JPH118171A - 電子ビーム露光装置のビームドリフト補正方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
電子ビーム露光装置のビームドリフト補正方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法Info
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- JPH118171A JPH118171A JP9158973A JP15897397A JPH118171A JP H118171 A JPH118171 A JP H118171A JP 9158973 A JP9158973 A JP 9158973A JP 15897397 A JP15897397 A JP 15897397A JP H118171 A JPH118171 A JP H118171A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高精度なビームドリフト補正を行うことがで
きる電子ビーム露光装置のビームドリフト補正方法およ
びそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 予測ビームドリフト量Ａを使用して、描
画開始から描画終了までの描画時のビームドリフトの補
正を装置の制御部によって常時行うものであり、予測ビ
ームドリフト量Ａの算出は、実際に描画するウエハに対
し、同じ描画パターンを、同じ製造プロセスで作成した
ウエハ上に、同じアライメント方法を使用して描画した
時のビームドリフト量の結果を使用する。
きる電子ビーム露光装置のビームドリフト補正方法およ
びそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 予測ビームドリフト量Ａを使用して、描
画開始から描画終了までの描画時のビームドリフトの補
正を装置の制御部によって常時行うものであり、予測ビ
ームドリフト量Ａの算出は、実際に描画するウエハに対
し、同じ描画パターンを、同じ製造プロセスで作成した
ウエハ上に、同じアライメント方法を使用して描画した
時のビームドリフト量の結果を使用する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子ビーム露光
（描画）装置のビームドリフト補正方法およびそれを用
いた半導体集積回路装置の製造方法に関し、特に、高精
度なビームドリフト補正を行うことができる電子ビーム
露光装置のビームドリフト補正方法およびそれを用いた
半導体集積回路装置の製造方法に関するものである。
（描画）装置のビームドリフト補正方法およびそれを用
いた半導体集積回路装置の製造方法に関し、特に、高精
度なビームドリフト補正を行うことができる電子ビーム
露光装置のビームドリフト補正方法およびそれを用いた
半導体集積回路装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】本発明者は、半導体集積回路装置の製造
方法に使用されている電子ビーム露光装置について検討
した。以下は、本発明者によって検討された技術であ
り、その概要は次のとおりである。
方法に使用されている電子ビーム露光装置について検討
した。以下は、本発明者によって検討された技術であ
り、その概要は次のとおりである。
【０００３】すなわち、半導体集積回路装置の製造方法
に使用されている電子ビーム露光装置の露光方法におい
て、ビームドリフト補正方法は、描画開始前に、基準と
なるターゲット（半導体基板などからなるウエハに形成
されているターゲット）の位置を測定し、描画中に周期
的にターゲットの座標を検出し、基準値との差をビーム
ドリフト量とし、そのビームドリフト量を補正してい
る。
に使用されている電子ビーム露光装置の露光方法におい
て、ビームドリフト補正方法は、描画開始前に、基準と
なるターゲット（半導体基板などからなるウエハに形成
されているターゲット）の位置を測定し、描画中に周期
的にターゲットの座標を検出し、基準値との差をビーム
ドリフト量とし、そのビームドリフト量を補正してい
る。
【０００４】なお、電子ビーム露光装置（電子ビーム描
画装置）について記載されている文献としては、例えば
１９８８年１２月１３日、工業調査会発行の「電子材料
１９８８年１２月号別冊」ｐ８４〜ｐ８９に記載されて
いるものがある。
画装置）について記載されている文献としては、例えば
１９８８年１２月１３日、工業調査会発行の「電子材料
１９８８年１２月号別冊」ｐ８４〜ｐ８９に記載されて
いるものがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述したビ
ームドリフト補正方法によれば、周期的にターゲットを
検出し、ビームドリフト量を補正していることにより、
補正から次の補正の間のビームドリフトは補正できない
という問題点がある。
ームドリフト補正方法によれば、周期的にターゲットを
検出し、ビームドリフト量を補正していることにより、
補正から次の補正の間のビームドリフトは補正できない
という問題点がある。
【０００６】したがって、高精度な補正を実施するため
には、補正の周期を短縮する必要があることにより、補
正回数が増加するので、露光時間が増加し、スループッ
トが低下するという問題点が発生する。
には、補正の周期を短縮する必要があることにより、補
正回数が増加するので、露光時間が増加し、スループッ
トが低下するという問題点が発生する。
【０００７】本発明の目的は、高精度なビームドリフト
補正を行うことができる電子ビーム露光装置のビームド
リフト補正方法およびそれを用いた半導体集積回路装置
の製造方法を提供することにある。
補正を行うことができる電子ビーム露光装置のビームド
リフト補正方法およびそれを用いた半導体集積回路装置
の製造方法を提供することにある。
【０００８】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１０】すなわち、本発明の電子ビーム露光装置の
ビームドリフト補正方法は、予測ビームドリフト量を使
用して、描画開始から描画終了までの描画時のビームド
リフトの補正を装置の制御部によって常時行うものであ
り、予測ビームドリフト量の算出は、実際に描画するウ
エハに対し、同じ描画パターンを、同じ製造プロセスで
作成したウエハ上に、同じアライメント方法を使用して
描画した時のビームドリフト量の結果を使用するなどと
しているものである。
ビームドリフト補正方法は、予測ビームドリフト量を使
用して、描画開始から描画終了までの描画時のビームド
リフトの補正を装置の制御部によって常時行うものであ
り、予測ビームドリフト量の算出は、実際に描画するウ
エハに対し、同じ描画パターンを、同じ製造プロセスで
作成したウエハ上に、同じアライメント方法を使用して
描画した時のビームドリフト量の結果を使用するなどと
しているものである。
【００１１】また、本発明の半導体集積回路装置の製造
方法は、前述した電子ビーム露光装置のビームドリフト
補正方法を用いたリソグラフィ技術および選択エッチン
グ技術を使用して、半導体集積回路装置のパターンを形
成する製造工程を有するものである。
方法は、前述した電子ビーム露光装置のビームドリフト
補正方法を用いたリソグラフィ技術および選択エッチン
グ技術を使用して、半導体集積回路装置のパターンを形
成する製造工程を有するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、重複説明は省略する。
