JPS58111046A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS58111046A JPS58111046A JP20913181A JP20913181A JPS58111046A JP S58111046 A JPS58111046 A JP S58111046A JP 20913181 A JP20913181 A JP 20913181A JP 20913181 A JP20913181 A JP 20913181A JP S58111046 A JPS58111046 A JP S58111046A
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- JP
- Japan
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- hardness
- photoconductor
- alloy
- silicon
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/08207—Selenium-based
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
- G03G5/102—Bases for charge-receiving or other layers consisting of or comprising metals
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真用感光体に係り、特に光導電体を被膜
する基板の材質に関する。
する基板の材質に関する。
電子写真用光導電体は、通常アルミニウム、又はその合
金及び鏑等の導電性基板上に、光導電膜を蒸着、スパッ
タ及び浸すい等の方法によって形成させた構造を有して
いる。一般に、光導電属は無定形セレン、アモ／・ファ
スシリコン及び有機光導電材が用いられている。
金及び鏑等の導電性基板上に、光導電膜を蒸着、スパッ
タ及び浸すい等の方法によって形成させた構造を有して
いる。一般に、光導電属は無定形セレン、アモ／・ファ
スシリコン及び有機光導電材が用いられている。
このような光導電体を有する感光体を使用した電子岑真
用印刷においては、前記光導電体を繰シ０返し使用し走
時の印刷性能の劣化を少なくすることが重要な問題でる
る、この印刷性能の劣化ｔｉｔ、光導電体の表面の硬さ
が小さいことに主な原因かめる。ガえば、高速ノンイン
パクトプリンタでは、光導電体として、アルミニウム等
の基板に無定形セレン層を蒸着によって形成したものが
用いられている。この光導電属（光導電体Ｊは、ｊｊ！
像され次トナー像を紙に転写する過程、るるいは残留ト
ナーをファプ２シ等によｐ除去する過程で、機械的損傷
を受ける。前記、無定形セレン光導電族は、電子写真用
光導電膜として好ましい光感匿を有するため使用されて
いる。しかしながら、セレンの硬さがモース硬さで２＠
！藏と極めて軟かいために、前記過程を経る都友に、表
向にすり傷が発生する。
用印刷においては、前記光導電体を繰シ０返し使用し走
時の印刷性能の劣化を少なくすることが重要な問題でる
る、この印刷性能の劣化ｔｉｔ、光導電体の表面の硬さ
が小さいことに主な原因かめる。ガえば、高速ノンイン
パクトプリンタでは、光導電体として、アルミニウム等
の基板に無定形セレン層を蒸着によって形成したものが
用いられている。この光導電属（光導電体Ｊは、ｊｊ！
像され次トナー像を紙に転写する過程、るるいは残留ト
ナーをファプ２シ等によｐ除去する過程で、機械的損傷
を受ける。前記、無定形セレン光導電族は、電子写真用
