JPH1187262A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH1187262A JPH1187262A JP9238408A JP23840897A JPH1187262A JP H1187262 A JPH1187262 A JP H1187262A JP 9238408 A JP9238408 A JP 9238408A JP 23840897 A JP23840897 A JP 23840897A JP H1187262 A JPH1187262 A JP H1187262A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】薬液を確定した安価なウェット法によりチタン
タングステンの加工を可能とした半導体装置及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板上に生
成されたＰＮ接合と、上記半導体基板の表面に形成さ
れ、その一部が部分的に除去された絶縁膜と、上記半導
体基板及び絶縁膜上に成膜されたチタンタングステン
と、上記チタンタングステン上に積層されたアルミニウ
ムと、を具備し、上記チタンタングステン及びアルミニ
ウムによる二層のメタルを選択的にパターン形成し、上
記アルミニウムをエッチングし、上記チタンタングステ
ンの加工薬液として、加熱した過酸化水素水を用いて加
工することを特徴とする。
タングステンの加工を可能とした半導体装置及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板上に生
成されたＰＮ接合と、上記半導体基板の表面に形成さ
れ、その一部が部分的に除去された絶縁膜と、上記半導
体基板及び絶縁膜上に成膜されたチタンタングステン
と、上記チタンタングステン上に積層されたアルミニウ
ムと、を具備し、上記チタンタングステン及びアルミニ
ウムによる二層のメタルを選択的にパターン形成し、上
記アルミニウムをエッチングし、上記チタンタングステ
ンの加工薬液として、加熱した過酸化水素水を用いて加
工することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば電極として
用いられる、チタンを５〜１５％含むタングステンの混
合物膜の加工工程を用いて生成した半導体装置及びその
製造方法に関する。
用いられる、チタンを５〜１５％含むタングステンの混
合物膜の加工工程を用いて生成した半導体装置及びその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、タングステンやチタンタングステ
ンをウェットエッチングで加工する場合には、過酸化水
素水や過酸化水素水とアンモニア水の混合液等が用いら
れている。かかるウェットエッチングでは、ドライエッ
チングのように、エッチング室等のチタンの付着はな
く、パーティクルの発生も抑えられるといった利点があ
る。かかる点に鑑みて、トランジスタの形成工程等に汎
用されている。
ンをウェットエッチングで加工する場合には、過酸化水
素水や過酸化水素水とアンモニア水の混合液等が用いら
れている。かかるウェットエッチングでは、ドライエッ
チングのように、エッチング室等のチタンの付着はな
く、パーティクルの発生も抑えられるといった利点があ
る。かかる点に鑑みて、トランジスタの形成工程等に汎
用されている。
【０００３】例えば、特開平８−５３７８１号公報で
は、チタンタングステン合金薄膜のエッチャントにＥＤ
ＴＡ及び硫酸カリウムを添加した４０〜６０℃の３０％
の過酸化水素水を用いて化学的にエッチングする技術が
開示されている。
は、チタンタングステン合金薄膜のエッチャントにＥＤ
ＴＡ及び硫酸カリウムを添加した４０〜６０℃の３０％
の過酸化水素水を用いて化学的にエッチングする技術が
開示されている。
【０００４】さらに、特開平８−２５０４６２号公報で
は、コンタクトホールにチタンタングステン膜をパター
ンニングする際、過酸化水素水又は混合液でウェットエ
ッチングした後、フッ酸系ガスでドライエッチングし、
エッチング時の導電性残査を除去し、配線間リークを低
減する技術が開示されている。
は、コンタクトホールにチタンタングステン膜をパター
ンニングする際、過酸化水素水又は混合液でウェットエ
ッチングした後、フッ酸系ガスでドライエッチングし、
エッチング時の導電性残査を除去し、配線間リークを低
減する技術が開示されている。
【０００５】そして、特開平２−１００３７６号公報で
は、コンタクトメタルにチタンタングステンを用い、レ
ジストマスクと過酸化水素水溶液によりエッチング除去
し、パターニングする技術が開示されている。
は、コンタクトメタルにチタンタングステンを用い、レ
ジストマスクと過酸化水素水溶液によりエッチング除去
し、パターニングする技術が開示されている。
【０００６】一方、シリコン基板の上に、チタンを５〜
１５％含むタングステンの混合物膜を５００〜５０００
［オングストローム］と、アルミニウムを１〜５μｍ積
層した二層構造の電極を有する半導体装置のメタル工程
においては、その加工方法は、厚いアルミニウムをウェ
ット法にて加工した後、更にチタンタングステンを加工
する２段階エッチングを行うことが行われている。