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、重複説明は省略する。
【００１３】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１である電子ビーム露光装置のビームドリフト補正
方法を説明するためのグラフ図である。
形態１である電子ビーム露光装置のビームドリフト補正
方法を説明するためのグラフ図である。
【００１４】図１において、線Ａは、予測ビームドリフ
ト量を示している。この場合、ビーム（電子ビーム）の
ビームドリフト量は、Ｘ方向とＹ方向があるが、予測ビ
ームドリフト量Ａは、Ｘ方向のものであり、Ｙ方向のも
のは図示を省略している。また、本発明者の検討の結
果、予測ビームドリフト量Ａの最大値は、一般的に２０
nm程度であったが、電子ビーム露光装置のビームドリフ
ト量として、特殊な場合には２０〜５０nm程度の場合も
あることが明確になっている。
ト量を示している。この場合、ビーム（電子ビーム）の
ビームドリフト量は、Ｘ方向とＹ方向があるが、予測ビ
ームドリフト量Ａは、Ｘ方向のものであり、Ｙ方向のも
のは図示を省略している。また、本発明者の検討の結
果、予測ビームドリフト量Ａの最大値は、一般的に２０
nm程度であったが、電子ビーム露光装置のビームドリフ
ト量として、特殊な場合には２０〜５０nm程度の場合も
あることが明確になっている。
【００１５】なお、図１において、横軸は、描画時間で
あり、描画開始から描画終了までの時間を示している。
縦軸は、ビームドリフト量である。
あり、描画開始から描画終了までの時間を示している。
縦軸は、ビームドリフト量である。
【００１６】本実施の形態の予測ビームドリフト量Ａの
算出は、実際に描画するウエハに対し、同じ描画パター
ンを、同じ製造プロセスで作成したウエハ（例えば半導
体集積回路装置を製造するための半導体基板からなるウ
エハ）上に、同じアライメント方法を使用して描画した
時のビームドリフト量の結果を使用している。
算出は、実際に描画するウエハに対し、同じ描画パター
ンを、同じ製造プロセスで作成したウエハ（例えば半導
体集積回路装置を製造するための半導体基板からなるウ
エハ）上に、同じアライメント方法を使用して描画した
時のビームドリフト量の結果を使用している。
【００１７】この場合、本実施の形態の予測ビームドリ
フト量Ａを算出する他の形態として、複数のウエハをロ
ット単位で連続的に描画処理する場合、ロット内の全ウ
エハの描画処理が同等であるとみなすことができるの
で、１枚目のウエハのビームドリフト量の結果を使用し
ている。
フト量Ａを算出する他の形態として、複数のウエハをロ
ット単位で連続的に描画処理する場合、ロット内の全ウ
エハの描画処理が同等であるとみなすことができるの
で、１枚目のウエハのビームドリフト量の結果を使用し
ている。
【００１８】また、本実施の形態の予測ビームドリフト
量Ａを算出する他の形態として、実際に描画するウエハ
に対し、同じ描画パターンで、しかも同じ製造プロセス
で作成した各々のウエハ上に、同じアライメント方法を
使用して描画した時のビームドリフト量の結果を使用
し、その各々のウエハに対応するビームドリフト量の結
果を統計処理することにより、最も正確と判断できるビ
ームドリフト量を算出している。
量Ａを算出する他の形態として、実際に描画するウエハ
に対し、同じ描画パターンで、しかも同じ製造プロセス
で作成した各々のウエハ上に、同じアライメント方法を
使用して描画した時のビームドリフト量の結果を使用
し、その各々のウエハに対応するビームドリフト量の結
果を統計処理することにより、最も正確と判断できるビ
ームドリフト量を算出している。
【００１９】本実施の形態の電子ビーム露光装置のビー
ムドリフト補正方法は、図１に示す予測ビームドリフト
量Ａを使用して、描画開始から描画終了までの描画時の
ビームドリフトの補正を装置の制御部によって常時行う
ものである。
ムドリフト補正方法は、図１に示す予測ビームドリフト
量Ａを使用して、描画開始から描画終了までの描画時の
ビームドリフトの補正を装置の制御部によって常時行う
ものである。
【００２０】したがって、本実施の形態の電子ビーム露
光装置のビームドリフト補正方法によれば、予測ビーム
ドリフト量Ａを使用して、描画開始から描画終了までの
描画時のビームドリフトの補正を装置の制御部によって
常時行うものであることにより、常にビームドリフトを
高精度に補正して、描画できるので、高精度な描画パタ
ーンを形成できる。
光装置のビームドリフト補正方法によれば、予測ビーム
ドリフト量Ａを使用して、描画開始から描画終了までの
描画時のビームドリフトの補正を装置の制御部によって
常時行うものであることにより、常にビームドリフトを
高精度に補正して、描画できるので、高精度な描画パタ
ーンを形成できる。
【００２１】また、本実施の形態の電子ビーム露光装置
のビームドリフト補正方法によれば、予測ビームドリフ
ト量Ａを使用して、描画開始から描画終了までの描画時
のビームドリフトの補正を装置の制御部によって常時行
うものであることにより、従来のビームドリフト補正方
法における描画中に周期的にターゲット（半導体基板な
どからなるウエハに形成されているターゲット）の座標
を検出し、基準値との差をビームドリフト量とし、その
ビームドリフト量を補正する操作（従来は、１０回程度
の補正回数）を省略できるので、描画（露光）時間が低
減できる結果、スループットが向上できる。
のビームドリフト補正方法によれば、予測ビームドリフ
ト量Ａを使用して、描画開始から描画終了までの描画時
のビームドリフトの補正を装置の制御部によって常時行
うものであることにより、従来のビームドリフト補正方
法における描画中に周期的にターゲット（半導体基板な
どからなるウエハに形成されているターゲット）の座標
を検出し、基準値との差をビームドリフト量とし、その
ビームドリフト量を補正する操作（従来は、１０回程度
の補正回数）を省略できるので、描画（露光）時間が低
減できる結果、スループットが向上できる。
【００２２】（実施の形態２）図２は、本発明の実施の
形態２である電子ビーム露光装置のビームドリフト補正
方法を説明するためのグラフ図である。
形態２である電子ビーム露光装置のビームドリフト補正
方法を説明するためのグラフ図である。
【００２３】本実施の形態の電子ビーム露光装置のビー
ムドリフト補正方法は、前述した実施の形態１のビーム
ドリフト補正方法に使用した予測ビームドリフト量Ａを
使用して、描画開始から描画終了までの間に２回補正操
作を行って、ビームドリフト量を調整する方法である。
ムドリフト補正方法は、前述した実施の形態１のビーム
ドリフト補正方法に使用した予測ビームドリフト量Ａを
使用して、描画開始から描画終了までの間に２回補正操
作を行って、ビームドリフト量を調整する方法である。
【００２４】この場合、描画開始（時間Ｔ0 ）から１回
目の補正操作（時間Ｔ1 ）までのビームドリフトの補正
は、予測ビームドリフト量Ａ（図２におけるＡ1 ）を使
用して、装置の制御部によって常時補正を行っている。
なお、図２において、線Ｂは、実際のビームのビームド
リフト量を示している。また、線Ａと線Ｂとは、大きな
離散距離となっているが、図示上の明確さのために、大
きな離散距離としているのであって、実際は極めて小さ
な離散距離である。
目の補正操作（時間Ｔ1 ）までのビームドリフトの補正
は、予測ビームドリフト量Ａ（図２におけるＡ1 ）を使
用して、装置の制御部によって常時補正を行っている。
なお、図２において、線Ｂは、実際のビームのビームド
