JPH1179846A - 炭化珪素成形体 - Google Patents

炭化珪素成形体

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JPH1179846A
JPH1179846A JP9251394A JP25139497A JPH1179846A JP H1179846 A JPH1179846 A JP H1179846A JP 9251394 A JP9251394 A JP 9251394A JP 25139497 A JP25139497 A JP 25139497A JP H1179846 A JPH1179846 A JP H1179846A
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聡浩 黒柳
Tomiya Yasunaka
富弥 安仲
Yuji Ushijima
裕次 牛嶋
Kenichi Kanai
健一 金井
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 強度特性ならびに熱的特性の優れたＣＶＤ−
ＳｉＣ成形体からなる炭化珪素成形体を提供する。 【解決手段】 ＣＶＤ法により作製したＳｉＣ成形体
（ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体）であって、ＳｉＣ結晶成長方
向の熱伝導率が１００〜３００Ｗ／ｍ・Ｋ、内部組織の
平均粒子径が４〜１２μm である炭化珪素成形体。Ｓｉ
Ｃ結晶成長方向の熱伝導率と、それと直角方向の熱伝導
率との比が１．１０〜１．４０であることが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高純度で緻密性、
耐蝕性、強度特性などに優れ、例えばエピタキシャル成
長、プラズマエッチング処理、ＣＶＤ処理などに用いら
れるサセプター、ダミーウエハあるいはターゲット材や
各種治具などの半導体製造に用いる部材として有用な炭
化珪素成形体に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳｉＣは耐熱性、耐摩耗性、耐蝕性等の
材質特性に優れており、各種工業用の部材として有用さ
れている。特に、ＣＶＤ法（化学的気相蒸着法）を利用
して作製したＳｉＣ成形体（ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体）
は、緻密で高純度であるため半導体製造用の各種部材と
して好適に用いられている。
【０００３】このＣＶＤ−ＳｉＣ成形体は、原料ガスを
気相反応させて基体面上にＳｉＣの結晶粒を析出させ、
結晶粒の成長により被膜を生成したのち基体を除去する
ことにより得られるもので、材質的に緻密、高純度で組
織の均質性が高いという特徴がある。
【０００４】ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体として、例えば、特
開平７−１８８９２７号公報には、ＳｉＣ、Ｓｉ3 Ｎ4
等の耐熱セラミック材料からなるＣＶＤ自立膜構造体に
おいて、結晶粒の配向がランダムになっていることを特
徴とするＣＶＤ自立膜構造体が開示されている。この発
明は、ＣＶＤ自立膜構造体の機械的強度の異方性の減少
を図るために、再結晶温度以上の温度（例えば、１７０
０〜２２００℃）で更に熱処理して結晶粒の配向をラン
ダムにするもので、工程が煩雑化する難点がある。
【０００５】また、特開平８−１８８４０８号公報に
は、化学蒸着法により形成された炭化珪素基板の両面に
炭化珪素膜を有する化学蒸着法による炭化珪素成形体、
及び基体の表面に化学蒸着法により炭化珪素膜を形成
し、前記基体を除去して得られた炭化珪素基板の両面
に、更に炭化珪素膜を形成する化学蒸着法による炭化珪
素成形体の製造方法が開示されている。
【０００６】更に、特開平８−１８８４６８号公報に
は、３層以上の炭化珪素層の積層体から成り、且つ各炭
化珪素層の厚みが１００μm 以下である化学蒸着法によ
る炭化珪素成形体、及び基体の表面に化学蒸着法により
炭化珪素膜を形成し、前記基体を除去することにより、
炭化珪素成形体を製造する方法において、化学蒸着法に
より炭化珪素層を形成し、次いで該炭化珪素層の表面を
平坦化する工程を複数回繰り返すことにより、各層の厚
みが１００μm 以下の炭化珪素層を所望厚み以上に積層
した後、基体を除去する化学蒸着法による炭化珪素成形
体の製造方法が開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記の特開平８−１８
８４０８号公報および特開平８−１８８４６８号公報の
発明は、炭化珪素成形体に発生する亀裂や反りの抑制を
目的として、ＳｉＣ膜を所望厚みまで一気に形成せずに
途中で止め、ＳｉＣ膜に蓄積される内部応力を最小限に
抑えることにより結晶粒の大きさがそろい、膜表面の凹
凸度合いを減少させたＳｉＣ膜を基板として、その上面
と下面の両面にＳｉＣ膜を形成する（特開平８−188408
号公報）、あるいはＳｉＣ層形成を初期段階で止めて、
層表面を平坦化する工程を複数回繰り返すもの（特開平
８−188468号公報）である。
【０００８】したがって、この特開平８−１８８４０８
号公報、同８−１８８４６８号公報の発明では、ＣＶＤ
