JPH1158234A - 研磨方法及び研磨装置 - Google Patents
研磨方法及び研磨装置Info
- Publication number
- JPH1158234A JPH1158234A JP22040697A JP22040697A JPH1158234A JP H1158234 A JPH1158234 A JP H1158234A JP 22040697 A JP22040697 A JP 22040697A JP 22040697 A JP22040697 A JP 22040697A JP H1158234 A JPH1158234 A JP H1158234A
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- JP
- Japan
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- polishing
- chuck table
- water
- semiconductor wafer
- gas
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- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体ウェーハ等の被加工物の研磨時に、被加
工物の冷却を促進して研磨能力を向上させ、鏡面研磨を
可能とすると共に、厚さが例えば２００μｍ以下となる
ように薄く研磨することを可能とする。 【解決手段】研磨装置において、被加工物を保持するチ
ャックテーブルの近傍にガス噴射手段を配設し、研磨水
を供給しながらガス噴射手段から高圧エアーのようなガ
スを噴射することにより、被加工物とチャックテーブル
との接触部の僅かな隙間にも研磨水を侵入させて冷却効
果を高める。
工物の冷却を促進して研磨能力を向上させ、鏡面研磨を
可能とすると共に、厚さが例えば２００μｍ以下となる
ように薄く研磨することを可能とする。 【解決手段】研磨装置において、被加工物を保持するチ
ャックテーブルの近傍にガス噴射手段を配設し、研磨水
を供給しながらガス噴射手段から高圧エアーのようなガ
スを噴射することにより、被加工物とチャックテーブル
との接触部の僅かな隙間にも研磨水を侵入させて冷却効
果を高める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ等
の被加工物を研磨砥石によって研磨する研磨方法及び研
磨装置に関し、詳しくは、研磨水を供給すると共にガス
を噴射して研磨水の供給及び被加工物の冷却を促進する
ことにより、研磨能力の向上を図った研磨方法及びその
実施に使用する研磨装置に関するものである。
の被加工物を研磨砥石によって研磨する研磨方法及び研
磨装置に関し、詳しくは、研磨水を供給すると共にガス
を噴射して研磨水の供給及び被加工物の冷却を促進する
ことにより、研磨能力の向上を図った研磨方法及びその
実施に使用する研磨装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェーハ等の面を研磨する装置と
しては、図７に示す研磨装置３０が従来例として周知で
ある。この研磨装置３０には、作業台３１上に回転自在
なターンテーブル３２を配設しており、このターンテー
ブル３２上に設けた複数の回転可能なチャックテーブル
３３にウェーハを吸着保持して研磨手段３４によって研
磨し、研磨後のウェーハを搬送手段３５を用いて洗浄領
域３６まで搬送し、更に搬送手段３６によってウェーハ
をカセット３７まで搬送して収納する構成となってい
る。
しては、図７に示す研磨装置３０が従来例として周知で
ある。この研磨装置３０には、作業台３１上に回転自在
なターンテーブル３２を配設しており、このターンテー
ブル３２上に設けた複数の回転可能なチャックテーブル
３３にウェーハを吸着保持して研磨手段３４によって研
磨し、研磨後のウェーハを搬送手段３５を用いて洗浄領
域３６まで搬送し、更に搬送手段３６によってウェーハ
をカセット３７まで搬送して収納する構成となってい
る。
【０００３】作業台３１の端部からは、壁体３８が起立
して設けられており、この壁体３８の内側の面には一対
のレール３９が垂直方向に併設され、レール３９に沿っ
てスライド板４０が上下動するのに伴い、スライド板４
０に固定された研磨手段３４が上下動するようになって
いる。
して設けられており、この壁体３８の内側の面には一対
のレール３９が垂直方向に併設され、レール３９に沿っ
てスライド板４０が上下動するのに伴い、スライド板４
０に固定された研磨手段３４が上下動するようになって
いる。
【０００４】この研磨手段３４は、図８に示すように、
スピンドルハウジング４１の中心部にスピンドル４２が
回転可能に支持され、スピンドル４２の下端に円板上の
マウンタ４３が装着され、更に、マウンタ４３の下部に
