JPS58103534A - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
- Publication number
- JPS58103534A JPS58103534A JP20153181A JP20153181A JPS58103534A JP S58103534 A JPS58103534 A JP S58103534A JP 20153181 A JP20153181 A JP 20153181A JP 20153181 A JP20153181 A JP 20153181A JP S58103534 A JPS58103534 A JP S58103534A
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- film
- gas
- plasma
- pretreatment
- vacuum
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、プラスチックフィルム等の真空蒸着装置に係
り同一容器内で、マイクロ波プラズマを用いて活性化し
九ガスでフィルム表面を前処理する真空蒸着装置に−す
る。
り同一容器内で、マイクロ波プラズマを用いて活性化し
九ガスでフィルム表面を前処理する真空蒸着装置に−す
る。
発明のfl!術的背景とそ0間層点
一般に、フィルムKM着ヤスバッタリングを行なう場合
の前処理として、フィルム表面の應埃を拭き取ったり、
#1剤で洗浄した9、あるい社付着性の悪い材料に対し
てはコロナ放電処1ullを施してから蒸着する。コロ
ナ放電処理の場合には通常高周波電極と鋳電材によって
被覆された回転金属ロールからな9、コロナ放電処理は
被処理物であるプラスチックフィルムを上記ロールと電
極の閣を通過させながらコロナ放電をさせて行うもので
ある。しかし、従来のこうして前処理を行う丸後フィル
ムを蒸着装置に入れて蒸着する方法では、フィルムと蒸
着膜との密着性が悪く、また光沢のよい蒸着膜が得られ
にくい。さらに詳しくは、九とえばコロナ放電処理の場
合には処jlKよってフィルム表面が、活性化された効
果が経時的に減少するため、処理されたフィルムは早期
KJI着を行わなければならない。また、たとえば金属
を蒸着し九場合、蒸着金属が経時的に剥離しゃすくなる
等の事実上の欠点を持っていた。
の前処理として、フィルム表面の應埃を拭き取ったり、
#1剤で洗浄した9、あるい社付着性の悪い材料に対し
てはコロナ放電処1ullを施してから蒸着する。コロ
ナ放電処理の場合には通常高周波電極と鋳電材によって
被覆された回転金属ロールからな9、コロナ放電処理は
被処理物であるプラスチックフィルムを上記ロールと電
極の閣を通過させながらコロナ放電をさせて行うもので
ある。しかし、従来のこうして前処理を行う丸後フィル
ムを蒸着装置に入れて蒸着する方法では、フィルムと蒸
着膜との密着性が悪く、また光沢のよい蒸着膜が得られ
にくい。さらに詳しくは、九とえばコロナ放電処理の場
合には処jlKよってフィルム表面が、活性化された効
果が経時的に減少するため、処理されたフィルムは早期
KJI着を行わなければならない。また、たとえば金属
を蒸着し九場合、蒸着金属が経時的に剥離しゃすくなる
等の事実上の欠点を持っていた。
発明の目的
本発明は、プラスチックフィルムのJUIIIKおける
上記欠点KfI/1み、光沢がよく、また密着性のすぐ
れた蒸着膜を得るための真空蒸着装置を提供するととK
ある0 発明の概要 本装置はたとえばアルゴン酸素混合ガス中窒素酸素混合
ガスあるいは酸素ガスを、マイクロ波放電によって発生
させ九プラズマにより活性化させプラズマ発生部から分
離された下流側領域で、咳活性ガスとフィルムとを接触
させ、前処理を行った後、同じ容器内でさらに真空度を
上げて蒸着を行なう装置である。
上記欠点KfI/1み、光沢がよく、また密着性のすぐ
れた蒸着膜を得るための真空蒸着装置を提供するととK
ある0 発明の概要 本装置はたとえばアルゴン酸素混合ガス中窒素酸素混合
ガスあるいは酸素ガスを、マイクロ波放電によって発生
させ九プラズマにより活性化させプラズマ発生部から分
離された下流側領域で、咳活性ガスとフィルムとを接触
