JPH1155573A - Ccd固体撮像素子及びその駆動方法 - Google Patents
Ccd固体撮像素子及びその駆動方法Info
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- JPH1155573A JPH1155573A JP9204676A JP20467697A JPH1155573A JP H1155573 A JPH1155573 A JP H1155573A JP 9204676 A JP9204676 A JP 9204676A JP 20467697 A JP20467697 A JP 20467697A JP H1155573 A JPH1155573 A JP H1155573A
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- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/625—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of smear
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/715—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame interline transfer [FIT]
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- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/72—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame transfer [FT]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors
- H10F39/1532—Frame-interline transfer
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- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 CCD固体撮像素子の駆動方法において、ス
ミア成分の大幅な低減を可能にする。 【解決手段】 画素となる複数の受光部22及び各受光
部列に対応する垂直転送レジスタ23からなる撮像部2
4と、撮像部24からの電荷を蓄積できる第1及び第2
の蓄積部26A及び26Bと、水平転送レジスタ27
と、スミアドレイン領域28を有してなるCCD固体撮
像素子21を用い、垂直転送レジスタ23内の第1のス
ミア成分電荷Iを掃き捨てた後、受光部22の信号電荷
を垂直転送レジスタ23に読み出さすに高速転送を行っ
てこの高速転送中に発生した第2のスミア成分電荷IIを
第1の蓄積部26Aに蓄積し、次に、受光部22の信号
電荷を垂直転送レジスタ23に読み出し、高速転送を行
って高速転送中に発生する第2のスミア成分電荷IIと信
号電荷の加算電荷を第1の蓄積部26Aに蓄積すると同
時に、第1の蓄積部26Aの第2のスミア成分電荷IIを
第2の蓄積部26Bに転送して蓄積し、外部で第2のス
ミア成分電荷IIの信号と、加算電荷の信号の差分を出力
する。
ミア成分の大幅な低減を可能にする。 【解決手段】 画素となる複数の受光部22及び各受光
部列に対応する垂直転送レジスタ23からなる撮像部2
4と、撮像部24からの電荷を蓄積できる第1及び第2
の蓄積部26A及び26Bと、水平転送レジスタ27
と、スミアドレイン領域28を有してなるCCD固体撮
像素子21を用い、垂直転送レジスタ23内の第1のス
ミア成分電荷Iを掃き捨てた後、受光部22の信号電荷
を垂直転送レジスタ23に読み出さすに高速転送を行っ
てこの高速転送中に発生した第2のスミア成分電荷IIを
第1の蓄積部26Aに蓄積し、次に、受光部22の信号
電荷を垂直転送レジスタ23に読み出し、高速転送を行
って高速転送中に発生する第2のスミア成分電荷IIと信
号電荷の加算電荷を第1の蓄積部26Aに蓄積すると同
時に、第1の蓄積部26Aの第2のスミア成分電荷IIを
第2の蓄積部26Bに転送して蓄積し、外部で第2のス
ミア成分電荷IIの信号と、加算電荷の信号の差分を出力
する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、CCD固体撮像素
子及びその駆動方法に関する。
子及びその駆動方法に関する。
【0002】
【従来の技術】CCD固体撮像素子として、例えばフレ
ームインターライン転送(FIT)方式、マルチプル・
フレームインターライン転送(M−FIT)方式等のC
CD固体撮像素子が知られている。フレームインターラ
イン転送(FIT)方式のCCD固体撮像素子1は、図
17に示すように、マトリックス状に配列された画素と
なる複数の受光部2及び各受光部列に対応したCCD構
造の垂直転送レジスタ3からなる撮像部4と、この撮像
部4の各垂直転送レジスタ3に対応して同様のCCD構
造の垂直転送レジスタ5を有した蓄積部6と、蓄積部6
に隣接するCCD構造の水平転送レジスタ7と、出力部
8とを有して構成される。
ームインターライン転送(FIT)方式、マルチプル・
フレームインターライン転送(M−FIT)方式等のC
CD固体撮像素子が知られている。フレームインターラ
イン転送(FIT)方式のCCD固体撮像素子1は、図
17に示すように、マトリックス状に配列された画素と
なる複数の受光部2及び各受光部列に対応したCCD構
造の垂直転送レジスタ3からなる撮像部4と、この撮像
部4の各垂直転送レジスタ3に対応して同様のCCD構
造の垂直転送レジスタ5を有した蓄積部6と、蓄積部6
に隣接するCCD構造の水平転送レジスタ7と、出力部
8とを有して構成される。
【0003】このCCD固体撮像素子1では、受光部2
で光電変換された信号電荷が垂直転送レジスタ3に読み
出された後、一旦、蓄積部6の垂直転送レジスタ5に高
速で転送(いわゆる高速フレームシフト)される。その
後、蓄積部6から1水平ライン毎の信号電荷が水平転送
レジスタ7に転送され、水平転送レジスタ7内を転送し
て順次出力部8より信号として出力される。このFIT
方式のCCD固体撮像素子1においては、光の漏れ込み
のある撮像部4の垂直転送レジスタ3に信号電荷が存在
する期間を、フレームシフトにより短縮できるので、ス
ミア成分電荷を減少させることができる。
で光電変換された信号電荷が垂直転送レジスタ3に読み
出された後、一旦、蓄積部6の垂直転送レジスタ5に高
速で転送(いわゆる高速フレームシフト)される。その
後、蓄積部6から1水平ライン毎の信号電荷が水平転送
レジスタ7に転送され、水平転送レジスタ7内を転送し
て順次出力部8より信号として出力される。このFIT
方式のCCD固体撮像素子1においては、光の漏れ込み
のある撮像部4の垂直転送レジスタ3に信号電荷が存在
する期間を、フレームシフトにより短縮できるので、ス
ミア成分電荷を減少させることができる。
【0004】マルチプル・フレームインターライン転送
(M−FIT)方式のCCD固体撮像素子11は、図1
8に示すように、マトリックス状に配列された画素とな
る複数の受光部12及び各受光部列に対応したCCD構
造の垂直転送レジスタ13からなる撮像部14と、この
撮像部14の各垂直転送レジスタ13に対応して例えば
垂直転送レジスタ13の2倍の段数の転送部からなるC
CD構造の垂直転送レジスタを有する蓄積部16、即ち
垂直転送レジスタ13と同じ段数の転送部からなる垂直
転送レジスタ15Aを有する第1の蓄積部16Aと、こ
れに連続して同じ段数の転送部からなる垂直転送レジス
タ15Bを有する第2の蓄積部16Bと、第2の蓄積部
16Bに隣接するCCD構造の水平転送レジスタ17
と、出力部18とを有して構成される。
(M−FIT)方式のCCD固体撮像素子11は、図1
8に示すように、マトリックス状に配列された画素とな
る複数の受光部12及び各受光部列に対応したCCD構
造の垂直転送レジスタ13からなる撮像部14と、この
撮像部14の各垂直転送レジスタ13に対応して例えば
垂直転送レジスタ13の2倍の段数の転送部からなるC
CD構造の垂直転送レジスタを有する蓄積部16、即ち
垂直転送レジスタ13と同じ段数の転送部からなる垂直
転送レジスタ15Aを有する第1の蓄積部16Aと、こ
れに連続して同じ段数の転送部からなる垂直転送レジス
