JPS58108086A - 磁気バブル転送回路 - Google Patents
磁気バブル転送回路Info
- Publication number
- JPS58108086A JPS58108086A JP56203757A JP20375781A JPS58108086A JP S58108086 A JPS58108086 A JP S58108086A JP 56203757 A JP56203757 A JP 56203757A JP 20375781 A JP20375781 A JP 20375781A JP S58108086 A JPS58108086 A JP S58108086A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer
- magnetic
- pattern
- transfer circuit
- magnetic bubble
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
- G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気バブル転送回路、％にある種の磁性薄板
中に外部から板面に垂直な・ζイアス磁界を印加するこ
とＫよ′夕安定に形成される円筒状磁区（磁気バブル）
を転送する磁気・（プル転送回路ｔｉｃ＠するものであ
る。
中に外部から板面に垂直な・ζイアス磁界を印加するこ
とＫよ′夕安定に形成される円筒状磁区（磁気バブル）
を転送する磁気・（プル転送回路ｔｉｃ＠するものであ
る。
一般に１磁気バブル転送回路としては、磁気Ｉ（プルを
形成する磁性薄板上にパーマロイ等の軟強磁性体薄膜の
微細パターンを形成し、上記〕（ターン内を回転する面
内磁界を加えることにより上記パターンを磁化すゐ方式
（フィールドアクセス方式）が用いられている。第１図
は、従来用いられているフィールドアクセス方式による
磁気／（プル転送回路の一例である。同図において転送
回路２は、個々の転送パターン１をその垂直方向（Ｑ方
向）Ｋ所定間隔幅ｇ、パターン周期λをもって配列構成
されている。３は回転面内磁界ＨＲであり、磁気バブル
４をＰ方向へ転送するため、転送パターン１に図中の回
転方向へ印加される。５Ｆｉ磁気バブル４を安定に形成
させるためのバイアス磁界である。第２図は、第１図に
示した磁気バブル転送回路の断面構造である。−は磁気
パズルを形成するためのＬＰＥ膜、１は・・−ドパプル
抑制層、８はハードバブル抑制層Ｔとコンダクタ層を絶
縁すルタｊ６の第１絶縁膜、ｌはコンダクタ層と転送パ
ターン層１０を絶縁するための第２絶縁膜、１１は保護
膜である。
形成する磁性薄板上にパーマロイ等の軟強磁性体薄膜の
微細パターンを形成し、上記〕（ターン内を回転する面
内磁界を加えることにより上記パターンを磁化すゐ方式
（フィールドアクセス方式）が用いられている。第１図
は、従来用いられているフィールドアクセス方式による
磁気／（プル転送回路の一例である。同図において転送
回路２は、個々の転送パターン１をその垂直方向（Ｑ方
向）Ｋ所定間隔幅ｇ、パターン周期λをもって配列構成
されている。３は回転面内磁界ＨＲであり、磁気バブル
４をＰ方向へ転送するため、転送パターン１に図中の回
転方向へ印加される。５Ｆｉ磁気バブル４を安定に形成
させるためのバイアス磁界である。第２図は、第１図に
示した磁気バブル転送回路の断面構造である。−は磁気
パズルを形成するためのＬＰＥ膜、１は・・−ドパプル
抑制層、８はハードバブル抑制層Ｔとコンダクタ層を絶
縁すルタｊ６の第１絶縁膜、ｌはコンダクタ層と転送パ
ターン層１０を絶縁するための第２絶縁膜、１１は保護
膜である。
近年、磁気バブル素子の高密度化にともない、磁気バブ
ル径もより小さいものが使用され、２μｍの値をとるよ
うＫなっている。又、磁気バブル素子の微細パターンも
よシ縮少化され、現在では磁気バフル径２ｆｉｔａの場
合、パターン間の間隔は１μ朧の値がとられ、転送パタ
ーン周期も８＃ｍ〜ｌＯμｍＯ値となっている。一方、
転送データレートを向上させ、パターンの縮少化にとも
なうゲート部の特性劣化を避けるため、２倍周期、４倍
周期方式が用いられるようになった。このため、転送パ
ターン周期を、８μ５ｘｌｏμｍから磁気バブル径の８
債権度である１６μｍ、又はそれ以上と、従来値より大
き（することが必要となった。
ル径もより小さいものが使用され、２μｍの値をとるよ
うＫなっている。又、磁気バブル素子の微細パターンも
よシ縮少化され、現在では磁気バフル径２ｆｉｔａの場
合、パターン間の間隔は１μ朧の値がとられ、転送パタ
ーン周期も８＃ｍ〜ｌＯμｍＯ値となっている。一方、
転送データレートを向上させ、パターンの縮少化にとも
なうゲート部の特性劣化を避けるため、２倍周期、４倍
周期方式が用いられるようになった。このため、転送パ
ターン周期を、８μ５ｘｌｏμｍから磁気バブル径の８
債権度である１６μｍ、又はそれ以上と、従来値より大
き（することが必要となった。
しかし、上記のパターン周期の大きな転送パターンによ
る磁気バブル転送回路を、第２図で示した従来技術によ
る積層構造により構成した場合、その転送バイアス磁界
マージンの下限は、転送パターン周期を大きくするほど
