JPH1155046A - 高周波増幅器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】入出力整合回路やバイアス回路の占有面積を小
さくしてチップサイズを減少させ、かつ整合条件の調整
を容易とした高周波増幅器を提供する。 【解決手段】増幅用トランジスタＭ１，Ｍ２のゲートお
よびドレインに、整合兼バイアス供給用トランジスタＭ
３〜Ｍ６のソースを接続し、トランジスタＭ３〜Ｍ６の
ドレインを電源端Ｂ１に接続し、さらに抵抗Ｒ５〜Ｒ８
およびＲ１３〜Ｒ１６によりトランジスタＭ３〜Ｍ６に
一定のゲートバイアスを与えることによって、増幅用ト
ランジスタＭ１，Ｍ２のゲートおよびドレイン側から整
合兼バイアス供給用トランジスタＭ３〜Ｍ６のソース側
を見た反射係数が誘導性となるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はミリ波帯などの高周
波領域で使用される増幅器に係り、特にＭＭＩＣ化に適
した高周波増幅器に関する。

【０００２】

【従来の技術】ミリ波帯などの高周波信号を増幅する高
周波増幅器の設計においては、ＦＥＴ（電界効果トラン
ジスタ）などの増幅素子の特性を最大限に利用するた
め、増幅素子の信号入力端および信号出力端（例えば、
ソース接地されたＦＥＴの場合、ゲートおよびドレイ
ン）に、素子の入出力インピーダンスを最大利得特性と
なるインピーダンスあるいは最小ノイズ特性となるイン
ピーダンスに変換するための整合回路を付加することが
必要である。このような入出力整合回路は、通常、信号
線から分岐させた適当な長さを持つスタブを用いて構成
される。

【０００３】一方、この入出力整合回路とは別に増幅素
子を最適なバイアス条件に保つためのバイアス回路が必
要である。一般に高周波増幅器では、このバイアス回路
は高周波の信号成分を遮断し、直流のみを通過させる誘
導性の伝送線路を用いて構成される。

【０００４】このような高周波増幅器を半導体基板上に
能動素子や分布定数線路を配置して構成されるＭＭＩＣ
（モノリシックマイクロ波集積回路）で実現することを
考えた場合、基板上のスタブや伝送線路などの配線は、
λ／４（λは使用中心波長）の長さの分布定数線路を基
本に設計される。例えば、ミリ波帯の回路では入出力整
合回路やバイアス回路を構成するために、１ｍｍ程度の
長さのスタブや伝送線路を増幅素子の信号入出力端に接
続することが必要となる。このため、入出力整合回路や
バイアス回路が増幅素子に比較して非常に大きな面積を
占めることになり、集積回路のチップサイズの増大によ
る製造コストの上昇、歩留まりの低下といった問題が起
こる。

【０００５】図１０に、従来の高周波増幅器の回路図を
示す。この高周波増幅器は２つの増幅用トランジスタＭ
１０１，Ｍ１０２を段間接続用キャパシタＣ１０１を介
して入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴ間に接続した２段増
幅器であり、入出力整合回路は伝送線路ＭＬ１，ＭＬ
２，ＭＬ５，ＭＬ６，ＭＬ７，ＭＬ１０，ＭＬ１１とス
タブＳＴ１，ＳＴ２，ＳＴ３，ＳＴ４，ＳＴ５，ＳＴ
６，ＳＴ７，ＳＴ８によって構成され、バイアス回路は
伝送線路ＭＬ３，ＭＬ４，ＭＬ８，ＭＬ９と、ラジアル
スタブＲＳＴ１，ＲＳＴ２，ＲＳＴ３，ＲＳＴ４と、抵
抗Ｒ１０１，Ｒ１０２，Ｒ１０３，Ｒ１０４およびキャ
パシタＣ１０１，Ｃ１０２，Ｃ１０３，Ｃ１０４によっ
て構成される。

【０００６】図１１に、図１０の高周波増幅器のＩＣチ
ップレイアウト例を示す。同図から分かるように、スタ
ブＳＴ１，ＳＴ２，ＳＴ３，ＳＴ４，ＳＴ５，ＳＴ６，
ＳＴ７，ＳＴ８や伝送線路ＭＬ１，ＭＬ２，ＭＬ５，Ｍ
Ｌ６，ＭＬ７，ＭＬ１０，ＭＬ１１で構成される入出力
整合回路およびバイアス回路が増幅用トランジスタＭ１
０１，Ｍ１０２に比較して非常に大きな面積を占めてお
り、チップサイズが増大している。

