JPH1152437A - 半導体光素子 - Google Patents
半導体光素子Info
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- JPH1152437A JPH1152437A JP9208849A JP20884997A JPH1152437A JP H1152437 A JPH1152437 A JP H1152437A JP 9208849 A JP9208849 A JP 9208849A JP 20884997 A JP20884997 A JP 20884997A JP H1152437 A JPH1152437 A JP H1152437A
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- waveguide
- input
- output
- semiconductor optical
- optical device
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で簡易な構造を有し偏波依存性のない半
導体光素子。 【解決手段】 入力導波路１１〜１４からの伝搬光を干
渉伝搬させる干渉導波路を縦列接続し、出力導波路３１
〜３４を縦列接続して多モード干渉型導波路１を構成
し、入力導波路１１〜１４、または前記出力導波路３１
〜３４の一部、または全部の、少なくとも何れか一方
に、互いに導電型の異なるｐｎ接合による利得領域１５
〜１８、３５〜３８と、この利得領域に電子と正孔を注
入する。
導体光素子。 【解決手段】 入力導波路１１〜１４からの伝搬光を干
渉伝搬させる干渉導波路を縦列接続し、出力導波路３１
〜３４を縦列接続して多モード干渉型導波路１を構成
し、入力導波路１１〜１４、または前記出力導波路３１
〜３４の一部、または全部の、少なくとも何れか一方
に、互いに導電型の異なるｐｎ接合による利得領域１５
〜１８、３５〜３８と、この利得領域に電子と正孔を注
入する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体光導波路素子
の構造に係り、具体的には、入力導波路を伝搬されてき
た光信号を、特定の１本または複数本の出力導波路に分
配し、または、合波する光合分岐素子と、これを用い
た、いわゆる、光スイッチ素子に関するものである。
の構造に係り、具体的には、入力導波路を伝搬されてき
た光信号を、特定の１本または複数本の出力導波路に分
配し、または、合波する光合分岐素子と、これを用い
た、いわゆる、光スイッチ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、１本の入力導波路を伝搬してきた
信号光を、複数本の出力導波路に分配したり、あるい
は、これら複数本の導波路のうち、任意に選別したの特
定の導波路に出力する動作を行なう、いわゆる、光スイ
ッチ素子としては、反射型Ｙ分岐回路を使用したもの
や、方向性結合器回路を使用したものが知られている。
信号光を、複数本の出力導波路に分配したり、あるい
は、これら複数本の導波路のうち、任意に選別したの特
定の導波路に出力する動作を行なう、いわゆる、光スイ
ッチ素子としては、反射型Ｙ分岐回路を使用したもの
や、方向性結合器回路を使用したものが知られている。
【０００３】これらの回路は、１本の入力伝搬光を２本
の出力伝搬光に分配するか、あるいは、２本の入力伝搬
光を１本の出力伝搬光に合波するもので、入力と出力の
接続関係は１対２、または２対１とするのが基本となっ
ていた。いずれの場合においても、所望の光スイッチン
グ機能を得るためには、前記の回路を複数個使用し、こ
れらを導波路で結合することがなされていた。
の出力伝搬光に分配するか、あるいは、２本の入力伝搬
光を１本の出力伝搬光に合波するもので、入力と出力の
接続関係は１対２、または２対１とするのが基本となっ
ていた。いずれの場合においても、所望の光スイッチン
グ機能を得るためには、前記の回路を複数個使用し、こ
れらを導波路で結合することがなされていた。
【０００４】例えば、反射型Ｙ分岐回路を使用して４入
力４出力の光スイッチ素子を構成するには、図６に示す
ように、合分岐回路７０を２４個使用している。このた
め、入出力導波路の本数が増加するにしたがって、合分
岐回路７０の数も増加し、光スイッチ素子の作製には極
めて高度な技術が要求されることになっていた。
