JPH11509207A - 複素環式(アルク)オキシ置換基を有する除草性のスルホニルアミノ(チオ)カルボニルトリアゾリン(チ)オン - Google Patents

複素環式(アルク)オキシ置換基を有する除草性のスルホニルアミノ(チオ)カルボニルトリアゾリン(チ)オン

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JPH11509207A
JPH11509207A JP9506040A JP50604097A JPH11509207A JP H11509207 A JPH11509207 A JP H11509207A JP 9506040 A JP9506040 A JP 9506040A JP 50604097 A JP50604097 A JP 50604097A JP H11509207 A JPH11509207 A JP H11509207A
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ゲジング,エルンスト・ルドルフ
フインダイゼン,クルト
ヤンゼン,ヨハネス・ルドルフ
ケーニヒ,クラウス
ドリユーズ,マーク・ビルヘルム
ドリンガー,マルクス
ザンテル,ハンス−ヨアヒム
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バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト
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Abstract

(57)【要約】 1が酸素または硫黄であり、Q2が酸素または硫黄であり、R1が水素、ヒドロキシル、アミノまたはアルキリデンアミノ或いはアルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルケニルオキシ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルカノイルアミノ、シクロアルキル、シクロアルキルアルキル、シクロアルキルアミノ、アリール及びアリールアルキルよりなる群からの可能であれば置換されていてもよい基であり;R2が可能であれば置換されていてもよい複素環または複素環式アルキルであり;そしてR3がアルキル、アラルキル、アリール、ヘテロアリールよりなる群からの可能であれば置換されていてもよい基である、式(I)の表題の新規な化合物;及び式(I)の化合物の塩、その製造方法及び新規な中間体生成物並びにその除草剤としての使用。

Description

【発明の詳細な説明】 複素環式(アルク)オキシ置換基を有する除草性のスルホニルアミノ(チオ) カルボニルトリアゾリン(チ)オン 本発明は複素環式(アルク)オキシ置換基を有する新規なスルホニルアミノ( チオ)カルボニルトリアゾリン(チ)オン、その複数の製造方法及びその除草剤 としての使用に関する。 ある種のスルホニルアミノカルボニルトリアゾリノンが除草特性を有すること は既知である(ヨーロッパ特許出願公開第341489号、同第422469号 、同第425948号、同第431291号、同第507171号参照)。しか しながら、これらの化合物の作用は全ての点に関しては満足できるものではない 。 一般式(I) 式中、Q1は酸素または硫黄を表し、 Q2は酸素または硫黄を表し、 R1は水素、ヒドロキシル、アミノまたはアルキリデンアミノを表すか、或 いは各々の場合にアルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルケニル オキシ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルカノイルアミノ、シクロアル キル、シクロアルキルアルキル、シクロアルキルアミノ、アリール及びアリール アルキルよりなる群からの随時置換されていてもよい基を表し、 R2は各々の場合に随時置換されていてもよい複素環または複素環式アルキ ルを表し、そして R3は各々の場合にアルキル、アラルキル、アリール及びヘテロアリールよ りなる群からの随時置換されていてもよい基を表す、 の複素環式(アルク)オキシ置換基を有する新規なスルホニルアミノ(チオ)カ ルボニルトリアゾリン(チ)オン及び式(I)の化合物の塩が見いだされた。 複素環式(アルク)オキシ置換基を有する一般式(I)の新規なスルホニルア ミノ(チオ)カルボニルトリアゾリン(チ)オンは (a)一般式(II) 式中、Q1、R1及びR2は上記の意味を有する、 のトリアゾリン(チ)オンを随時反応補助剤の存在下及び随時希釈剤の存在下で 一般式(III) R3−SO2−N=C=Q2 (III) 式中、Q2及びR3は上記の意味を有する、 のスルホニルイソ(チオ)シアネートと反応させるか、 (b)一般式(IV) 式中、Q1、Q2、R1及びR2は上記の意味を有し、そして Zはハロゲン、アルコキシ、アラルコキシまたはアリールオキシを表す、 のトリアゾリン(チ)オン誘導体を随時酸受容体の存在下及び随時希釈剤の存在 下で一般式(V) R3−SO2−NH2 (V) 式中、R3は上記の意味を有する、 のスルホンアミドと反応させるか、 (c)一般式(II) 式中、Q1、R1及びR2は上記の意味を有する、 のトリアゾリン(チ)オンを随時酸受容体の存在下及び随時希釈剤の存在下で一 般式(VI) R3−SO2−NH−CQ2−Z (VI) 式中、Q2及びR3は上記の意味を有し、そして Zはハロゲン、アルコキシ、アラルコキシまたはアリールオキシを表す、 のスルホンアミド誘導体と反応させるか、或いは (d)一般式(II) 式中、Q1、R1及びR2は上記の意味を有する、 のトリアゾリン(チ)オンを随時反応補助剤の存在下及び随時希釈剤の存在下で 一般式(VII) R3−SO2−X (VII) 式中、R3は上記の意味を有し、そして Xはハロゲンを表す、 のスルホニルハロゲン化物及び一般式(VIII) MQ2CN (VIII) 式中、Q2は上記の意味を有し、そして Mはアルカリ金属またはアルカリ土金属等価物を表す、 の金属(チオ)シアネートと反応させ、そして必要に応じて工程(a)、(b) 、(c)または(d)により得られる式(I)の化合物を常法により塩に転化す る場合に得られる。 複素環式(アルク)オキシ置換基を有する一般式(I)の新規なスルホニルア ミノ(チオ)カルボニルトリアゾリン(チ)オンは強い除草活性に特徴がある。 本発明は好ましくは Q1が酸素または硫黄を表し、 Q2が酸素または硫黄を表し、 R1が水素、ヒドロキシル、アミノまたはC1〜C6−アルキリデンア ミノを表すか、随時フッ素、塩素、臭素、シアノ、C1〜C4−アルコキシ、C1 〜C4−アルキル−カルボニルまたはC1〜C4−アルコキシ−カルボニルで置換 されていてもよいC1〜C6−アルキルを表すか、各々の場合に随時フッ素、塩素 及び/または臭素で置換されていてもよいC2〜C6−アルケニルまたはC2〜C6 −アルキニルを表すか、C1〜C6−アルキルオキシまたはC3〜C6−アルケニル オキシを表すか、各々の場合に随時フッ素及び/または塩素で置換されていても よいC1〜C6−アルキルアミノ、ジ−(C1〜C4−アルキル)−アミノまたはC1 〜C4−アルカノイルアミノを表すか、各々の場合に随時フッ素、塩素、臭素及 び/またはC1〜C4−アルキルで置換されていてもよいC3〜C6−シクロアルキ ルまたはC3〜C6−シクロアルキル−C1〜C4−アルキルを表すか、或いは各々 の場合に随時フッ素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ、C1〜C4−アルキル、トリ フルオロメチル、C1〜C4−アルコキシ及び/またはC1〜C4−アルコキシ−カ ルボニルで置換されていてもよいフェニルまたはフェニル−C1〜C4−アルキル を表し、 R2が各々の場合に随時ハロゲノ及び/またはC1〜C4−アルキルで置換され ていてもよいオキセタニル、チエタニル、フリル、テトラヒドロフリル、チエニ ル、テトラヒドロチエニル、ピリジル、ピリミジル、オキセタニル−C1〜C4− アルキル、チエタニル−C1〜C4−アルキル、フリル−C1〜C4−アルキル、テ トラヒドロフリル−C1〜C4−アルキル、チエニル−C1〜C4−アルキル、テト ラヒドロチエニル−C1〜C4−アルキル、ピリジル−C1〜C4−アルキルまたは ピリミジル−C1〜C4−アルキルを表し、そして R3が基 を表し、ここに R4及びR5が同一もしくは相異なり、かつ水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素 、ニトロまたはC1〜C6−アルキル(随時フッ素、塩素、臭素、シアノ、カルボ キシル、C1〜C4−アルコキシカルボニル、C1〜C4−アルキルアミノ−カルボ ニル、ジ−(C1〜C4−アルキル)−アミノ−カルボニル、ヒドロキシル、C1 〜C4−アルコキシ、ホルミルオキシ、C1〜C4−アルキル−カルボニルオキシ 、C1〜C4−アルコキシ−カルボニルオキシ、C1〜C4−アルキルアミノ−カル ボニルオキシ、C1〜C4−アルキルチオ、C1〜C4−アルキルスルフィニル、C1 〜C4−アルキルスルホニル、ジ−(C1〜C4−アルキル)−アミノ−スルホニ ル、C3〜C6−シクロアルキルまたはフェニルで置換されていてもよい)を表す か、C2〜C6−アルケニル(随時フッ素、塩素、臭素、シアノ、C1〜C4−アル コキシ−カルボニル、カルボキシルまたはフェニルで置換されていてもよい)を 表すか、C2〜C6−アルキニル(随時フッ素、塩素、臭素、シアノ、C1〜C4− アルコキシ−カルボニル、カルボキシルまたはフェニルで置換されていてもよい )を表すか、C1〜C4−アルコキシ(随時フッ素、塩素、臭素、シアノ、カルボ キシル、C1〜C4−アルコキシ−カルボニル、C1〜C4−アルコキシ、C1〜C4 −アルキルチオ、C1〜C4−アルキルスルフィニルまたはC1〜C4−アルキルス ルホニルで置換されていてもよい)を表すか、C1〜C4−アルキルチオ(随時フ ッ素、塩素、臭素、シアノ、カルボキシル、C1〜C4−アルコキシ −カルボニル、C1〜C4−アルキルチオ、C1〜C4−アルキルスルフィニルまた はC1〜C4−アルキルスルホニルで置換されていてもよい)を表すか、C2〜C6 −アルケニルオキシ(随時フッ素、塩素、臭素、シアノまたはC1〜C4−アルコ キシ−カルボニルで置換されていてもよい)を表すか、C2〜C6−アルケニルチ オ(随時フッ素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ、C1〜C3−アルキルチオまたは C1〜C4−アルコキシ−カルボニルで置換されていてもよい)、C3〜C6−アル キニルオキシまたはC3〜C6−アルキニルチオを表すか、或いは基−S(O)p −R6を表し、ここに pが1または2の数を表し、そして R6がC1〜C4−アルキル(随時フッ素、塩素、臭素、シアノまたはC1〜C4 −アルコキシ−カルボニルで置換されていてもよい)、C3〜C6−アルケニル、 C3〜C6−アルキニル、C1〜C4−アルコキシ、C1〜C4−アルコキシ−C1〜 C4−アルキルアミノ、C1〜C4−アルキルアミノ、ジ−(C1〜C4−アルキル )−アミノまたはフェニルを表すか、或いは基−NHOR7を表し、ここに R7がC1〜C12−アルキル(随時フッ素、塩素、シアノ、C1〜C4−アルコキ シ、C1〜C4−アルキルチオ、C1〜C4−アルキルスルフィニル、C1〜C4−ア ルキルスルホニル、C1〜C4−アルキル−カルボニル、C1〜C4−アルコキシ− カルボニル、C1〜C4−アルキルアミノ−カルボニルまたはジ−(C1〜C4−ア ルキル)−アミノカルボニルで置換されていてもよい)を表すか、C3〜C6−ア ルケニル(随時フッ素、塩素または臭素で置換されていてもよい)、C3〜C6− アルキニル、C3〜C6−シクロアルキル、C3〜C6−シクロアルキル−C1〜C2 −アルキ ルまたはフェニル−C1〜C2−アルキル(随時フッ素、塩素、ニトロ、シアノ、 C1〜C4−アルキル、C1〜C4−アルコキシまたはC1〜C4−アルコキシ−カル ボニルで置換されていてもよい)を表すか、ベンズヒドリルを表すか、或いはフ ェニル(随時フッ素、塩素、ニトロ、シアノ、C1〜C4−アルキル、トリフルオ ロメチル、C1〜C4−アルコキシ、C1〜C2−フルオロアルコキシ、C1〜C4− アルキルチオ、トリフルオロメチルチオまたはC1〜C4−アルコキシ−カルボニ ルで置換されていてもよい)を表し、 R4及び/またはR5がさらにフェニルまたはフェノキシを表すか、C1〜C4− アルキルカルボニルアミノ、C1〜C4−アルコキシカルボニルアミノ、C1〜C4 −アルキルアミノ−カルボニル−アミノまたはジ−(C1〜C4−アルキル)−ア ミノ−カルボニルアミノを表すか、或いは基−CO−R8を表し、ここに R8が水素、C1〜C6−アルキル、C3〜C6−シクロアルキル、C1〜C6−ア ルコキシ、C3〜C6−シクロアルコキシ、C3〜C6−アルケニルオキシ、C1〜 C4−アルキルチオ、C1〜C4−アルキルアミノ、C1〜C4−アルコキシアミノ 、C1〜C4−アルコキシ−C1〜C4−アルキル−アミノまたはジ−(C1〜C4− アルキル)−アミノ(随時フッ素及び/または塩素で置換されていてもよい)を 表し、 R4及び/またはR5がさらにトリメチルシリル、チアゾリニル、C1〜C4−ア ルキルスルホニルオキシまたはジ−(C1〜C4−アルキル)−アミノスルホニル アミノを表すか、或いは基−CH=N−R9を表し、ここに R9が随時フッ素、塩素、シアノ、カルボキシル、C1〜C4−アルコ キシ、C1〜C4−アルキルチオ、C1〜C4−アルキルスルフィニルまたはC1〜 C4−アルキルスルホニルで置換されていてもよいC1〜C6−アルキルを表すか 、随時フッ素または塩素で置換されていてもよいベンジルを表すか、随時フッ素 または塩素で置換されていてもよいC3〜C6−アルケニルまたはC3〜C6−アル キニルを表すか、随時フッ素、塩素、臭素、C1〜C4−アルキル、C1〜C4−ア ルコキシ、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシまたはトリフルオロメチ ルチオで置換されていてもよいフェニルを表すか、随時フッ素及び/または塩素 で置換されていてもよいC1〜C6−アルコキシ、C3〜C6−アルケニルオキシ、 C3〜C6−アルキニルオキシまたはベンジルオキシを表すか、アミノ、C1〜C4 −アルキルアミノ、ジ−(C1〜C4−アルキル)−アミノ、フェニルアミノ、C1 〜C4−アルキル−カルボニルアミノ、C1〜C4−アルコキシカルボニルアミノ またはC1〜C4−アルキル−スルホニルアミノを表すか、或いは随時フッ素、塩 素、臭素またはメチルで置換されていてもよいフェニルスルホニルアミノを表し 、そしてまた R3が基 を表し、ここに R10が水素またはC1〜C4−アルキルを表し、 R11及びR12が同一もしくは相異なり、かつ水素、フッ素、塩素、臭素、ニト ロ、シアノ、C1〜C4−アルキル(随時フッ素及び/または塩 素で置換されていてもよい)、C1〜C4−アルコキシ(随時フッ素及び/または 塩素で置換されていてもよい)、カルボキシル、C1〜C4−アルコキシ−カルボ ニル、ジメチルアミノカルボニル、C1〜C4−アルキルスルホニルまたはジ−( C1〜C4−アルキル)−アミノスルホニルを表し; R3が基 を表し、ここに R13及びR14が同一もしくは相異なり、かつ水素、フッ素、塩素、臭素、ニト ロ、シアノ、C1〜C4−アルキル(随時フッ素及び/または塩素で置換されてい てもよい)またはC1〜C4−アルコキシ(随時フッ素及び/または塩素で置換さ れていてもよい)を表し;そしてまた R3が基 を表し、ここに R15及びR16が同一もしくは相異なり、かつ水素、フッ素、塩素、臭素、ニトロ 、シアノ、C1〜C4−アルキル(随時フッ素及び/または塩素で置換されていて もよい)、C1〜C4−アルコキシ(随時フッ素及び/または塩素で置換されてい てもよい)を表すか、C1〜C4−アルキルチオ、C1〜C4−アルキルスルフィニ ルまたはC1〜C4−アルキルスルホニル (随時フッ素及び/または塩素で置換されていてもよい)を表すか、アミノスル ホニルまたはモノ−(C1〜C4−アルキル)−アミノスルホニルを表すか、或い はジ−(C1〜C4−アルキル)−アミノスルホニル、C1〜C4−アルコキシ−カ ルボニルまたはジメチルアミノカルボニルを表し;そしてまた R3が基 を表し、ここに R17及びR18が同一もしくは相異なり、かつ水素、フッ素、塩素、臭素、C1 〜C4−アルキル(随時フッ素及び/または塩素で置換されていてもよい)また はC1〜C4−アルコキシ(随時フッ素及び/または塩素で置換されていてもよい )を表すか、C1〜C4−アルキルチオ、C1〜C4−アルキルスルフィニルまたは C1〜C4−アルキルスルホニル(随時フッ素及び/または塩素で置換されていて もよい)を表すか、或いはジ−(C1〜C4−アルキル)−アミノスルホニルを表 し;そしてまた R3が基 を表し、ここに R19及びR20が同一もしくは相異なり、かつ水素、フッ素、塩素、臭素、シア ノ、ニトロ、C1〜C4−アルキル(随時フッ素及び/または塩 素で置換されていてもよい)、C1〜C4−アルコキシ(随時フッ素及び/または 塩素で置換されていてもよい)、C1〜C4−アルキルチオ、C1〜C4−アルキル スルフィニルまたはC1〜C4−アルキルスルホニル(随時フッ素及び/または塩 素で置換されていてもよい)、ジ−(C1〜C4−アルキル)−アミノスルホニル 、C1〜C4−アルコキシ−カルボニルまたはジメチルアミノカルボニルを表し、 そして Aが酸素、硫黄または基N−Z1を表し、ここに Z1が水素、C1〜C4−アルキル(随時フッ素、塩素、臭素またはシアノで置 換されていてもよい)、C3〜C6−シクロアルキル、ベンジル、フェニル(随時 フッ素、塩素、臭素またはニトロで置換されていてもよい)、C1〜C4−アルキ ルカルボニル、C1〜C4−アルコキシカルボニルまたはジ−(C1〜C4−アルキ ル)−アミノカルボニルを表し;そしてまた R3が基 を表し、ここに R21及びR22が同一もしくは相異なり、かつC1〜C4−アルキル、ハロゲン、 C1〜C4−アルコキシ−カルボニル、C1〜C4−アルコキシまたはC1〜C4−ハ ロゲノアルコキシを表し、 Y1が硫黄または基N−R23を表し、ここに R23が水素またはC1〜C4−アルキルを表し;そしてまた R3が基 を表し、ここに R24が水素、C1〜C4−アルキル、ベンジル、ピリジル、キノリルまたはフェ ニルを表し、 R25が水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、C1〜C4−アルキル(随時フッ素及 び/または塩素で置換されていてもよい)、C1〜C4−アルコキシ(随時フッ素 及び/または塩素で置換されていてもよい)、ジオキソラニルまたはC1〜C4− アルコキシ−カルボニルを表し、そして R26が水素、ハロゲンまたはC1〜C4−アルキルを表す式(I)の化合物に関 する。 加えて本発明は好ましくはQ1、Q2、R1、R2及びR3が好適なものとしての 上記の意味を有する式(I)の化合物のナトリウム塩並びにカリウム、マグネシ ウム、カルシウム、アンモニウム、C1〜C4−アルキル−アンモニウム、ジ−( C1〜C4−アルキル)−アンモニウム、トリ−(C1〜C4−アルキル)−アンモ ニウム、テトラ−(C1〜C4−アルキル)−アンモニウム、トリ−(C1〜C4− アルキル)−スルホニウム、C5−またはC6−シクロアルキル−アンモニウム及 びジ−(C1〜C2−アルキル)−ベンジル−アンモニウム塩に関する。 