JPH1196870A - 温度ヒュ−ズ・抵抗体及びその製作方法 - Google Patents
温度ヒュ−ズ・抵抗体及びその製作方法Info
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- JPH1196870A JPH1196870A JP27508997A JP27508997A JPH1196870A JP H1196870 A JPH1196870 A JP H1196870A JP 27508997 A JP27508997 A JP 27508997A JP 27508997 A JP27508997 A JP 27508997A JP H1196870 A JPH1196870 A JP H1196870A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】基板型温度ヒュ−ズ・抵抗体の小型性の特徴を
維持しつつ温度ヒュ−ズエレメント溶断時での溶融物の
流出を確実に防止する。 【解決手段】絶縁基板１の片面に温度ヒュ−ズエレメン
ト２と抵抗エレメントと５を併設し、その絶縁基板片面
の周囲に前記温度ヒュ−ズエレメント２と抵抗エレメン
ト５を囲んで外壁枠７を付設し、該外壁枠７の内側に絶
縁封止材１０を充填した。
維持しつつ温度ヒュ−ズエレメント溶断時での溶融物の
流出を確実に防止する。 【解決手段】絶縁基板１の片面に温度ヒュ−ズエレメン
ト２と抵抗エレメントと５を併設し、その絶縁基板片面
の周囲に前記温度ヒュ−ズエレメント２と抵抗エレメン
ト５を囲んで外壁枠７を付設し、該外壁枠７の内側に絶
縁封止材１０を充填した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は絶縁基板の片面に温
度ヒュ−ズエレメントと抵抗エレメントとを併設した温
度ヒュ−ズ・抵抗体、すなわち基板型温度ヒュ−ズ・抵
抗体及びその製作方法に関するものである。
度ヒュ−ズエレメントと抵抗エレメントとを併設した温
度ヒュ−ズ・抵抗体、すなわち基板型温度ヒュ−ズ・抵
抗体及びその製作方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】温度ヒュ−ズ・抵抗体は、回路保護素子
として用いられ、温度ヒュ−ズエレメントと抵抗エレメ
ントとを併設してなり、抵抗エレメントのジュ−ル発熱
で温度ヒュ−ズエレメントを溶断させ、この溶断により
回路への通電を遮断している。
として用いられ、温度ヒュ−ズエレメントと抵抗エレメ
ントとを併設してなり、抵抗エレメントのジュ−ル発熱
で温度ヒュ−ズエレメントを溶断させ、この溶断により
回路への通電を遮断している。
【０００３】最近では、リチウムイオン二次電池の過充
電保護に温度ヒュ−ズ・抵抗体が使用されている。すな
わち、リチウムイオン二次電池は、充電・放電の際、正
極と負極間での可動イオンの移動による酸化還元反応の
ために電気エネルギ−を発生し、満充電後、電池電圧が
上昇して過電圧を発生し、溶媒の分解が招来されるの
で、その過電圧を検出素子で検出して上記温度ヒュ−ズ
・抵抗体の抵抗エレメントに電流を流し、該抵抗エレメ
ントのジュ−ル発熱で温度ヒュ−ズエレメントを溶断さ
せ、該溶断でリチウムイオン二次電池を充電器から遮断
することが行われている。この温度ヒュ−ズ・抵抗体と
しては、小型化、特に薄型化のために、絶縁基板の片面
に温度ヒュ−ズエレメントと抵抗エレメントとを併設
し、その絶縁基板片面上をエポキシ樹脂等の絶縁材で封
止した、所謂基板型が開発されている。
電保護に温度ヒュ−ズ・抵抗体が使用されている。すな
わち、リチウムイオン二次電池は、充電・放電の際、正
極と負極間での可動イオンの移動による酸化還元反応の
ために電気エネルギ−を発生し、満充電後、電池電圧が
上昇して過電圧を発生し、溶媒の分解が招来されるの
で、その過電圧を検出素子で検出して上記温度ヒュ−ズ