研磨ホイール４４が装着された構成となっている。ま
た、スピンドル４２内には研磨水を流通する研磨水供給
路４５が貫通し、この研磨水供給路４５はマウンター４
４内の分岐路４６を経由して研磨ホイール４４の研磨水
供給口４７まで貫通している。更に、研磨水供給口４７
の外側には研磨砥石４８が下方に突設されている。
スピンドルハウジング４１の中心部にスピンドル４２が
回転可能に支持され、スピンドル４２の下端に円板上の
マウンタ４３が装着され、更に、マウンタ４３の下部に
研磨ホイール４４が装着された構成となっている。ま
た、スピンドル４２内には研磨水を流通する研磨水供給
路４５が貫通し、この研磨水供給路４５はマウンター４
４内の分岐路４６を経由して研磨ホイール４４の研磨水
供給口４７まで貫通している。更に、研磨水供給口４７
の外側には研磨砥石４８が下方に突設されている。
【０００５】このように構成される研磨手段３４によっ
てチャックテーブル３３に保持されたウェーハＷを研磨
する際は、チャックテーブル３３を回転させると共に、
スピンドル４２を回転させながら研磨手段３４を下降さ
せてウェーハＷに対して回転する研磨砥石４８を押圧し
て研磨を行う。またこれと同時に、研磨水供給路４５の
上部から研磨水を流入させ、研磨水供給路４５及び分岐
路４６を介して研磨水供給口４７からウェーハＷに対し
て研磨水４９を供給する。
てチャックテーブル３３に保持されたウェーハＷを研磨
する際は、チャックテーブル３３を回転させると共に、
スピンドル４２を回転させながら研磨手段３４を下降さ
せてウェーハＷに対して回転する研磨砥石４８を押圧し
て研磨を行う。またこれと同時に、研磨水供給路４５の
上部から研磨水を流入させ、研磨水供給路４５及び分岐
路４６を介して研磨水供給口４７からウェーハＷに対し
て研磨水４９を供給する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような研磨方法では、ウェーハＷと研磨砥石４８との接
触部に研磨水が充分に供給されないためにウェーハＷの
冷却が不十分で面焼けが生じやすいという問題があり、
かかる状況においては、研磨ひずみが生じて鏡面研磨を
行うことが困難であり、また、ウェーハの厚さを薄く
（例えば２００μｍ以下）研磨することも困難である。
ような研磨方法では、ウェーハＷと研磨砥石４８との接
触部に研磨水が充分に供給されないためにウェーハＷの
冷却が不十分で面焼けが生じやすいという問題があり、
かかる状況においては、研磨ひずみが生じて鏡面研磨を
行うことが困難であり、また、ウェーハの厚さを薄く
（例えば２００μｍ以下）研磨することも困難である。
【０００７】このように、従来の研磨方法及び研磨装置
においては、被加工物への研磨水の供給を充分に行って
冷却効果を高め、研磨能力の向上を図ることに課題を有
している。
においては、被加工物への研磨水の供給を充分に行って
冷却効果を高め、研磨能力の向上を図ることに課題を有
している。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、半導体ウェーハを保持す
るチャックテーブルと、該チャックテーブルに対峙して
配設された研磨手段と、該研磨手段を構成する研磨砥石
と半導体ウェーハとに研磨水を供給する研磨水供給手段
とを少なくとも含む研磨装置によって半導体ウェーハを
研磨する研磨方法であって、チャックテーブルに保持さ
れた半導体ウェーハの面に回転する研磨砥石を接触させ
て研磨水を供給しながら半導体ウェーハを研磨する際
に、研磨水が半導体ウェーハと研磨砥石との接触部に侵
入するようにガスを噴射して研磨を遂行するようにした
研磨方法を提供するものである。
の具体的手段として本発明は、半導体ウェーハを保持す
るチャックテーブルと、該チャックテーブルに対峙して
配設された研磨手段と、該研磨手段を構成する研磨砥石
と半導体ウェーハとに研磨水を供給する研磨水供給手段
とを少なくとも含む研磨装置によって半導体ウェーハを
研磨する研磨方法であって、チャックテーブルに保持さ
れた半導体ウェーハの面に回転する研磨砥石を接触させ
て研磨水を供給しながら半導体ウェーハを研磨する際
に、研磨水が半導体ウェーハと研磨砥石との接触部に侵
入するようにガスを噴射して研磨を遂行するようにした
研磨方法を提供するものである。
【０００９】そして、研磨を遂行する際にチャックテー
ブルが回転すること、研磨砥石の内側から研磨水を供給
すると共にガスを噴射すること、ガスはエアーであるこ
と、半導体ウェーハが２００μｍ以下に研磨されるこ
と、を付加的要件とするものである。
ブルが回転すること、研磨砥石の内側から研磨水を供給
すると共にガスを噴射すること、ガスはエアーであるこ
と、半導体ウェーハが２００μｍ以下に研磨されるこ
と、を付加的要件とするものである。
【００１０】また本発明は、被加工物を保持するチャッ
クテーブルと、研磨砥石を含みチャックテーブルに対峙
