JPH1167145A - 冷却型光電子増倍管 - Google Patents

冷却型光電子増倍管

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JPH1167145A
JPH1167145A JP9229441A JP22944197A JPH1167145A JP H1167145 A JPH1167145 A JP H1167145A JP 9229441 A JP9229441 A JP 9229441A JP 22944197 A JP22944197 A JP 22944197A JP H1167145 A JPH1167145 A JP H1167145A
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JP
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tube
support
support substrate
supporting
cooled
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JP9229441A
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English (en)
Inventor
Naohisa Tateishi
直久 立石
Yuji Masuda
祐司 増田
Akira Atsumi
明 渥美
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Hamamatsu Photonics KK
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Hamamatsu Photonics KK
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04Electron multipliers

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  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 冷却効率が向上した光電子増倍管を提供する
ことである。 【解決手段】 開口を有する管1と、前記管の前記開口
を封止する蓋部材14aと、前記蓋部材に熱的に接続さ
れた冷却器21と、前記管内に配置され光電陰極材料を
支持する支持基板5と、前記支持基板を前記管内におけ
る所定の位置において支持する支持部材10,11と、
前記蓋部材に固定され前記支持基板の一端部をその内面
で挟む把持機構13とを備えた冷却型光電子増倍管にお
いて、前記支持部材は前記支持基板が位置する切込部1
0aを有すると共にこの切込部の壁面に前記支持基板を
支持する支持基板支持突起10bを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光電陰極材料の冷
却を行う冷却型光電子増倍管に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の冷却型光電子増倍管は、特開平8
−17390号公報に記載されている。この冷却型光電
子増倍管は、図8に示すように、開口を有する管1と、
管1の開口を封止する蓋部材14aと、蓋部材14aに
熱的に接続された冷却器21と、管1内に配置された支
持基板5と、支持基板5上に形成された光電陰極材料4
と、支持基板5を位置決めし保持する第1及び第2絶縁
体基板10,11と、蓋部材14aに固定され、支持基
板5の一端部5Aをその内面で挟む把持機構13とを備
え、冷却器21により支持基板5の冷却を行っている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
冷却型光電子増倍管においては、支持基板5と第1及び
第2絶縁体基板10,11との接触面積が大きいことか
ら冷却器21により支持基板5を冷却する際に、同時に
第1及び第2絶縁体基板10,11を冷却することにな
り支持基板5のみを効果的に冷却することができず冷却
効率が不十分であった。
【0004】本発明の課題は、さらに高い冷却効率を有
する冷却型光電子増倍管を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の冷却型光
電子増倍管は、開口を有する管と、前記管の前記開口を
封止する蓋部材と、前記蓋部材に熱的に接続された冷却
器と、前記管内に配置され光電陰極材料を支持する支持
基板と、前記支持基板を前記管内における所定の位置に
おいて支持する支持部材と、前記蓋部材に固定され前記
支持基板の一端部をその内面で挟む把持機構とを備えた
冷却型光電子増倍管において、前記支持部材は前記支持
基板が位置する切込部を有すると共にこの切込部の壁面
に前記支持基板を支持する支持基板支持突起を有するこ