・抵抗体の抵抗エレメントに電流を流し、該抵抗エレメ
ントのジュ−ル発熱で温度ヒュ−ズエレメントを溶断さ
せ、該溶断でリチウムイオン二次電池を充電器から遮断
することが行われている。この温度ヒュ−ズ・抵抗体と
しては、小型化、特に薄型化のために、絶縁基板の片面
に温度ヒュ−ズエレメントと抵抗エレメントとを併設
し、その絶縁基板片面上をエポキシ樹脂等の絶縁材で封
止した、所謂基板型が開発されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の温度ヒュ−ズ・
抵抗体においては、温度ヒュ−ズエレメント、すなわち
低融点可溶合金片の溶断の円滑・迅速化を図るためにフ
ラックスを塗布している。而して、温度ヒュ−ズエレメ
ントの溶断熱でフラックスが熱膨張や気化することによ
り発生する内圧のために、溶融合金と溶融フラツクスと
の混成物が絶縁封止層と絶縁基板との界面を経て外部に
流出し、その流出物が回路に付着凝固して短絡等の障害
を来す畏れがある。かかる不具合は、絶縁基板の平面寸
法を大きくして絶縁封止層と絶縁基板との界面を広くす
れば、排除できるが、これでは温度ヒュ−ズ・抵抗体の
寸法増大が余儀なくされ、基板型温度ヒュ−ズ・抵抗体
の有利性を維持できない。
抵抗体においては、温度ヒュ−ズエレメント、すなわち
低融点可溶合金片の溶断の円滑・迅速化を図るためにフ
ラックスを塗布している。而して、温度ヒュ−ズエレメ
ントの溶断熱でフラックスが熱膨張や気化することによ
り発生する内圧のために、溶融合金と溶融フラツクスと
の混成物が絶縁封止層と絶縁基板との界面を経て外部に
流出し、その流出物が回路に付着凝固して短絡等の障害
を来す畏れがある。かかる不具合は、絶縁基板の平面寸
法を大きくして絶縁封止層と絶縁基板との界面を広くす
れば、排除できるが、これでは温度ヒュ−ズ・抵抗体の
寸法増大が余儀なくされ、基板型温度ヒュ−ズ・抵抗体
の有利性を維持できない。
【０００５】本発明の目的は、基板型温度ヒュ−ズ・抵
抗体の小型性の特徴を維持しつつ温度ヒュ−ズエレメン
ト溶断時での溶融物の流出を確実に防止することにあ
る。
抗体の小型性の特徴を維持しつつ温度ヒュ−ズエレメン
ト溶断時での溶融物の流出を確実に防止することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る温度ヒュ−
ズ・抵抗体は、絶縁基板の片面に温度ヒュ−ズエレメン
トと抵抗エレメントとを併設し、その絶縁基板片面の周
囲に前記温度ヒュ−ズエレメントと抵抗エレメントを囲
んで外壁枠を付設し、該外壁枠の内側に絶縁封止材を充
填したことを特徴とする構成である。
ズ・抵抗体は、絶縁基板の片面に温度ヒュ−ズエレメン
トと抵抗エレメントとを併設し、その絶縁基板片面の周
囲に前記温度ヒュ−ズエレメントと抵抗エレメントを囲
んで外壁枠を付設し、該外壁枠の内側に絶縁封止材を充
填したことを特徴とする構成である。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図１の（イ）は本発明に
係る温度ヒュ−ズ・抵抗体の一例を示し、図１の（ロ）
は図１の（イ）におけるロ−ロ断面図を、図１の（ハ）
は図１の（イ）におけるハ−ハ断面図をそれぞれ示して
いる。図１の（イ）乃至図１の（ハ）において、１は耐
熱性の絶縁基板であり、セラミックス板や樹脂板を用い
ることができる。２は温度ヒュ−ズエレメントであり、
絶縁基板１の片面に設けた共通電極３０及び個別電極３
１，３２における電極３０−３１間に橋設してある。こ
れらの電極は絶縁基板に導電ペ−スト（例えば、Ａｇペ
−スト、Ａｇ−Ｐｄペ−スト、Ａｕペ−スト、Ｃｕペ−
スト等）を電極パタ−ンでスクリ−ン印刷し、これを焼
き付ける方法、金属箔の貼付や金属蒸着またはメッキ等
により導電層または導電膜を設けた絶縁基板の導電層ま
たは膜を電極パタ−ンに化学エッチングする方法等によ
り形成できる。温度ヒュ−ズエレメント２には、通常低