【０００７】また、入出力整合回路に用いられるスタブ
ＳＴ１，ＳＴ２，ＳＴ３，ＳＴ４，ＳＴ５，ＳＴ６，Ｓ
Ｔ７，ＳＴ８は、集積回路の完成後には簡単に調整でき
ず、手作業による微調整によって所望の周波数での最小
ノイズ条件、あるいは最大利得条件にトリミングを行う
必要があり、このことも製造コストの上昇および量産性
低下の一因となっている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のミリ波帯などの高周波増幅器では、増幅素子の入出力
側に付加されるスタブで構成される整合回路や、伝送線
路で構成されるバイアス回路の占める面積が増幅素子の
それに比較して大きく、集積回路化した場合にチップサ
イズの増大による製造コストの上昇、歩留まりの低下と
いう問題があり、さらに集積回路完成後の調整が容易で
ないことも、製造コストを押し上げ、かつ量産性を低下
させる要因となっていた。

【０００９】本発明は、上記した従来の問題点を解消す
べくなされたもので、入出力整合回路やバイアス回路の
占有面積を小さくしてチップサイズを減少させ、かつ整
合条件の調整を容易とした高周波増幅器を提供すること
を目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明に係る高周波増幅器は増幅素子の信号入力端
および信号出力端の少なくとも一方に、該信号入力端ま
たは信号出力端から見た反射係数が誘導性となるように
配置された能動素子を接続し、この能動素子を介して増
幅素子にバイアスを供給する構成としたことを特徴とす
る。

【００１１】より具体的には、増幅用トランジスタのゲ
ートまたはベースおよびドレインまたはコレクタの少な
くとも一方に、整合兼バイアス供給用トランジスタのソ
ースまたはエミッタを接続し、該整合兼バイアス供給用
トランジスタのドレインまたはコレクタを電源端に接続
したことを特徴とする。この整合兼バイアス供給用トラ
ンジスタは、ゲートまたはベースの電位がほぼ一定に保
たれるようにすることが望ましい。

【００１２】このように構成される本発明の高周波増幅
器では、整合兼バイアス供給用トランジスタのソースま
たはエミッタ側から見た出力インピーダンス特性を利用
して入出力整合のためのインピーダンス変換を行うと同
時に、増幅用トランジスタに安定したバイアスを供給す
る。

【００１３】増幅用トランジスタの入出力インピーダン
スは、周波数によって抵抗成分およびリアクタンス成分
が変わる。例えば、この増幅用トランジスタの入力イン
ピーダンスについてみると、増幅用トランジスタがゲー
トまたはベースを信号入力端とし、ソースまたはエミッ
タが接地されている方式の場合、低周波領域でインピー
ダンスが高く、高周波領域でインピーダンスが低い容量
性を示す。入出力インピーダンスは、増幅用トランジス
タのゲートまたはベースのバイアス電圧によって大きく
変化する。

【００１４】一方、整合兼バイアス供給用トランジスタ
はドレインまたはコレクタが接地されているため、ソー
ス側またはエミッタ側から見た出力インピーダンスにつ
いて見ると、低周波領域でインピーダンスが低く、高周
波領域でインピーダンスが高い誘導性を示すことが可能
である。これは周波数の上昇に伴う電流利得の減少によ
る効果である。

【００１５】従って、増幅用トランジスタの信号入力端
であるゲートまたはベースに、ドレイン接地またはコレ
クタ接地の整合兼バイアス供給用トランジスタのソース
またはエミッタを接続して、増幅用トランジスタのゲー
トまたはベースから整合兼バイアス供給用トランジスタ
のソースまたはエミッタ側を見た反射係数が誘導性を示
すように構成することにより、集積回路のチップサイズ
増大の大きな要因となるλ／４の長さの伝送線路および
スタブやバイアス供給用誘導性線路を用いることなく、
増幅トランジスタの入力インピーダンスを系の特性イン
ピーダンスである例えば５０Ωに整合させることが可能
となる。