して配設された研磨手段と、研磨砥石と被加工物とに研
磨水を供給する研磨水供給手段と、被加工物と研磨砥石
との接触部に研磨水を侵入させるためのガス噴射手段と
を少なくとも含む研磨装置を提供するものである。
クテーブルと、研磨砥石を含みチャックテーブルに対峙
して配設された研磨手段と、研磨砥石と被加工物とに研
磨水を供給する研磨水供給手段と、被加工物と研磨砥石
との接触部に研磨水を侵入させるためのガス噴射手段と
を少なくとも含む研磨装置を提供するものである。
【００１１】このような研磨方法及び研磨装置によれ
ば、被加工物と研磨砥石との接触部に研磨水を充分に侵
入させることができ、研磨時の被加工物の冷却効果が高
まる。
ば、被加工物と研磨砥石との接触部に研磨水を充分に侵
入させることができ、研磨時の被加工物の冷却効果が高
まる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明に係る研磨方法を実施する
ための研磨装置は、従来例で示した図７の研磨装置３０
とほぼ同様に構成され、図１〜図３に示すガス噴射手段
１０を設けた点が従来の研磨装置３０とは異なってい
る。従って、以下の説明において従来の研磨装置３０と
共通する部位については同一の符号を付し、その説明は
省略することとする。
ための研磨装置は、従来例で示した図７の研磨装置３０
とほぼ同様に構成され、図１〜図３に示すガス噴射手段
１０を設けた点が従来の研磨装置３０とは異なってい
る。従って、以下の説明において従来の研磨装置３０と
共通する部位については同一の符号を付し、その説明は
省略することとする。
【００１３】図１に示す研磨装置の主要部は従来例と同
様に構成されるが、更に詳しくは、研磨手段３４の上下
動、スピンドル４２の回転、チャックテーブル３３の回
転がすべて制御部２０によって制御され、以下のように
構成される。
様に構成されるが、更に詳しくは、研磨手段３４の上下
動、スピンドル４２の回転、チャックテーブル３３の回
転がすべて制御部２０によって制御され、以下のように
構成される。
【００１４】壁体３８の外側の上部には、パルスモータ
２１が設けられ、このパルスモータ２１に駆動されて回
転するネジ２２に駆動部２３が係合されている。この駆
動部２３は壁体３８を貫通し、スライド板４０と連結さ
れている。そして、制御部２０がパルスモータドライバ
２４を介してパルスモータ２１を駆動し、パルスモータ
２１の回転に伴ってネジ２２が回転することにより駆動
部２３が上下動し、これによってスライド板４０もレー
ル３９に沿って上下動して研磨手段３４が上下動する。
また、駆動部２３は制御部２０と直接接続されており、
制御部２０からの制御の下でスピンドル４２の回転を駆
動する。
２１が設けられ、このパルスモータ２１に駆動されて回
転するネジ２２に駆動部２３が係合されている。この駆
動部２３は壁体３８を貫通し、スライド板４０と連結さ
れている。そして、制御部２０がパルスモータドライバ
２４を介してパルスモータ２１を駆動し、パルスモータ
２１の回転に伴ってネジ２２が回転することにより駆動
部２３が上下動し、これによってスライド板４０もレー
ル３９に沿って上下動して研磨手段３４が上下動する。
また、駆動部２３は制御部２０と直接接続されており、
制御部２０からの制御の下でスピンドル４２の回転を駆
動する。
【００１５】壁体３８の外側にはリニアスケール２５が
配設されており、リニアスケール２５上における駆動部
２３の位置情報が制御部２０に転送され、この位置情報
は、制御部２０における研磨手段３４の上下動の精密制
御に供される。
配設されており、リニアスケール２５上における駆動部
２３の位置情報が制御部２０に転送され、この位置情報
は、制御部２０における研磨手段３４の上下動の精密制
御に供される。
【００１６】また、制御部２０は、サーボドライバー２
６を介してチャックテーブル３３の下部に設けられたエ
ンコーダ２７及びサーボモータ２８と接続されており、
エンコーダ２７及びサーボモータ２８を駆動することに
より、チャックテーブル３３の回転を制御する。
６を介してチャックテーブル３３の下部に設けられたエ
ンコーダ２７及びサーボモータ２８と接続されており、
エンコーダ２７及びサーボモータ２８を駆動することに
より、チャックテーブル３３の回転を制御する。
【００１７】チャックテーブル３３の近傍には、ノズル
１１が作業台３１から起立しているガス噴射手段１０が
設けられており、その先端の噴射口１２はチャックテー
ブル３３の方向に向けられている。このガス噴射手段１
０は、図２に示すように、ガス供給部１３から例えば高
圧エアーのようなガスを供給されて、噴射口１２からガ
ス１４を噴射する。なお、ガス噴射手段１０は、図３
（Ａ）のように、回転及び上下動可能なノズル１１に設
けた扇状に広がるひとつの噴射口１２からガス１４が噴
射されるよう構成されていてもよいし、また、図３
（Ｂ）のように、ノズル１１に複数の噴射口１２が水平