本発明は殊に Q1が酸素または硫黄を表し、 Q2が酸素または硫黄を表し、 R1が各々の場合に随時フッ素、塩素、シアノ、メトキシまたはエトキシで置 換されていてもよいメチル、エチル、n−もしくはi−プロピル、n−、i−、 s−もしくはt−ブチルを表すか、各々の場合に随時フッ素、塩素または臭素で 置換されていてもよいプロペニル、ブテニル、プロピニルまたはブチニルを表す か、メトキシ、エトキシまたはn−もしくはi−プロポキシを表すか、アリルオ キシを表すか、メチルアミノ、エチルアミノ、n−もしくはi−プロピルアミノ 、n−、i−、s−もしくはt−ブチルアミノ、ジメチルアミノまたはジエチル アミノを表すか、各々の場合に随時フッ素、塩素、臭素、メチルまたはエチルで 置換されていてもよいシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロ ヘキシル、シクロプロピルメチル、シクロブチルメチル、シクロペンチルメチル またはシクロヘキシルメチルを表すか、或いは各々の場合に随時フッ素、塩素、 臭素、シアノ、メチル、トリフルオロメチルまたはメトキシで置換されていても よいベンジルまたはフェニルを表し、 R2が各々の場合に随時フッ素及び/または塩素、メチル及び/またはエチル で置換されていてもよいオキセタニル、チエタニル、フリル、テトラヒドロフリ ル、チエニル、テトラヒドロチエニル、オキセタニルメチル、チエタニルメチル 、フリルメチル、テトラヒドロフリルメチル、チエニルメチルまたはテトラヒド ロチエニルメチルを表し、そして R3が基 を表し、ここに R4がフッ素、塩素、臭素、メチル、エチル、n−もしくはi−プロピル、ト リフルオロメチル、メトキシ、エトキシ、n−もしくはi−プロポキシ、n−も しくはi−ブトキシ、ジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、2−クロロ −エトキシ、2,2,2−トリフルオロ−エトキシ、1,1,2,2−テトラフ ルオロ−エトキシ、1,1,2,2,2−ペンタフルオロ−エトキシ、2−メト キシ−エトキシ、メチルチオ、エチルチオ、n−もしくはi−プロピルチオ、n −もしくはi−ブチルチオ、2−フルオロ−エチルチオ、アリルオキシ、プロパ ルギルオキシ、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、メチルスルホニル、 エチルスルホニル、ジメチルアミノスルホニル、ジエチルアミノスルホニル、N −メトキシ−N−メチル−アミノスルホニル、フェニル、フェノキシ、メトキシ カルボニル、エトキシカルボニル、n−もしくはi−プロポキシカルボニルを表 し、そして R5が水素、フッ素、塩素、臭素、メチル、エチル、n−もしくはi−プロピ ル、トリフルオロメチル、メトキシ、エトキシ、n−もしくはi−プロポキシ、 ジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、メチルチオまたはエチルチオを表 し;そしてまた R3が基 を表し、ここに R10が水素を表し、 R11がフッ素、塩素、臭素、メチル、メトキシ、ジフルオロメトキシ、トリフ ルオロメトキシ、エトキシ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチル スルホニルまたはジメチルアミノスルホニルを表し、そして R12が水素を表し;そしてまた R3が基 を表し、ここに Rがメチル、エチル、n−もしくはi−プロピルを表すか、或いは R3が基 を表し、ここに R24がメチル、エチル、n−もしくはi−プロピル、フェニルまたはピリジル を表し、 R25が水素、フッ素、塩素または臭素を表し、 R26がフッ素、塩素、臭素、メトキシカルボニルまたはエトキシカルボニルを 表す式(I)の化合物に関する。 上記の一般的にか、または好適な範囲において与えられる基の定義は 式(I)の最終生成物ばかりでなく、また対応して各々の場合に製造に必要とさ れる出発物質及び/または中間体に適用される。これらの基の定義は相互に必要 に応じて、即ち好適な化合物の与えられる範囲間での組合せを含めて組み合わせ ることができる。 基の定義において挙げられる炭化水素例えばアルキル、アルケニルまたはアル キニルは単独でか、またはヘテロ原子と組合せて、例えばアルコキシ、アルキル チオまたはアルキルアミノにおいてはたとえこのものが表されていなくとも、直 鎖状もしくは分枝鎖状である。 ハロゲンは一般にフッ素、塩素、臭素またはヨウ素、好ましくはフッ素、塩素 または臭素、そして特にフッ素または塩素を表す。 例えば、出発物質として2−トリフルオロメトキシ−フェニルスルホニルイソ シアネート及び4−フェニル−5−(オキセタン−3−イル−オキシ)−2,4 −ジヒドロ−3H−1,2,4−トリアゾル−3−オンを用い、本発明による工 程(a)における反応の経路は次式により表し得る: 例えば、出発物質として2−エチルチオ−ベンゼンスルホンアミド及び2−ク ロロカルボニル−4−シクロヘキシル−5−(チエタン−3−イル−オキシ)− 2,4−ジヒドロ−3H−1,2,4−トリアゾル−3−オンを用い、本発明に よる工程(b)における反応の経路は次式に より表し得る: 例えば、出発物質としてN−メトキシカルボニル−2−メトキシ−ベンゼンス ルホンアミド及び5−(テトラヒドロ−2−フリル−メトキシ)−4−メチル− 2,4−ジヒドロ−3H−1,2,4−トリアゾル−3−オンを用い、本発明に よる工程(c)における反応は次式により表し得る: 例えば、出発物質として塩化2−クロロ−6−メチル−ベンゼンスルホニル、 4−アリル−5−(テトラヒドロチエニル−3−オキシ)−2,4−ジヒドロ− 3H−1,2,4−トリアゾル−3−オン及びシアン化ナトリウムを用い、本発 明による工程(d)における反応の経路は次式により表し得る: 式(I)の化合物の製造に対する本発明による工程(a)、(c)及び(d) において出発物質として用いられるトリアゾリン(チ)オンの一般的定義は式( II)により与えられる。この式(II)において、Q1、R1及びR2は各々好 ましくは、または殊にQ1、R1及びR2に対して好適か、または殊に好適なもの として本発明による式(I)の化合物の記載に関連して既に上に与えられた意味 を有する。 一般式(II)のトリアゾリン(チ)オンは文献中に未だ開示されておらず; これらのものはまた新規物質として本出願の一部である。 式(II)の新規なトリアゾリン(チ)オンは一般式(IX) 式中、Q1は上記の意味を有し、そして R27は随時置換されていてもよいアルキル(好ましくはメチル、エチル、メ トキシエチルまたはエトキシエチル)を表すか、或いはフェニルを表す、 の(チオ)カルバジン酸エステルを随時希釈剤例えばメタノールの存在下、及び 随時反応補助剤例えばピバル酸の存在下にて0乃至100℃間の温度で一般式( X) 式中、R1及びR2は上記の意味を有し、そして Gはアルキル(好ましくはメチルまたはエチル)を表すか、或いはR2と同 じ意味を有する、 のアルキルイミノカルボン酸ジエステルと反応させ、そしてこの反応で生成する 一般式(XI) 式中、Q1、R1、R2及びR27は上記の意味を有する。 の化合物を随時中間体の単離後に随時希釈剤例えばメタノールの存在下、及び随 時反応補助剤例えばナトリウムメチラートの存在下にて20乃至150℃間の温 度で環式縮合させる場合に得られる(製造実施例参照)。 また式(I)の化合物の製造に対する本発明による工程(a)において出発物 質として用いられるスルホニルイソ(チオ)シアネートの一般的定義は式(II I)により与えられる。 式(III)において、Q2及びR3は各々好ましくは、または殊にQ2及びR3 に対して好適か、または殊に好適なものとして本発明による式(I)の化合物の 記載に関連して既に上に与えられた意味を有する。 一般式(III)の出発物質は公知であり、そして/またはそれ自体 公知である方法により製造し得る(米国特許第4,127,405号、同第4, 169,719号、同第4,371,391号、ヨーロッパ特許出願公開第7, 687号;同第13,480号、同第21,641号、同第23,141号、同 第23,422号、同第30,139号、同第35,893号、同第44,80 8号、同第44,809号、同第48,143号、同第51,466号、同第6 4,322号、同第70,041号、同第173,312号参照)。 式(I)の化合物を製造するための本発明による工程(b)において出発物質 として用いられるトリアゾリン(チ)オン誘導体の一般的定義は式(IV)によ り与えられる。式(IV)において、Q1、Q2、R1及びR2は好ましくは、また は殊にQ1、Q2、R1及びR2に対して好適か、または殊に好適なものとして本発 明による式(I)の化合物の記載に関連して既に上に与えられた意味を有し;Z は好ましくはフッ素、塩素、臭素、メトキシ、エトキシ、ベンジルオキシ、フェ ノキシ、ハロゲノ−もしくはニトロ−フェノキシ、殊にメトキシ、フェノキシま たは4−ニトロ−フェノキシを表す。 式(IV)の出発物質は文献中に未だ開示されておらず;これらのものは同様 に本出願の一部である。 式(IV)の新規な化合物は一般式(II) 式中、Q1、R1及びR2は上記の意味を有する、 のトリアゾリン(チ)オンを随時酸受容体例えば水素化ナトリウムまたは水素化 カリウム、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウム、ナトリウムt−ブチラート またはカリウムt−ブチラートの存在下、及び随時希釈剤例えばテトラヒドロフ ランまたはジメトキシエタンの存在下でか、或いは水及び有機溶媒例えば塩化メ チレンまたはクロロホルムからなる2相系中にて0乃至100℃間の温度で一般 式(XII) Z−CQ2−Z1 (XII) 式中、Q2及びZは上記の意味を有し、そして Z1はハロゲン(特に塩素)、アルコキシ(特にメトキシ)、アラルコキシ (特にベンジルオキシ)またはアリールオキシ(特にフェノキシ)を表す、 の炭酸誘導体と反応させる場合に得られる。 