JPS58100232A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS58100232A JPS58100232A JP56199284A JP19928481A JPS58100232A JP S58100232 A JPS58100232 A JP S58100232A JP 56199284 A JP56199284 A JP 56199284A JP 19928481 A JP19928481 A JP 19928481A JP S58100232 A JPS58100232 A JP S58100232A
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- magnetic
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、強磁性金属薄膜を磁気記録層とする磁気記録
媒体の製造方法に関し、磁気特性の改良と量産性向上を
目的とするものである。
媒体の製造方法に関し、磁気特性の改良と量産性向上を
目的とするものである。
磁気記録媒体における記録の高密度化の要求にこれ捷で
磁性層の保磁力をあげることで対応してきたが、記録波
長が1μ以下になってくると、保磁力の増大だけでなく
、飽和磁束密度を大きくし1、↓ かつ媒体厚みを薄くして、損失を減す必要が生じてきた
。
磁性層の保磁力をあげることで対応してきたが、記録波
長が1μ以下になってくると、保磁力の増大だけでなく
、飽和磁束密度を大きくし1、↓ かつ媒体厚みを薄くして、損失を減す必要が生じてきた
。
現在、それに対応するために、二つの技術開発がなさね
でいる。そのひとつは、製造技術的には従来の延長線上
にある、合金微粒子を従来のγ−F8203 針状粒
子に置きかえたバインダ形と、他のひとつは、製造技術
的に新しい強磁性薄膜を直接基板上に真空蒸着法で形成
することにより得られる金属薄膜形である。
でいる。そのひとつは、製造技術的には従来の延長線上
にある、合金微粒子を従来のγ−F8203 針状粒
子に置きかえたバインダ形と、他のひとつは、製造技術
的に新しい強磁性薄膜を直接基板上に真空蒸着法で形成
することにより得られる金属薄膜形である。
金属薄膜形磁気記録媒体は、古くから短波長記録におい
て損失の面から有利であることが知られており、実験室
的には、いわゆる斜方蒸着技術により、角形の良好なり
−H曲線を描く高い保磁力のものが試作されていた。
て損失の面から有利であることが知られており、実験室
的には、いわゆる斜方蒸着技術により、角形の良好なり
−H曲線を描く高い保磁力のものが試作されていた。
しかし、実験室規模から、工業規模へと移行させるため
には、いくつかの技術的課題があることも業界において
はよく知られていた。
には、いくつかの技術的課題があることも業界において
はよく知られていた。
そのひとつは、高分子成形物基板と、強磁性薄膜との間
の付着強度であり、もうひとつは斜方蒸着の生産性の低
い点であった。
の付着強度であり、もうひとつは斜方蒸着の生産性の低
い点であった。
発明者等は、これらの課題解決のひとつの方向として、
特願昭51−116932号(特開昭53−42010
号公報)にて酸素の利用を提案し、特願昭61−159
691号(特開昭53−83709号公報)にて、円筒
状回転キャンに沿って移動する基板に蒸気流を差し向け
る方法を提案し、これらに開示した技術により、マイク
ロカセット用の蒸着テープを実用化した。
特願昭51−116932号(特開昭53−42010
号公報)にて酸素の利用を提案し、特願昭61−159
691号(特開昭53−83709号公報)にて、円筒
状回転キャンに沿って移動する基板に蒸気流を差し向け
る方法を提案し、これらに開示した技術により、マイク
ロカセット用の蒸着テープを実用化した。
その後酸素の効果を詳しく追究した結果、より高速で、
角形比の優れた磁気記録媒体を得る条件を見出し本発明
を完成した。
角形比の優れた磁気記録媒体を得る条件を見出し本発明
を完成した。
