JPH0367615B2 - - Google Patents
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- JPH0367615B2 JPH0367615B2 JP59203460A JP20346084A JPH0367615B2 JP H0367615 B2 JPH0367615 B2 JP H0367615B2 JP 59203460 A JP59203460 A JP 59203460A JP 20346084 A JP20346084 A JP 20346084A JP H0367615 B2 JPH0367615 B2 JP H0367615B2
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- Japan
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- resin substrate
- heating body
- heating element
- heating
- base
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C71/00—After-treatment of articles without altering their shape; Apparatus therefor
- B29C71/02—Thermal after-treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C71/00—After-treatment of articles without altering their shape; Apparatus therefor
- B29C71/02—Thermal after-treatment
- B29C2071/022—Annealing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C53/00—Shaping by bending, folding, twisting, straightening or flattening; Apparatus therefor
- B29C53/16—Straightening or flattening
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光デイスクの基板として成形された
樹脂基板を加熱処理して残留応力の除去等を行う
アニーリング装置に関する。
樹脂基板を加熱処理して残留応力の除去等を行う
アニーリング装置に関する。
［背景技術とその問題点］
近年、光メモリーデイスクの基板としてポリカ
ーボネート樹脂基板の実用化が検討され、てい
る。光デイスクの透明な基板にはビーム光が照射
され、これにより溝による記憶信号の再生や記憶
信号の記録が行われるため、光デイスクの品質に
複屈折が大きく影響する。複屈折な基板内部の残
留応力によつて生じるため、成形された樹脂基板
から残留応力を除去することが必要とされる。
ーボネート樹脂基板の実用化が検討され、てい
る。光デイスクの透明な基板にはビーム光が照射
され、これにより溝による記憶信号の再生や記憶
信号の記録が行われるため、光デイスクの品質に
複屈折が大きく影響する。複屈折な基板内部の残
留応力によつて生じるため、成形された樹脂基板
から残留応力を除去することが必要とされる。
また、光デイスクの高記録密度化を図るために
は、前記ビーム光の焦点制御を非常に厳しいもの
とするとともに樹脂基板の平面精度を高度化する
ことが必要で、樹脂基板の面振れを低減して高度
の平面精度を確保しなければならない。
は、前記ビーム光の焦点制御を非常に厳しいもの
とするとともに樹脂基板の平面精度を高度化する
ことが必要で、樹脂基板の面振れを低減して高度
の平面精度を確保しなければならない。
成形された樹脂基板の残応力の除去、平面精度
の矯正を行うためにアニーリング処理が行われる
が、従来のアニーリング法として熱プレス法と回
転法が知られている。前者は２枚の金型で樹脂基
板を挟み、熱と圧力を樹脂基板に与える方法であ
る。これによると樹脂基板に形成された記憶信号
用の案内溝が圧力によつて破壊されるおそれがあ
り、また金型との密着むらによるへこみが樹脂基
板に生じ易いという問題がある。後者は一定温度
下で樹脂基板を高速回転させる方法である。これ
によると樹脂基板の回転中心からの距離に従つて
遠心力が変化するため樹脂基板に作用する応力が
均一ではなく、平面精度の矯正に難点がある。
