JPH1187182A - 有機固体電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
有機固体電解コンデンサおよびその製造方法Info
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- JPH1187182A JPH1187182A JP9264863A JP26486397A JPH1187182A JP H1187182 A JPH1187182 A JP H1187182A JP 9264863 A JP9264863 A JP 9264863A JP 26486397 A JP26486397 A JP 26486397A JP H1187182 A JPH1187182 A JP H1187182A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液体あるいは溶液を用いることなく、複雑な
制御を必要としない装置で簡単に製造可能な有機固体電
解コンデンサおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 表面に誘電体酸化皮膜を有する粗面化金
属箔と、この粗面化金属箔に接触一体化して導電性高分
子フィルムを有し、さらにこの導電性高分子層の別の面
に陰電極を有する有機固体電解コンデンサであって、前
記粗面化金属箔と導電性高分子フィルムとが熱圧着され
ている有機固体電解コンデンサとした。
制御を必要としない装置で簡単に製造可能な有機固体電
解コンデンサおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 表面に誘電体酸化皮膜を有する粗面化金
属箔と、この粗面化金属箔に接触一体化して導電性高分
子フィルムを有し、さらにこの導電性高分子層の別の面
に陰電極を有する有機固体電解コンデンサであって、前
記粗面化金属箔と導電性高分子フィルムとが熱圧着され
ている有機固体電解コンデンサとした。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、小型で大容量、低
等価直列抵抗(ESR)である固体電解コンデンサに関
し、より詳しくは、導電性高分子フィルムを固体電解質
として用いた有機固体電解コンデンサおよびその製造方
法に関する。
等価直列抵抗(ESR)である固体電解コンデンサに関
し、より詳しくは、導電性高分子フィルムを固体電解質
として用いた有機固体電解コンデンサおよびその製造方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】現在パソコン等に使用されている高速プ
ロセッサは、駆動時の消費電力が大きく、特にノートパ
ソコン等の携帯機器では電源に制約があり、低消費電力
化技術が盛んに採用され、実践されている。ところで、
パソコン、携帯電話、VTR、デジタルカメラ等の携帯
電子機器に、このような低消費電力化対策を行った場
合、不要な回路をその都度切り離したり、必要のないと
きにはプロセッサ等を休止状態にしたりすることが頻繁
に行われる。このため、電源側から見ると大きな負荷の
変動が頻繁に起こることとなり、このような負荷変動に
対応するための電源として、ノイズ吸収性能の優れたデ
カップリングコンデンサの必要性が急激に増大してい
る。
ロセッサは、駆動時の消費電力が大きく、特にノートパ
ソコン等の携帯機器では電源に制約があり、低消費電力
化技術が盛んに採用され、実践されている。ところで、
パソコン、携帯電話、VTR、デジタルカメラ等の携帯
電子機器に、このような低消費電力化対策を行った場
合、不要な回路をその都度切り離したり、必要のないと
きにはプロセッサ等を休止状態にしたりすることが頻繁
に行われる。このため、電源側から見ると大きな負荷の
変動が頻繁に起こることとなり、このような負荷変動に
対応するための電源として、ノイズ吸収性能の優れたデ
カップリングコンデンサの必要性が急激に増大してい
る。
【0003】ノイズ吸収性のよいコンデンサの条件とし
て、低ESR(等価直列抵抗)であることが挙げられ
る。このような低ESRのコンデンサとしては、第1に
積層セラミックコンデンサが挙げられ、近年その容量が
増大する傾向にあるが、それでも20μF程度が限度で
ある。
て、低ESR(等価直列抵抗)であることが挙げられ
る。このような低ESRのコンデンサとしては、第1に
積層セラミックコンデンサが挙げられ、近年その容量が
増大する傾向にあるが、それでも20μF程度が限度で
ある。
【0004】大容量を可能なものとするコンデンサとし
ては、アルミニウム、タンタル等を使用した電解コンデ
ンサが知られている。この電解コンデンサは、誘電体皮
膜の欠陥による電気的短絡を修復する機能を利用するた
めに、弁作用を有する金属と組み合わせて使用される。
すなわち、アルミニウム、タンタル、ニオブ等である。
また、これらの電解コンデンサは、所定の周波数特性を
有し、特に高周波側で抵抗(インピーダンス)が上昇す
る傾向にある。これは、イオン導電性の電解液を使用し
ているため、高周波領域ではイオンが追従しきれずに抵
抗値が上昇してしまうからである。そして、このような
周波数特性を改善する手段として、二酸化マンガン、T
CNQ(テトラシアノキノジメタン)錯塩等が使用され
ているが、導電性が不十分であったり、熱安定性が不十
分である等の問題を有していた。
ては、アルミニウム、タンタル等を使用した電解コンデ
ンサが知られている。この電解コンデンサは、誘電体皮
膜の欠陥による電気的短絡を修復する機能を利用するた
めに、弁作用を有する金属と組み合わせて使用される。
すなわち、アルミニウム、タンタル、ニオブ等である。
また、これらの電解コンデンサは、所定の周波数特性を
有し、特に高周波側で抵抗(インピーダンス)が上昇す
る傾向にある。これは、イオン導電性の電解液を使用し
ているため、高周波領域ではイオンが追従しきれずに抵
抗値が上昇してしまうからである。そして、このような
周波数特性を改善する手段として、二酸化マンガン、T
CNQ(テトラシアノキノジメタン)錯塩等が使用され
ているが、導電性が不十分であったり、熱安定性が不十
分である等の問題を有していた。
【0005】さらに、近年、電解液の代わりに導電性高
分子を用いた固体電解コンデンサが開発されている。導
電性高分子は、電子伝導性であるため、比較的大きな粒
子であるイオンの動きに制約される周波数依存性がな
く、周波数特性が格段に改善される。
分子を用いた固体電解コンデンサが開発されている。導
電性高分子は、電子伝導性であるため、比較的大きな粒
子であるイオンの動きに制約される周波数依存性がな
く、周波数特性が格段に改善される。
【0006】従来の固体電解コンデンサは、アルミニウ
ム、タンタル、ニオブ等の弁作用を有する金属箔を電解
エッチングして多孔質とし、さらにこれの表面を電解酸
化して誘電体膜を形成したものや、微少金属粒子を焼結
した多孔性ペレットの表面を酸化して誘電体化したもの
に、ピロール等のモノマーを電解重合または化学重合さ
せたり、あるいはあらかじめ重合された高分子の溶液に
浸漬させたりして、導電性高分子を形成させている。
ム、タンタル、ニオブ等の弁作用を有する金属箔を電解
エッチングして多孔質とし、さらにこれの表面を電解酸
化して誘電体膜を形成したものや、微少金属粒子を焼結
した多孔性ペレットの表面を酸化して誘電体化したもの
に、ピロール等のモノマーを電解重合または化学重合さ
せたり、あるいはあらかじめ重合された高分子の溶液に
浸漬させたりして、導電性高分子を形成させている。
【0007】固体電解コンデンサは、微少な空間内に導
電性高分子層を成形する必要があり、このため、早くか
ら電解重合法による成膜が種々検討されている。しかし
ながら、誘電体は絶縁物であり、これをこのまま電解法
に用いることは困難である。このため、例えば特公平4
−74853号公報に記載されているように、先ず化学
重合で導電性膜を成膜してから電解重合を行う手法が検
討されている。また、金などの針状電極等を用いて、樹
脂状に電解重合を開始し、その後、条件を調製して均一
な膜とする方法等も検討されている。しかし、これらの
方法は、事前に化学重合を行ったり、針状の電極を用い
るなど製造方法が極めて煩雑である。
電性高分子層を成形する必要があり、このため、早くか
ら電解重合法による成膜が種々検討されている。しかし
ながら、誘電体は絶縁物であり、これをこのまま電解法
に用いることは困難である。このため、例えば特公平4
−74853号公報に記載されているように、先ず化学
重合で導電性膜を成膜してから電解重合を行う手法が検
討されている。また、金などの針状電極等を用いて、樹
脂状に電解重合を開始し、その後、条件を調製して均一
な膜とする方法等も検討されている。しかし、これらの
方法は、事前に化学重合を行ったり、針状の電極を用い
るなど製造方法が極めて煩雑である。
【0008】また、特公平6−50710号公報に記載
されているように、部分的に金属が露出した誘電体の金
属面を起点として電解重合し、導電性高分子膜を形成
し、その後陽極酸化して誘電体を修復する方法も提案さ
れている。しかし、この方法では誘電体の再化成条件が
難しく、化成が不十分で漏れ電流が多くなったり、酸化
条件がきつく導電性高分子が酸化されてしまい、信頼性
が得られなくなってしまうことが多かった。化学重合だ
けで導電性高分子層を形成する方法として、例えば特開
平6−310380号公報に記載されているように、モ
ノマーまたはモノマー溶液を、−70℃の低温で含浸さ
せ、その後ゆっくりと温度を上昇させて重合させる方法
が実用化されている。この方法によれば、多孔性部分へ
のモノマーの浸透もよく、重合も十分に行われることか
ら、高導電性の高分子が得られ、優れた特性となってい
る。しかしながら、低温での製造は吸湿性やエネルギー
コストの点等多くの課題を有していた。
されているように、部分的に金属が露出した誘電体の金
属面を起点として電解重合し、導電性高分子膜を形成
し、その後陽極酸化して誘電体を修復する方法も提案さ
れている。しかし、この方法では誘電体の再化成条件が
難しく、化成が不十分で漏れ電流が多くなったり、酸化
条件がきつく導電性高分子が酸化されてしまい、信頼性
が得られなくなってしまうことが多かった。化学重合だ
けで導電性高分子層を形成する方法として、例えば特開
平6−310380号公報に記載されているように、モ
ノマーまたはモノマー溶液を、−70℃の低温で含浸さ
せ、その後ゆっくりと温度を上昇させて重合させる方法
が実用化されている。この方法によれば、多孔性部分へ
のモノマーの浸透もよく、重合も十分に行われることか
ら、高導電性の高分子が得られ、優れた特性となってい
る。しかしながら、低温での製造は吸湿性やエネルギー
コストの点等多くの課題を有していた。
【0009】一方、例えば、特開昭62−29124号
公報、特開平5−152168号公報、特開平6−45
196号公報等に記載されているように、有機溶剤に可
溶な導電性高分子も開発され、浸漬または塗布により製
造しようとする試みもなされて、特に可溶性ポリアニリ
ンが好ましく用いられている。しかしながら、溶剤に用
いられているのは、N−メチル−2−ピロリドンの場合
が多く、粘度、乾燥速度の点で満足できる結果は得られ
ていない。また、高分子形成後にドーピングを行う場合
は、微少な多孔質部分に均一にドープされる保証がな
く、特性のバラツキ、あるいはドーピング不足から十分
低い抵抗値が得られないといった問題があった。