法で形成するＳｉＣ膜を所望の膜厚にまで一気に形成す
ることなく途中で止め、また平坦化処理するなど工程が
煩雑化し、製造効率が低下する問題点があり、更に、強
度特性や耐熱衝撃特性も充分でないという問題点もあ
る。
【０００９】本発明者らは、上記問題点の解消を図るた
めに研究を進めた結果、ＣＶＤ法により析出したＳｉＣ
結晶粒の性状を特定範囲に設定制御すると、強度特性及
び熱的特性の優れたＣＶＤ−ＳｉＣ成形体が得られるこ
とを見出した。本発明は、この知見に基づいて開発され
たものであり、その目的は煩雑な処理を必要とすること
なく、強度特性及び熱的特性の優れた炭化珪素成形体を
提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明による炭化珪素成形体は、ＣＶＤ法により作
製したＳｉＣ成形体（ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体）であっ
て、ＳｉＣ結晶成長方向の熱伝導率が１００〜３００Ｗ
／ｍ・Ｋ、内部組織の平均粒子径が４〜１２μmである
ことを構成上の特徴とする。また、好ましくは、ＳｉＣ
結晶成長方向の熱伝導率と、それと直角方向の熱伝導率
との比が１．１０〜１．４０の範囲に設定される。
【００１１】
【発明の実施の形態】ＣＶＤ法により作製したＳｉＣ成
形体、すなわちＣＶＤ−ＳｉＣ成形体は、ＣＶＤ法（化
学的気相蒸着法）により原料ガスを気相反応させて基体
面上にＳｉＣを析出させたのち基体を除去して得られる
もので、基体には炭素材やセラミック材などが用いられ
る。基体の除去は、基体を切削あるいは研削して除去す
ることもできるが、変形や不純物混入を防止するために
燃焼することにより容易に除去可能な炭素材が好ましく
用いられる。
【００１２】ＣＶＤ法によりＳｉＣが析出し、基体面上
にＳｉＣ膜が形成被着する過程は、まず原料ガスが気相
反応して基体面上にＳｉＣの核が生成し、このＳｉＣ核
が成長してアモルファス質ＳｉＣになり、更に微細な多
結晶質ＳｉＣ粒に成長する。更に、ＣＶＤ反応を継続す
ると微細多結晶質ＳｉＣ粒は柱状組織の結晶組織へと成
長を続けてＳｉＣ膜が形成被着する。したがって、ＣＶ
Ｄ−ＳｉＣ成形体の強度特性や熱的特性は、基体面上に
析出、形成されたＳｉＣ膜の粒子性状によって大きく異
なるものとなる。
【００１３】本発明の炭化珪素成形体は、基体面上に形
成被着したＳｉＣ膜の物理的性状としてＳｉＣの結晶成
長方向の熱伝導率を１００〜３００Ｗ／ｍ・Ｋの範囲に
特定するものである。ＳｉＣ膜が微細多結晶質ＳｉＣ粒
子が多く柱状粒子の割合が少ない状態のＳｉＣ粒子で構
成されていると、粒界におけるフォノンの散乱が大きく
なり熱抵抗が大きくなるので熱伝導率は小さくなり、ま
た形成したＳｉＣ膜の強度は増大する。本発明でＳｉＣ
結晶成長方向の熱伝導率を１００〜３００Ｗ／ｍ・Ｋの
範囲に特定する理由は、熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ未
満の場合には加熱冷却サイクルにおける耐熱衝撃性が低
下し、また３００Ｗ／ｍ・Ｋを越えると粒子性状の方向
性が増大するので強度特性や熱的特性の異方性も大きく
なり、成形体の熱的変形も生じ易くなるためである。な
お、好ましい範囲は１５０〜２５０Ｗ／ｍ・Ｋである。
【００１４】更に、本発明の炭化珪素成形体は、その内
部組織の平均粒子径が４〜１２μmであることが必要で
ある。ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の内部組織は、ＣＶＤ反応
により基体面上に析出、形成されたＳｉＣ膜のＳｉＣ粒
子によって構成されており、このＳｉＣ粒子の大きさは
ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の強度特性や熱的特性に影響を与
える。粒径が小さい場合、粒界が応力を緩和する作用を
もち、粒径が大きくなると応力集中により結晶粒子自体
の劈開が発生する傾向がある。すなわち、本発明はこの
ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体を構成する内部組織の平均粒子径
を４〜１２μmの範囲に特定することにより強度特性と
熱的特性とのバランスを図るもので、平均粒子径が４μ
m を下回ると熱伝導率などの熱的特性が低下し、一方平
均粒子径が１２μm を上回ると曲げ強度で６００ＭＰａ
を下回るなどの強度特性が低下するためである。なお、
好ましい範囲は５〜８μm である。
【００１５】更に、ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体のＳｉＣ結晶
成長方向の熱伝導率と、それと直角方向の熱伝導率との
比が１．１０〜１．４０の範囲にあるとＳｉＣ粒子性状
の異方性が低くなり、熱的特性の改善、例えば加熱冷却
サイクルによる熱衝撃時にも亀裂などの発生を抑止する
ことができる。ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体は主に立方晶形の
β−ＳｉＣであり、様々な結晶成長の形態をとり、例え
ば、Ｘ線回折強度では主に (111)、 (200)、 (220)、
(311)の回折強度が様々な比率で現れる。ところが、Ｃ