の矯正を行うためにアニーリング処理が行われる
が、従来のアニーリング法として熱プレス法と回
転法が知られている。前者は２枚の金型で樹脂基
板を挟み、熱と圧力を樹脂基板に与える方法であ
る。これによると樹脂基板に形成された記憶信号
用の案内溝が圧力によつて破壊されるおそれがあ
り、また金型との密着むらによるへこみが樹脂基
板に生じ易いという問題がある。後者は一定温度
下で樹脂基板を高速回転させる方法である。これ
によると樹脂基板の回転中心からの距離に従つて
遠心力が変化するため樹脂基板に作用する応力が
均一ではなく、平面精度の矯正に難点がある。
［発明の目的］
本発明の目的は、樹脂基板の残留応力を低減で
き、且つこれを樹脂基板の平面精度の矯正、高度
化を達成しながら行え、光デイスクの高品質化、
高記録密度化に資する樹脂基板のアニーリング装
置を提供するところにある。
き、且つこれを樹脂基板の平面精度の矯正、高度
化を達成しながら行え、光デイスクの高品質化、
高記録密度化に資する樹脂基板のアニーリング装
置を提供するところにある。
［問題点を解決するための手段および作用］
このため本発明の構成は、表面に光学記録用の
案内溝を有する樹脂基盤の裏面に対応した形状の
上面を有する加熱体と、この加熱体を支持しかつ
加熱体との間に加熱体の上面の周縁に連通する空
間を有する基台とを有し、前記空間を真空吸引し
て表面を上にして載置された樹脂基盤を前記加熱
体に吸着させることを特徴とする。
案内溝を有する樹脂基盤の裏面に対応した形状の
上面を有する加熱体と、この加熱体を支持しかつ
加熱体との間に加熱体の上面の周縁に連通する空
間を有する基台とを有し、前記空間を真空吸引し
て表面を上にして載置された樹脂基盤を前記加熱
体に吸着させることを特徴とする。
要するに本発明では、樹脂基板を加熱体で加熱
することにより残留応力を除去し、この除去を加
熱体に樹脂基板を吸着させながら行うようにし、
このため加熱体の平面精度により樹脂基板の平面
精度の改善を図ることができ、かつ加熱矯正を樹
脂基盤の裏面からとすることで表面の記録用案内
溝への影響を防止できるようになるとともに、前
記吸着によつて樹脂基板の熱収縮の防止をも図る
ことができ、かつ吸着を加熱体の周囲とすること
で案内溝のある記録領域への影響を回避できるよ
うになる。
することにより残留応力を除去し、この除去を加
熱体に樹脂基板を吸着させながら行うようにし、
このため加熱体の平面精度により樹脂基板の平面
精度の改善を図ることができ、かつ加熱矯正を樹
脂基盤の裏面からとすることで表面の記録用案内
溝への影響を防止できるようになるとともに、前
記吸着によつて樹脂基板の熱収縮の防止をも図る
ことができ、かつ吸着を加熱体の周囲とすること
で案内溝のある記録領域への影響を回避できるよ
うになる。
［実施例］
第１図、第２図に本実施例に係る装置が示され
ている。第１図は半截平面図で、第２図は縦断面
図である。この装置によつてアニーリング処理さ
れる樹脂基板１は、熱可塑性のポリカーボネート
樹脂等を材料として一対の型による射出圧縮成形
法によつて成形されたもので、この成形時、型に
取付けたスタンパから記憶信号用の案内溝が転写
される。この転写による案内溝は樹脂基板１の一
方の面１Ａに形成されている。
ている。第１図は半截平面図で、第２図は縦断面
図である。この装置によつてアニーリング処理さ
れる樹脂基板１は、熱可塑性のポリカーボネート
樹脂等を材料として一対の型による射出圧縮成形
法によつて成形されたもので、この成形時、型に
取付けたスタンパから記憶信号用の案内溝が転写
される。この転写による案内溝は樹脂基板１の一
方の面１Ａに形成されている。
樹脂基板１が載置される加熱体２は樹脂基板１
の形状と対応して円板状に形成される。この加熱
体２の内部には熱媒体流通用の通孔３が穿設さ
れ、通孔３にシリコン、ビフエニル、フエニルエ
ーテル等の熱媒体が流通することにより加熱体２
は所定温度に昇温せしめられる。樹脂基板１の載
置面である加熱体２の上面２Ａは高度に平面仕上
加工されており、このため、この上面２Ａの平面
精度は高度化されている。
の形状と対応して円板状に形成される。この加熱
体２の内部には熱媒体流通用の通孔３が穿設さ
れ、通孔３にシリコン、ビフエニル、フエニルエ
ーテル等の熱媒体が流通することにより加熱体２
は所定温度に昇温せしめられる。樹脂基板１の載
置面である加熱体２の上面２Ａは高度に平面仕上
加工されており、このため、この上面２Ａの平面
精度は高度化されている。
加熱体２を配置する基台４は盤状になつてお
り、底部４Ａの端部に垂直な周側壁４Ｂが形成さ
れているため、基台４には上面が開口した凹部５
が設けられている。リング状をなす周側壁４Ｂに
