JPH1184623A - 光ファイバー加工用位相マスクの製造方法及びその光ファイバー加工用位相マスクを使用して作製されたブラッグ回折格子付き光ファイバー - Google Patents

光ファイバー加工用位相マスクの製造方法及びその光ファイバー加工用位相マスクを使用して作製されたブラッグ回折格子付き光ファイバー

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JPH1184623A
JPH1184623A JP23843897A JP23843897A JPH1184623A JP H1184623 A JPH1184623 A JP H1184623A JP 23843897 A JP23843897 A JP 23843897A JP 23843897 A JP23843897 A JP 23843897A JP H1184623 A JPH1184623 A JP H1184623A
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栗原正彰
Toshiichi Segawa
瀬川敏一
Tetsuo Komukai
小向哲郎
Masataka Nakazawa
中沢正隆
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光ファイバー加工用位相マスクにおいて、作
製される光ファイバー回折格子の波長選択性を悪化させ
る繋ぎエラーを少なくした位相マスクの製造方法。 【解決手段】 露光工程において、描画ステージ５上に
位相マスクブランク１０を載置し、描画ステージ５を一
方向へ連続的に送りながらその送り方向に直交する凹溝
２６又は凸条２７に対応する位相マスクブランク部分を
描画ビーム１４で順次走査することにより、位相マスク
ブランク１０の全描画領域を連続的に描画する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバー加工
用位相マスクの製造方法及びその光ファイバー加工用位
相マスクを使用して作製されたブラッグ回折格子付き光
ファイバーに関し、特に、光通信等に用いられる光ファ
イバー内に紫外線レーザ光を用いて回折格子を作製する
ための位相マスクの製造方法とそのマスクを用いて作製
されたブラッグ回折格子付き光ファイバーに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバーは地球規模の通信に大革新
をもたらし、高品質、大容量の大洋横断電話通信を可能
にしたが、従来より、この光ファイバーに沿ってコア内
に周期的に屈折率分布を作り出し、光ファイバー内にブ
ラッグ回折格子を作り、その回折格子の周期と長さ、屈
折率変調の大きさによって回折格子の反射率の高低と波
長特性の幅を決めることにより、その回折格子を光通信
用の波長多重分割器、レーザやセンサーに使用される狭
帯域の高反射ミラー、ファイバーアンプにおける余分な
レーザ波長を取り除く波長選択フィルター等として利用
できることが知られている。
【０００３】しかし、石英光ファイバーの減衰が最小と
なり、長距離通信システムに適している波長は１．５５
μｍであることにより、この波長で光ファイバー回折格
子を使用するためには、格子間隔を約５００ｎｍとする
必要があり、このような細かい構造をコアの中に作るこ
と自体が当初は難しいとされており、光ファイバーのコ
ア内にブラッグ回折格子を作るのに、側面研磨、フォト
レジストプロセス、ホログラフィー露光、反応性イオン
ビームエッチング等からなる何段階もの複雑な工程がと
られていた。このため、作製時間が長く、歩留まりも低
かった。
【０００４】しかし、最近、紫外線を光ファイバーに照
射し、直接コア内に屈折率の変化をもたらし回折格子を
作る方法が知られるようになり、この紫外線を照射する
方法は複雑なプロセスを必要としないため、周辺技術の
進歩と共に次第に実施されるようになってきた。
【０００５】この紫外光を用いる方法の場合、上記のよ
うに格子間隔が約５００ｎｍと細かいため、２本の光束
を干渉させる干渉方法、（エキシマレーザからのシング
ルパルスを集光して回折格子面を１枚ずつ作る）１点毎
の書き込みによる方法、グレーティングを持つ位相マス
クを使って照射する方法等がとられている。
【０００６】上記の２光束を干渉させる干渉方法には、
横方向のビームの品質、すなわち空間コヒーレンスに問
題があり、１点毎の書き込みによる方法には、サブミク
ロンの大きさの緻密なステップ制御が必要で、かつ光を