また式(I)の化合物の製造に対する本発明による工程(b)において出発物 質として用いられるスルホンアミドの一般的定義は式(V)により与えられる。 式(V)において、R3は各々好ましくは、または殊にR3に対して好適か、また は殊に好適なものとして本発明による式(I)の化合物の記載に関連して既に上 に与えられた意味を有する。 一般式(V)の出発物質は公知であり、そして/またはそれ自体公知である方 法により製造し得る(米国特許第4,127,405号、同第4,169,71 9号、同第4,371,391号、ヨーロッパ特許出願公開第7,687号;同 第13,480号、同第21,641号、同第23,141号、同第23,42 2号、同第30,139号、同第35,893号、同第44,808号、同第4 4,809号、同第48,143号、同第51,466号、同第64,322号 、同第70,04 1号、同第173,312号参照)。 式(I)の化合物を製造するための本発明による工程(c)において出発物質 として用いられるスルホンアミド誘導体の一般的定義は式(VI)により与えら れる。式(VI)において、Q2及びR3は好ましくは、または殊にQ2及びR3に 対して好適か、または殊に好適なものとして本発明による式(I)の化合物の記 載に関連して既に上に与えられた意味を有し;Zは好ましくはフッ素、塩素、臭 素、メトキシ、エトキシ、ベンジルオキシまたはフェノキシ、特にメトキシまた はフェノキシを表す。 式(VI)の出発物質は公知であり、そして/またはそれ自体公知である方法 により製造し得る。 式(I)の化合物を製造するための本発明による工程(d)において出発物質 として用いられるスルホニルハロゲン化物の一般的定義は式(VII)により与 えられる。式(VII)において、R3は好ましくは、または殊にR3に対して好 適か、または殊に好適なものとして本発明による式(I)の化合物の記載に関連 して既に上に与えられた意味を有し;Xは好ましくはフッ素、塩素または臭素、 特に塩素を表す。 式(VII)の出発物質は公知であり、そして/またはそれ自体公知である方 法により製造し得る。 式(I)の新規な化合物を製造するための本発明による工程(a)、(b)、 (c)及び(d)は好ましくは希釈剤を用いて行う。これに関連して適当な希釈 剤は全ての実質的に不活性の有機溶媒である。これらのものには好ましくは脂肪 族、脂環式及び芳香族の、随時ハロゲン化されていてもよい炭化水素例えばペン タン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、石油エーテル、ベンジン、リグロ イン、ベンゼン、トルエン、 キシレン、塩化メチレン、塩化エチレン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベ ンゼン及びo−ジクロロベンゼン;エーテル例えばジエチルエーテル及びジブチ ルエーテル、グリコールジメチルエーテル及びジグリコールジメチルエーテル、 テトラヒドロフラン及びジオキサン;ケトン例えばアセトン、メチルエチルケト ン、メチルイソプロピルケトン及びメチルイソブチルケトン;エステル例えば酢 酸メチル及び酢酸エチル;ニトリル例えばアセトニトリル及びプロピオニトリル ;アミド例えばジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド及びN−メチルピ ロリドン、並びにまたジメチルスルホキシド、テトラメチレンスルホン及びヘキ サメチルリン酸トリアミドが含まれる。 本発明による工程(a)、(b)、(c)及び(d)における反応補助剤及び /または酸受容体として、かかる反応に通常使用し得る全ての酸結合剤を用いる ことができる。適当な例にはアルカリ金属水酸化物例えば水酸化ナトリウム及び 水酸化カリウム、アルカリ土金属水酸化物例えば水酸化カルシウム、アルカリ金 属炭酸塩及びアルカリ金属アルコラート例えば炭酸ナトリウム及び炭酸カリウム 、ナトリウムt−ブチラート及びカリウムt−ブチラート、並びにまた塩基性窒 素化合物例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、ト リブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジシクロヘキシルアミン、エチルジイソ プロピルアミン、エチルジシクロヘキシルアミン、N,N−ジメチルベンジルア ミン、N−ジメチル−アニリン、ピリジン、2−メチル−、3−メチル−、4− メチル−、2,4−ジメチル−、2,6−ジメチル−、2−エチル−、4−エチ ル−及び5−エチル−2−メチル−ピリジン、1,5−ジアザビシクロ[4.3 .0]−ノン−5−エン(DBN)、 1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−ウンデス−7−エン(DBU)及び1 ,4−ジアザビシクロ[2.2.2]−オクタン(DABCO)がある。 本発明による工程(a)、(b)、(c)及び(d)における反応温度は比較 的広い範囲内で変え得る。本法は一般に−20乃至100℃間の温度、好ましく は0乃至80℃間の温度で行う。 本発明による工程(a)、(b)、(c)及び(d)は一般に大気圧下で行う 。しかしながらまた、昇圧または減圧下で行うこともできる。 本発明による工程(a)、(b)、(c)及び(d)を行うために、各々の場 合に必要とされる出発物質は一般にほぼ等モル量で用いる。しかしながらまた、 各々の場合に成分の1つを比較的大過剰に用いることができる。反応は一般に適 当な希釈剤中にて酸受容体の存在下で行い、そして反応混合物を必要とされる特 殊な温度で数時間撹拌する。本発明による工程(a)、(b)、(c)及び(d )における処理は各々の場合に常法により行う(製造実施例参照)。 本発明による一般式(I)の化合物から必要に応じて塩を製造することができ る。かかる塩は塩生成における常法により例えば式(I)の化合物を適当な溶媒 例えば塩化メチレン、アセトン、t−ブチルメチルエーテルまたはトルエンに溶 解または分散させ、そして適当な塩基を加えることにより簡単に得られる。次に 塩は随時長期間撹拌した後に濃縮または吸引濾過により単離し得る。 本発明による活性化合物は落葉剤、乾燥剤、広葉樹の破壊剤及び、特に殺雑草 剤として使用することができる。雑草とは、最も広い意味において、植物を望ま ない場所に生長するすべての植物を意味する。本発明 による物質は、本質的に使用量に依存して完全除草剤または選択的除草剤として 作用する。 本発明による活性化合物は、例えば、次の植物に関連して使用することができ る:次の属の双子葉雑草 :カラシ属(Sinapis)、マメグンバイナズナ属(Lepidium)、 ヤエムグラ属(Galium)、ハコベ属(Stellaria)、シカギク属(Matricaria)、カミ ツレモドキ属(Anthemis)、ガリンソガ属(Galinsoga)、アカザ属(Chenopodium)、 イラクサ属(Urtica)、キオン属(Senecio)、ヒユ属(Amaranthus)、スベリヒユ属( Portulaca)、オナモミ属(Xanthium)、ヒルガオ属(Convolvulus)、サツマイモ属( Ipomoea)、タデ属(Polygonum)、セスバニア属(Sesbania)、オナモミ属(Ambrosia )、アザミ属(Cirsium)、ヒレアザミ属(Carduus)、ノゲシ属(Sonchus)、ナス属(S olanum)、イヌガラシ属(Rorippa)、キカシグサ属(Rotala)、アゼナ属(Lindernia )、ラミウム属(Lamium)、クワガタソウ属(Veronica)、イチビ属(Abutilon)、エ メクス属(Emex)、チヨウセンアサガオ属(Datura)、スミレ属(Viola)、チシマオ ドリコ属(Galeopsis)、ケシ属(Papaver)、センタウレア属(Centaurea)、ツメク サ属(Trifolium)、キツネノボタン属(Ranunculus)及びタンポポ属(Taraxac um)。次の属の双子葉栽培植物 :ワタ属(Gossypium)、ダイズ属(Glycine)、フダンソウ 属(Beta)、ニンジン属(Daucus)、インゲンマメ属(Phaseolus)、エンドウ属(Pisu m)、ナス属(Solanum)、アマ属(Linum)、サツマイモ属(Ipomoea)、ソラマメ属(Vi cia)、タバコ属(Nicotiana)、トマト属(Lycopersicon)、ラツカセイ属(Arachis) 、アブラナ属(Br assica)、アキノノゲシ属(Lactuca)、キユウリ属(Cucumis)及びウリ属(Cucurb ita)。次の属の単子葉雑草 :ヒエ属(Echinochloa)、エノコログサ属(Setaria)、キビ属 (Panicum)、メヒシバ属(Digitaria)、アワガリエ属(Phleum)、スズメノカタビラ 属(Poa)、ウシノケグサ属(Festuca)、オヒシバ属(Eleusine)、ブラキアリア属(B rachiaria)、ドクムギ属(Lolium)、スズメノチヤヒキ属(Bromus)、カラスムギ属 (Avena)、カヤツリグサ属(Cyperus)、モロコシ属(Sorghum)、カモジグサ属(Agro pyron)、シノドン属(Cynodon)、ミズアオイ属(Monochoria)、テンツキ属(Fimbri stylis)、オモダカ属(Sagittaria)、ハリイ属(Eleocharis)、ホタルイ属(Scirpu s)、パスパルム属(Paspalum)、カモノハシ属(Ischaemum)、スフエノクレア属(Sp henoclea)、ダクチロクテニウム属(Dactyloctenium)、ヌカボ属(Agrostis)、ス ズメノテツポウ属(Alopecurus)及びアペラ属(Apera)。