JPH1154366A - キャパシタとその製造方法 - Google Patents
キャパシタとその製造方法Info
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- JPH1154366A JPH1154366A JP22080097A JP22080097A JPH1154366A JP H1154366 A JPH1154366 A JP H1154366A JP 22080097 A JP22080097 A JP 22080097A JP 22080097 A JP22080097 A JP 22080097A JP H1154366 A JPH1154366 A JP H1154366A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電体粉末から製造され、きわめて高い誘電
率を得ることができるキャパシタとその製造方法を提供
する。 【解決手段】 銅等の一方の電極１０の表面に、Ｃｕ2
Ｏ等の酸化膜１４を形成し、その上にＢａＴｉＯ3等の
誘電体膜１２が溶射により形成されている。電極１０と
酸化膜１４との間に金（Ａｕ）等のバッファ層１８を形
成する。
率を得ることができるキャパシタとその製造方法を提供
する。 【解決手段】 銅等の一方の電極１０の表面に、Ｃｕ2
Ｏ等の酸化膜１４を形成し、その上にＢａＴｉＯ3等の
誘電体膜１２が溶射により形成されている。電極１０と
酸化膜１４との間に金（Ａｕ）等のバッファ層１８を形
成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電極間に誘電体
膜が形成されたキャパシタとその製造方法に関する。
膜が形成されたキャパシタとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、比較的小型のキャパシタに使用さ
れる低温焼き付け型のチタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏ3）等の誘電体膜は、ＢａＴｉＯ3の粉末をシアノレジ
ンやフェノール等の有機樹脂や、シリコン樹脂等のバイ
ンダにより固めて、電極間に設けていた。また、ＢａＴ
ｉＯ3等の誘電体の粉末の表面に、金属の導電体を部分
的に付着させ、この導電体同士が隣接する誘電体の粉末
粒子間で接合するとともに、表裏面の間では短絡しない
ように上記誘電体粉末粒子上に上記導電体が形成されて
いる誘電体膜も本願出願人により提案されている。
れる低温焼き付け型のチタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏ3）等の誘電体膜は、ＢａＴｉＯ3の粉末をシアノレジ
ンやフェノール等の有機樹脂や、シリコン樹脂等のバイ
ンダにより固めて、電極間に設けていた。また、ＢａＴ
ｉＯ3等の誘電体の粉末の表面に、金属の導電体を部分
的に付着させ、この導電体同士が隣接する誘電体の粉末
粒子間で接合するとともに、表裏面の間では短絡しない
ように上記誘電体粉末粒子上に上記導電体が形成されて
いる誘電体膜も本願出願人により提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の前者
の場合、ＢａＴｉＯ3の粉末を樹脂バインダで焼きつけ
ているため、誘電体膜としての誘電率がε＝５０程度と
ＢａＴｉＯ3のバルクの誘電率ε＝３０００に比べて著
しく低いという問題があった。
の場合、ＢａＴｉＯ3の粉末を樹脂バインダで焼きつけ
ているため、誘電体膜としての誘電率がε＝５０程度と
ＢａＴｉＯ3のバルクの誘電率ε＝３０００に比べて著
しく低いという問題があった。
【０００４】また、上記従来の技術の後者の場合、Ｂａ
ＴｉＯ3の粉末を金属のバインダで接合し、比較的誘電
率の高い誘電体薄膜を形成するものではあるが、未だＢ
ａＴｉＯ3のバルクの誘電率ε＝３０００に比べて低い
という問題があった。
ＴｉＯ3の粉末を金属のバインダで接合し、比較的誘電
率の高い誘電体薄膜を形成するものではあるが、未だＢ
ａＴｉＯ3のバルクの誘電率ε＝３０００に比べて低い
という問題があった。
【０００５】この発明は、上記従来の技術の問題点に鑑
みてなされたもので、誘電体粉末から製造することがで
き、きわめて高い誘電率を得ることができるキャパシタ
とその製造方法を提供することを目的とする。
みてなされたもので、誘電体粉末から製造することがで
き、きわめて高い誘電率を得ることができるキャパシタ
とその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、銅等の一方
の電極表面に、Ｃｕ2Ｏ等の酸化膜を形成し、その上に
ＢａＴｉＯ3等の誘電体膜が溶射により形成されている
キャパシタである。上記電極と酸化膜との間に金（Ａ
ｕ）等のバッファ層を形成したものである。
の電極表面に、Ｃｕ2Ｏ等の酸化膜を形成し、その上に
ＢａＴｉＯ3等の誘電体膜が溶射により形成されている
キャパシタである。上記電極と酸化膜との間に金（Ａ
ｕ）等のバッファ層を形成したものである。
【０００７】さらにこの発明は、上記一方の電極の対向
電極が、導電性ペーストを印刷または塗布してなるもの
である。この導電性ペーストは、Ａｇ／Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎ
ｉ，Ａｕ等の金属粒子を樹脂中に分散させてなるもので
ある。さらに、上記対向電極は、溶射によるＴｉ膜を介
して上記導電性ペーストによる電極が形成されたもので
