JPS5810926A - スイッチ回路 - Google Patents

スイッチ回路

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Publication number
JPS5810926A
JPS5810926A JP56108576A JP10857681A JPS5810926A JP S5810926 A JPS5810926 A JP S5810926A JP 56108576 A JP56108576 A JP 56108576A JP 10857681 A JP10857681 A JP 10857681A JP S5810926 A JPS5810926 A JP S5810926A
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JP
Japan
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junction fet
fet
source
fetq
gate
Prior art date
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Application number
JP56108576A
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English (en)
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JPS644695B2 (ja
Inventor
Masahiko Mizoguchi
正彦 溝口
Takeshi Sato
剛士 佐藤
Kozo Nuriya
塗矢 康三
Ken Morita
森田 研
Sakae Hamano
浜野 栄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP56108576A priority Critical patent/JPS5810926A/ja
Publication of JPS5810926A publication Critical patent/JPS5810926A/ja
Publication of JPS644695B2 publication Critical patent/JPS644695B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors

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  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は接合型FETを用いたスイッチ回路に関し、高
ダイナミンクレンジ、低歪率、零オフセク)を実現する
という従来の機能を維持しつつ、コントロール信号のス
イッチング速度によpてスイッチ回路の入出力端子間に
直流電圧が発生するのを防ぐことにより、ショック音が
発生しないようにしたものである。
第1図に接合型FETを用いた従来のスイッチ回路を示
す。第1図中01はスイッチ素子として動作する接合型
FET、RはFETQ、をオンさせる為のバイアス抵抗
、1,2はFETQ、のソース、ドレインに設けられた
入出力端子、3はFETQ、のゲートに設けられたコン
トロール端子、eは信号源、RLは負荷、Iはコントロ
ール端子3に流れるコントロール電流を示す。
第1図のコントロール端子3をフローティング状態にす
れば、抵抗Hによりゲート・ソース間が零バイアスとな
り、FETQ、はオンする1、逆にR4の両端の電圧降
下がピンチオフ電圧vP以上の電圧になるようなコント
ロール電流工を流すことにより、FETQ、はオフする
。このような接合型FETと用いたスイッチ回路は、ダ
イナミックレンジが高く、歪率が低く、オフセノトレな
いという優れた機能を備えている。
3八− しかしこの回路では、FETQ、をオフさせる時のスイ
ッチング速度が早いと、FETQ、の極間容量の変化が
スイッチング速度に通従しきれないため、コントロール
端子3よシ抵抗R7を通してFETQ、のソース側へ電
流が流れ、F E T Q。
のソース・アース間にオフセット電圧が発生し、これが
、DCドリフト・ショック音となりて現われるという問
題がある。
この問題を解決するために従来より第2図に示すような
回路が考えられている。第2図において、01、O2は
第1.第2の接合型FET、R2は第2のF E T 
O2をオンさせる為の第1の抵抗、Rは第2のFETO
2をオフさせる為の第2の抵抗、1,2は第1のFET
Q、のソース・ドレインに設けられた入出力端子、3は
第1のFETQl、第2のFETO2をオン・オフさせ
るコントロール端子、eは信号源、RLは負荷である。
この回路においては、コントロール電流Iが抵抗R2,
R3を通じてアースに流れる為、スイッチとして動作す
る第1のFETQ、のソース・アース間には全くオフセ
ット電圧が発生しない。しかしこの回路においても、第
2のF E T O2がオン状態からオフ状態に移行す
る間に、コントロール電流が抵抗R2とF E T O
2に分流して流れる為、過渡的な電圧が第1のFETQ
、のソース・アース間に発生するという問題が残る。こ
のため第1図、第2図のいずれの場合もオーディオ信号
の切換用に用いると、切換時にシ目ツク音が現われると
いう問題がある。
本発明はこのような問題を解決し、オーディオ信号切換
用スイッチとしても使用できるようにしたスイッチ回路
を提供するものである。
第3図に本発明の一実施例を示す。第3図においてO7
,O2は第1.第2の接合型FET5R3は第1のFE