方向に末広がり状に配設されて各噴射口１２からガス１
４が噴射されるよう構成されていてもよい。
１１が作業台３１から起立しているガス噴射手段１０が
設けられており、その先端の噴射口１２はチャックテー
ブル３３の方向に向けられている。このガス噴射手段１
０は、図２に示すように、ガス供給部１３から例えば高
圧エアーのようなガスを供給されて、噴射口１２からガ
ス１４を噴射する。なお、ガス噴射手段１０は、図３
（Ａ）のように、回転及び上下動可能なノズル１１に設
けた扇状に広がるひとつの噴射口１２からガス１４が噴
射されるよう構成されていてもよいし、また、図３
（Ｂ）のように、ノズル１１に複数の噴射口１２が水平
方向に末広がり状に配設されて各噴射口１２からガス１
４が噴射されるよう構成されていてもよい。
【００１８】研磨ホイール４４は、図４に示すように、
一定間隔をおいて円形状に配設されて、ウェーハに研磨
水を供給する研磨水供給口４７と、その外側に一定間隔
毎に円形状に配設された研磨砥石４８とを有し、その上
部はマウンター４３に固定されている。
一定間隔をおいて円形状に配設されて、ウェーハに研磨
水を供給する研磨水供給口４７と、その外側に一定間隔
毎に円形状に配設された研磨砥石４８とを有し、その上
部はマウンター４３に固定されている。
【００１９】以上のように構成される研磨装置を用いて
ウェーハを研磨する際は、図５に示すように、研磨しよ
うとするウェーハＷをチャックテーブル３３に載置して
保持させ、制御部２０の制御の下、チャックテーブル３
３を回転させると共に、スピンドル４２を回転させて研
磨ホイール４４を回転させながら研磨手段３４を下降さ
せていき、回転する研磨砥石４８を適宜の押圧力を加え
ながらウェーハＷに接触させることによりウェーハＷの
面を研磨する。
ウェーハを研磨する際は、図５に示すように、研磨しよ
うとするウェーハＷをチャックテーブル３３に載置して
保持させ、制御部２０の制御の下、チャックテーブル３
３を回転させると共に、スピンドル４２を回転させて研
磨ホイール４４を回転させながら研磨手段３４を下降さ
せていき、回転する研磨砥石４８を適宜の押圧力を加え
ながらウェーハＷに接触させることによりウェーハＷの
面を研磨する。
【００２０】このとき研磨水供給路４５には、好ましく
は０．５リットル／分〜４．０リットル／分の研磨水を
供給し、分岐路４６を介して研磨水供給口４７から研磨
水１５をウェーハＷに供給する。また、これと同時にガ
ス噴射手段１０にガスを供給して噴射口１２から、好ま
しくは３気圧〜４気圧のガス１４を噴射する。
は０．５リットル／分〜４．０リットル／分の研磨水を
供給し、分岐路４６を介して研磨水供給口４７から研磨
水１５をウェーハＷに供給する。また、これと同時にガ
ス噴射手段１０にガスを供給して噴射口１２から、好ま
しくは３気圧〜４気圧のガス１４を噴射する。
【００２１】噴射されたガス１４によって研磨水１５の
流れは勢いを増し、図６に示すように、ウェーハＷと研
磨砥石４８との接触部における僅かな隙間にも強制的に
入り込む。そしてこのように入り込んだ研磨水によって
ウェーハＷの冷却が一層促進される。
流れは勢いを増し、図６に示すように、ウェーハＷと研
磨砥石４８との接触部における僅かな隙間にも強制的に
入り込む。そしてこのように入り込んだ研磨水によって
ウェーハＷの冷却が一層促進される。
【００２２】このようにして研磨水の供給と高圧エアー
の噴射とを行いながら研磨し、ウェーハＷの冷却が促進
されると、ウェーハＷの面焼けが生じにくく、研磨ひず
みやクラックが生じにくくなる。従って、面の粗さがな
くなって鏡面研磨が可能となり、また、ウェーハの厚さ
を例えば２００μｍ以下のように薄く研磨することも可
能となる。
の噴射とを行いながら研磨し、ウェーハＷの冷却が促進
されると、ウェーハＷの面焼けが生じにくく、研磨ひず
みやクラックが生じにくくなる。従って、面の粗さがな
くなって鏡面研磨が可能となり、また、ウェーハの厚さ
を例えば２００μｍ以下のように薄く研磨することも可
能となる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る研磨
方法及び研磨装置によれば、被加工物と研磨砥石との接
触部に研磨水を充分に侵入させることができ、研磨時の
被加工物の冷却効果が高まるため、被加工物の面焼けが
生じにくく、研磨ひずみやクラックが生じにくくなる。
従って、面に粗さがなくなって鏡面研磨ができ、ウェー
ハの厚さを例えば２００μｍ以下とするような研磨も可
能となり、ウェーハメイキングができると共に、スマー
トカード等に使用されるチップを薄くしてスマートカー
ド等を薄く形成することができる。
方法及び研磨装置によれば、被加工物と研磨砥石との接
触部に研磨水を充分に侵入させることができ、研磨時の
被加工物の冷却効果が高まるため、被加工物の面焼けが
生じにくく、研磨ひずみやクラックが生じにくくなる。