タ15Bを有する第2の蓄積部16Bと、第2の蓄積部
16Bに隣接するCCD構造の水平転送レジスタ17
と、出力部18とを有して構成される。
【0005】このCCD固体撮像素子11では、同一の
垂直ブランキング期間内で、まず奇数ラインの受光部1
2の信号電荷を転送し、次いで偶数ラインの受光部12
の信号電荷を転送して全電荷の転送を行うようにしてい
る。即ち、図18に示すように、まず、奇数ラインの受
光部12の信号電荷が垂直転送レジスタ13に読み出さ
れ、之が第1の蓄積部16Aの垂直転送レジスタ15A
に高速転送(高速フレームシフト)される。次に、偶数
ラインの受光部12の信号電荷が垂直転送レジスタ13
に読み出され、之が第1の蓄積部16Aの垂直転送レジ
スタ15Aに高速転送(高速フレームシフト)されると
同時に、第1の蓄積部16Aに蓄積されていた奇数ライ
ンの受光部12の信号電荷が第2の蓄積部16Bの垂直
転送レジスタ15Bに高速転送(高速フレームシフト)
される。その後、蓄積部16〔16A,16B〕から1
水平ライン毎の信号電荷が水平転送レジスタ17に転送
され、水平転送レジスタ17内を転送して順次、出力部
8より信号として出力される。そして、この全画素の信
号、即ち分離されて出力された奇数ラインの信号と偶数
ラインの信号は、外部で元の順番に並べ変えられる。こ
のM−FIT方式のCCD固体撮像素子11において
は、感度向上が図られると共に、スミアの低減が可能に
なる。
垂直ブランキング期間内で、まず奇数ラインの受光部1
2の信号電荷を転送し、次いで偶数ラインの受光部12
の信号電荷を転送して全電荷の転送を行うようにしてい
る。即ち、図18に示すように、まず、奇数ラインの受
光部12の信号電荷が垂直転送レジスタ13に読み出さ
れ、之が第1の蓄積部16Aの垂直転送レジスタ15A
に高速転送(高速フレームシフト)される。次に、偶数
ラインの受光部12の信号電荷が垂直転送レジスタ13
に読み出され、之が第1の蓄積部16Aの垂直転送レジ
スタ15Aに高速転送(高速フレームシフト)されると
同時に、第1の蓄積部16Aに蓄積されていた奇数ライ
ンの受光部12の信号電荷が第2の蓄積部16Bの垂直
転送レジスタ15Bに高速転送(高速フレームシフト)
される。その後、蓄積部16〔16A,16B〕から1
水平ライン毎の信号電荷が水平転送レジスタ17に転送
され、水平転送レジスタ17内を転送して順次、出力部
8より信号として出力される。そして、この全画素の信
号、即ち分離されて出力された奇数ラインの信号と偶数
ラインの信号は、外部で元の順番に並べ変えられる。こ
のM−FIT方式のCCD固体撮像素子11において
は、感度向上が図られると共に、スミアの低減が可能に
なる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、FIT方式
のCCD固体撮像素子1では、上述したように、フレー
ムシフトすることにより撮像部4の垂直転送レジスタ3
での信号電荷の滞在期間を短縮してスミアの低減を図っ
ているが、しかしなお、フレームシフト中のスミア成分
電荷の発生があり、更なるスミアの低減が望まれる。フ
レームシフト中のスミア成分電荷の発生は、HD(高品
位)TV用等の垂直方向の画素数が多くなる程、大きく
なる。
のCCD固体撮像素子1では、上述したように、フレー
ムシフトすることにより撮像部4の垂直転送レジスタ3
での信号電荷の滞在期間を短縮してスミアの低減を図っ
ているが、しかしなお、フレームシフト中のスミア成分
電荷の発生があり、更なるスミアの低減が望まれる。フ
レームシフト中のスミア成分電荷の発生は、HD(高品
位)TV用等の垂直方向の画素数が多くなる程、大きく
なる。
【0007】近年、HDTV用カメラで用いるCCD固
体撮像素子におけるスミアは、大幅に低減されてきてい
るが、それでも従来放送用(NTSC)カメラで用いる
CCD固体撮像素子と比較すると、未だ1桁程度悪い。
CCD固体撮像素子を、HDTV用カメラと従来放送用
カメラに共用できるようにするためには、スミアを現状
より1桁程度下げる必要がある。
体撮像素子におけるスミアは、大幅に低減されてきてい
るが、それでも従来放送用(NTSC)カメラで用いる
CCD固体撮像素子と比較すると、未だ1桁程度悪い。
CCD固体撮像素子を、HDTV用カメラと従来放送用
カメラに共用できるようにするためには、スミアを現状
より1桁程度下げる必要がある。
【0008】本発明は、上述の点に鑑み、スミアを低減
できるCCD固体撮像素子及びその駆動方法を提供する
ものである。
できるCCD固体撮像素子及びその駆動方法を提供する
ものである。
【0009】本発明は、低スミアの読み出し、以外に
も、フィールド読み出し、M−FIT方式による全画素
読み出し(フレーム読み出し)にも適用できるように
し、また、HDTV用カメラ、従来放送用カメラ、映画
用カメラのいずれにも共用できるCCD固体撮像素子を
提供するものである。
も、フィールド読み出し、M−FIT方式による全画素
読み出し(フレーム読み出し)にも適用できるように
し、また、HDTV用カメラ、従来放送用カメラ、映画
用カメラのいずれにも共用できるCCD固体撮像素子を
提供するものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明に係るCCD固体
撮像素子は、複数の受光部及び垂直転送レジスタからな
る撮像部と、撮像部からの電荷を蓄積できる第1及び第
2の蓄積部と、水平転送レジスタと、スミアドレイン領
域を有し、垂直転送レジスタの転送部の1ビット分が隣
り合う2つの受光部に対応し、垂直転送レジスタが2画
素分の取り扱い電荷量を転送できる電荷蓄積容量を有し
た構成とする。
撮像素子は、複数の受光部及び垂直転送レジスタからな
る撮像部と、撮像部からの電荷を蓄積できる第1及び第
2の蓄積部と、水平転送レジスタと、スミアドレイン領
域を有し、垂直転送レジスタの転送部の1ビット分が隣
り合う2つの受光部に対応し、垂直転送レジスタが2画
素分の取り扱い電荷量を転送できる電荷蓄積容量を有し
た構成とする。
【0011】このCCD固体撮像素子によれば、第1及
び第2の蓄積部を有し、撮像部の垂直転送レジスタにお
いて、その転送部の1ビット分に2つの受光部が対応
し、且つ垂直転送レジスタが2画素分の取り扱い電荷量
を転送できるように構成されているので、インターレー
スモードでのスミア成分を大幅に低減させる、いわゆる
低スミア読み出しが出来る。即ち、受光蓄積期間中に発
生した垂直転送レジスタ内の第1のスミア成分電荷を高
速掃き捨てした後に、まず信号を読み出さないで高速転
送(いわゆる高速フレームシフト)してこの高速転送時
に発生した第2のスミア成分電荷を最終的に第2の蓄積
部に蓄積し、次に、信号電荷を読み出して高速転送(い
わゆる高速フレームシフト)し、信号電荷と高速転送時
に発生した第2のスミア成分電荷が加算された加算電荷
を第1の蓄積部に蓄積するようになせば、外部で第2の
スミア成分電荷の信号と加算電荷の信号の差分をとるこ
とにより、スミア成分を大幅に低減した画像信号が得ら
れる。また、上記構成のCCD固体撮像素子は、垂直転
送レジスタが2画素分の取り扱い電荷量を転送できるの
で、受光部の信号電荷を垂直転送レジスタに読み出し、
垂直転送レジスタ内で2画素分の信号電荷を混合するこ
とが可能となり、この2画素混合の信号電荷を第1の蓄
積部を通り越して第2の蓄積部まで高速転送すれば、通
常のフィールド読み出しを行うことができる。さらに、
上記構成のCCD固体撮像素子は、第1及び第2の蓄積
部を有することにより、M−FIT方式の全画素読み出
し(フレーム読み出し)にも適用できる。
び第2の蓄積部を有し、撮像部の垂直転送レジスタにお
いて、その転送部の1ビット分に2つの受光部が対応
し、且つ垂直転送レジスタが2画素分の取り扱い電荷量
を転送できるように構成されているので、インターレー
スモードでのスミア成分を大幅に低減させる、いわゆる
低スミア読み出しが出来る。即ち、受光蓄積期間中に発
生した垂直転送レジスタ内の第1のスミア成分電荷を高
速掃き捨てした後に、まず信号を読み出さないで高速転
送(いわゆる高速フレームシフト)してこの高速転送時
に発生した第2のスミア成分電荷を最終的に第2の蓄積
部に蓄積し、次に、信号電荷を読み出して高速転送(い
わゆる高速フレームシフト)し、信号電荷と高速転送時
に発生した第2のスミア成分電荷が加算された加算電荷
を第1の蓄積部に蓄積するようになせば、外部で第2の
スミア成分電荷の信号と加算電荷の信号の差分をとるこ