融点可溶合金片が用いられるが、これに限定されず、例
えば、金属粉末を樹脂バンインダ−で結合した成型体も
使用できる。図１の（イ）乃至図１の（ハ）において、
４は低融点可溶合金片の温度ヒュ−ズエレメント２に塗
布したフラックスである。５は共通電極３０と個別電極
３２との間に橋設した抵抗エレメントであり、抵抗ペ−
スト（例えば、酸化ルテニウムのペ−スト）を印刷・焼
き付けてなる厚膜抵抗、抵抗体を真空蒸着してなる薄膜
抵抗を使用できる。６は膜抵抗５の保護膜であり、ガラ
スの焼付け膜を使用できる。抵抗エレメント５には、チ
ップ抵抗の使用も可能である。７は絶縁基板１の片面周
囲に前記温度ヒュ−ズエレメント２と抵抗エレメント５
を囲んで付設した外壁枠であり、通常絶縁基板１と同材
質のセラミックス成型品や樹脂成型品が用いられ、絶縁
基板１にこの外壁枠７を接着剤、例えば、エポキシ樹脂
で固着してある。１０は外壁枠７内に充填した絶縁封止
材であり、通常フィラ−（シリカや炭酸カルシウム）配
合のエポキシ樹脂組成物が使用される。８０〜８２は上
記の共通電極３０〜個別電極３２に対応して設けた実装
用電極であり、絶縁基板１と外壁枠７とにまたがり設け
てあり、共通電極３０〜個別電極３２に導通接続されて
いる。これらの電極は絶縁基板や外壁枠に予め導電ペ−
ストの塗布・焼付けにより形成しておくこともできる。
実施の形態について説明する。図１の（イ）は本発明に
係る温度ヒュ−ズ・抵抗体の一例を示し、図１の（ロ）
は図１の（イ）におけるロ−ロ断面図を、図１の（ハ）
は図１の（イ）におけるハ−ハ断面図をそれぞれ示して
いる。図１の（イ）乃至図１の（ハ）において、１は耐
熱性の絶縁基板であり、セラミックス板や樹脂板を用い
ることができる。２は温度ヒュ−ズエレメントであり、
絶縁基板１の片面に設けた共通電極３０及び個別電極３
１，３２における電極３０−３１間に橋設してある。こ
れらの電極は絶縁基板に導電ペ−スト（例えば、Ａｇペ
−スト、Ａｇ−Ｐｄペ−スト、Ａｕペ−スト、Ｃｕペ−
スト等）を電極パタ−ンでスクリ−ン印刷し、これを焼
き付ける方法、金属箔の貼付や金属蒸着またはメッキ等
により導電層または導電膜を設けた絶縁基板の導電層ま
たは膜を電極パタ−ンに化学エッチングする方法等によ
り形成できる。温度ヒュ−ズエレメント２には、通常低
融点可溶合金片が用いられるが、これに限定されず、例
えば、金属粉末を樹脂バンインダ−で結合した成型体も
使用できる。図１の（イ）乃至図１の（ハ）において、
４は低融点可溶合金片の温度ヒュ−ズエレメント２に塗
布したフラックスである。５は共通電極３０と個別電極
３２との間に橋設した抵抗エレメントであり、抵抗ペ−
スト（例えば、酸化ルテニウムのペ−スト）を印刷・焼
き付けてなる厚膜抵抗、抵抗体を真空蒸着してなる薄膜
抵抗を使用できる。６は膜抵抗５の保護膜であり、ガラ
スの焼付け膜を使用できる。抵抗エレメント５には、チ
ップ抵抗の使用も可能である。７は絶縁基板１の片面周
囲に前記温度ヒュ−ズエレメント２と抵抗エレメント５
を囲んで付設した外壁枠であり、通常絶縁基板１と同材
質のセラミックス成型品や樹脂成型品が用いられ、絶縁
基板１にこの外壁枠７を接着剤、例えば、エポキシ樹脂
で固着してある。１０は外壁枠７内に充填した絶縁封止
材であり、通常フィラ−（シリカや炭酸カルシウム）配
合のエポキシ樹脂組成物が使用される。８０〜８２は上
記の共通電極３０〜個別電極３２に対応して設けた実装
用電極であり、絶縁基板１と外壁枠７とにまたがり設け
てあり、共通電極３０〜個別電極３２に導通接続されて
いる。これらの電極は絶縁基板や外壁枠に予め導電ペ−
ストの塗布・焼付けにより形成しておくこともできる。
【０００８】図１の温度ヒュ−ズ・抵抗体は次ぎのよう
にして製作することもできる。すなわち、未焼成セラミ
ックスの絶縁基板材（セラミックス粉末とフチラ−ルや
アクリル系樹脂等のバンンダ−との混合物をシ−ト状に
成形したもの）に各電極（共通電極、個別電極及び実装
