JPH11508531A - Ｃｖｄによって目的物をエピタキシアル成長させる装置と方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 化学蒸着によって基板（１３）上にＳｉＣ、第三族−窒化物またはそれらの合金である目的物をエピタキシアル成長させる装置は、前記基板を受容する室（１８）を包囲する円周壁（８）を有するサセプタ（７）、および前記円周サセプタ壁そしてそれにより前記基板および成長させるために供給手段（５）によって前記基板へと供給される混合ガスを加熱する手段（１１）を有する。前記加熱手段（１１）は、それから被成長材料の昇華が相当増進し始める温度レベルより高く前記サセプタ（７）およびそれにより前記基板（１３）を加熱するように配列され、そして前記供給手段は、正の成長が起こるような組成を以てかつそのような率において前記混合ガスを前記サセプタ内に供給するように配列される。

Description

【発明の詳細な説明】 ＣＶＤによって目的物をエピタキシアル成長させる装置と方法 発明の技術的分野と先行技術 本発明は、化学蒸着（ＣＶＤ）によって、基板上にＳｉＣ、第三族−窒化物ま たはそれらの合金である目的物を、エピタキシアル成長させる装置であって、前 記基板を受容する室を包囲する円周壁を有するサセプタ、および前記円周サセプ タ壁を加熱して前記基板および基材の成長のために供給手段によって前記基板へ 供給される混合ガスを加熱する手段を有するものに関係し、同様に、別添最初の 方法独立請求項の前文に記載する基板上に化学蒸着によってそのような目的物を エピタキシアル成長させる方法にも関係する。 したがって、本発明は、ＳｉＣ、第三族−窒化物およびそれらのすべてのタイ プの合金の成長に適用可能であるが、高い結晶品質のそのような目的物を商業的 観点から妥当な成長率をもって成長させることに関する共通の問題を、次ぎに非 限定例としてＳｉＣに関して詳細に説明される。 ＳｉＣの単結晶は、特に、Ｓｉと比較したときのＳｉＣの優秀な諸特性、すな わち極限条件下で良好に機能するＳｉＣの能力を有するためこのような目的で例 えば様々のタイプのダイオード、トランジスタおよびサイリスタのごとき種々の タイプの半導体デバイス用として、成長により製造される。ＳｉＣの価電子帯と 伝導帯との間の大きなバンドギャップは、該材料から作られたデバイスが、高温 度すなわち最高１０００Ｋで動作することを可能にする。 しかし、その良好な規則成長を達成するためには高い温度が要求される。した がって、化学蒸着による炭化珪素のエピタキシアル成長は、１４００〜１７００ °Ｃの温度域内で行われる。これら高温度は、前記混合ガスのＳｉおよびＣ含有 前駆ガスのクラッキングによる分解を生じさせかつ原子が規則的様式で基板上に 堆積されることを保証するために必要とされる。しかし、高温度はまた種々の異 なるタイプの材料から出てくる不純物による諸問題をも意味し、したがって前記 温度は今までは前記温度間隔より高くは上げられず、その結果として、ＣＶＤを 用いることによって例えば基板を形成するためのブール体を成長させることは問 題外であるような低成長率（数μｍ毎時）を生じることになり、したがってこの 方法は、層形式の目的物を成長させるため用いられるにすぎない。しかし、その 商業生産が実際上関心を惹くような高い成長率をもって既知の装置によってＳｉ Ｃ層をＣＶＤにより成長させることですら可能でない。前記温度を上げることは 、サセプタの壁が、そのホットスポットのエッチングが増すことによって急速に 劣化してそれからの不純物が被成長層中に許容できないほどに取込まれるという 結果を招くであろうから、まだ試みられていない。また、結晶の瑕疵は、少数担 体の寿命を減らすと推測されている。高い結晶完全性は、高温度または低成長率 において達成され得る。少数担体の寿命は、パワーデバイスの順伝導損および開 閉損を左右する。また少数担体の寿命は、Ｎタイプの被成長層中に望ましくない 補償アクセプタを導入することによって減じられ、したがって、高出力バイポー ラデバイスに使用しうる少数担体寿命は今まで得られなかった。