力４出力の光スイッチ素子を構成するには、図６に示す
ように、合分岐回路７０を２４個使用している。このた
め、入出力導波路の本数が増加するにしたがって、合分
岐回路７０の数も増加し、光スイッチ素子の作製には極
めて高度な技術が要求されることになっていた。
【０００５】さらに、前記反射型Ｙ分岐回路や方向性結
合器回路は、伝搬特性が伝搬光の偏波状態の影響を受け
る。例えば、反射型Ｙ分岐回路では、光の反射現象が偏
波依存性を有しており、また、方向性結合器回路では偏
波状態によって導波路内の伝搬定数が異なるという問題
があり、いずれも本質的に伝搬特性に影響を与える原因
となっていた。
合器回路は、伝搬特性が伝搬光の偏波状態の影響を受け
る。例えば、反射型Ｙ分岐回路では、光の反射現象が偏
波依存性を有しており、また、方向性結合器回路では偏
波状態によって導波路内の伝搬定数が異なるという問題
があり、いずれも本質的に伝搬特性に影響を与える原因
となっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記した入出力導波路
の本数が増加するに従って、これに用いる合分岐回路の
数も増加し、素子作製の上からも非常に高度な技術が要
求される要因の１つは、使用する合分岐回路が１対２ま
たは２対１を基本にしていることによる。反射型Ｙ分岐
回路の場合には、分岐動作を行なった後に、導波路内で
安定な伝搬状態を実現するためには、約８００μｍは直
線的に伝搬する必要があり、このため合分岐回路間の間
隔は少なくとも８００μｍを保つ必要がある。また、こ
の事情は方向性結合器を用いた場合でも同様で、方向性
結合器内で安定的な伝搬状態を実現するためには、方向
性結合器の素子長を１０００μｍ程度にする必要があっ
た。従って、多数の入出力導波路を有する光スイッチ
は、極めて大きな面積を有するものとなり、素子の作製
には高度な技術が要求されていた。このため、素子の作
製歩留まりは低下するから、必然的に素子の製造原価が
高騰するのは避けられなくなっていた。
の本数が増加するに従って、これに用いる合分岐回路の
数も増加し、素子作製の上からも非常に高度な技術が要
求される要因の１つは、使用する合分岐回路が１対２ま
たは２対１を基本にしていることによる。反射型Ｙ分岐
回路の場合には、分岐動作を行なった後に、導波路内で
安定な伝搬状態を実現するためには、約８００μｍは直
線的に伝搬する必要があり、このため合分岐回路間の間
隔は少なくとも８００μｍを保つ必要がある。また、こ
の事情は方向性結合器を用いた場合でも同様で、方向性
結合器内で安定的な伝搬状態を実現するためには、方向
性結合器の素子長を１０００μｍ程度にする必要があっ
た。従って、多数の入出力導波路を有する光スイッチ
は、極めて大きな面積を有するものとなり、素子の作製
には高度な技術が要求されていた。このため、素子の作
製歩留まりは低下するから、必然的に素子の製造原価が
高騰するのは避けられなくなっていた。
【０００７】さらに、入力伝搬光の導波路は、一般に２
つの基本偏波、すなわち、進行方向に磁界成分を有する
か、または、進行方向に電界成分を有する、ＴＥ波とＴ
Ｍ波を有し、これらが混在した状態にあり、従って、こ
のような伝搬光の分配、合波動作を行う光合分岐回路素
子は、偏波状態に依存しない特性を有することが必要で
ある。本発明はこのような状況に鑑みてなされたもので
あって、小型で簡易な構造を有し原価低減に好適な光合
分岐回路素子を提供すると共に、伝搬光の偏波状態に依
存しない合分岐動作を提供することを目的としている。
つの基本偏波、すなわち、進行方向に磁界成分を有する
か、または、進行方向に電界成分を有する、ＴＥ波とＴ
Ｍ波を有し、これらが混在した状態にあり、従って、こ
のような伝搬光の分配、合波動作を行う光合分岐回路素
子は、偏波状態に依存しない特性を有することが必要で
ある。本発明はこのような状況に鑑みてなされたもので
あって、小型で簡易な構造を有し原価低減に好適な光合
分岐回路素子を提供すると共に、伝搬光の偏波状態に依
存しない合分岐動作を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、コア層
と、このコア層よりも屈折率の小さいクラッド層からな
る材料によって両側を挟まれた導波構造によって構成す
る導波路であって、１本または、複数本の入力導波路
に、この入力導波路からの伝搬光を干渉伝搬させる干渉
導波路を縦列接続し、前記干渉導波路からの伝搬光を出