小さく取り込み多くの面を書き込むことが要求され、作
業性にも問題があった。
【０００７】このため、上記問題に対応できる方法とし
て、位相マスクを用いる照射方法が注目されるようにな
ってきたが、この方法は図５（ａ）に示すように、石英
基板の１面に凹溝を所定のピッチで所定の深さに設けた
位相マスク２１を用いて、紫外線レーザ光（波長：１９
０〜３００ｎｍ）２３をそのマスク２１照射し、光ファ
イバー２２のコア２２Ａに直接屈折率の変化をもたら
し、グレーティング（回折格子）を作製するものであ
る。なお、図５（ａ）には、コア２２Ａにおける干渉縞
パターン２４を分かりやすく拡大して示してある。図５
（ｂ）、図５（ｃ）はそれぞれ位相マスク２１の断面
図、それに対応する上面図の一部を示したものである。
位相マスク２１は、その１面に繰り返しピッチＰで深さ
Ｄの凹溝２６を設け、凹溝２６間に略同じ幅の凸条２７
を設けてなるバイナリー位相型回折格子状の構造を有す
るものである。
【０００８】位相マスク２１の凹溝２６の深さ（凸条２
７と凹溝２６との高さの差）Ｄは、露光光である紫外線
レーザ光（ビーム）２３の位相をπラジアンだけ変調す
るように選択されており、０次光（ビーム）２５Ａは位
相マスク２１により５％以下に抑えられ、マスク２１か
ら出る主な光（ビーム）は、回折光の３５％以上を含む
プラス１次の回折光２５Ｂとマイナス１次の回折光２５
Ｃに分割される。このため、このプラス１次の回折光２
５Ｂとマイナス１次の回折光２５Ｃによる所定ピッチの
干渉縞の照射を行い、このピッチでの屈折率変化を光フ
ァイバー２２内にもたらすものである。
【０００９】上記のような位相マスク２１を用いて作製
する光ファイバー中のグレーティングはピッチが一定の
ものであり、そのためその作製に用いられる位相マスク
２１の凹溝２６のピッチも一定のものである。
【００１０】このような位相マスクを作製するには、電
子線レジストを塗布した石英基板上の凹溝２６に相当す
る位置を電子線描画装置により描画して、描画部をエッ
チング除去することにより作製していた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、狭帯域
の光ファイバー回折格子を実現するために、上記のよう
な位相マスク２１は、実際には凹溝２６の繰り返し方向
（図５の断面内の方向）の寸法が１００ｍｍ程度必要で
あり、１回の連続した描画で全体を露光するのは容易で
ないので、全描画領域を小さいセグメント（約７ｍｍ間
隔）に分割して、まず描画ステージを固定して１つのセ
グメントを描画し、その後描画ステージを１セグメント
分移動して隣接するセグメントを描画することを繰り返
して、各セグメントを接続しながら順次描画するステッ
プ・アンド・リピート方式を採用して全領域を描画して
いた。
【００１２】しかし、この方式によると、各セグメント
間の接続において凹溝２６の繰り返し周期の位相のずれ
（繋ぎエラー）という問題が発生していた。このような
繋ぎエラーを持った位相マスクを用いて作製された光フ
ァイバー回折格子は、図８に反射特性を例示するよう
に、中心のブラッグピークの両側に本来のサイドローブ
（ｓｉｄｅｌｏｂｅ）以外の不要なピークが多数生じて
しまう。
【００１３】本発明は従来技術のこのような問題点に鑑
みてなされたものであり、その目的は、光ファイバー加
工用位相マスクにおいて、作製される光ファイバー回折
格子の波長選択性を悪化させる繋ぎエラーを少なくした
光ファイバー加工用位相マスクの製造方法を提供するこ
とである。本発明は、また、このような光ファイバー加
工用位相マスクを使用して作製されたブラッグ回折格子
付き光ファイバーを含むものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の光ファイバー加工用位相マスクの製造方法は、透明
基板の１面に格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターンが
設けられ、その繰り返しパターンによる回折光を光ファ
イバーに照射して異なる次数の回折光相互の干渉縞によ
り光ファイバー中に回折格子を作製する光ファイバー加
工用位相マスクの製造方法において、露光工程におい
て、描画ステージ上に位相マスクブランクを載置し、描
画ステージを一方向へ連続的に送りながらその送り方向
に直交する凹溝又は凸条に対応する位相マスクブランク
部分を描画ビームで順次走査することにより、位相マス
クブランクの全描画領域を連続的に描画することを特徴