したがって、補 償アクセプタを導入することなしに高成長率を以て高い結晶完全性を有する層を 生産することが重要である。窒素および酸素のごとき一般的な不純物もまた比較 的高い成長率において比較的低い濃度で取込まれ、それらは少数担体の寿命に確 実に影響を及ぼす。 既に言及したように、前記低生成長率のゆえに、ＣＶＤによって、毎時少ミリ のオーダーの成長率を必要とするブール体を成長させることは不可能であり、し たがって種づけ昇華テクニックが、ブール体を成長させるため現在使用されてお り、該ブール体があとでスライスされて基板化されている。しかし、このテクニ ックによって成長させられた前記ブール体の結晶品質は、ＣＶＤによってエピタ キシアル成長されたＳｉＣ層のそれと比較すると劣る。このようにして生産され た基板は、ミクロパイプまたはピンホールと呼ばれる複数の小孔によって多孔化 されるが、これら孔はデバイスの領域を相当制限しその結果としてＳｉＣから成 る高出力デバイスは依然として商業的関心を惹かない。前記種づけ昇華テクニッ クにおいて源材料は昇華するＳｉＣ粉末であり、そこで、ガス種は成長が起きる 種結晶へと温度勾配によって運ばれる。気相における諸条件は、熱力学によって のみ決定され、その結果、Ｃ／Ｓｉ比を一定に保つことは系統からのＳｉ蒸気漏 れのため困難にされる。さらに、化学蒸着のために使用されるガスの純度は、種 づけ昇華成長に使用される源材料のそれより数オーダー高い。 発明の摘要 本発明の目的は、高成長率をもって化学蒸着によって目的物をエピタキシアル 成長させることを、被成長目的物の高い結晶品質を依然として維持しつつ可能に する装置および方法を提供することによって以上検討された諸問題に対する解決 手段を提案することである。 この目的は、本発明により、それから被成長材料の昇華が相当増進し始める温 度レベルより高く前記サセプタをそしてそれにより前記基板を加熱するように前 記加熱手段を配列することによって、そして正の成長が起こるような組成をもっ てかつそのような率で前記混合ガスを前記サセプタ内に導くように前記供給手段 を配列することによって達成される。驚くべきことに、前記温度レベルより高く 前記温度を上げることは、標準温度で行われる化学蒸着と比較して相当増した成 長率を、依然として被成長目的物の高品質を保持しつつ達成することを可能にす ることが見いだされた。したがって、前記温度は、種づけ昇華テクニックによっ てブール体を成長させるため通常使用されている温度にまで上げられる。本発明 による装置を使用することによって実施される本発明による方法は、別添最初の 方法独立請求項に記載されている。 前記ＳｉＣの場合においては、前記成長率は、従来のＣＶＤテクニックと比較 して２〜３オーダー増加され得、したがって高品質の層が商業的関心を惹く率を もって生産され得る。さらに、前記基板上で成長させられる目的物の、水素また はその他のエッチングガスによるエッチングは、これら高温度において相当増進 し、そして多結晶域、すなわち比較的低品質域、は単結晶域、すなわち高品質域 、よりも急速にエッチングされ、その結果として、被成長結晶の品質はより高く なることが見いだされた。さらに、前記成長率が増大するとき、望ましくない荷 電担体の濃度は劇的に低減され、この効果は比例的であるよりはむしろ指数関数 的であり、そのことは少数担体の寿命を延ばすことを可能にし、したがって被成 長ＳｉＣ層内への望ましくない補償アクセプタの導入を減らすことが可能であり 、そしてそれにより十分に長い少数担体寿命を有する高出力バイポーラデバイス が 生産され得ることが見いだされた。 また、驚くべきことに、本発明による温度増強によって獲得される成長率は、 ＣＶＤテクニックによってブール体を成長させることに非常な関心を持たせるの に十分なほど高いことも見いだされた。かくして、ＣＶＤテクニックにおいて通 常用いられている混合ガスを使用してブール体を生長させることが可能であり、 このことは、前記生長のため使用される構成成分の純度が、種づけ昇華生長のた めに使用される源材料より数オーダー高い大きさであることを意味する。さらに 、前記前駆ガスの流束を変えることによって前記生長過程を管理することが可能 であり、それによって前記生長間前記Ｃ／Ｓｉ比を一定に保持することが可能で ある。