ある。
電極が、導電性ペーストを印刷または塗布してなるもの
である。この導電性ペーストは、Ａｇ／Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎ
ｉ，Ａｕ等の金属粒子を樹脂中に分散させてなるもので
ある。さらに、上記対向電極は、溶射によるＴｉ膜を介
して上記導電性ペーストによる電極が形成されたもので
ある。
【０００８】またこの発明は、銅等の一方の電極表面に
Ｃｕ2Ｏ等の酸化膜を形成し、その上にＢａＴｉＯ3等の
誘電体膜を溶射により形成するキャパシタの製造方法で
ある。上記電極の表面にＡｕ等のバッファ層を形成し、
その後、酸化膜を形成し、誘電体膜を溶射するものであ
る。
Ｃｕ2Ｏ等の酸化膜を形成し、その上にＢａＴｉＯ3等の
誘電体膜を溶射により形成するキャパシタの製造方法で
ある。上記電極の表面にＡｕ等のバッファ層を形成し、
その後、酸化膜を形成し、誘電体膜を溶射するものであ
る。
【０００９】さらにこの発明は、上記誘電体膜を形成
後、その誘電体膜表面に導電性ペーストを印刷または塗
布して、上記一方の電極の対向電極を形成するキャパシ
タの製造方法である。また、上記誘電体膜を形成後、そ
の誘電体膜表面に溶射によるＴｉ膜を形成し、その表面
を研磨して、その研磨したＴｉ膜表面に導電性ペースト
を印刷または塗布して上記一方の電極の対向電極を形成
するキャパシタの製造方法である。
後、その誘電体膜表面に導電性ペーストを印刷または塗
布して、上記一方の電極の対向電極を形成するキャパシ
タの製造方法である。また、上記誘電体膜を形成後、そ
の誘電体膜表面に溶射によるＴｉ膜を形成し、その表面
を研磨して、その研磨したＴｉ膜表面に導電性ペースト
を印刷または塗布して上記一方の電極の対向電極を形成
するキャパシタの製造方法である。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下この発明の実施の形態につい
て図面に基づいて説明する。図１はこの発明の第一実施
形態を示し、この実施形態のキャパシタは、銅箔等の電
極１０の表面に、ＢａＴｉＯ3の誘電体膜１２が溶射に
より形成されているものである。電極１０と誘電体膜１
２間には、Ｃｕ2Ｏの酸化膜１４が形成され、溶射され
たＢａＴｉＯ3の誘電体膜１２との接合強度を高めてい
る。
て図面に基づいて説明する。図１はこの発明の第一実施
形態を示し、この実施形態のキャパシタは、銅箔等の電
極１０の表面に、ＢａＴｉＯ3の誘電体膜１２が溶射に
より形成されているものである。電極１０と誘電体膜１
２間には、Ｃｕ2Ｏの酸化膜１４が形成され、溶射され
たＢａＴｉＯ3の誘電体膜１２との接合強度を高めてい
る。
【００１１】この実施形態のキャパシタの製造方法は、
一方の電極１０の表面にＣｕ2Ｏ等の酸化膜１４が形成
されるように、溶射雰囲気の酸素分圧を調整する。その
状態でＢａＴｉＯ3の誘電体膜１２の溶射を行う。溶射
は、溶射ガン１６によりＢａＴｉＯ3の粉末を３０００
℃〜４０００℃の温度で溶融し噴射する。これにより、
電極１０の表面には、ＣｕＯによる酸化膜が形成され、
溶射された誘電体膜１２が強固に電極１０に酸化膜１４
を介して接合する。
一方の電極１０の表面にＣｕ2Ｏ等の酸化膜１４が形成
されるように、溶射雰囲気の酸素分圧を調整する。その
状態でＢａＴｉＯ3の誘電体膜１２の溶射を行う。溶射
は、溶射ガン１６によりＢａＴｉＯ3の粉末を３０００
℃〜４０００℃の温度で溶融し噴射する。これにより、
電極１０の表面には、ＣｕＯによる酸化膜が形成され、
溶射された誘電体膜１２が強固に電極１０に酸化膜１４
を介して接合する。
【００１２】この実施形態のキャパシタによれば、電極
１０の表面に溶射により誘電体膜１２を形成する際に、
電極１０の表面に酸化膜１４を形成して誘電体膜１２を
形成したので、誘電体膜の接合強度が高く、しかも誘電
体１２はＢａＴｉＯ3の粉末を溶射により噴射している
ので、電極１０に密に溶融して付着し、その誘電率はＢ
ａＴｉＯ3ののバルクに近いものとなる。
１０の表面に溶射により誘電体膜１２を形成する際に、
電極１０の表面に酸化膜１４を形成して誘電体膜１２を
形成したので、誘電体膜の接合強度が高く、しかも誘電
体１２はＢａＴｉＯ3の粉末を溶射により噴射している
ので、電極１０に密に溶融して付着し、その誘電率はＢ
ａＴｉＯ3ののバルクに近いものとなる。
【００１３】次にこの発明のキャパシタとその製造方法
の第二実施形態について図２を基にして説明する。ここ
で、上述の実施形態と同様の部材は同一符号を付して説
明を省略する。この実施形態のキャパシタは、電極１０
の表面にＡｕのバッファ層１８を形成し、このバッファ
層１８の表面に、酸化膜１４を形成したものである。
の第二実施形態について図２を基にして説明する。ここ
で、上述の実施形態と同様の部材は同一符号を付して説
明を省略する。この実施形態のキャパシタは、電極１０
の表面にＡｕのバッファ層１８を形成し、このバッファ
層１８の表面に、酸化膜１４を形成したものである。
【００１４】この実施形態によれば、電極１０と誘電体
膜１２の界面の状態により、誘電損失角δによるｔａｎ
δが大きくなる場合も、バッファ層１８により誘電損失
角のｔａｎδを小さくすることができる。
膜１２の界面の状態により、誘電損失角δによるｔａｎ
δが大きくなる場合も、バッファ層１８により誘電損失
角のｔａｎδを小さくすることができる。
【００１５】次にこの発明のキャパシタとその製造方法
の第三実施形態について図３を基にして説明する。ここ
で、上述の実施形態と同様の部材は同一符号を付して説
