JPH1192255A - メタライズセラミックス部品 - Google Patents
メタライズセラミックス部品Info
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- JPH1192255A JPH1192255A JP9258365A JP25836597A JPH1192255A JP H1192255 A JPH1192255 A JP H1192255A JP 9258365 A JP9258365 A JP 9258365A JP 25836597 A JP25836597 A JP 25836597A JP H1192255 A JPH1192255 A JP H1192255A
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- metallized layer
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
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- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/963—Surface properties, e.g. surface roughness
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Abstract
(57)【要約】
【課題】セラミックス部品本体の中央部および周縁部に
形成したメタライズ層にそれぞれめっき層を形成する場
合においても、１回の電解めっき処理によって均一なめ
っき層を容易に形成することが可能なメタライズセラミ
ックス部品を提供する。 【解決手段】セラミックス部品本体１０の表面の周縁部
および中央部にそれぞれメタライズ層１２，１１が形成
されたメタライズセラミックス部品１５において、上記
中央部に形成されたメタライズ層１１の表面粗さが前記
周縁部に形成されたメタライズ層１２の表面粗さより小
さいことを特徴とする。
形成したメタライズ層にそれぞれめっき層を形成する場
合においても、１回の電解めっき処理によって均一なめ
っき層を容易に形成することが可能なメタライズセラミ
ックス部品を提供する。 【解決手段】セラミックス部品本体１０の表面の周縁部
および中央部にそれぞれメタライズ層１２，１１が形成
されたメタライズセラミックス部品１５において、上記
中央部に形成されたメタライズ層１１の表面粗さが前記
周縁部に形成されたメタライズ層１２の表面粗さより小
さいことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子機器および家電
製品等に使用されるメタライズセラミックス部品に関す
る。
製品等に使用されるメタライズセラミックス部品に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来からマグネトロン，電力管，電子管
用のセラミックス封着部品として、モリブデン（Ｍｏ）
−マンガン（Ｍｎ）等から成るメタライズ層をアルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）等から成るセラミックス本体表面に一体
に形成したメタライズセラミックス部品が広く使用され
ている。
用のセラミックス封着部品として、モリブデン（Ｍｏ）
−マンガン（Ｍｎ）等から成るメタライズ層をアルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）等から成るセラミックス本体表面に一体
に形成したメタライズセラミックス部品が広く使用され
ている。
【０００３】例えば、図５は電子レンジのマグネトロン
に使用されるメタライズセラミックス部品１の構造例を
示す斜視図であり、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）焼結体から
成る円柱状のセラミックス部品本体（ステムセラミック
ス）１ａの上端面中央部にはモリブデンから成る端子形
状のメタライズ層２ａが形成される一方、下端面周縁部
には、同じくモリブデンから成るリング状のメタライズ
層２ｂが形成されている。上記メタライズ層２ａ，２ｂ
の表面には、通常、他の金属部品との接合強度を高め封
着を行うために、所定厚さのＮｉめっき層が施される。
に使用されるメタライズセラミックス部品１の構造例を
示す斜視図であり、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）焼結体から
成る円柱状のセラミックス部品本体（ステムセラミック
ス）１ａの上端面中央部にはモリブデンから成る端子形
状のメタライズ層２ａが形成される一方、下端面周縁部
には、同じくモリブデンから成るリング状のメタライズ
層２ｂが形成されている。上記メタライズ層２ａ，２ｂ
の表面には、通常、他の金属部品との接合強度を高め封
着を行うために、所定厚さのＮｉめっき層が施される。