公報、特開平5−152168号公報、特開平6−45
196号公報等に記載されているように、有機溶剤に可
溶な導電性高分子も開発され、浸漬または塗布により製
造しようとする試みもなされて、特に可溶性ポリアニリ
ンが好ましく用いられている。しかしながら、溶剤に用
いられているのは、N−メチル−2−ピロリドンの場合
が多く、粘度、乾燥速度の点で満足できる結果は得られ
ていない。また、高分子形成後にドーピングを行う場合
は、微少な多孔質部分に均一にドープされる保証がな
く、特性のバラツキ、あるいはドーピング不足から十分
低い抵抗値が得られないといった問題があった。
【0010】あらかじめドーパントを含浸させた例は極
めて少なく、例えば、シンセティック メタルズ 69 (1
995) 245-246 に記載されているように、ドデシルベン
ゼンスルホン酸をドーパントとすると、キシレンに可溶
となった例が報告されいているにすぎない。
めて少なく、例えば、シンセティック メタルズ 69 (1
995) 245-246 に記載されているように、ドデシルベン
ゼンスルホン酸をドーパントとすると、キシレンに可溶
となった例が報告されいているにすぎない。
【0011】また、例えば、特開平6−45198号公
報に記載されているように、電解コンデンサ等を大容量
とする場合のスペーサーを用いた巻き込み方法におい
て、コンデンサとしては無駄なスペーサを、電極分離機
能を兼ね備えたものとする試みも知られている。すなわ
ち、スペーサーに導電性高分子フィルムを用い、巻き込
んだ後にモノマーを含浸させて重合する方法も提案され
ている。しかし、この方法ではスペーサー機能を導電性
高分子フィルムが果たすこととなるが、誘電体との界面
はモノマーまたは高分子溶液から、必要とする導電性高
分子フィルムを形成しており、モノマーまたは高分子溶
液の液体あるいは溶液を用いることとなり、工程上の煩
雑さ等は解消されない。
報に記載されているように、電解コンデンサ等を大容量
とする場合のスペーサーを用いた巻き込み方法におい
て、コンデンサとしては無駄なスペーサを、電極分離機
能を兼ね備えたものとする試みも知られている。すなわ
ち、スペーサーに導電性高分子フィルムを用い、巻き込
んだ後にモノマーを含浸させて重合する方法も提案され
ている。しかし、この方法ではスペーサー機能を導電性
高分子フィルムが果たすこととなるが、誘電体との界面
はモノマーまたは高分子溶液から、必要とする導電性高
分子フィルムを形成しており、モノマーまたは高分子溶
液の液体あるいは溶液を用いることとなり、工程上の煩
雑さ等は解消されない。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、液体
あるいは溶液を用いることなく、複雑な制御を必要とし
ない装置で、簡単に製造可能な有機固体電解コンデンサ
およびその製造方法を提供することである。
あるいは溶液を用いることなく、複雑な制御を必要とし
ない装置で、簡単に製造可能な有機固体電解コンデンサ
およびその製造方法を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】すなわち上記目的は、以
下の構成により達成される。 (1) 表面に誘電体酸化皮膜を有する粗面化金属箔
と、この粗面化金属箔に接触一体化した導電性高分子フ
ィルムを有し、さらにこの導電性高分子層の別の面に陰
電極を有する有機固体電解コンデンサであって、前記粗
面化金属箔と導電性高分子フィルムとが熱圧着されてい
る有機固体電解コンデンサ。 (2) 前記導電性高分子フィルムは、有機酸をドーパ
ントとする有機溶剤可溶性導電性高分子である上記
(1)の有機固体電解コンデンサ。 (3) 前記可溶性導電性高分子は、置換または非置換
のポリアニリン、ポリピロールまたはポリチオフェンで
ある上記(2)の有機固体電解コンデンサ。 (4) 表面に誘電体酸化皮膜を有する粗面化金属箔
に、導電性高分子フィルムを熱圧着し、さらにこの導電
性高分子層の別の面に陰電極を形成する有機固体電解コ
ンデンサの製造方法。 (5) 前記粗面化金属箔に導電性高分子フィルムを、
この導電性高分子フィルムの軟化点以上かつ分解点以下
の温度であって、300kg/cm2 以上の圧力で熱圧着す
る上記(4)の有機固体電解コンデンサの製造方法。
下の構成により達成される。 (1) 表面に誘電体酸化皮膜を有する粗面化金属箔
と、この粗面化金属箔に接触一体化した導電性高分子フ
ィルムを有し、さらにこの導電性高分子層の別の面に陰
電極を有する有機固体電解コンデンサであって、前記粗
面化金属箔と導電性高分子フィルムとが熱圧着されてい
る有機固体電解コンデンサ。 (2) 前記導電性高分子フィルムは、有機酸をドーパ
ントとする有機溶剤可溶性導電性高分子である上記
(1)の有機固体電解コンデンサ。 (3) 前記可溶性導電性高分子は、置換または非置換
のポリアニリン、ポリピロールまたはポリチオフェンで
ある上記(2)の有機固体電解コンデンサ。 (4) 表面に誘電体酸化皮膜を有する粗面化金属箔
に、導電性高分子フィルムを熱圧着し、さらにこの導電
性高分子層の別の面に陰電極を形成する有機固体電解コ
ンデンサの製造方法。 (5) 前記粗面化金属箔に導電性高分子フィルムを、
この導電性高分子フィルムの軟化点以上かつ分解点以下
の温度であって、300kg/cm2 以上の圧力で熱圧着す
る上記(4)の有機固体電解コンデンサの製造方法。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明の有機固体電解コンデンサ
は、表面に誘電体酸化皮膜を有する粗面化金属箔と、こ
の粗面化金属箔に接して導電性高分子フィルムを有し、
さらにこの導電性高分子フィルムの別の面に陰電極を有
する有機固体電解コンデンサであって、前記粗面化金属
箔と導電性高分子フィルムとが熱圧着されているもので
ある。
は、表面に誘電体酸化皮膜を有する粗面化金属箔と、こ
の粗面化金属箔に接して導電性高分子フィルムを有し、
さらにこの導電性高分子フィルムの別の面に陰電極を有
する有機固体電解コンデンサであって、前記粗面化金属
箔と導電性高分子フィルムとが熱圧着されているもので
ある。
【0015】導電性高分子は、一般に有機溶剤に不溶で
あるために、電解重合法以外の方法ではフイルムとして
得ることは困難とされている。従って、白金等の一定の
面積を有する板状の電極表面に、電解重合により導電性
高分子膜を形成し、これを剥離、洗浄後乾燥して以下の
工程に使用する。この場合、重合に使用されるモノマー
には、好ましくはピロール、アニリン、チオフェン、フ
ラン等、およびこれらの誘導体等が挙げられる。
あるために、電解重合法以外の方法ではフイルムとして
得ることは困難とされている。従って、白金等の一定の
面積を有する板状の電極表面に、電解重合により導電性
高分子膜を形成し、これを剥離、洗浄後乾燥して以下の
工程に使用する。この場合、重合に使用されるモノマー
には、好ましくはピロール、アニリン、チオフェン、フ
ラン等、およびこれらの誘導体等が挙げられる。
【0016】可溶なドーパントには制約があるが、好ま
しくはp−トルエンスルホン酸等のアルキルベンゼンス
ルホン酸、またはそれらの塩や、リン酸等が好ましく使
用できる。また、ナフタレン等を懸濁状態で重合させて
もよい。
しくはp−トルエンスルホン酸等のアルキルベンゼンス
ルホン酸、またはそれらの塩や、リン酸等が好ましく使
用できる。また、ナフタレン等を懸濁状態で重合させて
もよい。
【0017】導電性高分子フィルムの作製方法として
は、有機溶剤溶液からのキャスト法を好ましく挙げるこ
とができる。この場合、有機溶剤に可溶となるように、
モノマーまたは重合方法に工夫が必要である。すなわ
ち、モノマーにアルキル基等の置換基を導入したり、重
合後のモルホロジが溶解性に有効なように重合させるこ
とが必要である。このような例として、例えば、ブチル
基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基等で置換され
たチオフェン、あるいはピロールの重合体、およびこれ
らの共重合体等を好ましく挙げることができる。より好
ましくは、化学重合法で合成したポリアニリン等を溶剤
に溶解し、キャストして成形したフィルム等を挙げるこ
とができる。
は、有機溶剤溶液からのキャスト法を好ましく挙げるこ
とができる。この場合、有機溶剤に可溶となるように、
モノマーまたは重合方法に工夫が必要である。すなわ
ち、モノマーにアルキル基等の置換基を導入したり、重
合後のモルホロジが溶解性に有効なように重合させるこ
とが必要である。このような例として、例えば、ブチル
基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基等で置換され
たチオフェン、あるいはピロールの重合体、およびこれ
らの共重合体等を好ましく挙げることができる。より好
ましくは、化学重合法で合成したポリアニリン等を溶剤
に溶解し、キャストして成形したフィルム等を挙げるこ
とができる。
【0018】ドーパントの導入は、ドーパントの溶液に
フィルムを浸漬してもよいし、あらかじめドーパントと
ポリアニリン等のモノマーを溶解した液をキャストして
もよく、後者の方が均一な組成のフィルムが得られ易く
好ましい。例えば、好ましいモノマーとしてのポリアニ
リンには3つの異なる酸化状態が知られており、このう
ちエメラルディンポリアニリンが最も導電性が高く、ル
コエメラルディンおよびパーグラニンポリアニリンの導
電性は比較的低い。このため、エメラルディンポリアニ
リンを合成することが好ましい。このような、高導電性
を有する可溶性高分子(ポリアニリン)の合成方法は、
酸化剤を用いて合成する方法(化学重合)等の公知の方
法が採用できる。酸化還元電位が0.6V 以上(対標準
水素電極)である酸化剤を用いることで、重合収率、導
電率などの特性の良好な高分子等を得ることができる。
酸化還元電位が0.6V 未満では、アニリン等のモノマ
ーは重合し難く、また2.5V 以上ではモノマーの分解
を生じることがあり好ましくない。
フィルムを浸漬してもよいし、あらかじめドーパントと
ポリアニリン等のモノマーを溶解した液をキャストして
もよく、後者の方が均一な組成のフィルムが得られ易く
好ましい。例えば、好ましいモノマーとしてのポリアニ
リンには3つの異なる酸化状態が知られており、このう
ちエメラルディンポリアニリンが最も導電性が高く、ル
コエメラルディンおよびパーグラニンポリアニリンの導
電性は比較的低い。このため、エメラルディンポリアニ
リンを合成することが好ましい。このような、高導電性
を有する可溶性高分子(ポリアニリン)の合成方法は、
酸化剤を用いて合成する方法(化学重合)等の公知の方
法が採用できる。酸化還元電位が0.6V 以上(対標準
水素電極)である酸化剤を用いることで、重合収率、導
電率などの特性の良好な高分子等を得ることができる。
酸化還元電位が0.6V 未満では、アニリン等のモノマ
ーは重合し難く、また2.5V 以上ではモノマーの分解
を生じることがあり好ましくない。
【0019】使用可能な酸化剤としては、上記酸化還元
電位のものであれば特に限定されるものではないが、好
ましくは第二鉄塩、過硫酸塩、過酸化水素、重クロム酸
塩などが挙げられる。具体的には、第二鉄塩として、過
塩素酸第二鉄塩、過ヨウ素酸第二鉄塩、ホウフッ化第二
鉄塩、ヘキサフルオロリン酸第二鉄塩、硫酸第二鉄塩、
硝酸第二鉄塩、塩化第二鉄塩等が挙げられ、過硫酸塩