【００１６】同様に、増幅用トランジスタの信号出力端
であるドレインまたはコレクタに、整合兼バイアス供給
用トランジスタのソースまたはエミッタを接続して、増
幅用トランジスタのドレインまたはコレクタから整合兼
バイアス供給用トランジスタのソースまたはエミッタ側
を見た反射係数が誘導性を示すように構成することによ
って、λ／４の長さの伝送線路およびスタブやバイアス
供給用誘導性線路を用いることなく、増幅トランジスタ
の出力インピーダンスを系の特性インピーダンスに整合
させることが可能となる。

【００１７】従って、本発明によると、高周波増幅器を
集積回路化する場合、増幅トランジスタ以外の入出力整
合回路やバイアス回路の占有面積を減少させて、チップ
サイズを効果的に縮小することができ、製造コストの低
減と歩留まりの向上が達成される。

【００１８】しかも、本発明の高周波増幅器において
は、整合兼バイアス供給用トランジスタのゲートまたは
ベースと電源端との間に素子を接続した場合、その素子
のインピーダンスが高周波領域に見えてくるため、この
素子を例えば可変抵抗器としてそのインピーダンスを変
化させることによって、整合兼バイアス供給用トランジ
スタの入力インピーダンスを調整することも可能とな
る。このようにすると、従来のスタブを用いた方式にお
いて調整を行う場合に必要であった導体パターンのトリ
ミングが不要となることから、最適化のための調整を容
易に行うことが可能となり、調整に要する時間も大幅に
短縮され、製造コストの低減および量産性の向上が図ら
れる。

【００１９】また、増幅用トランジスタのゲートまたは
ベースにトランジスタで構成される定電流源を接続し、
この定電流源トランジスタのドレイン・ゲート間容量ま
たはコレクタ・ベース間容量をドレインまたはコレクタ
とゲートまたはベース間に印加するバイアス電圧の調整
で変化させることにより、増幅用トランジスタの入出力
インピーダンスをさらに広範囲に調整することが可能と
なり、入出力整合のための調整がより容易となる。

【００２０】さらに、整合兼バイアス供給用トランジス
タのゲートまたはベースにダーリントン接続のトランジ
スタを設けることにより、整合兼バイアス供給用トラン
ジスタの周波数特性を向上させ、入出力整合条件をさら
に広範囲に変化させることもできる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。 （第１の実施形態）図１に、本発明の第１の実施形態に
係る高周波増幅器の回路図を示す。この高周波増幅器は
ＦＥＴ（以下、単にトランジスタという）を用いた２段
増幅器であり、２つのソース接地された増幅用トランジ
スタＭ１，Ｍ２を主体として構成されている。すなわ
ち、入力端子ＩＮに第１の増幅用トランジスタＭ１の信
号入力端であるゲートが接続されている。第１の増幅用
トランジスタＭ１のソースは接地され、信号出力端であ
るドレインは段間接続用キャパシタＣ１を介して第２の
増幅用トランジスタＭ２の信号入力端であるゲートに接
続されている。第２の増幅用トランジスタＭ２のソース
は接地され、信号出力端であるドレインは出力端子ＯＵ
Ｔに接続されている。

【００２２】本実施形態では、整合兼バイアス供給用ト
ランジスタＭ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６によって、増幅用ト
ランジスタＭ１，Ｍ２の入出力整合とバイアス供給が行
われる。抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４はトランジスタＭ
３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６の電流ドレイン用である。抵抗Ｒ
５とＲ１３，Ｒ６とＲ１４，Ｒ７とＲ１５，Ｒ８とＲ１
６はそれぞれトランジスタＭ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６のゲ
ートバイアス電位発生用分圧抵抗であり、これらの分圧
抵抗によってトランジスタＭ１，Ｍ２のゲート電位は一
定に保たれ、従ってゲート・ソース間電圧Ｖgsも一定に
保たれる。

【００２３】すなわち、トランジスタＭ３のソースは第
１の増幅用トランジスタＭ１のゲートに接続されると共
に抵抗Ｒ１を介して接地され、ドレインは電源端Ｂ１に
接続され、ゲートは電源端Ｂ１と接地間に接続された分
圧抵抗Ｒ５，Ｒ１３の接続点に接続される。また、トラ
ンジスタＭ４のソースは第１の増幅用トランジスタＭ１
のドレインに接続されると共に抵抗Ｒ２を介して接地さ
れ、ドレインは電源端Ｂ１に接続され、ゲートは電源端
Ｂ１と接地間に接続された分圧抵抗Ｒ６，Ｒ１４の接続
点に接続される。