【０００４】上記めっき層を形成する方法としては、セ
ラミックス部品本体を無電解めっき液中に浸漬して所定
厚さのＮｉめっき層を形成する無電解ニッケルめっき法
やセラミックス部品本体を１個ずつ治具により固定した
状態で電解ニッケルめっきを行う方法や１回めっき処理
をした後にアニールし、さらに厚さが不足するために２
回のめっき処理を施して所定厚さのめっき層を形成する
方法が一般的に採用されている。
ラミックス部品本体を無電解めっき液中に浸漬して所定
厚さのＮｉめっき層を形成する無電解ニッケルめっき法
やセラミックス部品本体を１個ずつ治具により固定した
状態で電解ニッケルめっきを行う方法や１回めっき処理
をした後にアニールし、さらに厚さが不足するために２
回のめっき処理を施して所定厚さのめっき層を形成する
方法が一般的に採用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
各種めっき法によれば、通常のニッケル電解めっき法と
比較して処理コストが高価になり、また処理工程も複雑
になり、さらに部品の量産性が劣る問題点があった。す
なわち無電解めっき法で使用されるめっき液は電解めっ
き液の１０倍以上の高価格であり、処理工程が複雑にな
る欠点がある。一方、部品本体を治具により固定して電
解めっきを施す方法においては、部品本体の治具掛けお
よび治具の取外しに多大な労力を要する難点があった。
また部品の表面毎にめっき処理を繰り返す方法では、め
っき処理工程が２回以上とそれに続くアニール工程とが
必要となり、工程が煩雑になる問題点があった。
各種めっき法によれば、通常のニッケル電解めっき法と
比較して処理コストが高価になり、また処理工程も複雑
になり、さらに部品の量産性が劣る問題点があった。す
なわち無電解めっき法で使用されるめっき液は電解めっ
き液の１０倍以上の高価格であり、処理工程が複雑にな
る欠点がある。一方、部品本体を治具により固定して電
解めっきを施す方法においては、部品本体の治具掛けお
よび治具の取外しに多大な労力を要する難点があった。
また部品の表面毎にめっき処理を繰り返す方法では、め
っき処理工程が２回以上とそれに続くアニール工程とが
必要となり、工程が煩雑になる問題点があった。
【０００６】さらに、上記無電解めっき法以外の各種電
解めっき法においては、めっき層を形成する部品位置に
よってめっき層の厚さが大きくばらつく難点があった。
例えば図５に示すようなメタライズセラミックス部品１
においては、部品本体１ａ上面の中央部に形成されたメ
タライズ層（端子部）２ａの表面にめっき層が形成され
にくいという欠点があり、一方、部品本体１ａ底面の周
縁部に形成されたリング状のメタライズ層２ｂの表面に
は十分な厚さのめっき層が形成される。
解めっき法においては、めっき層を形成する部品位置に
よってめっき層の厚さが大きくばらつく難点があった。
例えば図５に示すようなメタライズセラミックス部品１
においては、部品本体１ａ上面の中央部に形成されたメ
タライズ層（端子部）２ａの表面にめっき層が形成され
にくいという欠点があり、一方、部品本体１ａ底面の周
縁部に形成されたリング状のメタライズ層２ｂの表面に
は十分な厚さのめっき層が形成される。
【０００７】また、上記メタライズセラミックス部品１
において、部品本体１ａ上面の端子側に形成したメタラ
イズ層２ａの表面に、封着に十分な厚さを有するめっき
層を電解めっき法で形成すると、部品本体１ａの底面側
に形成したメタライズ層２ｂ表面に過度のめっきが付着
することになり、この部分にめっき膨れが生じ易くな
り、いずれにしても十分な封着効果が得られない問題点
があった。
において、部品本体１ａ上面の端子側に形成したメタラ
イズ層２ａの表面に、封着に十分な厚さを有するめっき
層を電解めっき法で形成すると、部品本体１ａの底面側
に形成したメタライズ層２ｂ表面に過度のめっきが付着
することになり、この部分にめっき膨れが生じ易くな
り、いずれにしても十分な封着効果が得られない問題点
があった。
【０００８】上記問題点を解決するために、電解めっき
処理時に上記部品本体１ａの中央部に形成したメタライ
ズ層２ａ表面への通電量を高めることにより、その表面
上に形成されるめっき層の厚さと、底面側の周縁部に形
成したメタライズ層２ｂ表面に形成されるめっき層の厚
さとを等しくする対策も講じられた。すなわち、メタラ
イズセラミックス部品１ａの表面側に形成したピン挿通
孔３内にそれぞれピン電極４を差し込んだ状態でバレル
めっき処理を実施することにより、部品本体１ａの中央
部および周辺部にそれぞれ形成されるめっき層の厚さを
等しくすることが可能になった。
処理時に上記部品本体１ａの中央部に形成したメタライ
ズ層２ａ表面への通電量を高めることにより、その表面
上に形成されるめっき層の厚さと、底面側の周縁部に形
成したメタライズ層２ｂ表面に形成されるめっき層の厚
さとを等しくする対策も講じられた。すなわち、メタラ
イズセラミックス部品１ａの表面側に形成したピン挿通
孔３内にそれぞれピン電極４を差し込んだ状態でバレル
めっき処理を実施することにより、部品本体１ａの中央