させ、前処理を行った後、同じ容器内でさらに真空度を
上げて蒸着を行なう装置である。
発明の実施例
第1図は、本発明の真空蒸着装置の構成例を示す。本装
置は、蒸着処理容器(1)、−処理ガス供給系(2)、
プラズマ発生系(3)、排気系(4)とから構成されて
いる。さらに詳しくは、蒸着処理容111(1)はフィ
ルム(5)、フィルム巻取り装置(6)、蒸着膜1m(
7) 。
置は、蒸着処理容器(1)、−処理ガス供給系(2)、
プラズマ発生系(3)、排気系(4)とから構成されて
いる。さらに詳しくは、蒸着処理容111(1)はフィ
ルム(5)、フィルム巻取り装置(6)、蒸着膜1m(
7) 。
蒸着用ボー[8)、41体(9)、0リングall、キ
ャパシタンス1ノメータallからな9、ま九処理ガス
供給系(2)は、キャリアーガスO貯賦ボンベn、酸素
の貯蔵ボンベas、重量針aJ&よびニードル弁(ハ)
を備えておシ、ガスをプラズマ発生系(3)に供給する
構造を採っている。またプラズマ発生系(3)は、マイ
クロ波発振an、マイクロ波伝送のための導波管αη、
さらにインピーダンス整合を行なうためのスリースタプ
チ凰−すα呻、プランジャーa傷、水冷管(至)、およ
びプラズマ発生管c21)を備えている0また排気系(
4)は排気系トラップ(2)、真空ポンプ(ハ)を備え
ている。
ャパシタンス1ノメータallからな9、ま九処理ガス
供給系(2)は、キャリアーガスO貯賦ボンベn、酸素
の貯蔵ボンベas、重量針aJ&よびニードル弁(ハ)
を備えておシ、ガスをプラズマ発生系(3)に供給する
構造を採っている。またプラズマ発生系(3)は、マイ
クロ波発振an、マイクロ波伝送のための導波管αη、
さらにインピーダンス整合を行なうためのスリースタプ
チ凰−すα呻、プランジャーa傷、水冷管(至)、およ
びプラズマ発生管c21)を備えている0また排気系(
4)は排気系トラップ(2)、真空ポンプ(ハ)を備え
ている。
以下、上記の構成を有する装置を用いて、フィルムを真
空蒸着する手順について記す。
空蒸着する手順について記す。
まず蓋体(9)をあけて、フィルムをフィルム巻取〕装
置(6)K装着する。次に処理室を密閉し死後、真空ポ
ンプ(至)を動作させて、処理室(1)内を1(r’
tuff程度まで排気する。次いでキャリアーガスボン
ベα湯および酸素ガスボンベ(Lsを開いてガスを供給
するO この際、キャリアーガスと酸素の混合比は薗対l〜5対
l(キャリアーガス対酸素)が処理効果の点から好まし
い。まえ、この時の処暑容器(D内の圧力は10−〜1
Qtorr一度、流量too 〜500mj/4in程
度が好ましく、これは流量計Iを見ながらニードル弁α
$を使って調整する0次にマイクロ波発振器−を作動さ
せて、例えば周波数2450MHg、電力2KWのマイ
クロ波を発振させ、スリースタブチェーナα時およびプ
ランジャーQlでインピーダンス整合し、プラズマ発生
部にマイクロ波を伝送して。
置(6)K装着する。次に処理室を密閉し死後、真空ポ
ンプ(至)を動作させて、処理室(1)内を1(r’
tuff程度まで排気する。次いでキャリアーガスボン
ベα湯および酸素ガスボンベ(Lsを開いてガスを供給
するO この際、キャリアーガスと酸素の混合比は薗対l〜5対
l(キャリアーガス対酸素)が処理効果の点から好まし
い。まえ、この時の処暑容器(D内の圧力は10−〜1
Qtorr一度、流量too 〜500mj/4in程
度が好ましく、これは流量計Iを見ながらニードル弁α
$を使って調整する0次にマイクロ波発振器−を作動さ
せて、例えば周波数2450MHg、電力2KWのマイ
クロ波を発振させ、スリースタブチェーナα時およびプ
ランジャーQlでインピーダンス整合し、プラズマ発生
部にマイクロ波を伝送して。
前記処理ガスを放電させプラズマとなす0こうして活性
化されたガスは、処理室(1)内に流入しフィルム(5
)と接触して、フィルム表面を改質する。
化されたガスは、処理室(1)内に流入しフィルム(5
)と接触して、フィルム表面を改質する。
ま九、フィルムはsap装置(6)kよって一定遮度で
送られてお)、処理した後KIk*られてゆく。
送られてお)、処理した後KIk*られてゆく。
このときのフィルムと処理ガスとの接触時間(処理時間
)は、数十秒1度で充分であるoeli処理が終り九ら
