JPS58101973A - 密閉構造体の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明はサイロなどの密閉状構造体の形成方法に関す
るものである。

従来、九とえばサイロや特殊倉庫などの％！ＦＷ５＃ｌ
Ｉ造が要求される構造物は内外面κ合成！ＩＩ１１１膚
中晴料層を設け、エアテストによヤ書閉構造を得るよう
にしている．しかしながら、エアテストの＊雄は厄介で
あ）、シかも一回のエアテストで書嗣構造が得られるこ
とははとんどなく、何回もｍ参返して欠陥部位を見い出
すのが実状である．仁のような状況から、！イーなどの
密閉構造体を簡単κ得る方法が要望されていた。

本発明の目的は、上述し九従乗の要望κ応え得るもので
あり、コンク菅一トなどの非導電材よ夛なる壁板を組付
けて密閉状の構造体を得る密閉状構造体の形成方決を提
供することにある．まえ、本発明の他の目的は実施し易
くかつ密閉性が確実に行ない得る、密閉状構造体の形成
方法を提供することにある。

次に＊発明の一実施例を、図面を参照して説明する。

図におｉて、１はコンクリート調で板状の壁体で、コン
クリート板２０両ｒｆＪ盆体あるーは片ｒｊｉ盆体、本
例では片面全体ＫＦｔＩ鍍のｌリエステＪ＆／４１１驕
液（未硬化品）１００重量部に対し、カーボンパウダ−
３０踵量部を含有させた塗料を前記コンクリート板２０
片面に塗布し、乾徽硬化させて導電層（ｆｉｌｌ厚約５
（Ｉｓ）５を形成し、この導電層３の全面に、市販のｄ
ｌｌｌｌニスデル液（未硬化品）に対し、市販のガラス
繊維を加え九強化デフスチッタフ４ｙム（嘆厚２ＪＩｌ
）の被覆層４を接着してなるものである。しかして、こ
の壁体１〜１を多数枚用意する。各壁体１〜１はその？
ＩＩ贋層４〜４の砂覆状虐がｔｉｌｔ寮であるかどうか
を電気的手段によるピンホールテストにて検査する。前
記ピン本−〜テストはピンホールテスターを用い、ＪＩ
Ｓ−０３４９１Ｋ　準シテ、印加を圧２００００Ｖテ行
＆イ、各壁体１〜１の被覆層４〜４におけるピンホール
状あるいはクツツク状の被覆不良部位４ム〜４ムを検出
した。検出したｍＳ不良部位４ム〜４ムには債化プラス
チックフィル五などの非導電性の被覆４５〜５を各々接
着し、各被覆不良部位４ム〜４ムを疹Ｊした。しかる債
、検査済みの各壁体１〜１をその＃Ｉ覆−４〜４及び５
〜５が内側となるようにして組合せ、第４図に示すよう
に、所定すイ費の大きさく配置する。なお、各壁体１〜
１闇には接着剤を詰める各々継目部６〜６として小間隔
を保有させ、各継目部６〜６にはセメント濡練物（セメ
ンＦ１砂、水の混練物）などの非導電性の接着剤７〜７
を詰め、各壁体１〜１を接着する。

しかして所定のサイロ１０を形成し、このサイロ１０の
内部において各継目部６〜６の接着剤７〜７面に、前記
したカーボンパウダー大夛の塗料を塗り、乾燥硬化させ
て導電層（Ｉｌ！厚約４０μ）８を形成する０次いで、
継目部６〜６の導電層８〜８上にはガラス粉末を混入し
九１９エステ＃ＩＩＩ宿液を塗プ、非導電性の被１１９
を形成しえ０次いで、各継目部６〜６０１１１８４９〜
９上にピンホールテスターの電ＦＭ（図示せず、）を当
接し、前記し走間要領にて、各継目部６〜６の？１１覆
４９〜９の被櫃状虐を検査する。検出し九被覆不良部位
９ム〜９ムには廟記し九強化デツスチツタフイ〃ムなど
の非導電性の被覆４５〜５を各々接着した。なお、サイ
ロ１０の側部には密閉可能な−ｖＩ４＃１１゜１２が形
成され上部には屋根１３が設けられ、所定のサイロ１０
とされる。

本例においては、壁体１及び継目部６に各々導電−３，
８を形成し、導電１３．８上に非導電性の被覆１ｗ４，
９を設けたので、被ＭＩＰ＃Ｉ４．？上にピンホールテ
ストーの電極を当て、４Ｉｊｔ圧を印加することにより
、！ｆｉｌ１１４．９のひび割れあるいはピンホール部
位に火花がとび＊＊層４．９の被覆不良部位４ム、９ム
を容易に昆い出すことができ、被覆不良部位４Ａ９ムを
ＷＩＩＩＷすることができる。