すなわち、蒸着の行われる雰囲気制御に、酸素と一酸化
炭素の混合系を用いることで、以下に示す実施例で明ら
かなように、酸素単独の場合に比べて長尺の媒体をワン
パッチで製造するときに、保持力を長尺方向1幅方向に
安定化できるとともに、角形比を改良することができた
。
炭素の混合系を用いることで、以下に示す実施例で明ら
かなように、酸素単独の場合に比べて長尺の媒体をワン
パッチで製造するときに、保持力を長尺方向1幅方向に
安定化できるとともに、角形比を改良することができた
。
以下に、本発明の実施例について述べる。
〔実施例1〕
第1図に本発明を実施するための真空蒸着装置の要部断
面図を示す。
面図を示す。
真空槽1の内部は上室2と下室3とに分離されており、
各室2,3は独立した排気系4,6によってそれぞれ排
気される。真空槽1の内部にdl、円筒状回転キャン6
と蒸発源7、基板8の供給系9、同じく巻取系1oが配
設されている。
各室2,3は独立した排気系4,6によってそれぞれ排
気される。真空槽1の内部にdl、円筒状回転キャン6
と蒸発源7、基板8の供給系9、同じく巻取系1oが配
設されている。
基板8は円筒状回転キャ/6の周側面に沿って移動する
よう配置されている。fr、お、その供給系9や巻取系
1oの具体的な構成は公知のものでよい。
よう配置されている。fr、お、その供給系9や巻取系
1oの具体的な構成は公知のものでよい。
蒸発源7は、その蒸発させるべき磁性材料11が容器1
2に保持され、電子ビーム等の熱源が加熱され、気化蒸
発するよう構成されている。
2に保持され、電子ビーム等の熱源が加熱され、気化蒸
発するよう構成されている。
マスク13は限定された角度以上の入射角で基板8に対
して磁性拐科を蒸着させるためのものである。上室2と
下室3との仕切板14は画室2゜3の差圧を保持するた
めのものである。ニードル弁15は、その調節により、
外部から強制的に系内r(気体を導入するためのもので
ある。
して磁性拐科を蒸着させるためのものである。上室2と
下室3との仕切板14は画室2゜3の差圧を保持するた
めのものである。ニードル弁15は、その調節により、
外部から強制的に系内r(気体を導入するためのもので
ある。
この装置においては、上室2が3m8、下室3が2 m
!で、キャ/6の直径が6o(1)である。下室3の排
気系6として能力が13000127秒の油拡散ポンプ
を生体としたものを使用し、液体窒素トラップを配して
、ガスを導入する直前の装置内の真空度を1×10−5
〜2×1O−6Torrの範囲に保持した。蒸発源7に
は、内容量18CNfの水冷銅ハースを用いた270度
偏向の電子ビーム蒸発源を王として用いた。そして、耐
火物MgO、Z ro2を容器として用いた場合もあわ
せて検削した。
!で、キャ/6の直径が6o(1)である。下室3の排
気系6として能力が13000127秒の油拡散ポンプ
を生体としたものを使用し、液体窒素トラップを配して
、ガスを導入する直前の装置内の真空度を1×10−5
〜2×1O−6Torrの範囲に保持した。蒸発源7に
は、内容量18CNfの水冷銅ハースを用いた270度
偏向の電子ビーム蒸発源を王として用いた。そして、耐
火物MgO、Z ro2を容器として用いた場合もあわ
せて検削した。
基板として、ポリエチレンテレフタレートフィルム(幅
60釧、厚み9.5μm)を用い、強磁性材料としてC
0100チを第1表に示した条件で蒸着し、磁気記録媒
体を製造した。
60釧、厚み9.5μm)を用い、強磁性材料としてC
0100チを第1表に示した条件で蒸着し、磁気記録媒
体を製造した。
(以下余白)
第1表
ただし※は比較例である。
第2表には各試料の角形比とその長手方向の安定性を示
す。安定性は1000m長の範囲での角で表わしている
。
す。安定性は1000m長の範囲での角で表わしている
。
第2表
ただし※は比較例である。
第2表から、−酸化炭素を酸素と同時に導入することで
、角形比と安定性が改善されることがわかる。
、角形比と安定性が改善されることがわかる。
第3図にフィルム速度6omZ分でCo1oOチを0.
