JPH1167978A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH1167978A JPH1167978A JP9229694A JP22969497A JPH1167978A JP H1167978 A JPH1167978 A JP H1167978A JP 9229694 A JP9229694 A JP 9229694A JP 22969497 A JP22969497 A JP 22969497A JP H1167978 A JPH1167978 A JP H1167978A
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- Japan
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- semiconductor device
- sealing resin
- lead frame
- package
- semiconductor element
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッケージを小型化し、耐湿性および実装上
の信頼性を向上させる。 【解決手段】 半導体素子１を接着剤３によってリード
フレーム４のダイパッド２に接着し、ワイヤー５を用い
て半導体素子１とリードフレーム４のインナーリード４
aとを接続する。その後、エポキシ系樹脂などの封止用
樹脂６によって装置全体のパッケージを形成する。この
とき、封止用樹脂６の底面における略中央に突起部10が
形成されるようにし、この突起部10の両側においてリー
ドフレーム４のアウターリード4bにおける底面のみを露
出させる。
の信頼性を向上させる。 【解決手段】 半導体素子１を接着剤３によってリード
フレーム４のダイパッド２に接着し、ワイヤー５を用い
て半導体素子１とリードフレーム４のインナーリード４
aとを接続する。その後、エポキシ系樹脂などの封止用
樹脂６によって装置全体のパッケージを形成する。この
とき、封止用樹脂６の底面における略中央に突起部10が
形成されるようにし、この突起部10の両側においてリー
ドフレーム４のアウターリード4bにおける底面のみを露
出させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に係
り、特にその外形とパッケージの構成に関するものであ
る。
り、特にその外形とパッケージの構成に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体素子におけるパッケー
ジの構成に関する技術として数種のものが知られてい
る。図３〜図５は従来の半導体装置の構成を説明するた
めの断面図であり、各図において、１は半導体素子、２
はリードフレーム４のダイパッド、そしてダイパッド２
は接着剤３によって半導体素子１と接着される。５はリ
ードフレーム４におけるインナーリード部４aと半導体
素子１とを接続するワイヤー、６は半導体素子１，リー
ドフレーム４，ワイヤー５を全体的に覆うパッケージと
しての封止用樹脂であって、４bはリードフレーム４を
外部に導出する部位であるアウターリード(外部端子)部
である。
ジの構成に関する技術として数種のものが知られてい
る。図３〜図５は従来の半導体装置の構成を説明するた
めの断面図であり、各図において、１は半導体素子、２
はリードフレーム４のダイパッド、そしてダイパッド２
は接着剤３によって半導体素子１と接着される。５はリ
ードフレーム４におけるインナーリード部４aと半導体
素子１とを接続するワイヤー、６は半導体素子１，リー
ドフレーム４，ワイヤー５を全体的に覆うパッケージと
しての封止用樹脂であって、４bはリードフレーム４を
外部に導出する部位であるアウターリード(外部端子)部
である。
【０００３】そして、図３に示す半導体装置おいては、
通常のＱＦＰ(Quad Flad L-LeadedPackage)やＳＯＰ(Sm
all Outline L-Leaded Package)のごとく、アウターリ
ード部４bは封止用樹脂６の側面から引き出され、アウ
ターリード部４bの端部が曲げ加工されて、その端面が
封止用樹脂６の底面よりも少し下面に位置するように設
けられている。
通常のＱＦＰ(Quad Flad L-LeadedPackage)やＳＯＰ(Sm
all Outline L-Leaded Package)のごとく、アウターリ
ード部４bは封止用樹脂６の側面から引き出され、アウ
ターリード部４bの端部が曲げ加工されて、その端面が
封止用樹脂６の底面よりも少し下面に位置するように設
けられている。
【０００４】図４に示す半導体装置おいては、インナー
リード部４aを少し下に曲げて、封止用樹脂６の底面に
おける端部にアウターリード部４bを露出するようにし
ている。
リード部４aを少し下に曲げて、封止用樹脂６の底面に
おける端部にアウターリード部４bを露出するようにし
ている。