次に、ガス類のボンベの4&を閉じるとともに、ニード
ル弁(1sを締め、処理容器内圧力を。
)は、数十秒1度で充分であるoeli処理が終り九ら
次に、ガス類のボンベの4&を閉じるとともに、ニード
ル弁(1sを締め、処理容器内圧力を。
10 ’ torr@度まで減圧し先後、前処理後のフ
ィルムを再度巻−堆〉ながら蒸着ボート(8)を加熱し
て蒸着する。
ィルムを再度巻−堆〉ながら蒸着ボート(8)を加熱し
て蒸着する。
本発明の装置によ)処暑し九フィルムと未嶋珊の場合お
よびコロナ放電を用いて処理した場合のフィルムの比較
例を第1表に示す。
よびコロナ放電を用いて処理した場合のフィルムの比較
例を第1表に示す。
ls1表
本発明における前処理に関して杜、フィルムO接触角が
急激に減少するととくより1m着に−われることが確か
められている。
急激に減少するととくより1m着に−われることが確か
められている。
ポリフッ化ビニリデンフィルムの金属蒸着を例にとった
場合、一般に実用性のあるポリフッ化ビニリデンフィル
ムの接触角は55〜600以下、望ましくは500以下
である。ll!lに、コロナ放電処理をした後、従来装
置を用いた場合と、本装置を眉いえ場合の実験結果を示
し九〇ま九亜鉛およびアル書ニウムの蒸着膜をそれぞれ
のフィルムに形成し先後、七四テープ(3M社II)を
彊ヤ付け、剥離させ走時の蒸着膜の剥離状況も示し九〇
これは実用的な蒸着膜O11着性は、セロテープをfi
l)付け、セロテープを剥離し良状態で金属蒸着lKが
同時に剥離し込いことが必要であるためである〇@1よ
〕明らかなように、本装置ではセロテープによる剥離テ
ストで、従来装置が1〜6ケ月後に剥離するのく対し1
本装置では1年経てもなお剥離せず、処理効果が持続し
ているのがわかる。
場合、一般に実用性のあるポリフッ化ビニリデンフィル
ムの接触角は55〜600以下、望ましくは500以下
である。ll!lに、コロナ放電処理をした後、従来装
置を用いた場合と、本装置を眉いえ場合の実験結果を示
し九〇ま九亜鉛およびアル書ニウムの蒸着膜をそれぞれ
のフィルムに形成し先後、七四テープ(3M社II)を
彊ヤ付け、剥離させ走時の蒸着膜の剥離状況も示し九〇
これは実用的な蒸着膜O11着性は、セロテープをfi
l)付け、セロテープを剥離し良状態で金属蒸着lKが
同時に剥離し込いことが必要であるためである〇@1よ
〕明らかなように、本装置ではセロテープによる剥離テ
ストで、従来装置が1〜6ケ月後に剥離するのく対し1
本装置では1年経てもなお剥離せず、処理効果が持続し
ているのがわかる。
また従来装置では前処理効果を上けるために必畳以上K
II触角を下げようとすると、過度の前処理条件になp
、ピンホールを誘発してフィルムの特性を著しく悪化さ
せてしまう。
II触角を下げようとすると、過度の前処理条件になp
、ピンホールを誘発してフィルムの特性を著しく悪化さ
せてしまう。
これに対して本装置では前処理反応が起こるのは処理ガ
スKII触したフィルム表面部だけであるため、かな〕
過度の部層条件で行なり九としてもピンホールを発生す
ること社ない。まえ、本装置で祉従来のように前処理後
、大気下で放置されることもないため、フィルム表面の
汚染中水分の教壇等も全くなく、また前処理直後、蒸着
を行なうため、前処理効果がきわめて効果的に働−1す
ぐれた蒸着膜を得ることができるのが特徴である0本装
置による蒸着膜の密着性向上および外観性向上に関する
理由を、本発明者は次の様に考えている。
スKII触したフィルム表面部だけであるため、かな〕
過度の部層条件で行なり九としてもピンホールを発生す
ること社ない。まえ、本装置で祉従来のように前処理後
、大気下で放置されることもないため、フィルム表面の
汚染中水分の教壇等も全くなく、また前処理直後、蒸着
を行なうため、前処理効果がきわめて効果的に働−1す
ぐれた蒸着膜を得ることができるのが特徴である0本装
置による蒸着膜の密着性向上および外観性向上に関する
理由を、本発明者は次の様に考えている。
一般に蒸着膜の密着性は以下の諸条件により影響を受け
ると考えられる。すなわち、フィルム表面に水分、残留
溶剤、可塑剤未反応上ツマ−などが存在すると、7.イ
ルム基材と蒸着膜との界面にこうし九不純物あるいは添
加剤が介在する丸め。
