JPH1184687A - レジスト剥離剤組成物及びその使用方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体素子回路等の製造工程における配線形
成時に生成するレジスト残渣を高性能で除去する。 【解決手段】 アルキルアミン及びアルキルアンモニウ
ム水酸化物の少なくともいずれかと水とプロピレングリ
コールモノメチルエーテルとを主成分とするレジスト剥
離剤組成物。プロピレングリコールモノメチルエーテル
の添加量を５．０〜７０．０重量％とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路、
液晶パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるフォ
トレジスト剥離剤組成物及びその使用方法、詳しくは、
半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に配線を形成する
ときに生成するレジスト残渣の除去性能を向上させるフ
ォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】剥離剤組成物は、半導体集積回路、液晶
パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるフォトレ
ジストを剥離する際に用いられる。半導体素子回路又は
付随する電極部の製造は、以下のように行われる。ま
ず、シリコン、ガラス等の基板上に金属膜をＣＶＤやス
パッタ等の方法で積層させる。その上面にフォトレジス
トを膜付けし、それを露光、現像等の処理でパターン形
成する。パターン形成されたフォトレジストをマスクと
して金属膜をエッチングする。その後、不要となったフ
ォトレジストを剥離剤組成物を用いて剥離・除去する。
その操作を繰り返すことで素子の形成が行われる。

【０００３】従来、剥離剤組成物としては、有機アルカ
リ、無機アルカリ、有機酸、無機酸、極性溶剤等の単一
溶剤、これらの混合溶液、又はこれらの水溶液が用いら
れている。また、半導体素子回路等の製造工程における
配線形成時に生成するレジスト残渣を除去するために、
アルキルアミン及びアルキルアンモニウム水酸化物の少
なくともいずれかと、有機溶剤と、水とを主成分とする
レジスト剥離剤組成物も良く知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】現在、良く使用されて
いるモノエタノールアミン（ＭＥＡ）と、極性有機溶剤
であるジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）又はＮ−メチ
ルピロリドン（ＮＭＰ）と、水とを主成分とするレジス
ト剥離剤組成物は、半導体素子回路等の製造工程におけ
る配線形成時に生成するレジスト残渣の除去性能が良く
ないという問題点を有している。

【０００５】これらの点に鑑み、本発明者は種々の実験
を重ねた結果、ＭＥＡ等のアルキルアミン又は／及びア
ルキルアンモニウム水酸化物と水とプロピレングリコー
ルモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）とを主成分とするレ
ジスト剥離剤組成物が、配線形成時に生成するレジスト
残渣を高い性能で除去することを見出した。

【０００６】本発明は、上記の知見に基づいてなされた
もので、本発明の目的は、半導体素子回路等の製造工程
における配線形成時に生成するレジスト残渣を高性能で
除去するレジスト剥離剤組成物及びその使用方法を提供
することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のレジスト剥離剤組成物は、アルキルアミ
ン及びアルキルアンモニウム水酸化物の少なくともいず
れかと水とプロピレングリコールモノメチルエーテル
（ＰＧＭＥ）とを主成分とするように構成されている。
本発明のレジスト剥離剤組成物は、例えば、アルキルア
ミン及びアルキルアンモニウム水酸化物の少なくともい
ずれかと水とを主成分とする剥離剤にＰＧＭＥを添加し
て調製される。しかし、調製方法はこの方法に限らず、
アルキルアミン及びアルキルアンモニウム水酸化物の少
なくともいずれか、水、及びＰＧＭＥ等を同時に混合し
てもよい。要は、剥離剤組成物中にＰＧＭＥが含まれる
ように調製すれば良く、添加順序は適宜選択される。

【０００８】上記のレジスト剥離剤組成物において、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）の
添加量は５．０〜７０．０重量％、望ましくは、２０．
０〜７０．０重量％である。ＰＧＭＥの添加量が下限未
満の場合は、レジスト残渣除去性能が低下するという不
都合があり、一方、上限を超える場合は、他の成分濃度
が減少するため、レジスト残渣除去性能が低下するとい
う不都合がある。

【０００９】アルキルアミンとしては、モノメチルアミ
ン、モノエチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミ
ン、２−エチルヘキシルアミン、２−エチルヘキシルオ
キシプロピルアミン、２−エトキシプロピルアミン、ジ
メチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジ
ブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、
トリプロピルアミン、トリブチルアミン、３−ジエチル
アミノプロピルアミン、ジ−２−エチルヘキシルアミ
ン、ジブチルアミノプロピルアミン、テトラメチルエチ
レンジアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、ｔ−ブチル
アミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、メチルアミノプロピル
アミン、ジメチルアミノプロピルアミン、メチルイミノ
ビスプロピルアミン、３−メトキシプロピルアミン、ア
リルアミン、ジアリルアミン、トリアリルアミン、イソ
プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、イミノプロピ
ルアミン、イミノビスプロピルアミン、モノエタノール
アミン（ＭＥＡ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミ
ン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、アミノエチル
エタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノール
アミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチ
ルエタノールアミン、３−アミノ−１−プロパノール等
を用いることができる。