は、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カ
リウム等が挙げられ、重クロム酸塩としては、重クロム
酸カリウム、重クロム酸ナトリウム等が好ましく挙げら
れる。なかでも、過塩素酸第二鉄、過ヨウ素酸第二鉄、
ホウフッ化第二鉄、ヘキサフルオロリン酸第二鉄、過硫
酸アンモニウム、過酸化水素が特に良好な結果が得られ
好ましい。使用する酸化剤の量は、酸化剤の種類により
異なるが、通常モノマーに対して、0.1〜5倍モル、
好ましくは0.1〜2倍モル、より好ましくは0.5〜
2倍モルが好ましい。過酸化水素以外の酸化剤の陰イオ
ンあるいは酸化反応後に生成する陰イオンは重合生成物
である高分子に取り込まれるが、後述の方法で取り除く
ことができる。
電位のものであれば特に限定されるものではないが、好
ましくは第二鉄塩、過硫酸塩、過酸化水素、重クロム酸
塩などが挙げられる。具体的には、第二鉄塩として、過
塩素酸第二鉄塩、過ヨウ素酸第二鉄塩、ホウフッ化第二
鉄塩、ヘキサフルオロリン酸第二鉄塩、硫酸第二鉄塩、
硝酸第二鉄塩、塩化第二鉄塩等が挙げられ、過硫酸塩
は、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カ
リウム等が挙げられ、重クロム酸塩としては、重クロム
酸カリウム、重クロム酸ナトリウム等が好ましく挙げら
れる。なかでも、過塩素酸第二鉄、過ヨウ素酸第二鉄、
ホウフッ化第二鉄、ヘキサフルオロリン酸第二鉄、過硫
酸アンモニウム、過酸化水素が特に良好な結果が得られ
好ましい。使用する酸化剤の量は、酸化剤の種類により
異なるが、通常モノマーに対して、0.1〜5倍モル、
好ましくは0.1〜2倍モル、より好ましくは0.5〜
2倍モルが好ましい。過酸化水素以外の酸化剤の陰イオ
ンあるいは酸化反応後に生成する陰イオンは重合生成物
である高分子に取り込まれるが、後述の方法で取り除く
ことができる。
【0020】重合には、重合時に安定であり、モノマー
と塩形成して水溶液に溶解させる酸を用いる。このよう
な酸としては、過塩素酸、ホウフッ化水素酸、ヘキサフ
ルオロリン酸、過ヨウ素酸、硫酸、塩酸、硝酸,p−ト
ルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等が好ましく挙げ
られ、特に過塩素酸、ホウフッ化水素酸、ヘキサフルオ
ロリン酸、過ヨウ素酸が好ましい。これらの酸の添加量
は、使用するモノマーの等量以上であればよい。
と塩形成して水溶液に溶解させる酸を用いる。このよう
な酸としては、過塩素酸、ホウフッ化水素酸、ヘキサフ
ルオロリン酸、過ヨウ素酸、硫酸、塩酸、硝酸,p−ト
ルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等が好ましく挙げ
られ、特に過塩素酸、ホウフッ化水素酸、ヘキサフルオ
ロリン酸、過ヨウ素酸が好ましい。これらの酸の添加量
は、使用するモノマーの等量以上であればよい。
【0021】反応に用いられるモノマーの濃度に特に制
限はなく、通常溶解度以下で行われるが、重合反応の結
果生じた高分子は反応液から析出するために、未反応モ
ノマーは順次反応液中に溶解して行き、過剰に用いても
かまわない。通常は、0.1モル/リットル以上で行え
ばよい。モノマーの純度は特に問題でなく、95%以上
であれば十分である。反応は、モノマーを含む酸性溶
液、またはモノマー塩のスラリーを含む液に、酸化剤を
そのまま、あるいは酸化剤を含む溶液として加えて、攪
拌すればよい。反応温度、反応時間に特に制限はなく、
通常、モノマーを含む溶液の凝固点以上、沸点以下で行
われるが、溶解性の高い分子を得るためには、50℃以
下、好ましくは40℃以下で反応させることが好まし
い。
限はなく、通常溶解度以下で行われるが、重合反応の結
果生じた高分子は反応液から析出するために、未反応モ
ノマーは順次反応液中に溶解して行き、過剰に用いても
かまわない。通常は、0.1モル/リットル以上で行え
ばよい。モノマーの純度は特に問題でなく、95%以上
であれば十分である。反応は、モノマーを含む酸性溶
液、またはモノマー塩のスラリーを含む液に、酸化剤を
そのまま、あるいは酸化剤を含む溶液として加えて、攪
拌すればよい。反応温度、反応時間に特に制限はなく、
通常、モノマーを含む溶液の凝固点以上、沸点以下で行
われるが、溶解性の高い分子を得るためには、50℃以
下、好ましくは40℃以下で反応させることが好まし
い。
【0022】導電性を得るためのドーピングを行う前
に、前述のように反応時に取り込まれた陰イオンを除く
必要がある。陰イオンを除く方法としては、高分子と反
応しないアルカリ性化合物の溶液で洗浄すればよい。用
いるアルカリとしては、特に限定されるものではない
が、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化
リチウム、アンモニア、ヒドラジン、アルキルアミン等
を挙げることができる。これらを用いた溶液は、高分子
の洗浄後にpH11以上となればよい。このようにして得
られる高分子は、例えば、好ましいポリアニリンでは、
一般に下記の式(I)で示される構造を有する。
に、前述のように反応時に取り込まれた陰イオンを除く
必要がある。陰イオンを除く方法としては、高分子と反
応しないアルカリ性化合物の溶液で洗浄すればよい。用
いるアルカリとしては、特に限定されるものではない
が、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化
リチウム、アンモニア、ヒドラジン、アルキルアミン等
を挙げることができる。これらを用いた溶液は、高分子
の洗浄後にpH11以上となればよい。このようにして得
られる高分子は、例えば、好ましいポリアニリンでは、
一般に下記の式(I)で示される構造を有する。
【0023】
【化1】
【0024】陰イオンを除去した高分子を溶剤中に溶解
させ、ドーパントである有機酸等を混合、反応させた後
にガラス板等の平板上にキャストし、乾燥させてフィル
ムとするか、あるいはガラス板等の平板上にキャスト
し、乾燥させてフィルムとした後、有機酸を溶解させた
液に浸漬させてドーピングを行う。
させ、ドーパントである有機酸等を混合、反応させた後
にガラス板等の平板上にキャストし、乾燥させてフィル
ムとするか、あるいはガラス板等の平板上にキャスト
し、乾燥させてフィルムとした後、有機酸を溶解させた
液に浸漬させてドーピングを行う。
【0025】高分子の溶媒としては、特に制限されるも
のではないが、例えばN,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシ
ド、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、N
−メチル−2−ピロリドン、1,3−ジメチル−2−イ
ミダゾリジノン等を挙げることができ、なかでも、溶解
性の大きなN,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジ
メチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、
1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンが好ましい。
これらの溶媒は、通常0.2〜20重量%、好ましくは
1〜10重量%用いる。フィルムの厚みは、好ましくは
0.1〜1000μm 、より好ましくは1〜500μm
、特に10〜100μm の範囲が好ましい。フィルム
の厚みを決める際には加熱圧着による厚みの減少を考慮
するとよい。
のではないが、例えばN,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシ
ド、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、N
−メチル−2−ピロリドン、1,3−ジメチル−2−イ
ミダゾリジノン等を挙げることができ、なかでも、溶解
性の大きなN,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジ
メチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、
1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンが好ましい。
これらの溶媒は、通常0.2〜20重量%、好ましくは
1〜10重量%用いる。フィルムの厚みは、好ましくは
0.1〜1000μm 、より好ましくは1〜500μm
、特に10〜100μm の範囲が好ましい。フィルム
の厚みを決める際には加熱圧着による厚みの減少を考慮
するとよい。
【0026】得られた高分子フィルムにドーパントをド
ープする方法としては、有機酸の溶液に、高分子フィル
ムを浸漬等すればよい。十分な導電性が得られ、かつ安
定性の高い酸としては、解離定数pKa が4.8以下のプ
ロトン酸が好ましい。具体的には、過塩素酸、ホウフッ
化水素酸、硫酸、硝酸等の無機酸;酢酸、n−酪酸、ペ
ンタデカフルオロオクタン酸、ペンタフルオロ酢酸、ト
リフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、モノ
フルオロ酢酸、モノブロモ酢酸、モノクロロ酢酸、シア
ノ酢酸、アセチル酢酸、ニトロ酢酸、トリフェニル酢酸
等の脂肪族カルボン酸;安息香酸、m−ブロモ安息香
酸、o−クロロ安息香酸、p−,m−,o−ニトロ安息
香酸、p−,m−,o−ニトロ安息香酸、2,4−ジニ
トロ安息香酸、3,5−ジニトロ安息香酸、ピクリン
酸、トリメチル安息香酸、p−,m−シアノ安息香酸、
チモールブルー、サリチル酸、5−アミノサリチル酸、
o−メトキシ安息香酸等の芳香族カルボン酸;1,6−
ジニトロ−4−クロロフェノール、2,4−ジニトロフ
ェノール、2,6−ジニトロフェノール、p−オキシ安
息香酸、ブロモフェノールブルー等のフェノール誘導
体;マンデル酸、フタル酸、イソフタル酸、マレイン
酸、フマル酸、マロン酸、酒石酸、クエン酸、乳酸、コ
ハク酸等のジカルボン酸等の置換カルボン酸;α−アラ
ニン、β−アラニン、グリシン等のアミノ酸;グリコー
ル酸、チオグリコール酸、エチレンジアミン−N,N’
−二酢酸、エチレンジアミン−N,N,N’,N’−四
酢酸等の多価カルボン酸を挙げることができる。
ープする方法としては、有機酸の溶液に、高分子フィル
ムを浸漬等すればよい。十分な導電性が得られ、かつ安
定性の高い酸としては、解離定数pKa が4.8以下のプ
ロトン酸が好ましい。具体的には、過塩素酸、ホウフッ
化水素酸、硫酸、硝酸等の無機酸;酢酸、n−酪酸、ペ
ンタデカフルオロオクタン酸、ペンタフルオロ酢酸、ト
リフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、モノ
フルオロ酢酸、モノブロモ酢酸、モノクロロ酢酸、シア
ノ酢酸、アセチル酢酸、ニトロ酢酸、トリフェニル酢酸
等の脂肪族カルボン酸;安息香酸、m−ブロモ安息香
酸、o−クロロ安息香酸、p−,m−,o−ニトロ安息
香酸、p−,m−,o−ニトロ安息香酸、2,4−ジニ
トロ安息香酸、3,5−ジニトロ安息香酸、ピクリン
酸、トリメチル安息香酸、p−,m−シアノ安息香酸、
チモールブルー、サリチル酸、5−アミノサリチル酸、
o−メトキシ安息香酸等の芳香族カルボン酸;1,6−
ジニトロ−4−クロロフェノール、2,4−ジニトロフ