１５％含むタングステンの混合物膜を５００〜５０００
［オングストローム］と、アルミニウムを１〜５μｍ積
層した二層構造の電極を有する半導体装置のメタル工程
においては、その加工方法は、厚いアルミニウムをウェ
ット法にて加工した後、更にチタンタングステンを加工
する２段階エッチングを行うことが行われている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記チ
タンタングステンを加工する方法において、ウェット法
を用いることにより、ドライ法における反応性イオンエ
ッチング(RIE；ReactiveIon Etching) を用い枚葉処理
を行う為にコストがかかるといった問題点は解決できる
ものの、バッチ処理が可能なウェット法では、薬液の選
定が確定していないといった従来からの問題があった。
タンタングステンを加工する方法において、ウェット法
を用いることにより、ドライ法における反応性イオンエ
ッチング(RIE；ReactiveIon Etching) を用い枚葉処理
を行う為にコストがかかるといった問題点は解決できる
ものの、バッチ処理が可能なウェット法では、薬液の選
定が確定していないといった従来からの問題があった。
【０００８】本発明は、上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、薬液を確定した安価なウ
ェット法によりＡｌと選択性のあるチタンタングステン
の加工を可能とした半導体装置及びその製造方法を提供
することができる。
で、その目的とするところは、薬液を確定した安価なウ
ェット法によりＡｌと選択性のあるチタンタングステン
の加工を可能とした半導体装置及びその製造方法を提供
することができる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の態様による半導体装置は、半導体基
板と、半導体基板上に生成されたＰＮ接合と、上記半導
体基板の表面に積層され、その一部が部分的に除去され
た絶縁膜と、上記半導体基板及び絶縁膜上に成膜された
チタンタングステンと、上記チタンタングステン上に積
層されたアルミニウムと、を具備し、上記チタンタング
ステン及びアルミニウムによる二層のメタルを選択的に
パターン形成し、上記アルミニウムをエッチングし、上
記チタンタングステンの加工薬液として、加熱した過酸
化水素水を用いて加工することを特徴とする。
に、本発明の第１の態様による半導体装置は、半導体基
板と、半導体基板上に生成されたＰＮ接合と、上記半導
体基板の表面に積層され、その一部が部分的に除去され
た絶縁膜と、上記半導体基板及び絶縁膜上に成膜された
チタンタングステンと、上記チタンタングステン上に積
層されたアルミニウムと、を具備し、上記チタンタング
ステン及びアルミニウムによる二層のメタルを選択的に
パターン形成し、上記アルミニウムをエッチングし、上
記チタンタングステンの加工薬液として、加熱した過酸
化水素水を用いて加工することを特徴とする。
【００１０】第２の態様による半導体装置の製造方法
は、半導体基板上にＰＮ接合を有する半導体装置におい
て、上記半導体基板の表面に絶縁膜を形成し、当該絶縁
膜を部分的に除去する第１の工程と、上記半導体基板の
全体にチタンタングステンを成膜する第２の工程と、上
記チタンタングステン上にアルミニウムを１〜５μｍ積
層する第３の工程と、上記チタンタングステン及びアル
ミニウムによる二層のメタルを選択的にパターン形成す
る第４の工程と、上記アルミニウムをエッチングする第
５の工程と、を有し、チタンタングステンの加工薬液と
して、加熱した過酸化水素水を用いて加工することを特
徴とする。
は、半導体基板上にＰＮ接合を有する半導体装置におい
て、上記半導体基板の表面に絶縁膜を形成し、当該絶縁
膜を部分的に除去する第１の工程と、上記半導体基板の
全体にチタンタングステンを成膜する第２の工程と、上
記チタンタングステン上にアルミニウムを１〜５μｍ積
層する第３の工程と、上記チタンタングステン及びアル
ミニウムによる二層のメタルを選択的にパターン形成す
る第４の工程と、上記アルミニウムをエッチングする第
５の工程と、を有し、チタンタングステンの加工薬液と
して、加熱した過酸化水素水を用いて加工することを特
徴とする。
【００１１】即ち、本発明の第１の態様による半導体装
置では、半導体基板上にＰＮ接合が生成され、上記半導
体基板の表面に絶縁膜が形成され、その一部が部分的に
除去され、上記半導体基板及び絶縁膜上にチタンタング
ステンが成膜され、上記チタンタングステン上にアルミ
ニウムが積層され、特に上記チタンタングステン及びア
ルミニウムによる二層のメタルが選択的にパターン形成
され、上記アルミニウムがエッチングされ、上記チタン
タングステンの加工薬液として、加熱した過酸化水素水
を用いて加工される。
置では、半導体基板上にＰＮ接合が生成され、上記半導
体基板の表面に絶縁膜が形成され、その一部が部分的に
除去され、上記半導体基板及び絶縁膜上にチタンタング
ステンが成膜され、上記チタンタングステン上にアルミ
ニウムが積層され、特に上記チタンタングステン及びア
ルミニウムによる二層のメタルが選択的にパターン形成
され、上記アルミニウムがエッチングされ、上記チタン
タングステンの加工薬液として、加熱した過酸化水素水