とを特徴とする。
【0006】この請求項1記載の冷却型光電子増倍管に
よれば、支持基板を支持部材の切込部に設けられた支持
基板支持突起により支持するため、支持基板と支持部材
の接触面積を非常に小さくすることができ、冷却器によ
って支持基板を冷却する場合に冷却熱が支持部材に分散
することを防止することができる。したがって、支持基
板を蓋部材を介して冷却器により冷却すると光電陰極材
料が従来よりも高い効率で冷却される。
【0007】また、請求項2記載の冷却型光電子増倍管
は、請求項1記載の冷却型光電子増倍管において前記支
持基板支持突起が前記支持部材の前記切込部の両方の前
記壁面にそれぞれ複数個設けられていることを特徴とす
る。
【0008】この請求項2記載の冷却型光電子増倍管に
よれば、支持部材の切込部の両方の壁面にそれぞれ複数
個設けられている支持基板支持突起により支持基板を支
持するため支持基板の支持を確実に行うことができる。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態に係る冷却型光電子増倍管について説明する。
なお、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号
を用いるものとし、重複する説明は省略する。
【0010】図1は、サイドオン型の冷却型光電子増倍
管を管軸に平行に切った断面図である。本光電子増倍管
は、2つの開口を有する管(ガラスバルブ)1、この管
1の一方の開口を封止する金属製の蓋部材14a及び管
1の他方の開口を封止するステム8を備えており、管
1、蓋部材14a及びステム8により内部に減圧環境を
提供する真空容器を形成している。管1は円筒状の透明
なガラスバルブであり、その側壁はこれに入射した光を
透過させる。本光電子増倍管は管1内に配置された検出
器本体2を備えている。
【0011】検出器本体2は管1の側方から内部に入射
した光を光電変換し、光電変換により発生した電子を減
圧環境下で増倍して電気信号として光電子増倍管の外部
に出力する。本光電子増倍管は、蓋部材14aの一方面
に固定され、当該蓋部材14aを冷却するため、これに
熱的に接続された冷却器21と、蓋部材14aの他方面
に固定され、検出器本体2の上端部分5Aを挟んで支持
する把持機構13と備えている。したがって、蓋部材1
4aが冷却器21によって冷却されると、把持機構13
を介して検出器本体2の上端部分5Aが冷却される。
【0012】検出器本体2は、光電変換を行う光電陰極
材料(光電変換部)4がその上に形成された金属製の支
持基板5を備えている。検出器本体2の上端部分5A
は、熱伝導性及び電気的導通性の良い支持基板5の一部
分を構成しているため、冷却器21で蓋部材14aを冷
却することにより、支持基板5が冷却され光電陰極材料
4が冷却される。
【0013】図2は、光電子増倍管の第1絶縁基板10
が見える位置における管軸に垂直な断面図である。検出
器本体2は、上記光電陰極材料4がその表面に形成され
た支持基板5と、管1の側壁と光電陰極材料4との間に
配置され電子軌道を変化させる格子電極3と、光電陰極
材料4から放出された光電子を順次増倍させる複数段の
ダイノード6と、増倍された光電子を収集して出力信号
として取り出す陽極30と、格子電極3から陽極30ま
での間で高電圧を順次印加する複数のピン端子7とを備
えている。
【0014】ここで支持基板5上に形成された光電陰極
材料4、格子電極3及びダイノード6等は、第1及び第
2絶縁基板(支持部材)10,11の間に配置、固定さ
れている。第1絶縁基板10は、円板状の形状を有して
おり支持基板5を位置させるための切込部10aを有し
ている。切込部10aは第1絶縁基板10の外周部より
中心部に向かって延びており、その両方の壁面に支持基
板5を支持するための支持基板支持突起10bを2個ず
つ有している。従って、支持基板5は、第1絶縁基板1
0の切込部10aに位置すると共に支持基板支持突起1
0bの先端が支持基板5に接触することにより管1内の
所定位置において支持される。なお、第2絶縁基板11
の形状は、第1絶縁基板10の形状と同一の形状であ
る。
【0015】従って、支持基板5は、第1絶縁基板10
の切込部10aに設けられた4個の支持基板支持突起1
0b及び第2絶縁基板11の切込部に設けられた4個の
支持基板支持突起のみにより第1及び第2絶縁基板1
0,11と接触し、接触面積を非常に小さくすることが
できる。これにより蓋部材14aを冷却器21によって
冷却し支持基板5を冷却する場合に、冷却熱が第1及び
第2絶縁基板10,11に分散することを防止すること
ができるため光電陰極材料4を効果的に冷却することが
できる。なお、支持基板5を支持基板支持突起10bに
より支持する光電子増倍管を数本試作し冷却効率を調査
したところ、従来品よりも平均で1.8℃低く冷却する
ことができた。
【0016】また、第1及び第2絶縁基板10,11に
より支持されている支持基板5は、第1絶縁体基板10
