JPS58111404A - 同軸型フイルタ - Google Patents
同軸型フイルタInfo
- Publication number
- JPS58111404A JPS58111404A JP56215232A JP21523281A JPS58111404A JP S58111404 A JPS58111404 A JP S58111404A JP 56215232 A JP56215232 A JP 56215232A JP 21523281 A JP21523281 A JP 21523281A JP S58111404 A JPS58111404 A JP S58111404A
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- JP
- Japan
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- dielectric
- conductor
- coupling
- base
- coaxial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2053—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities the coaxial cavity resonators being disposed parall to each other
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は同軸型フィルタに関するものであり、共振器相
互間に新しい構造の結合回路を設け、結合容量の調整を
容易にし、量産性に優れた同軸型フィルタを提供するも
のである。
互間に新しい構造の結合回路を設け、結合容量の調整を
容易にし、量産性に優れた同軸型フィルタを提供するも
のである。
従来、同軸型共振器を用いてフィルタを構成する場合、
第1図に示すように誘電体3を充填した具波長共振器を
用い、1共振器相互間の結合を誘電体棒7を用いて行う
方法(詳しくは特開昭56−3267参照)がある。図
において1は内部導体、2は外部導体、6は筐体、6は
入出力端子であり、19は誘電体棒7を挾むように設け
られたメタライス層である。この構成では、誘電体棒7
の形状誘電体棒7の容量値制御が難しく、各共撮器間の
結合度を制御する(例えば、広帯域フィルタの場合は、
結合は強く、狭帯域フィルタの場合にに1結合は弱く設
計される)ことが非常に困難であり、量産化に適さない
。さらに、共振器先端部の電界が乱れやすく、共振器の
無負荷Qが劣化するという欠点があった。
第1図に示すように誘電体3を充填した具波長共振器を
用い、1共振器相互間の結合を誘電体棒7を用いて行う
方法(詳しくは特開昭56−3267参照)がある。図
において1は内部導体、2は外部導体、6は筐体、6は
入出力端子であり、19は誘電体棒7を挾むように設け
られたメタライス層である。この構成では、誘電体棒7
の形状誘電体棒7の容量値制御が難しく、各共撮器間の
結合度を制御する(例えば、広帯域フィルタの場合は、
結合は強く、狭帯域フィルタの場合にに1結合は弱く設
計される)ことが非常に困難であり、量産化に適さない
。さらに、共振器先端部の電界が乱れやすく、共振器の
無負荷Qが劣化するという欠点があった。
同軸型共振器を用いたフィルタの従来例を第2図に示す
。図において1は内部導体、2は外部導体、4は誘電体
基板13の上に設けられた電極、6は筐体、6は入出力
端子、8は内部導体1の先端にネジこみにより固定され
た押え板であり、12は同調用ビスである。第3図に誘
電体基板13上に設けられた電極4の拡大説明図を示す
(図(b)はけ図(&)のム−Xにおける断面図を示す
。)。この構成では、特性インピーダンスの異なる共振
器を用い、入出力端子の結合を含む共振器相互間の結合
を1枚の誘電体基板13上に構成した電極4の大きさま
たは相互間隙の大きさによる間隙容量を用いて行なう方
法であるが、入出力端子結合部分や帯域中が大きい場合
は、結合容量が大きくなるため誘電体基板13上の電極
間隙が小さくなり、大電力の入力信号の場合、電極間で
放電し破壊されるという欠点があった。また個々の容量
値を修正することが困難であった。本発明はこれらの欠
点をのぞくためになされたものであり、量産性に豊む、
新しい構造の容量結合回路を有する同軸型フィルタを提
供するものである。
。図において1は内部導体、2は外部導体、4は誘電体
基板13の上に設けられた電極、6は筐体、6は入出力
端子、8は内部導体1の先端にネジこみにより固定され
た押え板であり、12は同調用ビスである。第3図に誘
電体基板13上に設けられた電極4の拡大説明図を示す
(図(b)はけ図(&)のム−Xにおける断面図を示す
。)。この構成では、特性インピーダンスの異なる共振
器を用い、入出力端子の結合を含む共振器相互間の結合
を1枚の誘電体基板13上に構成した電極4の大きさま
たは相互間隙の大きさによる間隙容量を用いて行なう方