を用いて加工される。
【００１２】第２の態様による半導体装置の製造方法で
は、半導体基板上にＰＮ接合を有する半導体装置におい
て、第１の工程では上記半導体基板の表面に絶縁膜が形
成され、当該絶縁膜が部分的に除去され、第２の工程で
は上記半導体基板の全体にチタンタングステンが成膜さ
れ、第３の工程では上記チタンタングステン上にアルミ
ニウムが１〜５μｍ積層され、第４の工程では上記チタ
ンタングステン及びアルミニウムによる二層のメタルが
選択的にパターン形成され、第５の工程では上記アルミ
ニウムがエッチングされ、特にチタンタングステンの加
工薬液として、加熱した過酸化水素水が用いられ加工さ
れる。
は、半導体基板上にＰＮ接合を有する半導体装置におい
て、第１の工程では上記半導体基板の表面に絶縁膜が形
成され、当該絶縁膜が部分的に除去され、第２の工程で
は上記半導体基板の全体にチタンタングステンが成膜さ
れ、第３の工程では上記チタンタングステン上にアルミ
ニウムが１〜５μｍ積層され、第４の工程では上記チタ
ンタングステン及びアルミニウムによる二層のメタルが
選択的にパターン形成され、第５の工程では上記アルミ
ニウムがエッチングされ、特にチタンタングステンの加
工薬液として、加熱した過酸化水素水が用いられ加工さ
れる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について説明する。本発明は、電極として用
いられる、チタン（以下、Ｔｉとする）を５〜１５％含
むタングステン（以下、Ｗとする）の混合物膜（以下、
ＴｉＷ）の加工工程に特徴を有し、当該ＴｉＷのエッチ
ング用の薬液としては、例えば３０〜３５wt％の過酸化
水素水を３５〜８０℃に加熱して用いる。
実施の形態について説明する。本発明は、電極として用
いられる、チタン（以下、Ｔｉとする）を５〜１５％含
むタングステン（以下、Ｗとする）の混合物膜（以下、
ＴｉＷ）の加工工程に特徴を有し、当該ＴｉＷのエッチ
ング用の薬液としては、例えば３０〜３５wt％の過酸化
水素水を３５〜８０℃に加熱して用いる。
【００１４】図１には、特徴のある加工方法により電極
を形成した本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造
工程を示し説明する。本発明の半導体装置では、先ずシ
リコン（以下、Ｓｉとする）基板１にＰＮ接合２、酸化
膜３を形成した後（図１（ａ）参照）、フォトリソグラ
フィ法により当該酸化膜３を開口しコンタクトホールを
形成する。そして、フォトレジストを剥離した後、汚
染、自然酸化膜の除去を目的としたコリン系の処理、希
フッ酸（ＨＦ）による処理を実施する（図１（ｂ）参
照）。
を形成した本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造
工程を示し説明する。本発明の半導体装置では、先ずシ
リコン（以下、Ｓｉとする）基板１にＰＮ接合２、酸化
膜３を形成した後（図１（ａ）参照）、フォトリソグラ
フィ法により当該酸化膜３を開口しコンタクトホールを
形成する。そして、フォトレジストを剥離した後、汚
染、自然酸化膜の除去を目的としたコリン系の処理、希
フッ酸（ＨＦ）による処理を実施する（図１（ｂ）参
照）。
【００１５】次いで、２０００［オングストローム］の
ＴｉＷ膜４を、次に３．８μｍのＡｌ５をスパッタす
る。このときのＴｉＷ膜４のターゲット組成としては、
Ｔｉが１０％、Ｗが９０％のものを用いる。続いて、こ
れらはメタル加工である為、マスクパターンとしてのフ
ォトレジスト６をマスクにして、Ａｌ５をアンモニア、
過酸化水素、キレート剤、水の混合液によりエッチング
する。
ＴｉＷ膜４を、次に３．８μｍのＡｌ５をスパッタす
る。このときのＴｉＷ膜４のターゲット組成としては、
Ｔｉが１０％、Ｗが９０％のものを用いる。続いて、こ
れらはメタル加工である為、マスクパターンとしてのフ
ォトレジスト６をマスクにして、Ａｌ５をアンモニア、
過酸化水素、キレート剤、水の混合液によりエッチング
する。
【００１６】さらに、その下層のＴｉＷ膜４を本方法を
用いてエッチングする。即ち、３５wt％の過酸化水素水
を４０，６０，７５＋／−５℃に制御した薬液にて１０
分間浸してＴｉＷ膜４をエッチングし、ゲートとエミッ
タを分離する。このときのマスク上の抜き寸法は５μｍ
幅のものである。その後、フォトレジストを剥離し、裏
面に電極を形成する（図１（ｃ），（ｄ）参照）。この
ようにして製造された本実施の形態に係る半導体装置の
構成は図２に示される通りである。
用いてエッチングする。即ち、３５wt％の過酸化水素水
を４０，６０，７５＋／−５℃に制御した薬液にて１０
分間浸してＴｉＷ膜４をエッチングし、ゲートとエミッ
タを分離する。このときのマスク上の抜き寸法は５μｍ
幅のものである。その後、フォトレジストを剥離し、裏
面に電極を形成する（図１（ｃ），（ｄ）参照）。この
ようにして製造された本実施の形態に係る半導体装置の
構成は図２に示される通りである。
【００１７】ここで、図２には、ドライ法又はウェット
法による端部の加工形状を示し説明する。同図に示され
るサンプルの電気的特性、耐圧特性を評価すると、図２
（ｂ）に示される過酸化水素水によるウェット加工の特
性は、図２（ａ）に示されるドライ法によるＲＩＥの加
