極，１４は基板，１５はメタンガスのボン
ベ，１６は水素ガスのボンベ，１７は直流電圧電源，１
８はメカニカルブースタポンプ，１９はロータリポン
プ，２０はｒｆ電源，２１はマッチングボックス，２２
は第３電極である。
行平板型ｒｆ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅａｑｕｅｎｃｙ）プ
ラズマＣＶＤ法により成膜した。図１は本発明で採用し
た成膜装置の概要図であり、先ず装置の構成を説明する
と、１１は真空チャンバ，１２はカソード電極，１３は
アノード電極，１４は基板，１５はメタンガスのボン
ベ，１６は水素ガスのボンベ，１７は直流電圧電源，１
８はメカニカルブースタポンプ，１９はロータリポン
プ，２０はｒｆ電源，２１はマッチングボックス，２２
は第３電極である。
【００２１】上記カソード電極１２とアノード（アー
ス）電極１３の間にアース電位に対して負の直流バイア
スを印加した第３電極２２を配置し、カソード電極１２
上で膜を形成するトライオードプラズマＣＶＤ法によ
り、２ｎｍ〜２５ｎｍの各種の膜厚で成膜した。
ス）電極１３の間にアース電位に対して負の直流バイア
スを印加した第３電極２２を配置し、カソード電極１２
上で膜を形成するトライオードプラズマＣＶＤ法によ
り、２ｎｍ〜２５ｎｍの各種の膜厚で成膜した。
【００２２】実施に際して、カソード電極１２とアノー
ド電極１３として直径１００ｍｍのものを用いて、電極
間距離は２６ｍｍとして真空チャンバ１１内に平行に配
置した。基板１４はカソード電極１２上に配置した。
又、直径１３０ｍｍのステンレスメッシュ製の第３電極
２２をカソード電極１２とアノード電極１３の間に、ア
ノード電極１３との距離を１０ｍｍとして平行に配置し
た。尚、何れの電極も加熱は行わなかった。
ド電極１３として直径１００ｍｍのものを用いて、電極
間距離は２６ｍｍとして真空チャンバ１１内に平行に配
置した。基板１４はカソード電極１２上に配置した。
又、直径１３０ｍｍのステンレスメッシュ製の第３電極
２２をカソード電極１２とアノード電極１３の間に、ア
ノード電極１３との距離を１０ｍｍとして平行に配置し
た。尚、何れの電極も加熱は行わなかった。
【００２３】先ず始めに、図示していないターボポンプ
を用いて真空チャンバ１１内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで
十分に真空引きした。次にソースガスとしてメタンガス
のボンベ１５と水素ガスのボンベ１６から得られる純メ
タンガスと純水素ガスを用いて、水素ガス比率（Ｈ2／
（ＣＨ4＋Ｈ2））を６０％に保持し、総ガス流量は２０
ｃｃｍとした。成膜時の真空引きはメカニカルブースタ
ポンプ１８とロータリポンプ１９を用いて行った。成膜
時の真空度は０.０３Ｔｏｒｒに保った。
を用いて真空チャンバ１１内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで
十分に真空引きした。次にソースガスとしてメタンガス
のボンベ１５と水素ガスのボンベ１６から得られる純メ
タンガスと純水素ガスを用いて、水素ガス比率（Ｈ2／
（ＣＨ4＋Ｈ2））を６０％に保持し、総ガス流量は２０
ｃｃｍとした。成膜時の真空引きはメカニカルブースタ
ポンプ１８とロータリポンプ１９を用いて行った。成膜
時の真空度は０.０３Ｔｏｒｒに保った。
【００２４】ｒｆ電力は、ｒｆ電源２０からマッチング
ボックス２１を介してカソード電極１２とアノード電極
１３間に印加した。ｒｆ電力密度は０.６４Ｗ／ｃｍ2に
保ち、バイアス電圧は−０.４８〜−０.４５ｋＶとし
た。
ボックス２１を介してカソード電極１２とアノード電極
１３間に印加した。ｒｆ電力密度は０.６４Ｗ／ｃｍ2に
保ち、バイアス電圧は−０.４８〜−０.４５ｋＶとし
た。
【００２５】成膜中は、−２０Ｖの直流電圧を直流電圧
電源１７を用いて第３電極２２に印加した。
電源１７を用いて第３電極２２に印加した。
【００２６】成膜後これらの水素化アモルファスカーボ
ン保護膜を真空中にて２００℃で１時間アニールした
後、金電極を蒸着して電気伝導度を測定したところ、室
温における電気伝導度は何れも５×１０-9／Ωｃｍ以上
であった。
ン保護膜を真空中にて２００℃で１時間アニールした
後、金電極を蒸着して電気伝導度を測定したところ、室
温における電気伝導度は何れも５×１０-9／Ωｃｍ以上
であった。
【００２７】また、これらの水素化アモルファスカーボ
ン保護膜の光伝導性を、４５０ｎｍの波長のハロゲンラ
ンプを光源に用いて測定したところ、何れの膜において
も光伝導性を示したことから、これらの水素化アモルフ
ァスカーボン保護膜が半導体性の膜であることが確認で
きた。
ン保護膜の光伝導性を、４５０ｎｍの波長のハロゲンラ
ンプを光源に用いて測定したところ、何れの膜において
も光伝導性を示したことから、これらの水素化アモルフ
ァスカーボン保護膜が半導体性の膜であることが確認で
きた。
【００２８】次に、比較例として、カソード電極１２と
アノード電極１３の間の第３電極２２にアース電位に対
して負の直流バイアスを印加しないこと以外は前記実施