明を省略する。この実施形態のキャパシタは、電極１０
の対向電極２０が、導電性ペースト２０を印刷または塗
布してなるものである。この導電性ペースト２０は、Ａ
ｇ／Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ等の金属粒子を樹脂中に分
散させたもので、印刷または塗布後焼成してなる。
の第三実施形態について図３を基にして説明する。ここ
で、上述の実施形態と同様の部材は同一符号を付して説
明を省略する。この実施形態のキャパシタは、電極１０
の対向電極２０が、導電性ペースト２０を印刷または塗
布してなるものである。この導電性ペースト２０は、Ａ
ｇ／Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ等の金属粒子を樹脂中に分
散させたもので、印刷または塗布後焼成してなる。
【００１６】この実施形態によれば、対向電極２０の形
成が容易であり、小型で容量の大きいキャパシタが可能
となる。
成が容易であり、小型で容量の大きいキャパシタが可能
となる。
【００１７】次にこの発明のキャパシタとその製造方法
の第四実施形態について図４を基にして説明する。ここ
で、上述の実施形態と同様の部材は同一符号を付して説
明を省略する。この実施形態のキャパシタは、電極１０
の対向電極２０は、誘電体膜１２と導電性ペースト２０
の間に、溶射によるＴｉ膜２２を介したものである。Ｔ
ｉ膜２２は、溶射後表面を研磨して鏡面にされたもので
あり、その表面に対向電極２０が印刷、または塗布され
る。
の第四実施形態について図４を基にして説明する。ここ
で、上述の実施形態と同様の部材は同一符号を付して説
明を省略する。この実施形態のキャパシタは、電極１０
の対向電極２０は、誘電体膜１２と導電性ペースト２０
の間に、溶射によるＴｉ膜２２を介したものである。Ｔ
ｉ膜２２は、溶射後表面を研磨して鏡面にされたもので
あり、その表面に対向電極２０が印刷、または塗布され
る。
【００１８】この実施形態によれば、対向電極２０の形
成が容易であり、しかも小型でより容量の大きいキャパ
シタが可能となる。
成が容易であり、しかも小型でより容量の大きいキャパ
シタが可能となる。
【００１９】なお、この発明の誘電体膜の導電体は、Ｐ
ｂ−Ｓｎ、Ｓｎ−Ａｇ等、任意に選択可能なものであ
る。また、誘電体膜や電極の材料は適宜選択可能なもの
である。
ｂ−Ｓｎ、Ｓｎ−Ａｇ等、任意に選択可能なものであ
る。また、誘電体膜や電極の材料は適宜選択可能なもの
である。
【００２０】
【発明の効果】この発明のキャパシタとその製造方法
は、誘電体の粉を元に形成した薄膜の誘電体膜であって
も誘電率が高く、製造も容易なものである。これによ
り、誘電体の粉体から形成した誘電体膜を、より広くキ
ャパシタの用途に利用することができる。
は、誘電体の粉を元に形成した薄膜の誘電体膜であって
も誘電率が高く、製造も容易なものである。これによ
り、誘電体の粉体から形成した誘電体膜を、より広くキ
ャパシタの用途に利用することができる。
【図１】この発明の誘電体膜の第一実施形態を用いたキ
ャパシタの模式的断面図である。
ャパシタの模式的断面図である。
【図２】この発明の誘電体膜の第二実施形態を用いたキ
ャパシタの模式的断面図である。
ャパシタの模式的断面図である。
【図３】この発明の誘電体膜の第三実施形態を用いたキ
ャパシタの模式的断面図である。
ャパシタの模式的断面図である。
【図４】この発明の誘電体膜の第四実施形態を用いたキ
ャパシタの模式的断面図である。
ャパシタの模式的断面図である。
１０ 電極 １２ 導電体膜 １４ 酸化膜 １６ 溶射ガン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小原 陽三 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 (72)発明者 石山 一郎 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内 (72)発明者 山崎 盛勝 富山県上新川郡大沢野町下大久保3158番地 北陸電気工業株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 一方の電極表面に、電極金属の酸化膜を
形成し、その上に誘電体膜が溶射により形成されている
キャパシタ。 - 【請求項２】 上記電極と酸化膜との間に金属のバッフ
ァ層を形成した請求項１記載のキャパシタ。 - 【請求項３】 上記一方の電極の対向電極が、導電性ペ
ーストによるものである請求項１記載のキャパシタ。 - 【請求項４】 上記対向電極は、溶射によるＴｉ膜を介
して上記導電性ペーストによる電極が形成されたもので
ある請求項１記載のキャパシタ。 - 【請求項５】 一方の電極表面に電極金属の酸化膜を形
成し、その上に誘電体膜を溶射により形成するキャパシ
タの製造方法。 - 【請求項６】 上記誘電体膜を形成後、その誘電体膜表
面に導電性ペーストを設け、上記一方の電極の対向電極
を形成する請求項５記載のキャパシタの製造方法。 - 【請求項７】 上記誘電体膜を形成後、その誘電体膜表
面に溶射によるＴｉ膜を形成し、その表面を研磨して、
その研磨したＴｉ膜表面に導電性ペーストを印刷または
塗布して上記一方の電極の対向電極を形成する請求項６