リフト量を示している。また、線Ａと線Ｂとは、大きな
離散距離となっているが、図示上の明確さのために、大
きな離散距離としているのであって、実際は極めて小さ
な離散距離である。
【００２５】次に、１回目の補正操作（時間Ｔ1 ）によ
って、基準となるターゲット（半導体基板などからなる
ウエハに形成されているターゲット）の座標を検出し、
基準値との差をビームドリフト量とし、そのビームドリ
フト量から算出したビームドリフト量Ａ2 を予測ビーム
ドリフト量Ａ（Ａ1 ）に付加する。そして、ビームドリ
フト量Ａ2 が予測ビームドリフト量Ａに付加された予測
ビームドリフト量Ａ3を使用して、１回目の補正操作
（時間Ｔ1 ）から２回目の補正操作（時間Ｔ2 ）までの
ビームドリフトの補正を、装置の制御部によって常時補
正を行っている。
って、基準となるターゲット（半導体基板などからなる
ウエハに形成されているターゲット）の座標を検出し、
基準値との差をビームドリフト量とし、そのビームドリ
フト量から算出したビームドリフト量Ａ2 を予測ビーム
ドリフト量Ａ（Ａ1 ）に付加する。そして、ビームドリ
フト量Ａ2 が予測ビームドリフト量Ａに付加された予測
ビームドリフト量Ａ3を使用して、１回目の補正操作
（時間Ｔ1 ）から２回目の補正操作（時間Ｔ2 ）までの
ビームドリフトの補正を、装置の制御部によって常時補
正を行っている。
【００２６】次に、２回目の補正操作（時間Ｔ2 ）によ
って、基準となるターゲットの座標を検出し、基準値と
の差をビームドリフト量とし、そのビームドリフト量か
ら算出したビームドリフト量Ａ4 を予測ビームドリフト
量Ａ（Ａ3 ）に付加する。そして、ビームドリフト量Ａ
4 が予測ビームドリフト量Ａに付加された予測ビームド
リフト量Ａ5 を使用して、２回目の補正操作（時間
Ｔ2 ）から描画終了（Ｔ3）までのビームドリフトの補
正を、装置の制御部によって常時補正を行っている。
って、基準となるターゲットの座標を検出し、基準値と
の差をビームドリフト量とし、そのビームドリフト量か
ら算出したビームドリフト量Ａ4 を予測ビームドリフト
量Ａ（Ａ3 ）に付加する。そして、ビームドリフト量Ａ
4 が予測ビームドリフト量Ａに付加された予測ビームド
リフト量Ａ5 を使用して、２回目の補正操作（時間
Ｔ2 ）から描画終了（Ｔ3）までのビームドリフトの補
正を、装置の制御部によって常時補正を行っている。
【００２７】なお、本実施の形態の電子ビーム露光装置
の他の態様として、前述した２回の補正操作を必要に応
じて３回、４回などの複数回の補正操作とすることがで
きる。
の他の態様として、前述した２回の補正操作を必要に応
じて３回、４回などの複数回の補正操作とすることがで
きる。
【００２８】したがって、本実施の形態の電子ビーム露
光装置のビームドリフト補正方法によれば、前述した実
施の形態１の電子ビーム露光装置のビームドリフト補正
方法に比較して、複数回の補正操作を行って、実際のビ
ームのビームドリフト量を予測ビームドリフト量Ａに付
加して、より精度の高い予測ビームドリフト量Ａ1 〜Ａ
5 として、その予測ビームドリフト量Ａ1 〜Ａ5 を使用
して、描画開始から描画終了までの描画時のビームドリ
フトの補正を装置の制御部によって常時行うものである
ことにより、常にビームドリフトを高精度に補正して、
描画できるので、高精度な描画パターンを形成できる。
光装置のビームドリフト補正方法によれば、前述した実
施の形態１の電子ビーム露光装置のビームドリフト補正
方法に比較して、複数回の補正操作を行って、実際のビ
ームのビームドリフト量を予測ビームドリフト量Ａに付
加して、より精度の高い予測ビームドリフト量Ａ1 〜Ａ
5 として、その予測ビームドリフト量Ａ1 〜Ａ5 を使用
して、描画開始から描画終了までの描画時のビームドリ
フトの補正を装置の制御部によって常時行うものである
ことにより、常にビームドリフトを高精度に補正して、
描画できるので、高精度な描画パターンを形成できる。
【００２９】（実施の形態３）図３は、本発明の実施の
形態３である電子ビーム露光装置のビームドリフト補正
方法を説明するためのグラフ図である。
形態３である電子ビーム露光装置のビームドリフト補正
方法を説明するためのグラフ図である。
【００３０】本実施の形態の電子ビーム露光装置のビー
ムドリフト補正方法は、描画開始から描画終了までの間
に２回補正を操作を行って、前回の補正操作の結果を利
用して予測ビームドリフト量を算出して、その予測ビー
ムドリフト量を使用して、描画時のビームドリフトの補
正を装置の制御部によって常時行うものである。
ムドリフト補正方法は、描画開始から描画終了までの間
に２回補正を操作を行って、前回の補正操作の結果を利
用して予測ビームドリフト量を算出して、その予測ビー
ムドリフト量を使用して、描画時のビームドリフトの補
正を装置の制御部によって常時行うものである。
【００３１】この場合、描画開始（時間Ｔ0 ）から１回
目の補正操作（時間Ｔ1 ）までのビームドリフトの補正
は、行っていない。すなわち、ビームドリフト量が採用
されていない（０の値の予測ビームドリフト量Ａ1 とし
ている。なお、図３において、線Ｂは、実際のビームの
ビームドリフト量を示している。
目の補正操作（時間Ｔ1 ）までのビームドリフトの補正
は、行っていない。すなわち、ビームドリフト量が採用
されていない（０の値の予測ビームドリフト量Ａ1 とし
ている。なお、図３において、線Ｂは、実際のビームの
ビームドリフト量を示している。
【００３２】次に、１回目の補正操作（時間Ｔ1 ）によ
って、基準となるターゲットの座標を検出し、基準値と
の差をビームドリフト量とし、そのビームドリフト量か
ら算出したビームドリフト量Ａ2 を予測ビームドリフト
量Ａ1 に付加する。そして、ビームドリフト量Ａ2 の最
上部の位置と描画開始Ｔ0 のビームドリフト量が０の値
の位置とを通過する直線に対応するビームドリフト量に
ビームドリフト量Ａ2が付加された予測ビームドリフト
量Ａ3 を使用して、１回目の補正操作（時間Ｔ1 ）から
２回目の補正操作（時間Ｔ2 ）までのビームドリフトの
補正を、装置の制御部によって常時補正を行っている。
って、基準となるターゲットの座標を検出し、基準値と
の差をビームドリフト量とし、そのビームドリフト量か
ら算出したビームドリフト量Ａ2 を予測ビームドリフト
量Ａ1 に付加する。そして、ビームドリフト量Ａ2 の最
上部の位置と描画開始Ｔ0 のビームドリフト量が０の値
の位置とを通過する直線に対応するビームドリフト量に
ビームドリフト量Ａ2が付加された予測ビームドリフト
量Ａ3 を使用して、１回目の補正操作（時間Ｔ1 ）から
２回目の補正操作（時間Ｔ2 ）までのビームドリフトの
補正を、装置の制御部によって常時補正を行っている。
【００３３】次に、２回目の補正操作（時間Ｔ2 ）によ
って、基準となるターゲットの座標を検出し、基準値と
の差をビームドリフト量とし、そのビームドリフト量か
ら算出したビームドリフト量Ａ4 を予測ビームドリフト
量Ａ3 に付加する。そして、ビームドリフト量Ａ4 の最
上部の位置と１回目の補正操作（時間Ｔ1 ）のビームド
リフト量の最上部の位置とを通過する直線に対応するビ
ームドリフト量にビームドリフト量Ａ4 が付加された予
測ビームドリフト量Ａ5 を使用して、２回目の補正操作
（時間Ｔ2 ）から描画終了（時間Ｔ3 ）までのビームド
リフトの補正を、装置の制御部によって常時補正を行っ
ている。
って、基準となるターゲットの座標を検出し、基準値と
の差をビームドリフト量とし、そのビームドリフト量か
ら算出したビームドリフト量Ａ4 を予測ビームドリフト