劣化することが明らかになっている。この原因は、転送
パターン周期が大きくなると転送パターンの体積も大き
くなり、そのため回転面内磁界により転送パターンに発
生する磁気バブル駆動用の磁極が不必要に大きくなり、
転送バイアス磁界マージン下限でのパズルの転送特性が
悪くなるためである。
る磁気バブル転送回路を、第２図で示した従来技術によ
る積層構造により構成した場合、その転送バイアス磁界
マージンの下限は、転送パターン周期を大きくするほど
劣化することが明らかになっている。この原因は、転送
パターン周期が大きくなると転送パターンの体積も大き
くなり、そのため回転面内磁界により転送パターンに発
生する磁気バブル駆動用の磁極が不必要に大きくなり、
転送バイアス磁界マージン下限でのパズルの転送特性が
悪くなるためである。
したがって本発明は、従来の磁気パズル転送回路におい
て、その転送パターン周期の増大にともない発生する欠
点を除去し、より転送特性のすぐれた磁気バブル転送回
路を提供することにある。
て、その転送パターン周期の増大にともない発生する欠
点を除去し、より転送特性のすぐれた磁気バブル転送回
路を提供することにある。
上記の目的を達成するため忙、本発明による磁気バブル
転送回路は、バブル径の８倍以上の転送パターン周期を
持つ磁気バブル転送回路において、転送パターン層の下
にコンダクタパターン層を配置することＫより転送パタ
ーン層とＬＰＥ膜との間隔を広げ、転送路パターンに発
生すゐ磁極によるバブル駆動力を弱めることＫより、転
送バイアス磁界マージン下限の劣化を改良するものであ
る。
転送回路は、バブル径の８倍以上の転送パターン周期を
持つ磁気バブル転送回路において、転送パターン層の下
にコンダクタパターン層を配置することＫより転送パタ
ーン層とＬＰＥ膜との間隔を広げ、転送路パターンに発
生すゐ磁極によるバブル駆動力を弱めることＫより、転
送バイアス磁界マージン下限の劣化を改良するものであ
る。
以下、本発明を実施例により説明する。
第３図は、転送パターンに非対称シェブロンパターンを
用いた場合の本発明による磁気バブル転送回路の一例で
ある。１２がコンダクタパターンである。第４図に、そ
の断面構造を示す。図において第２図と同一部分には同
一符号を付しである。
用いた場合の本発明による磁気バブル転送回路の一例で
ある。１２がコンダクタパターンである。第４図に、そ
の断面構造を示す。図において第２図と同一部分には同
一符号を付しである。
なお１３はコンダクタパターン層である。第３図の転送
回路を実際に作製し、その特性を比較評価した結果、従
来の転送回路にくらべ、転送バイアス磁界マージン下限
の劣化のないすぐれた特性が得られた。又、転送パター
ンに非対称シェブロンパターン以外のパターン（例えば
ハープディスクパターン）を使用し九場合、転送回路の
コーナ一部の場合に龜同様の効果が得られた。
回路を実際に作製し、その特性を比較評価した結果、従
来の転送回路にくらべ、転送バイアス磁界マージン下限
の劣化のないすぐれた特性が得られた。又、転送パター
ンに非対称シェブロンパターン以外のパターン（例えば
ハープディスクパターン）を使用し九場合、転送回路の
コーナ一部の場合に龜同様の効果が得られた。
このように１本発明によれば、転送パターン周期の大き
な転送パターンを用いた場合でも、従来の転送パターン
周期８Ｊｓｍ〜１０＃ｍの場合と同様、あるいはそれ以
上のすぐれた転送特性を得ることができる。又、コンダ
クタパターンを付は加えるだけであるため、バブルメモ
リ素子の製造１糧をふやす必要がないという利点がある
。
な転送パターンを用いた場合でも、従来の転送パターン
周期８Ｊｓｍ〜１０＃ｍの場合と同様、あるいはそれ以
上のすぐれた転送特性を得ることができる。又、コンダ
クタパターンを付は加えるだけであるため、バブルメモ
リ素子の製造１糧をふやす必要がないという利点がある
。
第１図は従来の磁気バブル転送回路の一例を示す平面図
、第２図はその断面図、第３図は本−明による磁気バブ
ル転送回路の一例を示す平面図、第４図はその断面図で
ある。 １・・・・転送パターン、４・・・・磁気バブル、６・
・・・ＬＰＥｌ［、７・・脅拳ハードバブル抑制層、８
・・φφ第１絶縁膜、９φ・・会館２絶縁膜、１０・・
・・転送パターン層、１１・・・・保８Ｍ、１２・・・
・コンダクタパターン、１３＠・・・コンダクタパター
ン層。 壷、、、 、−＜；、’ｉ 第１図 壷φ Ｒ 第２図 第３図 一一一−−−−−−−−−−／−−−一第４図
、第２図はその断面図、第３図は本−明による磁気バブ
ル転送回路の一例を示す平面図、第４図はその断面図で
ある。 １・・・・転送パターン、４・・・・磁気バブル、６・
・・・ＬＰＥｌ［、７・・脅拳ハードバブル抑制層、８
・・φφ第１絶縁膜、９φ・・会館２絶縁膜、１０・・
・・転送パターン層、１１・・・・保８Ｍ、１２・・・
・コンダクタパターン、１３＠・・・コンダクタパター
ン層。 壷、、、 、−＜；、’ｉ 第１図 壷φ Ｒ 第２図 第３図 一一一−−−−−−−−−−／−−−一第４図
Claims (1)
- バブル径の８倍以上の周期を有する転送ノくターンから
なる磁気バブル転送回路忙おいて、転送ノ（ターン層の
下にコンダクタパターン層を配電した仁とを特徴とする
