JPH1151769A - 放射温度計 - Google Patents
放射温度計Info
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- JPH1151769A JPH1151769A JP9225751A JP22575197A JPH1151769A JP H1151769 A JPH1151769 A JP H1151769A JP 9225751 A JP9225751 A JP 9225751A JP 22575197 A JP22575197 A JP 22575197A JP H1151769 A JPH1151769 A JP H1151769A
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Abstract
提供することである。 【解決手段】測定対象1の温度を測定する放射温度計に
おいて、光学系を介して測定対象に光を投光して測定位
置を示すための光源15と、この光源15の光が入射さ
れる検出素子7と、この検出素子7に入射する光源の放
射エネルギーを求めその変化に基いて自己診断を行う処
理手段9とを備えるようにした放射温度計である。
Description
を用いて測定対象の温度を測定する放射温度計に関する
ものである。
学系、検出素子等の放射温度計の各部が劣化して測定誤
差を招く。このため、この劣化状態を把握することが要
望されている。通常、定期的又は必要時に、基準の黒体
炉を放射温度計で照準し、放射温度計の校正を行うよう
にしている。
黒体炉を用いて放射温度計の校正を行うとき、放射温度
計を設置箇所から取り外して基準の黒体炉を設置した所
に持ち込むか、又は基準の黒体炉を放射温度計の設置箇
所の持ち込み、いちいち放射温度計を黒体炉で比較検定
をしなければならず、装置が大がかりなものになり、ま
た、校正時期の把握、校正作業の手間を多く要し、煩雑
であった。
な構成で、自己診断が可能な放射温度計を提供すること
である。
温度を測定する放射温度計において、光学系を介して測
定対象に光を投光して測定位置を示すための光源と、こ
の光源の光が入射される検出素子と、この検出素子に入
射する光源の放射エネルギーを求めその変化に基いて自
己診断を行う処理手段とを備えるようにした放射温度計
である。
度計の一実施例を示す構成説明図である。図において、
測定対象1からの放射エネルギーはレンズ21、スリッ
ト3、ハーフミラー等のビームスプリッタ4、レンズ2
2、フイルタ6等の光学系を介し検出素子7に入射す
る。検出素子7で放射エネルギーは電気信号に変換さ
れ、増幅器A1で所定倍増幅され、A−D変換器8でデ
ジタル信号とされ、μCPU等の処理手段9に入力され
る。処理手段9でメモリ10のテーブル等を参照し温度
に換算する等の演算がなされ、表示器11に温度表示し
たり、通信手段12を介しパソコン等に温度信号を送信
することができる。
処理手段9は駆動手段14を動作させ、発光ダイオード
LED、レーザーダイオードLD等の半導体素子光源
や、白熱電球等の光源15を発光させ、ビームスプリッ
タ4、レンズ21等の光学系を介しスポットマーカー用
の光を測定対象1に投光し測定位置を示し、測定部位を
人間が目視で視認することができる。
L2がビームスプリッタ4を透過して反射ミラー5で反
射し、再びビームスプリッタ4で反射して検出素子7に
入射するようにする。
成分をL1、光源15からの放射エネルギー成分をL2
とし、光源15をオンのとしたときの検出素子7の出力
をV1、光源15をオフのときの検出素子7の出力をV
2とすれば次式が成り立つ。
1の放射エネルギー成分L1と反射ミラー5を反射した
放射エネルギー成分L2とが検出され、光源15がオフ
のときは測定対象1の放射エネルギー成分L1のみとな
る。
1からの成分L1は除去される。
フし、(3)式のL2の測定を行い、この初期の基準値
(L0とする)をメモリ10に格納しておく。そして、
必要時、又は所定時間間隔で、光源15をオン・オフ
し、このときの測定値L2を得る。両者L0,L2の差
を処理手段9は比較し、その差が測定精度を越えて大き
い場合や大きくなりつつある場合等の変化の様子に基い
て自己の状態を診断し、エラー情報として、表示手段1
1に表示したり、通信手段12によりパソコン等の上位
コンピュータに通報でき、自己校正できる。
を断続する他に、測定対象1への光路の途中に(例えば
レンズ21の前後等に)図示しないシャッタを設け、測
定対象1への光源15の光を断続し、シャッタが閉のと
きに検出素子7のみに入射する光を検出すれば、直接的
に光源15の光の成分L2を求めることができ、この変
動から自己診断を行うことができる。又、光源等の放射
エネルギーの十分大きい領域を用いるようにしても同様
である。
ーとして測定位置の確認を行う光源15を利用して、光
源15、ビームスプリッタ4、レンズ22、フィルタ6
等の光学系、検出素子7等の異常の検知ができ、放射温
度計各部の自己診断ができる。尚、検出素子7の出力を
温度に換算して、初期のみかけの温度と、チェク時のみ
かけの温度とを比較し、異常検知してもよい。
の半導体素子光源の場合、温度依存性が大きく、温度に
より放射するエネルギーが変動する。このため、図1
(b)のような金属ブロック17に光源15、温度セン
サ16を設け、この温度センサ16で光源15の近くの
温度を検出し、増幅器A2で増幅してA−D変換器8で
デジタル信号とし、処理手段9に入力する。そして、あ
らかじ求めメモリ10に記憶された温度に対する光源1
5の出力の補正値により、光源15からの放射エネルギ
ー成分L2について補正を行い、正しい成分になるよう
温度補償する。なお、半導体素子の光源15に温度セン
サが組み込まれている場合、この温度センサの出力を用
いて温度補償できる。
高めとなるとすれば、これを減らして一定値とするよう
な係数を乗除すれば良く、所定の関数をF、F´とすれ
ば、温度Tに対し補正前の出力L2aは次式で正しいも
のとなる。