量Ａ3 に付加する。そして、ビームドリフト量Ａ4 の最
上部の位置と１回目の補正操作（時間Ｔ1 ）のビームド
リフト量の最上部の位置とを通過する直線に対応するビ
ームドリフト量にビームドリフト量Ａ4 が付加された予
測ビームドリフト量Ａ5 を使用して、２回目の補正操作
（時間Ｔ2 ）から描画終了（時間Ｔ3 ）までのビームド
リフトの補正を、装置の制御部によって常時補正を行っ
ている。
【００３４】なお、本実施の形態の予測ビームドリフト
量Ａ3,Ａ5 を算出する他の形態として、実際に描画する
ウエハに対し、同じ描画パターンで、しかも同じ製造プ
ロセスで作成した各々のウエハ上に、同じアライメント
方法を使用して描画した時のビームドリフト量の結果を
使用し、その各々のウエハに対応するビームドリフト量
の結果を統計処理することにより、最も正確と判断でき
るビームドリフト量を使用する態様とすることができ
る。
量Ａ3,Ａ5 を算出する他の形態として、実際に描画する
ウエハに対し、同じ描画パターンで、しかも同じ製造プ
ロセスで作成した各々のウエハ上に、同じアライメント
方法を使用して描画した時のビームドリフト量の結果を
使用し、その各々のウエハに対応するビームドリフト量
の結果を統計処理することにより、最も正確と判断でき
るビームドリフト量を使用する態様とすることができ
る。
【００３５】また、本実施の形態の電子ビーム露光装置
の他の態様として、前述した２回の補正操作を必要に応
じて３回、４回などの複数回の補正操作とすることがで
きる。
の他の態様として、前述した２回の補正操作を必要に応
じて３回、４回などの複数回の補正操作とすることがで
きる。
【００３６】したがって、本実施の形態の電子ビーム露
光装置のビームドリフト補正方法によれば、１回目の補
正操作（時間Ｔ1 ）によって、予測ビームドリフト量Ａ
3 を算出し、その予測ビームドリフト量Ａ3 を使用し
て、１回目の補正操作（時間Ｔ1 ）から２回目の補正操
作（時間Ｔ2 ）までのビームドリフトの補正を、装置の
制御部によって常時補正を行っている。また、２回目の
補正操作（時間Ｔ2 ）によって、予測ビームドリフト量
Ａ5 を算出し、その予測ビームドリフト量Ａ5 を使用し
て、２回目の補正操作（時間Ｔ2 ）から描画終了（時間
Ｔ3 ）までのビームドリフトの補正を、装置の制御部に
よって常時補正を行っている。
光装置のビームドリフト補正方法によれば、１回目の補
正操作（時間Ｔ1 ）によって、予測ビームドリフト量Ａ
3 を算出し、その予測ビームドリフト量Ａ3 を使用し
て、１回目の補正操作（時間Ｔ1 ）から２回目の補正操
作（時間Ｔ2 ）までのビームドリフトの補正を、装置の
制御部によって常時補正を行っている。また、２回目の
補正操作（時間Ｔ2 ）によって、予測ビームドリフト量
Ａ5 を算出し、その予測ビームドリフト量Ａ5 を使用し
て、２回目の補正操作（時間Ｔ2 ）から描画終了（時間
Ｔ3 ）までのビームドリフトの補正を、装置の制御部に
よって常時補正を行っている。
【００３７】その結果、本実施の形態の電子ビーム露光
装置のビームドリフト補正方法によれば、予測ビームド
リフト量Ａ3,Ａ5 を使用して、１回目の補正操作から描
画終了までの描画時のビームドリフトの補正を装置の制
御部によって常時行うものであることにより、１回目の
補正操作からのビームドリフトを高精度に補正して、描
画できるので、高精度な描画パターンを形成できる。
装置のビームドリフト補正方法によれば、予測ビームド
リフト量Ａ3,Ａ5 を使用して、１回目の補正操作から描
画終了までの描画時のビームドリフトの補正を装置の制
御部によって常時行うものであることにより、１回目の
補正操作からのビームドリフトを高精度に補正して、描
画できるので、高精度な描画パターンを形成できる。
【００３８】また、本実施の形態の電子ビーム露光装置
のビームドリフト補正方法によれば、複数回の補正操作
を使用して、予測ビームドリフト量を算出していること
により、ウエハ１枚単位でのビームドリフト量が予測で
きない場合や、ウエハごとのビームのビームドリフト量
の再現性がない場合にビームドリフト量を予測すること
ができる。
のビームドリフト補正方法によれば、複数回の補正操作
を使用して、予測ビームドリフト量を算出していること
により、ウエハ１枚単位でのビームドリフト量が予測で
きない場合や、ウエハごとのビームのビームドリフト量
の再現性がない場合にビームドリフト量を予測すること
ができる。
【００３９】また、本実施の形態の電子ビーム露光装置
のビームドリフト補正方法によれば、ビームのビームド
リフト量が描画時間に応じて種々変化している場合など
においても、適用できるので、高精度な描画パターンを
形成できる。
のビームドリフト補正方法によれば、ビームのビームド
リフト量が描画時間に応じて種々変化している場合など
においても、適用できるので、高精度な描画パターンを
形成できる。
【００４０】（実施の形態４）図４〜図９は、本発明の
実施の形態４である半導体集積回路装置の製造工程を示
す概略断面図である。同図を用いて、本実施の形態の半
導体集積回路装置の製造方法を具体的に説明する。
実施の形態４である半導体集積回路装置の製造工程を示
す概略断面図である。同図を用いて、本実施の形態の半
導体集積回路装置の製造方法を具体的に説明する。
【００４１】まず、図４に示すように、例えばｐ型のシ
リコン単結晶などからなる半導体基板（ウエハ）１の表
面の選択的な領域である素子分離領域に熱酸化処理を用
いて酸化シリコン膜からなるフィールド絶縁膜２を形成
する。次に、半導体基板１の上に、例えば酸化シリコン
からなるゲート絶縁膜３を形成し、このゲート絶縁膜３
の上に導電性の多結晶シリコン膜（ゲート電極４となる
導電膜）を形成した後、例えば酸化シリコン膜からなる
絶縁膜５を形成した後、リソグラフィ技術と選択エッチ
ング技術とを使用して、多結晶シリコン膜をパターン化
してゲート電極４を形成すると共にパターン化したゲー
ト絶縁膜３を形成する。
リコン単結晶などからなる半導体基板（ウエハ）１の表
面の選択的な領域である素子分離領域に熱酸化処理を用
いて酸化シリコン膜からなるフィールド絶縁膜２を形成
する。次に、半導体基板１の上に、例えば酸化シリコン
からなるゲート絶縁膜３を形成し、このゲート絶縁膜３
の上に導電性の多結晶シリコン膜（ゲート電極４となる
導電膜）を形成した後、例えば酸化シリコン膜からなる
絶縁膜５を形成した後、リソグラフィ技術と選択エッチ
ング技術とを使用して、多結晶シリコン膜をパターン化
してゲート電極４を形成すると共にパターン化したゲー
ト絶縁膜３を形成する。
【００４２】その後、ゲート電極４の側壁に例えば酸化
シリコンからなるサイドウォールスペーサ６を形成す
る。その後、半導体基板１に例えばリンなどのｎ型の不
純物をイオン注入してソースおよびドレインとなるｎ型
の半導体領域７を形成する。
シリコンからなるサイドウォールスペーサ６を形成す
る。その後、半導体基板１に例えばリンなどのｎ型の不
純物をイオン注入してソースおよびドレインとなるｎ型
の半導体領域７を形成する。
【００４３】この場合、フィールド絶縁膜２の上のゲー
ト電極４は、配線層として使用されているものである。
また、前述した半導体集積回路装置の製造工程は、半導
体基板１に半導体素子としてｎチャネルＭＯＳＦＥＴを
形成した態様であるが、半導体基板１にｎチャネルＭＯ
ＳＦＥＴ以外のｐチャネルＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳＦＥ
Ｔ、バイポーラトランジスタ、容量素子などの種々の半