従って、面に粗さがなくなって鏡面研磨ができ、ウェー
ハの厚さを例えば２００μｍ以下とするような研磨も可
能となり、ウェーハメイキングができると共に、スマー
トカード等に使用されるチップを薄くしてスマートカー
ド等を薄く形成することができる。
【図１】本発明に係る研磨装置の主要部の構成を示す説
明図である。
明図である。
【図２】同研磨装置の研磨手段、チャックテーブル及び
ガス噴射手段を示す説明図である。
ガス噴射手段を示す説明図である。
【図３】同研磨装置のガス噴射手段の例を示す斜視図で
ある。
ある。
【図４】同研磨装置の研磨手段を構成する研磨ホイール
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図５】同研磨装置を用いて研磨水を供給すると共に、
ガスを噴射してウェーハを研磨する様子を示す説明図で
ある。
ガスを噴射してウェーハを研磨する様子を示す説明図で
ある。
【図６】図５のＡで示した部分の拡大図である。
【図７】従来の研磨装置を示す研磨装置である。
【図８】同研磨装置の研磨手段及びチャックテーブルを
示す説明図である。
示す説明図である。
【符号の説明】 １０：ガス噴射手段 １１：ノズル １２：噴射口 １
３：ガス供給部 １４：ガス １５：研磨水 ２０：制御部 ２１：パルスモータ ２２：ネジ ２
３：駆動部 ２４：パルスモータドライバー ２５：リニアスケール ２６：サーボドライバー ２７：エンコーダ ２８：サ
ーボモータ ３０：研磨装置 ３１：作業台 ３２：ターンテーブル ３３：チャックテーブル ３４：研磨手段 ３５：搬送
手段 ３６：洗浄領域 ３７：カセット ３８：壁体 ３９：レール ４０：ス
ライド板 ４１：スピンドルハウジング ４２：スピンドル ４
３：マウンタ ４４：研磨ホイール ４５：研磨水供給路 ４６：分岐
路 ４７：研磨水供給口 ４８：研磨砥石 ４９：研磨水
３：ガス供給部 １４：ガス １５：研磨水 ２０：制御部 ２１：パルスモータ ２２：ネジ ２
３：駆動部 ２４：パルスモータドライバー ２５：リニアスケール ２６：サーボドライバー ２７：エンコーダ ２８：サ
ーボモータ ３０：研磨装置 ３１：作業台 ３２：ターンテーブル ３３：チャックテーブル ３４：研磨手段 ３５：搬送
手段 ３６：洗浄領域 ３７：カセット ３８：壁体 ３９：レール ４０：ス
ライド板 ４１：スピンドルハウジング ４２：スピンドル ４
３：マウンタ ４４：研磨ホイール ４５：研磨水供給路 ４６：分岐
路 ４７：研磨水供給口 ４８：研磨砥石 ４９：研磨水
Claims (6)
- 【請求項１】半導体ウェーハを保持するチャックテーブ
ルと、該チャックテーブルに対峙して配設された研磨手
段と、該研磨手段を構成する研磨砥石と半導体ウェーハ
とに研磨水を供給する研磨水供給手段とを少なくとも含
む研磨装置によって半導体ウェーハを研磨する研磨方法
であって、 前記チャックテーブルに保持された半導体ウェーハの面
に回転する前記研磨砥石を接触させて研磨水を供給しな
がら前記半導体ウェーハを研磨する際に、前記研磨水が
前記半導体ウェーハと前記研磨砥石との接触部に侵入す
るようにガスを噴射して研磨を遂行する研磨方法。 - 【請求項２】研磨を遂行する際にチャックテーブルが回
転する請求項１に記載の研磨方法。 - 【請求項３】研磨砥石の内側から研磨水を供給すると共
にガスを噴射する請求項１、２に記載の研磨方法。 - 【請求項４】ガスはエアーである請求項１、２、３に記
載の研磨方法。 - 【請求項５】半導体ウェーハが、２００μｍ以下に研磨
される請求項１、２、３、４に記載の研磨方法。 - 【請求項６】被加工物を保持するチャックテーブルと、
研磨砥石を含み前記チャックテーブルに対峙して配設さ
れた研磨手段と、前記研磨砥石と前記被加工物とに研磨
水を供給する研磨水供給手段と、前記被加工物と前記研
磨砥石との接触部に前記研磨水を侵入させるためのガス
噴射手段とを少なくとも含む研磨装置。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22040697A JPH1158234A (ja) | 1997-08-15 | 1997-08-15 | 研磨方法及び研磨装置 |
| SG1998001826A SG70097A1 (en) | 1997-08-15 | 1998-07-20 | Apparatus and method for machining workpieces by flushing working liquid to the tool-and-workpiece interface |
| TW087112344A TW434098B (en) | 1997-08-15 | 1998-07-28 | Apparatus and method for machining workpieces |