とにより、スミア成分を大幅に低減した画像信号が得ら
れる。また、上記構成のCCD固体撮像素子は、垂直転
送レジスタが2画素分の取り扱い電荷量を転送できるの
で、受光部の信号電荷を垂直転送レジスタに読み出し、
垂直転送レジスタ内で2画素分の信号電荷を混合するこ
とが可能となり、この2画素混合の信号電荷を第1の蓄
積部を通り越して第2の蓄積部まで高速転送すれば、通
常のフィールド読み出しを行うことができる。さらに、
上記構成のCCD固体撮像素子は、第1及び第2の蓄積
部を有することにより、M−FIT方式の全画素読み出
し(フレーム読み出し)にも適用できる。
【0012】本発明に係るCCD固体撮像素子の駆動方
法は、受光部及び垂直転送レジスタからなる撮像部と、
第1及び第2の蓄積部と、水平転送レジスタと、スミア
ドレイン領域を有してなるCCD固体撮像素子を用い、
垂直転送レジスタ内の第1のスミア成分電荷を掃き捨て
た後、信号電荷を読み出さずに高速転送して、高速転送
中に発生した第2のスミア成分電荷を第1の蓄積部に蓄
積し、次に信号電荷を垂直転送レジスタに読み出し、高
速転送して、高速転送中に発生した第2のスミア成分電
荷と信号電荷の加算電荷を第1の蓄積部に蓄積すると同
時に、第1の蓄積部の第2のスミア成分電荷を第2の蓄
積部に転送して蓄積し、外部で第2のスミア成分電荷の
信号と加算電荷の信号との差分を出力する。
法は、受光部及び垂直転送レジスタからなる撮像部と、
第1及び第2の蓄積部と、水平転送レジスタと、スミア
ドレイン領域を有してなるCCD固体撮像素子を用い、
垂直転送レジスタ内の第1のスミア成分電荷を掃き捨て
た後、信号電荷を読み出さずに高速転送して、高速転送
中に発生した第2のスミア成分電荷を第1の蓄積部に蓄
積し、次に信号電荷を垂直転送レジスタに読み出し、高
速転送して、高速転送中に発生した第2のスミア成分電
荷と信号電荷の加算電荷を第1の蓄積部に蓄積すると同
時に、第1の蓄積部の第2のスミア成分電荷を第2の蓄
積部に転送して蓄積し、外部で第2のスミア成分電荷の
信号と加算電荷の信号との差分を出力する。
【0013】この駆動方法によれば、受光蓄積期間中に
垂直転送レジスタに発生した第1のスミア成分電荷を掃
き捨てた後、信号電荷を読み出さずに高速転送し、次に
信号電荷を読み出して高速転送し、第1の蓄積部に信号
電荷及び第2のスミア成分電荷の加算電荷を蓄積し、第
2の蓄積部に第2のスミア成分電荷のみを蓄積し、外部
で対応する信号の差分を出力することにより、高速転送
期間中に発生する第2のスミア成分が相殺され、大幅な
スミア成分の低減が図れる。
垂直転送レジスタに発生した第1のスミア成分電荷を掃
き捨てた後、信号電荷を読み出さずに高速転送し、次に
信号電荷を読み出して高速転送し、第1の蓄積部に信号
電荷及び第2のスミア成分電荷の加算電荷を蓄積し、第
2の蓄積部に第2のスミア成分電荷のみを蓄積し、外部
で対応する信号の差分を出力することにより、高速転送
期間中に発生する第2のスミア成分が相殺され、大幅な
スミア成分の低減が図れる。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明に係るCCD固体撮像素子
は、画素となる複数の受光部及び各受光部列に対応する
垂直転送レジスタからなる撮像部と、撮像部からの電荷
を蓄積できる第1及び第2の蓄積部と、水平転送レジス
タと、スミアドレイン領域を有し、垂直転送レジスタの
転送部の1ビット分が隣り合う2つの受光部に対応し、
垂直転送レジスタが2画素分の取り扱い電荷量を転送で
きる電荷蓄積容量を有した構成とする。
は、画素となる複数の受光部及び各受光部列に対応する
垂直転送レジスタからなる撮像部と、撮像部からの電荷
を蓄積できる第1及び第2の蓄積部と、水平転送レジス
タと、スミアドレイン領域を有し、垂直転送レジスタの
転送部の1ビット分が隣り合う2つの受光部に対応し、
垂直転送レジスタが2画素分の取り扱い電荷量を転送で
きる電荷蓄積容量を有した構成とする。
【0015】本発明は、上記CCD固体撮像素子におい
て、受光部の信号電荷を垂直転送レジスタに読み出さず
に高速転送してこの高速転送中に発生するスミア成分電
荷を最終的に第2の蓄積部に蓄積させる手段と、受光部
の信号電荷を垂直転送レジスタに読み出し、高速転送し
てこの高速転送中に発生するスミア成分電荷と信号電荷
の加算電荷を第1の蓄積部に蓄積させる手段と、外部で
スミア成分電荷の信号と、加算電荷の信号の差分を出力
する手段を備えた構成とする。
て、受光部の信号電荷を垂直転送レジスタに読み出さず
に高速転送してこの高速転送中に発生するスミア成分電
荷を最終的に第2の蓄積部に蓄積させる手段と、受光部
の信号電荷を垂直転送レジスタに読み出し、高速転送し
てこの高速転送中に発生するスミア成分電荷と信号電荷
の加算電荷を第1の蓄積部に蓄積させる手段と、外部で
スミア成分電荷の信号と、加算電荷の信号の差分を出力
する手段を備えた構成とする。
【0016】本発明は、上記CCD固体撮像素子におい
て、受光部の信号電荷を垂直転送レジスタに読み出し、
垂直転送レジスタ内で一方の隣り合う2つの受光部の信
号電荷を混合させて、第2の蓄積部に高速転送させ、奇
数フィールドの信号として出力させる手段と、受光部の
信号電荷を垂直転送レジスタに読み出し、垂直転送レジ
スタ内で他方の隣り合う2つの受光部の信号電荷を混合
させて、第2の蓄積部に高速転送させ、偶数フィールド
の信号として出力させる手段を備えた構成とする。
て、受光部の信号電荷を垂直転送レジスタに読み出し、
垂直転送レジスタ内で一方の隣り合う2つの受光部の信
号電荷を混合させて、第2の蓄積部に高速転送させ、奇
数フィールドの信号として出力させる手段と、受光部の
信号電荷を垂直転送レジスタに読み出し、垂直転送レジ
スタ内で他方の隣り合う2つの受光部の信号電荷を混合
させて、第2の蓄積部に高速転送させ、偶数フィールド
の信号として出力させる手段を備えた構成とする。
【0017】本発明に係るCCD固体撮像素子の駆動方
法は、画素となる複数の受光部及び各受光部列に対応す
る垂直転送レジスタからなる撮像部と、撮像部からの電
荷を蓄積できる第1及び第2の蓄積部と、水平転送レジ
スタと、スミアドレイン領域を有してなるCCD固体撮
像素子を用い、垂直転送レジスタ内の第1のスミア成分
電荷を掃き捨てた後、受光部の信号電荷を垂直転送レジ
スタに読み出さずに高速転送を行って、この高速転送中
に発生した第2のスミア成分電荷を第1の蓄積部に蓄積
し、次に、受光部の信号電荷を垂直転送レジスタに読み
出し、高速転送を行って、この高速転送中に発生する第
2のスミア成分電荷と信号電荷の加算電荷を第1の蓄積
部に蓄積すると同時に、第1の蓄積部の第2のスミア成
分電荷を第2の蓄積部に転送して蓄積し、外部で第2の
スミア成分電荷の信号と加算電荷の信号の差分を出力す
る。
法は、画素となる複数の受光部及び各受光部列に対応す
る垂直転送レジスタからなる撮像部と、撮像部からの電
荷を蓄積できる第1及び第2の蓄積部と、水平転送レジ
スタと、スミアドレイン領域を有してなるCCD固体撮
像素子を用い、垂直転送レジスタ内の第1のスミア成分
電荷を掃き捨てた後、受光部の信号電荷を垂直転送レジ
スタに読み出さずに高速転送を行って、この高速転送中
に発生した第2のスミア成分電荷を第1の蓄積部に蓄積
し、次に、受光部の信号電荷を垂直転送レジスタに読み
出し、高速転送を行って、この高速転送中に発生する第
2のスミア成分電荷と信号電荷の加算電荷を第1の蓄積
部に蓄積すると同時に、第1の蓄積部の第2のスミア成
分電荷を第2の蓄積部に転送して蓄積し、外部で第2の
スミア成分電荷の信号と加算電荷の信号の差分を出力す
る。
【0018】以下、図面を参照して本発明を説明する。
【0019】図1は、本発明に係るCCD固体撮像素子
の一実施の形態を示す。このCCD固体撮像素子21
は、マトリックス状に配列された画素となる複数の受光
部22及び各受光部列に対応したCCD構造の垂直転送
レジスタ23からなる撮像部24と、この撮像部24の
各垂直転送レジスタ23に対応して垂直転送レジスタ2
3の2倍の段数の転送部からなるCCD構造の垂直転送
レジスタを有する蓄積部26、即ち、垂直転送レジスタ
23と同じ段数の転送部からなる垂直転送レジスタ25
Aを有する第1の蓄積部26Aと、この第1の蓄積部2
6Aに連続して垂直転送レジスタ23と同じ段数の転送
部からなる垂直転送レジスタ25Bを有する第2の蓄積
部26Bとからなる蓄積部26と、第2の蓄積部26B
に隣接するCCD構造の水平転送レジスタ27と、水平
転送レジスタ27の第2の蓄積部26Bとは反対側にス