とする方法である。
【００１５】本発明の光ファイバー加工用位相マスクの
もう１つの製造方法は、透明基板の１面に格子状の凹溝
と凸条の繰り返しパターンが設けられ、その繰り返しパ
ターンによる回折光を光ファイバーに照射して異なる次
数の回折光相互の干渉縞により光ファイバー中に回折格
子を作製する光ファイバー加工用位相マスクの製造方法
において、露光工程において、全描画領域より小さいセ
グメントを順次描画しながら凹溝又は凸条に直交する方
向にセグメント間を接続して全描画領域を描画をする際
に、隣接するセグメント間を一部の端領域でオーバーラ
ップさせて描画することを特徴とする方法である。
【００１６】これらの場合に、描画は、電子線描画装置
にて行うことも、また、レーザー光描画装置にて行うこ
ともできる。また、格子状の凹溝と凸条の繰り返しパタ
ーンのピッチは、通常０．８５μｍ〜１．２５μｍの間
に設定される。
【００１７】なお、格子状の凹溝と凸条の繰り返しパタ
ーンの凹溝と凸条の高さの差は、光ファイバー加工用の
紫外線が透過する際に位相が略πだけずれる大きさであ
ることが望ましい。本発明は、上記の何れかの製造方法
によって作られて光ファイバー加工用位相マスクを使用
して作製されたブラッグ回折格子付き光ファイバーも含
むものである。
【００１８】本発明においては、露光工程において、描
画ステージ上に位相マスクブランクを載置し、描画ステ
ージを一方向へ連続的に送りながらその送り方向に直交
する凹溝又は凸条に対応する位相マスクブランク部分を
描画ビームで順次走査することにより、位相マスクブラ
ンクの全描画領域を連続的に描画するか、あるいは、全
描画領域より小さいセグメントを順次描画しながら凹溝
又は凸条に直交する方向にセグメント間を接続して全描
画領域を描画をする際に、隣接するセグメント間を一部
の端領域でオーバーラップさせて描画するので、従来の
ような描画セグメント間の接続による繋ぎエラーの発生
が起こらず、このような位相マスクを使用して作製され
たブラッグ回折格子付き光ファイバーにおいては、中心
のブラッグピークの両側に不要なピークが発生しない。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の光ファイバー加
工用位相マスクの製造方法を実施例に基づいて説明す
る。図２（ｂ）に、図５（ａ）のような配置で光ファイ
バー中にブラック回折格子を作製するための交互に凹溝
２６と凸条２７の繰り返しパターンからなる位相マスク
２１の長尺方向の一部分の断面図を示す。このようなマ
スク２１の凹溝２６と凸条２７は、図２（ａ）の上面図
に示すように、電子線レジストを塗布した石英基板（図
４参照）上を電子ビームの走査線２８が凹溝２６に沿う
方向へ向くようにラスタースキャンして描画することに
より凹溝２６を露光し、図に破線で示すように、電子ビ
ームのスキャンをブランクにすることにより凸条２７が
作製される。本発明に基づく長尺のマスク２１全体の露
光は、図２（ａ）中、二重矢印で示す方向（凹溝２６と
凸条２７に直角な方向）へラスタースキャンを行い、上
記のように、凹溝２６を描画すべき位置においては所定
の走査線数（図の場合は５本）だけ実際のスキャンを行
い、次の凸条２７を描画すべき位置においては同じ走査
線数だけスキャンをブランクにし、これを連続的に多数
繰り返すことにより所定長さの位相マスク２１を一度に
電子線露光する方法である。
【００２０】すなわち、図１に模式的に示すように、電
子銃１、電子銃１から放射された電子ビーム２を収束さ
せる電子レンズ３、収束された電子ビーム１４を偏向さ
せる電子線偏向器４、電子線偏向器４によって１方向
（Ｘ方向）に走査される収束電子ビーム１４の走査方向
に直交する方向（Ｙ方向）へ移動可能な描画ステージ５
からなる電子線描画装置を用いて、描画ステージ５上に
電子線レジストを塗布した石英基板からなる位相マスク
ブランク１０を載置する。そして、描画ステージ５を走
査方向に直交する方向（Ｙ方向）へ一定速度で送りなが
ら、位相マスクブランク１０上に収束電子ビーム１４で
所定繰り返し間隔で走査方向（Ｘ方向）へ偏向して凹溝
２６を電子線描画する。
【００２１】このように、本発明においては、光ファイ
バー加工用位相マスクのリソグラフィックな製造方法に
おける露光工程において、描画ステージ上に位相マスク
ブランクを載置し、描画ステージを一方向へ連続的に送
りながらその送り方向に直交する凹溝又は凸条に対応す
る位相マスクブランク部分を描画ビームで順次走査する