次の属の単子葉栽培植物 :イネ属(Oryza)、トウモロコシ属(Zea)、コムギ属(Tri ticum)、オオムギ属(Hordeum)、カラスムギ属(Avena)、ライムギ属(Secale)、モ ロコシ属(Sorghum)、キビ属(Panicum)、サトウキビ属(Saccharum)、アナナス属( Ananas)、クサスギカズラ属(Asparagus)およびネギ属(Allium)。しかしながら 、本発明による活性化合物の使用はこれらの属にまったく限定されず、同じ方法 で他の植物に及ぶ。 化合物は、濃度に依存して、例えば工業地域及び鉄道線路上、樹木が存在する か或いは存在しない道路及び広場上の雑草の完全防除に適する。同等に、化合物 は多年生栽培植物、例えば造林、装飾樹木、果樹園、ブ ドウ園、かんきつ類の木立、クルミの果樹園、バナナの植林、コーヒーの植林、 茶の植林、ゴムの木の植林、油ヤシの植林、カカオの植林、小果樹の植え付け及 びホップの栽培植物の中の雑草の防除に、そして1年生栽培植物中の雑草の選択 的防除に使用することができる。 本発明による式(I)の化合物は発芽前及び発芽後法の両方により単子葉及び 双子葉の栽培植物における単子葉及び双子葉の雑草の選択的防除に殊に適してい る。 本活性化合物は普通の調製物例えば、溶液、乳液、水和剤、懸濁剤、粉末、泡 沫剤、塗布剤、可溶性粉末、顆粒、懸濁乳化濃厚剤、活性化合物を含浸させた天 然及び合成物質、及び重合物質中のごく細かいカプセルに変えることができる。 これらの調製物は公知の方法において、例えば活性化合物を伸展剤、即ち液体 溶媒及び/または固体の担体と随時表面活性剤、即ち乳化剤及び/または分散剤 及び/または発泡剤と混合して製造される。 また伸展剤として水を用いる場合、例えば補助溶媒として有機溶媒を用いるこ ともできる。液体溶媒として、主に、芳香族炭化水素例えばキシレン、トルエン もしくはアルキルナフタレン、塩素化された芳香族もしくは塩素化された脂肪族 炭化水素例えばクロロベンゼン、クロロエチレンもしくは塩化メチレン、脂肪族 炭化水素例えばシクロヘキサン、またはパラフィン例えば鉱油留分、鉱油及び植 物油、アルコール例えばブタノールもしくはグリコール並びにそのエーテル及び エステル、ケトン例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト ンもしくはシクロヘキサノン、強い有極性溶媒例えばジメチルホルムアミド及び ジメチルスルホキシド並びに水が適している。 固体の担体として、例えばアンモニウム塩及び粉砕した天然鉱物、例えばカオ リン、クレイ、タルク、チョーク、石英、アタパルジャイト、モントモリロナイ ト、またはケイソウ土並びに粉砕した合成鉱物例えば高度に分散性ケイ酸、アル ミナ及びシリケートが適している;粒剤に対する固体の担体として、粉砕し且つ 分別した天然岩、例えば方解石、大理石、軽石、海泡石及び白雲石並びに無機及 び有機のひきわり合成顆粒及び有機物質の顆粒例えばおがくず、やしがら、トウ モロコシ穂軸及びタバコの茎が適している;乳化剤及び/または発泡剤として非 イオン性及び陰イオン性乳化剤例えばポリオキシエチレン−脂肪酸エステル、ポ リオキシエチレン脂肪族アルコールエーテル例えばアルキルアリールポリグリコ ールエーテル、アルキルスルホネート、アルキルスルフェート、アリールスルホ ネート並びにアルブミン加水分解生成物が適している;分散剤として、例えばリ グニンスルファイト廃液及びメチルセルロースが適している。 接着剤例えばカルボキシメチルセルロース並びに粉状、粒状またはラテックス 状の天然及び合成重合体例えばアラビアゴム、ポリビニルアルコール及びポリビ ニルアセテート並びに天然リン脂質例えばセファリン及びレシチン、及び合成リ ン脂質を組成物に用いることができる。更に添加剤は鉱油及び植物油であること ができる。 着色剤例えば無機顔料、例えば酸化鉄、酸化チタン及びプルシアンブルー並び に有機染料例えばアリザリン染料、アゾ染料及び金属フタロシアニン染料、及び 微量の栄養剤例えば鉄、マンガン、ホウ素、銅、コバルト、モリブテン及び亜鉛 の塩を用いることができる。 調製物は一般に活性化合物0.1乃至95重量%間、好ましくは0. 5乃至90重量%間を含有する。 また本発明による活性化合物は、そのまま或いはその調製物の形態において、 公知の除草剤との混合物として雑草を防除するために用いることができ、処理さ れた調製物または槽混合が可能である。 混合物に適する共成分には公知の除草剤例えばアニリド例えばジフルフェニカ ン及びプロパニル;アリールカルボン酸例えばジクロロピコリン酸、ジカンバ及 びピコロラム;アリールオキシアルカン酸例えば2,4−D、2,4−DB、2 ,4−DP、フルロキシピル、MCPA、MCPP及びトリクロピル;アリール オキシ−フェノキシ−アルカン酸エステル例えばジクロホップ−メチル、フェノ キサプロップ−エチル、フルアジホップ−ブチル、ハロキシホップ−メチル及び キザロホップ−エチル;アジノン例えばクロリダゾン及びノルフルラゾン;カル バメート例えばクロルプロファム、デスメジファム、フェンメジファム及びプロ ファム、クロロアセトアニリド例えばアラクロル、アセトクロル、ブタクロル、 メタザクロル、メトラクロル、プレチラクロル及びプロパクロル;ジニトロアニ リン例えばオリザリン、ペンジメタリン及びトリフルラリン;ジフェニルエステ ル例えばアシフルオルフェン、ビフェノックス、フルオログリコフェン、ホメサ フェン、ハロサフェン、ラクトフェン及びオキシフルオルフェン;ウレア例えば クロルトルロン、ジウロン、フルオメツロン、イソプロツロン、リヌロン及びメ タベンズチアズロン;ヒドロキシルアミン例えばアロキシジム、クレトジム、シ クロキシジム、セトキシジム及びトラルコキシジム;イミダゾリノン例えばイマ ゼタピル、イマザメタベンズ、イマザピル及びイマザキン;ニトリル例えばブロ モキシニル、ジクロベニル及びイオキシニル;オキシアセトアミ ド例えばメフェナセット;スルホニルウレア例えばアミドスルフロン、ベンスル フロン−メチル、クロリムロン−エチル、クロルスルフロン、シノスルフロン、 メトスルフロン−メチル、ニコスルフロン、プリミスルフロン、ピラゾスルフロ ン−エチル、チフェンスルフロン−メチル、トリアスルフロン及びトリベヌロン −メチル;チオカルバメート例えばブチレート、シクロエート、ジ−アレート、 EPTC、エスプロカルブ、モリネート、プロスルホカルブ、チオベンカルブ及 びトリ−アレート;トリアジン例えばアトラジン、シアナジン、シマジン、シメ トリン、ターブトリン及びターブチラジン;トリアジノン例えばヘキサジノン、 メタミトロン及びメトリブジン;他のもの例えばアミノトリアゾール、ベンフレ セート、ベンタゾン、シンメチリン、クロマゾン、クロピラリド、ジフェンゾク アット、ジチオピル、エトフメセート、フルオロクロリドン、グルホシネート、 グリホセート、イソキサベン、ピリデート、キンクロラック、キンメラック、ス ルホセート及びトリジファンがある。 また他の公知の活性化合物、例えば殺菌・殺カビ剤(fungicides)、殺虫剤( insecticides)、殺ダニ剤(acaricides)、殺線虫剤(nematicides)、小鳥忌 避剤、植物栄養剤及び土壌構造改良剤との混合物が可能である。 本活性化合物はそのままで、或いはその配合物の形態またはその配合物から更 に希釈して調製した使用形態、例えば調製済液剤、懸濁剤、乳剤、粉剤、塗布剤 及び粒剤の形態で使用することができる。これらのものは普通の方法で、例えば 液剤散布(watering)、スプレー、アトマイジング(atomising)または粒剤散 布(scattering)によって施用される。 本発明による活性化合物は植物の発芽の前または後のいずれでも施用すること ができる。またこれらのものは種子をまく前に士壌中に混入することができる。 用いる活性化合物の量は実質的な範囲内で変えることができる。この量は本質 的に所望の効果の特質に依存する。一般に、施用量は土壌表面1ヘクタール当り 活性化合物1g乃至10kg間、好ましくは5g乃至2kg/ha間である。 本発明による活性化合物の製造及び使用は次の実施例から知り得る。製造実施例: 実施例1 [工程(a)] 4−メチル−5−(3−テトラヒドロフリル−オキシ)−2,4−ジヒドロ− 3H−1,2,4−トリアゾル−3−オン1.3g(7ミリモル)、2−トリフ ルオロメトキシ−フェニルスルホニルイソシアネート2.24g(8.4ミリモ ル)及びアセトニトリル60mlの混合物を約20℃で16時間撹拌した。次に このものを水流ポンプの真空下で濃縮し、残渣をイソプロパノール/石油エーテ ル(容量約3/7)と共に撹拌し、そしてこの方法で得られた結晶性生成物を吸 引濾過により単離した。 融点184℃の4−メチル−5−(3−テトラヒドロフリル−オキシ)−2− (2−トリフルオロメトキシ−フェニルスルホニルアミノカルボニル)−2,4 −ジヒドロ−3H−1,2,4−トリアゾル−3−オン3.0g(理論値の94 %)が得られた。 実施例2 [工程(b)] 2−ブロモ−ベンゾスルホンアミド2.5g(10ミリモル)をアセトニトリ ル40mlに溶解し、そして4−メチル−2−フェノキシカルボニル−5−(3 −テトラヒドロフリル−オキシ)−2,4−ジヒドロ−3H−1,2,4−トリ アゾル−3−オン3.2g(10ミリモル)及びジアザビシクロウンデセン(D BU)1.6g(10ミリモル)を撹拌しながら加えた。混合物を20℃で12 時間撹拌し、次に水流ポンプの真空下で濃縮した。残渣を塩化メチレン中に取り 入れ、混合物を10%塩酸で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、そして濾過し た。濾液を水流ポンプの真空下で濃縮し、残渣をイソプロパノール/石油エーテ ル(1/5)で温浸し、そして得られた結晶性生成物を吸引濾過により単離した 。 融点191℃の2−(2−ブロモ−フェニルスルホニル−アミノカルボニル) −4−メチル−5−(3−テトラヒドロフリル−オキシ)−2, 4−ジヒドロ−3H−1,2,4−トリアゾル−3−オン3.5g(理論値の7 8%)が得られた。 