導体素子を形成した態様を採用することができる。
ト電極４は、配線層として使用されているものである。
また、前述した半導体集積回路装置の製造工程は、半導
体基板１に半導体素子としてｎチャネルＭＯＳＦＥＴを
形成した態様であるが、半導体基板１にｎチャネルＭＯ
ＳＦＥＴ以外のｐチャネルＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳＦＥ
Ｔ、バイポーラトランジスタ、容量素子などの種々の半
導体素子を形成した態様を採用することができる。
【００４４】次に、半導体基板１の上に、例えば酸化シ
リコン膜をＣＶＤ（Chemical VaporDeposition ）法を
使用して堆積し、その酸化シリコン膜などからなる絶縁
膜８を形成した後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Poli
shing 、化学的機械研磨）法を使用して、絶縁膜８を研
磨することによって、その表面を平坦化処理して平坦な
表面を有する絶縁膜８とする。次に、その絶縁膜８の表
面にレジスト膜９を形成する（図５）。
リコン膜をＣＶＤ（Chemical VaporDeposition ）法を
使用して堆積し、その酸化シリコン膜などからなる絶縁
膜８を形成した後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Poli
shing 、化学的機械研磨）法を使用して、絶縁膜８を研
磨することによって、その表面を平坦化処理して平坦な
表面を有する絶縁膜８とする。次に、その絶縁膜８の表
面にレジスト膜９を形成する（図５）。
【００４５】その後、前述した実施の形態１の電子ビー
ム露光装置のビームドリフト補正方法を用いて、レジス
ト膜９に電子ビームを照射して、スル−ホール（接続
孔）を形成するためのパターン９ａを形成する。
ム露光装置のビームドリフト補正方法を用いて、レジス
ト膜９に電子ビームを照射して、スル−ホール（接続
孔）を形成するためのパターン９ａを形成する。
【００４６】この場合、前述した実施の形態１の電子ビ
ーム露光装置のビームドリフト補正方法を用いているこ
とにより、ビームドリフト補正が行われているので、高
精度なパターン９ａを形成することができる。また、前
述した実施の形態２または実施の形態３の電子ビーム露
光装置のビームドリフト補正方法を適用する態様とする
ことができ、その場合でも、ビームドリフト補正が行わ
れているので、高精度なパターン９ａを形成することが
できる。
ーム露光装置のビームドリフト補正方法を用いているこ
とにより、ビームドリフト補正が行われているので、高
精度なパターン９ａを形成することができる。また、前
述した実施の形態２または実施の形態３の電子ビーム露
光装置のビームドリフト補正方法を適用する態様とする
ことができ、その場合でも、ビームドリフト補正が行わ
れているので、高精度なパターン９ａを形成することが
できる。
【００４７】次に、現像処理とベーキング処理を含むリ
ソグラフィ技術を使用して、電子ビームによって描画さ
れたパターン９ａの領域を取り除く処理などを行って、
スルーホールを形成するためのエッチング用マスクとし
てのレジスト膜９とする。その後、エッチング用マスク
としてのレジスト膜９を用いて、ドライエッチングなど
の選択エッチング技術を使用して、絶縁膜８にコンタク
トホールとしてのスルーホール１０を形成する（図
６）。
ソグラフィ技術を使用して、電子ビームによって描画さ
れたパターン９ａの領域を取り除く処理などを行って、
スルーホールを形成するためのエッチング用マスクとし
てのレジスト膜９とする。その後、エッチング用マスク
としてのレジスト膜９を用いて、ドライエッチングなど
の選択エッチング技術を使用して、絶縁膜８にコンタク
トホールとしてのスルーホール１０を形成する（図
６）。
【００４８】その後、不要となったレジスト膜９を取り
除いた後、半導体基板１の上に、ＣＶＤ法を使用してタ
ングステン膜を形成した後、ＣＭＰ法などを使用して、
スルーホール１０以外のタングステン膜を研磨すること
により取り除いて、スルーホール１０に埋め込まれてい
るタングステン膜からなるプラグ１１を形成する。
除いた後、半導体基板１の上に、ＣＶＤ法を使用してタ
ングステン膜を形成した後、ＣＭＰ法などを使用して、
スルーホール１０以外のタングステン膜を研磨すること
により取り除いて、スルーホール１０に埋め込まれてい
るタングステン膜からなるプラグ１１を形成する。
【００４９】次に、半導体基板１の上に、例えばアルミ
ニウム層などからなる配線層１２を堆積した後、その上
にレジスト膜１３を形成する。
ニウム層などからなる配線層１２を堆積した後、その上
にレジスト膜１３を形成する。
【００５０】その後、前述した実施の形態１の電子ビー
ム露光装置のビームドリフト補正方法を用いて、レジス
ト膜１３に電子ビームを照射して、配線層パターンを形
成するためのパターン１３ａを形成する。
ム露光装置のビームドリフト補正方法を用いて、レジス
ト膜１３に電子ビームを照射して、配線層パターンを形
成するためのパターン１３ａを形成する。
【００５１】この場合、前述した実施の形態１の電子ビ
ーム露光装置のビームドリフト補正方法を用いているこ
とにより、ビームドリフト補正が行われているので、高
精度なパターン１３ａを形成することができる。また、
前述した実施の形態２または実施の形態３の電子ビーム
露光装置のビームドリフト補正方法を適用する態様とす
ることができ、その場合でも、ビームドリフト補正が行
われているので、高精度なパターン１３ａを形成するこ
とができる（図７）。
ーム露光装置のビームドリフト補正方法を用いているこ
とにより、ビームドリフト補正が行われているので、高
精度なパターン１３ａを形成することができる。また、
前述した実施の形態２または実施の形態３の電子ビーム
露光装置のビームドリフト補正方法を適用する態様とす
ることができ、その場合でも、ビームドリフト補正が行
われているので、高精度なパターン１３ａを形成するこ
とができる（図７）。
【００５２】次に、現像処理とベーキング処理を含むリ
ソグラフィ技術を使用して、電子ビームによって描画さ
れたパターン１３ａの領域を取り除く処理などを行っ
て、配線層パターンを形成するためのエッチング用マス
クとしてのレジスト膜１３とする。その後、エッチング
用マスクとしてのレジスト膜１３を用いて、ドライエッ
チングなどの選択エッチング技術を使用して、パターン
化された配線層１２を形成する（図８）。
ソグラフィ技術を使用して、電子ビームによって描画さ
れたパターン１３ａの領域を取り除く処理などを行っ
て、配線層パターンを形成するためのエッチング用マス
クとしてのレジスト膜１３とする。その後、エッチング
用マスクとしてのレジスト膜１３を用いて、ドライエッ
チングなどの選択エッチング技術を使用して、パターン
化された配線層１２を形成する（図８）。
【００５３】その後、不要となったレジスト膜１３を取
り除いた後、半導体基板１の上に、層間絶縁膜としての
絶縁膜１４を形成し、それにスルーホール１５を形成し
た後、そのスルーホール１５に埋め込まれたプラグ１６
を形成し、その後、配線層（２層目の配線層）１７を形
成する（図９）。この場合、前述した絶縁膜８の製造工
程から配線層（１層目の配線層）１２の製造工程と同様
な製造工程を使用して行っている。
り除いた後、半導体基板１の上に、層間絶縁膜としての
絶縁膜１４を形成し、それにスルーホール１５を形成し
た後、そのスルーホール１５に埋め込まれたプラグ１６
を形成し、その後、配線層（２層目の配線層）１７を形