【００１０】また、アルキルアンモニウム水酸化物とし
ては、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドや
コリン等を用いることができる。

【００１１】本発明のレジスト剥離剤組成物の使用方法
は、半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に配線を形成
する場合に生成するレジスト残渣を、上記の本発明のレ
ジスト剥離剤組成物を用いて剥離・除去することを特徴
としている。

【００１２】

【実施例】以下に実施例及び比較例を示し、本発明の特
徴とするところをより一層明確にする。 実施例１〜７、比較例１〜９ シリコン酸化膜上にＡｌ−Ｃｕをスパッタ法により膜付
けした基板を、パターニングされたレジストをマスクと
してＣｌ₂ とＢＣｌ₃ を用いてドライエッチングし、続
いて酸素と水を用いてアッシングした時に配線側壁又は
上部に生成するレジスト残渣を剥離対象物とした。この
剥離対象物を下記の剥離条件で処理した。すなわち、こ
の剥離対象物を表１に示す組成に調製された剥離剤組成
物中に６０℃で１０分間浸漬した後、イソプロパノール
中に２４℃で５分間浸漬し、さらにイソプロパノール中
に２４℃で５分間浸漬し、その後、純水中に２４℃で５
分間浸漬し、最後に純水をエアーガンで吹き飛ばした。
走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて残渣除去の程度を観察
し、残渣除去性を比較した。結果を表１に示す。表１に
おいて、◎印は「残渣なし」、○印は「ほぼ残渣な
し」、△印は「処理前より残渣は除去できているが残渣
は残っている」、×印は「処理前の残渣の状態と同じ」
を示している。

【００１３】

【表１】

【００１４】表１において、ＴＭＡＨはテトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイドを示し、ＰＧＭＥはプロ
ピレングリコールモノメチルエーテルを示し、ＤＭＳＯ
はジメチルスルホキシドを示し、ＮＭＰはＮ−メチルピ
ロリドンを示し、防食剤はアミン系の防食剤で、一例と
して、一般式化１で表わされるＮ，Ｎ−ビス（２−ヒド
ロキシエチル）シクロヘキシルアミンが用いられる。

【００１５】

【化１】

【００１６】カテコール（１，２−ジヒドロキシベンゼ
ン）も防食剤として添加されている。また、ヒドロキシ
ルアミンは残渣除去性能を向上させるために添加されて
いる。表１から、ＰＧＭＥを含まない剥離剤組成物（比
較例１〜５）は残渣除去性が劣るが、ＰＧＭＥを含む剥
離剤組成物は、残渣除去性能が向上していることがわか
る。

【００１７】つぎに、本発明の剥離剤組成物の使用方法
の一例について説明する。半導体基板上又は液晶用ガラ
ス基板上に金属薄膜をＣＶＤやスパッタ等により形成さ
せる。その上面にフォトレジストを膜付けした後、露
光、現像等の処理でパターン形成する。パターン形成さ
れたフォトレジストをマスクとして金属薄膜をエッチン
グする。その後、不要となったフォトレジストを本発明
の剥離剤組成物を用いて剥離・除去して配線等が形成さ
れた半導体素子が製造される。

【００１８】

【発明の効果】本発明は上記のように構成されているの
で、つぎのような効果を奏する。 （１） 剥離剤にプロピレングリコールモノメチルエー
テル（ＰＧＭＥ）を含ませることで、半導体素子回路等
の製造工程における配線形成時に生成するレジスト残渣
を高性能で除去することができる。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アルキルアミン及びアルキルアンモニウ
   ム水酸化物の少なくともいずれかと水とプロピレングリ
   コールモノメチルエーテルとを主成分とすることを特徴
   とするレジスト剥離剤組成物。
2. 【請求項２】 プロピレングリコールモノメチルエーテ
   ルの添加量が５．０〜７０．０重量％である請求項１記
   載のレジスト剥離剤組成物。
3. 【請求項３】 半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に
   配線を形成する場合に生成するレジスト残渣を、請求項
   １又は２記載のレジスト剥離剤組成物を用いて剥離・除
   去することを特徴とするレジスト剥離剤組成物の使用方
   法。