これに加えて、前記生長率と前記ミクロパイプの形成の両者に影響を及ぼ す過飽和が、いかなる熱勾配も無しに変更可能である。かくして、前記種づけ昇 華テクニックを用いることによって得られるそれに比しすぐれた結晶品質を有す るブール体が、本発明による高温化学蒸着（ＨＴＣＶＤ）によって商業的関心を 惹くような生長率をもって獲得され得る。 本発明の一好適実施例によれば、前記円周サセプタ壁は事実上一様の厚さを有 する。このことは、既知の熱壁サセプタと比較して何らのさらなる手段も無しに 前記温度レベルより高く前記温度を上げることを可能にする。なぜならば、結果 的に生じる過度エッチングによって前記サセプタ壁に何らのホットスポット、す なわち熱集中箇所、も発生されず、したがって前記サセプタ全体にわたって前記 温度は、先行技術に基づくサセプタにおいて前記ホットスポットが有したレベル 以上に、前記壁から前記被生長目的物中への不純物の取込みの付加的問題を生じ ることなしに、上げられ得るからである。 本発明の別の一好適実施例によれば、前記装置の前記円周壁は、事実上円筒形 のサセプタを形成する。この形状のサセプタは、ホットスポットの発生を避けつ つサセプタ全体にわたって一様の温度を容易に達成するのに特に有利であること がわかった。 本発明のさらなる別の一実施例によれば、前記サセプタの内壁は、ＳｉＣ、Ｓ ｉＣと被生長材料との合金または被生長材料から作られたプレートから形成され または該プレートによって被覆される。そのようなプレートは、前記サセプタ の壁から不純物が解放されて被生長目的物中の取込まれることを防止するのに寄 与する。 また、本発明は方法に関する第２の独立請求項に記載の方法であって、本発明 に従って前記サセプタおよび基板に対する前記混合ガスのエッチング作用が、前 記混合ガスの少なくとも一つのエッチングガスの含量を変更することによって変 えられることを特徴とするものに関する。前記エッチング作用は、前記温度に依 存して増進すること、そしてそれは化学蒸着によって前記目的物を生長させるの に通常使用される温度である一特定温度を超えるとき相当増進することが知られ ている。前記生長間に形成される多結晶域を除去するために生長間前記基板また はより正確にはその上に生長する目的物のエッチングが比較的広い範囲に亙って 生じることが望まれるが、エッチング作用の前記温度依存性は、該エッチング作 用が低温度においては弱すぎそして高温度においては強すぎることを通常意味す る。前記混合ガス中の少なくとも一つのエッチングガスの含量を変更することに 関する本発明の特徴のおかげで、前記エッチング作用は、様々の温度のための目 標レベルに保持され得る。したがって、前記混合ガス中のエッチングガスの含量 を増すことによって比較的低い温度においてはエッチング作用を高めることが可 能でありそして前記エッチング作用は、高い温度においては該温度における前記 エッチングガスの含量を減らすことによってまたは代替的に前記混合ガス中のノ ンエッチングガスの含量を変えることによって、低下させられ得る。このことは 、前記混合ガスのエッチング作用を最適レベルに保ちつつ、高温度で化学蒸着に よって層およびブール体を生長させることを可能にする。したがって、前記エッ チングは高温度においても臨界値より低く維持され、したがって前記サセプタ壁 のエッチングは、先行技術による温度でのＣＶＤによる生長の場合と同じレベル に維持され得、その結果として、高生長率の達成が可能になる。このような特徴 は、事実上一様の厚さの円周壁を有するサセプタを使用するという特徴と統合さ れることが極めて好ましい。 本発明のさらなる別の一好適実施例によれば、それから前記被生長材料の昇華 が相当増し始める一温度レベルより高く前記サセプタを加熱することによって前 記基板が加熱され、そして前記生長のための前記混合ガス中の前記少なくとも一 つのエッチングガスの含量および前記混合ガス中に含まれる前駆ガスの供給率が 、正の生長が起きるように、すなわち、前記基板上の被生長材料を形成する元素 の堆積率が、昇華およびエッチングによって前記基板上に材料が層を残す率より 高いように規制される。