JPS5810852B2 - ヒシヨウシツチタンサンビスマス ノ エツチングエキ - Google Patents
ヒシヨウシツチタンサンビスマス ノ エツチングエキInfo
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- JPS5810852B2 JPS5810852B2 JP2878074A JP2878074A JPS5810852B2 JP S5810852 B2 JPS5810852 B2 JP S5810852B2 JP 2878074 A JP2878074 A JP 2878074A JP 2878074 A JP2878074 A JP 2878074A JP S5810852 B2 JPS5810852 B2 JP S5810852B2
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- etching
- bismuth
- bismuth titanate
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Links
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Landscapes
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- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明バチタン酸ビスマス特に非晶質チタン酸ビスマ
スのエツチング液に関するものである。
スのエツチング液に関するものである。
従来、単結晶チタン酸ビスマスに対しては、塩酸や硝酸
の単独液がエツチング液として使用されてきた。
の単独液がエツチング液として使用されてきた。
単結晶チタン酸ビスマスには有効なこれラノエッチング
液も、非晶質のチタン酸ビスマスに対しては、エツチン
グ速度が速すぎるために、エツチング速度を十分に制御
することが困難であり、またエツチング速度が個所によ
り不均一になるなど欠点があり、かつそれに代る優秀な
エツチング液は知られていなかった。
液も、非晶質のチタン酸ビスマスに対しては、エツチン
グ速度が速すぎるために、エツチング速度を十分に制御
することが困難であり、またエツチング速度が個所によ
り不均一になるなど欠点があり、かつそれに代る優秀な
エツチング液は知られていなかった。
この発明は、たとえば半導体装置の製造工程など他の複
雑な工程と組み合わせた条件の下でもエツチングにより
得られるチタン酸ビスマス部の形状がだれることなく鋭
く切られ、かつ全体的に平滑ニエッチングすることので
きる優れた非晶質チタン酸ビスマスのエツチング液を提
供するものである。
雑な工程と組み合わせた条件の下でもエツチングにより
得られるチタン酸ビスマス部の形状がだれることなく鋭
く切られ、かつ全体的に平滑ニエッチングすることので
きる優れた非晶質チタン酸ビスマスのエツチング液を提
供するものである。
次に本発明を実施の一例として、半導体にシリコンを用
い、シリコン基板上に形成した非晶質チタン酸ビスマス
を絶縁ゲートとする絶縁ゲート電界効果型トランジスタ
を製造する場合をとりあげて説明する。
い、シリコン基板上に形成した非晶質チタン酸ビスマス
を絶縁ゲートとする絶縁ゲート電界効果型トランジスタ
を製造する場合をとりあげて説明する。
絶縁ゲート部分をフォトレジストで覆い、他の部分の非
晶質チタン酸ビスマスをエツチングする必要がある。
晶質チタン酸ビスマスをエツチングする必要がある。
エツチング液として、容積比にして、水１００、濃度７
０％の硝酸１０、濃度４９％の弗酸２の混合液を用いる
と、膜厚１．２μｍの非晶質チタン酸ビスマスに対して
、常温で２３〜２４秒でエツチングの終点となる。
０％の硝酸１０、濃度４９％の弗酸２の混合液を用いる
と、膜厚１．２μｍの非晶質チタン酸ビスマスに対して
、常温で２３〜２４秒でエツチングの終点となる。
この条件下でのエツチング速度は５４０Ａ°／秒でオー
バーエツチングされることはなく、またエツチング面の
切れが鋭く、基板全面が均一性よく平滑にエツチングさ
れていた。
バーエツチングされることはなく、またエツチング面の
切れが鋭く、基板全面が均一性よく平滑にエツチングさ
れていた。
図には水１００、濃度４９係の弗酸２に附加する濃度７
０係の硝酸の容積比をＺとし、Ｚを変化させた時の室温
におけるエツチング速度Ｒの変化を示している。
０係の硝酸の容積比をＺとし、Ｚを変化させた時の室温
におけるエツチング速度Ｒの変化を示している。
Ｚが５より小さくなると、エツチング速度が遅くなるこ
とに加工、更にチタン酸ビスマス膜が剥れてしまう傾向
があり好ましくない。
とに加工、更にチタン酸ビスマス膜が剥れてしまう傾向
があり好ましくない。
また２が３０より大きくなると、エツチング速度が極め
て速くなり、オーバーエツチングを起すなど制御が困難
になることに加えて、気泡が多く発生し、その上この気
泡が局部的に集中して基板上に残存するため所望の形状
のチタン酸ビスマスを得ることが困難となる。
て速くなり、オーバーエツチングを起すなど制御が困難
になることに加えて、気泡が多く発生し、その上この気
泡が局部的に集中して基板上に残存するため所望の形状
のチタン酸ビスマスを得ることが困難となる。
図は、水１００、弗酸２に附加する硝酸の割合を変化さ
せたときの室温におけるエツチング速度の変化を示すも
のである。
せたときの室温におけるエツチング速度の変化を示すも
のである。
Claims (1)
- １ 容積比で、水１００、硝酸５以上３０以下、弗酸２
を混合してなる非晶質チタン酸ビスマスのエツチング液
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2878074A JPS5810852B2 (ja) | 1974-03-13 | 1974-03-13 | ヒシヨウシツチタンサンビスマス ノ エツチングエキ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2878074A JPS5810852B2 (ja) | 1974-03-13 | 1974-03-13 | ヒシヨウシツチタンサンビスマス ノ エツチングエキ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS50122477A JPS50122477A (ja) | 1975-09-26 |
| JPS5810852B2 true JPS5810852B2 (ja) | 1983-02-28 |
Family
ID=12257907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2878074A Expired JPS5810852B2 (ja) | 1974-03-13 | 1974-03-13 | ヒシヨウシツチタンサンビスマス ノ エツチングエキ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5810852B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0968979A1 (en) * | 1998-06-30 | 2000-01-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Etching of Bi-based metal oxides ceramics |
-
1974
- 1974-03-13 JP JP2878074A patent/JPS5810852B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0968979A1 (en) * | 1998-06-30 | 2000-01-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Etching of Bi-based metal oxides ceramics |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS50122477A (ja) | 1975-09-26 |
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