ミア成分の電荷を排出するスミアドレイン領域28とを
有してなる。29は水平転送レジスタ27に接続された
出力部(電荷電圧変換部及び出力アンプを含む)を示
す。
の一実施の形態を示す。このCCD固体撮像素子21
は、マトリックス状に配列された画素となる複数の受光
部22及び各受光部列に対応したCCD構造の垂直転送
レジスタ23からなる撮像部24と、この撮像部24の
各垂直転送レジスタ23に対応して垂直転送レジスタ2
3の2倍の段数の転送部からなるCCD構造の垂直転送
レジスタを有する蓄積部26、即ち、垂直転送レジスタ
23と同じ段数の転送部からなる垂直転送レジスタ25
Aを有する第1の蓄積部26Aと、この第1の蓄積部2
6Aに連続して垂直転送レジスタ23と同じ段数の転送
部からなる垂直転送レジスタ25Bを有する第2の蓄積
部26Bとからなる蓄積部26と、第2の蓄積部26B
に隣接するCCD構造の水平転送レジスタ27と、水平
転送レジスタ27の第2の蓄積部26Bとは反対側にス
ミア成分の電荷を排出するスミアドレイン領域28とを
有してなる。29は水平転送レジスタ27に接続された
出力部(電荷電圧変換部及び出力アンプを含む)を示
す。
【0020】撮像部24の垂直転送レジスタ23は、図
2に示すように、その転送部の1ビット分30が隣り合
う2つの受光部22に対応するように形成され、且つ転
送部が2つの受光部22、即ち2画素分の最大取り扱い
電荷量を転送できる電荷蓄積容量を有して成る。撮像部
24の垂直転送レジスタ23は、駆動手段からの例えば
4相の駆動パルスφIV1 ,φIV2 ,φIV3 ,φI
V4 にて駆動され、蓄積部26A,26Bの垂直転送レ
ジスタ25A,25Bは、駆動手段からの例えば4相の
駆動パルスφSV1 ,φSV2 ,φSV3 ,φSV4 に
て駆動され、水平転送レジスタ27は、駆動手段からの
例えば2相の駆動パルスφH1 ,φH2 にて駆動される
ように構成される。
2に示すように、その転送部の1ビット分30が隣り合
う2つの受光部22に対応するように形成され、且つ転
送部が2つの受光部22、即ち2画素分の最大取り扱い
電荷量を転送できる電荷蓄積容量を有して成る。撮像部
24の垂直転送レジスタ23は、駆動手段からの例えば
4相の駆動パルスφIV1 ,φIV2 ,φIV3 ,φI
V4 にて駆動され、蓄積部26A,26Bの垂直転送レ
ジスタ25A,25Bは、駆動手段からの例えば4相の
駆動パルスφSV1 ,φSV2 ,φSV3 ,φSV4 に
て駆動され、水平転送レジスタ27は、駆動手段からの
例えば2相の駆動パルスφH1 ,φH2 にて駆動される
ように構成される。
【0021】かかる構成のCCD固体撮像素子21は、
インターレースモードでのスミアを大幅に低減する、い
わゆる低スミア読み出し方式、垂直転送レジスタ内で2
画素分の信号電荷を混合して読み出す通常のフィールド
読み出し方式、更にはM−FIT方式による全画素読み
出し方式等の撮像素子に適用することが可能である。
インターレースモードでのスミアを大幅に低減する、い
わゆる低スミア読み出し方式、垂直転送レジスタ内で2
画素分の信号電荷を混合して読み出す通常のフィールド
読み出し方式、更にはM−FIT方式による全画素読み
出し方式等の撮像素子に適用することが可能である。
【0022】次に、上述のCCD固体撮像素子21の駆
動方法を説明する。
動方法を説明する。
【0023】先ず、インターレースモードでのスミアを
大幅に低減する、いわゆる低スミア読み出しに適用した
場合の駆動方法について、図3〜図7及び図8のタイミ
ングチャートを用いて説明する。この低スミア読み出し
では、まず図8の奇数フィールド期間TA における垂直
ブランキング期間V−BLKA 内の最初の期間TA1で、
受光蓄積期間に垂直転送レジスタ23に発生した第1の
スミア成分電荷Iを高速転送して掃き捨てる。ここで
は、第1のスミア成分電荷Iは一旦第1の蓄積部26A
の垂直転送レジスタ25Aに高速転送される(図3参
照)。
大幅に低減する、いわゆる低スミア読み出しに適用した
場合の駆動方法について、図3〜図7及び図8のタイミ
ングチャートを用いて説明する。この低スミア読み出し
では、まず図8の奇数フィールド期間TA における垂直
ブランキング期間V−BLKA 内の最初の期間TA1で、
受光蓄積期間に垂直転送レジスタ23に発生した第1の
スミア成分電荷Iを高速転送して掃き捨てる。ここで
は、第1のスミア成分電荷Iは一旦第1の蓄積部26A
の垂直転送レジスタ25Aに高速転送される(図3参
照)。
【0024】次に、垂直ブランキング期間V−BLKA
内の期間TA2で受光部22の信号電荷を読み出さずに、
1フィールド分の高速転送、いわゆる高速フレームシフ
トを行い、即ち垂直転送レジスタ23を空転送し、この
フレームシフト中に発生した第2のスミア成分電荷IIの
みを第1の蓄積部26Aの垂直転送レジスタ25Aまで
高速転送すると同時に、先の垂直転送レジスタ25Aに
蓄積されていた第1のスミア成分電荷Iを第2の蓄積部
26Bの垂直転送レジスタ25Bに高速転送する(図4
参照)。
内の期間TA2で受光部22の信号電荷を読み出さずに、
1フィールド分の高速転送、いわゆる高速フレームシフ
トを行い、即ち垂直転送レジスタ23を空転送し、この
フレームシフト中に発生した第2のスミア成分電荷IIの
みを第1の蓄積部26Aの垂直転送レジスタ25Aまで
高速転送すると同時に、先の垂直転送レジスタ25Aに
蓄積されていた第1のスミア成分電荷Iを第2の蓄積部
26Bの垂直転送レジスタ25Bに高速転送する(図4
参照)。
【0025】次に、垂直ブランキング期間V−BLKA
内の時点TA3で駆動パルスφIV1及びφIV3 におけ
る読み出しパルスPが与えられ垂直方向に隣り合う一方
の2画素(2つの受光部22)の信号電荷が垂直転送レ
ジスタ23の夫々駆動パルスφIV1 とφIV3 が与え
られる転送部に読み出され、次の期間TA4でφIV2が
高レベルとなって2画素分の信号電荷が駆動パルスφI
V2 が与えられる転送部で混合される。そして、次の期
間TA5でさらに1フィールド分の高速フレームシフトが
行われ、第2の蓄積部26Bの第1のスミア成分電荷I
はスミアドレイン領域28に掃き捨てられ、第1の蓄積
部26Aの第2のスミア成分電荷IIが第2の蓄積部26
Bに転送され、同時に垂直転送レジスタ23で混合され
た奇数フィールドの信号電荷がこのフレームシフト中で
発生した第2のスミア成分電荷IIを加算した状態で第1
の蓄積部26Aの垂直転送レジスタ25Aに転送される
(図5参照)。
内の時点TA3で駆動パルスφIV1及びφIV3 におけ
る読み出しパルスPが与えられ垂直方向に隣り合う一方
の2画素(2つの受光部22)の信号電荷が垂直転送レ
ジスタ23の夫々駆動パルスφIV1 とφIV3 が与え
られる転送部に読み出され、次の期間TA4でφIV2が
高レベルとなって2画素分の信号電荷が駆動パルスφI
V2 が与えられる転送部で混合される。そして、次の期
間TA5でさらに1フィールド分の高速フレームシフトが
行われ、第2の蓄積部26Bの第1のスミア成分電荷I
はスミアドレイン領域28に掃き捨てられ、第1の蓄積
部26Aの第2のスミア成分電荷IIが第2の蓄積部26
Bに転送され、同時に垂直転送レジスタ23で混合され
た奇数フィールドの信号電荷がこのフレームシフト中で
発生した第2のスミア成分電荷IIを加算した状態で第1
の蓄積部26Aの垂直転送レジスタ25Aに転送される
(図5参照)。
【0026】次に、期間TA6でラインシフトが行われ、
第2及び第1の蓄積部26B及び26Aに夫々蓄積され
た第2のスミア成分電荷II、及び信号電荷に第2のスミ
ア成分電荷IIが加算された加算電荷が、順次1ライン毎
に水平転送レジスタ27に転送され、水平転送レジスタ
27を転送して出力部29から第2のスミア成分のみの
信号と、第2のスミア成分を含む画像信号が出力され
る。
第2及び第1の蓄積部26B及び26Aに夫々蓄積され
た第2のスミア成分電荷II、及び信号電荷に第2のスミ
ア成分電荷IIが加算された加算電荷が、順次1ライン毎
に水平転送レジスタ27に転送され、水平転送レジスタ
27を転送して出力部29から第2のスミア成分のみの
信号と、第2のスミア成分を含む画像信号が出力され
る。
【0027】そして、図7に示すように、第2のスミア
成分の信号をサンプルホールド回路31、ローパスフィ
ルター回路32及びアナログ/デジタル変換回路33を
経てフィールドメモリ(記憶部)34に記憶させた後、