光導電膜として好ましい光感匿を有するため使用されて
いる。しかしながら、セレンの硬さがモース硬さで２＠
！藏と極めて軟かいために、前記過程を経る都友に、表
向にすり傷が発生する。
光導ＩＩＬ膜の表向にすり傷が生じると、この部分より
無定形セレンの結晶化が起こり帯電しにくくなる。この
結果、電子写真に必要な光導電膜上の電位差が得られな
くな９、印刷が不鮮明となる欠点が生じる。
無定形セレンの結晶化が起こり帯電しにくくなる。この
結果、電子写真に必要な光導電膜上の電位差が得られな
くな９、印刷が不鮮明となる欠点が生じる。
そこで、光導電膜の倣さを＾める手段として、光導ＩＥ
胸Ｏ表崗層に七しンーテルルーアンチモンの合金層を真
空蒸着によって形成する方法かめる。
胸Ｏ表崗層に七しンーテルルーアンチモンの合金層を真
空蒸着によって形成する方法かめる。
ところがこの方法によっても、光導電膜の表面硬さは、
一般に電子写真用屍導電展の硬さ評価法として用いられ
ている鉛練硬！ＩＬ法で言うと、圧痕硬さが３〜４ Ｈ
ｆ１ｌｉ！Ｍｊでるり、印刷可能ページ数は約２０〜３
０万ページ根しかない。この程度の寿命では、光導電体
が比較的Ａｉｄｆｉなものでるることから満足できるも
のではない。
一般に電子写真用屍導電展の硬さ評価法として用いられ
ている鉛練硬！ＩＬ法で言うと、圧痕硬さが３〜４ Ｈ
ｆ１ｌｉ！Ｍｊでるり、印刷可能ページ数は約２０〜３
０万ページ根しかない。この程度の寿命では、光導電体
が比較的Ａｉｄｆｉなものでるることから満足できるも
のではない。
また光導電基板としては、従来比重の軽いアルミニウム
合雀（Ｈ，４０のＡｔ−８ｉ合金、Ｈ。
合雀（Ｈ，４０のＡｔ−８ｉ合金、Ｈ。
６０〜８０のＡｔ−Ａｔ−１１ｉ１ ｉ合戴）が用いら
れ、特に、Ｈｖ６０〜８０のｈｔ−Ｍｇ−ｓｔ時効硬化
型合金を用いることＩｃより、光導電体の懐ｔｔ鉛拳硬
度で６Ｈとすることができることが、最近見い出され７
’ｃ（％ｍ陥５５−１３７７０４号Ｊ、Ｌかし、更に光
導電体、即ち％感光体の長寿命化の要望が強く、高硬度
の光導電体を作る必要が生じてきた。
れ、特に、Ｈｖ６０〜８０のｈｔ−Ｍｇ−ｓｔ時効硬化
型合金を用いることＩｃより、光導電体の懐ｔｔ鉛拳硬
度で６Ｈとすることができることが、最近見い出され７
’ｃ（％ｍ陥５５−１３７７０４号Ｊ、Ｌかし、更に光
導電体、即ち％感光体の長寿命化の要望が強く、高硬度
の光導電体を作る必要が生じてきた。
本発明の目的は、光導電体の表面硬さが硬く、長痔命の
電子写真用感光体ｔ−提供することにるる。
電子写真用感光体ｔ−提供することにるる。
本発明は、光４を体の基板として、８〜１５車蓋％のシ
リコンと１〜４重量％の銅と０．０５〜０．６重量％の
マグネ：シウムを含有し、残部がアルミニウムから成り
、且つ共晶組織におけるシリコン結晶の平均粒径が４μ
ｍ以下の粒状を呈して均一に分散しているアルミニウム
合金を用い、１ＩＩＩＬがミクロビッカース（ｉＩ！監
で１２０〜１４０Ｈマ硬１ＩｊＬを有するものを用いる
ことにより上記の目的を達成する。
リコンと１〜４重量％の銅と０．０５〜０．６重量％の
マグネ：シウムを含有し、残部がアルミニウムから成り
、且つ共晶組織におけるシリコン結晶の平均粒径が４μ
ｍ以下の粒状を呈して均一に分散しているアルミニウム
合金を用い、１ＩＩＩＬがミクロビッカース（ｉＩ！監
で１２０〜１４０Ｈマ硬１ＩｊＬを有するものを用いる
ことにより上記の目的を達成する。
以下本発明の詳細な説明する。
第１０実施ガとして、光導電体を１１膜する基板線、シ
リコン１１％、銅２５％、マグネシウム０．３％及び残
部をアルミニウムから成るアルミニウム合金製とする。
リコン１１％、銅２５％、マグネシウム０．３％及び残
部をアルミニウムから成るアルミニウム合金製とする。