ェノール、2,6−ジニトロフェノール、p−オキシ安
息香酸、ブロモフェノールブルー等のフェノール誘導
体;マンデル酸、フタル酸、イソフタル酸、マレイン
酸、フマル酸、マロン酸、酒石酸、クエン酸、乳酸、コ
ハク酸等のジカルボン酸等の置換カルボン酸;α−アラ
ニン、β−アラニン、グリシン等のアミノ酸;グリコー
ル酸、チオグリコール酸、エチレンジアミン−N,N’
−二酢酸、エチレンジアミン−N,N,N’,N’−四
酢酸等の多価カルボン酸を挙げることができる。
【0027】また、メタニル酸、スルファニル酸、アリ
ルスルホン酸、ラウリル硫酸、1−プロパンスルホン
酸、1−ブタンスルホン酸、1−ヘキサンスルホン酸、
1−ヘプタンスルホン酸、1−オクタンスルホン酸、1
−ドデカンスルホン酸、3−シクロヘキシルアミノプロ
パンスルホン酸等のアルキルスルホン酸;ベンゼンスル
ホン酸、スチレンスルホン酸、p−トルエンスルホン
酸、エチルベンゼンスルホン酸、プロピルベンゼンスル
ホン酸、ブチルベンゼンスルホン酸、ペンチルベンゼン
スルホン酸、ヘキシルベンゼンスルホン酸、ヘプチルベ
ンゼンスルホン酸、オクチルベンゼンスルホン酸、ノニ
ルベンゼンスルホン酸、デシルベンゼンスルホン酸、ウ
ンデシルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホ
ン酸、ペンタデシルベンゼンスルホン酸、オクタデシル
ベンゼンスルホン酸、3,5−ジクロロ−2−ヒドロキ
シベンゼンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ジエチル
ベンゼンスルホン酸、ジプロピルベンゼンスルホン酸、
ジブチルベンゼンスルホン酸、トリメチチルベンゼンス
ルホン酸、スチレンスルホン酸等のアルキルベンゼンス
ルホン酸;メチルナフタレンスルホン酸、エチルナフタ
レンスルホン酸、プロピルナフタレンスルホン酸、ブチ
ルナフタレンスルホン酸、ペンチルナフタレンスルホン
酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、ヘプチルナフタレ
ンスルホン酸、オクチルナフタレンスルホン酸、ノニル
ナフタレンスルホン酸、デシルナフタレンスルホン酸、
ウンデシルナフタレンスルホン酸、ドデシルナフタレン
スルホン酸、ペンタデシルナフタレンスルホン酸、オク
タデシルナフタレンスルホン酸、ジメチルナフタレンス
ルホン酸、ジエチルナフタレンスルホン酸、ジプロピル
ナフタレンスルホン酸、ジイソプロピルナフタレンスル
ホン酸、ジブチルナフタレンスルホン酸、ジペンチルナ
フタレンスルホン酸、ジヘキシルナフタレンスルホン
酸、ジヘプチルナフタレンスルホン酸、ジオクチルナフ
タレンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、ト
リメチルナフタレンスルホン酸、トリエチルナフタレン
スルホン酸、トリプロピルナフタレンスルホン酸、トリ
ブチルナフタレンスルホン酸等のアルキルナフタレンス
ルホン酸;さらには、アミノナフト−ルスルホン酸、カ
ンファースルホン酸、アクリルアミド−t−ブチルスル
ホン酸、アントラキノンスルホン酸、イソキノリンスル
ホン酸等、さらには多官能スルホン酸も用いることがで
きる。例えば、エタンジスルホン酸、プロパンジスルホ
ン酸、ブタンジスルホン酸、ペンタンジスルホン酸、ヘ
キサンジスルホン酸、ヘプタンジスルホン酸、オクタン
ジスルホン酸、ノナンジスルホン酸、デカンジスルホン
酸等のアルキルジスルホン酸;ベンゼンジスルホン酸、
トルエンジスルホン酸、エチルベンゼンジスルホン酸、
プロピルベンゼンジスルホン酸、ブチルベンゼンジスル
ホン酸、ジメチルベンゼンジスルホン酸、ジエチルベン
ゼンジスルホン酸、ジプロピルベンゼンジスルホン酸、
ジブチルベンゼンジスルホン酸等のアルキルベンゼンジ
スルホン酸;ナフタレンジスルホン酸およびメチルナフ
タレンジスルホン酸、エチルナフタレンジスルホン酸、
プロピルナフタレンジスルホン酸、ブチルナフタレンジ
スルホン酸、ペンチルナフタレンジスルホン酸、ヘキシ
ルナフタレンジスルホン酸、ヘプチルナフタレンジスル
ホン酸、オクチルナフタレンジスルホン酸、ノニルナフ
タレンジスルホン酸、ジメチルナフタレンジスルホン
酸、ジエチルナフタレンジスルホン酸、ジプロピルナフ
タレンジスルホン酸、ジブチルナフタレンジスルホン
酸、ジヘプチルナフタレンジスルホン酸等のアルキルナ
フタレンジスルホン酸;この他ナフタレントリスルホン
酸、ナフタレンテトラスルホン酸等ナフタレン多価スル
ホン酸;さらには、アントラセンジスルホン酸、アント
ラキノンジスルホン酸、フェナントレンジスルホン酸、
フルオレノンジスルホン酸、カルバゾールジスルホン
酸、ジフェニルメタンジスルホン酸、ビフェニルジスル
ホン酸、ジフェニルサルホンジスルホン酸、ターフェニ
ルジスルホン酸、ターフェニルトリスルホン酸、ナフタ
レンスルホン酸−ホルマリン縮合物、アントラセンスル
ホン酸−ホルマリン縮合物、フルオレンスルホン酸−ホ
ルマリン縮合物、カルバゾールスルホン酸−ホルマリン
縮合物等が挙げられる。
ルスルホン酸、ラウリル硫酸、1−プロパンスルホン
酸、1−ブタンスルホン酸、1−ヘキサンスルホン酸、
1−ヘプタンスルホン酸、1−オクタンスルホン酸、1
−ドデカンスルホン酸、3−シクロヘキシルアミノプロ
パンスルホン酸等のアルキルスルホン酸;ベンゼンスル
ホン酸、スチレンスルホン酸、p−トルエンスルホン
酸、エチルベンゼンスルホン酸、プロピルベンゼンスル
ホン酸、ブチルベンゼンスルホン酸、ペンチルベンゼン
スルホン酸、ヘキシルベンゼンスルホン酸、ヘプチルベ
ンゼンスルホン酸、オクチルベンゼンスルホン酸、ノニ
ルベンゼンスルホン酸、デシルベンゼンスルホン酸、ウ
ンデシルベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホ
ン酸、ペンタデシルベンゼンスルホン酸、オクタデシル
ベンゼンスルホン酸、3,5−ジクロロ−2−ヒドロキ
シベンゼンスルホン酸、キシレンスルホン酸、ジエチル
ベンゼンスルホン酸、ジプロピルベンゼンスルホン酸、
ジブチルベンゼンスルホン酸、トリメチチルベンゼンス
ルホン酸、スチレンスルホン酸等のアルキルベンゼンス
ルホン酸;メチルナフタレンスルホン酸、エチルナフタ
レンスルホン酸、プロピルナフタレンスルホン酸、ブチ
ルナフタレンスルホン酸、ペンチルナフタレンスルホン
酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、ヘプチルナフタレ
ンスルホン酸、オクチルナフタレンスルホン酸、ノニル
ナフタレンスルホン酸、デシルナフタレンスルホン酸、
ウンデシルナフタレンスルホン酸、ドデシルナフタレン
スルホン酸、ペンタデシルナフタレンスルホン酸、オク
タデシルナフタレンスルホン酸、ジメチルナフタレンス
ルホン酸、ジエチルナフタレンスルホン酸、ジプロピル
ナフタレンスルホン酸、ジイソプロピルナフタレンスル
ホン酸、ジブチルナフタレンスルホン酸、ジペンチルナ
フタレンスルホン酸、ジヘキシルナフタレンスルホン
酸、ジヘプチルナフタレンスルホン酸、ジオクチルナフ
タレンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、ト
リメチルナフタレンスルホン酸、トリエチルナフタレン
スルホン酸、トリプロピルナフタレンスルホン酸、トリ
ブチルナフタレンスルホン酸等のアルキルナフタレンス
ルホン酸;さらには、アミノナフト−ルスルホン酸、カ
ンファースルホン酸、アクリルアミド−t−ブチルスル
ホン酸、アントラキノンスルホン酸、イソキノリンスル
ホン酸等、さらには多官能スルホン酸も用いることがで
きる。例えば、エタンジスルホン酸、プロパンジスルホ
ン酸、ブタンジスルホン酸、ペンタンジスルホン酸、ヘ
キサンジスルホン酸、ヘプタンジスルホン酸、オクタン
ジスルホン酸、ノナンジスルホン酸、デカンジスルホン
酸等のアルキルジスルホン酸;ベンゼンジスルホン酸、
トルエンジスルホン酸、エチルベンゼンジスルホン酸、
プロピルベンゼンジスルホン酸、ブチルベンゼンジスル
ホン酸、ジメチルベンゼンジスルホン酸、ジエチルベン
ゼンジスルホン酸、ジプロピルベンゼンジスルホン酸、
ジブチルベンゼンジスルホン酸等のアルキルベンゼンジ
スルホン酸;ナフタレンジスルホン酸およびメチルナフ
タレンジスルホン酸、エチルナフタレンジスルホン酸、
プロピルナフタレンジスルホン酸、ブチルナフタレンジ
スルホン酸、ペンチルナフタレンジスルホン酸、ヘキシ
ルナフタレンジスルホン酸、ヘプチルナフタレンジスル
ホン酸、オクチルナフタレンジスルホン酸、ノニルナフ
タレンジスルホン酸、ジメチルナフタレンジスルホン
酸、ジエチルナフタレンジスルホン酸、ジプロピルナフ
タレンジスルホン酸、ジブチルナフタレンジスルホン
酸、ジヘプチルナフタレンジスルホン酸等のアルキルナ
フタレンジスルホン酸;この他ナフタレントリスルホン
酸、ナフタレンテトラスルホン酸等ナフタレン多価スル
ホン酸;さらには、アントラセンジスルホン酸、アント
ラキノンジスルホン酸、フェナントレンジスルホン酸、
フルオレノンジスルホン酸、カルバゾールジスルホン
酸、ジフェニルメタンジスルホン酸、ビフェニルジスル
ホン酸、ジフェニルサルホンジスルホン酸、ターフェニ
ルジスルホン酸、ターフェニルトリスルホン酸、ナフタ
レンスルホン酸−ホルマリン縮合物、アントラセンスル
ホン酸−ホルマリン縮合物、フルオレンスルホン酸−ホ
ルマリン縮合物、カルバゾールスルホン酸−ホルマリン
縮合物等が挙げられる。
【0028】さらには、モーダントブラウン7、ブリリ
アントブルー FCF、アシド エロー3、アシド エ
ロー23、アシド ブルー74、アシド ブルー92、
リアクティブ ブルー19、リアクティブ ブラック
5,リアクティブ イエロー13、リアクティブ イエ
ロー14、リアクティブ イエロー17等の分散性染料
あるいは反応性染料が使用できる。
アントブルー FCF、アシド エロー3、アシド エ
ロー23、アシド ブルー74、アシド ブルー92、
リアクティブ ブルー19、リアクティブ ブラック
5,リアクティブ イエロー13、リアクティブ イエ
ロー14、リアクティブ イエロー17等の分散性染料
あるいは反応性染料が使用できる。
【0029】また、本発明で使用される有機酸はポリマ
ーであってもよい。例えばポリスチレンスルホン酸、ポ
リビニルスルホン酸、ポリビニル硫酸、スルホン化スチ
レン−ブタジエン共重合体、ポリアリルスルホン酸、ポ
リメタリルスルホン酸、ポリ−2−アクリルアミド−2
−メチルプロパンスルホン酸、ポリハロゲン化アクリル
酸、ポリイソプレンスルホン酸、N−スルホアルキル化
ポリアニリン、核スルホン化ポリアニリン等がある。ま
た、ナフィオン(デュポン社登録商標)等のフッ素重合
体もポリマーとして使用できる。
ーであってもよい。例えばポリスチレンスルホン酸、ポ
リビニルスルホン酸、ポリビニル硫酸、スルホン化スチ
レン−ブタジエン共重合体、ポリアリルスルホン酸、ポ
リメタリルスルホン酸、ポリ−2−アクリルアミド−2
−メチルプロパンスルホン酸、ポリハロゲン化アクリル
酸、ポリイソプレンスルホン酸、N−スルホアルキル化
ポリアニリン、核スルホン化ポリアニリン等がある。ま
た、ナフィオン(デュポン社登録商標)等のフッ素重合
体もポリマーとして使用できる。
【0030】本発明において、高い導電率が得られる有
機酸として、pKa =4.5以下の酸が好ましいが、ポリ
マーのイオン化ポテンシャルが小さければ、pKa =4.