ことにより、位相マスクブランクの全描画領域を連続的
に描画するので、従来のような描画セグメント間の接続
による繋ぎエラーの発生が起こらない。したがって、こ
のような位相マスクを使用して作製された光ファイバー
回折格子においては、図８に示したような不要なピーク
（ノイズ）が発生しない。
【００２２】具体例として、高圧水素充填を施して感光
性を高めた石英光ファイバーを感光性光ファイバー２２
とし、上記の方法で連続的に露光し、下記の工程を経て
作製された長さ１００ｍｍの位相マスク２１を用いて、
図５（ａ）の配置で感光性光ファイバー２２のコア２２
Ａに直接屈折率の変調をもたらした。ただし、紫外線レ
ーザ光源としてアルゴンＳＨＧレーザ（波長：２４４ｎ
ｍ）を用いた。このようにして作製されたブラッグ回折
格子付き光ファイバーの反射特性を図３に示す。図８と
比較するまでもなく、中心のブラッグピークの両側には
不要なピークはほとんど生じない。
【００２３】図４にこの実施例の位相マスク２１の作製
工程の断面図を示す。図４中、１０は位相マスクのブラ
ンク、１１は石英基板、１２はクロム薄膜、１２Ａはク
ロム薄膜パターン、１２Ｂはクロム薄膜開口部、１３は
電子線レジスト、１３Ａはレジストパターン、１３Ｂは
レジスト開口部、１４は図１の装置によって収束走査さ
れる電子線（ビーム）、２１は位相マスク、２６は凹
溝、２７は凸条である。
【００２４】まず、図４（ａ）に示すように、石英基板
１１上に１５０Å厚のクロム薄膜１２をスパッタにて成
膜したブランクス１０を用意した。クロム薄膜１２は、
後工程の電子線レジスト１３に電子線１４を照射する際
のチャージアップ防止に役立ち、石英基板に凹溝２６を
作製する際のマスクとなるものであるが、クロム薄膜エ
ッチングにおける解像性の点でもその厚さの制御は重要
で、１００〜２００Å厚が適当である。
【００２５】次いで、図４（ｂ）に示すように、電子線
レジスト１３としては、電子線レジストＲＥ５１００Ｐ
（日立化成（株）製）を用い、厚さ４００ｎｍに塗布
し、乾燥した。
【００２６】この後、図４（ｃ）に示すように、電子線
レジスト１３を電子線描画装置ＭＥＢＥＳIII （ＥＴＥ
Ｃ社製）にて露光量１．２μＣ／ｃｍ2 で、図１、図２
を用いて説明したように、１本の凹溝２６を描画するラ
スタースキャンの走査線数を５本にするようにして、描
画ステージ５を一方向へ連続的に送りながらその送り方
向に直交する凹溝２６に対応する位相マスクブランク１
０の部分を電子ビーム１４で順次走査することにより、
位相マスクブランク１０の全描画領域を連続的に描画露
光した。
【００２７】露光後、９０℃で５分間ベーク（ＰＥＢ：
Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｉｎｇ）した後、
２．３８％濃度のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウム
ハイドロオキサイド）で電子線レジスト１３を現像し、
図４（ｄ）に示すような所望のレジストパターン１３Ａ
を形成した。なお、露光後のベーク（ＰＥＢ）は電子ビ
ーム１４が照射された部分を選択的に感度アップするた
めのものである。
【００２８】次いで、レジストパターン１３Ａをマスク
として、ＣＨ2 Ｃｌ2 ガスを用いてドライエッチングし
て、図４（ｅ）に示すようなクロム薄膜パターン１２Ａ
を形成した。
【００２９】次いで、図４（ｆ）に示すように、クロム
薄膜パターン１２ＡをマスクとしてＣＦ4 ガスを用いて
石英基板１１を深さ２４０ｎｍだけエッチングした。深
さの制御はエッチング時間を制御することにより行わ
れ、深さ２００〜４００ｎｍの範囲で制御してエッチン
グが可能である。
【００３０】この後、図４（ｇ）に示すように、７０℃
の硫酸にてレジストパターン１３Ａを剥離し、次いで、
図４（ｈ）に示すように、硝酸第二セリウムアンモニウ
ム溶液によりクロム薄膜パターン１２Ａをエッチングし
て除去し、洗浄処理を経て、深さ２４０ｎｍ、ピッチが
１．０７０μｍのライン（凸条２７）＆スペース（凹溝
２６）の位相マスク２１を完成した。
【００３１】以上の実施例は、位相マスク２１のリソグ
ラフィックな製造方法における描画を、描画ステージを
一方向へ連続的に送りながら描画ビームで順次走査して
全描画領域を連続的に描画露光する方法であったが、従
来のように、全描画領域を小さいセグメントに分割し
て、まず描画ステージを固定して１つのセグメントを描
画し、その後描画ステージを１セグメント分移動して隣
接するセグメントを描画することを繰り返して、各セグ