【０００５】図５に示す半導体装置おいては、封止用樹
脂６の底面にダイパッド２の裏面と、アウターリード部
4bを含むリードフレーム４の底面全体を露出するように
している。
脂６の底面にダイパッド２の裏面と、アウターリード部
4bを含むリードフレーム４の底面全体を露出するように
している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の半導体装置のパッケージ、すなわち封止用
樹脂６の構造においては、下記のような問題があった。
ような従来の半導体装置のパッケージ、すなわち封止用
樹脂６の構造においては、下記のような問題があった。
【０００７】すなわち、図３に示す半導体装置では、パ
ッケージサイズが大きくなるという問題があり、また、
図４に示す半導体装置では、インナーリード部４aを曲
げる必要があり、さらに本装置をプリント基板に半田付
けする際に、パッケージ底面が平坦な面であるため、余
分な半田の逃げ場がなく、ショート不良の原因となって
いた。さらに、図５においては、小型化には適している
が前記と同様に半田の逃げ場がないことと、ダイパット
裏面も露出しているためダイパット側面からの水分が入
りやすく耐湿性に問題があった。
ッケージサイズが大きくなるという問題があり、また、
図４に示す半導体装置では、インナーリード部４aを曲
げる必要があり、さらに本装置をプリント基板に半田付
けする際に、パッケージ底面が平坦な面であるため、余
分な半田の逃げ場がなく、ショート不良の原因となって
いた。さらに、図５においては、小型化には適している
が前記と同様に半田の逃げ場がないことと、ダイパット
裏面も露出しているためダイパット側面からの水分が入
りやすく耐湿性に問題があった。
【０００８】そして上記の問題は、近年において、集積
度を増す半導体集積回路にあって、より重要な問題とな
り、また実装信頼性の向上が要望される中でその解決が
強く望まれている。
度を増す半導体集積回路にあって、より重要な問題とな
り、また実装信頼性の向上が要望される中でその解決が
強く望まれている。
【０００９】本発明は、前記従来の問題を解決するもの
であり、パッケージが小型化し、耐湿性に優れ、しかも
実装上の信頼性が向上する半導体装置を提供することを
目的とする。
であり、パッケージが小型化し、耐湿性に優れ、しかも
実装上の信頼性が向上する半導体装置を提供することを
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、封止用樹脂の底面を突起させて、封止用
樹脂の底面とリードフレームにおけるアウターリード部
分とに段差を設け、封止用樹脂の底面においてアウター
リード部分の底面のみを露出させたものであり、この構
成によって、封止用樹脂によるパッケージの小型化が図
れ、アウターリード部分の底面のみを露出させたことに
よって耐湿性が向上し、しかも封止用樹脂の突起を利用
することにより、プリント基板への実装上の信頼性を向
上させることができる半導体装置を提供することが可能
になる。
め、本発明は、封止用樹脂の底面を突起させて、封止用
樹脂の底面とリードフレームにおけるアウターリード部
分とに段差を設け、封止用樹脂の底面においてアウター
リード部分の底面のみを露出させたものであり、この構
成によって、封止用樹脂によるパッケージの小型化が図
れ、アウターリード部分の底面のみを露出させたことに
よって耐湿性が向上し、しかも封止用樹脂の突起を利用
することにより、プリント基板への実装上の信頼性を向
上させることができる半導体装置を提供することが可能
になる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の発明は、
リードフレームのダイパッド上に半導体素子を接着剤に
よって固定し、半導体素子をリードフレームのインナー
リード部分にワイヤーによって接続して、全体を封止用
樹脂によって覆ってなる半導体装置であって、前記封止
用樹脂の底面を突起させて、封止用樹脂の底面と前記リ
ードフレームのアウターリード部分とに段差を設け、前
記封止用樹脂の底面において前記アウターリード部分の
底面のみを露出させたことを特徴とし、この構成によっ
て、封止用樹脂によるパッケージを小型化することがで
き、しかもダイパッドとインナーリード部分がパッケー
ジによって覆われるため、当該部材の防湿性が向上し、
さらにプリント基板への半田付けもアウターリード部分
とパッケージ間に段差が存在するためショート不良にな
りにくく、実装時にその段差部分の突起を位置基準など
に使用することによって、実装の整合性が高まる。
リードフレームのダイパッド上に半導体素子を接着剤に
よって固定し、半導体素子をリードフレームのインナー
リード部分にワイヤーによって接続して、全体を封止用
樹脂によって覆ってなる半導体装置であって、前記封止
用樹脂の底面を突起させて、封止用樹脂の底面と前記リ
ードフレームのアウターリード部分とに段差を設け、前
記封止用樹脂の底面において前記アウターリード部分の
底面のみを露出させたことを特徴とし、この構成によっ