高い温度、それはＳｉＣの場合においてはＳｉＣのブー ル体が在来の種づけ昇華テクニックによって生成されるとき使用される温度範囲 内の温度を意味する、において生じる堆積と昇華およびエッチングとの間のこの ような制御された相互作用は結果的に、前記被生長目的物の高い結晶品質を、該 目的物を高生長率で生長させつつ生じさせる。かくして、前記生長間における比 較的広い範囲にわたるエッチングおよび昇華は、結晶の瑕疵の形成と、望ましく ない補償アクセプタのごとき望ましくない不純物の被生長目的物中への取込みと に対処するように作用する。 本発明による前記装置および方法のさらなる好ましい諸特徴および諸利点は、 以下の説明およびその他従属請求項から明らかになるであろう。 図面の簡単な説明 続いて以下、添付図面を参照しつつ、一例として本発明の好適実施例を掲げて 詳細に説明する。 図面において： 第１図は、本発明の第１の実施例による装置の縦断面図であり、 第２図は、層をエピタキシアル生長させるようにされた第１の好適実施例によ る第１図の装置において使用されるサセプタの透視図であって、サセプタの内部 を例示するようにサセプタが部分的に破断されている図面であり、そして 第３図は、化学蒸着によってブール体を生長させるようにされた第２の好適実 施例によるサセプタの第２図と同様の図面である。 発明の好適実施例の詳細な説明 第１図は、簡単化された方式で、ＳｉＣ基板上にＣＶＤにより、ＳｉＣをエピ タキシアル成長させるための本発明の一好適実施例による装置を概略的に示して おり、そして該装置はポンプのごときその他手段をも含んでいるが、本発明と関 係のない従来の装備は、図面を明瞭にしかつ本発明の特徴に集中するため省略さ れてることは明らかであろう。前記装置は、事実上垂直に延びている石英から成 るチューブ２と、２つの対向する端フランジ３、４とによって構成された真空ケ ーシング１を有する。前記端フランジ４は、前記チューブ２の内部にアクセスで きるように着脱可能であることが好ましい。結晶を成長させるように意図された 混合ガスの流れを供給するための導管５が、前記下端フランジ３を貫いて導入さ れている。前記導管５は、前記混合ガスの各成分の給源に達している別の複数の 導管と接続しており、そしてこれら導管は、所望される通りに前記混合ガスの前 記成分を調整するため、図示されていない流量調整手段を設置されている。 さらに、前記装置は前記導管５からサセプタ７（第２図参照）内へのガス流を 濃縮するための漏斗６を有する。第１図および第２図に示される前記サセプタ７ は、ＳｉＣの層をエピタキシアル成長させるようにされている。前記サセプタは 事実上一様の厚さの円周壁８を有し事実上円筒形である。前記壁は黒鉛から作ら れているが、それらの内面は、ＳｉＣ層９によってコーティングされており、ま たは代替的に、ＳｉＣから作られた円筒形のプレートによって被覆されている。 前記サセプタを包囲している空間は、それを取り囲んでいる石英チューブ２を保 護するため、断熱用の黒鉛フォーム１０によって密閉充填されている。Ｒｆコイ ルの形式にされたＲｆ電界放射手段１１が前記サセプタ７の長手方向に沿って前 記チューブ２を包囲している。この加熱手段１１は、前記サセプタの壁８を一様 に加熱しそれにより前記サセプタ内に導入される前記混合ガスを加熱するＲｆ電 界を放射するように配置されている。 前記サセプタ７は、サセプタの残部と同じ材料から成る蓋１２を有しており、 前記蓋の下側にＳｉＣ基板１３が配置されており前記蓋は、前記基板上に層が成 長した後、前記サセプタの残部から取り外せば、該基板を取出すことができる。 前記蓋１２は、その周縁部に複数のガス吐出穴１４を設けられており、したがっ て望ましい層状ガス流が、下入口１５を通ってサセプタ室１８に入りそして前記 基板に接して流れそして上吐出口１４を通って前記サセプタから出て、次いで図 示されないポンプと接続されている導管１６を通って装置から離れ去る。 前記サセプタ７の内部の温度は、窓１７を通じて前記サセプタ７内をのぞき込 むことによって高温計で調べられ得る。 前記装置の作用は次ぎの通りである：ＳｉおよびＣを含有する前駆ガスおよび 単一のまたは複数の担体ガスを有する混合ガスが、導管５を通じてサセプタ入口 １５の方向へ導かれる。