【００２４】同様に、トランジスタＭ５のソースは第２
の増幅用トランジスタＭ２のゲートに接続されると共に
抵抗Ｒ３を介して接地され、ドレインは電源端Ｂ１に接
続され、ゲートは電源端Ｂ１と接地間に接続された分圧
抵抗Ｒ７，Ｒ１５の接続点に接続される。また、トラン
ジスタＭ５のソースは第２の増幅用トランジスタＭ２の
ドレインに接続されると共に抵抗Ｒ４を介して接地さ
れ、ドレインは電源端Ｂ１に接続され、ゲートは電源端
Ｂ１と接地間に接続された分圧抵抗Ｒ８，Ｒ１６の接続
点に接続される。

【００２５】次に、本実施形態の高周波増幅器の動作を
説明する。入力端子ＩＮから入力された高周波信号は、
まず第１の増幅用トランジスタＭ１で増幅された後、段
間接続用キャパシタＣ１を介して第２の増幅用トランジ
スタＭ２に供給され、この第２の増幅用トランジスタＭ
２で増幅された高周波信号が出力端子ＯＵＴより例えば
集積回路外部へ出力される。

【００２６】このときの増幅用トランジスタＭ１，Ｍ２
のトランジスタ単体での入力反射係数（トランジスタＭ
１，Ｍ２をゲート側から見た反射係数）は、トランジス
タＭ１，Ｍ２のゲート・ソース間電圧Ｖgsによって大き
く変わるが、一般的に使用する動作領域では容量性とな
る。

【００２７】この増幅用トランジスタＭ１，Ｍ２の入力
反射係数を図２のスミスチャートに示す。図２では、増
幅用トランジスタＭ１，Ｍ２のゲート・ソース間電圧Ｖ
gsをＶgs＝Ｖgs1 ，Ｖgs2 ，Ｖgs3 （Ｖgs1 ＞Ｖgs2 ＞
Ｖgs3 ）と変えたときの入力反射係数を示している。い
ずれの入力反射係数も容量性であるが、ゲート・ソース
間電圧Ｖgsが高いほど、インピーダンスが低くなってい
ることが分かる。

【００２８】一方、整合兼バイアス供給用トランジスタ
Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６の出力反射係数（トランジスタ
Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６をソース側から見た反射係数）
を図３のスミスチャートに示す。図３では、増幅用トラ
ンジスタＭ１，Ｍ２のゲート・ソース間電圧をＶgs＝Ｖ
gs２とした場合について、抵抗Ｒ５〜Ｒ８，Ｒ１３〜Ｒ
１６の合成抵抗値ＲｂをＲｂ＝Ｒb1，Ｒb2，Ｒb3（Ｒb1
＜Ｒb2＜Ｒb3）と変えたときの出力反射係数を示してい
る。

【００２９】図３に示されるように、整合兼バイアス供
給用トランジスタＭ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６の出力反射係
数は、それぞれのバイアス条件によって異なるが、いず
れも誘導性を示している。これは出力インピーダンスＺ
out が近似的に、 Ｚout ＝Ｚｂ／（１＋β） （１） に表されることから分かる。ここで、Ｚｂは整合兼バイ
アス供給用トランジスタＭ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６をゲー
ト側から見たインピーダンス、βはトランジスタＭ３，
Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６の電流利得である。

【００３０】電流利得βは、次式に示される周波数依存
性を持つ。 β＝βｏ／（１＋ｊωτ） （２） ここで、βｏはＤＣでの電流利得、ωは角周波数、τは
トランジスタＭ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６の電荷蓄積時間で
ある。

【００３１】式（１）（２）より、整合兼バイアス供給
用トランジスタＭ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６は、低周波で低
い出力インピーダンス、高周波でＺｂという出力インピ
ーダンスを持つことが分かる。これはインダクタと同様
な振る舞いとなる。

【００３２】次に、図１の高周波増幅器を入力端子ＩＮ
から見たときの入力反射係数を図４に示す。ここでは、
増幅用トランジスタＭ１，Ｍ２のゲート・ソース間電圧
ＶgsをＶgs2 一定とし、整合兼バイアス供給用トランジ
スタＭ３のバイアス条件を決める抵抗Ｒ５，Ｒ１３の合
成抵抗値をＲｂ＝Ｒb1，Ｒb2，Ｒb3（Ｒb1＜Ｒb2＜Ｒb
3）と変えて、トランジスタＭ３のゲート入力インピー
ダンスを変化させたときの入力反射係数を示している。