5を超え、電子親和力が小さい酸でもかまわない。例え
ば、電子吸引性置換基であるアルコキシ置換アニリンの
重合体等が挙げられる。具体的には、メトキシアニリ
ン、エトキシアニリン、イソプロポキシアニリン、ブト
キシアニリン、2,4−ジメトキシアニリン、2,5−
ジメトキシアニリン、5−クロロ−2−メトキシアニリ
ン、5−クロロ−2−エトキシアニリン、3−フェノキ
シアニリン、4−フェノキシアニリン等が挙げられる。
特に好ましい酸としては、一般に、ドデシルベンゼンス
ルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホ
ン酸、ナフタレンジスルホン酸や、エタンジスルホン酸
等の多価有機酸が挙げられる。このような有機酸の濃度
は、通常1〜30重量%、特に10〜20重量%の範囲
が好ましく、浸漬時間は、好ましくは1分以上、24時
間以内浸漬する。導電性は浸漬時間に依存し、一般には
長期間浸漬した方が導電性は高くなるが、ポリマーが劣
化する場合もあるので、100時間を超えることは避け
るべきである。
機酸として、pKa =4.5以下の酸が好ましいが、ポリ
マーのイオン化ポテンシャルが小さければ、pKa =4.
5を超え、電子親和力が小さい酸でもかまわない。例え
ば、電子吸引性置換基であるアルコキシ置換アニリンの
重合体等が挙げられる。具体的には、メトキシアニリ
ン、エトキシアニリン、イソプロポキシアニリン、ブト
キシアニリン、2,4−ジメトキシアニリン、2,5−
ジメトキシアニリン、5−クロロ−2−メトキシアニリ
ン、5−クロロ−2−エトキシアニリン、3−フェノキ
シアニリン、4−フェノキシアニリン等が挙げられる。
特に好ましい酸としては、一般に、ドデシルベンゼンス
ルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホ
ン酸、ナフタレンジスルホン酸や、エタンジスルホン酸
等の多価有機酸が挙げられる。このような有機酸の濃度
は、通常1〜30重量%、特に10〜20重量%の範囲
が好ましく、浸漬時間は、好ましくは1分以上、24時
間以内浸漬する。導電性は浸漬時間に依存し、一般には
長期間浸漬した方が導電性は高くなるが、ポリマーが劣
化する場合もあるので、100時間を超えることは避け
るべきである。
【0031】通常、上記方法では、ドーピングに時間を
要するので、例えば、高分子に上記例示のポリアニリン
を用いる場合、好ましくは下記の式(II)で示される構
造のポリアニリンに還元した後、有機酸アニオンを対イ
オンとする第二鉄塩を用いて酸化することが好ましい。
式(II)の構造を有するポリアニリンを酸化することに
より、上記式(I)で示される構造となり、導電性を示
すこととなる。
要するので、例えば、高分子に上記例示のポリアニリン
を用いる場合、好ましくは下記の式(II)で示される構
造のポリアニリンに還元した後、有機酸アニオンを対イ
オンとする第二鉄塩を用いて酸化することが好ましい。
式(II)の構造を有するポリアニリンを酸化することに
より、上記式(I)で示される構造となり、導電性を示
すこととなる。
【0032】
【化2】
【0033】還元剤としては、フェニルヒドラジン、ヒ
ドラジン、ヒドラジン水和物、硫酸ヒドラジン、塩酸ヒ
ドラジン等のヒドラジン化合物、水素化リチウムアルミ
ニウム、水素化ホウ素リチウム等の水素化金属化合物等
を用いることができる。特に好ましくは、還元反応後に
残渣を生じない点で、ヒドラジン水和物、フェニルヒド
ラジンが好ましい。
ドラジン、ヒドラジン水和物、硫酸ヒドラジン、塩酸ヒ
ドラジン等のヒドラジン化合物、水素化リチウムアルミ
ニウム、水素化ホウ素リチウム等の水素化金属化合物等
を用いることができる。特に好ましくは、還元反応後に
残渣を生じない点で、ヒドラジン水和物、フェニルヒド
ラジンが好ましい。
【0034】このようにして得られた高分子、好ましく
はイミノ−p−フェニレン構造単位を主たる繰り返し単
位として有するポリアニリンを、所定の溶剤に溶解し、
さらにこの溶液を適当な基材上にキャスト、乾燥させて
高分子フィルムを作製する。次いで、この高分子フィル
ムを、有機酸アニオンを対イオンとする第二鉄塩を溶解
させた溶液(ドープ液)に浸漬させ、酸化処理すること
により高分子フィルムに導電性を付与する。高分子フィ
ルムの導電率としては、10〜100S/cm程度が好まし
い。
はイミノ−p−フェニレン構造単位を主たる繰り返し単
位として有するポリアニリンを、所定の溶剤に溶解し、
さらにこの溶液を適当な基材上にキャスト、乾燥させて
高分子フィルムを作製する。次いで、この高分子フィル
ムを、有機酸アニオンを対イオンとする第二鉄塩を溶解
させた溶液(ドープ液)に浸漬させ、酸化処理すること
により高分子フィルムに導電性を付与する。高分子フィ
ルムの導電率としては、10〜100S/cm程度が好まし
い。
【0035】このようなドープ液は、例えば特開平1−
170616号公報に記載されているように、通常、水
酸化第二鉄に過剰の有機酸を反応させることにより得ら
れる。過剰な有機酸を用いることから、このようなドー
プ液は過剰な有機酸アニオンを含有している。上記水酸
化第二鉄は、例えば塩化第二鉄や、硫酸第二鉄の水溶液
をアルカリで中和し、得られた沈殿を洗浄することによ
り得ることができる。
170616号公報に記載されているように、通常、水
酸化第二鉄に過剰の有機酸を反応させることにより得ら
れる。過剰な有機酸を用いることから、このようなドー
プ液は過剰な有機酸アニオンを含有している。上記水酸
化第二鉄は、例えば塩化第二鉄や、硫酸第二鉄の水溶液
をアルカリで中和し、得られた沈殿を洗浄することによ
り得ることができる。
【0036】ここで、使用できる有機酸は上記したもの
と同様である。ドープ液中の第二鉄イオンと有機酸のモ
ル比は、ドーピングが進行する限りは限定されないが、
通常、有機酸/第二鉄イオンの等量比で、1〜200で
あり、特に1〜100の範囲が好ましい。
と同様である。ドープ液中の第二鉄イオンと有機酸のモ
ル比は、ドーピングが進行する限りは限定されないが、
通常、有機酸/第二鉄イオンの等量比で、1〜200で
あり、特に1〜100の範囲が好ましい。
【0037】以上のようなドーピング処理の後、導電性
高分子フィルムをエタノール、アセトン等の適当な浴剤
を用いて洗浄・乾燥させる。
高分子フィルムをエタノール、アセトン等の適当な浴剤
を用いて洗浄・乾燥させる。
【0038】本発明における導電性高分子フィルムは、
上記で例示したポリアニリンに限定されず、溶媒可溶な
導電性ポリマーであれば同様に使用できる。たとえば、
ポリブチルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ
オクチルチオフェン、ポリドデシルチオフェン等のポリ
アルキルチオフェンおよびこれらの共重合体、ポリブチ
ルピロール、ポリヘキシルピロール、ドデシルピロール
などのポリアルキルピロールおよびこれらの共重合体な
どがある。また、比較的長鎖のアルキル基で置換された
有機酸をドープして可溶化したものを用いてもよい。
上記で例示したポリアニリンに限定されず、溶媒可溶な
導電性ポリマーであれば同様に使用できる。たとえば、
ポリブチルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ
オクチルチオフェン、ポリドデシルチオフェン等のポリ
アルキルチオフェンおよびこれらの共重合体、ポリブチ
ルピロール、ポリヘキシルピロール、ドデシルピロール
などのポリアルキルピロールおよびこれらの共重合体な
どがある。また、比較的長鎖のアルキル基で置換された
有機酸をドープして可溶化したものを用いてもよい。
【0039】本発明に使用可能な誘電体としては、好ま
しくはアルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ジル
コニウム、マグネシウム、ケイ素などの弁作用を有する
金属の酸化物を挙げることができる。その形態として
は、高純度金属箔をエッチング処理した物が好ましい。
したがって、エッチドアルミニウム箔を表面酸化したも
のが最も好ましい。エッチング方法は公知の技術により
行えばよく、一般に化学エッチングあるいは電気化学エ
ッチング法を用いることができる。アルミニウムの場合
はAl箔を脱脂、表面皮膜の溶解など前処理後に塩酸を
主とする電解液中で電解することによって、多孔質と
し、表面積を飛躍的に増大させる。エッチング終了後、
超音波洗浄によって付着したCl−および紛状Alを取
り除く。次いで、アノード酸化により誘電体皮膜を形成
させる。アノード酸化は、ホウ酸−ホウ酸アンモニウ
ム、リン酸アンモニウム、アジピン酸アンモニウムなど
の中性電解質の溶液を用いて定格電圧の130%〜20
0%の電圧を与えて行う。アノード酸化の前にAl箔を
沸騰水中に浸漬して、擬ベーマイト皮膜[Al2O3 ・x
H2O(x=2.0〜2.7)]を形成させると、バリヤ
ー皮膜生成の効率がよく、またモレ電流が少なくなる。
しくはアルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ジル
コニウム、マグネシウム、ケイ素などの弁作用を有する
金属の酸化物を挙げることができる。その形態として
は、高純度金属箔をエッチング処理した物が好ましい。
したがって、エッチドアルミニウム箔を表面酸化したも
のが最も好ましい。エッチング方法は公知の技術により
行えばよく、一般に化学エッチングあるいは電気化学エ
ッチング法を用いることができる。アルミニウムの場合
はAl箔を脱脂、表面皮膜の溶解など前処理後に塩酸を
主とする電解液中で電解することによって、多孔質と
し、表面積を飛躍的に増大させる。エッチング終了後、
超音波洗浄によって付着したCl−および紛状Alを取