成する（図９）。この場合、前述した絶縁膜８の製造工
程から配線層（１層目の配線層）１２の製造工程と同様
な製造工程を使用して行っている。
【００５４】次に、設計仕様に応じて、前述した製造工
程（層間絶縁膜としての絶縁膜１４、スルーホール１
５、プラグ１６、２層目の配線層としての配線層１７の
製造工程）を繰り返し行って、多層配線層を形成するこ
とによって、本実施の形態の半導体集積回路装置の製造
工程を終了する。
程（層間絶縁膜としての絶縁膜１４、スルーホール１
５、プラグ１６、２層目の配線層としての配線層１７の
製造工程）を繰り返し行って、多層配線層を形成するこ
とによって、本実施の形態の半導体集積回路装置の製造
工程を終了する。
【００５５】前述した本実施の形態の半導体集積回路装
置によれば、前述した実施の形態１または実施の形態２
あるいは実施の形態３の電子ビーム露光装置のビームド
リフト補正方法を用いて、レジスト膜９に電子ビームを
照射して、スル−ホールを形成するためのパターン９ａ
を形成していることにより、ビームドリフト補正が行わ
れているので、高精度なパターン９ａを形成することが
できる。したがって、高精度なパターンを有するレジス
ト膜９をエッチング用マスクとして用いて、選択エッチ
ング技術を使用して、絶縁膜８にスルーホール１０を形
成しているので、高精度なパターンを有すると共に下地
層としての半導体領域７との高い合わせ精度を有するス
ルーホール１０を形成することができる。
置によれば、前述した実施の形態１または実施の形態２
あるいは実施の形態３の電子ビーム露光装置のビームド
リフト補正方法を用いて、レジスト膜９に電子ビームを
照射して、スル−ホールを形成するためのパターン９ａ
を形成していることにより、ビームドリフト補正が行わ
れているので、高精度なパターン９ａを形成することが
できる。したがって、高精度なパターンを有するレジス
ト膜９をエッチング用マスクとして用いて、選択エッチ
ング技術を使用して、絶縁膜８にスルーホール１０を形
成しているので、高精度なパターンを有すると共に下地
層としての半導体領域７との高い合わせ精度を有するス
ルーホール１０を形成することができる。
【００５６】また、前述した本実施の形態の半導体集積
回路装置によれば、前述した実施の形態１または実施の
形態２あるいは実施の形態３の電子ビーム露光装置のビ
ームドリフト補正方法を用いて、レジスト膜１３に電子
ビームを照射して、配線層パターンを形成するためのパ
ターン１３ａを形成していることにより、ビームドリフ
ト補正が行われているので、高精度なパターン１３ａを
形成することができる。したがって、高精度なパターン
を有するレジスト膜１３をエッチング用マスクとして用
いて、選択エッチング技術を使用して、パターン化され
た配線層１２を形成しているので、高精度なパターンを
有すると共に下地層としてのプラグ１１との高い合わせ
精度を有する配線層１２を形成することができる。
回路装置によれば、前述した実施の形態１または実施の
形態２あるいは実施の形態３の電子ビーム露光装置のビ
ームドリフト補正方法を用いて、レジスト膜１３に電子
ビームを照射して、配線層パターンを形成するためのパ
ターン１３ａを形成していることにより、ビームドリフ
ト補正が行われているので、高精度なパターン１３ａを
形成することができる。したがって、高精度なパターン
を有するレジスト膜１３をエッチング用マスクとして用
いて、選択エッチング技術を使用して、パターン化され
た配線層１２を形成しているので、高精度なパターンを
有すると共に下地層としてのプラグ１１との高い合わせ
精度を有する配線層１２を形成することができる。
【００５７】したがって、前述した本実施の形態の半導
体集積回路装置によれば、高精度なパターンを有すると
共に下地層との高い合わせ精度を有するスルーホール１
０および配線層１２を形成することができることによ
り、微細加工をもって高性能でしかも高信頼度の多層配
線層を高い製造歩留りで製造することができる。
体集積回路装置によれば、高精度なパターンを有すると
共に下地層との高い合わせ精度を有するスルーホール１
０および配線層１２を形成することができることによ
り、微細加工をもって高性能でしかも高信頼度の多層配
線層を高い製造歩留りで製造することができる。
【００５８】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
【００５９】例えば、本発明の電子ビーム露光装置のビ
ームドリフト補正方法を用いた半導体集積回路装置の製
造方法は、スルーホールの製造工程および配線層の製造
工程以外に、ゲート電極のパターンを形成する製造工程
などの種々のパターンを形成する製造工程に適用でき
る。
ームドリフト補正方法を用いた半導体集積回路装置の製
造方法は、スルーホールの製造工程および配線層の製造
工程以外に、ゲート電極のパターンを形成する製造工程
などの種々のパターンを形成する製造工程に適用でき
る。
【００６０】また、本発明の電子ビーム露光装置のビー
ムドリフト補正方法を用いた半導体集積回路装置の製造
方法は、半導体基板またはＳＯＩ（Silicon on Insulat
or）基板などのウエハを使用し、そのウエハにＭＯＳＦ
ＥＴ、ＣＭＯＳＦＥＴ、バイポーラトランジスタ、また
はＭＯＳＦＥＴとバイポーラトランジスタを組み合わせ
たＢｉＭＯＳあるいはＢｉＣＭＯＳ構造などの種々の半
導体素子を組み合わせた態様の半導体素子を有する半導
体集積回路装置の製造方法に適用できる。
ムドリフト補正方法を用いた半導体集積回路装置の製造
方法は、半導体基板またはＳＯＩ（Silicon on Insulat
or）基板などのウエハを使用し、そのウエハにＭＯＳＦ
ＥＴ、ＣＭＯＳＦＥＴ、バイポーラトランジスタ、また
はＭＯＳＦＥＴとバイポーラトランジスタを組み合わせ
たＢｉＭＯＳあるいはＢｉＣＭＯＳ構造などの種々の半
導体素子を組み合わせた態様の半導体素子を有する半導
体集積回路装置の製造方法に適用できる。
【００６１】また、本発明の電子ビーム露光装置のビー
ムドリフト補正方法を用いた半導体集積回路装置の製造
方法は、ＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳＦＥＴなどを構成要素
とするロジック系あるいはＤＲＡＭ（Dynamic Random A
ccess Memory）、ＳＲＡＭ（Static Random Access Mem
ory ）などのメモリ系などを有する種々の半導体集積回
路装置の製造方法に適用できる。
ムドリフト補正方法を用いた半導体集積回路装置の製造
方法は、ＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳＦＥＴなどを構成要素
とするロジック系あるいはＤＲＡＭ（Dynamic Random A
ccess Memory）、ＳＲＡＭ（Static Random Access Mem
ory ）などのメモリ系などを有する種々の半導体集積回
路装置の製造方法に適用できる。
【００６２】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００６３】（１）．本発明の電子ビーム露光装置のビ
ームドリフト補正方法によれば、予測ビームドリフト量
を使用して、描画開始から描画終了までの描画時のビー
ムドリフトの補正を装置の制御部によって常時行うもの
であることにより、常にビームドリフトを高精度に補正
して、描画できるので、高精度な描画パターンを形成で
きる。
ームドリフト補正方法によれば、予測ビームドリフト量
を使用して、描画開始から描画終了までの描画時のビー