メントを接続しながら順次描画するステップ・アンド・
リピート方式を採用して全領域を描画する場合であって
も、描画ステージの移動を１セグメント分より小さくし
て、セグメント間を一部オーバーラップ露光して繋ぐよ
うにすることにより、繋ぎエラーを小さくすることがで
きる。この方法を次に説明する。
【００３２】図６は、描画セグメントＳ1 〜Ｓ5 を示す
図であり、描画セグメントＳ1 〜Ｓ5 を順次ステップ・
アンド・リピート方式で描画しながら接続して行く。そ
の場合、隣接するセグメント間を一部の端領域Ａでオー
バーラップして描画する。図７はそのオーバーラップ領
域Ａの一部を拡大した図であり、図中、符号２６1 は隣
接するセグメントの一方の凹溝を描画露光した部分（実
線）、２６2 は隣接する他方のセグメントの凹溝を描画
露光した部分（破線）であり、隣接するセグメント間で
起きる位置ずれをΔとすると、このオーバーラップ領域
Ａにおいては、１つの凹溝は露光部２６1 と露光部２６
2 との重なり部となり、その中心はオーバーラップしな
い場合の凹溝の中心からΔ／２だけずれることになる。
すなわち、セグメント間の位置ずれの半分になる。その
ため、繋ぎエラーも半分になる。３回以上オーバーラッ
プさせる場合は、繋ぎエラーはその回数分の１になる。
このオーバーラップ領域Ａを設けて接続する方法は、描
画セグメントを凹溝に直角な方向に接続する場合だけで
なく、凹溝に沿う方向に接続する場合にも適用すること
が望ましい。なお、以上のセグメント間をオーバーラッ
プして描画する際は、オーバーラップ領域を描画する電
子ビームの露光強度はオーバーラップ回数に応じて弱め
に調整し、オーバーラップ領域の露光量が１回のみ描画
露光する領域と略同じなるように調整することが望まし
い。
【００３３】以上、本発明の光ファイバー加工用位相マ
スクの製造方法を及びその光ファイバー加工用位相マス
クを使用して作製されたブラッグ回折格子付き光ファイ
バーを実施例に基づいて説明してきたが、本発明はこれ
ら実施例に限定されず種々の変形が可能である。なお、
以上の本発明の説明においては、電子線描画装置として
ラスタースキャン型のものを用いるものとしたが、ベク
タースキャン型のもの、あるいはその他の方式を用いる
場合にも、本発明を適用することができる。また、電子
線描画装置の代わりにレーザー光描画装置を用いること
もできる。
【００３４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の光ファイバー加工用位相マスクの製造方法によると、
露光工程において、描画ステージ上に位相マスクブラン
クを載置し、描画ステージを一方向へ連続的に送りなが
らその送り方向に直交する凹溝又は凸条に対応する位相
マスクブランク部分を描画ビームで順次走査することに
より、位相マスクブランクの全描画領域を連続的に描画
するか、あるいは、全描画領域より小さいセグメントを
順次描画しながら凹溝又は凸条に直交する方向にセグメ
ント間を接続して全描画領域を描画をする際に、隣接す
るセグメント間を一部の端領域でオーバーラップさせて
描画するので、従来のような描画セグメント間の接続に
よる繋ぎエラーの発生が起こらず、このような位相マス
クを使用して作製されたブラッグ回折格子付き光ファイ
バーにおいては、中心のブラッグピークの両側に不要な
ピークが発生しない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法を電子線描画装置を用いた描
画により実施するための配置を模式的に示す図である。
【図２】位相マスクの製造方法において用いられる電子
線描画方法と位相マスクの断面を示す図である。
【図３】本発明の製造方法により作製されたブラッグ回
折格子付き光ファイバーの反射特性を例示する図であ
る。
【図４】本発明の位相マスクの製造方法の１実施例の工
程を示した断面図である。
【図５】光ファイバー加工とそれに用いられる位相マス
クを説明するための図である。
【図６】本発明による別の描画方法を説明するための図
である。
【図７】図６におけるオーバーラップ領域の一部を拡大
した図である。
【図８】従来のステップ・アンド・リピート方式により
作製されたブラッグ回折格子付き光ファイバーの反射特
性を示す図である。
【符号の説明】