て、封止用樹脂によるパッケージを小型化することがで
き、しかもダイパッドとインナーリード部分がパッケー
ジによって覆われるため、当該部材の防湿性が向上し、
さらにプリント基板への半田付けもアウターリード部分
とパッケージ間に段差が存在するためショート不良にな
りにくく、実装時にその段差部分の突起を位置基準など
に使用することによって、実装の整合性が高まる。
【００１２】以下、本発明の実施形態を図面を用いて詳
細に説明する。なお、図３〜図５に基づいて説明した部
材に対応する部材には同一符号を付して詳しい説明は省
略する。
細に説明する。なお、図３〜図５に基づいて説明した部
材に対応する部材には同一符号を付して詳しい説明は省
略する。
【００１３】図１は本発明の一実施形態を説明するため
の半導体装置の断面図であり、具体例として、3.5mm×
3.5mmの半導体素子１を、銀ペーストの接着剤３によっ
て、4.0mm×4.0mmのリードフレーム４のダイパッド２に
接着する。そして直径25μmの金線からなるワイヤー５
を用いて半導体素子１とリードフレーム４のインナーリ
ード４aとを接続する。その後、エポキシ系樹脂などの
封止用樹脂６によって装置全体のパッケージを形成する
ためトランスファ成型を行う。
の半導体装置の断面図であり、具体例として、3.5mm×
3.5mmの半導体素子１を、銀ペーストの接着剤３によっ
て、4.0mm×4.0mmのリードフレーム４のダイパッド２に
接着する。そして直径25μmの金線からなるワイヤー５
を用いて半導体素子１とリードフレーム４のインナーリ
ード４aとを接続する。その後、エポキシ系樹脂などの
封止用樹脂６によって装置全体のパッケージを形成する
ためトランスファ成型を行う。
【００１４】このとき、封止用樹脂６の底面の略中央に
突起部10が形成されるようにする。その本例では突起部
10を幅5.5mm×長さ5.5mm，高さ0.2mmと設定した。突起
部10の両側におけるリードフレーム４のアウターリード
４bの底面における露出長さＳは封止用樹脂６の端面か
ら0.65mmとなった。そして、封止用樹脂６の端面よりは
み出したアウターリード４bを金型にて切断することに
よって、図１に示すような半導体装置が得られる。
突起部10が形成されるようにする。その本例では突起部
10を幅5.5mm×長さ5.5mm，高さ0.2mmと設定した。突起
部10の両側におけるリードフレーム４のアウターリード
４bの底面における露出長さＳは封止用樹脂６の端面か
ら0.65mmとなった。そして、封止用樹脂６の端面よりは
み出したアウターリード４bを金型にて切断することに
よって、図１に示すような半導体装置が得られる。
【００１５】なお、リードフレーム４のインナーリード
４aとアウターリード４bに対する外装メッキとしてパラ
ジウムメッキなどを施すが、これに限定されず、例えば
インナーリード４aには銀メッキを施し、アウターリー
ド４bには半田メッキを行ったものを用いてもよい。
４aとアウターリード４bに対する外装メッキとしてパラ
ジウムメッキなどを施すが、これに限定されず、例えば
インナーリード４aには銀メッキを施し、アウターリー
ド４bには半田メッキを行ったものを用いてもよい。
【００１６】図２は図１に示す半導体装置をプリント基
板に実装したときの状態を説明するための断面図であ
り、20はプリント基板、21はプリント基板20に設けられ
た凹部、22はプリント基板20の表面に設けられた電極、
23は半田ペーストである。
板に実装したときの状態を説明するための断面図であ
り、20はプリント基板、21はプリント基板20に設けられ
た凹部、22はプリント基板20の表面に設けられた電極、
23は半田ペーストである。
【００１７】プリント基板20において、図１に示す半導
体装置における突起部10が、プリント基板20の上面に当
たらないように、幅6.0mm，長さ6.0mm，深さ0.22mmの凹
部21を予め設け、そのプリント基板20の電極22に半田ペ
ースト23をスクリーン印刷によって塗布する。そして図
１に示す半導体装置を位置合わせをしてプリント基板20
に搭載する。しかる後、エアーリフローによって半田付
けを行い、半導体装置のアウターリード４bとプリント
基板20の電極22とを電気的に接続かつ固定させることに
よって実装が完了する。
体装置における突起部10が、プリント基板20の上面に当
たらないように、幅6.0mm，長さ6.0mm，深さ0.22mmの凹
部21を予め設け、そのプリント基板20の電極22に半田ペ
ースト23をスクリーン印刷によって塗布する。そして図
１に示す半導体装置を位置合わせをしてプリント基板20
に搭載する。しかる後、エアーリフローによって半田付
けを行い、半導体装置のアウターリード４bとプリント
基板20の電極22とを電気的に接続かつ固定させることに
よって実装が完了する。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わる半
導体装置によれば、パッケージが小型化できるととも