の上方及び第2絶縁体基板11の下方に突出すると共
に、特に第1絶縁体基板10からの突出量が多くなって
いる。支持基板5の頂部には幅広の接合片5Aが形成さ
れ、この接合片5Aには、コンタクト部材12のコンタ
クト片13が接合されている。コンタクト片13は、熱
伝導体14の一部を構成する導電板14aに固設され、
支持基板5に向けて突出させられている。
【0017】上記ピン端子7はステム8に固定されてお
り、ステム8には製造時に管1内を排気するためのチュ
ーブ9が貫通している。なお、複数のピン端子7のうち
で支持基板5に連結されるピン端子7aは、極めて低い
温度になるので、ピン端子7aと支持基板5との間の結
線Lの途中には、結露防止用のコイルKが設けてある。
なお、本実施の形態において、光電変換部4はカソード
板としての支持基板5上に蒸着されたCs−O等を含ん
で仕事関数を低下させる光電変換材料として説明する
が、このような材料を表面に蒸着形成したカソード板の
一部又は全部をシ−ルド板に貼り付けたものとしてよ
く、この場合には、シールド板とカソード板とが合体し
て支持基板5として作用する。
【0018】図1及び図3に示すように、コンタクト部
材12は、バネ弾性を有するCuBe材からなると共に
板厚0.3mm、板幅5mm程度を有する第1及び第2
コンタクト片13A,13Bからなるコンタクト片(把
持機構)13と、把持機構13と蓋部材14との間に介
在するホルダー板15とから構成されている。
【0019】第1コンタクト片13Aは、ホルダー板1
5に固定される第1脚部13aと、この第1脚部13a
の一端から直角に延在する第1弾性部13bと、90°
の曲げ角度を有する第1折曲げ部13cを介して第1弾
性部13bから内方に延在する第2弾性部13dと、9
0°の曲げ角度を有する第2折曲げ部13eを介して第
2弾性部13dから内方に延在する第3弾性部13fと
を備えている。また、第2コンタクト片13Bは、ホル
ダー板15に固定される第2脚部13gと、この第2脚
部13gの一端から直角に延在する第4弾性部13h
と、90°の曲げ角度を有する第3折曲げ部13iを介
して第4弾性部13hから内方に延在する第5弾性部1
3jとを備えている。
【0020】ここで、第5弾性部13jの遊端は、第3
弾性部13fの遊端と重なるように係合している。従っ
て、第2弾性部13dと第2折曲げ部13eと第3弾性
部13fと第5弾性部13jとにより、支持基板5の接
合片5Aを収容する収容部Pが画成される。この収容部
Pの中央は、第3弾性部13fと第5弾性部13jとの
重なりにより、接合片5Aの板厚Hより狭くなってい
る。そこで、支持基板5の接合片5Aを、矢印A方向か
ら収容部Pに挿入することによって、収容部Pは接合片
5Aによって押し広げられることになる。その結果、支
持基板5の接合片5Aは、第1コンタクト片13Aと第
2コンタクト片13Bとの協働により、収容部P内で弾
発的に挟み込まれ、コンタクト片13と面接触すること
になる。従って、検出器本体2を管1内に挿入する組立
て作業において、支持基板5と熱導電体14とを、コン
タクト片13を介してワンタッチで結合させることがで
きる。
【0021】ここで、コンタクト片13から構成される
把持機構の内面と接合片5Aとの間には僅かな隙間が部
分的にできている。したがって、従来、この隙間が把持
機構13と接合片5Aとの間の熱伝達効率を低下させて
いたため、支持基板5の冷却効率を上げることができな
かった。そこで、光電陰極材料4への影響が少なく、1
70℃程度の温度で溶融するインジウム材料100を、
把持機構13の内面と接合片5Aとの間の僅かな隙間に
充填するようにし、冷却効率を増加させる。ここで、接
合片5Aは直径2〜3mmの開口5Bを有している。こ
の開口5Bは、インジウム材料100の充填工程に用い
られる。すなわち、開口5B内にインジウム材料100
を充填した後、接合片5Aを把持機構13によって挟持
させる。この後、接合片5Aが加熱されるように蓋部材
14aを170℃程度の温度で加熱し、インジウム材料
100を溶かして、これを把持機構13の内面と接合片
5Aとの間の僅かな隙間に充填し、さらにこれを冷却し
て把持機構13の内面と接合片5Aとを固定する。この
ようにして充填されたインジウム材料100は、接合片
5Aに設けられた開口の近傍に位置する。なお、このイ
ンジウム材料100を用いる光電子増倍管を数本試作し
冷却効率を調査したところ光電子増倍管の接合片5A
は、従来品よりも平均で3.8℃低く冷却することがで
きた。
【0022】図1に示すように、熱伝導体14は、管1
の開放端を塞ぐように、管1に対し高周波加熱で融着さ
れたコバール金属製の導電板14aと、熱伝導性及び電
気的絶縁性の良好な樹脂製接着剤[好適にはRボンド
(商品名)]16を介して接着されたCu又はAl材か
らなる載置台14bとで構成されている。ここで、管1
の頂部の外周面には、シリコンゴム製の円筒状リング1
7が装着され、このリング17は、熱伝導体14を収容