本例のｔシロ１０はその壁面が確実に密閉されているの
で、サイロ１０として好ましいものである。なお、本例
では導電層５′１１び被覆層４を形成した壁体１を先に
ピンホールテストを行ない、継１部６１ｗを後でピンホ
ールテストを行なったが、ｋ！ｉ１体１及び継目部６の
ピンホールテストは壁体１組付は後において各々行なう
ようにして４よい。

そして、導１ｔｍは金［箔、金嘱薄板を用いて接着させ
てもよいし、金頃粉ｍ、カーボン繊碓を未硬化の液状＃
脂、あるいは塗料に混入せしめ九ものなどを塗布して形
成される。を九、本例の継目部においては接着剤として
セメント温練物充慎後に導電層を形成したが、導電性の
接着剤のみを直接ＫＩ！目部に詰めることもできる。丸
だし、導電＃及び導電性接着剤はその電１ＩＣ抵抗が１
０”〜１０３胤下であることが好ましい０本例における
壁体は七メントコンクリートを主体とし九本のであるが
、壁体はアスペスＦ１石膏、木材などの材質よ抄なる弄
導゛鑞性のものが適用される。

以上説明したように本発明は、卵重電材よ抄なる壁体を
組付け、密閉伏の構造物を形成するに際し、前記壁体に
はその表面全体あるいはｊＩ面全体にカーボン繊維など
の導電材にて導１ｔ＃を設け、次いで導電層上に金成膚
噌塗料などの絶畿材よ）なる絶綾層をＷＩＩ覆＠理し、
しかる後、被りＩｌ処理し九壁体を組付け、壁体間の哨
目に導電性の充填物を結め、充填物表面上に絶ａＩ！−
を波覆し、前記各絶縁層に対して高電圧を印加する電気
的ピンホールテストを行ない、前記各絶縁層の被覆不良
部位を検出し、被覆不良部位には？ＩＩＰＩＩ層を形成
するようにした丸め、本発明の所期目的が確実に達成さ
れる。すなわち、本発明においては壁体面に導電層と被
覆層を形成し、かつ壁体間の継目部位に導電層と？ＩＩ
ＮＩＰＩＩＩを形成し、各々被覆層上に高電圧を印加し
てビンホーＶテストを行なうようにし九丸め、被覆不良
部位の検出が簡単に行ない得るものであり、被覆不良部
位は修復するので密閉性を確実にすることができる。ま
え、本発明によれば壁体のパネル単゛位で密閉チェック
ができ、さらに壁体組付は時の継目部位におｉて密閉チ
ェックができるので、より確実な密閉構造が得られ、サ
イロ、倉庫などのＳｔに青するものである。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の一実施例を示すもので、第１図は壁体の＃
Ｉａを示す一部省略し九睨明図、第２図は壁体のＷ１覆
不良部位を示す説明図、′ｓ５図は壁体の被覆不良部位
に被覆層を設けた状態の説明図、＠４図はすイロの形成
に際し、壁体の配置状態を示す平面図、第５図は壁体相
互の接合態様を承す説明図、第６＆！！ｉｌは同様に壁
体相互の隅部の接合態様を示す説明図、第７図はサイロ
の縦断面図、第８図は壁体間に設は九ｍ贋膚の被覆不良
部位を修復し丸状態の拡大断面図、第９図は壁体間の隅
部に設は丸？１１覆層の被覆不良部位を修復し九伏霞の
拡大断面図である。 １　・・・壁　　　　　体　　　　　　　２・・・コン
クリート板５．８・・・導　　電　　層　　　　　４，
５．９−・・被　　贋　　層゛４ム、９ム−・被覆不良
部位　　　　　　６・・・継　目　部７・・・接　　着
　　剤　　　　　１０・・・す　　イ　　ロ出　　　願
　　　人　　　日本高分子化学株式会社代　　珊　　人
　　弁理士　岡　１）英　彦第１Ｉ！ 第２図　　　　第３ｍ１ｌ 第４１１

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. コンクダートなどの非導電材よ）なる壁体を組付けてサ
   イロなどの密閉状の構造物を形成するに際し、前記嘴体
   にはその表面全体あるいは裏面全体κカーボン４ＩＩ１
   ｌａなどの導電材にて導電層を設け、次いで導電層上κ
   合成＃Ｉｌ１一料などの絶縁材よシ＆ゐ絶ＩＩ＃を峻Ｍ
   ４Ｉ＆珊し、しかる後，着覆処珊し九Ｉ！Ｉ１へを組付
   け、壁体間の継目に導電性の充填物を詰め、充填物表面
   上κ絶縁層を被覆し、前紀各絶４ｌＩＰＩＩに対して高
   電圧を印加する電気的ピンホールテストを行ない、膚記
   各絶碌層のＩ１覆不良部位を検出し＊１不良部位には被
   ＩＩＩ層を形成することを特許とする密閉構造体の形成
   方法。