り除く。次いで、アノード酸化により誘電体皮膜を形成
させる。アノード酸化は、ホウ酸−ホウ酸アンモニウ
ム、リン酸アンモニウム、アジピン酸アンモニウムなど
の中性電解質の溶液を用いて定格電圧の130%〜20
0%の電圧を与えて行う。アノード酸化の前にAl箔を
沸騰水中に浸漬して、擬ベーマイト皮膜[Al2O3 ・x
H2O(x=2.0〜2.7)]を形成させると、バリヤ
ー皮膜生成の効率がよく、またモレ電流が少なくなる。
【0040】あるいは、Ni箔のように堅くて丈夫な薄
膜をエッチングした面に、アルミニウム等をメッキし、
酸化することで誘電体膜としてもよい。この方法によれ
ば、加熱、圧着時に微細孔壁面が傷つく危険性が小さく
なり、歩留まりが向上する。表面酸化膜の厚さは、通常
0.03〜0.1μm 程度であり、表面の微細孔は通常
5〜300μF/cm2 程度、好ましくは10〜200μ
F/cm2 程度である。
膜をエッチングした面に、アルミニウム等をメッキし、
酸化することで誘電体膜としてもよい。この方法によれ
ば、加熱、圧着時に微細孔壁面が傷つく危険性が小さく
なり、歩留まりが向上する。表面酸化膜の厚さは、通常
0.03〜0.1μm 程度であり、表面の微細孔は通常
5〜300μF/cm2 程度、好ましくは10〜200μ
F/cm2 程度である。
【0041】このようにして作製された薄膜の金属側に
リード線をスポット溶接などにより取り付けた後、金属
箔の誘電体膜側に導電性高分子フィルムとを積層し、導
電性高分子フィルムの軟化点以上かつ分解点以下の温
度、好ましくは100℃〜200℃、特に130℃〜1
80℃に加温しながら、300kg/cm2 以上の圧力、好
ましくは300kg/cm2 〜800kg/cm2 、特に500
kg/cm2 〜700kg/cm2 の圧力をかけて、好ましくは
10分〜2時間、特に30分〜60分加熱圧着する。冷
却は圧力解放後に行うよりも、加圧中に徐冷した方が好
ましい。また、急激に加熱圧着せずにゆっくりと加熱し
ながら、圧力を加えることが好ましい。このようにする
ことによって、微細な空間に導電性ポリマが入り込み、
確実に充填される。また、密度が高まり導電性がより高
まる。
リード線をスポット溶接などにより取り付けた後、金属
箔の誘電体膜側に導電性高分子フィルムとを積層し、導
電性高分子フィルムの軟化点以上かつ分解点以下の温
度、好ましくは100℃〜200℃、特に130℃〜1
80℃に加温しながら、300kg/cm2 以上の圧力、好
ましくは300kg/cm2 〜800kg/cm2 、特に500
kg/cm2 〜700kg/cm2 の圧力をかけて、好ましくは
10分〜2時間、特に30分〜60分加熱圧着する。冷
却は圧力解放後に行うよりも、加圧中に徐冷した方が好
ましい。また、急激に加熱圧着せずにゆっくりと加熱し
ながら、圧力を加えることが好ましい。このようにする
ことによって、微細な空間に導電性ポリマが入り込み、
確実に充填される。また、密度が高まり導電性がより高
まる。
【0042】このような方法は、例えば、米国特許第4
426633号、特公平5−9921号公報に記載され
ているように、低抵抗のポリマPTCの電極となる金属
箔を接着する際に利用されている。すなわち、ポリエチ
レン、ポリフッ化ビニリデンとカーボンブラックのよう
な導電性フィラーを混合したPTC素体とエッチングな
どにより粗面化したNi箔を積層、加熱圧着している。
この場合は、誘電体層はなく、導電性が要求されている
が、きわめて小さい抵抗値が得られる。顕微鏡での観察
によれば、電極箔の微細空間にPTC素体が完全に充填
されている。この例では、導電性をえることが目的であ
り、本発明の目的、材料系とは異なる。導電性ポリマフ
ィルムにはカーボンペースト、ついで銀ペーストを塗布
し、電極を取り出す。次いで、全体を樹脂封止してもよ
い。
426633号、特公平5−9921号公報に記載され
ているように、低抵抗のポリマPTCの電極となる金属
箔を接着する際に利用されている。すなわち、ポリエチ
レン、ポリフッ化ビニリデンとカーボンブラックのよう
な導電性フィラーを混合したPTC素体とエッチングな
どにより粗面化したNi箔を積層、加熱圧着している。
この場合は、誘電体層はなく、導電性が要求されている
が、きわめて小さい抵抗値が得られる。顕微鏡での観察
によれば、電極箔の微細空間にPTC素体が完全に充填
されている。この例では、導電性をえることが目的であ
り、本発明の目的、材料系とは異なる。導電性ポリマフ
ィルムにはカーボンペースト、ついで銀ペーストを塗布
し、電極を取り出す。次いで、全体を樹脂封止してもよ
い。
【0043】あるいは、陰極となる銅等の金属箔の両面
にカーボンペーストを塗布し、この両側に陽極となる誘
電体膜を有するAl箔等を積層して、加熱圧着してもよ
い。両側をエッチング、酸化誘電体膜を形成したAl箔
を中心にして陽極とし、両側に導電性ポリマ、カーボン
ペースト、銀ペーストあるいは金属箔をこの順に積層し
て、加熱圧着してもよいが、熱プレスからの熱の伝わり
を考慮すると、プレス側に誘電体膜が存在する前者の方
が好ましい。
にカーボンペーストを塗布し、この両側に陽極となる誘
電体膜を有するAl箔等を積層して、加熱圧着してもよ
い。両側をエッチング、酸化誘電体膜を形成したAl箔
を中心にして陽極とし、両側に導電性ポリマ、カーボン
ペースト、銀ペーストあるいは金属箔をこの順に積層し
て、加熱圧着してもよいが、熱プレスからの熱の伝わり
を考慮すると、プレス側に誘電体膜が存在する前者の方
が好ましい。
【0044】さらに、同様の構造を繰り返して積層構造
とすることで、全容量を増加させることがきわめて容易
に可能となる。
とすることで、全容量を増加させることがきわめて容易
に可能となる。
【0045】次に、本発明の有機固体電解コンデンサの
具体的構成例について、図を参照しつつ説明する。図
1、2は本発明の固体電解質コンデンサの具体的な構成
例を示す概略断面図である。
具体的構成例について、図を参照しつつ説明する。図
1、2は本発明の固体電解質コンデンサの具体的な構成
例を示す概略断面図である。
【0046】例えば、図1に示すように、好ましくは膜
厚50〜800μm の弁作用を有する金属箔2にエッチ
ングにより微細孔を形成し、さらに酸化被膜3を形成す
る。さらに水洗、有機溶媒等で洗浄後、乾燥させる。次
いで、銅箔等の陰極構成金属5の両面にカーボンペース
ト4を塗布した陰極を、導電性高分子フィルム1で挟
み、その外側に陽極となる前記弁作用を有する金属箔2
の酸化皮膜3側を重ねて、上記加熱・加圧条件下、加
熱、圧着する。
厚50〜800μm の弁作用を有する金属箔2にエッチ
ングにより微細孔を形成し、さらに酸化被膜3を形成す
る。さらに水洗、有機溶媒等で洗浄後、乾燥させる。次
いで、銅箔等の陰極構成金属5の両面にカーボンペース
ト4を塗布した陰極を、導電性高分子フィルム1で挟
み、その外側に陽極となる前記弁作用を有する金属箔2
の酸化皮膜3側を重ねて、上記加熱・加圧条件下、加
熱、圧着する。
【0047】これを所定の大きさに切断し、図2に示す
ように外側の弁作用を有する金属箔2に外部電極6接続
して陽極とし、中央の陰極構成金属5の端部5aを陰極
の取り出し電極として前記外部電極6と共にリード線等
を接続し、必要により樹脂・金属ケース等に封入してコ
ンデンサとする。
ように外側の弁作用を有する金属箔2に外部電極6接続
して陽極とし、中央の陰極構成金属5の端部5aを陰極
の取り出し電極として前記外部電極6と共にリード線等
を接続し、必要により樹脂・金属ケース等に封入してコ
ンデンサとする。
【0048】本発明の有機固体電解コンデンサは、パソ
コン、携帯電話、ビデオ、デジタルカメラ等、大容量で
低ESRの要求される電子機器の電源バイパス用コンデ
ンサ等として、幅広い用途に使用される。
コン、携帯電話、ビデオ、デジタルカメラ等、大容量で
低ESRの要求される電子機器の電源バイパス用コンデ
ンサ等として、幅広い用途に使用される。
【0049】
【実施例】以下、本発明を実施例を用いて説明する。ポ
リアニリンおよびポリアニリン組成物は、Y.CAO,A.ANDE
RETTA,A.J.HEEGER,POLYMER,30(1989)2305、特開平6−
508390号公報、および特開平7−331067号
公報に基づいて合成した。
リアニリンおよびポリアニリン組成物は、Y.CAO,A.ANDE
RETTA,A.J.HEEGER,POLYMER,30(1989)2305、特開平6−
508390号公報、および特開平7−331067号
公報に基づいて合成した。
【0050】<キノンジイミン・フェニレンジアミン型
導電性ポリアニリンの製造>攪拌装置、温度計、直管ア
ダプタを備えた1リットルの3口フラスコに蒸留水60
0g 、35%塩酸50mlおよびアニリン40g (0.4
3モル)を順に入れてアニリンを溶解させた。別に、氷
冷しながら、蒸留水149.3g に97%濃硫酸43.
4g (0.43モル)を加えて、硫酸水溶液を調製し
た。この硫酸水溶液を上記セパラブル・フラスコに加
え、フラスコ全体を−4℃まで冷却した。次に、蒸留水
220g にペルオキソ二硫酸アンモニウム98g (0.
43モル)を加え、溶解させて酸化剤水溶液を調製し
た。
導電性ポリアニリンの製造>攪拌装置、温度計、直管ア
ダプタを備えた1リットルの3口フラスコに蒸留水60
0g 、35%塩酸50mlおよびアニリン40g (0.4
3モル)を順に入れてアニリンを溶解させた。別に、氷
冷しながら、蒸留水149.3g に97%濃硫酸43.
4g (0.43モル)を加えて、硫酸水溶液を調製し
た。この硫酸水溶液を上記セパラブル・フラスコに加
え、フラスコ全体を−4℃まで冷却した。次に、蒸留水
220g にペルオキソ二硫酸アンモニウム98g (0.