実施例1または2と同様に、そして本発明による製造方法の一般的記載に従い 、例えば下の表1に示される式(I)の化合物をまた製造することができた。 式(II)の出発物質: 実施例(II−1) 工程1: 3−ヒドロキシ−テトラヒドロフラン233g(2.65モル)を水流ポンプ の真空下にて50ミリバールでトルエン750ml中で共沸的に脱水した。次に 、氷冷しながら水素化ナトリウム(純度80%)18g(0.60モル)を約2 0分間にわたって加えた。30分後、メチルイソチオシアネート176g(2. 41モル)を氷冷しながら50℃で約30分間にわたって滴加した。次に反応混 合物を更に50℃で約2時間撹拌した。続いてこのものを30.7%塩酸71. 2g(HCl 0.60モル)を用いて氷冷しながら中和し、最後に100ミリ バールで共沸的に脱水し、濾過し、そして濾液を約500gに濃縮した。工程2: ジブチルスズジメチラート782g(2.65モル)をオイルポンプの真空下 にて40℃で最初に導入し、そして工程1で得られた生成物溶液を約30分間に わたって滴加した。この添加中にメタノールが留去し、そして温度が約80℃に 上昇した。続いて、空気を窒素で置換し、そして反応混合物を100℃で16時 間撹拌した。次にこのものをオイルポンプの真空下で精製した。最初のフラクシ ョン43gの蒸留に続いて、主フラクション290mlが得られ(1ミリバール /60℃で)、このものはガスクロマトグラフィー分析によりメチルイミノ−炭 酸O−メチルエステルO−(3−テトラヒドロフリル)エステル203.5g( 1.28モル)及びメチルイミノ炭酸O,O−ビス(3−テトラヒドロフリル) エステル75.2g(0.35モル)からなっていた。工程3: カルバジン酸2−エトキシエチル261g(1.63モル)を0℃で最初に導 入し、そして0℃に冷却した工程2からの生成混合物を全て一度に加えた。次に ピバル酸1.66gの部分を約20分間の間隔で加え、そして混合物を20℃で 16時間及び次に45℃で更に30分間撹拌した。ナトリウムメチラートの30 %メタノール溶液299g(ナトリウムメチラート1.66モル)の添加後、混 合物を更に55℃で3時間撹拌した。このものを冷却した後、反応混合物を氷冷 しながら30.7%塩酸197g(HCl 1.66モル)で中和し、次に水流 ポンプの真 空下で濃縮した。残渣をトルエン750mlから最結晶化させ、生成混合物20 9gを生成させ、このものはガスクロマトグラフィー分析により51%程度の4 −メチル−5−メトキシ−2,4−ジヒドロ−3H−1,2,4−トリアゾル− 3−オン及び43%程度の4−メチル−5−(3−テトラヒドロフリル−オキシ )−2,4−ジヒドロ−3H−1,2,4−トリアゾル−3−オンからなってい た。生成混合物を水400mlから最結晶化させ、4−メチル−5−メトキシ− 2,4−ジヒドロ−3H−1,2,4−トリアゾル−3−オン50gを結晶性生 成物として生じさせた。母液を蒸発により濃縮し、そして残渣をトルエン400 mlから最結晶した。再度生成物をメタノールから最結晶することにより融点1 64℃の4−メチル−5−(3−テトラヒドロフリル−オキシ)−2,4−ジヒ ドロ−3H−1,2,4−トリアゾル−3−オン83g(0.45モル)が生成 された。 実施例(II−1)と同様に、例えばまた下の表2に示す式(II)の化合物 を製造することができた。 式(IV)の出発物質: 実施例(IV−1) クロロギ酸フェニル6.9g(44ミリモル)を20〜30℃で撹拌しながら 4−メチル−5−(3−テトラヒドロフリルオキシ)−2,4−ジヒドロ−3H −1,2,4−トリアゾル−3−オン7.4g(40ミリモル)、水酸化ナトリ ウム1.8g(44ミリモル)、塩化テトラブチルアンモニウム0.2g、水5 0ml及び塩化メチレン50mlの混合物に加え、そして反応混合物を20℃で 12時間撹拌した。続いて有機相を分別し、水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾 燥し、そして濾過した。濾液を水流ポンプの真空下で濃縮し、残渣を石油エーテ ルで温浸し、そしてこの方法で得られた結晶性生成物を吸引濾過により単離した 。 融点98℃の4−メチル−2−フェノキシカルボニル−5−(3−テトラヒド ロフリルオキシ)−2,4−ジヒドロ−3H−1,2,4−トリアゾル−3−オ ン11.8g(理論値の97%)が得られた。 実施例(IV−1)と同様に、例えばまた下の表3に示す式(IV)の化合物 を製造することができた。 使用例: 実施例A 発芽前試験 溶 媒: アセトン5重量部 乳化剤: アルキルアリールポリグリコールエーテル 1重量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化合物1重量部を上記量の 溶媒と混合し、上記量の乳化剤を加え、そしてこの濃厚物を水で希釈して所望の 濃度にした。 試験植物の種子を通常の土壌中にまいた。24時間後、この土壌に活性化合物 の調製物を液剤散布した。単位面積当りの水の量を一定に保持することが有利で ある。調製物中の活性化合物の濃度は重要ではなく、単位面積当り施用した活性 化合物の量のみが決めてとなる。 3週間後、植物に対する損傷の程度を、未処理対照植物の発育と比較して、% 損傷として評価した。 数字は次を表す: 0%=作用なし(未処理対照と同様) 100%=全て撲滅 この試験において、本発明による式(I)の化合物は雑草に対して強い作用を 表した(表A参照)。 実施例B 発芽後試験 溶 媒: アセトン5重量部 乳化剤: アルキルアリールポリグリコールエーテル 1重量部 活性化合物の適当な調製物を製造するために、活性化合物1重量部を上記量の 溶媒と混合し、上記量の乳化剤を加え、そしてこの濃厚物を水で希釈して所望の 濃度にした。 高さ5〜15cmの試験植物に、単位面積当り所望の活性化合物の特定の量が 施用されるように、活性化合物の調製物を噴霧した。 3週間後、植物に対する損傷の程度を未処理対照植物の発育と比較して%損傷 として評価した。 数字は次を表す: 0%=作用なし(未処理対照と同様) 100%=全て撲滅 この試験において、本発明による式(I)の化合物は雑草に対して強い作用を 表した(表B参照)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF ,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE, SN,TD,TG),AU,BB,BG,BR,BY, CA,CN,CZ,HU,JP,KR,KZ,LK,M X,NO,NZ,PL,RO,RU,SK,TR,UA ,US (72)発明者 キルステン,ロルフ ドイツ連邦共和国デー−40789モンハイ ム・カール−ラングハンス−シユトラーセ 27 (72)発明者 ゲジング,エルンスト・ルドルフ ドイツ連邦共和国デー−40699エルクラー ト・トリルザーグラーベン4 (72)発明者 フインダイゼン,クルト ドイツ連邦共和国デー−51375レーフエル クーゼン・デユンフエルダーシユトラーセ 28 (72)発明者 ヤンゼン,ヨハネス・ルドルフ ドイツ連邦共和国デー−40789モンハイ ム・クニツプラターシユトラーセ47 (72)発明者 ケーニヒ,クラウス ドイツ連邦共和国デー−51519オーデンタ ール・ツムハーネンベルク40 (72)発明者 ドリユーズ,マーク・ビルヘルム ドイツ連邦共和国デー−40764ランゲンフ エルト・ゲーテシユトラーセ38 (72)発明者 ドリンガー,マルクス ドイツ連邦共和国デー−51381レーフエル クーゼン・ブルシヤイダーシユトラーセ 154ベー (72)発明者 ザンテル,ハンス−ヨアヒム ドイツ連邦共和国デー−51371レーフエル クーゼン・グリユンシユトラーセ9アー

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.一般式(I) 式中、Q1は酸素または硫黄を表し、 Q2は酸素または硫黄を表し、 R1は水素、ヒドロキシル、アミノまたはアルキリデンアミノを表すか、或 いは各々の場合にアルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルケニル オキシ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルカノイルアミノ、シクロアル キル、シクロアルキルアルキル、シクロアルキルアミノ、アリール及びアリール アルキルよりなる群からの随時置換されていてもよい基を表し、 R2は各々の場合に随時置換されていてもよい複素環または複素環式アルキ ルを表し、そして R3は各々の場合にアルキル、アラルキル、アリール及びヘテロアリールよ りなる群からの随時置換されていてもよい基を表す、 の複素環式(アルク)オキシ置換基を有するスルホニルアミノ(チオ)カルボニ ルトリアゾリン(チ)オン及び式(I)の化合物の塩。 