記載のキャパシタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22080097A JPH1154366A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | キャパシタとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22080097A JPH1154366A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | キャパシタとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154366A true JPH1154366A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16756768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22080097A Pending JPH1154366A (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | キャパシタとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1154366A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007329189A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Tdk Corp | 薄膜コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2008258535A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Choshu Industry Co Ltd | 積層型コンデンサの製造方法 |
| JP2010087507A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | General Electric Co <Ge> | フィルムコンデンサ |
| WO2011118308A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | 三洋電機株式会社 | コンデンサ素子、コンデンサ内蔵基板、素子シート、及びこれらの製造方法 |
| DE102014200318A1 (de) * | 2014-01-10 | 2015-07-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen eines Kondensators, Kondensator und Verwendung davon |
| CN107162038A (zh) * | 2017-07-07 | 2017-09-15 | 盛洪超 | 一种氧化亚铜粉末及其制备方法 |
-
1997
- 1997-07-31 JP JP22080097A patent/JPH1154366A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007329189A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Tdk Corp | 薄膜コンデンサ及びその製造方法 |
| JP2008258535A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Choshu Industry Co Ltd | 積層型コンデンサの製造方法 |
| JP2010087507A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | General Electric Co <Ge> | フィルムコンデンサ |
| US9390857B2 (en) | 2008-09-30 | 2016-07-12 | General Electric Company | Film capacitor |
| WO2011118308A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | 三洋電機株式会社 | コンデンサ素子、コンデンサ内蔵基板、素子シート、及びこれらの製造方法 |
| DE102014200318A1 (de) * | 2014-01-10 | 2015-07-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen eines Kondensators, Kondensator und Verwendung davon |
| WO2015104112A1 (de) * | 2014-01-10 | 2015-07-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum herstellen eines kondensators, kondensator und verwendung davon |
| CN107162038A (zh) * | 2017-07-07 | 2017-09-15 | 盛洪超 | 一种氧化亚铜粉末及其制备方法 |
| CN107162038B (zh) * | 2017-07-07 | 2019-05-28 | 苏州昆腾威新材料科技有限公司 | 一种氧化亚铜粉末及其制备方法 |
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