しかも、このアルミニウム合金の共晶組織におけるシリ
コン結晶の平均粒径を４ｐｍ以乍の粒状をなすようにし
、その−ｆをミクロビッカース硬直で１２０−１４０Ｈ
ｖ硬匿を有するようにする。
コン結晶の平均粒径を４ｐｍ以乍の粒状をなすようにし
、その−ｆをミクロビッカース硬直で１２０−１４０Ｈ
ｖ硬匿を有するようにする。
このようなアルｔ＝りム合金でできた円筒状の基板を洗
浄旭塩した後、その表面に、無定形セレンの蒸着を行な
り、蒸着装置にＦｉ、、基板回転手段と加熱、冷却手段
とを有するマンドレル飄真空蒸着ｉｉ＊ｔ−用いた。こ
の蒸着装置に前記円筒基板を装着しｈ ５ｘｌｏ”’Ｔ
ｏｒｒの圧力下でセレン原料を入れ７ｔＭ発ボートを装
置内でａｏｏｃに加熱し、回転する前記基板にセレンを
蒸着させて、電子写真用感光体ｔ−製造する。なお、前
記基板の回転数は１０〜ａｏｒｐｍとし、蒸着の際には
、前記基板を６０〜７０Ｃに加熱しておいた。蒸着終了
後、前記基板温度が３００になるまで強制冷却し良、ｔ
た蒸着原料でめるセレンは９９．９９％以上の高純にの
ものを用いた。゛ 第１図は上記実施ガの光導電体について、鉛練硬嵐法に
より、光導電体の表面硬さを測定した結果を示したもの
でるる、なお表面を平滑に加工したミクロビッカース硬
［４０，６０の硬ＩｔＬｔ持つアルミニウム合金の同様
な基板にセレンを蒸着して作った光導電体の表面硬さも
比ａｎとして示してるる０図から、比較ガの衣面圧痕倣
ｆＦｉ鉛鹸畿藏４Ｈ〜６Ｈであるのに対し、本実施例の
アルミニウム合金を用いたものでは％ ７Ｈと非常に高
硬度のセレンＩＩ（光導電体）を得られることが分る。
浄旭塩した後、その表面に、無定形セレンの蒸着を行な
り、蒸着装置にＦｉ、、基板回転手段と加熱、冷却手段
とを有するマンドレル飄真空蒸着ｉｉ＊ｔ−用いた。こ
の蒸着装置に前記円筒基板を装着しｈ ５ｘｌｏ”’Ｔ
ｏｒｒの圧力下でセレン原料を入れ７ｔＭ発ボートを装
置内でａｏｏｃに加熱し、回転する前記基板にセレンを
蒸着させて、電子写真用感光体ｔ−製造する。なお、前
記基板の回転数は１０〜ａｏｒｐｍとし、蒸着の際には
、前記基板を６０〜７０Ｃに加熱しておいた。蒸着終了
後、前記基板温度が３００になるまで強制冷却し良、ｔ
た蒸着原料でめるセレンは９９．９９％以上の高純にの
ものを用いた。゛ 第１図は上記実施ガの光導電体について、鉛練硬嵐法に
より、光導電体の表面硬さを測定した結果を示したもの
でるる、なお表面を平滑に加工したミクロビッカース硬
［４０，６０の硬ＩｔＬｔ持つアルミニウム合金の同様
な基板にセレンを蒸着して作った光導電体の表面硬さも
比ａｎとして示してるる０図から、比較ガの衣面圧痕倣
ｆＦｉ鉛鹸畿藏４Ｈ〜６Ｈであるのに対し、本実施例の
アルミニウム合金を用いたものでは％ ７Ｈと非常に高
硬度のセレンＩＩ（光導電体）を得られることが分る。
本５Ａ施ガによれば、シリコン１１％、銅２．５％。
マグネシウム０．３％、残部がアルミニウムのアルミニ
ウム合金の基板に無定形セレンの蒸着をして形成した光
導電体により、光導電体の鏡さｔ船鰺硬直で７Ｈとする
効果がめ）、該光導電体の寿命。
ウム合金の基板に無定形セレンの蒸着をして形成した光
導電体により、光導電体の鏡さｔ船鰺硬直で７Ｈとする
効果がめ）、該光導電体の寿命。
即ち感光体の寿命を向上させて、印刷可能ページ数ｔ−
嬌長する効果がるる、また、本実施内で用いたアルミニ
ウム合金は、共晶シリコンが微粒子として存在されてお
り＃！度が従来に比べ２倍程度硬いにも拘゛らず、非常
に切削性が良く、加工による基板の残留応力、歪等の低
減がなされ、寸法精度、％に偏心等を少なくする効果が
める。
嬌長する効果がるる、また、本実施内で用いたアルミニ
ウム合金は、共晶シリコンが微粒子として存在されてお