用電極の一部）のパタ−ンを導電ペ−ストで塗布形成
し、更に抵抗エレメントのパタ−ンを抵抗ペ−ストで塗
布形成し、また未焼成セラミックスの外壁枠材に実装用
電極の一部のパタ−ンを導電ぺ−ストで塗布形成したう
えで、同上基板材の片面外周に外壁枠材を配置し、未焼
成セラミックス絶縁基板材と未焼成セラミックス外壁枠
材、導電ペ−スト及び抵抗ペ−ストを焼成すると共に絶
縁基板材と外壁枠材とを一体化し、次いで、焼成膜抵抗
に保護ガラス膜を被覆し、而るのち、温度ヒュ−ズエレ
メントとしての低融点可溶合金片を電極間に取付け、フ
ラックスを塗布し、更に外壁枠内に絶縁封止材を充填す
ることにより図１の温度ヒュ−ズ・抵抗体を製作するこ
とができる。
にして製作することもできる。すなわち、未焼成セラミ
ックスの絶縁基板材（セラミックス粉末とフチラ−ルや
アクリル系樹脂等のバンンダ−との混合物をシ−ト状に
成形したもの）に各電極（共通電極、個別電極及び実装
用電極の一部）のパタ−ンを導電ペ−ストで塗布形成
し、更に抵抗エレメントのパタ−ンを抵抗ペ−ストで塗
布形成し、また未焼成セラミックスの外壁枠材に実装用
電極の一部のパタ−ンを導電ぺ−ストで塗布形成したう
えで、同上基板材の片面外周に外壁枠材を配置し、未焼
成セラミックス絶縁基板材と未焼成セラミックス外壁枠
材、導電ペ−スト及び抵抗ペ−ストを焼成すると共に絶
縁基板材と外壁枠材とを一体化し、次いで、焼成膜抵抗
に保護ガラス膜を被覆し、而るのち、温度ヒュ−ズエレ
メントとしての低融点可溶合金片を電極間に取付け、フ
ラックスを塗布し、更に外壁枠内に絶縁封止材を充填す
ることにより図１の温度ヒュ−ズ・抵抗体を製作するこ
とができる。
【０００９】図２は上記した温度ヒュ−ズ・抵抗体の使
用例を示している。図２において、Ａは本発明に係る温
度ヒュ−ズ・抵抗体を、２は温度ヒュ−ズエレメント
を、５は抵抗エレメントを、８０〜８２は実装用電極を
それぞれ示し、回路（リチウムイオン二次電池）ｚと電
源ｓとの間に上記温度ヒュ−ズ・抵抗体Ａと過電圧検出
通電回路Ｆ（トランジスタ−Ｔｒのベ−ス側にツエナダ
イオ−ドＤを接続）とを挿入し、回路ｚにツエナダイオ
−ドＤの降伏電圧以上の逆電圧が作用すると、ベ−ス電
流が流れ、このベ−ス電流に応じてコレクタ電流が流れ
て抵抗エレメント５が通電発熱し、この発生熱が主に共
通電極８０を熱伝導路として温度ヒュ−ズエレメント２
に伝達されて温度ヒュ−ズエレメントとしての低融点可
溶合金片が溶断され回路ｚが電源ｓから遮断される。
用例を示している。図２において、Ａは本発明に係る温
度ヒュ−ズ・抵抗体を、２は温度ヒュ−ズエレメント
を、５は抵抗エレメントを、８０〜８２は実装用電極を
それぞれ示し、回路（リチウムイオン二次電池）ｚと電
源ｓとの間に上記温度ヒュ−ズ・抵抗体Ａと過電圧検出
通電回路Ｆ（トランジスタ−Ｔｒのベ−ス側にツエナダ
イオ−ドＤを接続）とを挿入し、回路ｚにツエナダイオ
−ドＤの降伏電圧以上の逆電圧が作用すると、ベ−ス電
流が流れ、このベ−ス電流に応じてコレクタ電流が流れ
て抵抗エレメント５が通電発熱し、この発生熱が主に共
通電極８０を熱伝導路として温度ヒュ−ズエレメント２
に伝達されて温度ヒュ−ズエレメントとしての低融点可
溶合金片が溶断され回路ｚが電源ｓから遮断される。
【００１０】この場合、低融点可溶合金片に塗布された
フラックスが低融点可溶合金片の加熱により溶融・熱膨
張されて内圧が発生し、低融点可溶合金片の溶融合金が
この溶融フラックスとの混成下、加圧流体として挙動す
る。而して、この加圧流体が絶縁基板と絶縁封止素材層
との界面を経て外部に流出しようとするが、この流体が
外壁枠の垂直面に当り、外壁枠がその流出に対して高流
体抵抗として作用するから、その外部流出を効果的に防
止できる。
フラックスが低融点可溶合金片の加熱により溶融・熱膨
張されて内圧が発生し、低融点可溶合金片の溶融合金が
この溶融フラックスとの混成下、加圧流体として挙動す