１…電子銃 ２…電子ビーム ３…電子レンズ ４…電子線偏向器 ５…描画ステージ １０…位相マスクブランク １１…石英基板 １２…クロム薄膜 １２Ａ…クロム薄膜パターン １２Ｂ…クロム薄膜開口部 １３…電子線レジスト １３Ａ…レジストパターン １３Ｂ…レジスト開口部 １４…収束電子ビーム ２１…位相マスク ２２…感光性光ファイバー ２２Ａ…感光性光ファイバーのコア ２２Ｂ…感光性光ファイバーのクラッド ２３…紫外線レーザ光 ２４…干渉縞パターン ２５Ａ…０次光（ビーム） ２５Ｂ…プラス１次回折光 ２５Ｃ…マイナス１次回折光 ２６…凹溝 ２６1 …隣接するセグメントの一方の凹溝を描画露光し
た部分 ２６2 …隣接する他方のセグメントの凹溝を描画露光し
た部分 ２７…凸条 ２８…電子ビームの走査線 Ａ…オーバーラップ領域 Ｓ1 〜Ｓ5 …描画セグメント
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小向哲郎 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号日本電 信電話株式会社内 (72)発明者 中沢正隆 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号日本電 信電話株式会社内

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 透明基板の１面に格子状の凹溝と凸条の
    繰り返しパターンが設けられ、その繰り返しパターンに
    よる回折光を光ファイバーに照射して異なる次数の回折
    光相互の干渉縞により光ファイバー中に回折格子を作製
    する光ファイバー加工用位相マスクの製造方法におい
    て、露光工程において、描画ステージ上に位相マスクブ
    ランクを載置し、描画ステージを一方向へ連続的に送り
    ながらその送り方向に直交する凹溝又は凸条に対応する
    位相マスクブランク部分を描画ビームで順次走査するこ
    とにより、位相マスクブランクの全描画領域を連続的に
    描画することを特徴とする光ファイバー加工用位相マス
    クの製造方法。
  2. 【請求項２】 透明基板の１面に格子状の凹溝と凸条の
    繰り返しパターンが設けられ、その繰り返しパターンに
    よる回折光を光ファイバーに照射して異なる次数の回折
    光相互の干渉縞により光ファイバー中に回折格子を作製
    する光ファイバー加工用位相マスクの製造方法におい
    て、露光工程において、全描画領域より小さいセグメン
    トを順次描画しながら凹溝又は凸条に直交する方向にセ
    グメント間を接続して全描画領域を描画をする際に、隣
    接するセグメント間を一部の端領域でオーバーラップさ
    せて描画することを特徴とする光ファイバー加工用位相
    マスクの製造方法。
  3. 【請求項３】 請求項１又は２において、描画は電子線
    描画装置にて行うことを特徴とする光ファイバー加工用
    位相マスクの製造方法。
  4. 【請求項４】 請求項１又は２において、描画はレーザ
    ー光描画装置にて行うことを特徴とする光ファイバー加
    工用位相マスクの製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項１から４の何れか１項において、
    前記の格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターンのピッチ
    が０．８５μｍ〜１．２５μｍの間にあることを特徴と
    する光ファイバー加工用位相マスクの製造方法。
  6. 【請求項６】 請求項１から５の何れか１項において、
    前記の格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターンの凹溝と
    凸条の高さの差は、光ファイバー加工用の紫外線が透過
    する際に位相が略πだけずれる大きさであることを特徴
    とする光ファイバー加工用位相マスクの製造方法。
  7. 【請求項７】 請求項１から６の何れか１項に記載の製
    造方法によって作られた光ファイバー加工用位相マスク
    を使用して作製されたブラッグ回折格子付き光ファイバ
    ー。
JP23843897A 1997-09-03 1997-09-03 光ファイバー加工用位相マスクの製造方法及びその光ファイバー加工用位相マスクを使用して作製されたブラッグ回折格子付き光ファイバー Pending JPH1184623A (ja)

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