2.Q1が酸素または硫黄を表し、 Q2が酸素または硫黄を表し、 R1が水素、ヒドロキシル、アミノまたはC1〜C6−アルキリデンアミノを表 すか、随時フッ素、塩素、臭素、シアノ、C1〜C4−アルコキ シ、C1〜C4−アルキル−カルボニルまたはC1〜C4−アルコキシ−カルボニル で置換されていてもよいC1〜C6−アルキルを表すか、各々の場合に随時フッ素 、塩素及び/または臭素で置換されていてもよいC2〜C6−アルケニルまたはC2 〜C6−アルキニルを表すか、C1〜C6−アルキルオキシまたはC3〜C6−アル ケニルオキシを表すか、各々の場合に随時フッ素及び/または塩素で置換されて いてもよいC1〜C6−アルキルアミノ、ジ−(C1〜C4−アルキル)−アミノま たはC1〜C4−アルカノイルアミノを表すか、各々の場合に随時フッ素、塩素、 臭素及び/またはC1〜C4−アルキルで置換されていてもよいC3〜C6−シクロ アルキルまたはC3〜C6−シクロアルキル−C1〜C4−アルキルを表すか、或い は各々の場合に随時フッ素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ、C1〜C4−アルキル 、トリフルオロメチル、C1〜C4−アルコキシ及び/またはC1〜C4−アルコキ シ−カルボニルで置換されていてもよいフェニルまたはフェニル−C1〜C4−ア ルキルを表し、 R2が各々の場合に随時ハロゲノ及び/またはC1〜C4−アルキルで置換され ていてもよいオキセタニル、チエタニル、フリル、テトラヒドロフリル、チエニ ル、テトラヒドロチエニル、ピリジル、ピリミジル、オキセタニル−C1〜C4− アルキル、チエタニル−C1〜C4−アルキル、フリル−C1〜C4−アルキル、テ トラヒドロフリル−C1〜C4−アルキル、チエニル−C1〜C4−アルキル、テト ラヒドロチエニル−C1〜C4−アルキル、ピリジル−C1〜C4−アルキルまたは ピリミジル−C1〜C4−アルキルを表し、そして R3が基 を表し、ここに R4及びR5が同一もしくは相異なり、かつ水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素 、ニトロまたはC1〜C6−アルキル(随時フッ素、塩素、臭素、シアノ、カルボ キシル、C1〜C4−アルコキシカルボニル、C1〜C4−アルキルアミノ−カルボ ニル、ジ−(C1〜C4−アルキル)−アミノ−カルボニル、ヒドロキシル、C1 〜C4−アルコキシ、ホルミルオキシ、C1〜C4−アルキル−カルボニルオキシ 、C1〜C4−アルコキシ−カルボニルオキシ、C1〜C4−アルキルアミノ−カル ボニルオキシ、C1〜C4−アルキルチオ、C1〜C4−アルキルスルフィニル、C1 〜C4−アルキルスルホニル、ジ−(C1〜C4−アルキル)−アミノ−スルホニ ル、C3〜C6−シクロアルキルまたはフェニルで置換されていてもよい)を表す か、C2〜C6−アルケニル(随時フッ素、塩素、臭素、シアノ、C1〜C4−アル コキシ−カルボニル、カルボキシルまたはフェニルで置換されていてもよい)を 表すか、C2〜C6−アルキニル(随時フッ素、塩素、臭素、シアノ、C1〜C4− アルコキシ−カルボニル、カルボキシルまたはフェニルで置換されていてもよい )を表すか、C1〜C4−アルコキシ(随時フッ素、塩素、臭素、シアノ、カルボ キシル、C1〜C4−アルコキシ−カルボニル、C1〜C4−アルコキシ、C1〜C4 −アルキルチオ、C1〜C4−アルキルスルフィニルまたはC1〜C4−アルキルス ルホニルで置換されていてもよい)を表すか、C1〜C4−アルキルチオ(随時フ ッ素、塩素、臭素、シアノ、カルボキシル、C1〜C4−アルコキシ −カルボニル、C1〜C4−アルキルチオ、C1〜C4−アルキルスルフィニルまた はC1〜C4−アルキルスルホニルで置換されていてもよい)を表すか、C2〜C6 −アルケニルオキシ(随時フッ素、塩素、臭素、シアノまたはC1〜C4−アルコ キシ−カルボニルで置換されていてもよい)を表すか、C2〜C6−アルケニルチ オ(随時フッ素、塩素、臭素、シアノ、ニトロ、C1〜C3−アルキルチオまたは C1−C4−アルコキシ−カルボニルで置換されていてもよい)、C3〜C6−アル キニルオキシまたはC3〜C6−アルキニルチオを表すか、或いは基−S(O)p −R6を表し、ここに pが1または2の数を表し、そして R6がC1〜C4−アルキル(随時フッ素、塩素、臭素、シアノまたはC1〜C4 −アルコキシ−カルボニルで置換されていてもよい)、C3〜C6−アルケニル、 C3〜C6−アルキニル、C1〜C4−アルコキシ、C1〜C4−アルコキシ−C1〜 C4−アルキルアミノ、C1〜C4−アルキルアミノ、ジ−(C1〜C4−アルキル )−アミノまたはフェニルを表すか、或いは基−NHOR7を表し、ここに R7がC1〜C12−アルキル(随時フッ素、塩素、シアノ、C1〜C4−アルコキ シ、C1〜C4−アルキルチオ、C1〜C4−アルキルスルフィニル、C1〜C4−ア ルキルスルホニル、C1〜C4−アルキル−カルボニル、C1〜C4−アルコキシ− カルボニル、C1〜C4−アルキルアミノ−カルボニルまたはジ−(C1〜C4−ア ルキル)−アミノカルボニルで置換されていてもよい)を表すか、C3〜C6−ア ルケニル(随時フッ素、塩素または臭素で置換されていてもよい)、C3〜C6− アルキニル、C3〜C6−シクロアルキル、C3〜C6−シクロアルキル−C1〜C2 −アルキ ルまたはフェニル−C1〜C2−アルキル(随時フッ素、塩素、ニトロ、シアノ、 C1〜C4−アルキル、C1〜C4−アルコキシまたはC1〜C4−アルコキシ−カル ボニルで置換されていてもよい)を表すか、ベンズヒドリルを表すか、或いはフ ェニル(随時フッ素、塩素、ニトロ、シアノ、C1〜C4−アルキル、トリフルオ ロメチル、C1〜C4−アルコキシ、C1〜C2−フルオロアルコキシ、C1〜C4− アルキルチオ、トリフルオロメチルチオまたはC1〜C4−アルコキシ−カルボニ ルで置換されていてもよい)を表し、 R4及び/またはR5がさらにフェニルまたはフェノキシを表すか、C1〜C4− アルキルカルボニルアミノ、C1〜C4−アルコキシカルボニルアミノ、C1〜C4 −アルキルアミノ−カルボニル−アミノまたはジ−(C1〜C4−アルキル)−ア ミノ−カルボニルアミノを表すか、或いは基−CO−R8を表し、ここに R8が水素、C1〜C6−アルキル、C3〜C6−シクロアルキル、C1〜C6−ア ルコキシ、C3〜C6−シクロアルコキシ、C3〜C6−アルケニルオキシ、C1〜 C4−アルキルチオ、C1〜C4−アルキルアミノ、C1〜C4−アルコキシアミノ 、C1〜C4−アルコキシ−C1〜C4−アルキル−アミノまたはジ−(C1〜C4− アルキル)−アミノ(随時フッ素及び/または塩素で置換されていてもよい)を 表し、 R4及び/またはR5がさらにトリメチルシリル、チアゾリニル、C1〜C4−ア ルキルスルホニルオキシまたはジ−(C1〜C4−アルキル)−アミノスルホニル アミノを表すか、或いは基−CH=N−R9を表し、ここに R9が随時フッ素、塩素、シアノ、カルボキシル、C1〜C4−アルコ キシ、C1〜C4−アルキルチオ、C1〜C4−アルキルスルフィニルまたはC1〜 C4−アルキルスルホニルで置換されていてもよいC1〜C6−アルキルを表すか 、随時フッ素または塩素で置換されていてもよいベンジルを表すか、随時フッ素 または塩素で置換されていてもよいC3〜C6−アルケニルまたはC3〜C6−アル キニルを表すか、随時フッ素、塩素、臭素、C1〜C4−アルキル、C1〜C4−ア ルコキシ、トリフルオロメチル、トリフルオロメトキシまたはトリフルオロメチ ルチオで置換されていてもよいフェニルを表すか、随時フッ素及び/または塩素 で置換されていてもよいC1〜C6−アルコキシ、C3〜C6−アルケニルオキシ、 C3〜C6−アルキニルオキシまたはベンジルオキシを表すか、アミノ、C1〜C4 −アルキルアミノ、ジ−(C1〜C4−アルキル)−アミノ、フェニルアミノ、C1 〜C4−アルキル−カルボニルアミノ、C1〜C4−アルコキシカルボニルアミノ またはC1〜C4−アルキル−スルホニルアミノを表すか、或いは随時フッ素、塩 素、臭素またはメチルで置換されていてもよいフェニルスルホニルアミノを表し 、そしてまた R3が基 を表し、ここに R10が水素またはC1〜C4−アルキルを表し、 R11及びR12が同一もしくは相異なり、かつ水素、フッ素、塩素、臭素、ニト ロ、シアノ、C1〜C4−アルキル(随時フッ素及び/または塩 素で置換されていてもよい)、C1〜C4−アルコキシ(随時フッ素及び/または 塩素で置換されていてもよい)、カルボキシル、C1〜C4−アルコキシ−カルボ ニル、ジメチルアミノカルボニル、C1〜C4−アルキルスルホニルまたはジ−( C1〜C4−アルキル)−アミノスルホニルを表し; R3が基 を表し、ここに R13及びR14が同一もしくは相異なり、かつ水素、フッ素、塩素、臭素、ニト ロ、シアノ、C1〜C4−アルキル(随時フッ素及び/または塩素で置換されてい てもよい)またはC1〜C4−アルコキシ(随時フッ素及び/または塩素で置換さ れていてもよい)を表し;そしてまた R3が基 を表し、ここに R15及びR16が同一もしくは相異なり、かつ水素、フッ素、塩素、臭素、ニトロ 、シアノ、C1〜C4−アルキル(随時フッ素及び/または塩素で置換されていて もよい)、C1〜C4−アルコキシ(随時フッ素及び/または塩素で置換されてい てもよい)を表すか、C1〜C4−アルキルチオ、C1〜C4−アルキルスルフィニ ルまたはC1〜C4−アルキルスルホニル (随時フッ素及び/または塩素で置換されていてもよい)を表すか、アミノスル ホニルまたはモノ−(C1〜C4−アルキル)−アミノスルホニルを表すか、或い はジ−(C1〜C4−アルキル)−アミノスルホニル、C1〜C4−アルコキシ−カ ルボニルまたはジメチルアミノカルボニルを表し;そしてまた R3が基 を表し、ここに R17及びR18が同一もしくは相異なり、かつ水素、フッ素、塩素、臭素、C1 〜C4−アルキル(随時フッ素及び/または塩素で置換されていてもよい)また はC1〜C4−アルコキシ(随時フッ素及び/または塩素で置換されていてもよい )を表すか、C1〜C4−アルキルチオ、C1〜C4−アルキルスルフィニルまたは C1〜C4−アルキルスルホニル(随時フッ素及び/または塩素で置換されていて もよい)を表すか、或いはジ−(C1〜C4−アルキル)−アミノスルホニルを表 し;そしてまた R3が基 を表し、ここに R19及びR20が同一もしくは相異なり、かつ水素、フッ素、塩素、臭素、シア ノ、ニトロ、C1〜C4−アルキル(随時フッ素及び/または塩 素で置換されていてもよい)、C1〜C4−アルコキシ(随時フッ素及び/または 塩素で置換されていてもよい)、C1〜C4−アルキルチオ、C1〜C4−アルキル スルフィニルまたはC1〜C4−アルキルスルホニル(随時フッ素及び/または塩 