部および周辺部にそれぞれ形成されるめっき層の厚さを
等しくすることが可能になった。
【０００９】上記バレルめっき法によるめっき処理は以
下のように実施される。すなわち、電極を付設した回転
容器（バレル）中に、通電媒体としての微細な鋼球と、
前記各メタライズ層２ａ，２ｂを形成し、かつピン電極
４を差し込んだメタライズセラミックス部品１ａとを多
数収容する。そして、この回転容器を電解めっき液中に
浸漬した状態で回転させながら電極から通電し、各メタ
ライズ層２ａ，２ｂに所定厚さのめっき層を形成するめ
っき方法である。
下のように実施される。すなわち、電極を付設した回転
容器（バレル）中に、通電媒体としての微細な鋼球と、
前記各メタライズ層２ａ，２ｂを形成し、かつピン電極
４を差し込んだメタライズセラミックス部品１ａとを多
数収容する。そして、この回転容器を電解めっき液中に
浸漬した状態で回転させながら電極から通電し、各メタ
ライズ層２ａ，２ｂに所定厚さのめっき層を形成するめ
っき方法である。
【００１０】上記バレルめっき法によれば、ピン電極４
と通電媒体との接触効率が高まるため、従来ではめっき
の付着量が少なかった部品本体の中央部のメタライズ層
２ａに形成されるめっき層の厚さが、部品本体の周縁部
のメタライズ層２ｂに形成されるめっき層の厚さと等し
くなる。したがって、部品本体１ａの全表面において１
回のバレルめっき処理によって均一なめっき層を形成す
ることが可能になった。
と通電媒体との接触効率が高まるため、従来ではめっき
の付着量が少なかった部品本体の中央部のメタライズ層
２ａに形成されるめっき層の厚さが、部品本体の周縁部
のメタライズ層２ｂに形成されるめっき層の厚さと等し
くなる。したがって、部品本体１ａの全表面において１
回のバレルめっき処理によって均一なめっき層を形成す
ることが可能になった。
【００１１】しかしながら、従来のバレルめっき法によ
ってめっき層を形成する場合には、上記のピン電極の差
し込みが必須となるため、工程が煩雑になるとともに、
メタライズセラミックス部品の製造設備費が高額になる
問題点があった。すなわち、ピン電極の作製工程が必要
になるとともに、さらにセラミックス部品本体にピン電
極を差し込むためのピン差し工程に加えて、バレルめっ
き処理後にセラミックス部品本体から上記ピン電極を引
き抜くためのピン抜き工程も必須となるため、工程が煩
雑であり設備費および人件費等が高騰し、メタライズセ
ラミックス部品の製造原価が高くなる問題点があった。
ってめっき層を形成する場合には、上記のピン電極の差
し込みが必須となるため、工程が煩雑になるとともに、
メタライズセラミックス部品の製造設備費が高額になる
問題点があった。すなわち、ピン電極の作製工程が必要
になるとともに、さらにセラミックス部品本体にピン電
極を差し込むためのピン差し工程に加えて、バレルめっ
き処理後にセラミックス部品本体から上記ピン電極を引
き抜くためのピン抜き工程も必須となるため、工程が煩
雑であり設備費および人件費等が高騰し、メタライズセ
ラミックス部品の製造原価が高くなる問題点があった。
【００１２】本発明は上記の問題点を解決するためにな
されたものであり、セラミックス部品本体の中央部およ
び周縁部に形成したメタライズ層にそれぞれめっき層を
形成する場合においても、１回の電解めっき処理によっ
て均一なめっき層を容易に形成することが可能なメタラ
イズセラミックス部品を提供することを目的とする。
されたものであり、セラミックス部品本体の中央部およ
び周縁部に形成したメタライズ層にそれぞれめっき層を
形成する場合においても、１回の電解めっき処理によっ
て均一なめっき層を容易に形成することが可能なメタラ
イズセラミックス部品を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明者は種々の対策を講じ、形成されるめっき層の厚
さ等に対する影響を比較調査した。その結果、特にセラ
ミックス部品本体表面の中央部および周縁部にメタライ
ズ用ペーストを塗布乾燥後、従来めっきが付きにくい中
央部に形成したメタライズペースト層のみを滑かな物質
で擦ることによりその表面粗度を低下させ、さらにメタ
ライズ層を形成後、再度、中央部に形成したメタライズ
層の表面のみを擦ることにより、その表面粗度を低下さ
せ、しかる後にバレルめっき法により各メタライズ層に
電解ニッケルめっき層をそれぞれ形成したときに、中央
部および周縁部において均一で等しい厚さを有するめっ
き層を１回のめっき処理により効率的に形成できるとい
う知見を得た。本発明は上記知見に基づいて完成された
ものである。
本発明者は種々の対策を講じ、形成されるめっき層の厚
さ等に対する影響を比較調査した。その結果、特にセラ
ミックス部品本体表面の中央部および周縁部にメタライ
ズ用ペーストを塗布乾燥後、従来めっきが付きにくい中
央部に形成したメタライズペースト層のみを滑かな物質
で擦ることによりその表面粗度を低下させ、さらにメタ
ライズ層を形成後、再度、中央部に形成したメタライズ
層の表面のみを擦ることにより、その表面粗度を低下さ