力する１本、または複数本の出力導波路を縦列接続する
ことにより、多モード干渉型導波路合分岐素子を構成
し、前記入力導波路の一部または全部か、もしくは、前
記出力導波路の一部または全部かの、少なくとも何れか
一方に、互いに導電型の異なるｐｎ接合による利得領域
と、この利得領域に、電子と正孔を注入する手段を具備
することを特徴とする合分岐素子によって達成される。
と、このコア層よりも屈折率の小さいクラッド層からな
る材料によって両側を挟まれた導波構造によって構成す
る導波路であって、１本または、複数本の入力導波路
に、この入力導波路からの伝搬光を干渉伝搬させる干渉
導波路を縦列接続し、前記干渉導波路からの伝搬光を出
力する１本、または複数本の出力導波路を縦列接続する
ことにより、多モード干渉型導波路合分岐素子を構成
し、前記入力導波路の一部または全部か、もしくは、前
記出力導波路の一部または全部かの、少なくとも何れか
一方に、互いに導電型の異なるｐｎ接合による利得領域
と、この利得領域に、電子と正孔を注入する手段を具備
することを特徴とする合分岐素子によって達成される。
【０００９】
【発明の実施の形態】上記の構成によって、１個の多モ
ード干渉型導波路合分岐素子により１対ｎ（ｎ≧２）の
合分岐回路を構成することが可能となるため、１対２の
合分岐回路を基本としその縦列接続で構成していた、従
来の多入力・多出力合分岐回路素子に比べると、著しい
小型化が図られた素子の構成が得られる。さらに、この
多モード干渉型導波路合分岐素子においては、入力導波
路からの伝搬光が干渉導波路領域で、基本モードに加え
て１次、２次、３次といった高次伝搬モードに分かれて
伝搬し、複数本の出力導波路の接続個所において、これ
らの分かれて伝搬した高次伝搬モードが干渉して集光す
るという原理を用いている。このため、分かれて伝搬し
た高次伝搬モードの干渉性は、高次伝搬モード相互間の
屈折率差で決定される。この高次伝搬モード相互間の屈
折率差は、ＴＥ偏波においてもＴＭ偏波においても同じ
値を有するため、本質的にこの素子の伝搬特性は、伝搬
光の偏波状態に対する依存性がなくなる。
ード干渉型導波路合分岐素子により１対ｎ（ｎ≧２）の
合分岐回路を構成することが可能となるため、１対２の
合分岐回路を基本としその縦列接続で構成していた、従
来の多入力・多出力合分岐回路素子に比べると、著しい
小型化が図られた素子の構成が得られる。さらに、この
多モード干渉型導波路合分岐素子においては、入力導波
路からの伝搬光が干渉導波路領域で、基本モードに加え
て１次、２次、３次といった高次伝搬モードに分かれて
伝搬し、複数本の出力導波路の接続個所において、これ
らの分かれて伝搬した高次伝搬モードが干渉して集光す
るという原理を用いている。このため、分かれて伝搬し
た高次伝搬モードの干渉性は、高次伝搬モード相互間の
屈折率差で決定される。この高次伝搬モード相互間の屈
折率差は、ＴＥ偏波においてもＴＭ偏波においても同じ
値を有するため、本質的にこの素子の伝搬特性は、伝搬
光の偏波状態に対する依存性がなくなる。
【００１０】
【実施例】以下には本発明の半導体光素子を実施例に基
づいて説明する。図１は、本発明の半導体光素子の一実
施例を示す概略構成図である。図１の１１、１２、１
３、１４は入力導波路であり、本実施例においては４本
の入力導波路を有している。また図１の１は多モード干
渉導波路であり、それぞれの入力導波路１１、１２、１
３、１４からの伝搬光がこの多モード干渉導波路１を干
渉伝搬し、多モード干渉導波路１の反対側に接続した４
本の出力導波路３１、３２、３３、３４の各接続点に集
光されるようにその形状が定められている。本実施例に
おいては、幅１８μｍ、長さ４８μｍである。入力導波
路１１、１２、１３、１４には、それぞれ、利得領域１
５、１６、１７、１８を、また、出力導波路３１、３
２、３３、３４には、それぞれ、利得領域３５、３６、
３７、３８が設けられている。
づいて説明する。図１は、本発明の半導体光素子の一実
施例を示す概略構成図である。図１の１１、１２、１
３、１４は入力導波路であり、本実施例においては４本
の入力導波路を有している。また図１の１は多モード干
渉導波路であり、それぞれの入力導波路１１、１２、１
３、１４からの伝搬光がこの多モード干渉導波路１を干
渉伝搬し、多モード干渉導波路１の反対側に接続した４
本の出力導波路３１、３２、３３、３４の各接続点に集
光されるようにその形状が定められている。本実施例に