の形態と同一の条件で、カソード電極１２上に水素化ア
モルファスカーボン保護膜を２ｎｍ〜２５ｎｍの各種の
膜厚で成膜した。
アノード電極１３の間の第３電極２２にアース電位に対
して負の直流バイアスを印加しないこと以外は前記実施
の形態と同一の条件で、カソード電極１２上に水素化ア
モルファスカーボン保護膜を２ｎｍ〜２５ｎｍの各種の
膜厚で成膜した。
【００２９】成膜後、前記実施の形態と同様にこれらの
水素化アモルファスカーボン保護膜を真空中にて２００
℃で１時間アニール処理した後、金電極を蒸着して電気
伝導度を測定したところ、室温における電気伝導度は８
×１０-11〜３×１０-10／（Ωｃｍ）であった。
水素化アモルファスカーボン保護膜を真空中にて２００
℃で１時間アニール処理した後、金電極を蒸着して電気
伝導度を測定したところ、室温における電気伝導度は８
×１０-11〜３×１０-10／（Ωｃｍ）であった。
【００３０】また、実施の形態と同様にこれらの水素化
アモルファスカーボン保護膜の光伝導性を４５０ｎｍの
波長のハロゲンランプを光源に用いて測定したところ、
何れの膜においても光伝導性は示さず、これらの水素化
アモルファスカーボン保護膜は絶縁性の膜であることが
確認できた。
アモルファスカーボン保護膜の光伝導性を４５０ｎｍの
波長のハロゲンランプを光源に用いて測定したところ、
何れの膜においても光伝導性は示さず、これらの水素化
アモルファスカーボン保護膜は絶縁性の膜であることが
確認できた。
【００３１】以上のようにして水素化アモルファスカー
ボン保護膜を形成したディスクを減圧下においてヘッド
の浮上を抑えて３６０ｒｐｍで回転させ、水素化アモル
ファスカーボン保護膜が破断するまでのパス回数を測定
することによりその耐摺動性の評価を行った。
ボン保護膜を形成したディスクを減圧下においてヘッド
の浮上を抑えて３６０ｒｐｍで回転させ、水素化アモル
ファスカーボン保護膜が破断するまでのパス回数を測定
することによりその耐摺動性の評価を行った。
【００３２】その結果を図２に示す。図２は水素化アモ
ルファスカーボン保護膜を実施の形態により成膜したデ
ィスク（Ａ）と比較例により成膜したディスク（Ｂ）に
ついて各膜厚（ｎｍ）に対して水素化アモルファスカー
ボン保護膜が破断するまでのパス回数（×１０００），
即ち、摺動特性を比較したグラフである。
ルファスカーボン保護膜を実施の形態により成膜したデ
ィスク（Ａ）と比較例により成膜したディスク（Ｂ）に
ついて各膜厚（ｎｍ）に対して水素化アモルファスカー
ボン保護膜が破断するまでのパス回数（×１０００），
即ち、摺動特性を比較したグラフである。
【００３３】同図から膜厚２ｎｍ〜２５ｎｍの何れにお
いても、室温における電気伝導度が５×１０-9／（Ωｃ
ｍ）以上で、光伝導性を示した半導体性の水素化アモル
ファスカーボン保護膜を形成したディスク（Ａ）の摺動
特性が優れていることが確認できた。
いても、室温における電気伝導度が５×１０-9／（Ωｃ
ｍ）以上で、光伝導性を示した半導体性の水素化アモル
ファスカーボン保護膜を形成したディスク（Ａ）の摺動
特性が優れていることが確認できた。
【００３４】その理由としては、本発明で採用した水素
化アモルファスカーボン保護膜が、成膜時に第３電極２
２に印加した負バイアスにより正イオンの過剰な衝撃エ
ネルギーが抑制され、その結果として膜中の微視的構造
の無秩序状態が減少され、三次元的ネットワークを形成
したためと思慮される。
化アモルファスカーボン保護膜が、成膜時に第３電極２
２に印加した負バイアスにより正イオンの過剰な衝撃エ
ネルギーが抑制され、その結果として膜中の微視的構造
の無秩序状態が減少され、三次元的ネットワークを形成
したためと思慮される。
【００３５】尚、本実施例の形態により成膜した水素化
アモルファスカーボン保護膜は、室温における電気伝導
度の上限が５×１０-6／（Ωｃｍ）であったことから、
水素化アモルファスカーボン保護膜の室温における電気
伝導度は５×１０-9／（Ωｃｍ）〜５×１０-6／（Ωｃ
ｍ）とすることが好ましいと考えられる。
アモルファスカーボン保護膜は、室温における電気伝導
度の上限が５×１０-6／（Ωｃｍ）であったことから、
水素化アモルファスカーボン保護膜の室温における電気
伝導度は５×１０-9／（Ωｃｍ）〜５×１０-6／（Ωｃ
ｍ）とすることが好ましいと考えられる。
【００３６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明にか
かるハードディスク及びハードディスクの製造方法によ
れば、ハードディスクと磁気ヘッドの摩擦によって起こ
る摩擦電磁気現象、即ち、トライボエミッションに起因
する潤滑剤の分解劣化を抑制することができ、ハードデ
ィスクの摺動特性と耐摩耗性を向上することができる。
かるハードディスク及びハードディスクの製造方法によ
れば、ハードディスクと磁気ヘッドの摩擦によって起こ
る摩擦電磁気現象、即ち、トライボエミッションに起因
する潤滑剤の分解劣化を抑制することができ、ハードデ
ィスクの摺動特性と耐摩耗性を向上することができる。
【００３７】また、保護膜自体の摺動特性，耐摩耗性を
向上できたことから、ハードディスクの高密度化に伴う