る。而して、この加圧流体が絶縁基板と絶縁封止素材層
との界面を経て外部に流出しようとするが、この流体が
外壁枠の垂直面に当り、外壁枠がその流出に対して高流
体抵抗として作用するから、その外部流出を効果的に防
止できる。
【００１１】すなわち、外壁枠での流出抵抗をＲ、絶縁
基板と絶縁封止材層との界面での流出抵抗をｒとすれ
ば、総流出抵抗が（Ｒ＋ｒ）となり充分に高くできるか
ら、上記溶融合金と溶融フラックスとの混成高圧流体の
流出をよく防止できるのである。本発明に係る基板型の
温度ヒュ−ズ・抵抗体においては、外壁枠を温度ヒュ−
ズエレメントのみならず抵抗エレメントに対しても外側
に設けているので、絶縁基板と絶縁封止材層との界面を
広くでき、上記ｒを充分に高くできるので、かかる点か
らも上記混成高圧流体の流出防止を効果的に行い得る。
例えば、上記外壁枠に代え、後述の比較例のように、低
融点可溶合金片に対してのみ開口し、抵抗エレメントは
覆うようにしたスペ−サ板を用い、そのスペ−サ板を絶
縁基板に当接しそのスペ−サ板の開口に絶縁封止材を充
填した場合、絶縁封止材層と絶縁基板との界面の面積が
狭くなるので、上記ｒが低くなり、混成高圧流体の流出
防止を満足に行い難い。
基板と絶縁封止材層との界面での流出抵抗をｒとすれ
ば、総流出抵抗が（Ｒ＋ｒ）となり充分に高くできるか
ら、上記溶融合金と溶融フラックスとの混成高圧流体の
流出をよく防止できるのである。本発明に係る基板型の
温度ヒュ−ズ・抵抗体においては、外壁枠を温度ヒュ−
ズエレメントのみならず抵抗エレメントに対しても外側
に設けているので、絶縁基板と絶縁封止材層との界面を
広くでき、上記ｒを充分に高くできるので、かかる点か
らも上記混成高圧流体の流出防止を効果的に行い得る。
例えば、上記外壁枠に代え、後述の比較例のように、低
融点可溶合金片に対してのみ開口し、抵抗エレメントは
覆うようにしたスペ−サ板を用い、そのスペ−サ板を絶
縁基板に当接しそのスペ−サ板の開口に絶縁封止材を充
填した場合、絶縁封止材層と絶縁基板との界面の面積が
狭くなるので、上記ｒが低くなり、混成高圧流体の流出
防止を満足に行い難い。
【００１２】本発明に係る温度ヒュ−ズ・抵抗体おい
て、電極や温度ヒュ−ズエレメントや抵抗エレメントの
個数や配置は、使用形態に応じて設定される。図３は本
発明に係る温度ヒュ−ズ・抵抗体の別例の要部を示し、
絶縁封止材層や実装用電極の図示は省略してある。
て、電極や温度ヒュ−ズエレメントや抵抗エレメントの
個数や配置は、使用形態に応じて設定される。図３は本
発明に係る温度ヒュ−ズ・抵抗体の別例の要部を示し、
絶縁封止材層や実装用電極の図示は省略してある。
【００１３】図３において、１は耐熱性の絶縁基板、３
１〜３４は絶縁基板１の片面上に印刷形成した電極であ
り、第１電極３１と第３電極３３と第４電極３４とを並
行に配設し、第２電極３２は第１電極３１の先端部と第
３電極３３の先端部との間に配設してある。５は第１電
極３１の先端部と第２電極３２の先端部との間に橋設し
た膜抵抗である。６は膜抵抗５の保護膜（ガラス焼付け
膜）である。２ａは第２電極３２の先端部と第３電極３
３の先端部との間に橋設した低融点可溶合金片、２ｂは
第３電極３３の先端部と第４電極３４の先端部との間に
橋設した低融点可溶合金片であり、低融点可溶合金片２
ｂの融点を２ａよりも低くすることにより２ｂが２ａに
先行して溶断するようにしてある。４は低融点可溶合金
片２ａ及び２ｂ上に塗布したフラックスである。７は外
壁枠、１０は絶縁封止材である。
１〜３４は絶縁基板１の片面上に印刷形成した電極であ
り、第１電極３１と第３電極３３と第４電極３４とを並
行に配設し、第２電極３２は第１電極３１の先端部と第
３電極３３の先端部との間に配設してある。５は第１電
極３１の先端部と第２電極３２の先端部との間に橋設し
た膜抵抗である。６は膜抵抗５の保護膜（ガラス焼付け
膜）である。２ａは第２電極３２の先端部と第３電極３