せ、しかる後にバレルめっき法により各メタライズ層に
電解ニッケルめっき層をそれぞれ形成したときに、中央
部および周縁部において均一で等しい厚さを有するめっ
き層を１回のめっき処理により効率的に形成できるとい
う知見を得た。本発明は上記知見に基づいて完成された
ものである。
【００１４】すなわち、本発明に係るメタライズセラミ
ックス部品は、セラミックス部品本体表面の周縁部およ
び中央部にそれぞれメタライズ層が形成されたメタライ
ズセラミックス部品において、上記中央部に形成された
メタライズ層の表面粗さが前記周縁部に形成されたメタ
ライズ層の表面粗さより小さいことを特徴とする。
ックス部品は、セラミックス部品本体表面の周縁部およ
び中央部にそれぞれメタライズ層が形成されたメタライ
ズセラミックス部品において、上記中央部に形成された
メタライズ層の表面粗さが前記周縁部に形成されたメタ
ライズ層の表面粗さより小さいことを特徴とする。
【００１５】また中央部に形成されたメタライズ層の表
面粗さが周縁部に形成されたメタライズ層の表面粗さの
９０％以下であることが好ましい。さらに、セラミック
ス部品本体表面の中央部に形成されたメタライズ層の表
面粗さが十点平均粗さ（Ｒｚ）基準で３．０〜５．０μ
ｍであることを特徴とする。またメタライズ層はセラミ
ックス部品本体の突出した部分の表面に形成されること
が好ましい。さらに各メタライズ層表面に、バレルめっ
き法によって形成しためっき層を有することを特徴とす
る。
面粗さが周縁部に形成されたメタライズ層の表面粗さの
９０％以下であることが好ましい。さらに、セラミック
ス部品本体表面の中央部に形成されたメタライズ層の表
面粗さが十点平均粗さ（Ｒｚ）基準で３．０〜５．０μ
ｍであることを特徴とする。またメタライズ層はセラミ
ックス部品本体の突出した部分の表面に形成されること
が好ましい。さらに各メタライズ層表面に、バレルめっ
き法によって形成しためっき層を有することを特徴とす
る。
【００１６】本発明に係るメタライズセラミックス部品
において、セラミックス部品本体表面の中央部に形成さ
れたメタライズ層の表面粗さを、周縁部に形成されたメ
タライズ層の表面粗さより小さくすることによって中央
部のメタライズ層のめっき反応性を高めることが可能に
なり、その結果として中央部および周縁部のメタライズ
層に形成されるめっき層の厚さを等しくすることができ
る。
において、セラミックス部品本体表面の中央部に形成さ
れたメタライズ層の表面粗さを、周縁部に形成されたメ
タライズ層の表面粗さより小さくすることによって中央
部のメタライズ層のめっき反応性を高めることが可能に
なり、その結果として中央部および周縁部のメタライズ
層に形成されるめっき層の厚さを等しくすることができ
る。
【００１７】上記メタライズ層の表面粗さは、表面が平
滑な部材表面上で振動処理等を行いメタライズ面を軽く
機械的に研磨することにより調整することができる。そ
してメタライズ層の表面を研磨することにより、メタラ
イズ層の表面酸化層が除去されるとともに表面に析出し
たガラス成分が除去され、メタライズ層のめっき反応性
が向上する。すなわち、従来、めっきが付着しにくい中
央部のメタライズ層の表面のめっき反応性を高めること
により、中央部および周縁部のメタライズ層表面に形成
されるめっき層の厚さを等しくすることができる。
滑な部材表面上で振動処理等を行いメタライズ面を軽く
機械的に研磨することにより調整することができる。そ
してメタライズ層の表面を研磨することにより、メタラ
イズ層の表面酸化層が除去されるとともに表面に析出し
たガラス成分が除去され、メタライズ層のめっき反応性
が向上する。すなわち、従来、めっきが付着しにくい中
央部のメタライズ層の表面のめっき反応性を高めること
により、中央部および周縁部のメタライズ層表面に形成
されるめっき層の厚さを等しくすることができる。
【００１８】また中央部に形成されたメタライズ層の表
面粗さを周縁部に形成されたメタライズ層の表面粗さの
９０％以下とすることにより、バレルめっき処理を実施
した場合に、中央部および周縁部に形成されたメタライ
ズ層のめっき厚さを、より均一に、かつ等しくすること
ができる。
面粗さを周縁部に形成されたメタライズ層の表面粗さの
９０％以下とすることにより、バレルめっき処理を実施
した場合に、中央部および周縁部に形成されたメタライ
ズ層のめっき厚さを、より均一に、かつ等しくすること
ができる。
【００１９】さらにセラミックス部品本体表面の中央部
に形成されたメタライズ層の表面粗さを十点平均粗さ
（Ｒｚ）基準で３．０〜５．０μｍの範囲とすることに
より、バレルめっき処理を実施した場合に、めっき厚さ
が０．６〜１．０μｍ程度になり、封着効果が十分なめ
っき層を形成することができる。
に形成されたメタライズ層の表面粗さを十点平均粗さ
（Ｒｚ）基準で３．０〜５．０μｍの範囲とすることに
より、バレルめっき処理を実施した場合に、めっき厚さ
が０．６〜１．０μｍ程度になり、封着効果が十分なめ
っき層を形成することができる。
【００２０】またメタライズ層を、セラミックス部品本