このスミア成分の信号と、次にアナログ/デジタル変換
回路33から出力されたスミア成分を含む画像信号とを
減算回路35に供給し、減算処理して第2のスミア成分
が相殺された奇数フィールドの画像信号を出力する。こ
の画像信号は信号処理回路36及びデジタル/アナログ
変換回路37を経て出力される。フィールドメモリ34
と減算回路35に対しては、制御回路38からのクロッ
ク信号が与えられて、減算回路35において第2のスミ
ア成分の信号と、第2のスミア成分を含む画像信号との
同期がとられる。
成分の信号をサンプルホールド回路31、ローパスフィ
ルター回路32及びアナログ/デジタル変換回路33を
経てフィールドメモリ(記憶部)34に記憶させた後、
このスミア成分の信号と、次にアナログ/デジタル変換
回路33から出力されたスミア成分を含む画像信号とを
減算回路35に供給し、減算処理して第2のスミア成分
が相殺された奇数フィールドの画像信号を出力する。こ
の画像信号は信号処理回路36及びデジタル/アナログ
変換回路37を経て出力される。フィールドメモリ34
と減算回路35に対しては、制御回路38からのクロッ
ク信号が与えられて、減算回路35において第2のスミ
ア成分の信号と、第2のスミア成分を含む画像信号との
同期がとられる。
【0028】尚、フィールドメモリ34を2つ設け(図
10参照)、第2のスミア成分の信号を一方のフィール
ドメモリに記憶させ、第2のスミア成分を含む画像信号
を他方のフィールドメモリに記憶させた後、夫々フィー
ルドメモリからの信号を減算回路35に供給して、差分
の信号、即ちスミア成分が相殺された画像信号を出力す
るようにしてもよい。
10参照)、第2のスミア成分の信号を一方のフィール
ドメモリに記憶させ、第2のスミア成分を含む画像信号
を他方のフィールドメモリに記憶させた後、夫々フィー
ルドメモリからの信号を減算回路35に供給して、差分
の信号、即ちスミア成分が相殺された画像信号を出力す
るようにしてもよい。
【0029】そして、次の偶数フィールドでも同じよう
な駆動がなされる。図8の偶数フィールド側において、
奇数フィールド側と対応する各期間、時点には、サフィ
ックスBを付して示す。この偶数フィールドでは、垂直
方向に隣り合う他方の2画素(2つの受光部22)の信
号電荷を垂直転送レジスタ23の夫々φIV3 とφIV
1 が印加される転送部に読み出した後、この2画素の信
号電荷をφIV4 が印加される転送部で混合する以外
は、奇数フィールドで説明したと同じに駆動される。図
6は、第1のスミア成分電荷Iがスミアドレイン領域2
8に掃き捨てられ、第2のスミア成分電荷IIが第2の蓄
積部26Bに転送され、偶数フィールドの信号電荷と第
2のスミア成分電荷IIが加算された加算電荷が第1の蓄
積部26Aに転送された状態を示している。この後、第
2のスミア成分電荷II及び第2のスミア成分が加算され
た信号電荷のラインシフトが行われ、図7で説明したよ
うに、外部で第2のスミア成分の信号とスミア成分を含
む画像信号との減算処理を行って、第2のスミア成分を
相殺した偶数フィールドの画像信号を出力する。
な駆動がなされる。図8の偶数フィールド側において、
奇数フィールド側と対応する各期間、時点には、サフィ
ックスBを付して示す。この偶数フィールドでは、垂直
方向に隣り合う他方の2画素(2つの受光部22)の信
号電荷を垂直転送レジスタ23の夫々φIV3 とφIV
1 が印加される転送部に読み出した後、この2画素の信
号電荷をφIV4 が印加される転送部で混合する以外
は、奇数フィールドで説明したと同じに駆動される。図
6は、第1のスミア成分電荷Iがスミアドレイン領域2
8に掃き捨てられ、第2のスミア成分電荷IIが第2の蓄
積部26Bに転送され、偶数フィールドの信号電荷と第
2のスミア成分電荷IIが加算された加算電荷が第1の蓄
積部26Aに転送された状態を示している。この後、第
2のスミア成分電荷II及び第2のスミア成分が加算され
た信号電荷のラインシフトが行われ、図7で説明したよ
うに、外部で第2のスミア成分の信号とスミア成分を含
む画像信号との減算処理を行って、第2のスミア成分を
相殺した偶数フィールドの画像信号を出力する。
【0030】この駆動方法によれば、高速フレームシフ
ト時に発生するスミア成分をも除去できるので、垂直方
向の画素数を多くした、例えばHDTV用カメラ等に適
用した場合にも、スミア成分を大幅に低減させることが
できる。スミア成分が大幅に低減されるので、同じ構成
のCCD固体撮像素子21を、インターレースモードで
のHDTV用カメラ及び従来放送用カメラのいずれにも
共用することができる。
ト時に発生するスミア成分をも除去できるので、垂直方
向の画素数を多くした、例えばHDTV用カメラ等に適
用した場合にも、スミア成分を大幅に低減させることが
できる。スミア成分が大幅に低減されるので、同じ構成
のCCD固体撮像素子21を、インターレースモードで
のHDTV用カメラ及び従来放送用カメラのいずれにも
共用することができる。
【0031】次に、CCD固体撮像素子21を用いて、
全画素読み出しに適用した場合の駆動方法について、図
9〜図11及び図12のタイミングチャートを用いて説
明する。この全画素読み出しは、M−FIT方式の駆動
方法と同じである。
全画素読み出しに適用した場合の駆動方法について、図
9〜図11及び図12のタイミングチャートを用いて説
明する。この全画素読み出しは、M−FIT方式の駆動
方法と同じである。
【0032】まず、図12のフレーム周期TFの例えば
奇数フィールドにおける垂直ブランキング期間V−BL
KA 内の最初の期間TC1で受光蓄積期間中に垂直転送レ
ジスタ23に発生したスミア成分電荷を高速転送して掃
き捨てる。なお、このスミア成分は、第1の蓄積部26
Aに蓄積され、次いで後述する1回目の高速フレームシ
フトによって、第1の蓄積部26Aから第2の蓄積部2
6Bに転送され、2回目の高速フレームシフトによって
第2の蓄積部26Bからスミアドレイン領域28に掃き
捨てられる。
奇数フィールドにおける垂直ブランキング期間V−BL
KA 内の最初の期間TC1で受光蓄積期間中に垂直転送レ
ジスタ23に発生したスミア成分電荷を高速転送して掃
き捨てる。なお、このスミア成分は、第1の蓄積部26
Aに蓄積され、次いで後述する1回目の高速フレームシ
フトによって、第1の蓄積部26Aから第2の蓄積部2
6Bに転送され、2回目の高速フレームシフトによって
第2の蓄積部26Bからスミアドレイン領域28に掃き
捨てられる。
【0033】次に、時点TC2で1回目の読み出しパル
ス、即ち駆動パルスφIV1 における読み出しパルスP
が与えられ、奇数ラインの受光部22の信号電荷のみが
垂直転送レジスタ23のφIV1 が印加される転送部に
読み出され、次の期間TC3で1回目の高速フレームシフ
トが行われて、奇数ラインの信号電荷が第1の蓄積部2
6Aに転送される。
ス、即ち駆動パルスφIV1 における読み出しパルスP
が与えられ、奇数ラインの受光部22の信号電荷のみが
垂直転送レジスタ23のφIV1 が印加される転送部に
読み出され、次の期間TC3で1回目の高速フレームシフ
トが行われて、奇数ラインの信号電荷が第1の蓄積部2
6Aに転送される。
【0034】次に、時点TC4で2回目の読み出しパル
ス、即ち駆動パルスφIV3 における読み出しパルスP
が与えられ、偶数ラインの受光部22の信号電荷のみが
垂直転送レジスタ23のφIV3 が印加される転送部に
読み出され、次の期間TC5で2回目の高速フレームシフ
トが行われて、偶数ラインの信号電荷が第1の蓄積部2
6Aに転送されると同時に、第1の蓄積部26Aの奇数
ラインの信号電荷が第2の蓄積部26Bに転送される
(図9参照)。
ス、即ち駆動パルスφIV3 における読み出しパルスP
が与えられ、偶数ラインの受光部22の信号電荷のみが
垂直転送レジスタ23のφIV3 が印加される転送部に
読み出され、次の期間TC5で2回目の高速フレームシフ
トが行われて、偶数ラインの信号電荷が第1の蓄積部2
6Aに転送されると同時に、第1の蓄積部26Aの奇数
ラインの信号電荷が第2の蓄積部26Bに転送される
(図9参照)。
【0035】次に、期間TC6でラインシフトが行われ、
第2及び第1の蓄積部26B及び26Aに夫々蓄積され
た奇数ラインの信号電荷及び偶数ラインの信号電荷が順
次1ライン毎に水平転送レジスタ27に転送され、水平
転送レジスタ27を転送して出力部29から出力され
る。
第2及び第1の蓄積部26B及び26Aに夫々蓄積され
た奇数ラインの信号電荷及び偶数ラインの信号電荷が順