Ｓｉを含有する前駆ガスは好ましくはシランであり、一 方、Ｃを含有する前駆ガスはプロパンまたは最終的にメタンである。前記担体ガ スは、Ｈ₂であり得るが、後に説明されるであろう目的のためには、Ａｒのごと きノンエッチングガスも含有可能である。加熱手段１１は、サセプタ壁を約２２ ００°Ｃの温度になるように一様に加熱し、これはおそらく、該壁の厚さが事実 上一様である結果としてサセプタ壁にいわゆるホットスポットが生じないおかげ である。前記サセプタ７に進入する前記前駆ガスは、該サセプタを通じて加熱さ れそしてＳｉ原子とＣ原子とに分解され、それら原子は、前記基板１３へと運搬 されてその上に付着堆積しＳｉＣの層をエピタキシアル成長させ得る。前記サセ プタ壁の垂直配置のおかげで、前記加熱されたホットガスの上昇流れが促進され 、したがって該ガスは前記成長のためにより効果的に使用され得る。前記高温度 は、前記基板からのＳｉＣの連続昇華を生じさせるとともにエッチング担体ガス 成分（Ｈ₂）によって前記基板のかなりのエッチングを生じさせるが、前記前駆 ガスおよび担体ガスの供給率は、正の成長が生じるように、すなわち前記基板上 に成長するＳｉＣ層を形成する元素の堆積率が、昇華およびエッチングによって 前記基板上の層から離去する材料の率より大きいように、調整される。前記成長 のための、一堆積とエッチングおよび昇華とのこのような相互作用は、特に多結 晶質領域のエッチングが単結晶質領域のそれより速いから、高結晶品質を有する 結晶の形成を促進する。しかし、混合ガス中のエッチング担体ガス含量の減少に 伴うノンエッチング担体ガス含量の増加と前記温度の上昇が、高使用温度におい てすらなお臨界レベル以下のエッチングを生じさせ得る。このことは、前記サセ プタ壁が優勢な高温度にもかかわらず節減され得ることを意味する。Ａｒはノン エッチング担体ガスとしてそしてＨ₂はエッチング担体ガスとして使用され得る 。 前記成長の初期段階は、またそのあと成長せしめられる層の品質にとって特に 重要である。したがって前記成長率は滑らかな一様の層を形成するために初期成 長段階においては低く保たれ、そのあと前記成長率を、温度に応じて、毎時１０ ０μｍ〜数ｍｍまで漸増させることができる。かくして、ＳｉＣ層はこの方式で 高成長率、おそらく毎時１００μｍから数ｍｍ、をもって前記基板１３上に成長 せしめられ、そしてこのような高成長率は、前記連続昇華およびエッチングによ って、高温度にもかかわらず成長せしめられる前記層の高い品質を生じさせ、そ してこれら温度で達成されるより高い結晶品質によって、そして前記基板から伝 播する結晶瑕疵のより迅速な修正によって、成長層中への望ましくない補償アク セプタの導入が、成長した結晶中における少数担体寿命の顕著な延長を結果的に 生じさせる普通温度におけるＣＶＤによるそのような層のエピタキシアル成長に 関して劇的に減らされる。これは高出力バイポーラデバイスの生産にとって極め て重大な改良である。 第３図は本発明の第２の好適実施例によるサセプタ７′であって１３′で示さ れる種づけ結晶の形式にされた基板上にＳｉＣのブール体１９を成長させるよう にされているものを示す。このサセプタは、第２図によるサセプタと同じ方式で 第１図による装置内に組込まれるように意図されている。第３図による前記サセ プタは、ガス吐出穴１４′が該サセプタの底に配置されていることによって第２ 図によるそれと異なるにすぎない。したがって、前記ガス流は、分解した前駆ガ ス成分が堆積される被成長ＳｉＣブール体領域に図示のように到達し、そして結 果として生じるその成分は、反転させられて前記穴１４′を通って前記サセプタ から離れ去る。 高い結晶品質を有するＳｉＣブール体は、このようにして、高い使用温度のお かげで、十分に高い成長率をもってＣＶＤによってエピタキシアル成長せしめら れる。前記成長率は１ｍｍ／毎時より高いのが有利である。前記サセプタにおけ るＣ／Ｓｉ比は、前記混合ガス中の前記前駆ガス含量の変更が可能であることに よって一定に保たれ得る。このことは、前記成長率とミクロパイプの形成とに影 響を及ぼす過飽和度が、いかなる熱勾配をも伴うことなしに変更可能であること を意味する。