り＃！度が従来に比べ２倍程度硬いにも拘゛らず、非常
に切削性が良く、加工による基板の残留応力、歪等の低
減がなされ、寸法精度、％に偏心等を少なくする効果が
める。
第２の実施ガとして、基板としては第１の実施ガで示し
たアルミニウム合金を用いる。以下の構造式で示される
クロル化ダイアンブルーを、エチレンジアミンとｎ−ブ
チルア建ンの１：１（容量比Ｊ１％合溶剤に１重量％の
濃度になるように溶解した溶液を作る０次に、この溶液
を浸すい法により前記基板に塗布して乾燥させ、表向に
厚さ約１μｍの電荷発生物質の層を形成させる。
たアルミニウム合金を用いる。以下の構造式で示される
クロル化ダイアンブルーを、エチレンジアミンとｎ−ブ
チルア建ンの１：１（容量比Ｊ１％合溶剤に１重量％の
濃度になるように溶解した溶液を作る０次に、この溶液
を浸すい法により前記基板に塗布して乾燥させ、表向に
厚さ約１μｍの電荷発生物質の層を形成させる。
次に、以下の構造式で示される化合物とボリカカーボネ
ート樹脂（三菱瓦化学社製のニーピロン８２０００ ）
をｌ：２の重量比で配合し、ジクロルメタンを溶剤とし
て１６重量％の溶液を作る。この溶液を、上記電荷発生
物質の被膜上に浸すい法によｐ塗布して乾燥させ、厚さ
約３０μｍの電荷搬送物質の層を形成させて、電子写真
用感光体を製造する。なお、上記両層共、電子写真特性
は満足されている。。
ート樹脂（三菱瓦化学社製のニーピロン８２０００ ）
をｌ：２の重量比で配合し、ジクロルメタンを溶剤とし
て１６重量％の溶液を作る。この溶液を、上記電荷発生
物質の被膜上に浸すい法によｐ塗布して乾燥させ、厚さ
約３０μｍの電荷搬送物質の層を形成させて、電子写真
用感光体を製造する。なお、上記両層共、電子写真特性
は満足されている。。
１ｇ２図は上記感光体の光導電体の圧痕硬度を鉛線硬度
法により測定し友ものでるる０図から％従来のＨ，４０
の基板を使用した光導電体の硬度は３Ｈ，Ｈ？６Ｇの基
板のそれは４Ｈに対し、本実施内のアル１＝クム基板を
用いた光導電体の硬直は５Ｈと高い圧痕硬直を示してい
る。
法により測定し友ものでるる０図から％従来のＨ，４０
の基板を使用した光導電体の硬度は３Ｈ，Ｈ？６Ｇの基
板のそれは４Ｈに対し、本実施内のアル１＝クム基板を
用いた光導電体の硬直は５Ｈと高い圧痕硬直を示してい
る。
本実施内も感光体の寿命を延ばし、籐ＩＣＩ！ｉｔ！施
ガと同様の効果がるる。
ガと同様の効果がるる。
縞３の実施ガとして％第１の実施ガで示したアルミニウ
ム合金製の基板を用い、この基板の温度’１１５０Ｃ〜
２００Ｃに保持した後、スパッタ蒸着装置を用いたスパ
ッタにより、その表面に光導電体でるるアモルファスシ
リコン膜を３０ｐｍ形成して、電子写真用感光体を作っ
た。４３図は、前記光導電体の圧痕硬ｔを鉛線硬度法に
１９測定したｔのでるる０図から、基板の硬直がＨ１４
０及び６０のものは、５Ｈ及び６Ｈの一皺でめるのに対
し、本実施内の基板を用いたものは、硬度が８Ｈと非常
に＾〈感光体の寿命を延ばし、第１の実施内と同様の効
果がめる。
ム合金製の基板を用い、この基板の温度’１１５０Ｃ〜
２００Ｃに保持した後、スパッタ蒸着装置を用いたスパ
ッタにより、その表面に光導電体でるるアモルファスシ
リコン膜を３０ｐｍ形成して、電子写真用感光体を作っ
た。４３図は、前記光導電体の圧痕硬ｔを鉛線硬度法に
１９測定したｔのでるる０図から、基板の硬直がＨ１４
０及び６０のものは、５Ｈ及び６Ｈの一皺でめるのに対
し、本実施内の基板を用いたものは、硬度が８Ｈと非常
に＾〈感光体の寿命を延ばし、第１の実施内と同様の効
果がめる。
以上記述し良如く本発明の電子写真用感光体によれは、
光導電体の表面硬さ′に硬くて長寿命とすることかで自
る。