に、ダイパッドおよびインナーリードの先端が樹脂で覆
われるため耐湿性を十分に確保することができる。
導体装置によれば、パッケージが小型化できるととも
に、ダイパッドおよびインナーリードの先端が樹脂で覆
われるため耐湿性を十分に確保することができる。
【００１９】また、実装時のプリント基板における半田
付けもアウターリードとパッケージ間には突起部による
段差があるため、ショート不良になりにくく、さらに凹
部を持つプリント基板との組み合わせによって、整合性
の良い実装が可能になるなどの実用的な効果が大であ
る。
付けもアウターリードとパッケージ間には突起部による
段差があるため、ショート不良になりにくく、さらに凹
部を持つプリント基板との組み合わせによって、整合性
の良い実装が可能になるなどの実用的な効果が大であ
る。
【図１】本発明の一実施形態を説明するための半導体装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置をプリント基板に実装し
たときの状態を説明するための断面図である。
たときの状態を説明するための断面図である。
【図３】従来の半導体装置の構成を説明するための断面
図である。
図である。
【図４】従来の半導体装置の構成を説明するための断面
図である。
図である。
【図５】従来の半導体装置の構成を説明するための断面
図である。
図である。
１…半導体素子、 ２…ダイパッド、 ３…接着剤、
４…リードフレーム、４a…インナーリード、 ４b…ア
ウターリード、 ５…ワイヤー、 ６…封止用樹脂、
10…封止用樹脂の突起部、 20…プリント基板、 21…
プリント基板の凹部、 22…電極、 23…半田ペース
ト。
４…リードフレーム、４a…インナーリード、 ４b…ア
ウターリード、 ５…ワイヤー、 ６…封止用樹脂、
10…封止用樹脂の突起部、 20…プリント基板、 21…
プリント基板の凹部、 22…電極、 23…半田ペース
ト。
Claims (1)
- 【請求項１】 リードフレームのダイパッド上に半導体
素子を接着剤によって固定し、半導体素子をリードフレ
ームのインナーリード部分にワイヤーによって接続し
て、全体を封止用樹脂によって覆ってなる半導体装置で
あって、前記封止用樹脂の底面を突起させて、封止用樹
脂の底面と前記リードフレームのアウターリード部分と
に段差を設け、前記封止用樹脂の底面において前記アウ
ターリード部分の底面のみを露出させたことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9229694A JPH1167978A (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9229694A JPH1167978A (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167978A true JPH1167978A (ja) | 1999-03-09 |
Family
ID=16896252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9229694A Pending JPH1167978A (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1167978A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6753599B2 (en) | 2001-02-12 | 2004-06-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package and mounting structure on substrate thereof and stack structure thereof |
| JP2015056540A (ja) * | 2013-09-12 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-08-26 JP JP9229694A patent/JPH1167978A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6753599B2 (en) | 2001-02-12 | 2004-06-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package and mounting structure on substrate thereof and stack structure thereof |
| JP2015056540A (ja) * | 2013-09-12 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
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