体の突出した部分の表面に形成することにより、バレル
めっき処理を実施した場合に、めっき層と通電媒体（鋼
球）との接触効率が高まり、迅速にめっき層を形成する
ことが可能になる。
体の突出した部分の表面に形成することにより、バレル
めっき処理を実施した場合に、めっき層と通電媒体（鋼
球）との接触効率が高まり、迅速にめっき層を形成する
ことが可能になる。
【００２１】さらに、各メタライズ層表面に、バレルめ
っき法によってめっき層を形成することにより、１回の
めっき処理を実施するだけで各メタライズ層表面に所定
厚さのめっき層を効率的に形成することができる。
っき法によってめっき層を形成することにより、１回の
めっき処理を実施するだけで各メタライズ層表面に所定
厚さのめっき層を効率的に形成することができる。
【００２２】上記構成のメタライズセラミックス部品に
よれば、セラミックス部品本体表面の中央部に形成され
たメタライズ層の表面粗さを、周縁部に形成されたメタ
ライズ層の表面粗さより小さくしているため、中央部の
メタライズ層のめっき反応性を高めることが可能にな
り、バレルめっき処理を実施した場合に中央部および周
縁部のメタライズ層に形成されるめっき層の厚さを等し
くすることができる。
よれば、セラミックス部品本体表面の中央部に形成され
たメタライズ層の表面粗さを、周縁部に形成されたメタ
ライズ層の表面粗さより小さくしているため、中央部の
メタライズ層のめっき反応性を高めることが可能にな
り、バレルめっき処理を実施した場合に中央部および周
縁部のメタライズ層に形成されるめっき層の厚さを等し
くすることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施形態について以
下の実施例および図面を参照して具体的に説明する。
下の実施例および図面を参照して具体的に説明する。
【００２４】実施例１ ９２重量％Ａｌ2 Ｏ3 −８重量％ＭｎＯ2 ，ＳｉＯ2 ，
ＭｇＯ（合計で８重量％）なる組成を有するアルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）焼結体を加工して、図１に示すような直
径１５mm×高さ１５mmの略円柱状のセラミックス部品本
体１０を多数調製した。このセラミックス部品本体１０
の上面中央部には突出した端子状部が形成されている一
方、下面の周縁部にも突出したリング状部が形成されて
いる。
ＭｇＯ（合計で８重量％）なる組成を有するアルミナ
（Ａｌ2 Ｏ3 ）焼結体を加工して、図１に示すような直
径１５mm×高さ１５mmの略円柱状のセラミックス部品本
体１０を多数調製した。このセラミックス部品本体１０
の上面中央部には突出した端子状部が形成されている一
方、下面の周縁部にも突出したリング状部が形成されて
いる。
【００２５】次に上面の端子状部および下面のリング状
部表面に、１００メッシュのスクリーンを用いてモリブ
デン−マンガンペーストをスクリーン印刷して厚さ２０
μｍのペースト層をそれぞれ塗布した。次に所定形状に
ペースト層を形成した部品本体を空気中にて温度１００
℃で乾燥して各ペースト層を硬化せしめた。
部表面に、１００メッシュのスクリーンを用いてモリブ
デン−マンガンペーストをスクリーン印刷して厚さ２０
μｍのペースト層をそれぞれ塗布した。次に所定形状に
ペースト層を形成した部品本体を空気中にて温度１００
℃で乾燥して各ペースト層を硬化せしめた。
【００２６】次に端子状部に形成したペースト層がテフ
ロン板上に当接する状態で、バイブレーターにより２分
間の振動処理を実施することにより、端子状部に形成し
たペースト層の表面を平滑化した。しかる後に、ペース
ト層を形成した部品本体をウェットフォーミングガス中
で温度１４２０℃で１時間加熱処理を実施することによ
り、図２および図３に示すように端子状部およびリング
状部にそれぞれメタライズ層１１，１２を形成した。
ロン板上に当接する状態で、バイブレーターにより２分
間の振動処理を実施することにより、端子状部に形成し
たペースト層の表面を平滑化した。しかる後に、ペース
ト層を形成した部品本体をウェットフォーミングガス中
で温度１４２０℃で１時間加熱処理を実施することによ
り、図２および図３に示すように端子状部およびリング
状部にそれぞれメタライズ層１１，１２を形成した。
【００２７】次に端子状部に形成したメタライズ層１１
がテフロン板上面に当接するように載置した状態でバイ
ブレーターを使用して２分間振動処理することによりメ
タライズ層１１表面を研磨して平滑な状態にした。この
状態で端子状部およびリング状部に形成したメタライズ
層１１，１２の表面粗さを測定したところ、表１に示す
ように十点平均粗さ（Ｒｚ）基準で３．７μｍ，５．２
μｍであった。
がテフロン板上面に当接するように載置した状態でバイ
ブレーターを使用して２分間振動処理することによりメ
タライズ層１１表面を研磨して平滑な状態にした。この
状態で端子状部およびリング状部に形成したメタライズ
層１１，１２の表面粗さを測定したところ、表１に示す
ように十点平均粗さ（Ｒｚ）基準で３．７μｍ，５．２