する形状になっている。従って、このリング17を利用
することにより、管1の頂部での結露を防止することが
できると共に、製造工程の省力化を図ることができる。
すなわち、リング17を利用することにより、接着剤1
6の流出を防止し、熱伝導体14の位置決めを確実なら
しめることができる。
【0023】載置台14b上には、冷却装置21の一部
を構成するペルチェ素子18の低温側の低温板18aが
直接的に固着されている。そして、ペルチェ素子18の
高温側の高温板18bには、冷却装置21の一部を構成
する放熱フィン19aを備えたヒートシンク19が固定
されている。なお、ペルチェ素子18は、低温板18a
と高温板18bとの間に、低温板18aから高温板18
bへ吸い上げられた熱を印加電圧により冷却する熱電冷
却部18cを有している。また、ペルチェ素子18は、
一対のプラスチック製ねじ20によって載置台14bと
ヒートシンク19との間で挟持されている。これらねじ
20は、一端を載置台14bに穿設させると共に、他端
をヒートシンク19に固設させている。
【0024】次に、本発明の冷却装置付き光電検出器の
動作について説明する。ピン端子7を介して、検出器本
体2に高電圧を印加する。その結果、光入射に応じて光
電変換部4すなわち光電面から光電子が発生し、この光
電子が複数のダイノード6によって順次増倍され、この
増倍された光電子は出力信号として陽極30で収集され
る。また、光電変換部4すなわち光電面のもつ熱によ
り、光電面から不要な熱電子が放出されることになる。
そこで、光電変換部4のもつ熱は、支持基板5に接合さ
れたコンタクト片13を介して、ペルチェ素子18の低
温板18aから高温板18bに吸い上げられながら、ペ
ルチェ効果により冷却され続けることになるので、光電
面からの熱電子の発生を低減させることができる。
【0025】次に、本実施の形態に係る光電子増倍管の
製造方法について説明する。図4に示すように、先ず、
両端が開放された管1の一端に、熱導電体14の一部を
なす導電板14aを高周波加熱により融着する。その
後、導電板14aの内方面14cに、コンタクト部材1
2のホルダー板15を電気溶接で固定する。その後、管
1の他端から検出器本体2を挿入しながら、支持基板5
の接合片5Aをコンタクト片13の収容部P内へ押し込
む。その結果、支持基板5の接合片5Aは、第1コンタ
クト片13Aと第2コンタクト片13Bとの協働によ
り、収容部P内で弾発的に挟み込まれ、コンタクト片1
3と面接触する。
【0026】その後、図5に示すように、管1とステム
8とを酸素バーナ等で融着させる。その結果、管1は、
導電板14aとステム8とで密封されることになる。し
かる後、蓋部材14aを170℃以上の温度で加熱する
ことにより、接合片5Aを間接的に加熱し、開口5B内
に予め充填されたインジウム材料100を溶融し、把持
機構13の内面と接合片5Aとの間の隙間にインジウム
材料100を充填し、これらを固定する。その後、チュ
ーブ9を介して、管1内を矢印B方向に真空引きしなが
ら、最終的に管1内を10-8torrにする。この時、
光電変換部4及びダイノ−ド6には、Sbが予め蒸着さ
れているので、適量のNa,K,Cs,Rbの少なくと
も一つを、チューブ9により送り込むことで、管1内で
アルカリ活性が行われる。その後、チューブ9の端部を
塞ぎ、管1を完全に密封する。なお、上記インジウムの
溶融工程と、光電変換部4のアルカリ活性工程とは、支
持基板5を200℃以上の温度で加熱することにより同
時に行うことができる。
【0027】その後、シリコンゴム製のリング17を管
1に嵌め込みながら、リング17の爪部17aを導電板
14aに当設させる。その後、爪部17aと導電板14
aとで形成された空間部17bに、熱伝導性及び電気的
絶縁性の良い樹脂製接着剤(好適にはRボンド[商品
名])16を流し込む。その後、リング17内に載置台
14bを上方から挿入することによって、接着剤16及
び爪部17aを介して、導電板14aに載置台14bを
固定し、熱伝導体14の組み立て作業が終了する。な
お、接着剤16と載置台14bとの間に隙間が生じない
ように、載置台14bをしっかり押し込むことが必要で
ある。熱伝導体14の組み立て作業終了後、一定時間
(例えば一晩)放置することで接着剤16は固化し、載
置台14bと導電板14aとを確実に固定することがで
きる。
【0028】その後、図6に示すように、載置台14b
上にペルチェ素子18の低温板18aを当設させ、その
後、ヒートシンク19の端面19bをペルチェ素子18
の高温板18bに当設させる。その後、2本のねじ20
を、ヒートシンク19の貫通孔19c内に挿入しなが
ら、載置台14bの雌ねじ部14dに螺合させる。その
結果、冷却装置21は、熱伝導体14に対し適切に位置
決めされることになる。
【0029】本発明の光電子増倍管は前述した実施の形
態に限定されるものではない。例えば、図7に示すよう
に、1対のコンタクト片13A、13Bからなる把持機
構13と蓋部材14aとをセラミックスで一体に形成す
