JPH1195687A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 複数の画素ごとに設けられた画素電極と、前記画素電極に接続された薄膜トランジスタと、前記画素電極よりも下層に形成され、前記画素電極同士の隙間を遮蔽するように設けられた遮光膜とが同一基板上に形成され、
   前記遮光膜は、電極層と、該電極層上に形成された可視光を吸収する光吸収層を少なくとも１層有することを特徴とする表示装置。
2. 請求項１において、前記光吸収層は、真性もしくは実質的に真性な非晶質シリコン膜であることを特徴とする表示装置。
3. 請求項１において、前記光吸収層は、ＰＩＮ接合を有する非晶質シリコン膜であることを特徴とする表示装置。
4. 請求項１において、前記光吸収層は、真性もしくは実質的に真性な非晶質シリコンゲルマニウム膜であることを特徴とする表示装置。
5. 複数の画素ごとに設けられた画素電極と、各前記画素電極に接続された薄膜トランジスタと、前記画素電極よりも下層に形成され、前記画素電極同士の隙間を遮蔽するように設けられた遮光膜とが同一基板上に形成され、
   前記遮光膜は、電極層と、該電極層上に形成された顔料、カーボン又はグラファイトが分散された絶縁膜とを有することを特徴とする表示装置。
6. 複数の画素ごとに設けられた画素電極と、前記画素電極に接続された薄膜トランジスタと、前記画素電極よりも下層に形成され、前記画素電極同士の隙間を遮蔽するように設けられた遮光膜とが同一基板上に形成され、
   前記遮光膜は、電極層と、該電極層上に形成された顔料、カーボン又はグラファイトが分散された絶縁膜とを有し、
   前記遮光膜と前記画素電極が重なってリング状の容量が形成されていることを特徴とする表示装置。
7. 請求項５又は６において、前記絶縁膜は樹脂膜であることを特徴とする表示装置。
8. 複数の画素ごとに設けられた画素電極と、前記画素電極に接続された薄膜トランジスタと、前記画素電極よりも下層に形成され、前記画素電極同士の隙間を遮蔽するように設けられた遮光膜とが同一基板上に形成され、
   前記遮光膜は、電極層と、該電極層上に形成された黒色の樹脂膜とを有し、
   前記遮光膜と前記画素電極が重なってリング状の容量が形成されていることを特徴とする表示装置。