μｍであった。
【００２８】さらに上記のようにメタライズ層を形成し
た多数の部品本体１０を通電媒体としての鋼球とともに
バレルめっき処理装置の回転容器（バレル）中に収容
し、通電量５０Ａ，２０００カウントの運転条件のワッ
ト浴中にて電気めっき処理を実施することにより、図１
に示すように各メタライズ層１１，１２表面にニッケル
めっき層１３，１４をそれぞれ形成し実施例１に係るメ
タライズセラミックス部品１５を調製した。各ニッケル
めっき層１３，１４の厚さは、表１に示すように１．０
μｍおよび２．３μｍであった。
た多数の部品本体１０を通電媒体としての鋼球とともに
バレルめっき処理装置の回転容器（バレル）中に収容
し、通電量５０Ａ，２０００カウントの運転条件のワッ
ト浴中にて電気めっき処理を実施することにより、図１
に示すように各メタライズ層１１，１２表面にニッケル
めっき層１３，１４をそれぞれ形成し実施例１に係るメ
タライズセラミックス部品１５を調製した。各ニッケル
めっき層１３，１４の厚さは、表１に示すように１．０
μｍおよび２．３μｍであった。
【００２９】実施例２ 上記実施例１においてメタライズ層形成用のＭｏ−Ｍｎ
ペーストを塗布した後における振動処理を実施しない点
以外は実施例１と同様に加熱処理およびバレルめっき処
理を実施することにより、実施例２に係るメタライズセ
ラミックス部品を調製した。
ペーストを塗布した後における振動処理を実施しない点
以外は実施例１と同様に加熱処理およびバレルめっき処
理を実施することにより、実施例２に係るメタライズセ
ラミックス部品を調製した。
【００３０】実施例２に係るメタライズセラミックス部
品の端子状部およびリング状部に形成したメタライズ層
の表面粗さはそれぞれ４．３μｍ，５．２μｍ（Ｒｚ）
であり、また各メタライズ層表面に形成されたニッケル
めっき層の厚さは０．７μｍ，２．３μｍであった。
品の端子状部およびリング状部に形成したメタライズ層
の表面粗さはそれぞれ４．３μｍ，５．２μｍ（Ｒｚ）
であり、また各メタライズ層表面に形成されたニッケル
めっき層の厚さは０．７μｍ，２．３μｍであった。
【００３１】実施例３ 上記実施例１においてメタライズ層を形成した後におけ
る振動処理を実施しない点以外は実施例１と同様に加熱
処理およびバレルめっき処理を実施することにより、実
施例３に係るメタライズセラミックス部品を調製した。
る振動処理を実施しない点以外は実施例１と同様に加熱
処理およびバレルめっき処理を実施することにより、実
施例３に係るメタライズセラミックス部品を調製した。
【００３２】実施例３に係るメタライズセラミックス部
品の端子状部およびリング状部に形成したメタライズ層
の表面粗さはそれぞれ４．１μｍ，５．２μｍ（Ｒｚ）
であり、また各メタライズ層表面に形成されたニッケル
めっき層の厚さは０．８μｍ，２．３μｍであった。
品の端子状部およびリング状部に形成したメタライズ層
の表面粗さはそれぞれ４．１μｍ，５．２μｍ（Ｒｚ）
であり、また各メタライズ層表面に形成されたニッケル
めっき層の厚さは０．８μｍ，２．３μｍであった。
【００３３】比較例１ 上記実施例１においてメタライズ層形成用のＭｏ−Ｍｎ
ペーストを塗布した後およびメタライズ層を形成した後
における振動処理を一切実施しない点以外は実施例１と
同様に加熱処理およびバレルめっき処理を実施すること
により、比較例１に係るメタライズセラミックス部品を
調製した。
ペーストを塗布した後およびメタライズ層を形成した後
における振動処理を一切実施しない点以外は実施例１と
同様に加熱処理およびバレルめっき処理を実施すること
により、比較例１に係るメタライズセラミックス部品を
調製した。
【００３４】比較例１に係るメタライズセラミックス部
品の端子状部およびリング状部に形成したメタライズ層
の表面粗さはそれぞれ５．２μｍ（Ｒｚ）とほとんど差
がなく、また各メタライズ層表面に形成されたニッケル
めっき層の厚さは０．４μｍ，２．３μｍであった。
品の端子状部およびリング状部に形成したメタライズ層
の表面粗さはそれぞれ５．２μｍ（Ｒｚ）とほとんど差
がなく、また各メタライズ層表面に形成されたニッケル
めっき層の厚さは０．４μｍ，２．３μｍであった。
【００３５】比較例２ 比較例１において端子状部のメタライズ層に形成される
ニッケルめっき層の厚さが１μｍとなるようにバレルめ
っき処理のカウント数を増加させて比較例２に係るメタ
ライズセラミックス部品を調製した。しかしながら、リ
ング状部のメタライズ層に形成されたニッケルめっき層
の厚さが６μｍと過大になり、めっき膨れが多発する結
果になった。
ニッケルめっき層の厚さが１μｍとなるようにバレルめ
っき処理のカウント数を増加させて比較例２に係るメタ
ライズセラミックス部品を調製した。しかしながら、リ
ング状部のメタライズ層に形成されたニッケルめっき層
の厚さが６μｍと過大になり、めっき膨れが多発する結
果になった。
【００３６】また上記のように調製した各実施例および
比較例に係るメタライズセラミックス部品について、温
度８００℃のＮ2 ／Ｈ2 雰囲気中でろう流れ（ＢＡｇ−