ムドリフトの補正を装置の制御部によって常時行うもの
であることにより、常にビームドリフトを高精度に補正
して、描画できるので、高精度な描画パターンを形成で
きる。
【００６４】また、本発明の電子ビーム露光装置のビー
ムドリフト補正方法によれば、予測ビームドリフト量を
使用して、描画開始から描画終了までの描画時のビーム
ドリフトの補正を装置の制御部によって常時行うもので
あることにより、従来のビームドリフト補正方法におけ
る描画中に周期的にターゲット（半導体基板などからな
るウエハに形成されているターゲット）の座標を検出
し、基準値との差をビームドリフト量とし、そのビーム
ドリフト量を補正する操作（従来は、１０回程度の補正
回数）を省略できるので、描画（露光）時間が低減でき
る結果、スループットが向上できる。
ムドリフト補正方法によれば、予測ビームドリフト量を
使用して、描画開始から描画終了までの描画時のビーム
ドリフトの補正を装置の制御部によって常時行うもので
あることにより、従来のビームドリフト補正方法におけ
る描画中に周期的にターゲット（半導体基板などからな
るウエハに形成されているターゲット）の座標を検出
し、基準値との差をビームドリフト量とし、そのビーム
ドリフト量を補正する操作（従来は、１０回程度の補正
回数）を省略できるので、描画（露光）時間が低減でき
る結果、スループットが向上できる。
【００６５】（２）．本発明の電子ビーム露光装置のビ
ームドリフト補正方法によれば、前述した電子ビーム露
光装置のビームドリフト補正方法に比較して、複数回の
補正操作を行って、実際のビームのビームドリフト量を
予測ビームドリフト量に付加して、より精度の高い予測
ビームドリフト量として、その予測ビームドリフト量を
使用して、描画開始から描画終了までの描画時のビーム
ドリフトの補正を装置の制御部によって常時行うもので
あることにより、常にビームドリフトを高精度に補正し
て、描画できるので、高精度な描画パターンを形成でき
る。
ームドリフト補正方法によれば、前述した電子ビーム露
光装置のビームドリフト補正方法に比較して、複数回の
補正操作を行って、実際のビームのビームドリフト量を
予測ビームドリフト量に付加して、より精度の高い予測
ビームドリフト量として、その予測ビームドリフト量を
使用して、描画開始から描画終了までの描画時のビーム
ドリフトの補正を装置の制御部によって常時行うもので
あることにより、常にビームドリフトを高精度に補正し
て、描画できるので、高精度な描画パターンを形成でき
る。
【００６６】（３）．本発明の電子ビーム露光装置のビ
ームドリフト補正方法によれば、１回目の補正操作によ
って、予測ビームドリフト量を算出し、その予測ビーム
ドリフト量を使用して、１回目の補正操作から２回目の
補正操作までのビームドリフトの補正を、装置の制御部
によって常時補正を行っている。また、２回目の補正操
作によって、予測ビームドリフト量を算出し、その予測
ビームドリフト量を使用して、２回目の補正操作から描
画終了までのビームドリフトの補正を、装置の制御部に
よって常時補正を行っている。
ームドリフト補正方法によれば、１回目の補正操作によ
って、予測ビームドリフト量を算出し、その予測ビーム
ドリフト量を使用して、１回目の補正操作から２回目の
補正操作までのビームドリフトの補正を、装置の制御部
によって常時補正を行っている。また、２回目の補正操
作によって、予測ビームドリフト量を算出し、その予測
ビームドリフト量を使用して、２回目の補正操作から描
画終了までのビームドリフトの補正を、装置の制御部に
よって常時補正を行っている。
【００６７】その結果、本発明の電子ビーム露光装置の
ビームドリフト補正方法によれば、予測ビームドリフト
量を使用して、１回目の補正操作から描画終了までの描
画時のビームドリフトの補正を装置の制御部によって常
時行うものであることにより、１回目の補正操作からの
ビームドリフトを高精度に補正して、描画できるので、
高精度な描画パターンを形成できる。
ビームドリフト補正方法によれば、予測ビームドリフト
量を使用して、１回目の補正操作から描画終了までの描
画時のビームドリフトの補正を装置の制御部によって常
時行うものであることにより、１回目の補正操作からの
ビームドリフトを高精度に補正して、描画できるので、
高精度な描画パターンを形成できる。
【００６８】（４）．本発明の半導体集積回路装置の製
造方法によれば、前述した電子ビーム露光装置のビーム
ドリフト補正方法を用いて、レジスト膜に電子ビームを
照射して、スル−ホールを形成するためのパターンを形
成していることにより、ビームドリフト補正が行われて
いるので、高精度なパターンを形成することができる。
したがって、高精度なパターンを有するレジスト膜をエ
ッチング用マスクとして用いて、選択エッチング技術を
使用して、絶縁膜にスルーホールを形成しているので、
高精度なパターンを有すると共に下地層としての半導体
領域との高い合わせ精度を有するスルーホールを形成す
ることができる。
造方法によれば、前述した電子ビーム露光装置のビーム
ドリフト補正方法を用いて、レジスト膜に電子ビームを
照射して、スル−ホールを形成するためのパターンを形
成していることにより、ビームドリフト補正が行われて
いるので、高精度なパターンを形成することができる。
したがって、高精度なパターンを有するレジスト膜をエ
ッチング用マスクとして用いて、選択エッチング技術を
使用して、絶縁膜にスルーホールを形成しているので、
高精度なパターンを有すると共に下地層としての半導体
領域との高い合わせ精度を有するスルーホールを形成す
ることができる。
【００６９】（５）．本発明の半導体集積回路装置の製
造方法によれば、前述した電子ビーム露光装置のビーム
ドリフト補正方法を用いて、レジスト膜に電子ビームを
照射して、配線層パターンを形成するためのパターンを
形成していることにより、ビームドリフト補正が行われ
ているので、高精度なパターンを形成することができ
る。したがって、高精度なパターンを有するレジスト膜
をエッチング用マスクとして用いて、選択エッチング技
術を使用して、パターン化された配線層を形成している
ので、高精度なパターンを有すると共に下地層としての
プラグとの高い合わせ精度を有する配線層を形成するこ
とができる。
造方法によれば、前述した電子ビーム露光装置のビーム
ドリフト補正方法を用いて、レジスト膜に電子ビームを
照射して、配線層パターンを形成するためのパターンを
形成していることにより、ビームドリフト補正が行われ
ているので、高精度なパターンを形成することができ
る。したがって、高精度なパターンを有するレジスト膜
をエッチング用マスクとして用いて、選択エッチング技
術を使用して、パターン化された配線層を形成している
ので、高精度なパターンを有すると共に下地層としての
プラグとの高い合わせ精度を有する配線層を形成するこ
とができる。
【００７０】（６）．本発明の半導体集積回路装置の製
造方法によれば、高精度なパターンを有すると共に下地
層との高い合わせ精度を有するスルーホールおよび配線
層を形成することができることにより、微細加工をもっ
て高性能でしかも高信頼度の多層配線層を高い製造歩留
りで製造することができる。
造方法によれば、高精度なパターンを有すると共に下地
層との高い合わせ精度を有するスルーホールおよび配線
層を形成することができることにより、微細加工をもっ
て高性能でしかも高信頼度の多層配線層を高い製造歩留
りで製造することができる。
【図１】本発明の実施の形態１である電子ビーム露光装
置のビームドリフト補正方法を説明するためのグラフ図
である。
