JPS62252122A - 磁性薄膜の製造方法 - Google Patents
磁性薄膜の製造方法Info
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- JPS62252122A JPS62252122A JP9441986A JP9441986A JPS62252122A JP S62252122 A JPS62252122 A JP S62252122A JP 9441986 A JP9441986 A JP 9441986A JP 9441986 A JP9441986 A JP 9441986A JP S62252122 A JPS62252122 A JP S62252122A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は磁性薄膜に係り、特に磁気ヘッドの記録媒体摺
動面側に形成される磁性薄膜に適用して好適なる磁性薄
膜に関するものである。
動面側に形成される磁性薄膜に適用して好適なる磁性薄
膜に関するものである。
［従来の技術］
磁気記録の高密度化に伴ない、使用される磁気記録媒体
（以下、磁気テープと言う）も高抗磁力（Ｈｃ）タイプ
のものが必要となる。
（以下、磁気テープと言う）も高抗磁力（Ｈｃ）タイプ
のものが必要となる。
例えばＶＴＲ用の磁気ヘッドにおいても、記録信号の高
密度化に伴ない、高Ｈｃテープであるメタルテープに対
応するためには、磁性酸化物であるフェライト単体では
飽和磁束密度が足りず、高飽和磁束密度を有する磁性金
属材料との複合磁性材料で磁気コアを形成する必要があ
る。
密度化に伴ない、高Ｈｃテープであるメタルテープに対
応するためには、磁性酸化物であるフェライト単体では
飽和磁束密度が足りず、高飽和磁束密度を有する磁性金
属材料との複合磁性材料で磁気コアを形成する必要があ
る。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、！１性酸化物と磁性金属材料との複合磁性材
料から成る磁気コアにおいては、例えばフエライトノ線
膨張係数は、 １００−１２０ ＸＩＧ／’０であり、
センダスト（Ｆｅ−Ａｌ２−３ ｉ）は１５０〜１７０
ＸＩＯ／”Ｃであるため、ガラス溶着等の高温処理に
おいて、熱膨張差による応力によりフェライトに割れや
はがれ、あるいはひび等が生じる。
料から成る磁気コアにおいては、例えばフエライトノ線
膨張係数は、 １００−１２０ ＸＩＧ／’０であり、
センダスト（Ｆｅ−Ａｌ２−３ ｉ）は１５０〜１７０
ＸＩＯ／”Ｃであるため、ガラス溶着等の高温処理に
おいて、熱膨張差による応力によりフェライトに割れや
はがれ、あるいはひび等が生じる。
特に、磁性酸化物と磁性金属材料を複合化するため、フ
ェライトコアの半体上にセンダスト薄膜をスパッタリン
グ等により形成する場合、熱応力によるフェライトコア
の割れ等が生じる。
ェライトコアの半体上にセンダスト薄膜をスパッタリン
グ等により形成する場合、熱応力によるフェライトコア
の割れ等が生じる。
第２図に基づいて割れやひび等が生じる過程を説明する
。
。
第２図に示す例は、センダスト等の磁性薄膜中にＨ原子
が多く存在する場合を示している。
が多く存在する場合を示している。
第２図（ａ）はフェライト基板２上にスパッタリング等
によりセンダスト膜１が形成された後、室温に戻した時
のフェライト基板のそりの状態を示し、センダスト１側
を凹面とする圧縮応力が生じているφ また、第２図（ｂ）は（ａ）に示したサンプルを６００
”ｃに加熱した場合で、センダスト膜１の線膨張係数
がフェライトに比較して大きいため。
によりセンダスト膜１が形成された後、室温に戻した時
のフェライト基板のそりの状態を示し、センダスト１側
を凹面とする圧縮応力が生じているφ また、第２図（ｂ）は（ａ）に示したサンプルを６００
”ｃに加熱した場合で、センダスト膜１の線膨張係数
がフェライトに比較して大きいため。
センダスト膜１側の凸面が大きくなり、圧縮応力が更に
増大する。
増大する。
また、第２図（Ｃ）は、上述したサンプルを６００℃に
保持した場合を示し、センダスト膜１は転位により応力
が緩和されるため、フェライト基板２とセンダストＢ’
Ｊ ｌの凸面が解消され、平坦となり、応力が除去され
た状態となっている。
保持した場合を示し、センダスト膜１は転位により応力
が緩和されるため、フェライト基板２とセンダストＢ’
Ｊ ｌの凸面が解消され、平坦となり、応力が除去され
た状態となっている。
一方、第２図（ｄ）は、上述したサンプルを６００℃か
ら室温に戻した場合を示し、この場合にはｆ８膨張差に
よる応力が発生し、全体として凹面となり、フェライト
基板２に対する応力は引張応力となる。
ら室温に戻した場合を示し、この場合にはｆ８膨張差に
よる応力が発生し、全体として凹面となり、フェライト
基板２に対する応力は引張応力となる。
そして、この引張応力の値が４Ｘ １０’ ｄｙｎ／
ｃｍを越えるとフェライト基板２に割れやひびが生じ、
センダストｎ々１がはがれてしまうことになる。
ｃｍを越えるとフェライト基板２に割れやひびが生じ、
センダストｎ々１がはがれてしまうことになる。
なお、上述した説明では（ｂ）、（ｃ）の過程は別過程