法であるが、入出力端子結合部分や帯域中が大きい場合
は、結合容量が大きくなるため誘電体基板13上の電極
間隙が小さくなり、大電力の入力信号の場合、電極間で
放電し破壊されるという欠点があった。また個々の容量
値を修正することが困難であった。本発明はこれらの欠
点をのぞくためになされたものであり、量産性に豊む、
新しい構造の容量結合回路を有する同軸型フィルタを提
供するものである。
第4図に本発明の第1の実施例を示す。本実施例は特性
インピーダンスの異なる共奈器を用い、入出力端子の結
合を含む共振器相互間の結合を共振器内部導体1の先端
部に取り付けたリング状誘電体基板9で行なうようにし
た同軸型フィルタである。図において、内部導体1の先
端部に、本発明の特徴の一部である誘電体基板9が導電
性の押え板8で固定されている。この場合内部導体1の
先端部と押え板8とは同電位になるよう固定されており
、押え板8は必要に応じて取り外しかり能である。外部
導体2.筐体5.入出力端子6゜同調用ビス12は従来
と同様に設けられている。
インピーダンスの異なる共奈器を用い、入出力端子の結
合を含む共振器相互間の結合を共振器内部導体1の先端
部に取り付けたリング状誘電体基板9で行なうようにし
た同軸型フィルタである。図において、内部導体1の先
端部に、本発明の特徴の一部である誘電体基板9が導電
性の押え板8で固定されている。この場合内部導体1の
先端部と押え板8とは同電位になるよう固定されており
、押え板8は必要に応じて取り外しかり能である。外部
導体2.筐体5.入出力端子6゜同調用ビス12は従来
と同様に設けられている。
リング状誘電体基板9の詳細構成を第6図に示す。
(&)は平面図、(b)は(a)図のムームにおける断
面図である。本誘電体基板9は、部分的に突出部を有す
る第1の誘電体板14(例えはセラミック、テフロン、
ガラス等)上に、エツチング、印刷等により金属導体2
oを形成しく金属導体20の形状は設計値により任意に
選はれる。)、さらにその上に第2の誘電体板15を熱
圧着等により積層した構造を有している。第1の誘電体
14の突出部上には金属導体20の端子が形成されてい
る。本発明では金属導体20の端子が取り出せる構造で
さえあれは、前記突出部はどのような形状であっても良
く、たとえば第1の誘電体板14は、第2の誘電体板1
6よりも径の大きな円板であっても良い。入出力端子の
結合を含む、各共振器間の結合は、誘電体基板内部の金
属導体20と内部導体1の先端部及び押え板8との容量
によって行なわれ、各誘電体基板9は、損失の少ない金
属導体線10で接続され、容量値は誘電体基板内部の金
蝿導体20の面積と基板15の厚みで制御される。第6
図はこの同軸型フィルタの電気的等価回路である。
面図である。本誘電体基板9は、部分的に突出部を有す
る第1の誘電体板14(例えはセラミック、テフロン、
ガラス等)上に、エツチング、印刷等により金属導体2
oを形成しく金属導体20の形状は設計値により任意に
選はれる。)、さらにその上に第2の誘電体板15を熱
圧着等により積層した構造を有している。第1の誘電体
14の突出部上には金属導体20の端子が形成されてい
る。本発明では金属導体20の端子が取り出せる構造で
さえあれは、前記突出部はどのような形状であっても良
く、たとえば第1の誘電体板14は、第2の誘電体板1
6よりも径の大きな円板であっても良い。入出力端子の
結合を含む、各共振器間の結合は、誘電体基板内部の金
属導体20と内部導体1の先端部及び押え板8との容量
によって行なわれ、各誘電体基板9は、損失の少ない金
属導体線10で接続され、容量値は誘電体基板内部の金
蝿導体20の面積と基板15の厚みで制御される。第6
図はこの同軸型フィルタの電気的等価回路である。
本実施例の場合、金属導体2oが第1及び第2の誘電板
14.15でサンドイッチされた構造となっているため
大電力の入力信号に対しても破壊されることがない利点
を有する。また金属導体2゜はエツチング等によりその
パターンを正確に制御することが可能で、所望通りの結
合容量が容易に得られやすい。さらに誘電体基板9が着
脱可能であるので結合容量の修正が可能である利点を有
している。
14.15でサンドイッチされた構造となっているため
大電力の入力信号に対しても破壊されることがない利点
を有する。また金属導体2゜はエツチング等によりその
パターンを正確に制御することが可能で、所望通りの結
合容量が容易に得られやすい。さらに誘電体基板9が着
脱可能であるので結合容量の修正が可能である利点を有
している。
第7図に本発明の第2の実施例を示す。本実施例は共振
器の開放端部分に誘電体を装架した誘電体装架型同軸共
振器を用いて、入出力端子の結合を含む各共振器間の結
合を誘電体基板9で行なった同軸型フィルタの例である
。内部導体1の開放端部を細くし、ここに内部に導体部
16を有し外部に誘電体17を設けたリング状容量素子
と、第6図に示したリング状誘電体基板9とを挿入し、
押え板8でネジ止めしたものである。なお誘電体17は
メタライズ層18により導体部16及び外部導体6に接
続されている。本実施例は共振器が誘電体装架型である