８）試験を実施したところ、リング状部（周縁部）はい
ずれもろう流れが良好であり問題は少ない。一方、中央
部（端子状部）においてはめっき厚さが０．７〜１．０
mmである各実施例においてろう流れが良好であり、比較
例１のメタライズセラミックス部品では中央部でのろう
流れが不良であり、十分な封着特性および接合強度が得
られなかった。
比較例に係るメタライズセラミックス部品について、温
度８００℃のＮ2 ／Ｈ2 雰囲気中でろう流れ（ＢＡｇ−
８）試験を実施したところ、リング状部（周縁部）はい
ずれもろう流れが良好であり問題は少ない。一方、中央
部（端子状部）においてはめっき厚さが０．７〜１．０
mmである各実施例においてろう流れが良好であり、比較
例１のメタライズセラミックス部品では中央部でのろう
流れが不良であり、十分な封着特性および接合強度が得
られなかった。
【００３７】また各実施例および比較例に係るメタライ
ズセラミックス部品について、各メタライズ層部分に端
子や他の金属部品を接合した際に発生する封着不良およ
び接合不良の割合を不良発生率として計数したところ、
下記表１に示す結果を得た。
ズセラミックス部品について、各メタライズ層部分に端
子や他の金属部品を接合した際に発生する封着不良およ
び接合不良の割合を不良発生率として計数したところ、
下記表１に示す結果を得た。
【００３８】
【表１】
【００３９】上記表１に示す結果から明らかなように、
中央部（端子状部）のメタライズ層をテフロン板上で擦
ることにより平滑化した各実施例に係るメタライズセラ
ミックス部品によれば、中央部の表面粗度が低下して良
好なめっき性が発現し、好適な厚さのめっき層が形成さ
れる。これにより、セラミックス部品本体の中央部およ
び周縁部にメタライズ層を形成したメタライズセラミッ
クス部品においても、従来のピン電極の差込みや引抜き
等の付加工程を必要とせず、１回のバレルめっき処理に
より十分な厚さを有するニッケルめっき層を効率的に形
成することが可能となった。
中央部（端子状部）のメタライズ層をテフロン板上で擦
ることにより平滑化した各実施例に係るメタライズセラ
ミックス部品によれば、中央部の表面粗度が低下して良
好なめっき性が発現し、好適な厚さのめっき層が形成さ
れる。これにより、セラミックス部品本体の中央部およ
び周縁部にメタライズ層を形成したメタライズセラミッ
クス部品においても、従来のピン電極の差込みや引抜き
等の付加工程を必要とせず、１回のバレルめっき処理に
より十分な厚さを有するニッケルめっき層を効率的に形
成することが可能となった。
【００４０】図４は端子状部（中央部）に形成したメタ
ライズ層の表面粗さと、そのメタライズ層の表面に形成
されるめっき層の厚さとの関係を示すグラフである。す
なわち、従来はめっきが付着しにくいと考えられていた
端子状部（中央部）のメタライズ層の表面粗さを３．０
〜４．５μｍＲｚの範囲に調整することにより、そのメ
タライズ層の表面に形成されるめっき層の厚さを０．６
〜１．１μｍと厚く形成することが可能になることが判
明した。
ライズ層の表面粗さと、そのメタライズ層の表面に形成
されるめっき層の厚さとの関係を示すグラフである。す
なわち、従来はめっきが付着しにくいと考えられていた
端子状部（中央部）のメタライズ層の表面粗さを３．０
〜４．５μｍＲｚの範囲に調整することにより、そのメ
タライズ層の表面に形成されるめっき層の厚さを０．６
〜１．１μｍと厚く形成することが可能になることが判
明した。
【００４１】
【発明の効果】以上説明の通り、本発明に係るメタライ
ズセラミックス部品によれば、セラミックス部品本体表
面の中央部に形成されたメタライズ層の表面粗さを、周
縁部に形成されたメタライズ層の表面粗さより小さくし
ているため、中央部のメタライズ層のめっき反応性を高
めることが可能になり、バレルめっき処理を実施した場
合に中央部および周縁部のメタライズ層に形成されるめ
っき層の厚さを等しくすることができる。
ズセラミックス部品によれば、セラミックス部品本体表
面の中央部に形成されたメタライズ層の表面粗さを、周
縁部に形成されたメタライズ層の表面粗さより小さくし
ているため、中央部のメタライズ層のめっき反応性を高
めることが可能になり、バレルめっき処理を実施した場
合に中央部および周縁部のメタライズ層に形成されるめ
っき層の厚さを等しくすることができる。
【図１】本発明に係るメタライズセラミックス部品の一
実施例を示す断面図。
実施例を示す断面図。
【図２】図１におけるII−II矢視平面図。
【図３】図１における III−III 矢視底面図。
【図４】メタライズ層の表面粗さとめっき層の厚さとの
関係を示すグラフ。
関係を示すグラフ。
【図５】従来のメタライズセラミックス部品の構成例を
示す斜視図。
示す斜視図。
１ メタライズセラミックス部品 １ａ セラミックス部品本体 ２ａ，２ｂ メタライズ層 ３ ピン挿通孔 ４ ピン電極 １０ セラミックス部品本体 １１，１２ メタライズ層 １３，１４ ニッケルめっき層 １５ メタライズセラミックス部品
Claims (5)
