JPS58100333A - マグネトロン - Google Patents

マグネトロン

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Publication number
JPS58100333A
JPS58100333A JP19681581A JP19681581A JPS58100333A JP S58100333 A JPS58100333 A JP S58100333A JP 19681581 A JP19681581 A JP 19681581A JP 19681581 A JP19681581 A JP 19681581A JP S58100333 A JPS58100333 A JP S58100333A
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JP
Japan
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gasket
magnetron
metal
cylinder
output terminal
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JP19681581A
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JPH0216535B2 (ja
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Akiichi Harada
明一 原田
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00

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  • Microwave Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本斃明は、マグネトロンの導波管への取付は個所に用い
る電波漏洩防止用ガスケットの作用が確実に行なわれ、
かつガスケットのマグネトロンへの取付は作業も容易な
マグネトロンに関する。
第1図は従来のマグネトロンの一例を示し、lはマグネ
トロン本体、1aは内側に複数の共振空胴な有する陽極
円筒、1bは陰極側金属封止部材。
lcは陰極側絶縁物、ldは陰極フイラメン) 9−ド
、1eは出力側金属対止部材、1fは出力側絶縁物、1
gは出力端子、2m 、2bは永久磁石、3 a * 
3 bは管外磁路をなすl−夕、4は真導電性かつ高弾
性の材料よりなるガスケット、7は円筒状金属部材、8
は孔あき金属円板である。第2図は第1図に示した従来
のマグネ)aンのガスケット近傍拡大図で、9は銀ろう
、その他の符号は第1IIの場合と同じである。第3図
は円筒状金属部材7の断面がL字状をなし、ガスケット
4を保持するよ5に1.た従来例を示す図である。
マグネトロンは通常出力端子igを下または横にし″C
@包輸送されるが、徊包時、輸送荷役時の振動、衝撃に
より、第2.3図に示した様な構造のマグネトロンでは
、ガスケット島蕎事故が生じ易い。
また!グネ)Elンは、第411に示す様な状態で導波
管20に接続され、導波管に6設され麩導波管受は部2
01がガスケツ)4K(いとみ嵐く接触して1イクロ波
の漏洩放射が生じないよ5KL。
である。しかし実際には、導波管受は部20mがガスケ
ツ)4#IC(いこんだ時の状態は、第5図に示すよ5
に、ガスケット4の上面が、このくいこみ現象により引
張られて浮上り、円筒状金属部材7とガスケット4の内
径側4mとの接触が悪化してしまうことが多い。この様
になると出力側金属封止部材1@1円筒状金属部材7.
ガスケット4゜導波管受け@Boaを流れるマイクロ波
電流によって、接触の悪化した部分が加熱され焼ける。
第5図に示し例の場合は、ガスケット4と金属円板8の
外径部近くとが導波管受は部20alc押されて密着し
ているため、ガスケットが浮上ってガスケットの内径側
4畠近くの接触が悪くなっても、焼けて変色するel&
ですむ。しかし菖3#A&C示した構造の場合には、ガ
スケット4の内径側が浮上がると、マイクロ波エネルギ
ーが永久磁石2mの方にも伝搬するため、磁石2鳳が加
熱され磁束が減りたり極端な場合には割れたりする。な
お従来は、出力側金属封止部材1・に円筒状金属部材7
を、縞2図に示すよ5に、銀ろ59で固着する高価な構
造になっていた。
上記の如き問題をさけるため、従来、ガスケット4の内
径を円筒状金属部材7の外径よりも小さくシ、かつガス
ケット4の外径な璽−り3mの穴の径よりも大きく設定
して、ガスケット脱落やガスケット焼けの対策をしてい
た。しかしこの場合は、ガスケットにカが加わり弾力性
が落ちて固くなるため、導波管受は部20mの平坦度が
悪いときには、くいこみの少ない部分で、マイクロ波エ
ネルギーが漏洩したり、!I触が悪くてその部分のガス
ケットが焼けるなどの不具合が生じた。またガスケット
をそれより狭い場所に押入れなければならないため工数
が増大してしまう0%にマグネトロン本体lとヨーク3
aの穴とが偏心している場合はガスケット4の挿入に工
数がかかり、また導波管受けm20mとガスケット4と
の接触が金屑にわたらないという不具合が発生する。
本発明の目的は、マグネトロンを導波管に接続するIn
c、上述した様な種々の不具合が生じないようKしたマ
グネトロンを提供することにある。
上記目的を達成するために本発@においては、出力側金
属封止部材の円筒状部k、つば付き金属円筒のつばのな
い端部を強制嵌合して固着させ、この円筒の他端すなわ
ち軸方陶出力端子寄り端部のつばと外**他部分の導電
部材とでガスケットの内径側を挾持させ、ガスケットの
脱落、浮上がりを防止するよう和した。
第6〜9図は、本発明のそれぞれ異なる4実施例の要部
拡大図で、いずれの例でも、つば付き金属円筒6は、つ
ばのない端部5bを出力側金属封止部材1・の円筒状部
に強制嵌合により固着され、他端ではっば51がガスケ
ット4の内径側を上面(出力端子側)から押さえ、磁石