光導電体の表面硬さ′に硬くて長寿命とすることかで自
る。
第１図は電子写真用感光体の第１ｏ実厖例の硬度を示し
た線図、第２図は電子写真用感光体の第２の爽ｍ例の硬
直を示した線図、第３図は電子写真用感光体の第３の実
施例の（１１ｉ！Ｋｔ−示した線図で第１頁の続き ０発 明 者 森下泰定 日立市幸町３丁目１番１号株式 ％式％ ＠出 願 人 日立工機株式会社 東京都千代田区大手町二丁目６ 番２号
た線図、第２図は電子写真用感光体の第２の爽ｍ例の硬
直を示した線図、第３図は電子写真用感光体の第３の実
施例の（１１ｉ！Ｋｔ−示した線図で第１頁の続き ０発 明 者 森下泰定 日立市幸町３丁目１番１号株式 ％式％ ＠出 願 人 日立工機株式会社 東京都千代田区大手町二丁目６ 番２号
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板の表面上に、光導電体被膜を形成して成る電子
写真用感光体において、８〜１５重蓋％のシリコンと１
〜４重量％の銅とα０５〜０．６重量％のマグネシウム
と残部にアルミニウムとを含有し、且つ、共晶組織にお
けるシリコン結晶の平均粒径を４ｐｍ以下の粒状とし、
硬さをビッカース硬匿で１２０〜１４０Ｈｖ としたア
ルミニウム合金により前記基板を形成したことを特徴と
する電子写真用感光体。 ２、基板上に、セレンを蒸着して無定形セレン層を形成
して光導電体被膜としたことｔ−特徴とする特許請求の
範囲＃！１項記載の電子写真用感光体。 ３、前記基板上に、シリコンを蒸着してアモルファスシ
リ」ン層を形成して光導電体被膜としたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の電子写真用感光体。 ４、前記基板上に、有機光導電体層を形成して、光導電
体被膜としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20913181A JPS58111046A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20913181A JPS58111046A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58111046A true JPS58111046A (ja) | 1983-07-01 |
Family
ID=16567794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20913181A Pending JPS58111046A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58111046A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4894254A (en) * | 1987-11-17 | 1990-01-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming silicone film |
-
1981
- 1981-12-25 JP JP20913181A patent/JPS58111046A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4894254A (en) * | 1987-11-17 | 1990-01-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming silicone film |
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