磁気バブル転送回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56203757A JPS58108086A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 磁気バブル転送回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56203757A JPS58108086A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 磁気バブル転送回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58108086A true JPS58108086A (ja) | 1983-06-28 |
Family
ID=16479327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56203757A Pending JPS58108086A (ja) | 1981-12-18 | 1981-12-18 | 磁気バブル転送回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58108086A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS613387A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-09 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
-
1981
- 1981-12-18 JP JP56203757A patent/JPS58108086A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS613387A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-09 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2007052904A (ja) | 垂直磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH05274627A (ja) | 磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH0544086B2 (ja) | ||
| JPS58108086A (ja) | 磁気バブル転送回路 | |
| JP3394549B2 (ja) | ホリゾンタル磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| KR860002082A (ko) | 자기 변환기 헤드 구조물 | |
| JPS62114113A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JP2740586B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH01184611A (ja) | 誘導型薄膜磁気ヘッド | |
| JPS58115620A (ja) | 磁束検出型磁気ヘツド | |
| JPS5960723A (ja) | 薄膜磁気ヘツドのコア形成方法 | |
| JPH06314414A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPH06274832A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JPS5919221A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JPH06274836A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JPS5942622A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0546935A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS6059513A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH09134508A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPS5857617A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPS5914118A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド | |
| JPS6040591A (ja) | 磁気バブルメモリ素子 | |
| JPS58199426A (ja) | 薄膜磁気ヘツド | |
| JPH0346109A (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPS63142509A (ja) | 誘導型薄膜磁気ヘツド |