2畠またはN −り3暑の上面とでガスケット4を圧縮
挾持している。したがってガスケット4は輸送中などに
も確11!に保持され脱落事故は生じない。金属円筒5
は端部5bで出力側金属封止部材1eと強制嵌合され、
マイクロ波的にも安定した接続が得られており、しかも
この接続部には従来の如く高価な銀ろうを使用せず、工
数もわずかですむ。ガスケット4の外径は、目−り3m
の穴径と同じか、やや小さくしてもよく、またガスケッ
ト4の内径は、つば付き金属円筒5の5C部(第6゜7
図)の外径と同じか、大きく、ただしっぽ5mの外径よ
り小さければよいので、ガスケットの挿入は非常に容易
になり、工数が短縮され、しかもガプケット自体の重量
も減らすことができる。さらに、−vグネトロン本体1
とヨーク3mの穴とが偏心していても、金属円筒6の5
C部の外径よりガスケット4の内径を大きく設定するこ
とにより、ガスケット4はどの部分でも弾力性均一であ
り、また、導波管受は部20暑は冒−り3畠の穴と同心
なので、理想的な接続が可能となる。更に金属円筒5の
端部5bにマイクμ波接続を害さないStに短いスリッ
トを設けると嵌合が容易になる。金属円筒5を磁性材た
とえば亜鉛引き鉄板で作れば、11に永久磁石2aK吸
引されるので、端部5bの強制嵌合部は、マイクル技的
に*好な接触が得られる程度の嵌合度であれば、金属円
筒5がぬけ出す恐れは少ない。
第7図に示した実施例では、ガスケット4を金属8曽5
と璽−夕31とで挾持するようKなっている。この例の
場合ガスケット4の内掻を小さ目に設定し【おけばガス
ケット4と金属円筒5とを別工楊で組合せて、組立て部
品として供給でき、一層工数が減る。嬉6図に示した実
施例でも同様にできる。
マグネトロンの発振には比較的高調波成分が多いが、第
8.9図中のh寸法すなわち金属封止部材l・と金属円
筒5とに囲まれた空間の軸方向長さを、不要放射を抑制
したい特定^調波の波長(電気長)の#tばl/4  
Kすることにより抑制効果が得られる。第9図の実施例
では強制嵌合させる端部5bが折返し構造罠なっている
ので挿入が容易となり工数が低減される。
以上説明したように本発明によれば、ガスケット脱落や
ガスケット焼け、磁石割れなどが生じなくなり、しかも
工数なども減少する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のマグネトロンの一例を示す図、第2図は
そのガスケット近傍拡大図、第3図は異なったガスケッ
ト保持構造の従来例図、第4図はマグネトロンと導波管
との接続状態図、第5図は従来のマグネトロンの導波管
との接続時におけるガスケット浮上り説明図、第6〜9
図はそれぞれ異なる本発明実施例の要部拡大図である。 1・・・・出力側金属封止部材、1f・・・出力側絶縁
物、2m・・・永久磁石、3m・・・ヨーク、4・・・
ガスケット、5・・・つば付き金属円筒、5m・・・つ
ば、5b・・・強制嵌合する端部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、導波管内に位置する出力端子に対し絶縁された外表
    面導電部材と、導液管壁との間に、jIL導電性かつ高
    弾性のガスケットを介在させて、導波管に取付けるよう
    にしたマグネトロンにおいて、1IIi円筒端郁に封着
    され、絶縁物を介して出力端子を支持する金属封止部材
    の円筒状部に、つば付き金属円筒のつばのない端部な強
    制嵌合して固着させ、この円筒の軸方崗出力端子寄り端
    部のつばと、他の外表面導電部材とで、前記ガスケット
    を挾持させたことを特徴とするマグネト窒ン。 i 餉記金属對止部材と前記金属円筒と<Sまれだ空間
    の軸方内憂さを、不要放射を抑制すべき特定な電波の波
    畏の捏ぼ1/4とした特許請求の範8第1項記載のマグ
    ネトロン。
JP19681581A 1981-12-09 1981-12-09 マグネトロン Granted JPS58100333A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19681581A JPS58100333A (ja) 1981-12-09 1981-12-09 マグネトロン

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19681581A JPS58100333A (ja) 1981-12-09 1981-12-09 マグネトロン

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58100333A true JPS58100333A (ja) 1983-06-15
JPH0216535B2 JPH0216535B2 (ja) 1990-04-17

Family

ID=16364114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19681581A Granted JPS58100333A (ja) 1981-12-09 1981-12-09 マグネトロン

Country Status (1)

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JP (1) JPS58100333A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59187060U (ja) * 1983-05-31 1984-12-12 松下電子工業株式会社 マグネトロン

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59187060U (ja) * 1983-05-31 1984-12-12 松下電子工業株式会社 マグネトロン

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JPH0216535B2 (ja) 1990-04-17

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