| US09/124,753 US6095899A (en) | 1997-08-15 | 1998-07-29 | Apparatus and method for machining workpieces by flushing working liquid to the tool-and-workpiece interface |
| EP01107409A EP1110669A3 (en) | 1997-08-15 | 1998-07-30 | Apparatus and method for cutting workpieces by flushing working liquid to the tool-and-workpiece interface |
| EP98114334A EP0897778A1 (en) | 1997-08-15 | 1998-07-30 | Apparatus and method for machining workpieces by flushing working liquid to the tool-and-workpiece interface |
| CN98116767A CN1126639C (zh) | 1997-08-15 | 1998-07-31 | 磨削半导体晶片的方法 |
| MYPI98003543A MY120753A (en) | 1997-08-15 | 1998-08-03 | Apparatus and method for machining workpieces by flushing working liquid to the tool-and-workpiece interface |
| KR10-1998-0032175A KR100486137B1 (ko) | 1997-08-15 | 1998-08-07 | 가공장치 및 가공방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22040697A JPH1158234A (ja) | 1997-08-15 | 1997-08-15 | 研磨方法及び研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1158234A true JPH1158234A (ja) | 1999-03-02 |
Family
ID=16750628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22040697A Withdrawn JPH1158234A (ja) | 1997-08-15 | 1997-08-15 | 研磨方法及び研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1158234A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007296601A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削ホイール |
| JP2009049431A (ja) * | 2008-11-10 | 2009-03-05 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨方法 |
| CN112123212A (zh) * | 2020-10-16 | 2020-12-25 | 苏州赫瑞特电子专用设备科技有限公司 | 一种双面精密磨床的上盘腔式水冷结构 |
-
1997
- 1997-08-15 JP JP22040697A patent/JPH1158234A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007296601A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削ホイール |
| JP2009049431A (ja) * | 2008-11-10 | 2009-03-05 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨方法 |
| CN112123212A (zh) * | 2020-10-16 | 2020-12-25 | 苏州赫瑞特电子专用设备科技有限公司 | 一种双面精密磨床的上盘腔式水冷结构 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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Effective date: 20040507 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
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