43モル)を加え、溶解させて酸化剤水溶液を調製し
た。
【0051】フラスコ全体を恒温槽を用いて、反応温度
を−3℃以下に保持、攪拌しながら、アニリンの酸性水
溶液に上記ペルオキソ二硫酸アンモニウム水溶液をゆっ
くり(1ml/分以下)滴下した。最初、無色透明な溶液
は、次第に緑青色から黒緑色となり、やがて黒緑色の粉
末が析出してきた。
を−3℃以下に保持、攪拌しながら、アニリンの酸性水
溶液に上記ペルオキソ二硫酸アンモニウム水溶液をゆっ
くり(1ml/分以下)滴下した。最初、無色透明な溶液
は、次第に緑青色から黒緑色となり、やがて黒緑色の粉
末が析出してきた。
【0052】この粉末析出時の反応は、発熱するが、高
分子量重合体を得るためには、反応温度を0℃以下、好
ましくは−3℃以下に抑える必要がある。粉末析出後
は、ペルオキソ二硫酸アンモニウム水溶液の滴下速度を
10倍程度速めても構わないが、反応温度は−3℃以下
に保つように調整することが必要である。約7時間をか
けて、ペルオキソ二硫酸アンモニウム水溶液の滴下を終
了した後、更に1時間、−3℃以下の温度で攪拌した。
分子量重合体を得るためには、反応温度を0℃以下、好
ましくは−3℃以下に抑える必要がある。粉末析出後
は、ペルオキソ二硫酸アンモニウム水溶液の滴下速度を
10倍程度速めても構わないが、反応温度は−3℃以下
に保つように調整することが必要である。約7時間をか
けて、ペルオキソ二硫酸アンモニウム水溶液の滴下を終
了した後、更に1時間、−3℃以下の温度で攪拌した。
【0053】得られた重合体を濾別し、水洗、アセトン
洗浄後、50℃にて減圧乾燥した。黒緑色のキノンジイ
ミン・フェニレンジアミン型導電性ポリアニリン43g
を得た。これを直径13mm、厚さ0.7mmに加圧成形し
て導電率を測定したところ、14 S/cmであった。
洗浄後、50℃にて減圧乾燥した。黒緑色のキノンジイ
ミン・フェニレンジアミン型導電性ポリアニリン43g
を得た。これを直径13mm、厚さ0.7mmに加圧成形し
て導電率を測定したところ、14 S/cmであった。
【0054】<脱ドーピングによるキノンジイミン・フ
ェニレンジアミン型溶剤可溶型ポリアニリンの製造>上
記ドープされている導電性ポリアニリン粉末35g を2
Nアンモニア水400ml中に加え、冷却しながらホモジ
ナイザーにて5000 rpm、5時間攪拌した。混合物
は、黒緑色から青紫色に変化した。
ェニレンジアミン型溶剤可溶型ポリアニリンの製造>上
記ドープされている導電性ポリアニリン粉末35g を2
Nアンモニア水400ml中に加え、冷却しながらホモジ
ナイザーにて5000 rpm、5時間攪拌した。混合物
は、黒緑色から青紫色に変化した。
【0055】桐山ロートにて粉末を濾取し、次いでビー
カー中で攪拌しながら、蒸留水にて濾液が中性になるま
で洗浄した。さらに、濾液が無色になるまでアセトンで
洗浄した。この粉末を50℃で2時間減圧乾燥して、黒
褐色の脱ドーピングした溶剤可溶キノンジイミン・フェ
ニレンジアミン型ポリアニリン粉末28g を得た。この
ポリアニリンはN−メチル−2−ピロリドンに可溶であ
り、溶解度は8g /100g (7.4%)である。
カー中で攪拌しながら、蒸留水にて濾液が中性になるま
で洗浄した。さらに、濾液が無色になるまでアセトンで
洗浄した。この粉末を50℃で2時間減圧乾燥して、黒
褐色の脱ドーピングした溶剤可溶キノンジイミン・フェ
ニレンジアミン型ポリアニリン粉末28g を得た。この
ポリアニリンはN−メチル−2−ピロリドンに可溶であ
り、溶解度は8g /100g (7.4%)である。
【0056】<導電性フィルムの作製:作製例1>上記
ポリアニリン0.5g とドデシルベンゼンスルホン酸
1.8g を窒素雰囲気中でよく混合した後、キシレン2
5g に懸濁し、超音波洗浄器で48時間攪拌した後、遠
心分離器で不溶物を沈殿させ、デカンテーションで除去
した。得られたキシレン溶液をポリエステルフィルム上
に塗布し、120℃で1時間乾燥し、フィルムを得た
後、アセトンで洗浄し、乾燥させた。このフィルムをデ
ジタル・マルチメータで測定した導電率は80S /cmで
あった。
ポリアニリン0.5g とドデシルベンゼンスルホン酸
1.8g を窒素雰囲気中でよく混合した後、キシレン2
5g に懸濁し、超音波洗浄器で48時間攪拌した後、遠
心分離器で不溶物を沈殿させ、デカンテーションで除去
した。得られたキシレン溶液をポリエステルフィルム上
に塗布し、120℃で1時間乾燥し、フィルムを得た
後、アセトンで洗浄し、乾燥させた。このフィルムをデ
ジタル・マルチメータで測定した導電率は80S /cmで
あった。
【0057】<導電性フィルムの作製:作製例2>ポリ
ビニルスルホン酸ナトリウム25%水溶液をイオン交換
樹脂を用いて酸型とした水溶液を、濃縮固化させた。別
に、硫酸第二鉄の水和物1.47g を蒸留水50g に加
熱溶解して、赤褐色透明な溶液を得た。攪拌しながらこ
れに、5N水酸化ナトリウム水溶液3.15g を添加し
て、コロイド状の水酸化鉄を得た。遠心分離した後、デ
カンテーションで上澄み液を棄て、次いで蒸留水を加え
て攪拌洗浄した。廃液が200mlになるまで繰り返し
た。
ビニルスルホン酸ナトリウム25%水溶液をイオン交換
樹脂を用いて酸型とした水溶液を、濃縮固化させた。別
に、硫酸第二鉄の水和物1.47g を蒸留水50g に加
熱溶解して、赤褐色透明な溶液を得た。攪拌しながらこ
れに、5N水酸化ナトリウム水溶液3.15g を添加し
て、コロイド状の水酸化鉄を得た。遠心分離した後、デ
カンテーションで上澄み液を棄て、次いで蒸留水を加え
て攪拌洗浄した。廃液が200mlになるまで繰り返し
た。
【0058】このようにして得られた水酸化鉄コロイド
溶液中に前記ポリビニルスルホン酸2.2g を加えた。
発熱と共にコロイドが溶解して、透明赤褐色溶液を得
た。これに全量が11g になるまで蒸留水を添加して、
ポリビニルスルホン酸第二鉄水溶液(ドープ液)を調製
した。
溶液中に前記ポリビニルスルホン酸2.2g を加えた。
発熱と共にコロイドが溶解して、透明赤褐色溶液を得
た。これに全量が11g になるまで蒸留水を添加して、
ポリビニルスルホン酸第二鉄水溶液(ドープ液)を調製
した。
【0059】N−メチル−2−ピロリドン90g にフェ
ニルヒドラジン1.49g を溶解させ、次いで前記溶剤
可溶キノンジイミン・フェニレンジアミン型ポリアニリ
ン10g を溶解させた。溶液は、濃青色から黒褐色に変
色し、同時に窒素ガス発生が認められる。この、溶液を
減圧濾過後、ガラス板上にキャスティングし、120
℃、1時間乾燥させて、膜厚20〜45μm のポリアニ
リンフィルムを作製した。このフィルムを前記ドープ液
に1時間浸漬して、50℃1時間乾燥させた。フィルム
の導電率は43S/cmであった。
ニルヒドラジン1.49g を溶解させ、次いで前記溶剤
可溶キノンジイミン・フェニレンジアミン型ポリアニリ
ン10g を溶解させた。溶液は、濃青色から黒褐色に変
色し、同時に窒素ガス発生が認められる。この、溶液を
減圧濾過後、ガラス板上にキャスティングし、120
℃、1時間乾燥させて、膜厚20〜45μm のポリアニ
リンフィルムを作製した。このフィルムを前記ドープ液
に1時間浸漬して、50℃1時間乾燥させた。フィルム
の導電率は43S/cmであった。
【0060】<導電性フィルムの作製:作製例3>溶剤
可溶キノンジイミン・フェニレンジアミン型ポリアニリ
ン0.5g とカンファースルホン酸0.65g を窒素雰
囲気中でよく混合した、m−クレゾール10.4g を加
え、超音波洗浄機で48時間処理した後、遠心分離器で
不溶物を分離し、デカンテーションで除去した。得られ
た溶液をガラス板上にキャストし、150℃で1時間乾
燥して導電性フィルムを得た。導電率は180S /cmで
あった。 <導電性フィルムの作製:作製例4>溶剤可溶キノンジ
イミン・フェニレンジアミン型ポリアニリン0.5g と
ドデシルベンゼンスルホン酸0.9g および3−ペンタ
デシルフェノール1.05gとを窒素雰囲気中でよく混
合した。この混合物をキシレン12.6g に加え、超音
波洗浄機で48時間攪拌した後、遠心分離器で不溶物を
分離し、デカンテーションで除去した。得られた溶液を
ガラス板上にキャストし、120℃で1時間乾燥してフ
ィルムを得た。フィルムをアセトンで洗浄して、3−ペ
ンタデシルフェノールを除去して、目的の導電性ポリア
ニリンフィルムを得た。フィルムの導電率は50S/cm
であった。
可溶キノンジイミン・フェニレンジアミン型ポリアニリ
ン0.5g とカンファースルホン酸0.65g を窒素雰
囲気中でよく混合した、m−クレゾール10.4g を加
え、超音波洗浄機で48時間処理した後、遠心分離器で
不溶物を分離し、デカンテーションで除去した。得られ
た溶液をガラス板上にキャストし、150℃で1時間乾
燥して導電性フィルムを得た。導電率は180S /cmで
あった。 <導電性フィルムの作製:作製例4>溶剤可溶キノンジ
イミン・フェニレンジアミン型ポリアニリン0.5g と
ドデシルベンゼンスルホン酸0.9g および3−ペンタ
デシルフェノール1.05gとを窒素雰囲気中でよく混
合した。この混合物をキシレン12.6g に加え、超音
波洗浄機で48時間攪拌した後、遠心分離器で不溶物を
分離し、デカンテーションで除去した。得られた溶液を
ガラス板上にキャストし、120℃で1時間乾燥してフ
ィルムを得た。フィルムをアセトンで洗浄して、3−ペ
ンタデシルフェノールを除去して、目的の導電性ポリア
ニリンフィルムを得た。フィルムの導電率は50S/cm
であった。
【0061】<固体電解コンデンサの作製> 〔実施例1〕図1に示すように、エッチングにより微細
孔(25μF/cm2 )を形成した膜厚70μm のアルミニ
ウム箔2を、10重量%アジピン酸アンモニウム水溶液
中で60℃、40V で化成、酸化皮膜3を形成し、水
洗、アセトン洗浄後乾燥させた。酸化被膜の膜厚は、
0.052μm であった。作製例1で作製した導電性高
分子フィルム1を2枚で、銅箔5の両面にカーボンペー
スト4を塗布した陰極を挟み、その外側に陽極となるア
ルミニウム箔2の酸化皮膜3側を重ねて、150℃、7
00kg/cm2 で20分間加熱、圧着した。
孔(25μF/cm2 )を形成した膜厚70μm のアルミニ
ウム箔2を、10重量%アジピン酸アンモニウム水溶液
中で60℃、40V で化成、酸化皮膜3を形成し、水
洗、アセトン洗浄後乾燥させた。酸化被膜の膜厚は、
0.052μm であった。作製例1で作製した導電性高
分子フィルム1を2枚で、銅箔5の両面にカーボンペー
スト4を塗布した陰極を挟み、その外側に陽極となるア
ルミニウム箔2の酸化皮膜3側を重ねて、150℃、7
00kg/cm2 で20分間加熱、圧着した。
【0062】これを10mm×10mmに切断し、図2に示
すように外側の両アルミニウム箔2に外部電極6接続し
て陽極とし、中央の銅箔5を陰極5aとするコンデンサ
No.1とした。得られたコンデンサの周波数特性を測定
しその結果を図3に示す。
すように外側の両アルミニウム箔2に外部電極6接続し
て陽極とし、中央の銅箔5を陰極5aとするコンデンサ
No.1とした。得られたコンデンサの周波数特性を測定
しその結果を図3に示す。
【0063】〔実施例2〕作製例2で作製した導電性高
分子フィルムを使用し、その他は実施例1と同様にして
コンデンサNo. 2を作製した。
分子フィルムを使用し、その他は実施例1と同様にして
コンデンサNo. 2を作製した。
【0064】〔実施例3〕作製例3で作製した導電性高
分子フィルムを使用し、その他は実施例1と同様にして
コンデンサNo. 3を作製した。
分子フィルムを使用し、その他は実施例1と同様にして
コンデンサNo. 3を作製した。
【0065】〔実施例4〕作製例4で作製した導電性高
分子フィルムを使用し、その他は実施例1と同様にして
コンデンサNo. 4を作製した。
分子フィルムを使用し、その他は実施例1と同様にして
コンデンサNo. 4を作製した。
【0066】〔実施例5〕両面からエッチングしたアル
ミニウム箔に実施例1と同様の条件で陽極酸化して、誘
電体膜を形成した。この両面に作製例1で作製した導電
性高分子フィルムを置き、その外側には導電性カーボン