とよい。
により、駆動手段14を制御して、光源15への駆動電
流iをi1,i2と変化させ、このときの上記(3)式
の出力L2の変化を求め、各電流値i1,i2における
出力L21,L22から係数kiを次式で求める。
1,T2,T3,…の場合について、係数k1,k2,
k3,…を求めて、補正関数Gをメモリ10に格納して
おく。自己診断時、処理手段9により、駆動手段14を
制御して、光源15の駆動電流をi1,i2と変化さ
せ、このときの上記(3)式の出力L2の変化から係数
kiを求め、図2(b)のような補正関数Gを利用し温
度Tを求める。この温度Tにより、(4)式のような補
償を行い、正しい自己診断を行う。
電圧と流れる電流との電圧電流特性が温度依存性を持つ
ので、この温度に対する電圧電流特性を利用して温度を
求め、温度補償するようにしてもよい。
の構成等は上記放射温度計の実施例以外のどのようなも
のでも良く、同様に自己診断が簡易に、容易に可能であ
る。
象の温度を測定する放射温度計において、光学系を介し
て測定対象に光を投光して測定位置を示すための光源
と、この光源の光が入射される検出素子と、この検出素
子に入射する光源の放射エネルギーを求めその変化に基
いて自己診断を行う処理手段とを備えるようにした放射
温度計である。つまり、スポットマーカー用の光源を利
用して、この光源の出力の変化から光学系等の放射温度
計各部の異常を検知しているので、特別な部品は必要で
なく、簡易な構成で自己診断、自己校正を行うことがで
きる。又、光源を断続することで容易に測定対象からの
影響を除去し光源の放射エネルギーのみを取り出すこと
ができ、正確な自己診断ができる。通常、光源の変動は
少なく安定性がよいが、半導体素子光源等の温度係数を
持つ場合、金属ブロックに設けた光源の温度を温度セン
サで検知し補償を行ったり、又は、光源への駆動電流を
変化させたときの検出素子の出力の変化や電圧電流特性
から光源の温度を求め補償を行うようにすることで、い
っそう高精度で、自己診断、異常診断を行うことがで
き、外部に表示したり、上位計算機に送信し、総合的な
診断、異常検知ができ、システムの信頼性がより向上す
る。又、自己が異常となりつつある等の異常情報ををあ
らかじめ把握することができ、事前に予知、予測するこ
とができる。
Claims (4)
- 【請求項1】測定対象の温度を測定する放射温度計にお
いて、光学系を介して測定対象に光を投光して測定位置
を示すための光源と、この光源の光が入射される検出素
子と、この検出素子に入射する光源の放射エネルギーを
求めその変化に基いて自己診断を行う処理手段とを備え
たことを特徴とする放射温度計。 - 【請求項2】前記光源の光を断続したときの検出素子の
出力から処理手段は光源の放射エネルギーを求めること
を特徴とする請求項1記載の放射温度計。 - 【請求項3】前記光源として半導体素子光源を用いて金
属ブロックに設け、光源の温度を金属ブロックに設けた
温度センサ又は光源自体に組み込まれ温度センサで検知
し処理手段で温度補償を行うことを特徴とする請求項1
又は請求項2記載の放射温度計。 - 【請求項4】前記処理手段は、光源への駆動電流を変化
させたときの検出素子の出力の変化から又は電圧電流特
性から光源の補償を行うことを特徴とする請求項1から
請求項3いずれかに記載の放射温度計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22575197A JP3656877B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 放射温度計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22575197A JP3656877B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 放射温度計 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1151769A true JPH1151769A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3656877B2 JP3656877B2 (ja) | 2005-06-08 |
Family
ID=16834264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22575197A Expired - Fee Related JP3656877B2 (ja) | 1997-08-07 | 1997-08-07 | 放射温度計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3656877B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7833348B2 (en) | 2005-09-21 | 2010-11-16 | Sumco Corporation | Temperature control method of epitaxial growth apparatus |
-
1997
- 1997-08-07 JP JP22575197A patent/JP3656877B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7833348B2 (en) | 2005-09-21 | 2010-11-16 | Sumco Corporation | Temperature control method of epitaxial growth apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3656877B2 (ja) | 2005-06-08 |
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