で進行するように説明したが、実際には（ｂ）、（ｃ）
の過程は同時に進行する。
で進行するように説明したが、実際には（ｂ）、（ｃ）
の過程は同時に進行する。
［問題点を解決するための手段１
本発明においては上述した問題点を解決するために、磁
性Ｓ膜を薄膜堆積法により形成する場合の雰囲気をＨ２
分圧が１０ ７ａｌｌ以下で成膜させた。
性Ｓ膜を薄膜堆積法により形成する場合の雰囲気をＨ２
分圧が１０ ７ａｌｌ以下で成膜させた。
［作 用］
上述した構造を使用すると、磁性薄膜中におけるＨ原子
が少なくなり、磁性基板側の割れやひび等の発生を著し
く減少させることができる。
が少なくなり、磁性基板側の割れやひび等の発生を著し
く減少させることができる。
［実施例］
以下、図面に示す実施例に基づき本発明の詳細な説明す
る。
る。
本発明者はスパッタリング等の薄膜堆積法により形成さ
れる磁性薄膜の熱応力による割れやひびの発生の原因を
調べた結果、磁性薄膜中ば存在するＨ原子の量との相関
関係が大きいことがわかった。
れる磁性薄膜の熱応力による割れやひびの発生の原因を
調べた結果、磁性薄膜中ば存在するＨ原子の量との相関
関係が大きいことがわかった。
磁性ｆＪ模膜中Ｈ原子が多数存在すると、磁性材の転移
速度が増大してしまう。
速度が増大してしまう。
また、Ｈは低温でも易動度が大きいため、結合エネルギ
ーが小さくても集合し、クラスタ等を生じて集団として
転位運動に顕著な効果を持つことがわかった。
ーが小さくても集合し、クラスタ等を生じて集団として
転位運動に顕著な効果を持つことがわかった。
そこで、本実施例にあっては磁性ｆ１膜中のＨ原子を減
少させるために薄膜堆積雰囲気のＨＩ３度を充分に管理
するようにした。
少させるために薄膜堆積雰囲気のＨＩ３度を充分に管理
するようにした。
具体的にはスパッタリング雰囲気におけるＨ２分圧を１
０ ７ａｌｌ以下にし、磁性薄膜中に取り込まれるＨ原
子を減少させるようにした。
０ ７ａｌｌ以下にし、磁性薄膜中に取り込まれるＨ原
子を減少させるようにした。
上述した雰囲気において成膜した場合の例を、第１図（
ａ）〜（ｄ）に示す。
ａ）〜（ｄ）に示す。
第１図（ａ）はフェライト基板２上にセンダスト膜ｌを
形成した後、室温に戻した時のそりの状態を示し、セン
ダストｌｌ１ｌ側を凸面とする圧縮応力が生じている。
形成した後、室温に戻した時のそりの状態を示し、セン
ダストｌｌ１ｌ側を凸面とする圧縮応力が生じている。
第１図（ｂ）は上述したサンプルを６００°Ｃに加熱し
た場合で、従来と同様にセンダスト膜ｌ側の凸面は大き
くなり、圧縮応力は増加する。
た場合で、従来と同様にセンダスト膜ｌ側の凸面は大き
くなり、圧縮応力は増加する。
また、第２図（Ｃ）は、上述したサンプルを６００℃に
保持した場合で、この場合には従来と異なりセンダスト
膜中にＨ原子が少ないため、センダスト膜の転位が生じ
にくく、はとんど応力緩和は生じていないか、または応
力緩和が行なわれていてもその値は小さい。
保持した場合で、この場合には従来と異なりセンダスト
膜中にＨ原子が少ないため、センダスト膜の転位が生じ
にくく、はとんど応力緩和は生じていないか、または応
力緩和が行なわれていてもその値は小さい。
一方、第１図（ｄ）は上述したサンプルを室温に戻した
場合を示し、６００℃に保持した場合の応力緩和が小さ
いため、フェライト基板２はほとんど平坦な状態となり
、第１図（ａ）に示す元の状態に戻る。
場合を示し、６００℃に保持した場合の応力緩和が小さ
いため、フェライト基板２はほとんど平坦な状態となり
、第１図（ａ）に示す元の状態に戻る。
第１図（ａ）の状態に戻った場合にも、磁性基板２の凹
面側の引張応力は小さく、割れやひびは生じない。
面側の引張応力は小さく、割れやひびは生じない。
一般にフェライトは凸面となる圧縮応力には１０ Ｘ
１０９ｄｙｎ／ｃｍ程度には耐えることはできるが、凹
面となる引張応力には４ Ｘ １０’ ｄｙｎ／ｃ■
が限界である。
１０９ｄｙｎ／ｃｍ程度には耐えることはできるが、凹
面となる引張応力には４ Ｘ １０’ ｄｙｎ／ｃ■
が限界である。
本実施例にあっては第１図（ａ）〜（ｄ）に示すような
熱処理過程を経るため、引張応力の値が小さくなりフェ
ライト基板の割れやひび等が減少する。
熱処理過程を経るため、引張応力の値が小さくなりフェ
ライト基板の割れやひび等が減少する。
なお、スパッタリング装量の排気ポンプはクライオポン
プ等による排気以外に、ターボモレキュラーポンプ等の
水素排気速度の大きなポンプを併用することが必要であ
る。
プ等による排気以外に、ターボモレキュラーポンプ等の
水素排気速度の大きなポンプを併用することが必要であ
る。
また、バイアススパッタ法を用いて不活性ガスでスバッ
タマック表面をたたくことはＨ原子の追い出しに極めて
効果がある。
タマック表面をたたくことはＨ原子の追い出しに極めて
効果がある。
なお、上述した実施例で基板としてフェライト、磁性膜
としてセンダストを選んだ例を示したが、これらに限定
されず他の材料を選択できる。
としてセンダストを選んだ例を示したが、これらに限定
されず他の材料を選択できる。
また、非金属及び金属の膜の転位現象には水素の挙動が
大きく関与しており、上述した技術は全ての堆積薄膜に
適用できる。
大きく関与しており、上述した技術は全ての堆積薄膜に