ことを除いて第1の実施例と同じであり、第1の実施例
で述べた利点をすべて有する。
器の開放端部分に誘電体を装架した誘電体装架型同軸共
振器を用いて、入出力端子の結合を含む各共振器間の結
合を誘電体基板9で行なった同軸型フィルタの例である
。内部導体1の開放端部を細くし、ここに内部に導体部
16を有し外部に誘電体17を設けたリング状容量素子
と、第6図に示したリング状誘電体基板9とを挿入し、
押え板8でネジ止めしたものである。なお誘電体17は
メタライズ層18により導体部16及び外部導体6に接
続されている。本実施例は共振器が誘電体装架型である
ことを除いて第1の実施例と同じであり、第1の実施例
で述べた利点をすべて有する。
第8図は本発明の第3の実施例で、帯域阻止フィルタに
適用した場合である。第9図は帯域阻止フィルタの結合
に用いた誘電体基板9′の構造を示す。金属導体20’
が第1の誘電体板14′と第2の誘電体板16′とでサ
ンドイッチされている。このような構造の誘電体基板9
′が、第8図に示すように内部導体1の先端に取りつけ
られており、各共振器間の金属導体20’は偽波長線路
11で接続されている。
適用した場合である。第9図は帯域阻止フィルタの結合
に用いた誘電体基板9′の構造を示す。金属導体20’
が第1の誘電体板14′と第2の誘電体板16′とでサ
ンドイッチされている。このような構造の誘電体基板9
′が、第8図に示すように内部導体1の先端に取りつけ
られており、各共振器間の金属導体20’は偽波長線路
11で接続されている。
本実施例では、入出力端子の結合を含む各共振器間の結
合は、誘電体基板内部の金属導体20′と内部導体1の
先端部面及び押え板8との容量で行なわれる。第10図
に本実施例の電気的等価回路を示す。本実施例の場合も
大電力入力信号で破壊されることなく、結合回路の微調
整が容易である利点を有する。
合は、誘電体基板内部の金属導体20′と内部導体1の
先端部面及び押え板8との容量で行なわれる。第10図
に本実施例の電気的等価回路を示す。本実施例の場合も
大電力入力信号で破壊されることなく、結合回路の微調
整が容易である利点を有する。
第11図に本発明の第4図の実施例として電磁界結合の
帯域通過フィルタ4め構成図を示す。本例・は第2の実
施例と同様の誘電体装架型同軸共振器′を用いて、入出
力結合を誘電体基板9内部の金属導体4と入出力端子6
とを損失の少ない金属導体線10で接続することにより
行っている。誘電体基板9は内部導体1の先端部に押え
板8によりネジ止めされている。本実施例では、従来困
難であった入出力端子の結合度を精度よく制御すること
ができ、フィルタ特性を設計値に忠実に実現することが
できる。
帯域通過フィルタ4め構成図を示す。本例・は第2の実
施例と同様の誘電体装架型同軸共振器′を用いて、入出
力結合を誘電体基板9内部の金属導体4と入出力端子6
とを損失の少ない金属導体線10で接続することにより
行っている。誘電体基板9は内部導体1の先端部に押え
板8によりネジ止めされている。本実施例では、従来困
難であった入出力端子の結合度を精度よく制御すること
ができ、フィルタ特性を設計値に忠実に実現することが
できる。
以上述べたように本発明では、フィルタ結合回路に内部
に金属導体を有する誘電体基板を用いることにより大電
力の入力信号による破壊等も防止でき、さらに金属導体
をパターン化することにより、結合容量を設計値どおり
に実現することができる。またこの誘電体基板は個々に
脱着可能で容易に結合容量を修正することができ、フィ
ルタの結合回路の微調整も可能となり、量産性にすぐれ
た同軸型フィルタを提供することが可能となる。
に金属導体を有する誘電体基板を用いることにより大電
力の入力信号による破壊等も防止でき、さらに金属導体
をパターン化することにより、結合容量を設計値どおり
に実現することができる。またこの誘電体基板は個々に
脱着可能で容易に結合容量を修正することができ、フィ
ルタの結合回路の微調整も可能となり、量産性にすぐれ
た同軸型フィルタを提供することが可能となる。
第1図及び第2図ば従来の同軸型フィルタを示す断面図
、第3図(&)は従来の結合基板の平面図及び同(b’
lは同断面図、第4図は本発明による同軸型フィルタの
第1の実施例を示す断面図、ljs図(a)は第4図で
用いた結合基板の平面図、同(b)は同断面図、第6図
は第4図の実施例の等価回路図、第7図は本発明の第2
の実施例を示す断面図、第8図は本発明の第3の実施例
で帯域阻止フィルタを示す断面図、第9図(IL)は第
8図で用いた結合基板の平面図、同(b)は同断面図、
第10図は第8図の実施例の等価回路図、第11図は電
磁界結合帯域通過フィルタの断面図である。 1・・・・・・内部導体、2・・・・・・外部導体、5
・・・・・・筐体、6・・・・・・入出力端子、8・・
・・・・押え板、9・・・・・・誘電体基板、10・・
・・・・金属導体線、11・・・・・・偽波長線路、1
2・・・・・・同調用ビス、14・・・・・・第1の誘
電体板、15・・・・・・第2の誘電体板、20・・・
