JPS58120254A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS58120254A JPS58120254A JP57003049A JP304982A JPS58120254A JP S58120254 A JPS58120254 A JP S58120254A JP 57003049 A JP57003049 A JP 57003049A JP 304982 A JP304982 A JP 304982A JP S58120254 A JPS58120254 A JP S58120254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- pattern
- transmitting part
- inner lead
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフォトマスクに関する。
回路基板を写真法にエリ製造する場合、回路パターンを
形成するためＫｌｌ光を行ない、その際にフォトマスク
を使用する。フォトマスクには用いるフォトレジストに
工９ポジとネガの二種がある。
形成するためＫｌｌ光を行ない、その際にフォトマスク
を使用する。フォトマスクには用いるフォトレジストに
工９ポジとネガの二種がある。
ここではポジについてのみ説明するが、ネガについても
紫外線の透過部と遮蔽部を逆にすることにより全く同様
のことがいえる。
紫外線の透過部と遮蔽部を逆にすることにより全く同様
のことがいえる。
従来のフォトマスクは第１図のごとり、ハターン部と他
の部分が、完全Ｋｌ蔽部２と透過部３に２分さｎている
ｋめ、このようなフォトマスクを用いて写真法で製造さ
′ｒＬｆＣ基板の導体厚みに初期的に一様ならば全面に
わたり同一となる。従って回層基板の導体の一！ＩＩＫ
＜はみを作９たい場合、つまり一部をハーフエツチング
をしたい場合には露光現儂、エツチングの各工程を繰り
返さなけｎばならず工程が長くなるほか、パターン全体
がオーバーエツチンクになりやすい、フォトレジストの
脱落にエリパターン形状が不ぞろいになるなどの欠点が
ある。
の部分が、完全Ｋｌ蔽部２と透過部３に２分さｎている
ｋめ、このようなフォトマスクを用いて写真法で製造さ
′ｒＬｆＣ基板の導体厚みに初期的に一様ならば全面に
わたり同一となる。従って回層基板の導体の一！ＩＩＫ
＜はみを作９たい場合、つまり一部をハーフエツチング
をしたい場合には露光現儂、エツチングの各工程を繰り
返さなけｎばならず工程が長くなるほか、パターン全体
がオーバーエツチンクになりやすい、フォトレジストの
脱落にエリパターン形状が不ぞろいになるなどの欠点が
ある。
本発明はかかる欠点を除去し、エツチング時にパターン
を形成すると同時にハーフエツチングを行なうことも可
能とするフォトマスクを与えるものである。
を形成すると同時にハーフエツチングを行なうことも可
能とするフォトマスクを与えるものである。
第２ｒ１！Ｊは本発明の一実施例であり１素子のり−ド
の位１合せのために、回路基板のランドにくぼみを形成
するためのフォトマスクの一部を示すものである。フォ
トマスク４は導体パターンを示す遮蔽部５と周囲の透過
部６および導体パターンのランドの位ａにある多数のピ
ンホール状の透過部７とエリなっている。このフォトマ
スク４によりｉ１光すると、遮蔽！Ｂ５を除く透過部６
お工びピンホール状の透過部７にあたる部分のフォトレ
ジストが感光し、現像を行うことｔ／ｃより取り除かｎ
る。
の位１合せのために、回路基板のランドにくぼみを形成
するためのフォトマスクの一部を示すものである。フォ
トマスク４は導体パターンを示す遮蔽部５と周囲の透過
部６および導体パターンのランドの位ａにある多数のピ
ンホール状の透過部７とエリなっている。このフォトマ
スク４によりｉ１光すると、遮蔽！Ｂ５を除く透過部６
お工びピンホール状の透過部７にあたる部分のフォトレ
ジストが感光し、現像を行うことｔ／ｃより取り除かｎ
る。
さらにエツチング工程においてフォトレジストのない部
分の導体が奮食し除去さｎるが、ピンホール状の透過部
７にあたる部分は透過部６に比べ面積カ小さくエツチン
グ液がしみこみにくいためエツチング速Ｉが遅くなる。
分の導体が奮食し除去さｎるが、ピンホール状の透過部
７にあたる部分は透過部６に比べ面積カ小さくエツチン
グ液がしみこみにくいためエツチング速Ｉが遅くなる。
従って透過部６にあたる部分の４簿が完全に除去さｎて
も、ピンホール状の透過＠７にあたる部分の導体はノ１
−フエツチングの状態で残り、第３図に示すようにラン
ドにくぼみが形成さｎる。この工うに本発明のフォトマ
スクを用いると、１回の工程でパターン形成とハーフエ
ツチングが同時にできるため工程が大幅に短縮さｒＬる