おいては、幅１８μｍ、長さ４８μｍである。入力導波
路１１、１２、１３、１４には、それぞれ、利得領域１
５、１６、１７、１８を、また、出力導波路３１、３
２、３３、３４には、それぞれ、利得領域３５、３６、
３７、３８が設けられている。
【００１１】図２は図１の半導体光素子の断面を示す図
で、１０は入出力導波路の利得領域コア層であり、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ（バンドギャップ波長＝１．５μｍ）により
構成され、１９は入出力導波路の利得領域上クラッド層
で、ｐ型ＩｎＰにより、また２０は、入出力導波路の利
得領域下クラッド層で、ｎ型ＩｎＰにより構成されてい
る。
で、１０は入出力導波路の利得領域コア層であり、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ（バンドギャップ波長＝１．５μｍ）により
構成され、１９は入出力導波路の利得領域上クラッド層
で、ｐ型ＩｎＰにより、また２０は、入出力導波路の利
得領域下クラッド層で、ｎ型ＩｎＰにより構成されてい
る。
【００１２】入出力導波路の６１はコア層であり、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ（バンドギャップ波長＝１．３μｍ）より構
成され、６２は入出力導波路の上クラッド層であり、ノ
ンドープＩｎＰにより、また、６３は入出力導波路の下
クラッド層であり、ノンドープＩｎＰにより構成されて
いる。多モード干渉導波路の５０は、ＩｎＧａＡｓＰ
（バンドギャップ波長＝１．３μｍ）のコア層であり、
５６は上クラッド層、５７は下クラッド層でありノンド
ープのＩｎＰにより構成されている。各入力導波路、出
力導波路は、電子・正孔を注入する手段としての電流注
入用電極４を設けている。
ＧａＡｓＰ（バンドギャップ波長＝１．３μｍ）より構
成され、６２は入出力導波路の上クラッド層であり、ノ
ンドープＩｎＰにより、また、６３は入出力導波路の下
クラッド層であり、ノンドープＩｎＰにより構成されて
いる。多モード干渉導波路の５０は、ＩｎＧａＡｓＰ
（バンドギャップ波長＝１．３μｍ）のコア層であり、
５６は上クラッド層、５７は下クラッド層でありノンド
ープのＩｎＰにより構成されている。各入力導波路、出
力導波路は、電子・正孔を注入する手段としての電流注
入用電極４を設けている。
【００１３】本発明の半導体光素子の分岐動作の一例に
ついて説明する。表１は、入力導波路１３に、波長１．
５４μｍ、強度−５ｄＢｍの信号光をファイバを通して
入力し、各出力導波路からの出力光強度を測定した結果
を示す図表である。入力導波路１３の電極及び出力導波
路３１、３３、３４の電極にそれぞれ８ｍＡの電流を注
入した。電流を注入した各導波路からは入力光よりも増
幅された出力光が得られ、電流の注入がない出力導波路
３２からは測定限界以下の値が記録されたことを示す。
このように本素子を用いて、１入力光を、任意に設定し
た３本の出力導波路から出力させることができた。
ついて説明する。表１は、入力導波路１３に、波長１．
５４μｍ、強度−５ｄＢｍの信号光をファイバを通して
入力し、各出力導波路からの出力光強度を測定した結果
を示す図表である。入力導波路１３の電極及び出力導波
路３１、３３、３４の電極にそれぞれ８ｍＡの電流を注
入した。電流を注入した各導波路からは入力光よりも増
幅された出力光が得られ、電流の注入がない出力導波路
３２からは測定限界以下の値が記録されたことを示す。
このように本素子を用いて、１入力光を、任意に設定し
た３本の出力導波路から出力させることができた。
【００１４】さらに、入力光の全強度を一定とし、ＴＥ
波成分とＴＭ波成分も、その割合を変化させながら出力
光強度の測定を行った結果、どのような割合に対して
も、出力光の全強度は一定であり、偏波状態に依存しな
い動作が実現できていることが確認された。本素子の動
作原理によれば、任意の入力導波路に入力された伝搬光
を、任意に選択した出力導波路に出力させることは、該
当する出力導波路に電極を通して電流注入することによ
り可能である。１対４の合分岐回路は、従来技術では、
素子長３ｍｍ以上が必要とされていたが、本発明によれ
ば、上記実施例に示すように僅かに５０μｍの多モード
干渉型導波路合分岐素子を使用することにより実現が可
能となった。
波成分とＴＭ波成分も、その割合を変化させながら出力