さらに、使用ガス純度は、種づけ昇華成長のために使用される源材 料よりも数桁高い大きさであり、したがって前記ブール体の結晶品質は、以前よ りも極めて高い。前記エッチングの制御は、前記層成長に関して既に説明した方 式で行われる。 本発明は、いうまでもなく、上に説明した装置および方法の好適実施例に決し て限定されず、むしろ、本発明の基本概念から逸脱することなしに、それらの修 正型の幾つかの可能態様が当業者には明らかであろう。 既に言及したように、本発明はさらに第三族−窒化物、第三族−窒化物の合金 またはＳｉＣと一つまたは複数の第三族−窒化物との合金であってそれに対応す る正の結果が期待され得るものの成長にも適用可能である。 請求項における限定“目的物”は、厚いブール体はもちろん、様々の厚さの層 のごときすべてのタイプの結晶のエピタキシアル成長を包含するために為される 。 材料に関するすべての限定は、いうまでもなく、また意図的なドーピングに加 えて不可避的不純物を包含する。 請求項における限定“含量を変える”は、混合ガスにおける当該ガスの比率を 間接的に変更することになる混合ガスの他成分の変更を伴う当該ガスの定量供給 をも含むことを意味する。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｃ３０Ｂ 25/16 Ｃ３０Ｂ 25/16 29/38 29/38 Ｄ Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 (72)発明者 ハリン，クリステル スウェーデン国 エス−583 31 リンケ ピング，ビグデガタン 345 (72)発明者 ヤンゼン，エリク スウェーデン国 エス−590 30 ボレン スベルグ，イゲルコットスベーゲン ６

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．化学蒸着によって基板（１３、１３′）上にＳｉＣ、第三族−窒化物また はそれらの合金である目的物をエピタキシアル生長させる装置にして、前記基板 を受容する室（１８）を包囲する円周壁（８）を有するサセプタ（７、７′）、 および前記円周サセプタ壁そしてそれにより前記基板および供給手段によって前 記基板へ供給される基板生長用混合ガスを加熱する手段（１１）を有するもので あって、前記加熱手段（１１）が、それから被生長材料の昇華が相当増進し始め る温度レベルより高く前記サセプタ（７）およびそれにより前記基板（１３、１ ３′）を加熱するように配列されていることと、前記供給手段が、正の生長が起 こるような組成を以てかつそのような率において前記混合ガスを前記サセプタ内 に供給するように配列されていることとを特徴とする装置。 ２．請求項１に記載の装置であって、前記円周サセプタ壁（８）が、事実上一 様の厚さを有することを特徴とする装置。 ３．請求項２に記載の装置であって、前記円周サセプタ壁（８）が、事実上円 筒形のサセプタ（７、７′）を形成していることを特徴とする装置。 ４．請求項１から請求項３までの何れか１項に記載の装置であって、前記サセ プタの内壁が、ＳｉＣ、ＳｉＣと前記被生長材料との合金または前記被生長材料 から作られたプレートから形成されまたは該プレートによって被覆されているこ とを特徴とする装置。 ５．請求項１から請求項４までの何れか１項に記載の装置であって、それがブ ール体（１９）を生長させるようにされておりそして前記基板（１３′）が種結 晶であることを特徴とする装置。 ６．請求項５に記載の装置であって、前記加熱手段（１１）が、そのようなブ ール体が在来の種づけ昇華テクニックによって生産されるとき使用される温度範 囲内の温度まで前記サセプタ壁（１８）を加熱するように配列されていることを 特徴とする装置。 ７．請求項１から請求項４までの何れか１項に記載の装置であって、それが層 を生長させるようにされていることを特徴とする装置。 ８．請求項１から請求項７までの何れか１項に記載の装置であって、それがＳ ｉＣである目的物を生長させるようにされていることと、前記加熱手段（１１） が、前記サセプタ壁（８）を１９００°Ｃまで加熱するように配列されているこ ととを特徴とする装置。 ９．請求項８に記載の装置であって、前記加熱手段（１１）が，前記サセプタ 壁（８）を２０００°Ｃと２５００°Ｃとの間の温度まで加熱するように配列さ れていることを特徴とする装置。 10．請求項１から請求項９までの何れか１項に記載の装置であって、前記円周 壁（８）が事実上垂直にガス供給方向に前記サセプタ（８）内に延びて前記サセ プタ（７、７′）が位置されるようにされていることを特徴とする装置。 11．請求項１から請求項１０までの何れか１項に記載の装置であって、前記加 熱手段（１１）が、前記円周サセプタ壁（８）を包囲するＲｆ電界放射手段であ ることを特徴とする装置。 12．円周壁を有するサセプタ（７、７′）内に受容された基板（１３、１３′ ）上に化学蒸着によってＳｉＣ、第三族−窒化物またはそれらの合金である目的 物をエピタキシアル生長させる方法にして、前記円周サセプタ壁およびそれによ り前記基板および生長させるため前記基板へ供給される混合ガスが加熱される方 法であって、前記サセプタおよびそれにより前記基板（１３、１３′）が、それ から被生長材料の昇華が相当増進し始める温度レベルより高く加熱されることと 、前記混合ガスが正の生長が起こるような組成を以てかつそのような率で供給さ れることとを特徴とする方法。 13．サセプタ（７、７′）によって受容されるように配置された基板（１３、 １３′）上に、化学蒸着によってＳｉＣ、第三族−窒化物またはそれらの合金で ある目的物をエピタキシアル生長させる方法にして、前記基板および生長させる ため前記基板へ供給される混合ガスが、前記サセプタの加熱を介して加熱される 方法であって、前記サセプタおよび基板に対する前記混合ガスのエッチング作用 が、前記混合ガス中の少なくとも一つのエッチングガスの含量を変えることによ って変えられることを特徴とする方法。 14．請求項１３に記載の方法であって、前記エッチング作用が、前記混合ガス の担体ガスの含量を変えることによって変えられることを特徴とする方法。 15．請求項１４に記載の方法であって、前記含量が、前記混合ガス中の前記エ ッチング担体ガスの含量を削減し、ノンエッチング担体ガスの含量を増すことに よって、あるいはその逆で変えることを特徴とする方法。 16．請求項１５に記載の方法であって、前記ノンエッチング担体ガスの含量が 、前記サセプタおよびそれによって前記混合ガスの温度の増強と同時に増加され ることを特徴とする方法。 17．請求項１５または請求項１６に記載の方法であって、前記ノンエッチング ガスがＡｒであることを特徴とする方法。 18．請求項１３から請求項１７までの何れか一項に記載の方法であって、前記 エッチングガスがＨ₂であることを特徴とする方法。 19．請求項１３に記載の方法であって、前記基板が、それから前記被成長材料 の昇華が相当増進し始める温度レベルより高く前記サセプタ（７、７′）を加熱 することによって加熱されること、および前記混合ガス中の前記少なくとも一つ のエッチングガスの含量および成長させるための前記混合ガス中に含有される前 駆ガスの供給率が、正の成長が生じるように、すなわち前記基板上に被成長材料 を形成する元素の堆積率が、昇華およびエッチングによって前記基板上の層から 材料がはなれる率より高いように、規制されることを特徴とする方法。 20．請求項１９に記載の方法であって、ＳｉＣが成長させられることと、前記 基板が１９００°Ｃより高い温度で加熱されることとを特徴とする方法。 21．請求項２０に記載の方法であって、前記基板が２０００°Ｃと２５００° Ｃとの間の温度で加熱されることを特徴とする方法。 22．請求項１３から請求項２１までの何れか１項に記載の方法であって、ブー ル体（１９）が種結晶の形式で基板（１３′）上に成長させられることを特徴と する方法。 23．請求項２２に記載の方法であって、前記加熱が、そのようなブール体が在 来の種づけ昇華テクニックによって生産されるとき使用される温度範囲内の温度 で行われることを特徴とする方法。 24．請求項１３から請求項２１までの何れか１項に記載の方法であって、層が 前記基板（１３）上に成長させられることを特徴とする方法。