JPS58108823A - レベルシフト回路 - Google Patents

レベルシフト回路

Info

Publication number
JPS58108823A
JPS58108823A JP56208578A JP20857881A JPS58108823A JP S58108823 A JPS58108823 A JP S58108823A JP 56208578 A JP56208578 A JP 56208578A JP 20857881 A JP20857881 A JP 20857881A JP S58108823 A JPS58108823 A JP S58108823A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
emitter
collector
base
constant current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP56208578A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0211044B2 (ja
Inventor
Hiroshi Mizuguchi
博 水口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP56208578A priority Critical patent/JPS58108823A/ja
Publication of JPS58108823A publication Critical patent/JPS58108823A/ja
Publication of JPH0211044B2 publication Critical patent/JPH0211044B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/003Changing the DC level

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は入力端子に印加される微小入力信号を一定の直
流レベルだけレベルシフトさせたのち次段に伝達するレ
ベルシフト回路に係り、きわめて簡単な構成工、シかも
、低い電源電圧のもとでも安定に動作する回、路を実現
することを目的とするものである。
第1図に2本発明の一実施例に係るレベルシフト回路の
回路結線図を示す。第1図において、入力端子Xにはト
ランジスタ1のベースが接続され、前記トランジスタ1
のコレクタには前記トランジスタ1と相補型(PNPに
対してNPN)のトランジスタ2のベースが接続されて
いる。前記トランジスタ2のエミッタはマイナス側給電
線路2に接続され、前記トランジスタ1のエミッ久と前
記トランジスタ2.のコレクタの間には、ベース・コレ
クタ間が短絡されてダイオード接続されたトランジスタ
3のエミッタおよびベースが接続されている。前記トラ
ンジスタ2のコレクタと出力端子Yの間には負荷として
の抵抗4が接続され、プラス側給電線路すと出力端子Y
との間には定電流源6が接続され、また、前記給電線路
すと前記トランジスタ1のエミッタの間には別の定電流
源6が接続されている。
なお、前記プラス側給電線路すはプラス側給電端子Bに
接続され、前記マイナス側給電線路1はマイナス側給電
端子Gに接続されている。
さて、第1図において、トランジスタ1のベース・エミ
ッタ間順方向電圧とトランジスタ3のベース・エミッタ
間順方向電圧がほぼ等しいものとする1と、トランジス
タ2が完全飽和に至らない範・:1 囲においては、入力端子Xのレベルと前記トランジスタ
2のコレクタのレベルは同じになる。
すなわち、ある時点において入力端子Xのレベルが以前
よりも下降したとすると、トランジスタ1とトランジス
タ3のバランス状態がくずれ、前記トランジスタ1のエ
ミッタ電流が増加する反面。
前記トランジスタ3のエミッタ電流は減少する。
その結果、トランジスタ20ベース電流が増加して、前
記トランジスタ2のコレクタのレベルは下降し、結局、
入力端子Xのレベルと前記トランジスタ2のコレクタの
レベルが等しくなった状態で前記トランジスタ1と前記
トランジスタ3のバランス状態が保たれる。
一方、定電流源6からは一定電流■。が抵抗4に供給さ
れ、前記抵抗4の両端には一定の電圧降下が生じる。
ここで、前記抵抗4の抵抗値をRとし、入力端子Xに印
加される信号電圧をeiとすると、出力端子Yに現われ
る信号電圧e0は次式の様になる。
e0=e、+ IOR したがって、第1図の回路は入力端子Xに印加される入
力信号を一定レベルだけ直流的にシフトさせて出力端子
Yに供給する機能を有していることになる。
ところで、第1図に示したレベルシフト回路はきわめて
簡単な回路構成となっているだけでなく。
1.6v前後の低い電源電圧のもとでも充分安定な動−
作を期待することが出来る。
例えば、定電流源6および6としてはよく知られたカレ
ントミラー回路を用いることが出来、その場合、第1図
の定電流源6および6の箇所にカレントミラー回路を構
成するトランジスタ(PNP形)のコレクタ、エミッタ
が接続されるだけであるから、そのコレクタ・エミッタ
間電圧は0.3V程度でも動作させることが出来、第1
図のトランジスタ3のベース・エミッタ間順方向電圧が
0.7V程度で、微小信号を扱う場合にはトランジスタ
2のコレクタ・エミッタ間電圧も0.4v前後あれば充
分であるから、これらの電圧を加算しても1.4V程度
となる。
おいて提案した回路などによって得る様にすれば、1.
6V程度の低い電源電圧のもとでも安定な定電流源を実
現することが出来る。
さて1本発明の実施態様は必らずしも第1図の回路に限
定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能
である。例えば、第2図に例示した様に、トランジスタ
3のコレクタをベースに接続せずにマイナス側給電線路
りに接続すれば1回路をモノリシックIC化する場合に
、トランジスタ3としてサブストレートPNP トラン
ジスタを用いることが出来るのでチップサイズも小さく
なるし、動作ゲインが上昇して追従性が良くなる。
また、必要に応じてトランジスタ2のベース・エミッタ
間に抵抗7などを接続すれば、トランジスタの漏洩電流
をバイパスさせることが出来るので、温度安定性を向上
させ得る。
さらに第3図に示した様にトランジスタ3の代りに単な
るダイオード8を用いても良いし、抵抗4の代りにダイ
オード9を用いることも出来る。
以上の様に本発明のレベルシフト回路は、入力端子にベ
ースが接続された第1のトランジスタ(前記実施例のト
ランジスタ1に相当)と、前記第1のトランジスタと相
補型であって、ペースが前記第1のトランジスタのコレ
クタに接続され、エミッタが一方の給電線路に接続され
た第2のトランジスタ(トランジスタ2に相当)と、前
記第1のトランジスタのエミッタと前記第2のトランジ
スタのコレクタの間に接続されたダイオード手段(トラ
ンジスタ3のベース・エミッタ間接合あるいはダイオー
ド8に相当)と、前記第2のトランジスタのコレクタと
出力端子の間に接続された負荷手段(抵抗4あるいはダ
イオード9に相当)と、他方の給電線路と前記出力端子
の間に接続された第1の定電流手段(定電流源6に相当
)と、他方の給電線路と前記第1のトランジスタのエミ
ッタの間に接続された第2の定電流手段(定電流源6に
相当)を備えたことを特徴とするもので、きわめて簡単
な構成で低い電源電圧のもとでも動作させることが出来
るという大なる効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図、第3図はいずれも本発明の各実施例に
係るレベルシフト回路の回路結線図である。 1.2,3・・−−−−)ランジスタ、41・・・・抵
抗、66・・・・・・定電流源、8,9・・・・・・ダ
イオード。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名F : コ 一■ …  。 正 ) →8 oY →G →β oY →B →Y