は吸気孔６が貫通穿設され、この吸気孔６に真空
ポンプ等の吸気手段に連なる気通路７が接続され
る。基台４の凹部５の中央には同心円状に三段の
段部８Ａ，８Ｂ，８Ｃが形成された第１の加熱体
支持部材８が配置され、また凹部５の外端部寄り
には第２の加熱体支持部材９が配置される。この
第２の加熱体支持部材９は第１図の通り基台４の
周側壁４Ｂに沿つて円周方向に複数個設けられ
る。
り、底部４Ａの端部に垂直な周側壁４Ｂが形成さ
れているため、基台４には上面が開口した凹部５
が設けられている。リング状をなす周側壁４Ｂに
は吸気孔６が貫通穿設され、この吸気孔６に真空
ポンプ等の吸気手段に連なる気通路７が接続され
る。基台４の凹部５の中央には同心円状に三段の
段部８Ａ，８Ｂ，８Ｃが形成された第１の加熱体
支持部材８が配置され、また凹部５の外端部寄り
には第２の加熱体支持部材９が配置される。この
第２の加熱体支持部材９は第１図の通り基台４の
周側壁４Ｂに沿つて円周方向に複数個設けられ
る。
加熱体２の中央に形成された中心孔２Ｂに第１
の加熱体支持部材８の中段部８Ｂが挿入されるこ
とにより、加熱体２の中央部分が下段部８Ｃの上
面８Ｄに載せられる。これとともに加熱体２の外
端部付近が第２の加熱体支持部材９の上面に載せ
られる。これにより、凹部５の内部において加熱
体２は２種類の加熱体支持部材８，９で支持され
ながら基台４に配置されることとなり、この配置
は加熱体２と基台４の底部４Ａとの間に空間１０
を設けて行われる。以上により凹部５の上面開口
部は加熱体２によつて閉塞されることとなるが、
第１の加熱体支持部材８の中段部８Ｂの外周面と
加熱体２の中心孔２Ｂとの間、及び基台４の周側
壁４Ｂの内周面と加熱体２の外周面との間に隙間
１１，１２が確保される。また、第１の加熱体支
持部材８の下段部８Ｃの上面８Ｄと加熱体２の下
面との間にも隙間１３が設けられる。前記隙間１
１，１２は加熱体２、基台４の周側壁４Ｂ、及び
第１の加熱体支持部材２の中段部８Ｂのそれぞれ
の径寸法を適宜に設定することにより設けられ、
隙間１３は第１の加熱体支持部材８の下段部８Ｃ
の上面８Ｄに微小凹凸や微小溝等を形成すること
により設けられる。
の加熱体支持部材８の中段部８Ｂが挿入されるこ
とにより、加熱体２の中央部分が下段部８Ｃの上
面８Ｄに載せられる。これとともに加熱体２の外
端部付近が第２の加熱体支持部材９の上面に載せ
られる。これにより、凹部５の内部において加熱
体２は２種類の加熱体支持部材８，９で支持され
ながら基台４に配置されることとなり、この配置
は加熱体２と基台４の底部４Ａとの間に空間１０
を設けて行われる。以上により凹部５の上面開口
部は加熱体２によつて閉塞されることとなるが、
第１の加熱体支持部材８の中段部８Ｂの外周面と
加熱体２の中心孔２Ｂとの間、及び基台４の周側
壁４Ｂの内周面と加熱体２の外周面との間に隙間
１１，１２が確保される。また、第１の加熱体支
持部材８の下段部８Ｃの上面８Ｄと加熱体２の下
面との間にも隙間１３が設けられる。前記隙間１
１，１２は加熱体２、基台４の周側壁４Ｂ、及び
第１の加熱体支持部材２の中段部８Ｂのそれぞれ
の径寸法を適宜に設定することにより設けられ、
隙間１３は第１の加熱体支持部材８の下段部８Ｃ
の上面８Ｄに微小凹凸や微小溝等を形成すること
により設けられる。
樹脂基板１の中心孔１Ｂに第１の加熱体支持部
材８の上段部８Ａが挿入され、樹脂基板１の外端
部が保持体４の周側壁４Ｂの上面に形成された平
坦段部４Ｃに載せられる。これにより樹脂基板１
は加熱体２に載置され、アニーリング処理の準備
が整う。尚、この加熱体２への樹脂基板１の載置
は、前記記憶信号用案内溝が形成された面１Ａを
上向きにして行う。
材８の上段部８Ａが挿入され、樹脂基板１の外端
部が保持体４の周側壁４Ｂの上面に形成された平
坦段部４Ｃに載せられる。これにより樹脂基板１
は加熱体２に載置され、アニーリング処理の準備
が整う。尚、この加熱体２への樹脂基板１の載置
は、前記記憶信号用案内溝が形成された面１Ａを
上向きにして行う。
前記吸気手段を駆動し、吸気孔６から前記空間
１０の空気を排出する。この結果、空間１０が真
空吸引されるとともに、前記隙間１３、及び隙間
１１，１２を介して加熱体２の上面２Ａ側に存在
する空気も吸引され、このため樹脂基板１が加熱
体２の上面２Ａに吸着される。この後、加熱体２
の前記通孔３に熱媒体を流通させて加熱体２を昇
温させる。これにより樹脂基板１を加熱体２によ
り加熱する。樹脂基板１の材料がポリカーボネー
ト樹脂の場合、この加熱温度を140〜180℃とし、
加熱時間を30〜60分とする。この加熱処理によつ
て樹脂基板１の残留応力は低減される。