TQ、をオフさせる為の抵抗、2は第2のF E T 
O2をオフさせる為の定電圧素子、1.2は入出力端子
、3はコントロール端子、eは信号源、RLは負荷、■
はコントロール電圧である。第3図から明らかなように
、これは42図の抵抗R1を定電圧素子ZK置き換えた
ものであ1− るO 第3図において、第1のFETQ、をオンさせる条件は
v=0(すなわちコントロール端子3をフローティング
状態にする)である。コントロール端子3が完全にフロ
ーティング状態であれば、第2のFETQ  は、第2
のF E T O2のゲート・ソース度容量及び定電圧
素子Zの端子間容量によりオンする。この時第2のF 
E T O2のオン抵抗が抵抗R3に比べて非常に小さ
くなるよう抵抗Hの値を選べば、第1のFETQ、のゲ
ート・ソース間は短絡されたことになり、第1のFIT
Q、はオンする。
逆に第1のFETQ、をオンするには、第1のFETQ
、のピンチオフ電圧vPと、第2C7)FETO2のピ
ンチオフ電圧以上となるように選ばれた定電圧素子Zの
電圧値の和以上の電圧をコントロール端子3に与えれば
よい。このようにすれば、第1のFETQ、のゲートに
これをオフにするようなコントロール電圧が加えられて
いる時、第2のFETO2は常に完全にオフしている為
、第1のFETQ  のソース・アース間に電圧が発生
すす ることはない。したがって切換えに伴うショック音は全
く発生しない。
なお、実際に応用する場合には、第4図に示すように定
電圧素子2と並列に、大振幅信号や比較的周波数の高い
信号でも第2のF E T O2を確実にオン状態に保
りておくコンデンサCを挿入することが望ましい。
以上のように本発明は第1の接合型FETのゲート・ソ
ース間に第2の接合型FETのソース。
ドレインを接続し、第1.第2の接合型FETのゲート
間に定電圧幸子を接続し、かつ第1の接合型FETのゲ
ート・アース間に抵抗を接続し、第2の接合型FETの
ゲート電流を断続することにより第1の接合5FETを
オンオン制御するようにしたものであるから、上記定電
圧素子の働きによりて、第1の接合型FETがオンにな
るときに第2の接合型FETを完全にオフにすることが
でき、纂1の接合型FETのソース・アース間に電圧が
発生するのを確実に防止することができる。
7、  。
したがりて従来の高ダイナミツクレンジ、低歪率。
零オフセ、)という機能を維持しつつ、切換時の直流変
動のないスイッチ回路を実現することができ、これによ
りてオーディオ用のスイッチ回路として用いても何ら差
支えない優れたスイッチ回路を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のスイッチ回路の一例を示す回路図、第2
図は第1図を改善した他の従来例を示す回路図、第3図
、第4図は本発明の第1.第2の実施例を示す回路図で
ある。 1.2・・・・・・入出力端子、3・・・・・・コント
ロール端子、Q7.Q2・−・・・・第1.第2の接合
型FET。 P ・・・・・・抵抗、2・・・・・・定電圧素子、C
・・・−・・コンデンサ、e・・・・・・信号源、RL
・・・・・・負荷、!・・・・・コントロール電流、V
・・・・・−コントロール電圧。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名Il
1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第1の接合型FETのソース・ドレインを入出力端子と
    し、上記第1の接合型FETのゲート・ソース間に第2
    の接合型FETのソース・トーレインを接続し、上記第
    1の接合型FETのゲートと上記第2の接合型F’ E
     Tのゲート間に定電圧素子を接続し、上記第1の接合
    型FETのゲート・アース間に抵抗を接続し、上記第2
    の接合型FETのゲートをコントロール端子とし、上記
    コントロール端子に流れる電流を断続することにより、
    上記第1の接合型FETをオン・オフするように構成し
    たスイッチ回路。
JP56108576A 1981-07-10 1981-07-10 スイッチ回路 Granted JPS5810926A (ja)

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JPS5810926A true JPS5810926A (ja) 1983-01-21
JPS644695B2 JPS644695B2 (ja) 1989-01-26

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ID=14488310

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6270623U (ja) * 1985-10-22 1987-05-06
CN102684657A (zh) * 2011-03-11 2012-09-19 西安龙飞软件有限公司 一种普通模拟开关切换负压信号的方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4735843U (ja) * 1971-05-13 1972-12-21
JPS5257769A (en) * 1975-11-07 1977-05-12 Hitachi Ltd Analog switch

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JPS644695B2 (ja) 1989-01-26

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