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)入力端子にベースが接続された第1のトランジス
    タと、前記第1のトランジスタと相補型であって、ベー
    スが前記第1のトランジスタのコレクタに接続され、エ
    ミッタが一方の給電線路に接続された第2のトランジス
    タと、前記第1のトランジスタのエミッタと前記第2の
    トランジスタのコレクタの間に接続されたダイオード手
    段と、前記第2のトランジスタのコレクタと出力端子の
    間に接続された負荷手段と、他方の給電線路と前記出力
    端子の間に接続された第1の定電流手段と、他方の給電
    線路と前記第1のトランジスタのエミッタの間に接続さ
    れた第2の定電流手段を備えたことを特徴とするレベル
    シフト回路。 (→ 特許請求の範囲第(1)項の記載において、第3
    のトランジスタのベースを前記第2のトランジスタのコ
    レクタに接続し、同エミッタを前記第1のトランジスタ
    のエミッタに接続するとともに同コレクタを一方の給電
    線路に接、続し、前記第3のトランジスタのベース・工
    すメ間接合によって前記ダイオード手段を構成したこと
    を特徴とするレベルシフト回路。
JP56208578A 1981-12-22 1981-12-22 レベルシフト回路 Granted JPS58108823A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56208578A JPS58108823A (ja) 1981-12-22 1981-12-22 レベルシフト回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56208578A JPS58108823A (ja) 1981-12-22 1981-12-22 レベルシフト回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58108823A true JPS58108823A (ja) 1983-06-29
JPH0211044B2 JPH0211044B2 (ja) 1990-03-12

Family

ID=16558500

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56208578A Granted JPS58108823A (ja) 1981-12-22 1981-12-22 レベルシフト回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58108823A (ja)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5654127A (en) * 1979-10-09 1981-05-14 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5654127A (en) * 1979-10-09 1981-05-14 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0211044B2 (ja) 1990-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS61230411A (ja) 電気回路
US4591804A (en) Cascode current-source arrangement having dual current paths
JPH0449287B2 (ja)
JPH0682308B2 (ja) 電流源回路配置
JPH0339426B2 (ja)
JPS58108823A (ja) レベルシフト回路
US4812734A (en) Current-mirror arrangement
US5764105A (en) Push-pull output circuit method
JPH0413692Y2 (ja)
JPS62237805A (ja) 電圧増幅回路
JPH0421365B2 (ja)
JPS6157111A (ja) 比較器
JPS5967018U (ja) バイアス回路
JPH0434567Y2 (ja)
JPS643407B2 (ja)
JPS61105917A (ja) 低電圧用バツフア回路
JP2829738B2 (ja) コンパレータ
JPS63231514A (ja) 半導体集積回路
JPS62234406A (ja) 電力増幅回路
JPH01115205A (ja) 最大値出力回路
JPS58107706A (ja) カレントミラ−回路
JPS61120219A (ja) 定電圧回路
JPS6252489B2 (ja)
JPH04278611A (ja) 定電流回路
JPS59156010A (ja) 出力増幅器のドライバ段回路