【００３３】図４に示されるように、この入力反射係数
は図２に示した増幅用トランジスタＭ１単体の誘導性の
入力反射係数と、図３に示した整合兼バイアス供給用ト
ランジスタＭ３の容量性の出力反射係数とが合成された
特性となり、この例によれば抵抗値ＲｂをＲb1，Ｒb2の
中間程度の適当な値に選ぶと、所望の周波数でインピー
ダンス整合がとられることになる。

【００３４】一方、抵抗値Ｒｂを変化させて入力整合条
件を変化させたときの増幅用トランジスタＭ１の利得周
波数特性は図５に示されるようになり、入力整合条件に
よらず２０ｄＢ以上の一定の利得が得られている。

【００３５】図６に、図１の高周波増幅器をＭＭＩＣ
（モノリシックマイクロ波集積回路）で構成した場合の
ＩＣチップレイアウトの一例を示す。図６において、図
１と相対応する要素には同一符号を付してある。整合兼
バイアス供給用トランジスタＭ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６
は、増幅用トランジスタＭ１，Ｍ２の信号入出力端（ゲ
ートおよびドレイン）からλ／４以下の距離の領域に配
置されている。

【００３６】このように本実施形態の高周波増幅器は、
整合兼バイアス供給用トランジスタＭ３，Ｍ４，Ｍ５，
Ｍ６によって増幅用トランジスタＭ１，Ｍ２の入出力整
合およびバイアス供給を行うため、入出力整合やバイア
ス供給のためにλ／４の長さのスタブや伝送線路が不要
となり、回路を非常に小さく構成することができる。図
６の場合、ＩＣ上の入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵＴ、電
源Ｂ１およびグラウンドＧＮＤ等のパッドによって制限
される大きさまでチップサイズを縮小することができ
る。

【００３７】（第２の実施形態）図７は、本発明の第２
の実施形態に係る高周波増幅器の回路図である。本実施
形態では、図１における電流ドレイン用抵抗Ｒ１，Ｒ
２，Ｒ３，Ｒ４をそれぞれトランジスタＭ７，Ｍ８，Ｍ
９，Ｍ１０からなる定電流源に置き換えている。

【００３８】これらの定電流源トランジスタＭ７，Ｍ
８，Ｍ９，Ｍ１０のドレイン・ゲート間電圧をバイアス
電圧源Ｂ２により変化させると、ドレイン・ゲート間容
量が変化することによって、増幅用トランジスタＭ１，
Ｍ２の入出力インピーダンスを広範囲に調整することが
でき、入出力整合のための調整をより容易に行うことが
可能となる。

【００３９】（第３の実施形態）図８に、本発明の第３
の実施形態に係る高周波増幅器の回路図を示す。本実施
形態においては、図１中の整合兼バイアス供給用トラン
ジスタＭ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６のゲートバイアス電位発
生用の分圧抵抗のうち、トランジスタＭ３，Ｍ４，Ｍ
５，Ｍ６のゲートと電源端Ｂ１との間に接続されている
抵抗Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８を可変抵抗器とし、かつこ
れらの抵抗Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８と電源端Ｂ１との間
に可変電圧源Ｖｂ１，Ｖｂ２，Ｖｂ３，Ｖｂ４をそれぞ
れ挿入している。

【００４０】本実施形態によると、抵抗Ｒ５，Ｒ６，Ｒ
７，Ｒ８および可変電圧源Ｖｂ１，Ｖｂ２，Ｖｂ３，Ｖ
ｂ４を調整することによって、トランジスタＭ３，Ｍ
４，Ｍ５，Ｍ６の出力インピーダンスが変化するため、
所望周波数での増幅用トランジスタＭ１，Ｍ２のそれぞ
れの入出力インピーダンスとバイアス回路のインピーダ
ンスとの合成インピーダンスをＩＣチップ完成後に容易
に変更することができる。従って、トリミング作業が不
要となり、ＩＣ評価の期間を大幅に短縮することが可能
となる。

【００４１】（第４の実施形態）図９に、本発明の第４
の実施形態に係る高周波増幅器の回路図を示す。本実施
形態では、図１中の整合兼バイアス供給用トランジスタ
Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６のゲートと、ゲートバイアス電
位発生用の分圧抵抗Ｒ５とＲ１３，Ｒ６とＲ１４，Ｒ７
とＲ１５，Ｒ８とＲ１６の分圧点との間に、ダーリント
ン接続されたトランジスタＭ１１，Ｍ１２，Ｍ１３，Ｍ
１４を追加している。