ると考えられる。すなわち、フィルム表面に水分、残留
溶剤、可塑剤未反応上ツマ−などが存在すると、7.イ
ルム基材と蒸着膜との界面にこうし九不純物あるいは添
加剤が介在する丸め。
密着力が小さくなる。ま九フィルム材質の極性も大きく
影響し、ポリプロピレンやポリエチレンは剥離し中すい
材質とい見る。さらにフィルムの嶺細な表面粗さKも影
響されると考えられる。
影響し、ポリプロピレンやポリエチレンは剥離し中すい
材質とい見る。さらにフィルムの嶺細な表面粗さKも影
響されると考えられる。
これらの密着性に影響を及ぼす諸条件に対し本装置では
マイクロ波プラズマにより、鳥い反応性を有する活性種
、たとえば酸素ラジカル、#嵩イオン等が生成され、こ
れがフィルム表面と次0ような反応を起こす丸めと考え
られる。ま九同時に同一容器内で続けて処理を行うため
、処理後、大気中に出して大気中の水分、塵埃、ガス等
の汚染を受けることが全くないことも大きな理由と考え
られる。
マイクロ波プラズマにより、鳥い反応性を有する活性種
、たとえば酸素ラジカル、#嵩イオン等が生成され、こ
れがフィルム表面と次0ような反応を起こす丸めと考え
られる。ま九同時に同一容器内で続けて処理を行うため
、処理後、大気中に出して大気中の水分、塵埃、ガス等
の汚染を受けることが全くないことも大きな理由と考え
られる。
(1)残雷濤剤、可■削、未反応モノ1−などを酸化除
去する0 (2)フィルム基材と反応し、表面を酸化するので極性
を増加させる。
去する0 (2)フィルム基材と反応し、表面を酸化するので極性
を増加させる。
(3)鹸化反応により、フィルム表面を極微細に粗す0
(4)処理が真空系である丸め、水分を始めとする揮尭
威分等を線処理段階で除去で龜る0このように1本装置
を用いると、蒸着膜の光沢が良く、良質の纒が得られる
。一般KJI着属の光沢は、JII1着容器の真空度に
影響を受けるが、この点1本方法によれば水分中践*S
剤、町−剤、未反応噌ノi−等瀬着容器の真空度を悪く
する成分を前処!IIKよって除去し、その後、大気中
にさらされゐことがないため、真空度を悪くする成分の
着あるいは付着がなく、さらに大気中の塵埃等で汚染さ
れることも全くないため、光沢のよい威が得られるもの
と考えられる0 発明の効果 以上の如く、本真空蒸着装置を用いて蒸着すれば、フィ
ルム基材きの密着性がすぐれ、光沢のよい蒸着膜を得る
ことかで自、工業上非常に有用である0
威分等を線処理段階で除去で龜る0このように1本装置
を用いると、蒸着膜の光沢が良く、良質の纒が得られる
。一般KJI着属の光沢は、JII1着容器の真空度に
影響を受けるが、この点1本方法によれば水分中践*S
剤、町−剤、未反応噌ノi−等瀬着容器の真空度を悪く
する成分を前処!IIKよって除去し、その後、大気中
にさらされゐことがないため、真空度を悪くする成分の
着あるいは付着がなく、さらに大気中の塵埃等で汚染さ
れることも全くないため、光沢のよい威が得られるもの
と考えられる0 発明の効果 以上の如く、本真空蒸着装置を用いて蒸着すれば、フィ
ルム基材きの密着性がすぐれ、光沢のよい蒸着膜を得る
ことかで自、工業上非常に有用である0
図面は本発明の一実施例を示す概略構成図である0
1・・・フィルム処理室、2・・・処理ガス供給系。
3・・・プラズマ発生系、4・・・排気系、5・・・フ
ィルム、 6・・・フィルム巻取り装置。
ィルム、 6・・・フィルム巻取り装置。
Claims (2)
- (1)マイクロ諌放電によシ発生させ九プラズマを用い
て活性化し九ガスで、フィルム表面を前処理し先後、同
一容器内で蒸着することを特徴とするフィルムの真空蒸
着装置。 - (2)前記処理ガスとして、アルゴン対酸素混合ガスあ
るいは窒素対酸素混合ガスをそれぞれ団対l〜5対10
−合で使用することを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載のフィルムの真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20153181A JPS58103534A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20153181A JPS58103534A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | 真空蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58103534A true JPS58103534A (ja) | 1983-06-20 |