工サンプルと比較し、耐圧低下（フィールド酸化膜上に
残るメタル起因）、Ｇ−Ｅショート（Ｓｉとメタルとの
コンタクト部上の残さが原因）は見られない。また、歩
留りは、ドライ、ウェット法いずれも６７〜７８、７０
％で差がない。つまり、これにより、加工法起因の歩留
りの低下はないことは明らかである。
法による端部の加工形状を示し説明する。同図に示され
るサンプルの電気的特性、耐圧特性を評価すると、図２
（ｂ）に示される過酸化水素水によるウェット加工の特
性は、図２（ａ）に示されるドライ法によるＲＩＥの加
工サンプルと比較し、耐圧低下（フィールド酸化膜上に
残るメタル起因）、Ｇ−Ｅショート（Ｓｉとメタルとの
コンタクト部上の残さが原因）は見られない。また、歩
留りは、ドライ、ウェット法いずれも６７〜７８、７０
％で差がない。つまり、これにより、加工法起因の歩留
りの低下はないことは明らかである。
【００１８】次に図３は薬液のエッチング温度とエッチ
ングレート、サイドエッチング量の関係を示す図であ
る。尚、同図において、白抜きの点で示したのはエッチ
ング温度とエッチングレートの関係に係る特性であり、
バツ印で示したのはエッチング温度とサイドエッチング
量の関係に係る特性である。
ングレート、サイドエッチング量の関係を示す図であ
る。尚、同図において、白抜きの点で示したのはエッチ
ング温度とエッチングレートの関係に係る特性であり、
バツ印で示したのはエッチング温度とサイドエッチング
量の関係に係る特性である。
【００１９】温度が低いとエッチングレートが非常に低
くなり、３５℃以上での使用が必要であることが判る。
かかるエッチングレートは、５００オングストローム／
分（４０℃）程度だが、残差除去のためにエッチング時
間は、例えば膜厚２０００オングストロームのＴｉＷで
１０分間程度は必要となる。
くなり、３５℃以上での使用が必要であることが判る。
かかるエッチングレートは、５００オングストローム／
分（４０℃）程度だが、残差除去のためにエッチング時
間は、例えば膜厚２０００オングストロームのＴｉＷで
１０分間程度は必要となる。
【００２０】一方、過剰のエッチング時間によるサイド
エッチングの進行は、Ａｌ底部の捲れ、剥がれによるダ
ストが発生しショートの原因となる。これを抑えるため
には、エッチング温度が８０℃以下であることが必要で
ある。このときの加工実績は、マスク寸法で線幅４μｍ
以上である。
エッチングの進行は、Ａｌ底部の捲れ、剥がれによるダ
ストが発生しショートの原因となる。これを抑えるため
には、エッチング温度が８０℃以下であることが必要で
ある。このときの加工実績は、マスク寸法で線幅４μｍ
以上である。
【００２１】以上説明したように、本発明では、電極の
加工工程において過酸化水素水を用いることで、パター
ニングのために用いるベースレジン、感光剤、溶剤（Ｅ
ＣＡ）を主成分とするレジストの劣化や、Ａｌの大きな
後退の問題も生じない。そして、安価なウェット法によ
る加工を実現する。
加工工程において過酸化水素水を用いることで、パター
ニングのために用いるベースレジン、感光剤、溶剤（Ｅ
ＣＡ）を主成分とするレジストの劣化や、Ａｌの大きな
後退の問題も生じない。そして、安価なウェット法によ
る加工を実現する。
【００２２】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
薬液を確定した安価なウェット法によりＡｌと選択性の
あるチタンタングステンの加工を可能とした半導体装置
及びその製造方法を提供することができる。
薬液を確定した安価なウェット法によりＡｌと選択性の
あるチタンタングステンの加工を可能とした半導体装置
及びその製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置の構造工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体装置の構造を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明の実施の形態によるドライ法とウェット
法の加工形状端部の構造を示す図である。
法の加工形状端部の構造を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態に係るエッチング温度とエ
ッチングレート、サイドエッチング量の関係を示す図で
ある。
ッチングレート、サイドエッチング量の関係を示す図で
ある。
１ シリコン基板 ２ ＰＮ接合 ３ 酸化膜 ４ チタンタングステン ５ アルミニウム ６ レジスト
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体基板と、 上記半導体基板に生成されたＰＮ接合と、 上記半導体基板の表面に積層され、その一部が部分的に
除去された絶縁膜と、 上記半導体基板及び上記絶縁膜上に成膜されたチタンタ
ングステンと、 上記チタンタングステン上に積層されたアルミニウム
と、を具備し、上記チタンタングステン及びアルミニウ
ムによる二層を選択的にパターン形成し、上記アルミニ
ウムをエッチングし、上記チタンタングステンの加工薬
液として加熱した過酸化水素水を用いて加工することを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 上記チタンタングステンの膜組成が、チ