３の先端部との間に橋設した低融点可溶合金片、２ｂは
第３電極３３の先端部と第４電極３４の先端部との間に
橋設した低融点可溶合金片であり、低融点可溶合金片２
ｂの融点を２ａよりも低くすることにより２ｂが２ａに
先行して溶断するようにしてある。４は低融点可溶合金
片２ａ及び２ｂ上に塗布したフラックスである。７は外
壁枠、１０は絶縁封止材である。
【００１４】図４は上記別実施例の温度ヒュ−ズ・抵抗
体の使用状態を示し、回路（リチウムイオン二次電池）
ｚと電源（充電器）ｓとの間に当該温度ヒュ−ズ・抵抗
体Ａと過電圧検出通電用回路Ｆを組み込み、トランジス
タＴｒのコレクタを同温度ヒュ−ズ・抵抗体Ａの第１電
極３１に接続し、ツエナダイオ−ドＤの高電圧側電極及
び同温度ヒュ−ズ・抵抗体Ａの第４電極３４を回路ｚの
高電圧側端子に接続し、同温度ヒュ−ズ・抵抗体Ａの第
３電極３３を電源ｓの高電圧側端子に接続し、トランジ
スタＴｒのエミッタを接地してある。
体の使用状態を示し、回路（リチウムイオン二次電池）
ｚと電源（充電器）ｓとの間に当該温度ヒュ−ズ・抵抗
体Ａと過電圧検出通電用回路Ｆを組み込み、トランジス
タＴｒのコレクタを同温度ヒュ−ズ・抵抗体Ａの第１電
極３１に接続し、ツエナダイオ−ドＤの高電圧側電極及
び同温度ヒュ−ズ・抵抗体Ａの第４電極３４を回路ｚの
高電圧側端子に接続し、同温度ヒュ−ズ・抵抗体Ａの第
３電極３３を電源ｓの高電圧側端子に接続し、トランジ
スタＴｒのエミッタを接地してある。
【００１５】而して、回路ｚにツエナダイオ−ドＤの降
伏電圧以上の過電圧が作用すると、トランジスタＴｒに
ベ−ス電流が流れ、これに伴い大なるコレクタ電流が流
れて膜抵抗５が発熱され、この発生熱が第２電極３２を
介し低融点可溶合金片２ａ及び２ｂに伝達されて両低融
点可溶合金片２ａ及び２ｂが既溶融のフラックスの活性
作用を受けつつ溶断され、回路ｚが電源ｓから遮断され
ると共に膜抵抗５が電源から遮断される。従って、低融
点可溶合金片２ｂが溶断されたのち、回路ｚの過電圧状
態が残留電荷のために維持されてトランジスタＴｒが導
通状態にあっても、低融点可溶合金片２ａの溶断による
膜抵抗５の電源ｓからの遮断のために、膜抵抗５の発熱
続行を排除できる。
伏電圧以上の過電圧が作用すると、トランジスタＴｒに
ベ−ス電流が流れ、これに伴い大なるコレクタ電流が流
れて膜抵抗５が発熱され、この発生熱が第２電極３２を
介し低融点可溶合金片２ａ及び２ｂに伝達されて両低融
点可溶合金片２ａ及び２ｂが既溶融のフラックスの活性
作用を受けつつ溶断され、回路ｚが電源ｓから遮断され
ると共に膜抵抗５が電源から遮断される。従って、低融
点可溶合金片２ｂが溶断されたのち、回路ｚの過電圧状
態が残留電荷のために維持されてトランジスタＴｒが導
通状態にあっても、低融点可溶合金片２ａの溶断による
膜抵抗５の電源ｓからの遮断のために、膜抵抗５の発熱
続行を排除できる。
【００１６】本発明に係る温度ヒュ−ズ・抵抗体の上記
の例は、実装用電極を実装面に直接はんだ付けするチッ
プタイプであるが、例えば、図５に示すようにリ−ド線
９０〜９２を実装用電極に導通させるように取付けてリ
−ド線タイプとすることもできる。
の例は、実装用電極を実装面に直接はんだ付けするチッ
プタイプであるが、例えば、図５に示すようにリ−ド線
９０〜９２を実装用電極に導通させるように取付けてリ
−ド線タイプとすることもできる。
【００１７】
〔実施例〕図１において、絶縁基板に厚さ０．５ｍｍ、
長さ(温度ヒュ−ズエレメントの長手方向の長さ)６ｍ
ｍ、巾７ｍｍのセラミックス板を使用し、温度ヒュ−ズ
エレメントに融点１１０℃の低融点可溶合金片を、抵抗
エレメントに抵抗値１００Ωをそれぞれ使用し、フラッ
クスにロジンを使用し、抵抗エレメントの保護膜にガラ
ス焼付け膜を使用し、外壁枠に巾１ｍｍ、厚さ０．５ｍ
ｍのセラミックス枠を使用し、このセラミックス枠を絶
縁基板片面の外周にエポキシ接着剤で接着し、封止材に