素で置換されていてもよい)、ジ−(C1〜C4−アルキル)−アミノスルホニル 、C1〜C4−アルコキシ−カルボニルまたはジメチルアミノカルボニルを表し、 そして Aが酸素、硫黄または基N−Z1を表し、ここに Z1が水素、C1〜C4−アルキル(随時フッ素、塩素、臭素またはシアノで置 換されていてもよい)、C3〜C6−シクロアルキル、ベンジル、フェニル(随時 フッ素、塩素、臭素またはニトロで置換されていてもよい)、C1〜C4−アルキ ルカルボニル、C1〜C4−アルコキシカルボニルまたはジ−(C1〜C4−アルキ ル)−アミノカルボニルを表し;そしてまた R3が基 を表し、ここに R21及びR22が同一もしくは相異なり、かつC1〜C4−アルキル、ハロゲン、 C1〜C4−アルコキシ−カルボニル、C1〜C4−アルコキシまたはC1〜C4−ハ ロゲノアルコキシを表し、 Y1が硫黄または基N−R23を表し、ここに R23が水素またはC1〜C4−アルキルを表し;そしてまた R3が基 を表し、ここに R24が水素、C1〜C4−アルキル、ベンジル、ピリジル、キノリルまたはフェ ニルを表し、 R25が水素、ハロゲン、シアノ、ニトロ、C1〜C4−アルキル(随時フッ素及 び/または塩素で置換されていてもよい)、C1〜C4−アルコキシ(随時フッ素 及び/または塩素で置換されていてもよい)、ジオキソラニルまたはC1〜C4− アルコキシ−カルボニルを表し、そして R26が水素、ハロゲンまたはC1〜C4−アルキルを表すことを特徴とする、請 求の範囲第1項記載の式(I)の化合物並びにまた式(I)の化合物のナトリウ ム塩並びにカリウム、マグネシウム、カルシウム、アンモニウム、C1〜C4−ア ルキル−アンモニウム、ジ−(C1〜C4−アルキル)−アンモニウム、トリ−( C1〜C4−アルキル)−アンモニウム、テトラ−(C1〜C4−アルキル)−アン モニウム、トリ−(C1〜C4−アルキル)−スルホニウム、C5−またはC6−シ クロアルキル−アンモニウム及びジ−(C1〜C2−アルキル)−ベンジル−アン モニウム塩。 3.Q1が酸素または硫黄を表し、 Q2が酸素または硫黄を表し、 R1が各々の場合に随時フッ素、塩素、シアノ、メトキシまたはエト キシで置換されていてもよいメチル、エチル、n−もしくはi−プロピル、n− 、i−、s−もしくはt−ブチルを表すか、各々の場合に随時フッ素、塩素また は臭素で置換されていてもよいプロペニル、ブテニル、プロピニルまたはブチニ ルを表すか、メトキシ、エトキシまたはn−もしくはi−プロポキシを表すか、 アリルオキシを表すか、メチルアミノ、エチルアミノ、n−もしくはi−プロピ ルアミノ、n−、i−、s−もしくはt−ブチルアミノ、ジメチルアミノまたは ジエチルアミノを表すか、各々の場合に随時フッ素、塩素、臭素、メチルまたは エチルで置換されていてもよいシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル 、シクロヘキシル、シクロプロピルメチル、シクロブチルメチル、シクロペンチ ルメチルまたはシクロヘキシルメチルを表すか、或いは各々の場合に随時フッ素 、塩素、臭素、シアノ、メチル、トリフルオロメチルまたはメトキシで置換され ていてもよいベンジルまたはフェニルを表し、 R2が各々の場合に随時フッ素及び/または塩素、メチル及び/またはエチル で置換されていてもよいオキセタニル、チエタニル、フリル、テトラヒドロフリ ル、チエニル、テトラヒドロチエニル、オキセタニルメチル、チエタニルメチル 、フリルメチル、テトラヒドロフリルメチル、チエニルメチルまたはテトラヒド ロチエニルメチルを表し、そして R3が基 を表し、ここに R4がフッ素、塩素、臭素、メチル、エチル、n−もしくはi−プロピル、ト リフルオロメチル、メトキシ、エトキシ、n−もしくはi−プロポキシ、n−も しくはi−ブトキシ、ジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、2−クロロ −エトキシ、2,2,2−トリフルオロ−エトキシ、1,1,2,2−テトラフ ルオロ−エトキシ、1,1,2,2,2−ペンタフルオロ−エトキシ、2−メト キシ−エトキシ、メチルチオ、エチルチオ、n−もしくはi−プロピルチオ、n −もしくはi−ブチルチオ、2−フルオロ−エチルチオ、アリルオキシ、プロパ ルギルオキシ、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、メチルスルホニル、 エチルスルホニル、ジメチルアミノスルホニル、ジエチルアミノスルホニル、N −メトキシ−N−メチル−アミノスルホニル、フェニル、フェノキシ、メトキシ カルボニル、エトキシカルボニル、n−もしくはi−プロポキシカルボニルを表 し、そして R5が水素、フッ素、塩素、臭素、メチル、エチル、n−もしくはi−プロピ ル、トリフルオロメチル、メトキシ、エトキシ、n−もしくはi−プロポキシ、 ジフルオロメトキシ、トリフルオロメトキシ、メチルチオまたはエチルチオを表 し;そしてまた R3が基 を表し、ここに R10が水素を表し、 R11がフッ素、塩素、臭素、メチル、メトキシ、ジフルオロメトキシ、トリフ ルオロメトキシ、エトキシ、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、メチル スルホニルまたはジメチルアミノスルホニルを表し、そして R12が水素を表し;そしてまた R3が基 を表し、ここに Rがメチル、エチル、n−もしくはi−プロピルを表すか、或いは R3が基 を表し、ここに R24がメチル、エチル、n−もしくはi−プロピル、フェニルまたはピリジル を表し、 R25が水素、フッ素、塩素または臭素を表し、 R26がフッ素、塩素、臭素、メトキシカルボニルまたはエトキシカルボニルを 表すことを特徴とする、請求の範囲第1項記載の式(I)の化合物。 4.(a)一般式(II) 式中、Q1、R1及びR2は上記の意味を有する、 のトリアゾリン(チ)オンを随時反応補助剤の存在下及び随時希釈剤の存在下で 一般式(III) R3−SO2−N=C=Q2 (III) 式中、Q2及びR3は上記の意味を有する、 のスルホニルイソ(チオ)シアネートと反応させるか、 (b)一般式(IV) 式中、Q1、Q2、R1及びR2は上記の意味を有し、そして Zはハロゲン、アルコキシ、アラルコキシまたはアリールオキシを表す、 のトリアゾリン(チ)オン誘導体を随時酸受容体の存在下及び随時希釈剤の存在 下で一般式(V) R3−SO2−NH2 (V) 式中、R3は上記の意味を有する、 のスルホンアミドと反応させるか、 (c)一般式(II) 式中、Q1、R1及びR2は上記の意味を有する、 のトリアゾリン(チ)オンを随時酸受容体の存在下及び随時希釈剤の存在下で一 般式(VI) R3−SO2−NH−CQ2−Z (VI) 式中、Q2及びR3は上記の意味を有し、そして Zはハロゲン、アルコキシ、アラルコキシまたはアリールオキシを表す、 のスルホンアミド誘導体と反応させるか、或いは (d)一般式(II) 式中、Q1、R1及びR2は上記の意味を有する、 のトリアゾリン(チ)オンを随時反応補助剤の存在下及び随時希釈剤の存在下で 一般式(VII) R3−SO2−X (VII) 式中、R3は上記の意味を有し、そして Xはハロゲンを表す、 のスルホニルハロゲン化物及び一般式(VIII) MQ2CN (VIII) 式中、Q2は上記の意味を有し、そして Mはアルカリ金属またはアルカリ土金属等価物を表す、 の金属(チオ)シアネートと反応させ、そして必要に応じて工程(a)、(b) 、(c)または(d)により得られる式(I)の化合物を常法により塩に転化す ることを特徴とする、請求の範囲第1項記載の式(I)の化合物の製造方法。 5.請求の範囲第1項記載の式(I)の化合物の少なくとも1種またはその塩の 1種からなることを特徴とする、除草剤組成物。 6.望ましくない植物の生長を防除するための請求の範囲第1項記載の一般式( I)の化合物またはその塩の使用。 7.請求の範囲第1項記載の一般式(I)の化合物またはその塩を雑草またはそ の生育地上に作用させることを特徴とする、雑草の防除方法。 8.請求の範囲第1項記載の一般式(I)の化合物またはその塩を増量剤及び/ または表面活性剤と混合することを特徴とする、除草剤組成物の製造方法。 9.一般式(II) 式中、Q1は酸素または硫黄を表し、 R1は水素、ヒドロキシル、アミノまたはアルキリデンアミノを表 すか、或いは各々の場合にアルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、ア ルケニルオキシ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルカノイルアミノ、シ クロアルキル、シクロアルキルアルキル、シクロアルキルアミノ、アリール及び アリールアルキルよりなる群からの随時置換されていてもよい基を表し、そして R2は各々の場合に随時置換されていてもよい複素環または複素環式アルキ ルを表す、 のトリアゾリン(チ)オン。 10.一般式(IV) 式中、Q1は酸素または硫黄を表し、 Q2は酸素または硫黄を表し、 R1は水素、ヒドロキシル、アミノまたはアルキリデンアミノを表すか、或 いは各々の場合にアルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルケニル オキシ、アルキルアミノ、ジアルキルアミノ、アルカノイルアミノ、シクロアル キル、シクロアルキルアルキル、シクロアルキルアミノ、アリール及びアリール アルキルよりなる群からの随時置換されていてもよい基を表し、 R2は各々の場合に随時置換されていてもよい複素環または複素環式アルキ ルを表し、そして Zはハロゲン、アルコキシ、アラルコキシまたはアリールオキシを 表す、 のトリアゾリン(チ)オン誘導体。
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