13μm蒸着し、その際の酸素分圧と角形比との関係お
よび一酸化炭素を導入したことによる効果を示す。導入
−酸化炭素量はおおむね酸素分圧の1/10になるよう
に制御した。図の実線Aは酸素と一酸化炭素を導入した
ときの特性であり、破線Bは酸素のみを導入したときの
特性である。
13μm蒸着し、その際の酸素分圧と角形比との関係お
よび一酸化炭素を導入したことによる効果を示す。導入
−酸化炭素量はおおむね酸素分圧の1/10になるよう
に制御した。図の実線Aは酸素と一酸化炭素を導入した
ときの特性であり、破線Bは酸素のみを導入したときの
特性である。
これから、−酸化炭素を酸素とともに導入すると角形比
ηの改善されていることがわかる。なお、範囲まで調査
したが、分圧を変えてもそれによる圧を保持するのが好
捷しい。
ηの改善されていることがわかる。なお、範囲まで調査
したが、分圧を変えてもそれによる圧を保持するのが好
捷しい。
〔実施例2〕
実施例1におけるC0100%の代りに、0086%−
Ni25%の合金を用い、基板としてポリエチレンテレ
フタレート(厚さ11.5μm)を用い、実施例1と同
様にして磁気テープを製造し、本発明の効果を調べた。
Ni25%の合金を用い、基板としてポリエチレンテレ
フタレート(厚さ11.5μm)を用い、実施例1と同
様にして磁気テープを製造し、本発明の効果を調べた。
それと同時に、酸素と一酸化炭素の導入位置の効果もあ
わせ調べた。すなわち、第1図で」二基2に導入孔を有
する場合と、破線で示したように導入孔を下室3に配し
た場合とを比較したが、安定性、角形比とも有意差はみ
られなかった。すなわち、いずれの導入場所であっても
、角形比が本発明によらない場合の10〜26%向上し
、安定性についても18〜26%の改良が認められた。
わせ調べた。すなわち、第1図で」二基2に導入孔を有
する場合と、破線で示したように導入孔を下室3に配し
た場合とを比較したが、安定性、角形比とも有意差はみ
られなかった。すなわち、いずれの導入場所であっても
、角形比が本発明によらない場合の10〜26%向上し
、安定性についても18〜26%の改良が認められた。
この結果は、第2表の結果とほぼ同じで、強磁性材料に
依存していない。
依存していない。
このことは、強磁性材料として、Co80%−Ni20
%、Co85%−Ni 1s%、C070%−Ni 3
0% 、Co90%−Ni 10% 、Co s。
%、Co85%−Ni 1s%、C070%−Ni 3
0% 、Co90%−Ni 10% 、Co s。
%−Ni10%−Cr 10% 、 Co 95%−V
6% 、Co90%−Fe 10%、Co94%−M。
6% 、Co90%−Fe 10%、Co94%−M。
6%、Co95%−St 5%にツイテもo、1〜0.
2μmの強磁性層を本発明の方法により形成することで
より明確に認められた。
2μmの強磁性層を本発明の方法により形成することで
より明確に認められた。
一酸化炭素の導入効果については、そのメカニズムが現
在のところ明確になってはいないが、基板からでるカス
との特別な因果関係によるものでないことは、基板とし
て、厚さがそれぞれ6〜40μmのポリエチレンテレフ
タレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボイ、
イト、ポリ7゜0 ロピレン、ポリアミド、ポリイミドを使用し、それぞれ
にCo 100% 、 Co 8o%−Ni20%の
磁性層を形成して確認した。
在のところ明確になってはいないが、基板からでるカス
との特別な因果関係によるものでないことは、基板とし
て、厚さがそれぞれ6〜40μmのポリエチレンテレフ
タレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボイ、
イト、ポリ7゜0 ロピレン、ポリアミド、ポリイミドを使用し、それぞれ
にCo 100% 、 Co 8o%−Ni20%の
磁性層を形成して確認した。
〔実施例3〕
斜方蒸着法における本発明の有効性を確かめた。
第2図にその装置の構造を示す。第1図の装置と対応す
る部分には同じ符号を付している。その特徴的なことは
、円筒状回転キャンを用いずに、基板8の搬送にベルト
16を用いている点で、実施例1におけるよりも、入射
角が大きい領域を中心に調べた。
る部分には同じ符号を付している。その特徴的なことは
、円筒状回転キャンを用いずに、基板8の搬送にベルト
16を用いている点で、実施例1におけるよりも、入射
角が大きい領域を中心に調べた。
真空槽1は上室2と下室3に分離され、それぞれ独立し
た排気系4,6で排気される。上室2の内容積は1.9
ro3であ枚下室3のそれは3 mBである。
た排気系4,6で排気される。上室2の内容積は1.9
ro3であ枚下室3のそれは3 mBである。
下室3には37000d/秒の排気容量の油拡散ポンプ
を液体窒素トラップを配して排気系5として用いた。上
室2と下室3の差圧保持は仕切板14で行なった。基板
8は矢印入方向に移動搬送される。基板8の受ける熱的
なダメージを極力抑制するために、蒸着される所では、