エポキシ樹脂を使用した。 〔比較例〕外郭が絶縁基板の外郭に一致し低融点可溶合
金片に対し巾２ｍｍ、長さ４ｍｍの方形孔を開口した厚
さ０．５ｍｍのセラミックスペ−サ板を外壁枠に代え使
用し、膜抵抗を覆い低融点可溶合金片は現出させるよう
にこのセラミックスペ−サ板を絶縁基板にエポキシ接着
剤で接着し、セラミックスペ−サ板の開口の封止に実施
例でのエポキシ樹脂を使用し、他は、実施例に同じとし
た。
長さ(温度ヒュ−ズエレメントの長手方向の長さ)６ｍ
ｍ、巾７ｍｍのセラミックス板を使用し、温度ヒュ−ズ
エレメントに融点１１０℃の低融点可溶合金片を、抵抗
エレメントに抵抗値１００Ωをそれぞれ使用し、フラッ
クスにロジンを使用し、抵抗エレメントの保護膜にガラ
ス焼付け膜を使用し、外壁枠に巾１ｍｍ、厚さ０．５ｍ
ｍのセラミックス枠を使用し、このセラミックス枠を絶
縁基板片面の外周にエポキシ接着剤で接着し、封止材に
エポキシ樹脂を使用した。 〔比較例〕外郭が絶縁基板の外郭に一致し低融点可溶合
金片に対し巾２ｍｍ、長さ４ｍｍの方形孔を開口した厚
さ０．５ｍｍのセラミックスペ−サ板を外壁枠に代え使
用し、膜抵抗を覆い低融点可溶合金片は現出させるよう
にこのセラミックスペ−サ板を絶縁基板にエポキシ接着
剤で接着し、セラミックスペ−サ板の開口の封止に実施
例でのエポキシ樹脂を使用し、他は、実施例に同じとし
た。
【００１８】これらの実施例品及び比較例品のそれぞれ
試料数５０箇について、膜抵抗を通電発熱させ、その発
生熱で低融点可溶合金片を溶断させる試験を行ったとこ
ろ、実施例品では、溶融流体（溶融した低融点可溶合金
と溶融フラツクスとの混成物）の外部への流出は皆無で
あったが、比較例では５０箇中の５箇から流出が観られ
た。
試料数５０箇について、膜抵抗を通電発熱させ、その発
生熱で低融点可溶合金片を溶断させる試験を行ったとこ
ろ、実施例品では、溶融流体（溶融した低融点可溶合金
と溶融フラツクスとの混成物）の外部への流出は皆無で
あったが、比較例では５０箇中の５箇から流出が観られ
た。
【００１９】
【発明の効果】本発明に係る基板タイプの温度ヒュ−ズ
・抵抗体においては、小型性を保持させたままで、作動
時での基板と絶縁封止材層との界面を経ての溶融物の流
出を効果的に防止でき、その流出物の回路への付着凝固
による短絡事故等を排除できる。
・抵抗体においては、小型性を保持させたままで、作動
時での基板と絶縁封止材層との界面を経ての溶融物の流
出を効果的に防止でき、その流出物の回路への付着凝固
による短絡事故等を排除できる。
【図１】本発明に係る温度ヒュ−ズ・抵抗体の一例を示
す図面である。
す図面である。
【図２】図１に示す温度ヒュ−ズ・抵抗体の使用形態を
示す図面である。
示す図面である。
【図３】本発明に係る温度ヒュ−ズ・抵抗体の別例を示
す図面である。
す図面である。
【図４】図３に示す温度ヒュ−ズ・抵抗体の使用形態を
示す図面である。
示す図面である。
【図５】本発明に係る温度ヒュ−ズ・抵抗体の上記とは
異なる別例を示す図面である。
異なる別例を示す図面である。
１ 絶縁基板 ２ 温度ヒュ−ズエレメント ２ａ 温度ヒュ−ズエレメント ２ｂ 温度ヒュ−ズエレメント ５ 抵抗エレメント ７ 外壁枠 １０ 絶縁封止材
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁基板の片面に温度ヒュ−ズエレメント
と抵抗エレメントとを併設し、その絶縁基板片面の周囲
に前記温度ヒュ−ズエレメントと抵抗エレメントを囲ん
で外壁枠を付設し、該外壁枠の内側に絶縁封止材を充填
したことを特徴とする温度ヒュ−ズ・抵抗体。 - 【請求項２】未焼成セラミックスの絶縁基板材に抵抗エ
レメントのパタ−ンで抵抗ペ−ストを塗布し、同上基板
材の片面外周に未焼成セラミックスの外壁枠材を配置
し、未焼成セラミックス絶縁基板材と未焼成セラミック
ス外壁枠材及び抵抗ペ−ストを焼成して絶縁基板材と外
壁枠材とを一体化し、而るのち、温度ヒュ−ズエレメン