ＶＤ−ＳｉＣ成形体の熱伝導率は結晶形態によって方向
異方性を示すことがあり、例えば、ガス濃度や圧力など
の反応条件によって原料ガスの過飽和度が高くなった場
合には基材に垂直な方向に結晶が成長して、その結果、
熱伝導率の方向異方性が現れて強度や熱衝撃性をも低下
する傾向を示すこととなるからである。
【００１６】ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体は、例えば炭素材を
基体としてＣＶＤ装置の反応チャンバー内にセットして
加熱し、反応チャンバーにハロゲン化有機珪素化合物と
水素との混合ガスを導入してハロゲン化有機珪素化合物
の還元熱分解により炭素基体面にＳｉＣを析出させて所
定厚みにＳｉＣ膜を形成したのち、炭素基体を除去する
ことにより作製される。原料ガスとなるハロゲン化有機
珪素化合物としては、トリクロロメチルシラン、トリク
ロロフェニルシラン、ジクロロメチルシラン、ジクロロ
ジメチルシラン、クロロトリメチルシランなどが用いら
れる。炭素基体の除去は炭素材を切削除去する方法、空
気中で加熱して炭素材を燃焼除去する方法など適宜な方
法で行われるが、燃焼除去の操作が簡便であり好まし
い。なお、炭素基体を除去した後、研磨処理して面を平
滑化することが望ましい。
【００１７】上記ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の作製時に、原
料ガスであるハロゲン化有機珪素化合物と還元剤である
水素ガスとの比率、混合ガスの流量、ＣＶＤ反応の温度
や時間、ＣＶＤ装置の炉圧などの条件を設定制御するこ
とにより、本発明の炭化珪素成形体を得ることができ
る。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と対比して具
体的に説明する。
【００１９】実施例１〜１０、比較例１〜１１ 直径２０２mm、厚さ６mmの高純度等方性黒鉛材（灰分 2
0ppm以下）を基体として、ＣＶＤ装置の石英反応管内に
セットして加熱した。原料ガスであるハロゲン化有機珪
素化合物にはトリクロロメチルシランを用い、水素との
混合ガスを１９０ l/minの流量で反応管に送入して２４
時間ＣＶＤ反応を行い、基体面上にＳｉＣ膜を被着形成
した。この場合に、混合ガス中におけるトリクロロメチ
ルシランの濃度、ＣＶＤ反応温度、反応管内の圧力など
を変えて、異なる物理性状を備えたＳｉＣ膜を析出させ
た。次いで、基体を横断方向に切断して２分割したの
ち、空気中で６５０℃の温度に加熱して黒鉛基体を燃焼
除去し、更に表面を研磨加工して直径２００mm、厚さ
１．２mmの円板状のＣＶＤ−ＳｉＣ成形体を作製した。
【００２０】これらの炭化珪素成形体について、下記の
方法により熱伝導率、内部組織の平均粒子径及び曲げ強
度を測定し、また熱衝撃試験を行った。得られた結果を
ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の作製条件と対比して表１に示し
た。 熱伝導率(W/m・K)；ＪＩＳ Ｒ１６１１−１９９１に
基づいて、レーザーフラッシュ法により熱拡散率と比熱
容量を測定し、下記の式から熱伝導率を求めた。 κ＝α×Ｃp ×ρ 但し、κ; 熱伝導率(W/m・K)、 α; 熱拡散率(m2/s)、
Ｃp;比熱容量 (J/kg・K)、ρ; 嵩密度(kg/m3) 、であ
る。 内部組織の平均粒子径 (μm)；倍率３０００のＳＥＭ
により観察を行い、累積面積率５０％を平均粒子径とし
た。 曲げ強度 (MPa)；ＪＩＳ Ｒ１６０１−１９８１に準
拠して、３点曲げ法によった。 熱衝撃試験；室温のサンプルを不活性雰囲気および１
２００℃の温度に保持した電気炉に入れて、２分間保持
したのち電気炉から取り出し、大気中で２００℃の温度
に冷却した後、再び１２００℃の温度に保持した電気炉
に入れるという熱処理を１０回繰り返して行い、この熱
処理サイクルによるサンプルの状態を観察した。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１の結果から、ＳｉＣ結晶成長方向の熱
伝導率（Ｂ）が１００〜３００Ｗ／ｍ・Ｋ及び内部組織
の平均粒子径が４〜１２μm の物理性状を有する実施例
の炭化珪素成形体は、比較例の炭化珪素成形体に比べて
いずれも曲げ強度が高く、耐熱衝撃性にも優れているこ
とが判る。更にＳｉＣ結晶成長方向の熱伝導率（Ｂ）と
それと直角方向の熱伝導率（Ａ）との比（Ｂ／Ａ）が
１．１０〜１．４０の範囲にあると、耐熱衝撃性がより
一層向上していることが認められる。
【００２３】
【発明の効果】以上のとおり、本発明によれば高純度で
緻密なＣＶＤ−ＳｉＣ成形体からなる強度特性ならびに
熱的特性の優れた炭化珪素成形体が提供される。したが
って、本発明の炭化珪素成形体はエピタキシャル成長、
プラズマエッチング処理、ＣＶＤ処理などに用いられる
サセプター、ダミーウエハあるいはターゲット材や各種
治具などの半導体製造に用いる部材として極めて有用で
ある。
フロントページの続き (72)発明者 金井 健一 東京都港区北青山１丁目２番３号 東海カ ーボン株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＣＶＤ法により作製したＳｉＣ成形体