・・・金属導体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第
1 図− 第2図 1り 第4図 第7図 第10図 第11図
、第3図(&)は従来の結合基板の平面図及び同(b’
lは同断面図、第4図は本発明による同軸型フィルタの
第1の実施例を示す断面図、ljs図(a)は第4図で
用いた結合基板の平面図、同(b)は同断面図、第6図
は第4図の実施例の等価回路図、第7図は本発明の第2
の実施例を示す断面図、第8図は本発明の第3の実施例
で帯域阻止フィルタを示す断面図、第9図(IL)は第
8図で用いた結合基板の平面図、同(b)は同断面図、
第10図は第8図の実施例の等価回路図、第11図は電
磁界結合帯域通過フィルタの断面図である。 1・・・・・・内部導体、2・・・・・・外部導体、5
・・・・・・筐体、6・・・・・・入出力端子、8・・
・・・・押え板、9・・・・・・誘電体基板、10・・
・・・・金属導体線、11・・・・・・偽波長線路、1
2・・・・・・同調用ビス、14・・・・・・第1の誘
電体板、15・・・・・・第2の誘電体板、20・・・
・・・金属導体。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第
1 図− 第2図 1り 第4図 第7図 第10図 第11図
Claims (3)
- (1)外部導体及び内部導体を有する一端開放、他端短
絡の同軸型共振器を複数個配列して構成でλ。 前記各共振器の内部導体の開放端部に、金属導体領域を
誘電体材料で挾持した誘電体基板を装架したことを特徴
とする同軸型フィルタ。 - (2)各共振器の内部導体が開放端側において突出部を
有し、この突出部に金属導体領域を誘電体材料で挾持し
た誘電体基板を装着し、前記突出部に導電性押え板を着
脱可能に取り付けたことを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の同軸型フィルタ。 - (3)入出力結合を含む共振器相互間の結合の制御が、
上記誘電体基板の金属導体領域の形状及び誘電体材料の
厚さにより行われることを特徴とする特許請求の範囲第
1項または第2項記載の同軸型フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56215232A JPS58111404A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | 同軸型フイルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56215232A JPS58111404A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | 同軸型フイルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58111404A true JPS58111404A (ja) | 1983-07-02 |
Family
ID=16668893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56215232A Pending JPS58111404A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | 同軸型フイルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58111404A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7180391B2 (en) | 2003-03-18 | 2007-02-20 | Filtronic Comtek Oy | Resonator filter |
| WO2013159545A1 (zh) * | 2012-04-28 | 2013-10-31 | 华为技术有限公司 | 一种可调滤波器及包括该滤波器的双工器 |
-
1981
- 1981-12-24 JP JP56215232A patent/JPS58111404A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7180391B2 (en) | 2003-03-18 | 2007-02-20 | Filtronic Comtek Oy | Resonator filter |
| WO2013159545A1 (zh) * | 2012-04-28 | 2013-10-31 | 华为技术有限公司 | 一种可调滤波器及包括该滤波器的双工器 |
| US9647307B2 (en) | 2012-04-28 | 2017-05-09 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Tunable filter and duplexer including filter |
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