トとしての低融点可溶合金片を取付け、更に外壁枠内に
絶縁封止材を充填することを特徴とする請求項１記載の
温度ヒュ−ズ・抵抗体の製作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27508997A JP4080038B2 (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 温度ヒュ−ズ・抵抗体の製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27508997A JP4080038B2 (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 温度ヒュ−ズ・抵抗体の製作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1196870A true JPH1196870A (ja) | 1999-04-09 |
| JP4080038B2 JP4080038B2 (ja) | 2008-04-23 |
Family
ID=17550649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27508997A Expired - Fee Related JP4080038B2 (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 温度ヒュ−ズ・抵抗体の製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4080038B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009070805A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-04-02 | Uchihashi Estec Co Ltd | 抵抗付き基板型温度ヒューズ及び二次電池保護回路 |
| CN102117720A (zh) * | 2009-12-31 | 2011-07-06 | 比亚迪股份有限公司 | 一种温度保护装置 |
| JP2016143643A (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-08 | 内橋エステック株式会社 | 保護素子 |
-
1997
- 1997-09-22 JP JP27508997A patent/JP4080038B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009070805A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-04-02 | Uchihashi Estec Co Ltd | 抵抗付き基板型温度ヒューズ及び二次電池保護回路 |
| CN102117720A (zh) * | 2009-12-31 | 2011-07-06 | 比亚迪股份有限公司 | 一种温度保护装置 |
| JP2016143643A (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-08 | 内橋エステック株式会社 | 保護素子 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4080038B2 (ja) | 2008-04-23 |
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Legal Events
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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