タンを５〜１５％含み、その膜厚が５００〜５０００オ
ングストロームであることを特徴とする請求項１に記載
の半導体装置。 - 【請求項３】 上記薬液の過酸化水素水に関し、使用温
度を３５〜８０℃、薬液濃度を３０〜３５wt％にて用い
加工することを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置。 - 【請求項４】 上記加工後の形状が、アルミニウムは台
形且つ斜辺が丸みを帯びた形状であり、その下のチタン
タングステンは当該台形底部の下からサイドエッチング
量２μｍの範囲を満たすことを特徴とする請求項１に記
載の半導体装置。 - 【請求項５】 上記チタンタングステンの抜きパターン
の幅が４μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記
載の半導体装置。 - 【請求項６】 半導体基板上にＰＮ接合を有する半導体
装置において、 上記半導体基板の表面に絶縁膜を形成し、当該絶縁膜を
部分的に除去する第１の工程と、 上記半導体基板の全体にチタンタングステンを成膜する
第２の工程と、 上記チタンタングステン上にアルミニウムを１〜５μｍ
積層する第３の工程と、 上記チタンタングステン及びアルミニウムによる二層の
メタルを選択的にパターン形成する第４の工程と、 上記アルミニウムをエッチングする第５の工程と、を有
し、チタンタングステンの加工薬液として、加熱した過
酸化水素水を用いて加工することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項７】 上記チタンタングステンの膜組成が、チ
タンを５〜１５％含み、その膜厚が５００〜５０００オ
ングストロームであることを特徴とする請求項６に記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 上記薬液の過酸化水素水に関し、使用温
度を３５〜８０℃、薬液濃度を３０〜３５wt％にて用い
加工することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項９】 上記加工後の形状が、アルミニウムは台
形且つ斜辺が丸みを帯びた形状で、その下のチタンタン
グステンは当該台形底部の下からサイドエッチング量２
μｍの範囲を満たすことを特徴とする請求項６に記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 上記チタンタングステンの抜きパター
ンの幅が４μｍ以上であることを特徴とする請求項６に
記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9238408A JPH1187262A (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9238408A JPH1187262A (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187262A true JPH1187262A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17029772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9238408A Pending JPH1187262A (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1187262A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002043201A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63305518A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-12-13 | エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン | 半導体デバイスの製造方法 |
| JPH0334319A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH06232256A (ja) * | 1992-12-29 | 1994-08-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体デバイスのクラックストップ形成方法及び半導体デバイス |
| JPH0853781A (ja) * | 1994-06-15 | 1996-02-27 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | Ｃ４製造のためのＴｉＷの選択的エッチング |
-
1997
- 1997-09-03 JP JP9238408A patent/JPH1187262A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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