【００４２】このように構成することによって、整合兼
バイアス供給用トランジスタＭ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６の
周波数特性はより大きな誘導性を示すことができ、整合
条件を広範囲に変化させることができる。

【００４３】なお、上記実施形態ではＦＥＴを用いて構
成した高周波増幅器について説明したが、バイポーラト
ランジスタ用いて同様の増幅器を構成できることはいう
までもない。パイポーラトランジスタを用いる場合、Ｆ
ＥＴのゲート、ドレイン、ソースをバイポーラトランジ
スタのベース、コレクタ、エミッタにそれぞれ置き換え
て考えればよい。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の高周波増
幅器では、増幅素子の入出力整合およびバイアス供給を
増幅素子の信号入出力端から見た反射係数が誘導性とな
るように配置された能動素子によって行うことにより、
入出力整合回路やバイアス回路の占有面積を小さくして
集積回路化した場合のチップサイズを減少させ、製造コ
ストの低減と歩留まりの向上を図ることができ、しかも
整合条件の調整を煩雑なトリミングを必要とせずに容易
に行うことが可能となり、量産性に優れるという利点が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る高周波増幅器の
回路図

【図２】同実施形態における増幅用トランジスタ単体の
入力反射係数を示す図

【図３】同実施形態における整合兼バイアス供給用トラ
ンジスタのソース側から見た出力反射係数を示す図

【図４】同実施形態における高周波増幅器の入力反射係
数を示す図

【図５】同実施形態における増幅用トランジスタの利得
周波数特性を示す図

【図６】同実施形態に係る高周波増幅器のＩＣチップレ
イアウト例を示す図

【図７】本発明の第２の実施形態に係る高周波増幅器の
回路図

【図８】本発明の第３の実施形態に係る高周波増幅器の
回路図

【図９】本発明の第４の実施形態に係る高周波増幅器の
回路図

【図１０】従来の高周波増幅器の回路図

【図１１】従来の高周波増幅器のＩＣチップレイアウト
例を示す図

【符号の説明】

ＩＮ…入力端子 ＯＵＴ…出力端子 Ｍ１，Ｍ２…増幅用トランジスタ Ｃ１…段間接続用トランジスタ Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５，Ｍ６…整合兼バイアス供給用トラン
ジスタ Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４…電流ドレイン用抵抗 Ｒ５，Ｒ６，Ｒ７，Ｒ８，Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ
１６…ゲートバイアス電位発生用分圧抵抗 Ｂ１…電源端 Ｍ７，Ｍ８，Ｍ９，Ｍ１０…定電流源用トランジスタ Ｂ２…バイアス電圧源 Ｖｂ１，Ｖｂ２，Ｖｂ３，Ｖｂ４…可変電圧源 Ｍ１１，Ｍ１２，Ｍ１３，Ｍ１４…ダーリントン接続ト
ランジスタ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】増幅素子の信号入力端および信号出力端の
   少なくとも一方に、該信号入力端または信号出力端から
   見た反射係数が誘導性となるように配置された能動素子
   を接続し、この能動素子を介して前記増幅素子にバイア
   スを供給する構成としたことを特徴とする高周波増幅
   器。
2. 【請求項２】増幅用トランジスタのゲートまたはベース
   およびドレインまたはコレクタの少なくとも一方に、整
   合兼バイアス供給用トランジスタのソースまたはエミッ
   タを接続し、該整合兼バイアス供給用トランジスタのド
   レインまたはコレクタを電源端に接続したことを特徴と
   する高周波増幅器。
3. 【請求項３】前記整合兼バイアス供給用トランジスタの
   ゲートまたはベースの電位をほぼ一定に保つ手段を有す
   ることを特徴とする請求項２に記載の高周波増幅器。
4. 【請求項４】前記整合兼バイアス供給用トランジスタの
   ゲートまたはベースと電源端との間に可変抵抗器を接続
   したことを特徴とする請求項２に記載の高周波増幅器。
5. 【請求項５】前記整合兼バイアス供給用トランジスタの
   ゲートまたはベースにダーリントン接続されたトランジ
   スタを有することを特徴とする請求項２または３に記載
   の高周波増幅器。