保護膜の一層の薄膜化にも対応することが可能となる。
向上できたことから、ハードディスクの高密度化に伴う
保護膜の一層の薄膜化にも対応することが可能となる。
【００３８】更に、摺動特性の向上に伴い、コンピュー
タ等のエレクトロニクス機器はもとより、各種の精密機
械へ影響を与える摩擦による保護膜表面やクラック内部
のミクロな帯電，電荷分離による超高電界の発生、及び
マイクロプラズマによる超高温の発生を防止することが
できる。
タ等のエレクトロニクス機器はもとより、各種の精密機
械へ影響を与える摩擦による保護膜表面やクラック内部
のミクロな帯電，電荷分離による超高電界の発生、及び
マイクロプラズマによる超高温の発生を防止することが
できる。
【図１】本発明で採用した成膜装置の概要図。
【図２】本発明の実施の形態により成膜したディスク
（Ａ）と比較例により成膜したディスク（Ｂ）について
各々摺動特性を比較したグラフ。
（Ａ）と比較例により成膜したディスク（Ｂ）について
各々摺動特性を比較したグラフ。
【図３】一般的な薄膜磁気ハードディスクの断面構造
図。
図。
【図４】薄膜磁気ハードディスクと磁気ヘッドの接触に
よる摩擦帯電現象を示す概略図。
よる摩擦帯電現象を示す概略図。
１…基板 ２…（クロムを用いた）下地膜 ３…磁性層 ４…カーボン保護膜 ５…磁気ヘッド １０…薄膜磁気ハードディスク １１…真空チャンバ １２…カソード電極 １３…アノード電極 １４…基板 １５…メタンガスのボンベ １６…水素ガスのボンベ １７…直流電圧電源 １８…メカニカルブースタポンプ １９…ロータリポンプ ２０…ｒｆ電源 ２１…マッチングボックス ２２…第３電極
Claims (4)
- 【請求項１】 表面に保護膜が形成されたハードディス
クにおいて、前記保護膜が半導体化した水素化アモルフ
ァスカーボンから成ることを特徴とするハードディス
ク。 - 【請求項２】 前記保護膜は、室温における電気伝導度
が５×１０-9／Ωｃｍ以上で且つ室温において光伝導性
を有する水素化アモルファスカーボンであることを特徴
とする請求項１記載のハードディスク。 - 【請求項３】 前記保護膜の電気伝導度が５×１０-9／
Ωｃｍ〜５×１０-6／Ωｃｍであることを特徴とする請
求項１又は２の何れか１項に記載のハードディスク。 - 【請求項４】 表面に保護膜が形成されたハードディス
クの製造方法において、前記保護膜を平行平板型ｒｆプ
ラズマＣＶＤ法でカソード電極とアノード電極の間にア
ース電位に対して負の直流バイアスを印加するトライオ
ードプラズマＣＶＤ法により、カソード電極上でアモル
ファスカーボン膜を成膜することにより形成したことを
特徴とするハードディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9198042A JPH1145429A (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | ハードディスク及びハードディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9198042A JPH1145429A (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | ハードディスク及びハードディスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1145429A true JPH1145429A (ja) | 1999-02-16 |
Family
ID=16384576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9198042A Pending JPH1145429A (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | ハードディスク及びハードディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1145429A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009007678A (ja) * | 2008-08-06 | 2009-01-15 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | トライボマイクロプラズマコーティング方法及び同コーティング装置 |
-
1997
- 1997-07-24 JP JP9198042A patent/JPH1145429A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009007678A (ja) * | 2008-08-06 | 2009-01-15 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | トライボマイクロプラズマコーティング方法及び同コーティング装置 |
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