    （ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体）であって、ＳｉＣ結晶成長方
    向の熱伝導率が１００〜３００Ｗ／ｍ・Ｋ、内部組織の
    平均粒子径が４〜１２μm であることを特徴とする炭化
    珪素成形体。
  2. 【請求項２】 ＳｉＣ結晶成長方向の熱伝導率と、それ
    と直角方向の熱伝導率との比が１．１０〜１．４０であ
    る請求項１記載の炭化珪素成形体。
JP9251394A 1997-09-01 1997-09-01 炭化珪素成形体 Pending JPH1179846A (ja)

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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001203190A (ja) * 2000-01-20 2001-07-27 Ibiden Co Ltd 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置
JP2002037669A (ja) * 2000-07-28 2002-02-06 Kyocera Corp 炭化珪素材、耐プラズマ部材及び半導体製造用装置
JP2003113472A (ja) * 2001-10-03 2003-04-18 Toshiba Ceramics Co Ltd ＣＶＤ−ＳｉＣ自立膜構造体
JP2007329476A (ja) 2006-06-02 2007-12-20 Rohm & Haas Electronic Materials Llc フィレット半径結合部を有する装置
JP2009280495A (ja) * 2000-11-10 2009-12-03 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 高い熱伝導率を有する炭化珪素
JP2011074436A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Covalent Materials Corp 炭化ケイ素材料
WO2020044571A1 (ja) * 2018-08-31 2020-03-05 株式会社フェローテックホールディングス 熱伝導異方性ＳｉＣ材
WO2020213847A1 (ko) * 2019-04-18 2020-10-22 주식회사 티씨케이 Sic 소재 및 이의 제조방법
JP2022530704A (ja) * 2019-06-21 2022-06-30 トーカイ カーボン コリア カンパニー．，リミテッド Ｃｖｄ方式で形成されたｓｉｃ構造体
WO2023119874A1 (ja) * 2021-12-24 2023-06-29 東海カーボン株式会社 多結晶ＳｉＣ成形体

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6562183B1 (en) * 1999-04-07 2003-05-13 Ngk Insulators, Ltd. Anti-corrosive parts for etching apparatus
US7018947B2 (en) * 2000-02-24 2006-03-28 Shipley Company, L.L.C. Low resistivity silicon carbide
DE102004017572B3 (de) * 2004-04-07 2005-11-24 Heraeus Tenevo Ag Verfahren zur Herstellung eines Hohlzylinders aus synthetischem Quarzglas unter Einsatz einer Haltevorrichtung
US7811943B2 (en) * 2004-12-22 2010-10-12 Cree, Inc. Process for producing silicon carbide crystals having increased minority carrier lifetimes
TW200826323A (en) * 2006-12-15 2008-06-16 Kinik Co LED and manufacture method thereof
DE102010006725B4 (de) * 2010-02-03 2016-03-03 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus Silizium mit einer epitaktisch abgeschiedenen Schicht
US10403509B2 (en) * 2014-04-04 2019-09-03 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Basal plane dislocation elimination in 4H—SiC by pulsed rapid thermal annealing
JP6619874B2 (ja) * 2016-04-05 2019-12-11 株式会社サイコックス 多結晶ＳｉＣ基板およびその製造方法