ることも可能である。この把持機構13は、直線状で互
いに平行に配設した2本の第1及び第2コンタクト片1
3A,13Bからなると共に、接合片5Aの板厚Hより
僅かに狭められた幅を有する収容部Pを有している。従
って、管1の一端に蓋部材14aを固設する作業によ
り、把持機構13を管1内に簡単に位置決めすることが
できる。そして、第1及び第2コンタクト片13A,1
3Bによって接合片5A弾性挾持させた後に、インジウ
ムからなる充填材料100によってこれらを固定するこ
とで、上述のように冷却効率を高めることができる。な
お、セラミック製の蓋部材14aとガラス製の管1と
は、適切な金属部材22を介して固設することによっ
て、接合がより強固になる。ここで、蓋部材14aとコ
ンタクト片13とをセラミックスで一体成形する効果と
しては、セラミックス自体に電気絶縁性があるので、ペ
ルチェ素子18と熱伝導体14との間に電気絶縁部材を
設ける必要がなく、従って、熱伝導効率をさらに向上さ
せることができる。なお、冷却器としては水冷式のもの
を用いてもよい。
【0030】以上、説明したように、本発明の実施の形
態にかかる冷却型光電子増倍管によれば、支持基板5
は、第1絶縁基板10の切込部10aに設けられた4個
の支持基板支持突起10b及び第2絶縁基板11の切込
部に設けられた4個の支持基板支持突起のみにより第1
及び第2絶縁基板10,11と接触し、接触面積を非常
に小さくすることができるため、蓋部材14aが冷却器
21によって冷却し支持基板5を冷却する場合に、冷却
熱が第1及び第2絶縁基板10,11に分散することを
防止することができるため光電陰極材料4を効果的に冷
却することができ、冷却効率を向上させることができ
る。
【0031】なお、上記実施の形態においては、第1絶
縁基板10の切込部10aの両方の壁面に支持基板5を
支持するための支持基板支持突起10bを2個ずつ有し
ている場合について説明したが、これに限定されるもの
ではなく、第1絶縁基板10の切込部10aの一方の壁
面に支持基板支持突起10bを1個設け、他方の壁面に
支持基板支持突起10bを2個設けても良い(第2絶縁
基板11についても同様である)。この場合には、第1
絶縁基板10と支持基板5との接触面積を更に小さくす
ることができるため、光電陰極材料4を更に効果的に冷
却することができる。
【0032】また、上記実施の形態においては、格子電
極3を単体の部品として構成して、支持基板5等と共に
第1絶縁基板10及び第2絶縁基板11の間に配置して
いるが、例えばITO等の導電性の透明電極材料を管1
の内壁面に蒸着することにより格子電極3を形成するよ
うにしても良い。
【0033】
【発明の効果】本発明によれば、支持基板を支持部材の
切込部に設けられた支持基板支持突起により支持するた
め、支持基板と支持部材の接触面積を非常に小さくする
ことができ、冷却器によって支持基板を冷却する場合に
冷却熱が支持部材に分散することを防止することができ
る。従って、光電陰極材料を効果的に冷却することがで
き冷却効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態に係る光電子増倍管の縦断面図。
【図2】実施の形態に係る光電子増倍管の横断面図。
【図3】コンタクト部材を示す拡大断面図。
【図4】ガラスバルブ内に検出器本体及びコンタクト部
材を挿入する工程を示す断面図。
【図5】ガラスバルブの端部に載置台を配設する工程を
示す断面図。
【図6】載置台に冷却器を固定する工程を示す断面図。
【図7】コンタクト片の他の実施例を示す断面図。
【図8】従来の光電子増倍管の縦断面図。
【符号の説明】
1…管、4…光電陰極材料、5…支持基板、10…第1
絶縁基板、10a…切込部、10b…支持基板支持突
起、11…第2絶縁基板、13…把持機構、14a…蓋
部材、21…冷却器、100…インジウム材料。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 開口を有する管と、前記管の前記開口を
    封止する蓋部材と、前記蓋部材に熱的に接続された冷却
    器と、前記管内に配置され光電陰極材料を支持する支持
    基板と、前記支持基板を前記管内における所定の位置に
    おいて支持する支持部材と、前記蓋部材に固定され前記
    支持基板の一端部をその内面で挟む把持機構とを備えた
    冷却型光電子増倍管において、 前記支持部材は前記支持基板が位置する切込部を有する
    と共に、この切込部の壁面に前記支持基板を支持する支
    持基板支持突起を有することを特徴とする冷却型光電子
    増倍管。
  2. 【請求項2】 前記支持基板支持突起は、前記支持部材
    の前記切込部の両方の前記壁面にそれぞれ複数個設けら
    れていることを特徴とする請求項1記載の冷却型光電子
    増倍管。
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