次1ライン毎に水平転送レジスタ27に転送され、水平
転送レジスタ27を転送して出力部29から出力され
る。
【0036】そして、例えば図10に示すように、奇数
ラインの出力信号をサンプルホールド回路31、ローパ
スフィルター回路32及びアナログ/デジタル変換回路
33を経て第1のフィールドメモリ34Aに記憶させ、
偶数ラインの出力信号を同様にサンプルホールド回路3
1、ローパスフィルター回路32及びアナログ/デジタ
ル変換回路33を経て第2のフィールドメモリ34Bに
記憶させる。この第1及び第2のフィールドメモリ34
A及び34Bからの夫々の信号を切換スイッチ回路38
にて交互に並べ変えて信号処理回路36に供給し、さら
にデジタル/アナログ変換回路37にてD/A変換して
1フレームの画像信号を出力する。
ラインの出力信号をサンプルホールド回路31、ローパ
スフィルター回路32及びアナログ/デジタル変換回路
33を経て第1のフィールドメモリ34Aに記憶させ、
偶数ラインの出力信号を同様にサンプルホールド回路3
1、ローパスフィルター回路32及びアナログ/デジタ
ル変換回路33を経て第2のフィールドメモリ34Bに
記憶させる。この第1及び第2のフィールドメモリ34
A及び34Bからの夫々の信号を切換スイッチ回路38
にて交互に並べ変えて信号処理回路36に供給し、さら
にデジタル/アナログ変換回路37にてD/A変換して
1フレームの画像信号を出力する。
【0037】なお、図10では2つのフィールドメモリ
34A,34Bを設けたが、その他、図11に示すよう
に、1つのフィールドメモリ34を設け、このフィール
ドメモリ34に奇数ラインの信号を記憶させ、この出力
を切換スイッチ回路38に供給すると共に、次に出力さ
れるアナログ/デジタル変換回路33からの偶数ライン
の信号を直接切換スイッチ回路38に供給して奇数ライ
ンの信号と偶数ラインの信号を並べ変えるようにするこ
ともできる。
34A,34Bを設けたが、その他、図11に示すよう
に、1つのフィールドメモリ34を設け、このフィール
ドメモリ34に奇数ラインの信号を記憶させ、この出力
を切換スイッチ回路38に供給すると共に、次に出力さ
れるアナログ/デジタル変換回路33からの偶数ライン
の信号を直接切換スイッチ回路38に供給して奇数ライ
ンの信号と偶数ラインの信号を並べ変えるようにするこ
ともできる。
【0038】このように、本発明に係るCCD固体撮像
素子21は、M−FIT方式の全画素読み出しに適用す
ることができる。
素子21は、M−FIT方式の全画素読み出しに適用す
ることができる。
【0039】なお、このM−FIT方式の全画素読み出
しで用いるフィールドメモリ34A,34B、或いは3
4は、前述の低スミア読み出しで用いるフィールドメモ
リ34、或いは図示せざるも2つのフィールドメモリを
転用することができる。
しで用いるフィールドメモリ34A,34B、或いは3
4は、前述の低スミア読み出しで用いるフィールドメモ
リ34、或いは図示せざるも2つのフィールドメモリを
転用することができる。
【0040】次に、CCD固体撮像素子21を用いて、
通常のフィールド読み出しに適用した場合の駆動方法に
ついて図13〜図15、及び図16のタイミングチャー
トを用いて説明する。
通常のフィールド読み出しに適用した場合の駆動方法に
ついて図13〜図15、及び図16のタイミングチャー
トを用いて説明する。
【0041】このフィールド読み出しでは、図16の奇
数フィールド期間TA における垂直ブランキング期間V
−BLKA の最初の期間TD1で受光蓄積期間中に垂直転
送レジスタ23に発生したスミア成分電荷を高速転送し
て掃き捨てる。このスミア成分はこの期間TD1でスミア
ドレイン領域28に掃き捨てるようにしてもよく、又は
一旦第1又は第2の蓄積部26A又は26Bに高速転送
し、後の信号電荷の高速フレームシフトのときに、第1
又は第2の蓄積部26A又は26Bからスミアドレイン
領域28に掃き捨てるようにしてもよい。
数フィールド期間TA における垂直ブランキング期間V
−BLKA の最初の期間TD1で受光蓄積期間中に垂直転
送レジスタ23に発生したスミア成分電荷を高速転送し
て掃き捨てる。このスミア成分はこの期間TD1でスミア
ドレイン領域28に掃き捨てるようにしてもよく、又は
一旦第1又は第2の蓄積部26A又は26Bに高速転送
し、後の信号電荷の高速フレームシフトのときに、第1
又は第2の蓄積部26A又は26Bからスミアドレイン
領域28に掃き捨てるようにしてもよい。
【0042】次に、時点TD2で駆動パルスφIV1 及び
φIV3 における読み出しパルスPが与えられて垂直方
向に隣り合う一方の2画素(2つの受光部22)の信号
電荷が垂直転送レジスタ23の夫々の駆動パルスφIV
1 とφIV3 が印加される転送部に読み出され、次の期
間TD3で駆動パルスφIV2 が高レベルとなって、この
2画素分の信号電荷が駆動パルスφIV2 が印加される
転送部で混合される。
φIV3 における読み出しパルスPが与えられて垂直方
向に隣り合う一方の2画素(2つの受光部22)の信号
電荷が垂直転送レジスタ23の夫々の駆動パルスφIV
1 とφIV3 が印加される転送部に読み出され、次の期
間TD3で駆動パルスφIV2 が高レベルとなって、この
2画素分の信号電荷が駆動パルスφIV2 が印加される
転送部で混合される。
【0043】そして、次の期間TD4で高速フレームシフ
トが行われ、奇数フィールドの信号電荷が第1の蓄積部
26Aを通過して第2の蓄積部26Bに転送される(図
13参照)。次に、期間TD5でラインシフトが行われ、
第2の蓄積部26Bの信号電荷が順次1ライン毎に水平
転送レジスタ27に転送され、水平転送レジスタ27内
を転送して出力部29から奇数フィールドの信号として
出力される。この出力信号は、図15に示すように、サ
ンプルホールド回路31、ローパスフィルター回路32
を経てアナログ/デジタル変換回路33でA/D変換さ
れて信号処理回路36に供給され、さらにデジタル/ア
ナログ変換回路37でD/A変換されて奇数フィールド
の信号が出力される。
トが行われ、奇数フィールドの信号電荷が第1の蓄積部
26Aを通過して第2の蓄積部26Bに転送される(図
13参照)。次に、期間TD5でラインシフトが行われ、
第2の蓄積部26Bの信号電荷が順次1ライン毎に水平
転送レジスタ27に転送され、水平転送レジスタ27内
を転送して出力部29から奇数フィールドの信号として
出力される。この出力信号は、図15に示すように、サ
ンプルホールド回路31、ローパスフィルター回路32
を経てアナログ/デジタル変換回路33でA/D変換さ
れて信号処理回路36に供給され、さらにデジタル/ア
ナログ変換回路37でD/A変換されて奇数フィールド
の信号が出力される。
【0044】次に、偶数フィールド期間TB における垂
直ブランキング期間V−BLKB 内で上述と同様に、受
光蓄積期間中で垂直転送レジスタ23に発生したスミア
成分電荷を高速転送して掃き捨て、次いで、垂直方向に
隣り合う他方の2画素(2つの受光部22)の信号を夫
々垂直転送レジスタ23に読み出して混合し、次の高速
フレームシフトによって、この偶数フィールドの信号電
荷を第1の蓄積部26Aを通過して第2の蓄積部26B
に転送する(図14参照)。
直ブランキング期間V−BLKB 内で上述と同様に、受
光蓄積期間中で垂直転送レジスタ23に発生したスミア
成分電荷を高速転送して掃き捨て、次いで、垂直方向に
隣り合う他方の2画素(2つの受光部22)の信号を夫
々垂直転送レジスタ23に読み出して混合し、次の高速
フレームシフトによって、この偶数フィールドの信号電
荷を第1の蓄積部26Aを通過して第2の蓄積部26B
に転送する(図14参照)。
【0045】なお、図16の偶数フィールド側におい
て、奇数フィールド側と対応する各期間、時点には、サ
フィックスDに代えサフィックスEを付して示す。この
偶数フィールドでは、垂直方向に隣り合う他の2画素
(2つの受光部22)の信号電荷を垂直転送レジスタ2
3の夫々駆動パルスφIV3 とφIV1 が印加される転
送部に読み出した後、この2画素の信号電荷を駆動パル
スφIV4 が印加される転送部で混合する以外は、奇数
フィールドで説明したと同じに駆動され、図15の外部
回路を通して偶数フィールドの信号として出力される。
て、奇数フィールド側と対応する各期間、時点には、サ
フィックスDに代えサフィックスEを付して示す。この
偶数フィールドでは、垂直方向に隣り合う他の2画素
(2つの受光部22)の信号電荷を垂直転送レジスタ2