エンドレスベルト16で基板8から熱を逃がすよう構成
している。
を液体窒素トラップを配して排気系5として用いた。上
室2と下室3の差圧保持は仕切板14で行なった。基板
8は矢印入方向に移動搬送される。基板8の受ける熱的
なダメージを極力抑制するために、蒸着される所では、
エンドレスベルト16で基板8から熱を逃がすよう構成
している。
このベルト16は厚さ0.3閣のステンレス鋼のシート
を電子ビーム溶接して作ったもので、回転ドラム17と
ニップ18とで一定の周速を保持できるようにした。回
転ドラム17内には冷媒をたえず循環させ、表面温度を
一5’C〜20 ’Cの範囲内で可変とした。
を電子ビーム溶接して作ったもので、回転ドラム17と
ニップ18とで一定の周速を保持できるようにした。回
転ドラム17内には冷媒をたえず循環させ、表面温度を
一5’C〜20 ’Cの範囲内で可変とした。
酸素と一酸化炭素の混合気体をニードル弁15の調節に
より真空槽1内に王室3側から内に導入した。蒸発源7
は、30KV、2Aの同軸タイプのピアスガンを用いた
電子ビーム蒸発源である。
より真空槽1内に王室3側から内に導入した。蒸発源7
は、30KV、2Aの同軸タイプのピアスガンを用いた
電子ビーム蒸発源である。
基板8にはポリエチレンテレフタレート(厚さ13μm
)を用い、Co8s%−1’Ji15%合金を、入射角
45°以上で0.1〜0.3μmの厚さに蒸着した。基
板8の巻取速度は20〜80m/分の範囲で変化させた
。
)を用い、Co8s%−1’Ji15%合金を、入射角
45°以上で0.1〜0.3μmの厚さに蒸着した。基
板8の巻取速度は20〜80m/分の範囲で変化させた
。
酸素は市販の99.97チの純度のガスをボンベより清
浄化工程なしで、直接、99.96%の一酸化炭素と混
合器で混合して導入した。導入には、1 mBのりザー
バタンクを用いた。
浄化工程なしで、直接、99.96%の一酸化炭素と混
合器で混合して導入した。導入には、1 mBのりザー
バタンクを用いた。
このようにして得られた磁気テープは、その保磁力が6
50〜1460エルステツド、角形比が0.89〜0.
96であった。そして、角形比の安定性ηは、20oo
mの範囲でも0.9以上であった。
50〜1460エルステツド、角形比が0.89〜0.
96であった。そして、角形比の安定性ηは、20oo
mの範囲でも0.9以上であった。
酸素のみの導入では、保磁力は等しいが、角形比がo、
79で、またその安定性ηが0.71であり、本発明の
方法による効果は大きい。
79で、またその安定性ηが0.71であり、本発明の
方法による効果は大きい。
〔実施例4〕
基板にポリアミドフィルム(厚さ8μm)を用い、入射
角60°でFe 100%を蒸着した。
角60°でFe 100%を蒸着した。
フィルム速度は18m/分で、蒸着厚みは0.16μm
であった。
であった。
酸素を導入しない周知の斜方蒸着のみでは、保磁力が6
00エルステツド、角形比が0 、86、安定性ηが0
.84であった。しかし、この膜の耐蝕性は悪く、実用
に供しがたいものであった。
00エルステツド、角形比が0 、86、安定性ηが0
.84であった。しかし、この膜の耐蝕性は悪く、実用
に供しがたいものであった。
あらかじめ真空槽内をlX1o Torrに排気して
から3.3X 10−6〜5.4X 10−6Torr
の酸素を導入して蒸着を行なったところ、保磁力がSO
Oエルステッド、角形比が0.83、安定性ηが0.8
1で、耐蝕性は改良された磁気テープが得られた。さら
に、本発明に従って、3.3 X 10””6〜6.4
×1O−6Torrの酸素とともに、1.4×10−6
〜2 X 10−6Torrの一酸化炭素を導入した。
から3.3X 10−6〜5.4X 10−6Torr
の酸素を導入して蒸着を行なったところ、保磁力がSO
Oエルステッド、角形比が0.83、安定性ηが0.8
1で、耐蝕性は改良された磁気テープが得られた。さら
に、本発明に従って、3.3 X 10””6〜6.4
×1O−6Torrの酸素とともに、1.4×10−6
〜2 X 10−6Torrの一酸化炭素を導入した。
これによれば角形比が0.91、安定性ηが0.94と
改良された上に、耐蝕性も酸素1oo%の時に比べて3
〜6倍に向上した。なお、耐蝕性は温度eo’c、相対
湿度90%の環境に放置し、フラックス量が初期値の6
%低下するまでの時間を比較して評価した。
改良された上に、耐蝕性も酸素1oo%の時に比べて3
〜6倍に向上した。なお、耐蝕性は温度eo’c、相対
湿度90%の環境に放置し、フラックス量が初期値の6
%低下するまでの時間を比較して評価した。
以上の実施例からは一酸化炭素が主で酸素を補助とした
場合の可能性については、明らかではないが、−酸化炭
素主体では、保磁力が低下する傾向が強い。その量的な
明確な規定はないが、酸素を最大分圧にすべきであるこ
とは、特開昭53−42010号公報における場合と同
様である。なお、磁性層の真空蒸着にはイオンブレーテ
ィングはじめグロー放電を利用したいずれの蒸着も実現
