JPH1145988A5 - - Google Patents
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- JPH1145988A5 JPH1145988A5 JP1998019311A JP1931198A JPH1145988A5 JP H1145988 A5 JPH1145988 A5 JP H1145988A5 JP 1998019311 A JP1998019311 A JP 1998019311A JP 1931198 A JP1931198 A JP 1931198A JP H1145988 A5 JPH1145988 A5 JP H1145988A5
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Description
【００４７】
この後に、ＰＭＯＳ−Ｔｒのチャネル領域およびＮＭＯＳ−Ｔｒのチャネル領域にそれぞれイオン注入で不純物導入を行って、ＰＭＯＳ−ＴｒおよびＮＭＯＳ−Ｔｒのゲート表面領域を適切な不純物濃度にする。このイオン注入によって、ＰＭＯＳ−ＴｒおよびＮＭＯＳ−Ｔｒのしきい値電圧がそれぞれ決定される。そして、ゲート酸化膜をチャネル部に形成する。
この後に、ＰＭＯＳ−Ｔｒのチャネル領域およびＮＭＯＳ−Ｔｒのチャネル領域にそれぞれイオン注入で不純物導入を行って、ＰＭＯＳ−ＴｒおよびＮＭＯＳ−Ｔｒのゲート表面領域を適切な不純物濃度にする。このイオン注入によって、ＰＭＯＳ−ＴｒおよびＮＭＯＳ−Ｔｒのしきい値電圧がそれぞれ決定される。そして、ゲート酸化膜をチャネル部に形成する。
【００７０】
また、Ｎ型第３半導体層１９は、Ｎ型第１半導体層１５を形成するイオン注入およびＮ型第２半導体層１７を形成するイオン注入を共に行って形成してもよい。このようにすると、イオン注入量が増えた分、縦型ＰＮＰ―Ｔｒのｈｆｅが下がり耐圧が増加するが、目的、状況に応じて選択することができる。
また、Ｎ型第３半導体層１９は、Ｎ型第１半導体層１５を形成するイオン注入およびＮ型第２半導体層１７を形成するイオン注入を共に行って形成してもよい。このようにすると、イオン注入量が増えた分、縦型ＰＮＰ―Ｔｒのｈｆｅが下がり耐圧が増加するが、目的、状況に応じて選択することができる。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01931198A JP4077063B2 (ja) | 1997-05-27 | 1998-01-30 | ＢｉＣＭＯＳ内蔵受光半導体装置 |
| AU21854/99A AU2185499A (en) | 1998-01-30 | 1999-01-29 | Light-receiving semiconductor device with buit-in bicmos and avalanche photodiode |
| PCT/JP1999/000397 WO1999039391A1 (fr) | 1998-01-30 | 1999-01-29 | DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR RECEPTEUR DE LUMIERE COMPORTANT UN BiCMOS INTEGRE ET UNE PHOTODIODE A AVALANCHE |
| US09/628,446 US6392282B1 (en) | 1998-01-30 | 2000-07-28 | BiCMOS-integrated photodetecting semiconductor device having an avalanche photodiode |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13702397 | 1997-05-27 | ||
| JP9-137023 | 1997-05-27 | ||
| JP01931198A JP4077063B2 (ja) | 1997-05-27 | 1998-01-30 | ＢｉＣＭＯＳ内蔵受光半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1145988A JPH1145988A (ja) | 1999-02-16 |
| JPH1145988A5 true JPH1145988A5 (ja) | 2005-03-17 |
| JP4077063B2 JP4077063B2 (ja) | 2008-04-16 |
Family
ID=26356146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01931198A Expired - Fee Related JP4077063B2 (ja) | 1997-05-27 | 1998-01-30 | ＢｉＣＭＯＳ内蔵受光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4077063B2 (ja) |
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1998
- 1998-01-30 JP JP01931198A patent/JP4077063B2/ja not_active Expired - Fee Related
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