3の夫々駆動パルスφIV3 とφIV1 が印加される転
送部に読み出した後、この2画素の信号電荷を駆動パル
スφIV4 が印加される転送部で混合する以外は、奇数
フィールドで説明したと同じに駆動され、図15の外部
回路を通して偶数フィールドの信号として出力される。
【0046】上述の本実施の形態によれば、撮像部24
の垂直転送レジスタ23の転送部の段数と同じ段数の垂
直転送レジスタ25A及び25Bを有する第1及び第2
の蓄積部26A及び26Bを設け、垂直転送レジスタ2
3に2画素分の最大取り扱い電荷量を転送できる電荷蓄
積容量をもたせたCCD固体撮像素子21を用い、最初
の第1のスミア成分電荷を高速掃き捨てした後、垂直転
送レジスタ23に信号電荷を読み出さずに1回目の高速
フレームシフトを行い、次に、垂直転送レジスタ23に
信号電荷を読み出して2回目の高速フレームシフトを行
い、1回目の高速フレームシフトでのフレームシフト中
に発生する第2のスミア成分電荷を第2の蓄積部26B
に、2回目の高速フレームシフトでのフレームシフト中
に発生する第2のスミア成分電荷と信号電荷の加算電荷
を第1の蓄積部26Aに夫々蓄積し、外部で第2のスミ
ア成分電荷に対応した信号と加算電荷に対応した信号と
の差分をとることにより、スミア成分を大幅に低減する
ことができる。
の垂直転送レジスタ23の転送部の段数と同じ段数の垂
直転送レジスタ25A及び25Bを有する第1及び第2
の蓄積部26A及び26Bを設け、垂直転送レジスタ2
3に2画素分の最大取り扱い電荷量を転送できる電荷蓄
積容量をもたせたCCD固体撮像素子21を用い、最初
の第1のスミア成分電荷を高速掃き捨てした後、垂直転
送レジスタ23に信号電荷を読み出さずに1回目の高速
フレームシフトを行い、次に、垂直転送レジスタ23に
信号電荷を読み出して2回目の高速フレームシフトを行
い、1回目の高速フレームシフトでのフレームシフト中
に発生する第2のスミア成分電荷を第2の蓄積部26B
に、2回目の高速フレームシフトでのフレームシフト中
に発生する第2のスミア成分電荷と信号電荷の加算電荷
を第1の蓄積部26Aに夫々蓄積し、外部で第2のスミ
ア成分電荷に対応した信号と加算電荷に対応した信号と
の差分をとることにより、スミア成分を大幅に低減する
ことができる。
【0047】そして、インターレースモードでのHDT
V用カメラ等に適用した場合にも、従来に比してスミア
成分を低減できるので、本実施の形態のCCD固体撮像
素子21は、HDTV用カメラ及び従来放送用カメラの
いずれにも共用することが可能となる。
V用カメラ等に適用した場合にも、従来に比してスミア
成分を低減できるので、本実施の形態のCCD固体撮像
素子21は、HDTV用カメラ及び従来放送用カメラの
いずれにも共用することが可能となる。
【0048】また、本実施の形態のCCD固体撮像素子
21は、通常のフィールド読み出し、或いはM−FIT
方式の全画素読み出しにも適用することができ、各種の
読み出し方式に対応することができる。このCCD固体
撮像素子21は、例えば1秒間に24コマの撮影を行う
映画用カメラ(全画素読み出し)にも共用できる。
21は、通常のフィールド読み出し、或いはM−FIT
方式の全画素読み出しにも適用することができ、各種の
読み出し方式に対応することができる。このCCD固体
撮像素子21は、例えば1秒間に24コマの撮影を行う
映画用カメラ(全画素読み出し)にも共用できる。
【0049】また、従来のM−FIT方式でのインター
レースでは、撮像素子の外部で2画素の信号の混合を行
うようにしているので、S/N比が3dB程度劣化する
が、本実施の形態のインターレースでは2画素の信号電
荷を撮像部24の垂直転送レジスタ23内で混合するこ
とにより、S/N比が向上する。
レースでは、撮像素子の外部で2画素の信号の混合を行
うようにしているので、S/N比が3dB程度劣化する
が、本実施の形態のインターレースでは2画素の信号電
荷を撮像部24の垂直転送レジスタ23内で混合するこ
とにより、S/N比が向上する。
【0050】なお、本発明は、駆動パルスの供給、外部
回路系等を切換えるようになせば、1つの撮像カメラ
で、HDTV用カメラと従来放送用カメラを共用できる
ように構成することも可能である。また、低スミア読み
出しと全画素読み出しの機能を併せもつ撮像カメラ、或
いは、低スミア読み出しと全画素読み出しとフィールド
読み出しの機能を併せもつ撮像カメラを構成することも
可能である。
回路系等を切換えるようになせば、1つの撮像カメラ
で、HDTV用カメラと従来放送用カメラを共用できる
ように構成することも可能である。また、低スミア読み
出しと全画素読み出しの機能を併せもつ撮像カメラ、或
いは、低スミア読み出しと全画素読み出しとフィールド
読み出しの機能を併せもつ撮像カメラを構成することも
可能である。
【0051】
【発明の効果】本発明に係るCCD固体撮像素子によれ
ば、撮像部の信号電荷を蓄積部に高速転送(いわゆる高
速フレームシフト)する期間に垂直転送レジスタに発生
するスミア成分を除去することができるので、従来に比
べて大幅にスミア成分を低減することができる。
ば、撮像部の信号電荷を蓄積部に高速転送(いわゆる高
速フレームシフト)する期間に垂直転送レジスタに発生
するスミア成分を除去することができるので、従来に比
べて大幅にスミア成分を低減することができる。
【0052】本CCD固体撮像素子は、スミア成分の大
幅な低減が図られるので、インターレースモードで使用
するHDTV用カメラ及び従来放送用カメラに共用でき
る。また、本CCD固体撮像素子は、通常のフィールド
読み出し、M−FIT方式の全画素読み出し等にも対応
することができ、映画用のカメラ(全画素読み出し)に
も共用できる。
幅な低減が図られるので、インターレースモードで使用
するHDTV用カメラ及び従来放送用カメラに共用でき
る。また、本CCD固体撮像素子は、通常のフィールド
読み出し、M−FIT方式の全画素読み出し等にも対応
することができ、映画用のカメラ(全画素読み出し)に
も共用できる。
【0053】本発明に係るCCD固体撮像素子の駆動方
法によれば、スミア成分が大幅に低減し、インターレー
スモードで使用するHDTV用カメラに適用した場合、
そのスミア成分の低減ができる。従って、この駆動方法
を用いることにより、共通のCCD固体撮像素子を用い
てHDTV用カメラ及び従来放送用カメラのいずれをも
構成することが可能となる。
法によれば、スミア成分が大幅に低減し、インターレー
スモードで使用するHDTV用カメラに適用した場合、
そのスミア成分の低減ができる。従って、この駆動方法
を用いることにより、共通のCCD固体撮像素子を用い
てHDTV用カメラ及び従来放送用カメラのいずれをも
構成することが可能となる。
【図1】本発明に係るCCD固体撮像素子の一実施の形
態の構成図である。
態の構成図である。
【図2】図1の撮像部の垂直転送レジスタの要部の構成
図である。
図である。
【図3】本発明の低スミア読み出しの駆動説明図であ
る。
る。
【図4】本発明の低スミア読み出しの駆動説明図であ
る。
る。
【図5】本発明の低スミア読み出しの駆動説明図であ
る。
る。
【図6】本発明の低スミア読み出しの駆動説明図であ
る。
る。
【図7】本発明に係る低スミア読み出しに適用したCC
D固体撮像素子の構成図である。
D固体撮像素子の構成図である。
【図8】図3〜図6の駆動タイミングチャートである。
【図9】本発明の全画素読み出しの駆動説明図である。
【図10】本発明に係る全画素読み出しに適用したCC
D固体撮像素子の一例の構成図である。
D固体撮像素子の一例の構成図である。
【図11】本発明に係る全画素読み出しに適用したCC
D固体撮像素子の他の構成図である。
D固体撮像素子の他の構成図である。
【図12】図9の駆動タイミングチャートである。
【図13】本発明のフィールド読み出しの駆動説明図で
ある。
ある。
【図14】本発明のフィールド読み出しの駆動説明図で
ある。
ある。
【図15】本発明に係るフィールド読み出しに適用した
CCD固体撮像素子の構成図である。
CCD固体撮像素子の構成図である。
【図16】図14及び図15の駆動タイミングチャート
である。
である。
【図17】従来のFIT型のCCD固体撮像素子の構成
図である。
図である。
【図18】従来のM−FIT型のCCD固体撮像素子の
構成図である。
構成図である。
21‥‥CCD固体撮像素子、22‥‥受光部、23‥
‥垂直転送レジスタ、24‥‥撮像部、25A,25B
‥‥垂直転送レジスタ、26A,26B‥‥蓄積部、2