適用できる。
［効 果］
以上の説明から明らかなよう―、本発明によれば、磁性
薄膜の堆積雰囲気をＨ２分圧が１０ Ｔｏｌｌ以下と
して磁性薄膜を成膜した構造を採用しているため、磁性
薄膜中のＨ原子が少なく基板側に割れやひびが生じるこ
とがなく、磁性薄膜のはがれも生じない。
薄膜の堆積雰囲気をＨ２分圧が１０ Ｔｏｌｌ以下と
して磁性薄膜を成膜した構造を採用しているため、磁性
薄膜中のＨ原子が少なく基板側に割れやひびが生じるこ
とがなく、磁性薄膜のはがれも生じない。
第１図（＆）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明する熱
処理過程の説明図、第２図（＆）〜（ｄ）は従来の熱処
理過程の説明図である。 ｌ・・・センダスト膜 ２・・・フェライト基板第１
図 （ｂ） Ｍ２図
処理過程の説明図、第２図（＆）〜（ｄ）は従来の熱処
理過程の説明図である。 ｌ・・・センダスト膜 ２・・・フェライト基板第１
図 （ｂ） Ｍ２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板上に薄膜堆積法により形成される磁性薄膜にお
いて、磁性薄膜の堆積雰囲気をＨ＿２分圧が１０＾−＾
１＾０Ｔｏｌｌ以下で成膜したことを特徴とする磁性薄
膜。 ２）前記磁性薄膜はＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の磁性薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61094419A JPH0746665B2 (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 磁性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61094419A JPH0746665B2 (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 磁性薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62252122A true JPS62252122A (ja) | 1987-11-02 |
| JPH0746665B2 JPH0746665B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=14109715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61094419A Expired - Lifetime JPH0746665B2 (ja) | 1986-04-25 | 1986-04-25 | 磁性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0746665B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6374112A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58100412A (ja) * | 1981-12-10 | 1983-06-15 | Sony Corp | 軟質磁性材料の製法 |
| JPS59146427A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-22 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS62210610A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-16 | Hitachi Ltd | 鉄窒化物薄膜の作製方法 |
-
1986
- 1986-04-25 JP JP61094419A patent/JPH0746665B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58100412A (ja) * | 1981-12-10 | 1983-06-15 | Sony Corp | 軟質磁性材料の製法 |
| JPS59146427A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-22 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS62210610A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-16 | Hitachi Ltd | 鉄窒化物薄膜の作製方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6374112A (ja) * | 1986-09-17 | 1988-04-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0746665B2 (ja) | 1995-05-17 |
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