置のビームドリフト補正方法を説明するためのグラフ図
である。
【図２】本発明の実施の形態２である電子ビーム露光装
置のビームドリフト補正方法を説明するためのグラフ図
である。
置のビームドリフト補正方法を説明するためのグラフ図
である。
【図３】本発明の実施の形態３である電子ビーム露光装
置のビームドリフト補正方法を説明するためのグラフ図
である。
置のビームドリフト補正方法を説明するためのグラフ図
である。
【図４】本発明の実施の形態４である半導体集積回路装
置の製造工程を示す概略断面図である。
置の製造工程を示す概略断面図である。
【図５】本発明の実施の形態４である半導体集積回路装
置の製造工程を示す概略断面図である。
置の製造工程を示す概略断面図である。
【図６】本発明の実施の形態４である半導体集積回路装
置の製造工程を示す概略断面図である。
置の製造工程を示す概略断面図である。
【図７】本発明の実施の形態４である半導体集積回路装
置の製造工程を示す概略断面図である。
置の製造工程を示す概略断面図である。
【図８】本発明の実施の形態４である半導体集積回路装
置の製造工程を示す概略断面図である。
置の製造工程を示す概略断面図である。
【図９】本発明の実施の形態４である半導体集積回路装
置の製造工程を示す概略断面図である。
置の製造工程を示す概略断面図である。
１ 半導体基板（ウエハ） ２ フィールド絶縁膜 ３ ゲート絶縁膜 ４ ゲート電極 ５ 絶縁膜 ６ サイドウォールスペーサ ７ 半導体領域 ８ 絶縁膜 ９ レジスト膜 ９ａ パターン １０ スルーホール １１ プラグ １２ 配線層 １３ レジスト膜 １３ａ パターン １４ 絶縁膜 １５ スルーホール １６ プラグ １７ 配線層 Ａ 予測ビームドリフト量 Ａ1 〜Ａ5 予測ビームドリフト量 Ｂ 実際のビームのドリフト量 Ｔ0 描画開始の時間 Ｔ1 １回目の補正操作の時間 Ｔ2 ２回目の補正操作の時間 Ｔ3 描画終了の時間
Claims (9)
- 【請求項１】 予測ビームドリフト量を使用して、描画
開始から描画終了までの描画時のビームドリフトの補正
を装置の制御部によって常時行うことを特徴とする電子
ビーム露光装置のビームドリフト補正方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の電子ビーム露光装置のビ
ームドリフト補正方法であって、前記予測ビームドリフ
ト量の算出は、実際に描画するウエハに対し、同じ描画
パターンを、同じ製造プロセスで作成したウエハ上に、
同じアライメント方法を使用して描画した時のビームド
リフト量の結果を使用することを特徴とする電子ビーム
露光装置のビームドリフト補正方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の電子ビーム露光装置のビ
ームドリフト補正方法であって、前記予測ビームドリフ
ト量の算出は、複数のウエハをロット単位で連続的に描
画処理する場合、１枚目のウエハのビームドリフト量の
結果を使用することを特徴とする電子ビーム露光装置の
ビームドリフト補正方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の電子ビーム露光装置のビ
ームドリフト補正方法であって、前記予測ビームドリフ
ト量の算出は、実際に描画するウエハに対し、同じ描画
パターンで、しかも同じ製造プロセスで作成した各々の
ウエハ上に、同じアライメント方法を使用して描画した
時のビームドリフト量の結果を使用し、その各々のウエ
ハに対応するビームドリフト量の結果を統計処理するこ
とにより、最も正確と判断できるビームドリフト量を算
出することを特徴とする電子ビーム露光装置のビームド
リフト補正方法。 - 【請求項５】 請求項２〜４のいずれか１項に記載の電
子ビーム露光装置のビームドリフト補正方法であって、
描画開始から描画終了までの描画時間に、ビームのドリ
フトの補正操作を複数回行い、前記補正操作によって得
られたビームドリフト量を前記予測ビームドリフト量に
付加した新規な予測ビームドリフト量とすることを特徴
とする電子ビーム露光装置のビームドリフト補正方法。 - 【請求項６】 請求項１記載の電子ビーム露光装置のビ
ームドリフト補正方法であって、前記予測ビームドリフ
ト量は、描画開始から描画終了までの描画時間に、ビー
ムのドリフトの補正操作を複数回行い、前記補正操作の
各々の補正操作によって得られたビームドリフト量を利
用していることを特徴とする電子ビーム露光装置のビー
ムドリフト補正方法。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項に記載の電
子ビーム露光装置のビームドリフト補正方法を用いたリ
ソグラフィ技術および選択エッチング技術を使用して、
半導体集積回路装置のパターンを形成する製造工程を有
することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項７記載の半導体集積回路装置の製
造方法であって、前記パターンは、絶縁膜に形成される
スルーホールのパターンであることを特徴とする半導体
集積回路装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項７記載の半導体集積回路装置の製
造方法であって、前記パターンは、配線層のパターンで
あることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9158973A JPH118171A (ja) | 1997-06-16 | 1997-06-16 | 電子ビーム露光装置のビームドリフト補正方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9158973A JPH118171A (ja) | 1997-06-16 | 1997-06-16 | 電子ビーム露光装置のビームドリフト補正方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118171A true JPH118171A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=15683429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9158973A Pending JPH118171A (ja) | 1997-06-16 | 1997-06-16 | 電子ビーム露光装置のビームドリフト補正方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH118171A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012204723A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Canon Inc | 荷電粒子線描画方法、およびそれを用いた物品の製造方法 |
-
1997
- 1997-06-16 JP JP9158973A patent/JPH118171A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012204723A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Canon Inc | 荷電粒子線描画方法、およびそれを用いた物品の製造方法 |
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