KR20190135504A (ko) * 2017-03-29 2019-12-06 팔리두스, 인크. SiC 용적측정 형태 및 보올을 형성하는 방법
EP3514257A1 (en) * 2018-01-18 2019-07-24 Heraeus GMSI LLC Process for manufacturing a silicon carbide coated body
CN112830786A (zh) * 2019-11-22 2021-05-25 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种碳化硅薄壁结构件的制备方法
CN111018535A (zh) * 2019-12-26 2020-04-17 湖南德智新材料有限公司 一种cvd制备碳化硅陶瓷的方法
CN111620704B (zh) * 2020-05-20 2022-09-02 武汉钢铁有限公司 一种能自流的高炉用高导热炭质浇注料
KR102899737B1 (ko) * 2022-12-22 2025-12-12 도까이 카본 가부시끼가이샤 다결정 SiC 성형체 및 그의 제조 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06206718A (ja) * 1992-07-31 1994-07-26 Cvd Inc 超高純度炭化ケイ素とそれによって作製した高温半導体加工用器具
JPH0770753A (ja) * 1993-06-08 1995-03-14 Cvd Inc 蒸着による材料の製造装置、蒸着による材料の製造方法、及び化学蒸着によるシリコンカーバイド構造体の製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57180005A (en) * 1981-04-30 1982-11-05 Hitachi Ltd Silicon carbide electric insulator with low dielectric constant
US5200157A (en) * 1986-02-17 1993-04-06 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Susceptor for vapor-growth deposition
EP0257439B1 (en) * 1986-08-11 1991-09-04 Sumitomo Electric Industries Limited Alumina coated with diamond
US4923716A (en) * 1988-09-26 1990-05-08 Hughes Aircraft Company Chemical vapor desposition of silicon carbide
US5093039A (en) * 1989-01-30 1992-03-03 Kazunori Kijima Highly pure sintered carbide with high electric conductivity and process of producing the same
US4997678A (en) * 1989-10-23 1991-03-05 Cvd Incorporated Chemical vapor deposition process to replicate the finish and figure of preshaped structures
US4990374A (en) * 1989-11-28 1991-02-05 Cvd Incorporated Selective area chemical vapor deposition
US5248385A (en) * 1991-06-12 1993-09-28 The United States Of America, As Represented By The Administrator, National Aeronautics And Space Administration Process for the homoepitaxial growth of single-crystal silicon carbide films on silicon carbide wafers
DE4127354A1 (de) * 1991-08-19 1993-02-25 Solvay Deutschland Granulat auf basis von siliciumcarbidpulver und siliciumcarbidkeramik
JP3147977B2 (ja) * 1991-12-19 2001-03-19 新日本製鐵株式会社 炭化珪素焼結体製反射ミラー用基板とその製造方法
JPH0629223A (ja) * 1992-07-09 1994-02-04 Sumitomo Cement Co Ltd 半導体製造用多目的装置向け抵抗加熱式発熱体、半導体製造用多目的装置向けサセプタおよび半導体製造用多目的装置
US5374412A (en) * 1992-07-31 1994-12-20 Cvd, Inc. Highly polishable, highly thermally conductive silicon carbide