ペーストを塗布した銅箔を重ねて、130℃、700kg
/cm2 の圧力で20分間圧着した。これを、10mm×1
0mmに切断してコンデンサNo. 5を作製した。
ミニウム箔に実施例1と同様の条件で陽極酸化して、誘
電体膜を形成した。この両面に作製例1で作製した導電
性高分子フィルムを置き、その外側には導電性カーボン
ペーストを塗布した銅箔を重ねて、130℃、700kg
/cm2 の圧力で20分間圧着した。これを、10mm×1
0mmに切断してコンデンサNo. 5を作製した。
【0067】〔実施例6〕作製例2で作製した導電性高
分子フィルムを使用し、その他は実施例5と同様にして
コンデンサNo. 6を作製した。また、得られたコンデン
サの周波数特性を測定し、その結果を図3に示す。
分子フィルムを使用し、その他は実施例5と同様にして
コンデンサNo. 6を作製した。また、得られたコンデン
サの周波数特性を測定し、その結果を図3に示す。
【0068】〔実施例7〕作製例3で作製した導電性高
分子フィルムを使用し、その他は実施例5と同様にして
コンデンサNo. 7を作製した。
分子フィルムを使用し、その他は実施例5と同様にして
コンデンサNo. 7を作製した。
【0069】〔比較例1〕実施例1で使用した、誘電体
付きアルミニウム箔(10mm×10mm)にリード線をス
ポット溶接し、作製例1におけるポリアニリンおよびド
ーパント溶液に5分間浸漬し、乾燥後アセトンで2回洗
浄した。これを3回繰り返して電解質膜とした。この上
に、導電性カーボンペースト、銀ペーストの順に塗布
し、銀ペーストを用いてリード線を取り出して、コンデ
ンサNo. 8とした。
付きアルミニウム箔(10mm×10mm)にリード線をス
ポット溶接し、作製例1におけるポリアニリンおよびド
ーパント溶液に5分間浸漬し、乾燥後アセトンで2回洗
浄した。これを3回繰り返して電解質膜とした。この上
に、導電性カーボンペースト、銀ペーストの順に塗布
し、銀ペーストを用いてリード線を取り出して、コンデ
ンサNo. 8とした。
【0070】〔比較例2〕比較例1と同じアルミニウム
箔を、溶剤可溶キノンジイミン・フェニレンジアミン型
ポリアニリンのN−メチル−2ピロリドン溶液に5分間
浸漬した。乾燥後さらに2回浸漬、乾燥を繰り返した。
最後にアセトンにて、3回洗浄後乾燥した。さらに、実
施例2のドープ液に1時間浸漬後、アセトン洗浄して、
乾燥させコンデンサNo. 9とした。
箔を、溶剤可溶キノンジイミン・フェニレンジアミン型
ポリアニリンのN−メチル−2ピロリドン溶液に5分間
浸漬した。乾燥後さらに2回浸漬、乾燥を繰り返した。
最後にアセトンにて、3回洗浄後乾燥した。さらに、実
施例2のドープ液に1時間浸漬後、アセトン洗浄して、
乾燥させコンデンサNo. 9とした。
【0071】以上のコンデンサの初期容量、初期tan
δ、等価直列抵抗ESR、漏れ電流、および105℃保
存後における安定性試験の結果を表1に示す。
δ、等価直列抵抗ESR、漏れ電流、および105℃保
存後における安定性試験の結果を表1に示す。
【0072】
【表1】
【0073】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来の電
解重合法および低温での化学重合法、浸漬法と同等、ま
たはそれ以上の均一な導電性高分子フィルムが得られ、
また、コンデンサ作製工程に溶液を使用しないため、き
わめて簡単な工程で、かつ均一な特性のコンデンサを得
ることができる。
解重合法および低温での化学重合法、浸漬法と同等、ま
たはそれ以上の均一な導電性高分子フィルムが得られ、
また、コンデンサ作製工程に溶液を使用しないため、き
わめて簡単な工程で、かつ均一な特性のコンデンサを得
ることができる。
【0074】また、ドーピングが均一で、かつ余分な残
留ドーパントもなく、信頼性に優れ、加熱・圧着により
抵抗値(ESR)も十分に低く、周波数特性も優れてい
るコンデンサを提供できる。
留ドーパントもなく、信頼性に優れ、加熱・圧着により
抵抗値(ESR)も十分に低く、周波数特性も優れてい
るコンデンサを提供できる。
【図1】本発明の固体電解コンデンサの構成例を示す断
面概略図で、熱圧着前の状態を示した図である。
面概略図で、熱圧着前の状態を示した図である。
【図2】本発明の固体電解コンデンサの構成例を示す断
面概略図で、熱圧着後、外部電極を装着した状態を示し
た図である。
面概略図で、熱圧着後、外部電極を装着した状態を示し
た図である。
【図3】本発明サンプル1と3のインピーダンス−周波
数特性を示した図である。 1 導電性高分子フィルム 2 弁作用を有する金属箔(アルミニウム箔) 3 誘電体膜 4 導電性カーボンペースト層 5 陰極構成金属(銅箔) 6 外部電極
数特性を示した図である。 1 導電性高分子フィルム 2 弁作用を有する金属箔(アルミニウム箔) 3 誘電体膜 4 導電性カーボンペースト層 5 陰極構成金属(銅箔) 6 外部電極
Claims (5)
- 【請求項1】 表面に誘電体酸化皮膜を有する粗面化金
属箔と、この粗面化金属箔に接触一体化した導電性高分
子フィルムを有し、さらにこの導電性高分子層の別の面
に陰電極を有する有機固体電解コンデンサであって、 前記粗面化金属箔と導電性高分子フィルムとが熱圧着さ
れている有機固体電解コンデンサ。 - 【請求項2】 前記導電性高分子フィルムは、有機酸を
ドーパントとする有機溶剤可溶性導電性高分子である請
求項1の有機固体電解コンデンサ。 - 【請求項3】 前記可溶性導電性高分子は、置換または
非置換のポリアニリン、ポリピロールまたはポリチオフ
ェンである請求項2の有機固体電解コンデンサ。 - 【請求項4】 表面に誘電体酸化皮膜を有する粗面化金
属箔に、導電性高分子フィルムを熱圧着し、 さらにこの導電性高分子層の別の面に陰電極を形成する
有機固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項5】 前記粗面化金属箔に導電性高分子フィル
ムを、この導電性高分子フィルムの軟化点以上かつ分解
点以下の温度であって、300kg/cm2 以上の圧力で熱
圧着する請求項4の有機固体電解コンデンサの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9264863A JPH1187182A (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | 有機固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9264863A JPH1187182A (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | 有機固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187182A true JPH1187182A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17409271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9264863A Withdrawn JPH1187182A (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | 有機固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1187182A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033245A (ja) * | 2000-05-22 | 2002-01-31 | Samuha Electric Co Ltd | 機能性高分子電解質組成物を利用した固体電解コンデンサーの製造方法 |
| WO2003008673A1 (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-30 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Metal foil consisting of alloy of earth-acid metal, and capacitor provided with the same |
| WO2006130042A1 (en) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Vostok Ltd. | Polyether-based film material |
| WO2006130046A3 (en) * | 2005-05-31 | 2007-03-08 | Vostok Ltd | Nanostructured coating for a carrying base |
| JP2012094835A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Industrial Technology Research Inst | 固体コンデンサ形成用酸化剤、これを含む電解質組成物、固体コンデンサ、およびその製造方法 |
| JP2022532284A (ja) * | 2019-03-01 | 2022-07-14 | 内蒙古▲烏▼▲蘭▼察布▲東▼▲陽▼光▲化▼成箔有限公司 | 電極構造体及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-09-11 JP JP9264863A patent/JPH1187182A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033245A (ja) * | 2000-05-22 | 2002-01-31 | Samuha Electric Co Ltd | 機能性高分子電解質組成物を利用した固体電解コンデンサーの製造方法 |
| WO2003008673A1 (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-30 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Metal foil consisting of alloy of earth-acid metal, and capacitor provided with the same |
| US6795299B2 (en) | 2001-07-18 | 2004-09-21 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Electrode for capacitor and capacitor using the same |
| US6885546B2 (en) | 2001-07-18 | 2005-04-26 | Showa Denko K.K. | Metal foil consisting of alloy of earth-acid metal, and capacitor provided with the same |
| WO2006130042A1 (en) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Vostok Ltd. | Polyether-based film material |
| WO2006130046A3 (en) * | 2005-05-31 | 2007-03-08 | Vostok Ltd | Nanostructured coating for a carrying base |
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| JP2022532284A (ja) * | 2019-03-01 | 2022-07-14 | 内蒙古▲烏▼▲蘭▼察布▲東▼▲陽▼光▲化▼成箔有限公司 | 電極構造体及びその製造方法 |
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