１０の空気を排出する。この結果、空間１０が真
空吸引されるとともに、前記隙間１３、及び隙間
１１，１２を介して加熱体２の上面２Ａ側に存在
する空気も吸引され、このため樹脂基板１が加熱
体２の上面２Ａに吸着される。この後、加熱体２
の前記通孔３に熱媒体を流通させて加熱体２を昇
温させる。これにより樹脂基板１を加熱体２によ
り加熱する。樹脂基板１の材料がポリカーボネー
ト樹脂の場合、この加熱温度を140〜180℃とし、
加熱時間を30〜60分とする。この加熱処理によつ
て樹脂基板１の残留応力は低減される。
また、この加熱処理は加熱体２の上面２Ａに樹
脂基板１が吸着されながら行われ、加熱体のこの
上面２Ａは前述の通り高度の平面精度を備えた面
となつているため、樹脂基板１は上面２Ａと略同
じの高度の平面精度に矯正されることになり、樹
脂基板１の面振れの発生、そりの発生が防止され
る。更に、樹脂基板１の加熱は前記吸着によつて
加熱体２に樹脂基板１が固定された状態で行われ
るため、加熱による樹脂基板１の熱収縮を極めて
小さなものに抑えることができる。
脂基板１が吸着されながら行われ、加熱体のこの
上面２Ａは前述の通り高度の平面精度を備えた面
となつているため、樹脂基板１は上面２Ａと略同
じの高度の平面精度に矯正されることになり、樹
脂基板１の面振れの発生、そりの発生が防止され
る。更に、樹脂基板１の加熱は前記吸着によつて
加熱体２に樹脂基板１が固定された状態で行われ
るため、加熱による樹脂基板１の熱収縮を極めて
小さなものに抑えることができる。
以上に加えて、樹脂基板１は記憶信号用の案内
溝が形成された面１Ａを上向きにして加熱体２に
吸着され、この面１Ａは加熱体２に接触しないた
め、案内溝が破壊されることはない。
溝が形成された面１Ａを上向きにして加熱体２に
吸着され、この面１Ａは加熱体２に接触しないた
め、案内溝が破壊されることはない。
また、樹脂基盤１の吸着にあたつては、加熱体
２の周囲に形成される隙間１１，１２を通して行
われるため、加熱体２の上面２Ａには吸引用の開
口等がなく、密着される樹脂基盤１の記録領域の
裏面には当該開口等による変形等が生じることも
なく、樹脂基盤１の記録領域には良好な光学特性
が得られることになる。
２の周囲に形成される隙間１１，１２を通して行
われるため、加熱体２の上面２Ａには吸引用の開
口等がなく、密着される樹脂基盤１の記録領域の
裏面には当該開口等による変形等が生じることも
なく、樹脂基盤１の記録領域には良好な光学特性
が得られることになる。
以上の加熱処理後、加熱体２の通孔３における
熱媒体の流通を中止し、樹脂基板１を冷却させ
る。この冷却は自然冷却でもよく、或いは加熱体
２の通孔３に冷却媒体を流通させたり、加熱体２
から取外した樹脂基板１を冷却用の型に押当てた
り等する強制冷却でもよい。
熱媒体の流通を中止し、樹脂基板１を冷却させ
る。この冷却は自然冷却でもよく、或いは加熱体
２の通孔３に冷却媒体を流通させたり、加熱体２
から取外した樹脂基板１を冷却用の型に押当てた
り等する強制冷却でもよい。
以上のようにしてアーニング処理された樹脂基
板は光デイスクの基板として使用される場合、残
留応力の低減によつて複屈折が1/6〜1/3に、例え
ば複屈折60nmが10〜20nmに減少しており、また
樹脂基板の熱収縮率は1.5％以下の極めて小さな
値に抑えられている。
板は光デイスクの基板として使用される場合、残
留応力の低減によつて複屈折が1/6〜1/3に、例え
ば複屈折60nmが10〜20nmに減少しており、また
樹脂基板の熱収縮率は1.5％以下の極めて小さな
値に抑えられている。
本実施例の加熱体は内部の通孔に熱媒体を流通
させる熱流体方式によるものであつたが、内部に
電熱線を設けて電熱方式によるものでもよい。要
すれば載置された樹脂基板を加熱処理できるもの
であればよい。また、加熱体を基台に配置する構
造は本実施例のものに限定されず、任意な構造と
することができ、更に加熱体、基台の形状は任意
なものでよく、要すれば、加熱体が基台に配置さ
れ、加熱体と基台との間に真空吸引される空間が
できるものであればよい。
させる熱流体方式によるものであつたが、内部に
電熱線を設けて電熱方式によるものでもよい。要
すれば載置された樹脂基板を加熱処理できるもの
であればよい。また、加熱体を基台に配置する構
造は本実施例のものに限定されず、任意な構造と
することができ、更に加熱体、基台の形状は任意
なものでよく、要すれば、加熱体が基台に配置さ
れ、加熱体と基台との間に真空吸引される空間が
できるものであればよい。
［発明の効果］
本発明によれば、樹脂基板の残留応力が低減さ
れるため光デイスクの複屈折を減少でき、従つて