Family
ID=16442584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20153181A Pending JPS58103534A (ja) | 1981-12-16 | 1981-12-16 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58103534A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0328365A (ja) * | 1989-03-20 | 1991-02-06 | Hitachi Ltd | 金属/有機高分子合成樹脂複合体及びその製造方法 |
| JP2016014161A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-28 | トーカロ株式会社 | 防汚性に優れた高分子エラストマー部材およびそれを用いたロール部材 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4865271A (ja) * | 1971-12-13 | 1973-09-08 | ||
| JPS50159567A (ja) * | 1974-06-14 | 1975-12-24 | ||
| JPS5122770A (en) * | 1974-08-19 | 1976-02-23 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Orefuinkeikobunshifuirumuno kinzokukahoho |
| JPS5187579A (ja) * | 1975-01-31 | 1976-07-31 | Citizen Watch Co Ltd | |
| JPS5362982A (en) * | 1976-11-17 | 1978-06-05 | Toshiba Corp | Plasma cvd apparatus |
-
1981
- 1981-12-16 JP JP20153181A patent/JPS58103534A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4865271A (ja) * | 1971-12-13 | 1973-09-08 | ||
| JPS50159567A (ja) * | 1974-06-14 | 1975-12-24 | ||
| JPS5122770A (en) * | 1974-08-19 | 1976-02-23 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Orefuinkeikobunshifuirumuno kinzokukahoho |
| JPS5187579A (ja) * | 1975-01-31 | 1976-07-31 | Citizen Watch Co Ltd | |
| JPS5362982A (en) * | 1976-11-17 | 1978-06-05 | Toshiba Corp | Plasma cvd apparatus |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0328365A (ja) * | 1989-03-20 | 1991-02-06 | Hitachi Ltd | 金属/有機高分子合成樹脂複合体及びその製造方法 |
| JP2016014161A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-28 | トーカロ株式会社 | 防汚性に優れた高分子エラストマー部材およびそれを用いたロール部材 |
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