SU521802A1 - Способ селективного формировани источника базы при изготовлении транзисторных структур - Google Patents

Description

(54) СПОСОБ СЕЛЕКТИВНОГО ФОРМИРОВАНИЯ ИСТОЧНИКА БАЗЫ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР

Claims (2)

1. Изобретение относитс  к изготовлению транзисторных структур дл  сверхбыстродействующих и мйломощных интегральных схем, имеющих микронные размеры базы и субмикронные размеры эмиттера, ко тактных окон эмиттера и базы, Известен способ изготовлени  тран зисторных структур, включающий нанесе ние многослойного покрыти , формирование базовой области из легирующего примесного стекла, нанесение на поверхность термического окисла, создание окна дл  формировали  эмиттера, диффузшо из примесного стекла д/ш получени  эмиттер«ой области и нанесение контактных площадок Однако в этом способе наблюдаетс  боаьша  погрешность совмещени , обусловленна  точностью совмещени  фотошаб лона с пластиной, Известен также способ селективного формировани  источника базы при изготов лении транзисторных структур, включак щий нанесение низкотемпературным способом неоднородного покрыти , содержащего легирующий, экранирующий и маскирующий слои, н его фотолитографию. Но при таком методе ширина окна эмиттера зависит от точности совмещени  фотошаблона с пластиной, котора  составл ет не менее + 0,5 мкм (ошибка установок совмещени ), а такой разброс по ширине окна недопустим при получении окон субмикронных размеров, кроме того применение окиси алюмини  как легирующего вещества неудобно, так как диффузи  из него проводитс  в атмосфере водфода , а экранирует он гораздо хуже некоторых материалов (примерно в двадцать раз хуже, чем слой алюмосиликатнаго стекла). Цель изобретени  - получение самосовмещаюшихс  окон эмиттера с базовой областью контактных окон базы и эмиттера . Это достигаетс  тем, что источник которого легирующий и экранирующий слои имеют одинаковые размеры, а ширина маскирующего сло  на двойную ширину эмиттера меньше их, формируют с помощью травитеп , раствор ющего маскирующий и легирующий слой со скоростью бопыирй, чем экранирующий слой. Травление производ т травителем К, включающим О-травитель, в состав которого входит , об. ч: Концентрированна  фтористов{ дородна  кислота1 Лед на  уксусна  кислота3 Однопроцентный раствор щавелевой кислоты25 и 21 -травитель, в состав которого входит , об. ч.: Концентрированна  ортофосфор- на  кислота85 Концентрированна  фтористоводородна  кислета20 . На фиг. 1 показана пластина, покрыта  неоднородным покрытием с защитным рельефом из фоторезиста; .; на фиг. 2 источник базы, сформированный предоа гаемым способом, продопЬный разрез. При формировании источника базы на попупроводниковой пластине 1 (фиг. 1) формируетс  неоднородное покрытие, состо щее из легирующего сло  2, например, бфосиликатного стекла, нанесенного из раствора, экранирующего сло  3, например , алюмосиликатного стекла, осажденного центрифугированием из раствора, маскирующего сло  4, например, двуокиси кремни , осажденного из раствора. Указанные слои могут быть осаждены и другими низкотемпературными способами. Из фоторезиста 5 (фиг. 1) формируют защитный рельеф требуемого рисунка, готов т К-травитель смешиванием О-трав тел , состо щего из 1 об. ч. концентрированной фтористоводородной кислоты 3 об. ч лед ной уксусной кислоты, 25 об. ч однопроцентного водного раствора щавелевой кислоты и 2 Р-трааител , состо ще го из 85 об. ч. концентрированной ортофосфорной кислоты и 20 об. ч. концентри рованной фтористоводородной кислоты.. К-травитель быстро раствор ет легирую ищи слой 2 (боросиликатное стекло) и маскирующий слой 4 tдвуокись кремни ) и медленнее - экранирующий слой 3 (алю м.осиликатное стекло). Скорости травлени подбираютс  так, чтобы за врем  формир вани  источника базы ширина маскирующе го сло  4 достигла бы требуемых размер После травлени  одним из известных спо бов снимают фоторезист 5 иполучают стр туру, показанную на фиг. 2. Соотнощение скоростей травлени  слоев 3 и 4, соответственно экранируюего и маскирующего7определ ют щирину а экранирующего сло  3, незащищеного маскирующим (будущее -. окно эмит ера и контакта базы),Сооткощение скоостей травлени  регулируетс  соотнощеием количества травителей О и 2 F. Изенение соотнощени  скоростей травле ни  разрещает получать разные значени  Предлагаемый способ разрещает получать самосовмещающиеса структуры мик ронных и субмикронных размеров. Шир№на селективно открывающихс  окон не зависит ни от ширины окна в фотошаблоне, ни от точности совмещени . Кроме того, получение структур субмикронных размеров не требует нового оборудовани , а осуществл етс  стандартным оборудованием контактной фотолитографии. Формула изобретени  1 Способ селективного формировани  источника базы при изготовлении транзисторных структур, включающий нанесение низкотемпературным способом неоднородного покрыти , содержащего легирующий , экранирующий и маскирующий слой, его фотолитографию, отличающийс  тем, что, с целью получени  самосовменшющихс  окон эмиттера с базовой областью контактных окон базы и эмиттера, источник базы, у которого легирующий и экр&нирующий слой имели бы одинаковые размеры , а ширина маскирующего сло  бьша бы меньше их на двойную ширину эмиттера , формируют с помощью травктел , рас- вор ющего маскируюиадй и легирующий слой со скоростью большей, чем экранирующий.
2. 2. Способ по п. 1, о т ли ч а ющ и и с   тем, что травление гфоизвод т травителем К, включающим О-травитель в состав которого входит, об. ч.: Концентрированна  фтористоводородна  кислота1 Лед на уксусна  кислота3 Однопроцентный раствор щавелевой кислоты 25 и 2F- травитель, в сост«..в которого входит , об. ч.: Концентрированна  ортофоофорна  кислота85 Концентрированна  фторист{ водородна  кислота2О