光デイスクの品質を向上でき、更に樹脂基板の平
面精度が矯正されこの平面精度が向上するため、
光デイスクの高記録密度化を実現することが可能
になる。
れるため光デイスクの複屈折を減少でき、従つて
光デイスクの品質を向上でき、更に樹脂基板の平
面精度が矯正されこの平面精度が向上するため、
光デイスクの高記録密度化を実現することが可能
になる。
図面は一実施例を示し、第１図は装置の半截平
面図、第２図は装置の縦断面図である。 １…樹脂基板、１Ａ…案内溝が形成された面、
２…加熱体、３…熱媒体の通孔、４…基台、６…
吸気孔、１０…空間。
面図、第２図は装置の縦断面図である。 １…樹脂基板、１Ａ…案内溝が形成された面、
２…加熱体、３…熱媒体の通孔、４…基台、６…
吸気孔、１０…空間。
Claims (1)
- １ 表面に光学記録用の案内溝を有する樹脂基盤
の裏面に対応した形状の上面を有する加熱体と、
この加熱体を支持しかつ加熱体との間に加熱体の
上面の周縁に連通する空間を有する基台とを有
し、前記空間を真空吸引して表面を上にして載置
された樹脂基盤を前記加熱体に吸着させることを
特徴とする樹脂基盤のアニーリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20346084A JPS6179626A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 樹脂基板のアニ−リング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20346084A JPS6179626A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 樹脂基板のアニ−リング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6179626A JPS6179626A (ja) | 1986-04-23 |
| JPH0367615B2 true JPH0367615B2 (ja) | 1991-10-23 |
Family
ID=16474490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20346084A Granted JPS6179626A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 樹脂基板のアニ−リング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6179626A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4840873A (en) * | 1986-07-11 | 1989-06-20 | Kuraray Co., Ltd. | Production of optical recording medium |
| JP2647426B2 (ja) * | 1988-04-23 | 1997-08-27 | 日立マクセル株式会社 | 光情報記録媒体 |
| JP2010194667A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Toray Ind Inc | 樹脂板の歪み取り装置、および歪み取り方法 |
| CN106739028B (zh) * | 2017-02-24 | 2022-11-22 | 宁夏共享机床辅机有限公司 | 一种用于聚丙交酯材质模具的自动热处理设备 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58199114A (ja) * | 1982-05-17 | 1983-11-19 | Terufumi Machida | 高強度熱可塑性樹脂の製造方法 |
| JPS595019A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-11 | Toppan Printing Co Ltd | 耐熱容器の製造方法 |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP20346084A patent/JPS6179626A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6179626A (ja) | 1986-04-23 |
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