- 【請求項１】 セラミックス部品本体表面の周縁部およ
び中央部にそれぞれメタライズ層が形成されたメタライ
ズセラミックス部品において、上記中央部に形成された
メタライズ層の表面粗さが前記周縁部に形成されたメタ
ライズ層の表面粗さより小さいことを特徴とするメタラ
イズセラミックス部品。 - 【請求項２】 中央部に形成されたメタライズ層の表面
粗さが周縁部に形成されたメタライズ層の表面粗さの９
０％以下であることを特徴とする請求項１記載のメタラ
イズセラミックス部品。 - 【請求項３】 セラミックス部品本体表面の中央部に形
成されたメタライズ層の表面粗さが十点平均粗さ（Ｒ
ｚ）基準で３．０〜５．０μｍであることを特徴とする
請求項１記載のメタライズセラミックス部品。 - 【請求項４】 メタライズ層はセラミックス部品本体の
突出した部分の表面に形成されていることを特徴とする
請求項１記載のメタライズセラミックス部品。 - 【請求項５】 各メタライズ層表面に、バレルめっき法
によって形成しためっき層を有することを特徴とする請
求項１記載のメタライズセラミックス部品。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9258365A JPH1192255A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | メタライズセラミックス部品 |
| KR1019980024035A KR100280169B1 (ko) | 1997-09-24 | 1998-06-25 | 메탈라이즈 세라믹 부품 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9258365A JPH1192255A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | メタライズセラミックス部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1192255A true JPH1192255A (ja) | 1999-04-06 |
Family
ID=17319237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9258365A Pending JPH1192255A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | メタライズセラミックス部品 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1192255A (ja) |
| KR (1) | KR100280169B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007302962A (ja) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Honda Motor Co Ltd | 皮膜形成方法 |
| CN103346055A (zh) * | 2013-06-21 | 2013-10-09 | 无锡康伟工程陶瓷有限公司 | 磁控管用金属化a侧陶瓷 |
| CN104134570A (zh) * | 2014-08-12 | 2014-11-05 | 无锡康伟工程陶瓷有限公司 | 真空继电器瓷片 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59224445A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ピストン |
-
1997
- 1997-09-24 JP JP9258365A patent/JPH1192255A/ja active Pending
-
1998
- 1998-06-25 KR KR1019980024035A patent/KR100280169B1/ko not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007302962A (ja) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Honda Motor Co Ltd | 皮膜形成方法 |
| CN103346055A (zh) * | 2013-06-21 | 2013-10-09 | 无锡康伟工程陶瓷有限公司 | 磁控管用金属化a侧陶瓷 |
| CN104134570A (zh) * | 2014-08-12 | 2014-11-05 | 无锡康伟工程陶瓷有限公司 | 真空继电器瓷片 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100280169B1 (ko) | 2001-03-02 |
| KR19990029233A (ko) | 1999-04-26 |
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