光強度の測定を行った結果、どのような割合に対して
も、出力光の全強度は一定であり、偏波状態に依存しな
い動作が実現できていることが確認された。本素子の動
作原理によれば、任意の入力導波路に入力された伝搬光
を、任意に選択した出力導波路に出力させることは、該
当する出力導波路に電極を通して電流注入することによ
り可能である。１対４の合分岐回路は、従来技術では、
素子長３ｍｍ以上が必要とされていたが、本発明によれ
ば、上記実施例に示すように僅かに５０μｍの多モード
干渉型導波路合分岐素子を使用することにより実現が可
能となった。
【００１５】また、電流注入のかわりに該当導波路の利
得領域にＹＡＧレーザー（イットリウム、アルミニウ
ム、ガーネット形結晶構造レーザー）光の照射を行い、
電子・正孔を発生させても同様の結果が得られることを
確認した。本発明で記載した多モード干渉導波路は、必
要とされる入力導波路の本数、必要とされる出力導波路
の本数に応じて、その寸法を調整して構成することが可
能であり、例えば、２入力２出力、８入力８出力等、そ
の規模に応じた半導体光素子を構成することが可能であ
る。
得領域にＹＡＧレーザー（イットリウム、アルミニウ
ム、ガーネット形結晶構造レーザー）光の照射を行い、
電子・正孔を発生させても同様の結果が得られることを
確認した。本発明で記載した多モード干渉導波路は、必
要とされる入力導波路の本数、必要とされる出力導波路
の本数に応じて、その寸法を調整して構成することが可
能であり、例えば、２入力２出力、８入力８出力等、そ
の規模に応じた半導体光素子を構成することが可能であ
る。
【００１６】図３は、本発明の半導体光素子の他の実施
例を示す概略構成図、図４は、図３の半導体光素子の断
面を示す図である。本発明は、図３、図４に示すような
構成も可能である。すなわち、多モード干渉導波路領域
をｐｎ接合でなる利得構造とし、この領域に電流注入用
の電極を設け、入出力導波路部分はコア層と、コア層よ
りも屈折率の小さい材料でなるクラッド層により、両側
を挟まれた導波構造とした際には、多モード干渉導波路
領域の一個の電極に電流を注入するだけで、１入力を複
数出力に同時に分配することが可能であって、上記各実
施例に示すように、極めて小型な４入力４出力の光スイ
ッチ素子を得ることができ、また、本素子は電流注入が
可能なため、ファイバとファイバ間の伝送特性を劣化さ
せることがない。
例を示す概略構成図、図４は、図３の半導体光素子の断
面を示す図である。本発明は、図３、図４に示すような
構成も可能である。すなわち、多モード干渉導波路領域
をｐｎ接合でなる利得構造とし、この領域に電流注入用
の電極を設け、入出力導波路部分はコア層と、コア層よ
りも屈折率の小さい材料でなるクラッド層により、両側
を挟まれた導波構造とした際には、多モード干渉導波路
領域の一個の電極に電流を注入するだけで、１入力を複
数出力に同時に分配することが可能であって、上記各実
施例に示すように、極めて小型な４入力４出力の光スイ
ッチ素子を得ることができ、また、本素子は電流注入が
可能なため、ファイバとファイバ間の伝送特性を劣化さ
せることがない。
【００１７】
【発明の効果】本発明の半導体光素子は、従来技術に比
し小型で簡易な構造を備えることにより、原価低減に好
適な光合分岐回路素子を提供すると共に、伝搬光の偏波
状態に依存しない合分岐動作を実現することができると
いう顕著な効果を奏するものである。
し小型で簡易な構造を備えることにより、原価低減に好
適な光合分岐回路素子を提供すると共に、伝搬光の偏波
状態に依存しない合分岐動作を実現することができると
いう顕著な効果を奏するものである。
【図１】本発明の半導体光素子の一実施例を示す概略構
成図である。
成図である。
【図２】図１の半導体光素子の断面を示す図である。
【図３】本発明の半導体光素子の他の実施例を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図４】図３の半導体光素子の断面を示す図である。
【図５】本発明に係る実施例の−５ｄＢｍの入力光強度
に対する各出力導波路からの出力光強度の測定結果を示
す図表である。
に対する各出力導波路からの出力光強度の測定結果を示
す図表である。
【図６】従来の４入力４出力の光スイッチ素子の概略構
成図である。
成図である。
１…多モード干渉導波路 ４…電極 １０…利得領域コア層 １１、１２、１３、１４…入力導波路 １５、１６、１７、１８…利得領域 １９…利得領域上クラッド層 ２０…利得領域下クラ
