JPS5810356Y2 - ハンドウタイソウチ - Google Patents
ハンドウタイソウチInfo
- Publication number
- JPS5810356Y2 JPS5810356Y2 JP1975179474U JP17947475U JPS5810356Y2 JP S5810356 Y2 JPS5810356 Y2 JP S5810356Y2 JP 1975179474 U JP1975179474 U JP 1975179474U JP 17947475 U JP17947475 U JP 17947475U JP S5810356 Y2 JPS5810356 Y2 JP S5810356Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- film
- semiconductor chip
- souchi
- silicon film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、封止の気密性が良好で信頼性の高い半導体装
置に関する。
置に関する。
集積回路、大規模集積回路等の半導体装置では、半導体
チップを例えばアルミナ・セラミック基板上に実装する
ことが多い。
チップを例えばアルミナ・セラミック基板上に実装する
ことが多い。
その場合、半導体チップが例えば外気に触れて電気的特
性が低下することを防止するため、半導体チップ等必要
な部分をエポキシ樹脂皮膜、シリコン樹脂皮膜、ガラス
質皮膜等で被覆して封止することが行なわれている。
性が低下することを防止するため、半導体チップ等必要
な部分をエポキシ樹脂皮膜、シリコン樹脂皮膜、ガラス
質皮膜等で被覆して封止することが行なわれている。
しかしながら、エポキシ樹脂皮膜等の樹脂被膜は耐湿性
、耐熱性、機械的強度の点で問題がある。
、耐熱性、機械的強度の点で問題がある。
例えば高湿度雰囲気に於いては樹脂が加水分解され、そ
の結果発生する酸性の反応生成物に依り腐蝕現象が現わ
れ、気泡を生じ、絶縁破壊強度が低下して短絡の原因に
なる。
の結果発生する酸性の反応生成物に依り腐蝕現象が現わ
れ、気泡を生じ、絶縁破壊強度が低下して短絡の原因に
なる。
また、樹脂とセラミック基板或いは金属リード線との密
着性が悪いため、樹脂とセラミック基板等との境界から
水分が侵入し、半導体チップ、ボンディング・ワイヤ等
を劣化させる。
着性が悪いため、樹脂とセラミック基板等との境界から
水分が侵入し、半導体チップ、ボンディング・ワイヤ等
を劣化させる。
更にまた被熱すると、例えばひび割れが入って気密性が
低下したり、樹脂が分解してガスが発生し、半導体チッ
プを汚染し、電気的特性を低下させたり、リード線を腐
蝕して断線或いは短絡させたりする。
低下したり、樹脂が分解してガスが発生し、半導体チッ
プを汚染し、電気的特性を低下させたり、リード線を腐
蝕して断線或いは短絡させたりする。
これに対し、ガラス質皮膜は耐熱性の点では余り問題に
ないが、耐湿性に関しては良いとは云えず、しかも、樹
脂皮膜には無い欠点がある。
ないが、耐湿性に関しては良いとは云えず、しかも、樹
脂皮膜には無い欠点がある。
即ち、ガラス質皮膜の材料として多用されているのは鉛
ガラスであり、一応低融点ガラスの範囲に入っているが
、低融点であるとは云え、皮膜を形成するには４５０℃
程度の熱処理を行なう必要がある。
ガラスであり、一応低融点ガラスの範囲に入っているが
、低融点であるとは云え、皮膜を形成するには４５０℃
程度の熱処理を行なう必要がある。
一般に、半導体装置に於いては、金属配線の材料として
アルミニウムＡｌを使用することが多い。
アルミニウムＡｌを使用することが多い。
また、その最上層は燐硅酸ガラスＰＳＧの保護層が形成
されている。
されている。
従って、前記熱処理に依って金属配線、保護層に不都合
が反応を生じる慣れがある。
が反応を生じる慣れがある。
本考案は、半導体装置に於ける半導体チップの封止特性
を改善して信頼性を高め得るようにすることを目的とし
、基板に実装された半導体チップを低温度で気相成長さ
せた無定形シリコン皮膜で被覆し、その上を保護皮膜で
被覆してなることを特徴とする半導体装置、を提案する
もので、以下これを詳細に説明する。
を改善して信頼性を高め得るようにすることを目的とし
、基板に実装された半導体チップを低温度で気相成長さ
せた無定形シリコン皮膜で被覆し、その上を保護皮膜で
被覆してなることを特徴とする半導体装置、を提案する
もので、以下これを詳細に説明する。
本考案では前記したように、封止を無定形シリコンＳｉ
で行なうことが大きな特徴となっている。
で行なうことが大きな特徴となっている。
本考案に於ける無定形シリコンには、成長中の若干の酸
素０２が混入され二酸化シリコン５ｉｎ２状になったも
のも含まれる。
素０２が混入され二酸化シリコン５ｉｎ２状になったも
のも含まれる。
無定形シリコン皮膜は、例えば、モノシランＳｉＨ４ガ
スを例えばＩＭＨｚの高周波グロー放電でＳｉ＋２Ｈ２
↑の如く分解して生成する。
スを例えばＩＭＨｚの高周波グロー放電でＳｉ＋２Ｈ２
↑の如く分解して生成する。
このように、高周波エネルギを与えて生成させると、室
温程度の温度でも成長させることができ、２００℃程度