TW337513B (en) * 1992-11-23 1998-08-01 Cvd Inc Chemical vapor deposition-produced silicon carbide having improved properties and preparation process thereof
JPH06279119A (ja) * 1993-03-26 1994-10-04 Hitachi Ltd 高熱伝導ＳｉＣセラミックス及びその製造法
JP3004859B2 (ja) 1993-12-28 2000-01-31 東芝セラミックス株式会社 Ｃｖｄ自立膜構造体
JP3626512B2 (ja) * 1994-05-16 2005-03-09 新日本製鐵株式会社 電気絶縁性基板
JPH08188468A (ja) 1994-12-29 1996-07-23 Toyo Tanso Kk 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法
JPH08188408A (ja) 1994-12-29 1996-07-23 Toyo Tanso Kk 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法
US5668188A (en) * 1996-01-16 1997-09-16 Sandia Corporation Process for preparing silicon carbide foam

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06206718A (ja) * 1992-07-31 1994-07-26 Cvd Inc 超高純度炭化ケイ素とそれによって作製した高温半導体加工用器具
JPH0770753A (ja) * 1993-06-08 1995-03-14 Cvd Inc 蒸着による材料の製造装置、蒸着による材料の製造方法、及び化学蒸着によるシリコンカーバイド構造体の製造方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001203190A (ja) * 2000-01-20 2001-07-27 Ibiden Co Ltd 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置
JP2002037669A (ja) * 2000-07-28 2002-02-06 Kyocera Corp 炭化珪素材、耐プラズマ部材及び半導体製造用装置
JP2013100608A (ja) * 2000-11-10 2013-05-23 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 高い熱伝導率を有する炭化珪素
JP2009280495A (ja) * 2000-11-10 2009-12-03 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 高い熱伝導率を有する炭化珪素
JP2003113472A (ja) * 2001-10-03 2003-04-18 Toshiba Ceramics Co Ltd ＣＶＤ−ＳｉＣ自立膜構造体
JP2007329476A (ja) 2006-06-02 2007-12-20 Rohm & Haas Electronic Materials Llc フィレット半径結合部を有する装置
JP2011074436A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Covalent Materials Corp 炭化ケイ素材料
WO2020044571A1 (ja) * 2018-08-31 2020-03-05 株式会社フェローテックホールディングス 熱伝導異方性ＳｉＣ材
JP2020033239A (ja) * 2018-08-31 2020-03-05 株式会社フェローテックホールディングス 熱伝導異方性ＳｉＣ材
WO2020213847A1 (ko) * 2019-04-18 2020-10-22 주식회사 티씨케이 Sic 소재 및 이의 제조방법
KR20200122648A (ko) * 2019-04-18 2020-10-28 주식회사 티씨케이 SiC 소재 및 이의 제조방법
JP2022522223A (ja) * 2019-04-18 2022-04-14 トカイ カーボン コリア カンパニー，リミティド ＳｉＣ素材及びその製造方法
US11658060B2 (en) 2019-04-18 2023-05-23 Tokai Carbon Korea Co., Ltd SiC material and method for manufacturing same
JP2022530704A (ja) * 2019-06-21 2022-06-30 トーカイ カーボン コリア カンパニー．，リミテッド Ｃｖｄ方式で形成されたｓｉｃ構造体
WO2023119874A1 (ja) * 2021-12-24 2023-06-29 東海カーボン株式会社 多結晶ＳｉＣ成形体

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