ッド層 ３０…利得領域コア層 ３１、３２、３３、３４…出力導波路 ３５、３６、３７、３８…利得領域 ３９…利得領域上クラッド層 ４０…利得領域下クラ
ッド層 ５０…多モード干渉導波路コア層 ５６…多モード干渉導波路上クラッド層 ５７…多モード干渉導波路下クラッド層 ６１…入出力導波路コア層 ６２…入出力導波路上クラッド層 ６３…入出力導波路下クラッド層 ６４…多モード干渉導波路ｐ型上クラッド層 ６５…多モード干渉導波路利得領域コア層 ６６…多モード干渉導波路ｎ型下クラツド層 ７０…従来の合分岐回路
ッド層 ３０…利得領域コア層 ３１、３２、３３、３４…出力導波路 ３５、３６、３７、３８…利得領域 ３９…利得領域上クラッド層 ４０…利得領域下クラ
ッド層 ５０…多モード干渉導波路コア層 ５６…多モード干渉導波路上クラッド層 ５７…多モード干渉導波路下クラッド層 ６１…入出力導波路コア層 ６２…入出力導波路上クラッド層 ６３…入出力導波路下クラッド層 ６４…多モード干渉導波路ｐ型上クラッド層 ６５…多モード干渉導波路利得領域コア層 ６６…多モード干渉導波路ｎ型下クラツド層 ７０…従来の合分岐回路
Claims (4)
- 【請求項１】コア層と、該コア層よりも屈折率の小さい
材料でなるクラッド層により両側を挟まれた導波構造に
よって構成する少なくとも１本の入力導波路に、 該入力導波路からの伝搬光を干渉伝搬せしめる干渉導波
路を縦列接続し、 該干渉導波路からの伝搬光を出力する少なくとも１本の
出力導波路を縦列接続して多モード干渉型導波路領域を
構成した合分岐素子であって、 前記入力導波路の一部または全部、もしくは、前記出力
導波路の一部または全部の、少なくとも何れか一方に、 互いに導電型を異にするｐｎ接合でなる利得領域と、 該利得領域に電子と正孔を注入する手段を具備すること
を特徴とする半導体光素子。 - 【請求項２】コア層と、該コア層よりも屈折率の小さい
材料でなるクラッド層により両側を挟まれた導波構造に
よって構成する少なくとも１本の入力導波路に、 該入力導波路からの伝搬光を干渉伝搬せしめる干渉導波
路を縦列接続し、 該干渉導波路からの伝搬光を出力する少なくとも１本の
出力導波路を縦列接続して多モード干渉型導波路領域を
構成した合分岐素子であって、 前記多モード干渉型導波路領域の少なくとも一部に、 互いに導電型を異にするｐｎ接合でなる利得領域と、 該利得領域に電子と正孔を注入する手段を具備すること
を特徴とする半導体光素子。 - 【請求項３】前記電子と正孔を注入する手段は、電流注
入手段であることを特徴とする請求項１若しくは請求項
２に記載の半導体光素子。 - 【請求項４】前記電子と正孔を注入する手段は、光照射
手段であることを特徴とする請求項１若しくは請求項２
に記載の半導体光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9208849A JPH1152437A (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | 半導体光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9208849A JPH1152437A (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | 半導体光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1152437A true JPH1152437A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16563133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9208849A Pending JPH1152437A (ja) | 1997-08-04 | 1997-08-04 | 半導体光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1152437A (ja) |
-
1997
- 1997-08-04 JP JP9208849A patent/JPH1152437A/ja active Pending
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