の温度では、高い効率で成長させることが出来る。
温程度の温度でも成長させることができ、２００℃程度
の温度では、高い効率で成長させることが出来る。
そして、例えば、温度７０℃で成長させた無定形シリコ
ン皮膜の比抵抗は、温度２１℃で測定した場合、１０１
１Ω・ｃｍ以上であって、絶縁性は極めて良好である。
ン皮膜の比抵抗は、温度２１℃で測定した場合、１０１
１Ω・ｃｍ以上であって、絶縁性は極めて良好である。
また、耐湿性も優れていて、例えば、水を用いて煮沸し
た場合の時間と吸水率の関係は第１図の実線Ａに見られ
る通りである。
た場合の時間と吸水率の関係は第１図の実線Ａに見られ
る通りである。
このテ゛−タは、無定形シリコン皮膜を１００ＯＡの厚
さにして得たものである。
さにして得たものである。
尚、破線Ｂはエポキシ樹脂皮膜のテ゛−夕を示すもので
ある。
ある。
第２図は本考案−実施例の要部側断面図を表わす。
図に於いて、１はアルミナ・セラミック基板、２はノー
ド線、３は半導体チップ、４は無定形シリコン皮膜、５
はエポキシ樹脂皮膜をそれぞれ示す。
ド線、３は半導体チップ、４は無定形シリコン皮膜、５
はエポキシ樹脂皮膜をそれぞれ示す。
この実施例では、無定形シリコン皮膜４の上にエポキシ
樹脂皮膜５を形成しであるが、これは、無定形シリコン
皮膜４が例えば１０００ Ａ程度の気相成長皮膜であっ
て極めて薄いものであるので、擦傷等に依り気密性が損
なわれるのを防止するためである。
樹脂皮膜５を形成しであるが、これは、無定形シリコン
皮膜４が例えば１０００ Ａ程度の気相成長皮膜であっ
て極めて薄いものであるので、擦傷等に依り気密性が損
なわれるのを防止するためである。
この場合のエポキシ樹脂被膜５は気密封止を目的として
形成するものでないから、前記の如き耐湿性、耐熱性等
に欠点があっても問題にならない。
形成するものでないから、前記の如き耐湿性、耐熱性等
に欠点があっても問題にならない。
以上の説明で判るように、本考案に於いては、半導体チ
ップを低温で気相成長した無定形シリコン皮膜で被覆し
であるので、耐湿性及び絶縁性良好な気密封止がなされ
、半導体チップの電気的特性は長期に亙り安定であり、
また、無定形シリコンは熱伝導性が良好であるから、半
導体チップで発生する熱は良好に放散され、熱に依る半
導体チップの劣化も少なくなる。
ップを低温で気相成長した無定形シリコン皮膜で被覆し
であるので、耐湿性及び絶縁性良好な気密封止がなされ
、半導体チップの電気的特性は長期に亙り安定であり、
また、無定形シリコンは熱伝導性が良好であるから、半
導体チップで発生する熱は良好に放散され、熱に依る半
導体チップの劣化も少なくなる。
また、無定形シリコン皮膜が薄くして、その上を例えば
樹脂を材料とする保護皮膜で被覆することに依り機械的
強度も充分に維持される。
樹脂を材料とする保護皮膜で被覆することに依り機械的
強度も充分に維持される。
第１図は無定形シリコン皮膜の特性を説明する線図、第
２図は本考案−実施例の要部側断面図をそれぞれ表わし
ている。 図に於いて、１は基板、２はリード線、３は半導体チッ
プ、４は無定形シリコン皮膜、５は樹脂皮膜をそれぞれ
示す。
２図は本考案−実施例の要部側断面図をそれぞれ表わし
ている。 図に於いて、１は基板、２はリード線、３は半導体チッ
プ、４は無定形シリコン皮膜、５は樹脂皮膜をそれぞれ
示す。
Claims (1)
- 基板に実装された半導体チップを低温度で気相成長させ
た無定形シリコン皮膜で被覆し、その上を保護皮膜で被
覆してなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1975179474U JPS5810356Y2 (ja) | 1975-12-26 | 1975-12-26 | ハンドウタイソウチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1975179474U JPS5810356Y2 (ja) | 1975-12-26 | 1975-12-26 | ハンドウタイソウチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5289958U JPS5289958U (ja) | 1977-07-05 |
| JPS5810356Y2 true JPS5810356Y2 (ja) | 1983-02-25 |
Family
ID=28657732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1975179474U Expired JPS5810356Y2 (ja) | 1975-12-26 | 1975-12-26 | ハンドウタイソウチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5810356Y2 (ja) |
-
1975
- 1975-12-26 JP JP1975179474U patent/JPS5810356Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5289958U (ja) | 1977-07-05 |
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