7‥‥水平転送レジスタ、28‥‥スミアドレイン領
域、29‥‥出力部、30‥‥転送部の1ビット分、I
‥‥第1スミア成分電荷、II‥‥第2スミア成分電荷
‥垂直転送レジスタ、24‥‥撮像部、25A,25B
‥‥垂直転送レジスタ、26A,26B‥‥蓄積部、2
7‥‥水平転送レジスタ、28‥‥スミアドレイン領
域、29‥‥出力部、30‥‥転送部の1ビット分、I
‥‥第1スミア成分電荷、II‥‥第2スミア成分電荷
Claims (4)
- 【請求項1】 画素となる複数の受光部及び各受光部列
に対応する垂直転送レジスタからなる撮像部と、 前記撮像部からの電荷を蓄積できる第1及び第2の蓄積
部と、 水平転送レジスタと、スミアドレイン領域を有し、 前記垂直転送レジスタの転送部の1ビット分が隣り合う
前記2つの受光部に対応し、 前記垂直転送レジスタが2画素分の取り扱い電荷量を転
送できる電荷蓄積容量を有して成ることを特徴とするC
CD固体撮像素子。 - 【請求項2】 前記受光部の信号電荷を前記垂直転送レ
ジスタに読み出さずに高速転送して、該高速転送中に発
生するスミア成分電荷を最終的に前記第2の蓄積部に蓄
積させる手段と、 前記受光部の信号電荷を前記垂直転送レジスタに読み出
し、高速転送して、該高速転送中に発生するスミア成分
電荷と前記信号電荷の加算電荷を前記第1の蓄積部に蓄
積させる手段と、 外部で前記スミア成分電荷の信号と、前記加算電荷の信
号の差分を出力する手段とを備えて成ることを特徴とす
る請求項1に記載のCCD固体撮像素子。 - 【請求項3】 前記受光部の信号電荷を前記垂直転送レ
ジスタに読み出し、該垂直転送レジスタ内で一方の隣り
合う前記2つの受光部の信号電荷を混合させて、前記第
2の蓄積部に高速転送させ、奇数フィールドの信号とし
て出力させる手段と、 前記受光部の信号電荷を前記垂直転送レジスタに読み出
し、該垂直転送レジスタ内で他方の隣り合う前記2つの
受光部の信号電荷を混合させて、前記第2の蓄積部に高
速転送させ、偶数フィールドの信号として出力させる手
段を備えて成ることを特徴とする請求項1に記載のCC
D固体撮像素子。 - 【請求項4】 画素となる複数の受光部及び各受光部列
に対応する垂直転送レジスタからなる撮像部と、前記撮
像部からの電荷を蓄積できる第1及び第2の蓄積部と、
水平転送レジスタと、スミアドレイン領域を有してなる
CCD固体撮像素子を用い、 前記垂直転送レジスタ内の第1のスミア成分電荷を掃き
捨てた後、 前記受光部の信号電荷を前記垂直転送レジスタに読み出
さずに高速転送を行って該高速転送中に発生した第2の
スミア成分電荷を前記第1の蓄積部に蓄積し、 次に、前記受光部の信号電荷を垂直転送レジスタに読み
出し、高速転送を行って該高速転送中に発生する第2の
スミア成分電荷と前記信号電荷の加算電荷を前記第1の
蓄積部に蓄積すると同時に、第1の蓄積部の前記第2の
スミア成分電荷を第2の蓄積部に転送して蓄積し、 外部で前記第2のスミア成分電荷の信号と、前記加算電
荷の信号の差分を出力することを特徴とするCCD固体
撮像素子の駆動方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9204676A JPH1155573A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | Ccd固体撮像素子及びその駆動方法 |
| US09/123,997 US6339213B2 (en) | 1997-07-30 | 1998-07-29 | Solid state imaging device and method for driving the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9204676A JPH1155573A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | Ccd固体撮像素子及びその駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1155573A true JPH1155573A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16494460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9204676A Pending JPH1155573A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | Ccd固体撮像素子及びその駆動方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6339213B2 (ja) |
| JP (1) | JPH1155573A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7002629B2 (en) * | 2001-08-23 | 2006-02-21 | Goodrich Corporation | CCD image detector and method of operating a CCD as an image detector |
| US6809808B2 (en) * | 2002-03-22 | 2004-10-26 | Applied Materials, Inc. | Wafer defect detection system with traveling lens multi-beam scanner |
| US7948531B2 (en) * | 2004-08-24 | 2011-05-24 | Panasonic Corporation | Imaging apparatus and correction method of image data |
| KR20080053635A (ko) * | 2006-12-11 | 2008-06-16 | 삼성전자주식회사 | 촬영장치 및 그의 정지영상 촬영방법 |
| JP5301302B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2013-09-25 | 株式会社日立国際電気 | 撮像装置 |
| JP2012129906A (ja) * | 2010-12-17 | 2012-07-05 | Samsung Electronics Co Ltd | 画像処理装置、画像処理方法、及びプログラム |
| US9516248B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-12-06 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Photosensor having enhanced sensitivity |
| EP3276328B1 (en) * | 2016-07-29 | 2020-12-02 | Sysmex Corporation | Smear transporting apparatus, smear image capture system, and smear analysis system |
| JP7362670B2 (ja) * | 2019-01-16 | 2023-10-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置組立体、3次元形状測定装置及び動き検出装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04337670A (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-25 | Sony Corp | Ccdシフトレジスタ |
-
1997
- 1997-07-30 JP JP9204676A patent/JPH1155573A/ja active Pending
-
1998
- 1998-07-29 US US09/123,997 patent/US6339213B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6339213B2 (en) | 2002-01-15 |
| US20010042817A1 (en) | 2001-11-22 |
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