ほかフォトマスクも一枚で済みコスト低減の効果が大負
い。
も、ピンホール状の透過＠７にあたる部分の導体はノ１
−フエツチングの状態で残り、第３図に示すようにラン
ドにくぼみが形成さｎる。この工うに本発明のフォトマ
スクを用いると、１回の工程でパターン形成とハーフエ
ツチングが同時にできるため工程が大幅に短縮さｒＬる
ほかフォトマスクも一枚で済みコスト低減の効果が大負
い。
第４図は本発明の他の実施例であり、バンブ付テーフ作
製用のフォトマスクのインナーリードパターンの一部で
ある。インナーリードパターンを示す遮蔽部８の先端よ
りやや内偵にピンホール状の透過部９を多数設けること
にエリこの部分が・・−フエツ千ングさｆ１第５図に示
すバンブ句きテープのインナーリードが１回の工程で形
成さｎる。
製用のフォトマスクのインナーリードパターンの一部で
ある。インナーリードパターンを示す遮蔽部８の先端よ
りやや内偵にピンホール状の透過部９を多数設けること
にエリこの部分が・・−フエツ千ングさｆ１第５図に示
すバンブ句きテープのインナーリードが１回の工程で形
成さｎる。
この場合インナーリードは曲りやすいので工程数が少な
けｎばそｔ″したけ不良品が少なくてすむこと工９、少
′ｔ１！りを上げる上でも効果がある。
けｎばそｔ″したけ不良品が少なくてすむこと工９、少
′ｔ１！りを上げる上でも効果がある。
以上のように本発明によるフォトマスクは、導体パター
ンの一部にくほみを必要とする基板製造を容易にするも
のである。
ンの一部にくほみを必要とする基板製造を容易にするも
のである。
第１図は従来のフォトマスクの斜視図、第２図は不発明
の舅１の実施例のフォトマスクを示す平面ＩＷ、！５図
はくほみを有するランドの斜視図、第４図に本発明の１
４２の実施例であるインナーリードパターンの一部を示
す平面図、第５図はノくンプ付テープのインナーリード
の斜視図である。 １．４・・・フォトマスク ２．５．８・・・パターンを示す遮蔽部３．６・・・パ
ターン周辺の透過部 ７．９・・・ピンホール状の透過部 以 上 出願人 株式会社趣訪稍工舎 代理人 弁理士最 上 務 才′５図
の舅１の実施例のフォトマスクを示す平面ＩＷ、！５図
はくほみを有するランドの斜視図、第４図に本発明の１
４２の実施例であるインナーリードパターンの一部を示
す平面図、第５図はノくンプ付テープのインナーリード
の斜視図である。 １．４・・・フォトマスク ２．５．８・・・パターンを示す遮蔽部３．６・・・パ
ターン周辺の透過部 ７．９・・・ピンホール状の透過部 以 上 出願人 株式会社趣訪稍工舎 代理人 弁理士最 上 務 才′５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＩＩ＋ 回路基板を写真法で製造する場合に使用する
紫外線の透過部と遮蔽部を有するフォトマスクにおいて
、紬記迩蔽部あるいは前記透過部に微細な透過部あるい
は微細な遮蔽部を多数有することを％命とするフォトマ
スク ＋２１ バンプ付テープの導体パターンおよびインナ
ーリードのくぼみを同時に形成するために用いる特許請
求の範囲第１項記載の７オトマスク
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57003049A JPS58120254A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57003049A JPS58120254A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | フオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58120254A true JPS58120254A (ja) | 1983-07-18 |
| JPS6227383B2 JPS6227383B2 (ja) | 1987-06-15 |
Family
ID=11546453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57003049A Granted JPS58120254A (ja) | 1982-01-12 | 1982-01-12 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58120254A (ja) |
-
1982
- 1982-01-12 JP JP57003049A patent/JPS58120254A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6227383B2 (ja) | 1987-06-15 |
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