可能である。
場合の可能性については、明らかではないが、−酸化炭
素主体では、保磁力が低下する傾向が強い。その量的な
明確な規定はないが、酸素を最大分圧にすべきであるこ
とは、特開昭53−42010号公報における場合と同
様である。なお、磁性層の真空蒸着にはイオンブレーテ
ィングはじめグロー放電を利用したいずれの蒸着も実現
可能である。
以上述べた実施例より明らかなように、金属薄4
膜形磁気記録媒体の製造において、本発明は大きな保磁
力を得るための酸素効果に加えて、蒸着雰囲気中に一酸
化炭素をさらに加えることによって磁気特性の角形比の
改良、長尺安定性の確保を可能とするもので、−酸化炭
素と酸素の共存効果は非常に大きく、磁気記録媒体の実
用化に大きく貢献できるものである。
力を得るための酸素効果に加えて、蒸着雰囲気中に一酸
化炭素をさらに加えることによって磁気特性の角形比の
改良、長尺安定性の確保を可能とするもので、−酸化炭
素と酸素の共存効果は非常に大きく、磁気記録媒体の実
用化に大きく貢献できるものである。
第1図および第2図はそれぞれ本発明の方法を実施する
ための装置の代表的な構造を示す図、第3図は本発明の
方法の効果を示す図である。 1 、、、、、、真空槽、2 、、、、、、上室、3
、、、、、、下室、4 、5 、、、、、、排気系、6
、、、、、、円筒状回転キャン、7・・・・・・蒸発
源−,8・・・・・・基板・9・・・・・・基板供給系
、10 、、、、、、巻取系、13 、、、、、、マス
ク、14911.1.仕切板、15 、、、、、、ニー
ドル弁、16 、、。 61000.ベルト、17 、、、、、、回転ドラム。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図
ための装置の代表的な構造を示す図、第3図は本発明の
方法の効果を示す図である。 1 、、、、、、真空槽、2 、、、、、、上室、3
、、、、、、下室、4 、5 、、、、、、排気系、6
、、、、、、円筒状回転キャン、7・・・・・・蒸発
源−,8・・・・・・基板・9・・・・・・基板供給系
、10 、、、、、、巻取系、13 、、、、、、マス
ク、14911.1.仕切板、15 、、、、、、ニー
ドル弁、16 、、。 61000.ベルト、17 、、、、、、回転ドラム。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図
Claims (1)
- 連続して移動する高分子成形物基板上に強磁性材料の蒸
気流を差し向けて、磁気記録層を形成する際、雰囲気制
御を、排気系により連続排気するとともに、外部より強
制的に酸素と一酸化炭素の混合気体を導入して行うこと
を特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56199284A JPS58100232A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56199284A JPS58100232A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58100232A true JPS58100232A (ja) | 1983-06-14 |
Family
ID=16405231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56199284A Pending JPS58100232A (ja) | 1981-12-09 | 1981-12-09 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58100232A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0288764A (ja) * | 1988-09-16 | 1990-03-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 薄膜磁気デイスクの製造方法 |
| JPH02158917A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属薄膜型記録媒体の製造方法 |
| JPH03250421A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-12-09 JP JP56199284A patent/JPS58100232A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH02158917A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属薄膜型記録媒体の製造方法 |
| JPH03250421A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
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